JPH1097734A - Optical recording medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording medium with which high sensibility and high erasing rate are obtainable and which has excellent preservable property and life. SOLUTION: This optical recording medium allows recording, erasing and reproducing of information by irradiating a recording layer with light. The recording and erasing of the information are executed by the phase transition between an amorphous phase and a crystalline phase with this medium. The optical recording medium has a structure obtd. by laminating a first dielectric layer, the recording layer, a second dielectric layer and a reflection layer on a transparent substrate. The recording layer includes at least one kind of In, Se, Zn and Cd. The second dielectric layer is not transparent to the wavelength of light. The recording layer includes at least one kind of In, Se, Zn and Cd and the second dielectric layer contains materials having k of >=0.02 as its essential component when the virtual part of a refractive index is defined as k.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to
The present invention relates to an optical information recording medium capable of recording, erasing, and reproducing information. In particular, the present invention provides a method for erasing recorded information,
The present invention relates to a rewritable phase-change optical recording medium such as an optical disk having a rewritable function and capable of recording an information signal at high speed and at high density.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。2. Description of the Related Art The technology of a conventional rewritable phase-change optical recording medium is as follows. These optical recording media have a recording layer mainly composed of tellurium or the like, and during recording, a laser beam pulse focused on the crystalline recording layer is irradiated for a short time to partially melt the recording layer. I do. The melted portion is quenched by thermal diffusion and solidified to form an amorphous recording mark. The light reflectance of this recording mark is lower than that of the crystalline state and can be reproduced optically as a recording signal.

【０００３】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。At the time of erasing, a recording mark portion is irradiated with a laser beam and heated to a temperature lower than the melting point of the recording layer and higher than the crystallization temperature, thereby crystallizing the recording mark in an amorphous state and leaving the original unrecorded portion. Return to condition.

【０００４】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層
の材料としては、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂ Ｔｅ₅ などの合金（N.
Yamada et al, Proc. Int. Symp. on Optical Memory 1
987 p61-66）が知られている。As a material of the recording layer of these rewritable phase change optical recording media, alloys such as Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ (N.
Yamada et al, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1
987 p61-66) is known.

【０００５】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体
層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的
な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善す
ると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形
成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する
技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層
の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急
冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした
「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣
化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い
点で優れている（T.Ohta et al., SPIE Proc. Vol. 131
6 (1990) pp367 - 373）。[0005] These optical recording media using a Te alloy as a recording layer have a high crystallization speed, and high-speed overwriting with a single circular beam is possible only by modulating the irradiation power. In an optical recording medium using these recording layers, usually, a dielectric layer having heat resistance and light transmissivity is provided on both sides of the recording layer to prevent the recording layer from being deformed or having an opening during recording. Further, a metal reflective layer such as light-reflective Al is provided on the dielectric layer on the side opposite to the light beam incident direction to improve the signal contrast at the time of reproduction by an optical interference effect. There is known a technique which facilitates formation of a recording mark in a crystalline state and improves erasing characteristics and repetition characteristics. In particular, in the "quenched structure" in which the recording layer and the dielectric layer between the recording layer and the reflective layer are each thinned to about 20 nm, the rewriting is repeated compared to the "slow cooling structure" in which the dielectric layer is thickened to about 200 nm. Is excellent in that the recording characteristics are not degraded due to erasure and the power margin of the erasing power is wide (T. Ohta et al., SPIE Proc. Vol. 131
6 (1990) pp367-373).

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】かかる従来の急冷構造
の書換可能相変化型光記録媒体を用いての従来のディス
ク構造では、記録マークの形成に大きなレーザーパワー
を必要とするし、このため、記録再生用のドライブに大
きなパワーを発振できるレーザーを搭載する必要があ
り、コスト高となるという問題があった。A conventional disk structure using such a conventional quenched structure rewritable phase-change optical recording medium requires a large laser power to form a recording mark. It is necessary to mount a laser capable of oscillating a large power in a recording / reproducing drive, resulting in a problem of high cost.

