JPH1095638A - Coating structure, optical apparatus or element and their production - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a coating structure excellent in surface cleanability, hardly peeling, improved in mechanical durability, by coating a ground layer through an adhesive consisting essentially of silicon with a fluorocarbon layer. SOLUTION: A fluorocarbon layer 1 represented by a polytetrafluoroethylene and/or a perfluoropolyether having <=10nm thickness is bonded and applied through an adhesive layer 2 consisting essentially of silicon having <=10nm thickness on a boundary layer 3 at the surface side of a ground layer to an optical film 9 as the ground layer which is formed by lamination on the top of a substrate body 8 composed of an optical apparatus or element having the surface made of quartz glass or silicon to give a coating structure. Preferably, the coated surface has no change in appearance even by 20 times reciprocated rubbings with an alcohol impregnated cloth and has >=100 deg. angle of contact of water. The adhesive layer 2 and the fluorocarbon layer 1 are formed by a physical film forming method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フルオロカーボン
層を有する被覆構造、光学的装置又は素子、及びこれら
の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating structure having a fluorocarbon layer, an optical device or element, and a method for producing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】フルオロカーボンは、各種の製品の表面
加工にとって有用な物質であり、その用途範囲は極めて
広い。2. Description of the Related Art Fluorocarbon is a useful substance for surface treatment of various products, and its application range is extremely wide.

【０００３】例えば、陰極線管（ＣＲＴ）においては、
ガラスパネル（フェースプレート）を保護するためにそ
の表面に、硬質層（ハードコート）を施し、更にこの上
にＳｉＯ₂ 等の反射防止膜（ＡＲ膜）を形成している
が、この反射防止膜上にフルオロカーボン膜をトップコ
ートとして形成すると、光透過性を保持しつつ表面の洗
浄性や耐久性を向上させ得るものと期待される。For example, in a cathode ray tube (CRT),
A hard layer (hard coat) is applied to the surface of the glass panel (face plate) to protect it, and an anti-reflection film (AR film) such as SiO ₂ is formed thereon. When a fluorocarbon film is formed thereon as a top coat, it is expected that the surface can be washed and the durability can be improved while maintaining light transmittance.

【０００４】このようなフルオロカーボンのトップコー
ト層は、耐熱性、耐薬品性が高く、また、撥水性、撥油
性をも併せ持つので、洗浄性に優れており、かつ、引っ
掻きやこすり等に対しての機械的耐久性にも優れてい
る。[0004] Such a fluorocarbon top coat layer has high heat resistance and chemical resistance, and also has water repellency and oil repellency, so that it is excellent in detergency and resistant to scratching and rubbing. Also has excellent mechanical durability.

【０００５】これらの特性は、フッ素原子のサイズが小
さく、あらゆる原子の中で電気陰性度が最も大きく、分
子内の炭素原子−フッ素原子の結合が強固であり、表面
エネルギーが小さいという、フルオロカーボン特有の性
質に由来している。[0005] These properties are characteristic of fluorocarbons, in which the size of a fluorine atom is small, the electronegativity is the highest among all the atoms, the carbon-fluorine atom bond in the molecule is strong, and the surface energy is small. From the nature of.

【０００６】フルオロカーボン層を成膜するための一般
的な方法は、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法である。
しかし、この方法の最大の欠点は、装置が高価であり、
反応ガスの使用により装置の占有スペースが大きくなる
ことである。プラズマＣＶＤ法に代えて、より安価な成
膜方法としてはＲＦスパッタ法が挙げられる。A general method for forming a fluorocarbon layer is a plasma CVD (PECVD) method.
However, the biggest disadvantage of this method is that the equipment is expensive,
The use of the reaction gas increases the space occupied by the apparatus. As an inexpensive film forming method instead of the plasma CVD method, there is an RF sputtering method.

【０００７】しかし、いずれの方法でも、成膜されたフ
ルオロカーボン層は、下地である光学膜（反射防止膜）
やガラス等に対する接着力が弱く、表面の洗浄や擦りに
よって簡単に剥離されてしまい、トップコート層として
使用に耐えない。However, in any of the methods, the formed fluorocarbon layer is used as an undercoating optical film (anti-reflection film).
Adhesion to glass, glass, etc. is weak, and it is easily peeled off by washing or rubbing of the surface, and cannot be used as a top coat layer.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、
表面洗浄性に優れ、剥離し難くて機械的耐久性にも優れ
たフルオロカーボン層を有する被覆構造、光学的装置又
は素子、及び、これらの製造方法を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional situation, and its object is to provide:
An object of the present invention is to provide a coating structure, an optical device or an element having a fluorocarbon layer which is excellent in surface cleaning properties, is difficult to peel off, and has excellent mechanical durability, and a method for producing these.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、陰極線管等
の光学装置にフルオロカーボン層をトップコートとして
形成した構造において、特定の材質からなる接着層を下
地層上に設けることによって、光学的特性を劣化させず
に、下地層から剥離しにくく、機械的耐久性及び洗浄性
に優れたフルオロカーボン層が得られることを見出し、
本発明に到達した。The present inventors have made intensive studies to achieve the above-mentioned object, and as a result, have found that a structure in which a fluorocarbon layer is formed as a top coat on an optical device such as a cathode ray tube has a specific material. By providing the adhesive layer consisting of on the underlayer, without deteriorating the optical properties, hardly peeled from the underlayer, found that a fluorocarbon layer excellent in mechanical durability and cleaning properties can be obtained,
The present invention has been reached.

【００１０】即ち、本発明は、主としてケイ素からなる
接着層を介して、下地層上にフルオロカーボン層が被覆
されている被覆構造（以下、本発明の被覆構造と称す
る。）に係るものであるThat is, the present invention relates to a coating structure in which a fluorocarbon layer is coated on an underlayer through an adhesive layer mainly composed of silicon (hereinafter, referred to as a coating structure of the present invention).

【００１１】ここで、上記の「被覆構造」とは、下地層
を含んでいてもよい概念であり、その下地層下に別の層
が存在していてよいが、下地層が単独に存在していても
よく、いずれの場合も本発明の範囲に包含される。Here, the above-mentioned “coating structure” is a concept that may include an underlayer, and another layer may be present under the underlayer. And any case is included in the scope of the present invention.

【００１２】また、本発明は、本体上に、主としてケイ
素からなる接着層を介してフルオロカーボン層が被覆さ
れている光学的装置又は素子（以下、本発明の光学的装
置又は素子と称する。）に係るものである。The present invention also relates to an optical device or element in which a fluorocarbon layer is coated on a main body via an adhesive layer mainly composed of silicon (hereinafter, referred to as an optical device or element of the present invention). It is related.

【００１３】ここで、上記の「光学的装置又は素子」と
は、光ビームの透過、出射及び入射が可能であり、光ビ
ームによる情報を伝達、出力及び入力できる装置及び素
子を意味し、例えば、陰極線管（ＣＲＴ：ブラウン管
等）、光学レンズ、光学プリズムを始めとする種々の装
置又は素子を包含するものである。また、上記の「本
体」とは、光学的装置及び素子において、本発明の被覆
構造を構成する接着層及びフルオロカーボン層を除く部
分であって、上述した光学膜を有するか或いは有しない
基体（ガラス等）を含むものである。Here, the above-mentioned "optical device or element" means a device or an element capable of transmitting, emitting and entering a light beam and transmitting, outputting and inputting information by the light beam. , A cathode ray tube (CRT: cathode ray tube, etc.), an optical lens, an optical prism, and other various devices or elements. In addition, the above-mentioned “body” refers to a portion of an optical device or element other than the adhesive layer and the fluorocarbon layer constituting the coating structure of the present invention, and a base (glass) having or not having the above-described optical film. Etc.).

【００１４】本発明の被覆構造や、光学的装置又は素子
においては、フルオロカーボン層の接着層の主成分とし
てのケイ素は、純度が高いことが望ましいが、他の成分
又は不純物が多少含有されていてもよい。In the coating structure, optical device or element of the present invention, silicon as a main component of the adhesive layer of the fluorocarbon layer desirably has a high purity, but contains a small amount of other components or impurities. Is also good.

【００１５】更に、本発明は、本発明の被覆構造、光学
的装置又は素子を製造するに際し、物理的成膜法によっ
て、前記接着層及び前記フルオロカーボン層をそれぞれ
形成する、被覆構造、光学的装置又は素子の製造方法も
提供するものである。Further, the present invention provides a coating structure, an optical device and an optical device, wherein the adhesive layer and the fluorocarbon layer are respectively formed by a physical film forming method when manufacturing the coating structure, optical device or element of the present invention. Alternatively, the present invention also provides a method for manufacturing an element.

【００１６】上記の物理的成膜法とは、いわゆるＰＶＤ
法であって、主として物理的な現象や変化を利用して薄
膜を形成する薄膜形成技術であり、例えば、スパッタ
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げら
れ、本発明における前記接着層及びフルオロカーボン層
の形成には、スパッタ法、特に、ＲＦ（高周波）プラズ
マスパッタ法が好ましく、真空蒸着法も使用できる。The above-mentioned physical film forming method is called PVD.
And a thin film forming technique for forming a thin film mainly by using physical phenomena and changes.Examples include a sputtering method, a vacuum deposition method, and an ion plating method. For forming the fluorocarbon layer, a sputtering method, in particular, an RF (high frequency) plasma sputtering method is preferable, and a vacuum evaporation method can also be used.