【０００７】本発明は、かかる従来の光記録媒体の課題
を解決し、高感度で、さらに高い消去率が得られ、か
つ、保存安定性および寿命に優れた光記録媒体を提供せ
んとするものである。An object of the present invention is to solve the problems of the conventional optical recording medium, and to provide an optical recording medium which has a high sensitivity, a higher erasing rate, and is excellent in storage stability and life. It is.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題を
解決するために、次のような手段を採用する。すなわ
ち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成された記録層
に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生
が可能で、かつ、該情報の記録及び消去が、非晶相と結
晶相の間の相変化により行われる光記録媒体であって、
前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層
した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓ
ｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、かつ、該
第２誘電体層が用いる光の波長に対して透明でないこと
を特徴とするものであり、また、基板上に形成された記
録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、
再生が可能で、かつ、該情報の記録および消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体にお
いて、該光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に
積層した構造を有し、かつ、該記録層が少なくともＩ
ｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を含み、該
第２誘電体層が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が
０．０２以上である物質を必須成分として含有すること
を特徴とするものである。The present invention employs the following means in order to solve the above problems. That is, the optical recording medium of the present invention can record, erase, and reproduce information by irradiating a recording layer formed on a substrate with light, and can record and erase information in an amorphous phase. An optical recording medium performed by a phase change between and a crystalline phase,
The optical recording medium has a structure in which at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer are laminated in this order on a transparent substrate, and the recording layer has at least In, S
e, at least one of Zn and Cd, and is not transparent to the wavelength of light used by the second dielectric layer. By irradiating light, information recording, erasing,
In an optical recording medium in which reproduction is possible and recording and erasing of the information is performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, the optical recording medium is provided on a transparent substrate by at least a first dielectric layer. , A recording layer, a second dielectric layer, and a reflection layer in this order, and the recording layer has at least I
n, Se, Zn and Cd, wherein the second dielectric layer contains, as an essential component, a substance in which k is 0.02 or more, where k is the imaginary part of the refractive index. It is a feature.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】本発明は、従来光記録媒体の課題
である、高感度で、かつ、繰り返しオーバライト特性に
すぐれ、さらに保存安定性および寿命に優れた光記録媒
体を提供することについて、鋭意検討したところ、前記
光記録媒体の透明基板上の、第１誘電体層、記録層、第
２誘電体層および反射層の積層順序と、該記録層が少な
くともＩｎ、Ｓｅ、ＺｎおよびＣｄの少なくとも１種を
含むこと、さらに、該第２誘電体層が、用いる光の波長
に対して透明でないものを採用することによって、意外
にも、上述課題を悉く達成することを究明したものであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is to provide an optical recording medium having high sensitivity, excellent repetitive overwrite characteristics, and excellent storage stability and longevity, which is a problem of conventional optical recording media. After intensive study, the order of lamination of the first dielectric layer, the recording layer, the second dielectric layer, and the reflective layer on the transparent substrate of the optical recording medium, and the recording layer is made of at least In, Se, Zn and Cd It has been found that, by adopting a material in which the second dielectric layer is not transparent to the wavelength of light used, the second dielectric layer surprisingly achieves all of the above problems. is there.

【００１０】本発明の第１及び第２誘電体層には、記録
時に基板、記録層などが熱によって変形し、記録特性が
劣化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保
護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コ
ントラストを改善する効果がある。In the first and second dielectric layers of the present invention, the substrate and the recording layer are protected from heat, for example, by preventing the substrate and the recording layer from being deformed by heat during recording and deteriorating the recording characteristics. There is an effect of improving the signal contrast at the time of reproduction by the effect and the optical interference effect.

【００１１】第１誘電体層の厚さｄ1 は、基板や記録層
から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことか
ら、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生
信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比
（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ1
は記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／
ｎ≦ｄ１≦０．７０λ／ｎである。[0011] The thickness d1 of the first dielectric layer is usually 50 nm or more and 400 nm or less because it is difficult to peel off from the substrate or the recording layer and hardly cause defects such as cracks. In order to increase the carrier-to-noise ratio (C / N) by increasing the contrast of the recording / reproducing signal, it is more preferable that d1
Is 0.25λ / wavelength λ of light used for recording and reproduction.
n ≦ d1 ≦ 0.70λ / n.

【００１２】本発明において、第２誘電体層は、透明で
ないかまたはその厚みが３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であ
ることが、低パワーでの記録、消去を可能にするために
好ましい。In the present invention, it is preferable that the second dielectric layer is not transparent or has a thickness of 30 nm or more and 60 nm or less in order to enable recording and erasing with low power.

【００１３】ここで、透明でないとは不透明のみならず
半透明も含む。そして本発明において、第２誘電体層の
屈折率の虚部をｋとするとｋが０を越える値であること
が好ましい。ｋが０では、記録及び消去時の低パワー化
が図れないことがある。低パワー記録と、記録再生信号
の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、より好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦１．０であり、さらに好
ましくは、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。Here, non-transparent includes not only opaque but also translucent. In the present invention, k is preferably a value exceeding 0, where k is the imaginary part of the refractive index of the second dielectric layer. If k is 0, it may not be possible to reduce the power during recording and erasing. From the viewpoint of achieving a balance between low power recording and high C / N by increasing the contrast of the recording / reproducing signal, k is more preferably 0.01 ≦ k ≦ 1.0, and further preferably k is 0.01 ≦ k ≦ k. ≦ 0.3.

【００１４】また、第２誘電体層は、その屈折率の虚部
をｋとするとき、低パワーでの記録、消去を可能にする
ために０．０１≦ｋ≦１．０とすることが重要である。
０．０１＞ｋもしくは、ｋ＞１．０では、記録及び消去
時の高感度化が図れない。低パワー記録と、記録再生信
号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、さら
に好ましくは、０．０１≦ｋ≦１．０である。When the imaginary part of the refractive index of the second dielectric layer is k, 0.01 ≦ k ≦ 1.0 is satisfied in order to enable recording and erasing with low power. is important.
If 0.01> k or k> 1.0, it is not possible to achieve high sensitivity during recording and erasing. From the viewpoint of achieving both low power recording and high C / N by increasing the contrast of the recording / reproducing signal, it is more preferable that 0.01 ≦ k ≦ 1.0.