【００１７】図１は、本発明の被覆構造、光学的装置又
は素子を例示するものである。即ち、二酸化ケイ素、石
英ガラス、シリコン等からなる下地層（基体）８（例え
ば陰極線管のフェースプレート）上に、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）等からなるプラスチックフィル
ム層６が接着剤層７によって接着され、このプラスチッ
クフィルム層６上には機械的強度（硬さ）を高めるため
のハードコート層５、更に薄膜（例えば、帯電防止又は
電磁シールド用の二酸化スズ膜）層４及び薄膜（反射防
止用の二酸化ケイ素等）層３からなる光学膜９が設けら
れており、この上に、本発明の被覆構造であるＳｉ接着
層２−フルオロカーボン層１が設けられている。FIG. 1 illustrates a coating structure, optical device or element of the present invention. That is, a plastic film layer 6 made of polyethylene terephthalate (PET) or the like is adhered by an adhesive layer 7 on a base layer (substrate) 8 made of silicon dioxide, quartz glass, silicon, or the like (for example, a face plate of a cathode ray tube). On this plastic film layer 6, a hard coat layer 5 for increasing mechanical strength (hardness), a thin film (for example, a tin dioxide film for antistatic or electromagnetic shielding) layer 4 and a thin film (dioxide for antireflection) are provided. An optical film 9 composed of a layer 3 (such as silicon) is provided, on which an Si adhesive layer 2-fluorocarbon layer 1 having a coating structure of the present invention is provided.

【００１８】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
上記のフルオロカーボン層を設けることの第一の特徴
は、表面の汚染の洗浄が容易になることである。The first feature of providing the above-mentioned fluorocarbon layer on the coating structure, optical device or element of the present invention is that cleaning of surface contamination becomes easy.

【００１９】フルオロカーボン層の表面エネルギーは非
常に小さいので、その表面にゴミが付着したり汚染され
たりすることはほとんどない。Since the surface energy of the fluorocarbon layer is very small, there is almost no dust attached or contaminated on the surface.

【００２０】フルオロカーボン層を形成しない場合、光
学膜等の表面には、拭き取り洗浄をする際に残留物がス
ジ状の跡を作る。これに対して、表面にフルオロカーボ
ン層が被覆されている構造では、表面エネルギーが低下
しているため、上記残留物は小さい玉状になり、スジ状
のものよりも見えにくくなり、拭き取りが容易となる。When the fluorocarbon layer is not formed, a residue forms a streak-like trace on the surface of the optical film or the like when wiping and cleaning. On the other hand, in the structure in which the surface is covered with the fluorocarbon layer, the surface energy is reduced, so that the residue becomes a small ball, which is harder to see than the stripe, and is easy to wipe off. Become.

【００２１】ここで、上記の表面エネルギーは、極性の
ある液体（例えば、純水）や非極性の液体（例えば、二
ヨウ化メチレン又はジヨードメタン：ＣＨ₂ Ｉ₂ ）を表
面上に滴下し、その液滴の端部が表面となす角度を測定
することによって分かる。Here, the surface energy is determined by dropping a polar liquid (eg, pure water) or a non-polar liquid (eg, methylene diiodide or diiodomethane: CH ₂ I ₂ ) on the surface. It can be determined by measuring the angle between the edge of the droplet and the surface.

【００２２】この接触角を測定するには、例えば図２に
示すように、試料を成膜室から取り出した直後に、フル
オロカーボン層等のトップコート層１Ａの表面上に、例
えば、直径約１．５ｍｍの球状の滴下の粒となるように
注射針等を用いて純水（又は、二ヨウ化メチレン）を滴
下し、この液滴１０の端部がトップコート層表面となす
角度α（即ち、接触角）を真横から、光学顕微鏡で計測
する。In order to measure the contact angle, for example, as shown in FIG. 2, immediately after the sample is taken out of the film forming chamber, a sample having a diameter of about 1.10 mm is formed on the surface of the top coat layer 1A such as a fluorocarbon layer. Pure water (or methylene diiodide) is dropped using a syringe needle or the like so as to form spherical drops of 5 mm, and the angle α formed by the end of the drop 10 and the surface of the top coat layer (ie, Is measured with an optical microscope from the side.

【００２３】汚染物が付着し難くするためには、その接
触角が大きいこと（即ち、表面エネルギーが小さいこ
と）が望ましい。また、表面エネルギーを十分に小さく
するには、フルオロカーボン層の厚みを数ｎｍとすれば
十分である。In order to make it difficult for contaminants to adhere, it is desirable that the contact angle is large (that is, the surface energy is small). Further, in order to sufficiently reduce the surface energy, it is sufficient to make the thickness of the fluorocarbon layer several nm.

【００２４】一般的に、ポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）の純水に対する接触角は１１９°であり、
二ヨウ化メチレンに対する接触角は９３°であって、十
分な大きさを示すので、非常に優れた撥水性、撥油性を
示す。Generally, the contact angle of polytetrafluoroethylene (PTFE) to pure water is 119 °,
Since the contact angle with methylene diiodide is 93 °, which is a sufficient size, it exhibits extremely excellent water repellency and oil repellency.

【００２５】本発明においては、フルオロカーボン層の
純水に対する接触角は１００°以上であることが好まし
い。また、フルオロカーボン層の二ヨウ化メチレンに対
する接触角は８５°以上であることが好ましい。In the present invention, the contact angle of the fluorocarbon layer to pure water is preferably 100 ° or more. Further, the contact angle of the fluorocarbon layer with methylene diiodide is preferably 85 ° or more.

【００２６】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
上記のフルオロカーボン層を設けることの第二の特徴
は、機械的な引っ掻き等に対して、優れた機械的耐久性
が得られることにある。The second feature of providing the above-mentioned fluorocarbon layer in the coating structure, optical device or element of the present invention is that excellent mechanical durability against mechanical scratches and the like is obtained. .

【００２７】フルオロカーボン層の表面の摩擦は非常に
小さいため、引っ掻き等に対して機械的耐久性があり、
スチールウール等で表面を擦ってもこの効果が顕著に保
持される。この結果、フルオロカーボン層で被覆した光
学膜、特に反射防止膜（ＡＲ膜）はフルオロカーボン層
のない反射防止膜に比べて、より耐久性に優れたものと
なる。Since the friction of the surface of the fluorocarbon layer is very small, it has mechanical durability against scratching and the like.
This effect is remarkably maintained even when the surface is rubbed with steel wool or the like. As a result, the optical film coated with the fluorocarbon layer, in particular, the antireflection film (AR film) has higher durability than the antireflection film without the fluorocarbon layer.

【００２８】この引っ掻き等に対する機械的耐久性もフ
ルオロカーボン層の表面エネルギーに依存しており、純
水や二ヨウ化メチレンに対する接触角が大きいほど、機
械的耐久性に優れているということができる。The mechanical durability against scratching and the like also depends on the surface energy of the fluorocarbon layer. It can be said that the greater the contact angle with pure water or methylene diiodide, the better the mechanical durability.

【００２９】ここで、反射防止膜（ＡＲ膜）は、光学膜
の一種であり、下地層上に設けることによって外光又は
内光の光ビームの反射率を減少させる膜（層）であり、
屈折率が下地層の屈折率より小さい透明の膜である。図
１に例示したように、この反射防止膜９は、下層４に二
酸化スズ（ＳｎＯ₂ ）及び上層３に二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ₂ ）の２層からなっている。Here, the antireflection film (AR film) is a kind of an optical film, and is a film (layer) that is provided on the underlayer to reduce the reflectance of the light beam of external light or internal light.
It is a transparent film having a refractive index smaller than that of the underlayer. As illustrated in FIG. 1, the antireflection film 9 is composed of tin dioxide (SnO ₂ ) for the lower layer 4 and silicon dioxide (Si) for the upper layer 3.
O ₂ ).

【００３０】また、反射防止膜のＳｉ系接着層（上記し
た主としてケイ素からなる接着層）側の（即ち、接着層
に接する）境界層（例えば、ＳｉＯ₂ ）上に、Ｓｉ系接
着層を設けずに直接に上記のフルオロカーボン層を設け
ると、このフルオロカーボン層は簡単に剥離してしま
う。Further, a Si-based adhesive layer is provided on a boundary layer (for example, SiO ₂ ) of the anti-reflection film on the side of the Si-based adhesive layer (the above-described adhesive layer mainly composed of silicon) (that is, in contact with the adhesive layer). If the above-mentioned fluorocarbon layer is directly provided without using the fluorocarbon layer, the fluorocarbon layer is easily peeled off.

【００３１】この剥離テストの方法は、半径３０ｍｍの
球状物にしたアルコール（特に、エタノール）含浸の布
によって、２Ｋｇ重の力で２０回往復してラビングする
ものである。この試験においては、フルオロカーボン層
が外観的に変化しないものがよい。In the peeling test method, rubbing is performed by reciprocating 20 times with a force of 2 kg weight using a cloth impregnated with alcohol (particularly ethanol) having a spherical shape having a radius of 30 mm. In this test, it is preferable that the fluorocarbon layer does not change in appearance.