【００１５】前述の従来の急冷構造の書換可能相変化型
光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第２誘電体
層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍ
Ｗ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本
発明では、第２誘電体層を透明でなくすることにより、
この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことに
より、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下の
より小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。
通常用いられている光記録媒体の第２誘電体層の屈折率
はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは
透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考
えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第２誘
電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦１．０とする
ことによって、かえって、感度をあげることができ、小
パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。The above-mentioned conventional rewritable phase-change optical recording medium having a quenching structure has, for example, a second dielectric layer having a thickness of 20 nm.
Requires laser power of W or more. In contrast, in the present invention, by making the second dielectric layer non-transparent,
By imparting light absorptivity to this layer and preventing cooling of the recording layer, the sensitivity is improved, and good recording is possible with a similar configuration and a smaller laser power of 15 mW or less.
The refractive index of the second dielectric layer of a commonly used optical recording medium is k = 0, and setting k to 0.01 or more impairs transparency. Was thought. The present invention breaks the conventional wisdom and makes it possible to increase the sensitivity by setting the imaginary part k of the refractive index of the second dielectric layer to 0.01 ≦ k ≦ 1.0. They found that they could record well.

【００１６】また、さらには、第２誘電体層の厚さを３
０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワーでの記録
が可能となる。Further, the thickness of the second dielectric layer is set to 3
By setting it to 0 nm or more, recording with lower power becomes possible.

【００１７】第一誘電体層としては、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ₂ 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜
がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａ
ｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物
の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高
いことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ₂
などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さ
いことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合膜あ
るいは、ＺｎＳとＳｉＯ₂ と炭素の混合膜は、記録、消
去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率な
どの劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳ
ｉＯ₂ と炭素の混合膜が好ましい。As the first dielectric layer, ZnS, Si
There are inorganic thin films such as O ₂ , silicon nitride, and aluminum oxide. In particular, a thin film of ZnS, Si, Ge, Al, Ti,
Thin films of oxides of metals such as Zr, Ta, Ce, etc., Si, A
A thin film of a nitride such as l, a thin film of a carbide such as Ti, Zr, and Hf and a film of a mixture of these compounds are preferable because of high heat resistance. In addition, carbon, MgF ₂
Such a mixture of fluorides is also preferable because the residual stress of the film is small. Especially mixed film of ZnS and SiO ₂ or a mixed film of ZnS and SiO ₂ and carbon are recorded, even by the repetition of erasing and recording sensitivity, C / N, preferably in particular ZnS since does not occur easily deteriorate, such as erasure ratio S
A mixed film of iO ₂ and carbon is preferred.

【００１８】本発明における第２誘電体層は、例えば、
ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄
膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの
金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合
物の混合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混
合が好ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、
炭素やＧｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈ
ｆ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、
Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋ
が０．５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられ
る。これらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉ
Ｏ₂ と炭素を構成材料として含む混合膜でありことが好
ましく、さらに、第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ₂ の
モル比がＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ＝８５／１５〜６５／３５で
あり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ₂ ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋
ＳｉＯ₂ ）／Ｃ＝９９／１〜８０／２０であることが好
ましい。The second dielectric layer according to the present invention is, for example,
an inorganic thin film such as ZnS, SiO ₂ , silicon nitride, and aluminum oxide having k less than 0.01, particularly a thin film of ZnS, a thin film of a metal oxide such as Si, Ge, Al, Ti, Zr, Ta, and Ce; Thin films of nitrides such as Si and Al,
It is preferable to mix a thin film of a carbide such as Ti, Zr, or Hf or a film of a mixture of these compounds with a compound having k of 0.1 or more. As a compound in which k is 0.1 or more,
Carbon, Ge, Al, Ti, Zr, Ta, Si, Zn, H
f, Au, Ag, Pt, Cu, Cr, W, Pd, Mo,
Nb, Fe, Co, Ni, Ga, Cd, Rh, Y, L
a, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, D
Simple substances such as y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu and k
Is 0.5 or more, such as oxides and sulfides. Among these, at least the dielectric layer is composed of ZnS and Si.
A mixed film containing O ₂ and carbon as constituent materials is preferable, and the molar ratio between ZnS and SiO ₂ in the second dielectric layer is ZnS / SiO ₂ = 85/15 to 65/35; The molar ratio of ZnS + SiO ₂ and C is (ZnS +
(SiO ₂ ) / C = 99/1 to 80/20.

【００１９】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム
・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消
去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体
の主要部を構成することが好ましい。In particular, since the recording sensitivity is high, one-beam overwriting is possible at high speed, and the erasing rate is large and the erasing characteristics are good, the main part of the optical recording medium can be constituted as follows. preferable.

【００２０】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａ
ｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化
物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したも
のなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれ
らを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導
率を高くできることから好ましい。前述の合金の例とし
て、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合
計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるい
は、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの
少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％
以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くで
きることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、と
りわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なく
とも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％
以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、
反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ
−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、
Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成す
ることが好ましい。As a material of the reflection layer, a metal such as Al or Au having light reflectivity, or a material containing these as a main component,
Alloys containing additional elements such as i, Cr, Hf and Al, A
Examples thereof include a mixture of a metal such as u and a metal compound such as a metal nitride such as Al and Si, a metal oxide, and a metal chalcogenide. Metals such as Al and Au and alloys containing these as main components are preferable because of their high light reflectivity and high thermal conductivity. As an example of the above-mentioned alloy, Al, Si, Mg, Cu, Pd, Ti, Cr, H
At least one element such as f, Ta, Nb, Mn and the like added in a total of 5 at% or less and 1 at% or more, or at least one of Au, Cr, Ag, Cu, Pd, Pt, and Ni Element total 20 atomic% or less 1 atomic%
These are the ones added above. In particular, an alloy containing Al as a main component is preferable because the price of the material can be reduced, and particularly, Ti and C are added to Al because of good corrosion resistance.
at least one metal selected from the group consisting of r, Ta, Hf, Zr, Mn, and Pd in a total of 5 atomic% or less and 0.5 atomic%.
The alloys added above are preferred. In particular, because corrosion resistance is good and hillocks do not easily occur,
Al-Hf-Pd alloy, Al-Hf alloy, Al containing a reflective layer containing a total of 0.5 to 3 atomic% of additional elements
-Ti alloy, Al-Ti-Hf alloy, Al-Cr alloy,
Al-Ta alloy, Al-Ti-Cr alloy, Al-Si-
It is preferable to use any one of the Mn alloys mainly containing Al.