【００３２】主としてケイ素の接着層を用いると、物理
的成膜法によって形成されたフルオロカーボン層は上記
の試験にパスすることができ、このフルオロカーボン層
における硬さ、密着性は一般的な使用に耐えられると言
うことができる。When a silicon bonding layer is mainly used, the fluorocarbon layer formed by the physical film forming method can pass the above-mentioned test, and the hardness and adhesion of the fluorocarbon layer can withstand general use. Can be said to be.

【００３３】この密着性は、活性なケイ素の接着層とフ
ルオロカーボン層との間、特に、フッ素原子を有する炭
素原子とシリコン原子との間に、化学的な結合が生じて
いると考えられ、この結合によって、フルオロカーボン
層が剥離しにくくなる。This adhesion is considered to be caused by a chemical bond between the active silicon adhesive layer and the fluorocarbon layer, particularly between the carbon atom having a fluorine atom and the silicon atom. The bonding makes it difficult for the fluorocarbon layer to peel off.

【００３４】なお、チタンは接着剤として使用可能であ
る旨の文献(Chin-An Chang et al.,American Chemical
Society 1990, Chapter 30) があるが、チタンは接着性
には優れるものの、これを接着層に用いた場合、フルオ
ロカーボン層の表面の付着液に対する接触角を小さくす
る作用があり、撥水性、撥油性等の洗浄性に悪影響を及
ぼす等の欠点がある。本発明者は、この接触角と接着性
の双方を満たす接着層はケイ素のみであることを見出し
たのである。[0034] References to the effect that titanium can be used as an adhesive (Chin-An Chang et al., American Chemical
Society 1990, Chapter 30), although titanium is excellent in adhesiveness, when it is used for the adhesive layer, it has the effect of reducing the contact angle of the surface of the fluorocarbon layer with the adhering liquid, and has water and oil repellency. There are drawbacks such as adversely affecting the washability. The present inventor has found that the only adhesive layer satisfying both the contact angle and the adhesiveness is silicon.

【００３５】代表的なフルオロカーボンの一種であるバ
ルク状のテフロン（ポリテトラフルオロエチレン）は、
上述の剥離テストにパスするほどは硬くないが、物理的
成膜法である特にスパッタ法によって形成されたテフロ
ンのモース硬度は、約４．５と十分に大きい。この剥離
テストにパスするためには、モース硬度が３〜４である
ことが必要であるが、物理的成膜法によって形成された
テフロンは、剥離テストに耐えうる十分な硬さは持って
いる。Bulk Teflon (polytetrafluoroethylene), which is a typical type of fluorocarbon, is
Although not hard enough to pass the above-described peel test, the Mohs hardness of Teflon formed by a physical film forming method, particularly, a sputter method is sufficiently large at about 4.5. In order to pass this peel test, it is necessary that the Mohs hardness is 3 to 4, but Teflon formed by a physical film forming method has sufficient hardness to withstand the peel test. .

【００３６】さらに、本発明の被覆構造、光学的装置又
は素子の上述した製造方法によって成膜されたフルオロ
カーボン層は、高温や高湿度の下でも保存性に優れてい
なければならない。つまり、長時間、高温や高湿度下に
保存しても、光学特性、洗浄性、機械的耐久性、耐剥離
性等の特性が、劣化しないことが必要である。Further, the fluorocarbon layer formed by the above-mentioned method for producing a coating structure, an optical device or an element of the present invention must have excellent preservability even under high temperature and high humidity. That is, it is necessary that properties such as optical properties, cleaning properties, mechanical durability, and peeling resistance do not deteriorate even when stored at high temperature or high humidity for a long time.

【００３７】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
おけるフルオロカーボン層の構成成分としては、従来公
知のフルオロカーボンを使用できるが、特に、ポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロポリエ
ーテル（ＰＦＰＥ）又はこれらの混合物を使用すること
が好ましい。As a component of the fluorocarbon layer in the coating structure, optical device or element of the present invention, conventionally known fluorocarbons can be used. In particular, polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoropolyether (PFPE) or It is preferred to use these mixtures.

【００３８】ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
は、 一般式： （但し、ｎは任意の自然数であって重合度を表す。）で
表されるフッ素樹脂であり、例えば、アルゴフロン（Mo
ntedison社製）、フルオン（ICI 社製) 、Halon TFE
（Allied Chemical 社製）、ホスタフロン（Hoechst 社
製）、ポリフロン（ダイキン工業社製）、ソレフロン
（Produits Chimiques Ugine Kuhlman社製）、テフロン
ＴＦＥ（DuPont社製）、テフロンＪ（三井デュポン社
製）等が挙げられる。Polytetrafluoroethylene (PTFE)
Is the general formula: (However, n is an arbitrary natural number and represents the degree of polymerization.) For example, a fluorine resin represented by Algoflon (Mo
ntedison), Fluon (ICI), Halon TFE
(Manufactured by Allied Chemical), Hostaflon (manufactured by Hoechst), polyflon (manufactured by Daikin Industries), Soleflon (manufactured by Produits Chimiques Ugine Kuhlman), Teflon TFE (manufactured by DuPont), Teflon J (manufactured by DuPont Mitsui), and the like. No.

【００３９】また、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰ
Ｅ）は、 一般式： （但し、ｍは任意の自然数であって重合度を表す。）で
表されるフッ素樹脂であり、例えばテフロンＰＦＡ（Du
Pont社製）、テフロンＰＦＡ−Ｊ（三井デュポン社製）
等が挙げられる。In addition, perfluoropolyether (PFP)
E) is a general formula: (Where m is an arbitrary natural number and represents the degree of polymerization), for example, Teflon PFA (Du
Pont), Teflon PFA-J (Mitsui DuPont)
And the like.

【００４０】この他にも使用可能なパーフルオロポリエ
ーテルとしては、例えば、 Ｆomblin−Ｚ−ＤＯＬ：HOH₂CCF₂(OC₂F₄) _p (OCF₂)_q-1O
CF₂CH₂OH、 Ｄemnum ＳＡ：F(CF₂CF₂CF₂O) _r CF₂CF₂CH₂OH 、 （但し、ｐ、ｑ、ｒ、ｋは１以上の整数を表す。）が挙
げられる。Other usable perfluoropolyethers include, for example, Fomblin-Z-DOL: HOH ₂ CCF ₂ (OC ₂ F ₄ ) _p (OCF ₂ ) _q-1 O
CF ₂ CH ₂ OH, Demnum SA: F (CF ₂ CF ₂ CF ₂ O) _r CF ₂ CF ₂ CH ₂ OH, (However, p, q, r, and k represent an integer of 1 or more.).

【００４１】ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
とパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）との混合物を
用いる場合には、配合比がほぼ１：１（ＰＴＦＥ：ＰＦ
ＰＥ）がよい。Polytetrafluoroethylene (PTFE)
When a mixture of PTFE and perfluoropolyether (PFPE) is used, the mixing ratio is approximately 1: 1 (PTFE: PF
PE) is preferred.

【００４２】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
使用できるフッ素樹脂（フルオロカーボン）としては、
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオ
ロポリエーテル（ＰＦＰＥ）以外にも従来公知のフッ素
樹脂を用いることができる。The fluororesin (fluorocarbon) that can be used for the coating structure, optical device or element of the present invention includes:
In addition to polytetrafluoroethylene (PTFE) and perfluoropolyether (PFPE), conventionally known fluororesins can be used.

【００４３】例えば、上記のテフロンＰＦＡ以外の四フ
ッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合樹脂（ＰＦＡ）；ネオフロン（ダイキン工業社
製）、テフロンＦＥＰ（三井デュポン社製）等の四フッ
化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥ
Ｐ）；アフロンＣＯＰ（旭硝子社製）、テフゼル（三井
デュポン社製）等の四フッ化エチレン−エチレン共重合
樹脂（ＥＴＦＥ）；ヘーラー（Allied Chemical 社製）
等の三フッ化塩化エチレン−エチレン共重合樹脂（ＥＣ
ＴＦＥ）；ダイフロン（ダイキン工業社製）、Kel-F
（3M社製）、Aclon CTFE（Allied Chemical 社製）、Vo
ltalef（Produits Chimiques Ugine Kuhlman社製）等の
三フッ化塩化エチレン樹脂（ＰＣＴＦＥ）；Dulite（Du
Pont社製）、Dyflor（Dynamite Novel社製）、Foraflon
（Produits Chimiquies Ugine Kuhlman 社製）、ＫＦポ
リマー（呉羽化学社製）、カイナー（Pennwalt Chemica
ls社製）、Solef （Solvay社製）等のフッ化ビニリデン
樹脂（ＰＶｄＦ）；Tedler（DuPont社製）等のフッ化ビ
ニル樹脂（ＶＤＦ）；等が挙げられる。For example, ethylene tetrafluoride-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer resin (PFA) other than the above-mentioned Teflon PFA; Hexafluoropropylene copolymer resin (FE
P); tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin (ETFE) such as Aflon COP (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and Tefzel (manufactured by Mitsui DuPont); Hera (manufactured by Allied Chemical Company)
Trifluorinated ethylene-ethylene copolymer resin (EC
TFE); Daiflon (manufactured by Daikin Industries, Ltd.), Kel-F
(3M), Aclon CTFE (Allied Chemical), Vo
Ethylene trifluoride resin (PCTFE) such as ltalef (Produits Chimiques Ugine Kuhlman); Dulite (Du
Pont), Dyflor (Dynamite Novel), Foraflon
(Produits Chimiquies Ugine Kuhlman), KF polymer (Kureha Chemical Co., Ltd.), Kyner (Pennwalt Chemica)
vinylidene fluoride (PVdF) such as Solef (manufactured by Solvay); and vinyl fluoride resin (VDF) such as Tedler (manufactured by DuPont).

【００４４】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
おいて、Ｓｉ系接着層の厚みは１０ｎｍ以下であること
が好ましい。これは、接着層の厚みが１０ｎｍを超える
と、光透過性等の光学特性の変化が生じてしまうからで
ある。In the coating structure, optical device or element of the present invention, the thickness of the Si-based adhesive layer is preferably 10 nm or less. This is because, when the thickness of the adhesive layer exceeds 10 nm, a change in optical characteristics such as light transmittance occurs.

【００４５】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
おいて、フルオロカーボン層の厚みは１０ｎｍ以下であ
ることが好ましい。さらに、この下限は１ｎｍであるこ
とが好ましい。In the coating structure, optical device or element of the present invention, the thickness of the fluorocarbon layer is preferably 10 nm or less. Further, the lower limit is preferably 1 nm.

【００４６】これは、フルオロカーボン層の厚みが１０
ｎｍを超えると、やはり光透過性等の光学特性の変化が
生じてしまうからである。なお、この厚みは０．５ｎｍ
未満であると、フルオロカーボン層の洗浄性及び機械的
耐久性が劣化してしまうので、１ｎｍ以上がよく、１〜
５ｎｍがさらに好ましい。This is because the fluorocarbon layer has a thickness of 10
If the thickness exceeds nm, optical characteristics such as light transmittance also change. This thickness is 0.5 nm
When it is less than 1 nm, the cleaning property and mechanical durability of the fluorocarbon layer are deteriorated.
5 nm is more preferred.

【００４７】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子に
おける下地層としては、光学膜を使用することが好まし
い。ここで、光学膜とは、光学的装置又は素子に、その
光学的特性（例えば反射防止能）を向上させるために設
けられる膜である。It is preferable to use an optical film as a base layer in the coating structure, optical device or element of the present invention. Here, the optical film is a film provided on an optical device or element to improve its optical characteristics (for example, antireflection ability).

【００４８】こうした光学膜として主なものには、反射
防止膜が挙げられる。反射防止膜としては、二酸化ケイ
素及び二酸化スズの積層構造膜、ＡＲコーティングされ
たポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の膜等が挙げ
られる。但し、ＡＲコーティングとは、反射防止のため
のコーティングを施すことである。The main optical film is an antireflection film. Examples of the antireflection film include a laminated structure film of silicon dioxide and tin dioxide, and a film of polyethylene terephthalate (PET) coated with AR. However, the AR coating is to apply a coating for preventing reflection.

【００４９】光学膜の内、Ｓｉ系接着層に接する境界層
は二酸化ケイ素からなっていることが、下地層に対する
フルオロカーボン層の接着性を大きく向上させる点で好
ましい。In the optical film, the boundary layer in contact with the Si-based adhesive layer is preferably made of silicon dioxide from the viewpoint of greatly improving the adhesion of the fluorocarbon layer to the underlayer.

【００５０】さらに、上述の光学膜と光学的装置又は素
子の本体との間には、樹脂層（下層）及び硬質層（上
層：ハードコート層）が設けられている積層構造であっ
てもよい。Further, a laminated structure in which a resin layer (lower layer) and a hard layer (upper layer: hard coat layer) are provided between the optical film and the main body of the optical device or element. .

【００５１】この樹脂層としては、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）の他、ポリカーボネート（ＰＣ）、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等、従来公知の
樹脂を使用することができる。As the resin layer, in addition to polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC),
Conventionally known resins such as polymethyl methacrylate (PMMA) can be used.

【００５２】硬質（ハードコート）層は、光学的装置又
は素子の機械的強度を保つために設けられる層であっ
て、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やＳｉＯ₂
等の無機物を含む樹脂等、従来公知の硬質樹脂を使用す
ることができる。The hard (hard coat) layer is a layer provided for maintaining the mechanical strength of an optical device or element, and is made of polymethyl methacrylate (PMMA) or SiO _2.
A conventionally known hard resin such as a resin containing an inorganic substance can be used.

【００５３】また、本発明の被覆構造、光学的装置又は
素子において、下地層として、石英ガラス、シリコン等
を使用できる。この場合、上記の光学膜は下地層に接し
て設けられることになる。In the coating structure, optical device or element of the present invention, quartz glass, silicon or the like can be used as the underlayer. In this case, the optical film is provided in contact with the underlayer.

【００５４】例えば、石英ガラスを下地とする場合、こ
の石英ガラスは上述したと同様に、例えば陰極線管のフ
ェースプレートであってよい。また、シリコンを下地と
して用いたものには、発光ダイオードや太陽電池等の半
導体装置や素子の構成材料があり、この半導体装置や素
子の表面の保護、クリーニングのために、光ビームの入
出射の窓上に本発明の被覆構造を設けることができる。For example, when quartz glass is used as a base, this quartz glass may be, for example, a face plate of a cathode ray tube, as described above. In addition, materials using silicon as a base include constituent materials of semiconductor devices and elements such as light emitting diodes and solar cells. For protection and cleaning of the surfaces of the semiconductor devices and elements, light beams are input and output. The coating structure of the present invention can be provided on a window.

【００５５】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子を
製造するに際し、物理的成膜法によってＳｉ系接着層及
びフルオロカーボン層をそれぞれ順次形成するが、この
物理的成膜法としては、図６及び図７に概略的に示すＲ
Ｆ（高周波）プラズマスパッタ法を使用することが好ま
しい。こうした物理的成膜法は、プラズマＣＶＤ法に比
べてずっと安価に実施できる。In manufacturing the coating structure, optical device or element of the present invention, a Si-based adhesive layer and a fluorocarbon layer are sequentially formed by a physical film forming method. And R schematically shown in FIG.
It is preferable to use the F (high frequency) plasma sputtering method. Such a physical film formation method can be performed at a much lower cost than the plasma CVD method.

【００５６】図６において、電源３０として高周波電源
を用い、図１の下地３７（プラスチックフィルム６−ハ
ードコート層５−光学膜９の積層体）を設置した回転可
能なパレット２９（以下、回転パレットと称する。）
と、ターゲット３５を設置したターゲット板２８とが互
いに対向して配置されており、回転パレット２９は下地
３７がターゲット３５上を移動するように矢印Ｄの方向
に回転する。In FIG. 6, a high-frequency power source is used as the power source 30, and a rotatable pallet 29 (hereinafter referred to as a rotary pallet) provided with a base 37 (a laminate of the plastic film 6, the hard coat layer 5, and the optical film 9) of FIG. It is called.)
And the target plate 28 on which the target 35 is placed are arranged to face each other, and the rotary pallet 29 rotates in the direction of arrow D so that the base 37 moves on the target 35.

【００５７】ターゲット板２８の内部はターゲット３
５、３６を、回転パレット２９の内部は下地３７をそれ
ぞれ適宜冷却できるように、冷却水３１ａ及び３１ｂが
流れるジャケット構造となっている。但し、仮想線で示
される別のターゲット３６は、一体型のターゲットを用
いる場合には設けられない。The inside of the target plate 28 is the target 3
The inside of the rotary pallet 29 has a jacket structure through which cooling water 31a and 31b flow so that the base 37 can be appropriately cooled. However, another target 36 indicated by a virtual line is not provided when an integrated target is used.

【００５８】このＲＦ（高周波）プラズマスパッタ装置
には、真空チャンバー２１、排気口２３、圧力ゲージ２
７、アルゴンガス３３を導くガス導入管２２、アルゴン
ガス３３以外のガスを導くガス導入管２６が設けられて
いる。The RF (high frequency) plasma sputtering apparatus includes a vacuum chamber 21, an exhaust port 23, a pressure gauge 2
7. A gas introduction pipe 22 for introducing an argon gas 33 and a gas introduction pipe 26 for introducing a gas other than the argon gas 33 are provided.

【００５９】回転パレット２９に対向して設けられてい
るターゲット板２８は、図７に示したようにターゲット
が設置されており、図７（Ａ）は、１つのターゲットを
２つの領域（例えば半円形）に分割し、それぞれの領域
中にＳｉ系接着層用のＳｉターゲット３５とフルオロカ
ーボン層用のフルオロカーボンターゲット３６とを設け
た一体型のターゲットであり、また図７（Ｂ）は、別々
のターゲットに接着層用のターゲット３５とフルオロカ
ーボン層用のフルオロカーボンターゲット３６とを分離
して設けた分割型のターゲットである。As shown in FIG. 7, a target is provided on a target plate 28 provided opposite to the rotating pallet 29, and FIG. (Circle), and an integrated target in which a Si target 35 for a Si-based adhesive layer and a fluorocarbon target 36 for a fluorocarbon layer are provided in each region. FIG. 7B shows separate targets. Is a split-type target in which a target 35 for an adhesive layer and a fluorocarbon target 36 for a fluorocarbon layer are separately provided.