【００２１】記録層としては、特に限定するものではな
いが、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−
Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｓｅ−Ｂｉ合金、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−Ｓｂ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ−
Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ合金、Ｇｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−
Ｓｅ−Ｓｂ合金、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ−Ｂｉ合金、
Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合
金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ合金、Ｚｎ
−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｚｎ−Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ合金、
Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ｐ−Ｓ合金、Ｃｄ−
Ｓｎ−Ｐ−Ｓｅ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ合金、Ｃｄ−Ｓ
ｎ−Ａｓ−Ｓ合金、Ｃｄ−Ｓｎ−Ａｓ−Ｓｅ合金などが
ある。The recording layer is not particularly limited, but may be an In-Se alloy, an In-Sb-Te alloy, an Ag-
In-Te-Sb alloy, Ag-In-Te-Bi alloy,
Ag-In-Se alloy, Ag-In-Se-Sb alloy,
Ag-V-In-Te-Sb alloy, Ag-In-Se-
Bi alloy, Ag-Ga-Se alloy, Ag-Ga-Se-
Sb alloy, Ag-Ga-Se-Bi alloy, Ag-In-
S alloy, Ag-In-S-Sb alloy, Ag-In-S-
Bi alloy, Cu-In-Te alloy, Gu-In-Te-
Sb alloy, Cu-In-Te-Bi alloy, Cu-In-
Se-Sb alloy, Cu-In-Se-Sb-Bi alloy,
Zn-Sn-Sb alloy, Zn-Sn-Sb-S alloy, Z
n-Sn-Sb-Se alloy, Zn-Sn-As alloy, Z
n-Sn-As-S alloy, Zn-Sn-As-Se alloy, Zn-Sn-P alloy, Zn-Sn-PS alloy, Z
n-Sn-P-Se alloy, Zn-Ge-As alloy, Zn
-Ge-As-S alloy, Zn-Ge-As-Se alloy,
Cd-Sn-P alloy, Cd-Sn-PS alloy, Cd-
Sn-P-Se alloy, Cd-Sn-As alloy, Cd-S
There are n-As-S alloy, Cd-Sn-As-Se alloy and the like.

【００２２】また、本発明においては、記録、再生に用
いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ1 、屈折率
（実部）をｎ1 、記録層の厚さをｄr 、第２誘電体層の
厚さをｄ2 、屈折率（実部）をｎ2 、反射層の厚さをｄ
f とするとき、次式 ０．２５λ／ｎ≦ｄ1 ≦０．７０λ／ｎ １０≦ｄr ≦４０（単位ｎｍ） １０≦ｄ2 ≦６０（単位ｎｍ） ４０≦ｄf ≦２００ ２≦ｎ1 ≦２．５ ２≦ｎ2 ≦２．５ を満足するように、層厚さが設定されることが好まし
い。In the present invention, the wavelength of light used for recording and reproduction is λ, the thickness of the first dielectric layer is d 1, the refractive index (real part) is n 1, the thickness of the recording layer is dr, 2 The thickness of the dielectric layer is d2, the refractive index (real part) is n2, and the thickness of the reflective layer is d2.
Assuming that f, the following equation: 0.25λ / n ≦ d1 ≦ 0.70λ / n 10 ≦ dr ≦ 40 (unit nm) 10 ≦ d2 ≦ 60 (unit nm) 40 ≦ df ≦ 200 2 ≦ n1 ≦ 2.5 The layer thickness is preferably set so as to satisfy 2 ≦ n2 ≦ 2.5.

【００２３】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。As the material of the substrate of the present invention, various transparent synthetic resins, transparent glass and the like can be used. In order to avoid the effects of dust and scratches on the substrate, it is preferable to use a transparent substrate and perform recording from the substrate side with a focused light beam, and such transparent substrate materials include glass, polycarbonate, polymethyl methacrylate, Polyolefin resin, epoxy resin, polyimide resin and the like can be mentioned. In particular, a polycarbonate resin and an amorphous polyolefin resin are preferable because they have low optical birefringence, low hygroscopicity, and are easy to mold.