【００６０】これら両者ともに、回転パレット２９が回
転するにしたがって、接着層用ターゲット３５、フルオ
ロカーボン層用ターゲット３６の順に下地を移動させ、
それぞれの位置において、ＲＦプラズマスパッタにより
Ｓｉ系接着層とフルロオカーボン層とが順次積層される
ようになっている。In both cases, as the rotating pallet 29 rotates, the base is moved in the order of the adhesive layer target 35 and the fluorocarbon layer target 36,
At each position, a Si-based adhesive layer and a fluorocarbon layer are sequentially laminated by RF plasma sputtering.

【００６１】図７（Ａ）のような一体型のターゲットに
おいては、接着層の成膜終了とフルオロカーボン層の成
膜開始との間の時間差（この時間を「停滞時間」と称す
る。）がない。また、この方式においては、接着層用の
材料とフルオロカーボン層用の材料とが、かなりの割合
で混合して成膜されることになる。In the integrated target as shown in FIG. 7A, there is no time difference between the completion of the formation of the adhesive layer and the start of the formation of the fluorocarbon layer (this time is referred to as “stagnation time”). . Further, in this method, the material for the adhesive layer and the material for the fluorocarbon layer are mixed and formed at a considerable ratio.

【００６２】これに対して、図７（Ｂ）のような分割型
のターゲットにおいては、接着層の形成とフルオロカー
ボン層の形成との間に０．１〜０．５秒程度の停滞時間
が生じる。また、この方式においては、接着層用の材料
とフルオロカーボン層用の材料とは、ほとんど混合しな
い。On the other hand, in the split type target as shown in FIG. 7B, a stagnation time of about 0.1 to 0.5 seconds occurs between the formation of the adhesive layer and the formation of the fluorocarbon layer. . In this method, the material for the adhesive layer and the material for the fluorocarbon layer are hardly mixed.

【００６３】本発明に使用する接着層用のターゲット材
料としてのケイ素は、反応性が高いために、チャンバー
２１内の残留ガスと容易に反応してケイ素自体の反応性
を失い易い。従って、停滞時間は長すぎることは望まし
くはなく、１分以内であることが好ましい。即ち、接着
層の成膜直後から１分以内にフルオロカーボン層を成膜
することが好ましい（但し、真空度は１×１０^-6Ｔｏｒ
ｒとする。）。Since silicon as the target material for the adhesive layer used in the present invention has high reactivity, it easily reacts with the residual gas in the chamber 21 and easily loses its reactivity. Therefore, it is not desirable that the stagnation time is too long, and it is preferable that the stagnation time be within 1 minute. That is, it is preferable to form the fluorocarbon layer within one minute immediately after the formation of the adhesive layer (however, the degree of vacuum is 1 × 10 ⁻⁶ Torr).
r. ).

【００６４】また、接着層及びフルオロカーボン層の物
理的成膜方法としては、上述したＲＦ（高周波）プラズ
マスパッタ法が望ましいが、これ以外のスパッタ法、更
には真空蒸着法を使用できる。As the physical film forming method of the adhesive layer and the fluorocarbon layer, the above-mentioned RF (high frequency) plasma sputtering method is preferable, but other sputtering methods, and furthermore, a vacuum evaporation method can be used.

【００６５】この真空蒸着法においては、フルオロカー
ボン層としてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
層を形成する場合、その蒸発源の温度を４５０℃以上に
することが望ましい。即ち、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）の融点が約３２７℃であることも考慮す
ると、４５０℃以上とすれば十分である。ケイ素からな
る接着層を形成する際には、蒸発源の温度をさらに高温
にすればよい。また、蒸着時の真空度は１ｍＴｏｒｒオ
ーダーであればよい。In this vacuum evaporation method, polytetrafluoroethylene (PTFE) is used as the fluorocarbon layer.
When forming a layer, the temperature of the evaporation source is desirably 450 ° C. or higher. That is, considering that the melting point of polytetrafluoroethylene (PTFE) is about 327 ° C., it is sufficient to set the temperature to 450 ° C. or more. When forming the adhesive layer made of silicon, the temperature of the evaporation source may be further increased. The degree of vacuum at the time of vapor deposition may be on the order of 1 mTorr.

【００６６】上述した成膜方法の他に、図８に示すよう
なフローで本発明に基づく被覆構造、光学的装置又は素
子を連続した工程で製造することもできる。In addition to the above-described film forming method, a coating structure, an optical device, or an element according to the present invention can be manufactured in a continuous process according to the flow shown in FIG.

【００６７】この装置においては、仕切り板５１で仕切
られた各チャンバーがあり、各チャンバーには、図示し
ない排気口、真空ポンプ、及び、アルゴンガス、酸素ガ
ス、フルオロカーボンガス等のガス導入口、冷却水導入
口、高周波電源又は直流電源がある。In this apparatus, each chamber is partitioned by a partition plate 51. Each chamber has an exhaust port (not shown), a vacuum pump, a gas inlet port such as an argon gas, an oxygen gas, a fluorocarbon gas, and a cooling port. There is a water inlet, high frequency power supply or DC power supply.

【００６８】図８においては、図中の時計回り方向に定
速回転する送りロール４１と、図中の時計回り方向に定
速回転する巻取りロール４２とが設けられ、送りロール
４１から巻取りロール４２にプラスチック層（ベース）
５０ａ、５０ｂが順次走行するようになされている。こ
のプラスチック層５０ａは図１の層６に相当するもので
あり、プラスチック層５０ｂはその上に図１の層５、
４、３が順次成膜されたものであってよい（但し、層５
は予めプラスチック層５０ａ上に成膜されたものを走行
させてもよい）。In FIG. 8, a feed roll 41 rotating at a constant speed in the clockwise direction in the figure and a winding roll 42 rotating at a constant speed in the clockwise direction in the figure are provided. Plastic layer (base) on roll 42
50a and 50b run sequentially. The plastic layer 50a corresponds to the layer 6 in FIG. 1, and the plastic layer 50b has the layer 5 in FIG.
4 and 3 may be sequentially formed (however, the layer 5
May be made to run in advance on the plastic layer 50a).

【００６９】送りロール４１から巻取りロール４２側に
プラスチック層５０ａ、５０ｂが走行する中途部には、
上記各ロールよりも大径となされた、冷却キャン４４
ａ、４４ｂが設けられている。この冷却キャン４４ａ、
４４ｂは、プラスチック層５０ａ、５０ｂを図中の下方
に引き出すように設けられ、図中の反時計回り方向に回
転する構成とされる。In the middle of the travel of the plastic layers 50a and 50b from the feed roll 41 to the take-up roll 42,
A cooling can 44 having a larger diameter than each of the above-mentioned rolls.
a, 44b are provided. This cooling can 44a,
Reference numeral 44b is provided so as to pull out the plastic layers 50a and 50b downward in the drawing, and is configured to rotate counterclockwise in the drawing.

【００７０】なお、送りロール４１、巻取りロール４
２、及び冷却キャン４４ａ、４４ｂはそれぞれ、プラス
チック層５０ａ、５０ｂの幅とほぼ同じ長さからなる円
筒状をなすものであり、また、冷却キャン４４ａ、４４
ｂの内部には図示しない冷却装置が設けられ、プラスチ
ック層５０ａ、５０ｂのスパッタ時の温度上昇による変
形等を抑制し得るようになされている。The feed roll 41 and the take-up roll 4
2, and the cooling cans 44a, 44b each have a cylindrical shape having substantially the same length as the width of the plastic layers 50a, 50b.
A cooling device (not shown) is provided inside b so that deformation and the like of the plastic layers 50a and 50b due to a rise in temperature during sputtering can be suppressed.

【００７１】従って、プラスチック層５０ａ、５０ｂ
は、送りロール４１から順次送り出され、更に冷却キャ
ン４４ａ、４４ｂの周面を通過し、巻取りロール４２に
巻き取られていく。なお、送りロール４１から冷却キャ
ン４４ａ、４４ｂを経て、巻取りロール４２へプラスチ
ック層を所定のテンション下で搬送するためのガイドロ
ール４３がそれぞれ配設されている。そして、各チャン
バー内には、各ターゲットが冷却キャンと対向するよう
に、カソード電極板上に設置されている。Therefore, the plastic layers 50a, 50b
Is sequentially sent out from the feed roll 41, passes through the peripheral surfaces of the cooling cans 44 a and 44 b, and is wound up by the take-up roll 42. In addition, guide rolls 43 for transporting the plastic layer under a predetermined tension from the feed roll 41 to the take-up roll 42 via the cooling cans 44a and 44b are provided respectively. In each chamber, each target is set on the cathode electrode plate so as to face the cooling can.

【００７２】図８は、図１に示す積層構造物を製造する
装置を要部について示すものであり、電極板４５上には
ハードコート５用のターゲット６０、電極板４６上には
例えば二酸化スズ４用のターゲット６１、電極板４７上
には二酸化ケイ素３用のターゲット６２、電極板４８上
には接着層２用のターゲット３５、電極板４９上にはフ
ルオロカーボン層１用のターゲット３６が配されてい
る。そして、各位置においてターゲット６０、６１、６
２ではＤＣスパッタを、ターゲット３５、３６ではＲＦ
プラズマスパッタを順次行うことにより、図１に示した
如き各層を積層することができる。FIG. 8 shows an essential part of an apparatus for manufacturing the laminated structure shown in FIG. 1. A target 60 for the hard coat 5 is provided on the electrode plate 45, and, for example, tin dioxide is provided on the electrode plate 46. 4, a target 62 for silicon dioxide 3 on the electrode plate 47, a target 35 for the adhesive layer 2 on the electrode plate 48, and a target 36 for the fluorocarbon layer 1 on the electrode plate 49. ing. Then, at each position, the targets 60, 61, 6
2 for DC sputtering and targets 35 and 36 for RF
Each layer as shown in FIG. 1 can be laminated by sequentially performing the plasma sputtering.

【００７３】なお、図８に示すような装置においては、
積層する層の数により、適宜チャンバーの数を増減でき
る。In the apparatus shown in FIG. 8,
The number of chambers can be appropriately increased or decreased depending on the number of layers to be stacked.

【００７４】本発明の被覆構造、光学的装置又は素子を
製造するに際し、物理的成膜装置（例えば、ＲＦプラズ
マスパッタ装置、真空蒸着装置）中にフルオロカーボン
ガス及び／又は酸素ガスを導入し、これらのガスの存在
下で成膜することが好ましい。In manufacturing the coating structure, optical device or element of the present invention, a fluorocarbon gas and / or an oxygen gas are introduced into a physical film forming device (for example, an RF plasma sputtering device or a vacuum deposition device). It is preferable to form a film in the presence of the above gas.

【００７５】導入するフルオロカーボンガスとしては、
ＣＦ₄ 、Ｃ₂ Ｆ₆ 等のパーフルオロカーボンガスが好ま
しい。即ち、スパッタされたフルオロカーボンターゲッ
トはフッ素原子を失い易いので、導入するフルオロカー
ボンガスが、スパッタされたフルオロカーボンの失われ
たフッ素原子の補充を行い、フッ素原子の含有量を保持
する。As the fluorocarbon gas to be introduced,
Perfluorocarbon gases such as CF ₄ and C ₂ F ₆ are preferred. That is, since the sputtered fluorocarbon target easily loses fluorine atoms, the introduced fluorocarbon gas replenishes the lost fluorine atoms of the sputtered fluorocarbon and maintains the content of fluorine atoms.

【００７６】また、酸素ガスの導入は、接着層及びフル
オロカーボン層の透明度を酸素ドーピングによって高く
保つためである。光学的装置又は素子では、それらの層
による光ビームの吸収が光学的装置又は素子の性能を大
きく左右するからである。The introduction of oxygen gas is for keeping the transparency of the adhesive layer and the fluorocarbon layer high by oxygen doping. This is because in an optical device or element, the absorption of the light beam by those layers greatly affects the performance of the optical device or element.

【００７７】導入するガス（上述のフルオロカーボンガ
ス及びアルゴンガスを含む）の全量に対して約１容量％
以上の酸素ガスを加えることにより、フルオロカーボン
層の透明度が向上することになる。これは、フルオロカ
ーボン層中の過剰な炭素原子が一酸化炭素として取り除
かれることによるものと考えられる。酸素ガスを導入し
ないと、フルオロカーボン層は、光ビームを高い割合で
吸収してしまうことがある。About 1% by volume based on the total amount of the gas to be introduced (including the above-mentioned fluorocarbon gas and argon gas)
By adding the above oxygen gas, the transparency of the fluorocarbon layer is improved. This is considered to be because excess carbon atoms in the fluorocarbon layer were removed as carbon monoxide. Without the introduction of oxygen gas, the fluorocarbon layer may absorb the light beam at a high rate.

【００７８】さらに、本発明の被覆構造、光学的装置及
び素子を製造するに際し、接着層及びフルオロカーボン
層の物理的成膜中に発生するプラズマによる荷電粒子が
堆積膜を衝撃（ボンバード）するのを防止することが好
ましい。即ち、このボンバードは、フルオロカーボン層
の二重結合やクロスリンクを作る原因であり、その表面
エネルギーを大きくして接触角を低下させるものと考え
られるが、これを防止することによって、表面エネルギ
ーを下げ、接触角を大きくすることができる。Further, in producing the coating structure, the optical device and the element of the present invention, the charged particles caused by the plasma generated during the physical film formation of the adhesive layer and the fluorocarbon layer bombard the deposited film. Preferably, it is prevented. In other words, this bombardment is considered to cause double bonds and crosslinks in the fluorocarbon layer, and to increase the surface energy and reduce the contact angle, but by preventing this, the surface energy is reduced. , The contact angle can be increased.

【００７９】物理的成膜法では、プラズマとともに荷電
粒子が発生するが、特に、ＲＦプラズマスパッタ法では
プラズマによる荷電粒子の発生量が多いので、この荷電
粒子による堆積膜の衝撃（ボンバード）を防止すること
が必要である。しかしながら、極めて短時間、ボンバー
ドすることによって、基板の表面が滑らかになることも
あり、このボンバードを適切に制御することも必要であ
る。In the physical film forming method, charged particles are generated together with the plasma. Particularly, in the RF plasma sputtering method, since the amount of the charged particles generated by the plasma is large, the bombardment of the deposited film due to the charged particles is prevented. It is necessary to. However, bombarding for a very short time may make the surface of the substrate smooth, and it is necessary to control the bombarding appropriately.

【００８０】このプラズマによる荷電粒子が堆積膜を衝
撃（ボンバード）するのを防止する方法として、磁石の
作用下で、或いは、電気的にバイアスされたスクリーン
を利用する方法がある。これは、磁気又は電界を利用し
て、ボンバードの原因である荷電粒子の飛来を阻止する
ものである。As a method of preventing the charged particles due to the plasma from bombarding the deposited film, there is a method of using a screen under the action of a magnet or an electric bias. This uses a magnetism or an electric field to prevent charged particles that cause bombard from flying.

【００８１】また、本発明の被覆構造、光学的装置又は
素子を製造するに際し、反射防止膜等の下地層は、ＤＣ
（直流）スパッタ法によって成膜することもできるが、
接着層及びフルオロカーボン層と同様に、ＲＦプラズマ
スパッタ法又は真空蒸着法等を用いて成膜することもで
きる。When manufacturing the coating structure, optical device or element of the present invention, the underlayer such as an anti-reflection film is made of DC.
The film can be formed by a (direct current) sputtering method.
Like the adhesive layer and the fluorocarbon layer, the film can be formed by using an RF plasma sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like.

【００８２】この場合、ＤＣ（直流）スパッタ装置に接
着層及びフルオロカーボン層のスパッタ装置のカソード
を設ける場所があれば、このスパッタ装置を追加して設
けることは容易であり、他の成膜チャンバーやフィルム
搬送装置等を新たに設置するのに要するコストを削減す
ることができる。In this case, if the DC (direct current) sputtering apparatus has a place where the cathode of the adhesive layer and the fluorocarbon layer sputtering apparatus is provided, it is easy to additionally provide this sputtering apparatus. The cost required for newly installing a film transport device or the like can be reduced.

【００８３】図３は、本発明に基づく被覆構造、光学的
装置又は素子の製造方法によって成膜されたフルオロカ
ーボン層（即ち、フッ素樹脂層）の例（Ａ）、及び、好
ましくないフルオロカーボン層（即ち、フッ素樹脂層）
の例（Ｂ）、（Ｃ）である。FIG. 3 shows an example (A) of a fluorocarbon layer (that is, a fluororesin layer) formed by a coating structure, a method of manufacturing an optical device or an element according to the present invention, and an undesired fluorocarbon layer (that is, a fluorocarbon layer). , Fluororesin layer)
(B) and (C).

【００８４】即ち、図３（Ａ）に示すように、純粋なポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）は単結合のみで
形成され、これが好ましい構造である。これに対して、
発生するプラズマをスパッタが行われている領域にうま
く閉じ込めることができない時（上記したボンバード）
は、図３（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、フルオロカー
ボンガスからフッ素原子が失われ、二重結合をもつフル
オロカーボン及び／又は枝分かれしたフルオロカーボン
のようになり、これらのフルオロカーボン層の表面は、
表面エネルギーが高くなるので、純水（又は、二ヨウ化
メチレン）に対する接触角が小さくなってしまう。That is, as shown in FIG. 3A, pure polytetrafluoroethylene (PTFE) is formed only with a single bond, and this is a preferable structure. On the contrary,
When the generated plasma cannot be well confined to the area where the sputtering is being performed (Bombard described above)
As shown in FIGS. 3 (B) and 3 (C), fluorine atoms are lost from the fluorocarbon gas, resulting in a fluorocarbon having a double bond and / or a branched fluorocarbon. The surfaces of these fluorocarbon layers are
Since the surface energy increases, the contact angle with respect to pure water (or methylene diiodide) decreases.