【００２４】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。Although the thickness of the substrate is not particularly limited, it is practically 0.01 mm to 5 mm. 0.01m
If it is less than m, even when recording with a light beam focused from the substrate side, it is easily affected by dust, and if it is 5 mm or more,
It becomes difficult to increase the numerical aperture of the objective lens, and the spot size of the irradiation light beam becomes large, so that it becomes difficult to increase the recording density. The substrate may be flexible or rigid. The flexible substrate is used in the form of a tape, a sheet, or a card. The rigid substrate is used in the form of a card or a disk. In addition, these substrates may be formed into an air sandwich structure, an air incident structure, or a close bonding structure by using two substrates after forming a recording layer or the like. The light source used for recording on the optical recording medium of the present invention is a high-intensity light source such as a laser beam or a strobe light. In particular, a semiconductor laser beam has a small light source, low power consumption, and easy modulation. It is preferable because of its existence.

【００２５】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。The recording is performed by irradiating a laser beam pulse or the like to the crystalline recording layer to form an amorphous recording mark. Alternatively, a recording mark in a crystalline state may be formed on a recording layer in an amorphous state. Erasing can be performed by irradiating a laser beam to crystallize an amorphous recording mark or to make a crystalline recording mark amorphous. Since the recording speed can be increased and the recording layer is hardly deformed, it is preferable to form an amorphous recording mark during recording and crystallize during erasing.

【００２６】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。When forming a recording mark, the light intensity is high.
One-beam overwriting, in which erasing is slightly weakened and rewriting is performed by one light beam irradiation, is preferable because the time required for rewriting is reduced.

【００２７】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。反射層、記録層などを基板上に形成する方
法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法な
どがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易
であることから、スパッタリング法が好ましい。Next, a method for manufacturing the optical recording medium of the present invention will be described. Examples of a method for forming a reflective layer, a recording layer, and the like on a substrate include a known thin film forming method in a vacuum, for example, a vacuum deposition method, an ion plating method, and a sputtering method. In particular, the sputtering method is preferable because the composition and the film thickness can be easily controlled.

【００２８】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。The thickness of the recording layer and the like to be formed can be easily controlled by monitoring the deposition state using a quartz crystal film thickness meter or the like.

【００２９】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。The formation of the recording layer or the like may be performed while the substrate is fixed, or may be moved or rotated. The substrate is preferably rotated on its own because of excellent in-plane uniformity of the film thickness, and more preferably combined with revolution.

【００３０】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。Further, after forming a reflective layer or the like within a range that does not significantly impair the effects of the present invention, a dielectric layer such as ZnS or SiO ₂ or a resin protection such as an ultraviolet curable resin is used to prevent scratches and deformation. Layers and the like may be provided as necessary. After the formation of the reflection layer or the like, or after the formation of the above-mentioned resin protective layer, the two substrates may be opposed to each other and bonded with an adhesive.

【００３１】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレ
ーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し
予め結晶化させておくことが好ましい。Before the actual recording, the recording layer is preferably irradiated with a laser beam, a xenon flash lamp or the like, and crystallized in advance.

【００３２】[0032]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments.

【００３３】（分析，測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記
録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）は、スペク
トラムアナライザにより測定した。(Analysis and Measurement Methods) The compositions of the reflective layer and the recording layer were confirmed by ICP emission analysis (manufactured by Seiko Instruments Inc.). The carrier-to-noise ratio and the erasing rate (difference in the reproduced carrier signal strength after recording and after erasing) were measured by a spectrum analyzer.

【００３４】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。The film thickness during the formation of the recording layer, the dielectric layer, and the reflection layer was monitored by a quartz oscillator film thickness meter. The thickness of each layer was measured by observing the cross section with a scanning or transmission electron microscope.

【００３５】実施例１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．２μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３
０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ
法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。ま
ず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排気した後、２×
１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、ＳｉＯ₂ を２０ｍｏ
ｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上に膜厚１５０
ｎｍの屈折率２．１２の第１誘電体層を形成した。さら
に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットをスパ
ッタして、ＡｇＩｎＴｅ₂ Ｓｂの膜厚２５ｎｍの記録層
を形成した。さらに次に、ＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣ（Ｃのｋ値は０．９）の同時スパッタ
で、ＺｎＳとＣのモル混合比が、８：１となるように
（ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ 、モル比＝８／２、（ＺｎＳ＋Ｓｉ
Ｏ₂ ）／Ｃモル比＝８／１）膜厚３７ｎｍの第２誘電体
層を形成し、次にＰｄ_0.001 Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.979合金の
膜厚７０ｎｍの反射層を形成した。Example 1 A polycarbonate substrate with a spiral groove having a thickness of 1.2 mm, a diameter of 13 cm and a pitch of 1.2 μm was cut at a rate of 3 minutes per minute.
While rotating at 0 rotation, a recording layer, a dielectric layer, and a reflective layer were formed by a high-frequency magnetron sputtering method. First, after evacuating the inside of the vacuum vessel to 1 × 10 ⁻³ Pa, 2 ×
In a 10 ^-1 Pa Ar gas atmosphere, ₂₀ mol of SiO ₂ was added.
1% of ZnS is sputtered, and a film thickness of 150
A first dielectric layer having a refractive index of 2.12 nm was formed. Further, a target made of Ag, In, Sb, and Te was sputtered to form a recording layer of AgInTe ₂ Sb with a thickness of 25 nm. Further, ZnS and C (k value of C is 0.9) to which 20 mol% of SiO ₂ is added are simultaneously sputtered so that the molar mixing ratio of ZnS and C becomes 8: 1 (ZnS / SiO ₂ , Molar ratio = 8/2, (ZnS + Si
O ₂ ) / C molar ratio = 8/1) A second dielectric layer with a thickness of 37 nm was formed, and then a reflective layer of a Pd _0.001 Hf _0.02 Al _0.979 alloy with a thickness of 70 nm was formed.

【００３６】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外
線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し
本発明の光記録媒体を得た。After the disk was taken out of the vacuum vessel, an acrylic UV curable resin (SD-101 manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.) was spin-coated on the reflective layer, and cured by UV irradiation to form a 10 μm thick film. A resin layer was formed to obtain an optical recording medium of the present invention.

【００３７】この光記録媒体に波長７９０ｎｍの半導体
レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を
結晶化し、初期化した。The optical recording medium was irradiated with a semiconductor laser beam having a wavelength of 790 nm to crystallize and initialize the recording layer on the entire surface of the disk.

【００３８】その後、線速度７ｍ／秒の条件で、対物レ
ンズの開口数０．４７、半導体レーザーの波長７８０ｎ
ｍの光学ヘッドを使用して、周波数５．１７ＭＨｚ、ピ
ークパワー８〜１６ｍＷ、ボトムパワー４〜８ｍＷの各
条件に変調した半導体レーザー光で１回記録した後、再
生パワー１．０ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド
幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部
分を１．９４ＭＨｚで、先と同様に変調した半導体レー
ザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、この時
の５．１７ＭＨｚの前記録信号の消去率を測定した。ピ
ークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが
得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２
０ｄＢの消去率が得られた。また、５．１７ＭＨｚで１
万回オーバライト記録した後Ｃ／Ｎを測定したところ、
１回記録の場合と同等な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ
た。Thereafter, under the condition of a linear velocity of 7 m / sec, the numerical aperture of the objective lens is 0.47, and the wavelength of the semiconductor laser is 780 n.
After recording once with a semiconductor laser beam modulated under the conditions of a frequency of 5.17 MHz, a peak power of 8 to 16 mW, and a bottom power of 4 to 8 mW using an optical head of m, a semiconductor laser beam of a reproduction power of 1.0 mW And the C / N was measured under the condition of a band width of 30 kHz. Further, this portion was irradiated with a semiconductor laser beam modulated at 1.94 MHz in the same manner as above, and one-beam overwriting was performed. At this time, the erasing rate of the prerecorded signal at 5.17 MHz was measured. A practically sufficient C / N of 50 dB can be obtained with a peak power of 10 mW, and a practically sufficient C / N of 4 to 7 mW with a bottom power of 4 to 7 mW.
An erasing rate of 0 dB was obtained. In addition, 1 at 5.17 MHz
C / N was measured after overwrite recording 10,000 times.
A C / N of 50 dB or more equivalent to the case of one-time recording was obtained.

【００３９】この光記録媒体の一部を記録層と第２誘電
体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘
電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。A part of this optical recording medium was peeled off at the interface between the recording layer and the second dielectric layer, and the value of k of the second dielectric layer was measured by spectroscopic ellipsometry and found to be 0.05. .

【００４０】また、さらにこの光記録媒体の断面の一部
を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体
層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定
通りになっていた。Further, when a part of the cross section of the optical recording medium was observed with a transmission electron microscope, the thicknesses of the first dielectric layer, the recording layer, the second dielectric layer, and the reflective layer were set as described above. Had become.

【００４１】実施例２ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ₂ と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
たほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施
例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１
０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂ以上の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋ
の値を測定したところ、０．０６であった。Example 2 The second dielectric layer of Example 1 was simultaneously sputtered with ZnS and C to which 20 mol% of SiO ₂ was added, and the molar mixture ratio of ZnS, SiO ₂ and C was 8: 2: 1.2. A disk was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the disk was manufactured as follows. As a result of measuring the recording characteristics in the same manner as in Example 1, the peak power was 1
A practically sufficient C / N of 50 dB or more is obtained at 0 mW or more, and a practically sufficient 20 d at a bottom power of 4 to 7 mW.
An erase ratio of B or more was obtained. As in the first embodiment, k
Was 0.06.

【００４２】実施例３ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ₂ を２０モル％添加し
たＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ₂ とＣ
のモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほ
かは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１
と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワ
ー５．６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビ
ーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同
様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いず
れも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの
増加もほとんどみられなかった。実施例１と同様にし
て、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０．１であっ
た。[0042] The second dielectric layer of Example 3 Example 1 with simultaneous sputtering of ZnS and C where the SiO ₂ was added 20 mol%, ZnS and SiO ₂ and C
A disk was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixture was prepared so that the molar mixing ratio of the compound was 8: 2: 2.5. Example 1
As a result of measuring the recording characteristics in the same manner as in the above, the peak power was 9.2.
At mW, a practically sufficient C / N of 50 dB was obtained, and at a bottom power of 4 to 7 mW, a practically sufficient erasing rate of 20 dB was obtained. Further, under the conditions of a peak power of 11 mW, a bottom power of 5.6 mW, and a frequency of 8.87 MHz, one-beam overwriting was repeated 10,000 times, and the same measurement was performed. In each case, almost no deterioration was observed within 2 dB, and almost no increase in jitter was observed. When the value of k was measured in the same manner as in Example 1, the value of k was 0.1.