【００８５】従って、本発明に基づく被覆構造、光学的
装置又は素子を製造するに際し、プラズマをスパッタが
行われている領域に閉じ込めることが好ましい。Therefore, when producing a coating structure, optical device or element according to the present invention, it is preferred to confine the plasma in the region where the sputtering is taking place.

【００８６】図１は、本発明の光学的装置又は素子の一
例である。FIG. 1 shows an example of the optical device or element of the present invention.

【００８７】この図１においては、二酸化ケイ素、石英
ガラス、シリコン等からなる下地層８上に、紫外線硬化
型樹脂又は粘着剤からなる接着剤層７を介してポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなるプラスチック
フィルム層６が接着されている。このプラスチックフィ
ルム層６は、図６や図８で示した如き成膜装置によっ
て、その上にはハードコート層５（これは予めフィルム
層６に一体化されたものであってよい。）、薄膜（例え
ば、二酸化スズ膜）層４及び薄膜（二酸化ケイ素等）層
３からなる光学層９、Ｓｉ系接着層２及びフルオロカー
ボン層１が順次積層された積層体としてなされている。
そして、この積層体が下地層８上に接着されている。In FIG. 1, a plastic made of polyethylene terephthalate (PET) or the like is provided on an underlayer 8 made of silicon dioxide, quartz glass, silicon or the like via an adhesive layer 7 made of an ultraviolet curable resin or an adhesive. The film layer 6 is adhered. The plastic film layer 6 is provided with a hard coat layer 5 (which may be previously integrated with the film layer 6) and a thin film by a film forming apparatus as shown in FIGS. An optical layer 9 composed of a (for example, tin dioxide film) layer 4 and a thin film (such as silicon dioxide) layer 3, an Si-based adhesive layer 2, and a fluorocarbon layer 1 are sequentially laminated.
This laminate is adhered on the underlayer 8.

【００８８】図４は、本発明の光学的装置又は素子の具
体例である。FIG. 4 shows a specific example of the optical device or element of the present invention.

【００８９】図４（Ａ）は、陰極線管（ブラウン管）１
１のフェースプレート８上に、接着層７、プラスチック
層６、ハードコート層５、光学膜９（薄膜４と３の積層
体）、Ｓｉ系接着層２、フルオロカーボンのトップコー
ト層１を順次設けたものである。図４（Ｂ）は、陰極線
管（ブラウン管）１１のフェースプレート８上に接着層
７、プラスチック層６及びハードコート層５を介しない
で直接に、光学膜９、Ｓｉ系接着層２、フルオロカーボ
ンのトップコート層１を順次設けたものである。FIG. 4A shows a cathode ray tube (CRT) 1
An adhesive layer 7, a plastic layer 6, a hard coat layer 5, an optical film 9 (a laminate of thin films 4 and 3), a Si-based adhesive layer 2, and a fluorocarbon top coat layer 1 were sequentially provided on a face plate 8 of the first embodiment. Things. FIG. 4B shows an optical film 9, a Si-based adhesive layer 2, and a fluorocarbon film directly on a face plate 8 of a cathode ray tube (CRT) 11 without passing through an adhesive layer 7, a plastic layer 6 and a hard coat layer 5. The top coat layer 1 is provided sequentially.

【００９０】図４（Ｃ）は、光学レンズ１２上に、光学
膜９としての薄膜４及び二酸化ケイ素層、Ｓｉ系接着層
２、フルオロカーボンのトップコート層１を順次設けた
ものである。FIG. 4C shows a structure in which a thin film 4 as an optical film 9, a silicon dioxide layer, a Si-based adhesive layer 2, and a fluorocarbon top coat layer 1 are sequentially provided on an optical lens 12.

【００９１】図５は、本発明の被覆構造を適用した光学
的装置（電気光学素子）の一例であり、図１の構造と
は、光学膜９においてＳｉＯ₂ 層３を透明導電層（Ｓｎ
Ｏ₂ 又はＩＴＯ）４ａ、４ｂによって挟着し、これらを
接地して帯電防止性を高めている点が主として異なって
いる。[0091] Figure 5 is an example of an optical device according to the coating structure of the present invention (electro-optical element), and the structure of FIG. 1, a transparent conductive layer of SiO ₂ layer 3 in the optical film 9 (Sn
O ₂ or ITO) 4a, and pinched by 4b, that to enhance the antistatic properties by grounding and they are different largely.

【００９２】[0092]

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【００９３】各サンプルとその作製 後記の表１に示す各例は図４に示した如き光学的装置に
おいて、フルオロカーボン層（トップコート用のターゲ
ット材）として、サンプルＦ０３〜Ｆ１１３はポリテト
ラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、サンプル１１４はポ
リテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とパーフルオロ
ポリエーテル（ＰＦＰＥ）との混合物（但し、混合比
は、１：１）をそれぞれ用いたものである。 Each of the samples and each of the examples shown in Table 1 to be described later were prepared using an optical apparatus as shown in FIG. 4 as a fluorocarbon layer (target material for top coating), and samples F03 to F113 were made of polytetrafluoroethylene ( PTFE) and the sample 114 use a mixture of polytetrafluoroethylene (PTFE) and perfluoropolyether (PFPE) (the mixing ratio is 1: 1).

【００９４】これらの各例におけるフルオロカーボン層
の性質及び結果をその成膜条件毎に後記の表１に記載し
た。但し、各例のサンプル番号の「Ｆ」は、本発明に基
づくフルオロカーボン層及び接着層のみが下地上に設け
られているサンプルを示し、「Ａ」は、フルオロカーボ
ン層及び接着層が下地上の反射防止層上に施されている
サンプルを示す。The properties and results of the fluorocarbon layer in each of these examples are shown in Table 1 below for each film forming condition. However, “F” of the sample number of each example indicates a sample in which only the fluorocarbon layer and the adhesive layer according to the present invention are provided on the base, and “A” indicates the reflection of the fluorocarbon layer and the adhesive layer on the base. 3 shows a sample applied on a blocking layer.

【００９５】また、本例の被覆構造、光学的装置又は素
子の製造に使用した装置は、図６に示した如きＲＦプラ
ズマスパッタ装置である。このＲＦプラズマは、タング
ステンのフィラメントに電気を通すことによって発生す
るものである。The apparatus used for manufacturing the coating structure, optical device or element of this example is an RF plasma sputtering device as shown in FIG. This RF plasma is generated by passing electricity through a tungsten filament.

【００９６】このＲＦプラズマスパッタ装置は、図７
（Ａ）、（Ｂ）に示した回転パレット２９のいずれかを
有するものであり、この回転パレット上に下地を固定
し、これを回転させることによって順次、水冷された導
電性バッキングプレート上に配置された接着層用、フル
オロカーボン層用のターゲットをスパッタし、下地上に
Ｓｉ系接着層及びフルオロカーボン層を成膜する。This RF plasma sputtering apparatus has the structure shown in FIG.
(A) and (B) are provided with any of the rotating pallets 29, and a base is fixed on the rotating pallet, and the rotating pallet is rotated to sequentially arrange on a water-cooled conductive backing plate. The target for the bonding layer and the fluorocarbon layer thus formed is sputtered to form a Si-based bonding layer and a fluorocarbon layer on the base.

【００９７】但し、この装置においては、特に表１中に
「その他」の欄が記載されている例以外は、接着層のス
パッタ電力は２ＫＷである。また、上述の停滞時間につ
いても、分割型ターゲットを用いている場合、「その
他」の欄に記載されている以外は、約０．１〜０．５秒
である。一体型のターゲットを用いている場合は０秒で
ある。However, in this apparatus, the sputtering power of the adhesive layer was 2 KW, except for the example in which “Others” is described in Table 1 in particular. In addition, the above-mentioned stagnation time is about 0.1 to 0.5 seconds when the split type target is used, except for those described in the “Others” column. The time is 0 second when an integrated target is used.

【００９８】本例で使用したＲＦプラズマスパッタ装置
は、ＭＲＣ社製のＲ＆Ｄスパッタ装置である。[0098] The RF plasma sputtering apparatus used in this example is an R & D sputtering apparatus manufactured by MRC.

【００９９】表１の各欄について 以下に、後記の表１の各欄について説明する。 Each column of Table 1 will be described below.

【０１００】「Ｈ₂ Ｏ接触角」及び「ＣＨ₂ Ｉ₂ 接触
角」は、Kyowa Interface Science 社製のＣＡ−Ｄを測
定機器として用い、以下に述べる条件下で成膜されたフ
ルオロカーボン層の表面に対する純水及び／又は二ヨウ
化メチレンの接触角を測定した。但し、上記の接触角と
は、図２に示したように、その角度が大きいほど、洗浄
性、機械的耐久性に優れていると言える。The “H ₂ O contact angle” and the “CH ₂ I ₂ contact angle” were measured on the surface of a fluorocarbon layer formed under the conditions described below using CA-D manufactured by Kyowa Interface Science as a measuring instrument. The contact angle of pure water and / or methylene diiodide was measured. However, as shown in FIG. 2, it can be said that the larger the angle is, the more excellent the cleaning property and mechanical durability are.