【００４３】実施例４ 実施例１の第２誘電体層の厚みを２０ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と
同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ
以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、か
つボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上
の消去率が得られた。実施例１と同様にして、ｋの値を
測定したところ、ｋの値は０．０５であった。Example 4 A disk was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the second dielectric layer in Example 1 was changed to 20 nm. The recording characteristics were measured in the same manner as in Example 1, and as a result, the peak power was 14 mW.
As a result, a practically sufficient C / N of 50 dB or more was obtained, and a practically sufficient erase ratio of 20 dB or more was obtained with a bottom power of 6 to 9 mW. When the value of k was measured in the same manner as in Example 1, the value of k was 0.05.

【００４４】実施例５ 実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ₂ とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の
一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同
様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を
測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分
な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４
〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０６であった。Example 5 The second dielectric layer of Example 1 was formed by simultaneous sputtering of ZnS and C to which 20 mol% of SiO ₂ was added, instead of Zn.
A disc was prepared in the same manner as in Example 1, except that the mixing was carried out using an integrated target having a molar mixing ratio of S, SiO ₂ and C of 72:18:10. As a result of measuring the recording characteristics in the same manner as in Example 1, a practically sufficient C / N of 50 dB or more was obtained at a peak power of 10 mW or more, and a bottom power of 4 was obtained.
At a power of ７7 mW, a practically sufficient erasing rate of 20 dB or more was obtained. When the value of k was measured in the same manner as in Example 1,
The value of k was 0.06.

【００４５】実施例６ 実施例１の第１誘電体層をＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎ
ＳとＳｉＯ₂ とＣのモル混合比が、７６：１９：５の一
体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同様
にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測
定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な
５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜
７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られ
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０．０５であった。Example 6 Instead of performing the first dielectric layer of Example 1 by simultaneous sputtering of ZnS and C containing 20 mol% of SiO ₂ ,
A disk was prepared in the same manner as in Example 1, except that the mixing was performed using an integrated target having a molar mixing ratio of S, SiO ₂ and C of 76: 19: 5. As a result of measuring the recording characteristics in the same manner as in Example 1, a practically sufficient C / N of 50 dB or more was obtained with a peak power of 10 mW or more, and a bottom power of 4 to
At 7 mW, a practically sufficient erasing rate of 20 dB or more was obtained. When the value of k was measured in the same manner as in Example 1,
The value of k was 0.05.

【００４６】実施例７ 実施例１の記録層の組成をＡｇＩｎＴｅ₂ ＳｂからＡｇ
₃ Ｉｎ₃ Ｔｅ₆ Ｓｂ₇に代えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。Example 7 The composition of the recording layer of Example 1 was changed from AgInTe ₂ Sb to Ag.
_A disc was produced in the same manner as in Example 1 except that 3In ₃ Te ₆ Sb ₇ was used. The recording characteristics were measured in the same manner as in Example 1. As a result, a peak power of 10 mW or more was sufficient for practical use.
C / N of 0 dB or more is obtained, and bottom power 4 to 7
At mW, a practically sufficient erasing rate of 25 dB or more was obtained.
When the value of k was measured in the same manner as in Example 1, the value of k was 0.05.

【００４７】実施例８ 実施例１の記録層の組成をＡｇＩｎＴｅ₂ＳｂからＡｇ₈
ＶＩｎ₆Ｔｅ₂₇Ｓｂ₅₈に変えた以外は実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７
ｍＷで実用上十分な２５ｄＢ以上の消去率が得られた。
実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの
値は０．０５であった。Example 8 The composition of the recording layer of Example 1 was changed from AgInTe ₂ Sb to Ag ₈
A disk was produced in the same manner as in Example 1 except that VIn ₆ Te ₂₇ Sb ₅₈ was used. The recording characteristics were measured in the same manner as in Example 1. As a result, a peak power of 10 mW or more was sufficient for practical use.
C / N of 0 dB or more is obtained, and bottom power 4 to 7
At mW, a practically sufficient erasing rate of 25 dB or more was obtained.
When the value of k was measured in the same manner as in Example 1, the value of k was 0.05.

【００４８】比較例１ 実施例１の光記録媒体の第２誘電体層をＳｉＯ₂ を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを
２０ｎｍにし、反射層の厚みを１４５ｎｍとしたほか
は、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディス
クを作製した。Comparative Example 1 The second dielectric layer of the optical recording medium of Example 1 was made of SiO ₂
A disk having a conventional quenching structure was manufactured in the same manner as in Example 1 except that ZnS to which mol% was added was sputtered to make the thickness 20 nm and the thickness of the reflection layer 145 nm.

【００４９】実施例１と同様に測定したところ、ピーク
パワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、
１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消
去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０
ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となってい
た。実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、
ｋの値は０であった。When measured in the same manner as in Example 1, when the peak power was less than 15 mW, the C / N did not reach 50 dB.
At 16 mW or more, a C / N of 50 dB or more was obtained. The bottom power at which the erasure rate is 20 dB or more is 7 to 10
At mW, the optical recording medium had lower sensitivity than the examples. When the value of k was measured in the same manner as in Example 1,
The value of k was 0.

【００５０】[0050]

【発明の効果】本発明は、光記録媒体を透明でない第２
誘電体層を有する構成としたので、以下の効果が得られ
た。 (1) 低パワーで記録消去ができる。 (2) 高い消去率が得られる。 (3) 耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。 (4) スパッタ法により容易に作製できる。According to the present invention, an optical recording medium which is not transparent
With the configuration having the dielectric layer, the following effects were obtained. (1) Recording and erasing can be performed with low power. (2) A high erasure rate can be obtained. (3) Excellent heat and moisture resistance and oxidation resistance, and long life. (4) Can be easily manufactured by sputtering.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって、情報の記録、消去、再生が可能で、か
つ、該情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相
変化により行われる光記録媒体であって、前記光記録媒
体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有
し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓｅ、Ｚｎおよ
びＣｄの少なくとも１種を含み、かつ、該第２誘電体層
が用いる光の波長に対して透明でないことを特徴とする
光記録媒体。1. A recording layer formed on a substrate is irradiated with light so that information can be recorded, erased, and reproduced, and the information can be recorded and erased between an amorphous phase and a crystalline phase. An optical recording medium performed by a phase change of, wherein the optical recording medium is formed on a transparent substrate, at least a first dielectric layer, a recording layer,
It has a structure in which a second dielectric layer and a reflective layer are laminated in this order, the recording layer contains at least one of In, Se, Zn and Cd, and the light used by the second dielectric layer An optical recording medium which is not transparent with respect to the wavelength. 【請求項２】 該第２誘電体層が、屈折率の虚部をｋと
するとき、該ｋが、用いる光の波長に対して、０を越え
る値である請求項１記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein when the imaginary part of the refractive index of the second dielectric layer is k, k is a value exceeding 0 with respect to the wavelength of the light to be used. . 【請求項３】 該ｋが、０．０１≦ｋ≦１．０である請
求項２記載の光記録媒体。3. The optical recording medium according to claim 2, wherein k is 0.01 ≦ k ≦ 1.0. 【請求項４】 該ｋが、０．０１≦ｋ≦０．３である請
求項２記載の光記録媒体。4. The optical recording medium according to claim 2, wherein k is 0.01 ≦ k ≦ 0.3. 【請求項５】 該第１誘電体層の厚さ（ｄ１）が、５０
ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒
体。5. The thickness (d1) of said first dielectric layer is 50
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein nm ≦ d1 ≦ 400 nm. 【請求項６】 該第１誘電体層の厚さｄ１が、記録、再
生に用いる光の波長λに対して ０．２５λ／ｎ≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ （ここでｎは自然数を示す。） である請求項１記載の光記録媒体。6. The thickness d1 of the first dielectric layer is 0.25λ / n ≦ d1 ≦ 0.70λ / n with respect to the wavelength λ of light used for recording and reproduction (where n is a natural number) The optical recording medium according to claim 1, wherein 【請求項７】 該第２誘電体層の厚さ（ｄ２）が、３０
ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍである請求項１記載の光記録媒
体。7. The thickness (d2) of the second dielectric layer is 30.
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein nm ≦ d2 ≦ 60 nm. 【請求項８】 該第１誘電体層が、少なくともＺｎＳと
ＳｉＯ₂ を含む混合膜である請求項１記載の光記録媒
体。8. The optical recording medium according to claim 1, wherein said first dielectric layer is a mixed film containing at least ZnS and SiO ₂ . 【請求項９】 該第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳ
ｉＯ₂ とＣを構成材料として含む混合膜である請求項１
記載の光記録媒体。9. The method according to claim 1, wherein the second dielectric layer comprises at least ZnS and S
_2. A mixed film containing iO ₂ and C as constituent materials.
The optical recording medium according to the above. 【請求項１０】 該第２誘電体層中のＺｎＳとＳｉＯ₂
のモル比が、ＺｎＳ／ＳｉＯ₂ ＝８５／１５〜６５／３
５であり、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ₂ ）とＣのモル比が（Ｚｎ
Ｓ＋ＳｉＯ₂ ）／Ｃ＝９９／１〜８０／２０である請求
項９記載の光記録媒体。10. The ZnS and SiO ₂ in the second dielectric layer.
Is ZnS / SiO ₂ = 85/15 to 65/3.
5, and the molar ratio between (ZnS + SiO ₂ ) and C is (ZnS + SiO ₂ ).
_{S + SiO 2) / C =} 99 / 1~80 / 20 The optical recording medium according to claim 9, wherein. 【請求項１１】 基板上に形成された記録層に光を照射
することによって、情報の記録、消去、再生が可能で、
かつ、該情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間
の相変化により行われる光記録媒体において、該光記録
媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造
を有し、かつ、該記録層が少なくともＩｎ、Ｓｅ、Ｚｎ
およびＣｄの少なくとも１種を含み、該第２誘電体層
が、屈折率の虚部をｋとするときｋ、が０．０２以上で
ある物質を必須成分として含有することを特徴とする光
記録媒体。11. A recording layer formed on a substrate is irradiated with light to record, erase, and reproduce information.
In addition, in an optical recording medium in which recording and erasing of the information is performed by a phase change between an amorphous phase and a crystalline phase, the optical recording medium is formed on a transparent substrate by at least a first dielectric layer, a recording layer, 2 has a structure in which a dielectric layer and a reflective layer are laminated in this order, and the recording layer is at least In, Se, Zn
And at least one of Cd and Cd, wherein the second dielectric layer contains, as an essential component, a substance in which k is 0.02 or more, where k is the imaginary part of the refractive index. Medium.