【０１０１】「剥離テスト」とは、上述したように、半
径３０ｍｍの球状物にしたエタノール含浸の布によっ
て、２Ｋｇ重の力で２０回往復してラビングした場合の
外観的な変化を調べたものである。「○」は、このテス
トで何ら外観的な変化を生じなかったものであり、
「×」は、外観的な変化を生じたものである。The "peeling test" is a test for examining the change in appearance when rubbing is performed by reciprocating 20 times with a force of 2 Kg weight 20 times with a 30-mm-radius ethanol-impregnated cloth as described above. It is. "O" means that no change in appearance was observed in this test.
“X” indicates a change in appearance.

【０１０２】「下地」は、各例に使用した下地層の材質
を表し、「Ｓｉ」はシリコン、「ＳｉＯ₂ 」は石英ガラ
ス、「ＰＥＴ」はＡＲコーティングされたポリエチレン
テレフタレート、「ＢＫ７」はＢＫ７ガラス（ホウケイ
酸ガラス：Borosilicate Glass）を示す。“Underlayer” represents the material of the underlayer used in each example, “Si” is silicon, “SiO ₂ ” is quartz glass, “PET” is polyethylene terephthalate coated with AR, “BK7” is BK7 Glass (Borosilicate Glass) is shown.

【０１０３】「接着剤」は、フルオロカーボン層の接着
に用いた接着剤の種類を表し、「Ｔｉ」は接着剤の主成
分として、チタンを用いたことを示し、同様に、「Ｓ
ｉ」はケイ素、「Ｚｒ」はジルコニウム、「ＳｉＯ₂ 」
は二酸化ケイ素、「Ｓｉ／テフロン」はケイ素とテフロ
ンの混合物（但し、テフロンはポリテトラフルオロエチ
レンである。）を表す。"Adhesive" indicates the type of adhesive used for bonding the fluorocarbon layer, "Ti" indicates that titanium was used as a main component of the adhesive, and similarly, "S
“i” is silicon, “Zr” is zirconium, “SiO ₂ ”
Represents silicon dioxide, and "Si / Teflon" represents a mixture of silicon and Teflon (provided that Teflon is polytetrafluoroethylene).

【０１０４】「接着剤成膜時間」は、接着層の成膜（堆
積）時間を、分：秒で示す。成膜速度は約３０ｎｍ／ｍ
ｉｎである。The “adhesive film forming time” indicates the film forming (depositing) time of the adhesive layer in minutes: seconds. The deposition rate is about 30 nm / m
in.

【０１０５】「フルオロカーボン成膜時間」は、フルオ
ロカーボンの成膜（堆積）時間を、分：秒で示す。蒸着
速度は約２０ｎｍ／ｍｉｎである。The “fluorocarbon film formation time” indicates the film formation (deposition) time of fluorocarbon in minutes: seconds. The deposition rate is about 20 nm / min.

【０１０６】「スパッタ時間」は、接着剤ターゲット及
びフルオロカーボンターゲットをスパッタする総時間を
分：秒で示す。ここで、「接着剤成膜時間」と「フルオ
ロカーボン成膜時間」との和が「スパッタ時間」と一致
しないのは、スパッタ中でもターゲットをシャッタで覆
っておく時間（即ち、停滞時間）があるためである。The "sputtering time" indicates the total time for sputtering the adhesive target and the fluorocarbon target in minutes: seconds. Here, the reason why the sum of the “adhesive film formation time” and the “fluorocarbon film formation time” does not match the “sputter time” is that there is a time during which the target is covered with the shutter even during sputtering (ie, a stagnation time). It is.

【０１０７】「ターゲット温度」は、フルオロカーボン
ターゲットの中央部に設けた温度計でスパッタ終了時の
温度をフルオロカーボンターゲットについてを測定した
ものである。ターゲットの温度は均一ではないので、こ
の温度は近似の値である。但し、「ｃ」は、冷却水で冷
却しながら温度をほぼ室温に保ったものであり、「ｈ」
は、約５０°前後に保ったものである。また、「ｍ」
は、長時間のスパッタやアーク放電のためにフルオロカ
ーボンターゲットが溶解したことを示す。The “target temperature” is obtained by measuring the temperature at the end of sputtering with a thermometer provided at the center of the fluorocarbon target for the fluorocarbon target. This temperature is an approximate value because the temperature of the target is not uniform. Here, “c” is a value obtained by keeping the temperature substantially at room temperature while cooling with cooling water, and “h”
Is maintained at about 50 °. Also, "m"
Indicates that the fluorocarbon target was dissolved due to long-time sputtering or arc discharge.

【０１０８】「スパッタ電力」は、フルオロカーボンタ
ーゲットをスパッタする際のＲＦ（高周波）電力値を示
し、単位はＫＷである。接着層用のターゲットのスパッ
タ電力は１．３ＫＷである。"Sputtering power" indicates an RF (high frequency) power value when sputtering a fluorocarbon target, and the unit is KW. The sputtering power of the target for the adhesive layer is 1.3 KW.

【０１０９】「スパッタ圧力」は、スパッタ中でのチャ
ンバー内の圧力を示す。但し、スパッタ中のフルオロカ
ーボンターゲットから発生するガスのため、実際の圧力
は表に示す圧力よりもやや高めになる。"Sputter pressure" indicates the pressure in the chamber during sputtering. However, due to the gas generated from the fluorocarbon target during sputtering, the actual pressure is slightly higher than the pressure shown in the table.

【０１１０】「ドーピング材料／量（ｓｃｃｍ又は
％）」において、「ドーピング材料」は、フルオロカー
ボン層の蒸着の際、ドーピングした材料を示す。「量
（ｓｃｃｍ又は％）」は、この材料が気体の時（例え
ば、Ｏ₂ 及びＮ₂ ）は、全ての気体に対するドーピング
ガスの容量（単位：ｓｃｃｍ）を示し、この材料が固体
の時（例えば、Ｓｉ）は、ドーパントをターゲットの前
面に取り付けて同時にスパッタするが、スパッタされる
ターゲットを覆うドーパント領域の割合（％）で示す。
但し、この欄中のＰＣＴＦＥとは、三フッ化塩化エチレ
ン樹脂（３Ｍ社製）であり、Krytox（DuPont社製）と
は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）とパーフ
ルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）の１：１の混合物であ
る。In “doping material / amount (sccm or%)”, “doping material” indicates a material doped at the time of deposition of the fluorocarbon layer. "Amount (sccm or%)" indicates the volume (unit: sccm) of doping gas with respect to all gases when the material is gaseous (for example, O ₂ and N ₂ ), and indicates when the material is solid ( For example, Si) has a dopant attached to the front surface of the target and is sputtered at the same time, and is indicated by a percentage (%) of a dopant region covering the target to be sputtered.
However, PCTFE in this column is ethylene trifluoride chloride resin (manufactured by 3M), and Krytox (manufactured by DuPont) is one of polytetrafluoroethylene (PTFE) and perfluoropolyether (PFPE). : 1 mixture.

【０１１１】「成膜方法」は、接着層及びフルオロカー
ボン層の成膜に使用した方法を示し、「Ｓ」は、接着層
用ターゲットとフルオロカーボン層用ターゲットとを別
々のチャンバーに設けて（即ち、図８の如きターゲッ
ト）それぞれをスパッタした場合、「Ｏ．Ｔ．」は、接
着層用ターゲットとフルオロカーボン層用ターゲットと
を一箇所に設けて（即ち、図７（Ａ）の一体型のターゲ
ット）スパッタした場合、また「Ｔ．Ｔ．」は、一つの
チャンバー内で接着層用ターゲットとフルオロカーボン
層用ターゲットとを別々に設けて（即ち、図７（Ｂ）の
分割型のターゲット）スパッタした場合である。The “film forming method” indicates the method used for forming the adhesive layer and the fluorocarbon layer, and “S” indicates that the adhesive layer target and the fluorocarbon layer target are provided in separate chambers (ie, When each is sputtered, “OT” means that the target for the adhesive layer and the target for the fluorocarbon layer are provided at one place (ie, the integrated target in FIG. 7A). In the case of sputtering, “TT” refers to the case where the bonding layer target and the fluorocarbon layer target are separately provided in one chamber (that is, the split type target in FIG. 7B). It is.

【０１１２】「プラズマの閉じ込め」は、発生したプラ
ズマがスパッタ空間（領域）に閉じ込められている程度
を示す。閉じ込め程度が高い方から順に「非常に良
好」、「良好」、「中」、「弱」、「非常に弱」と５段
階に分けて示す。"Plasma confinement" indicates the degree to which generated plasma is confined in a sputter space (region). From the highest degree of confinement, the results are shown in five stages: "very good", "good", "medium", "weak", and "very weak".

【０１１３】その他の条件 「その他」は、接着層用ターゲット、フルオロカーボン
層用ターゲットをそれぞれスパッタする際の特別な条件
を示し、以下にそれぞれの内容について記載する。[0113] Other conditions "other" indicate special conditions when sputtering the target for the adhesive layer and the target for the fluorocarbon layer, and the details of each are described below.

【０１１４】「ａ１」は、ＲＦ（高周波）エッチングし
た後、１分間空気にさらしたものである。但し、高周波
エッチングとは、下地を清浄化するために行う。“A1” is obtained by RF (high frequency) etching and then exposing to air for one minute. However, the high frequency etching is performed to clean the base.

【０１１５】「ａ２」は、アルゴンガスをプラズマの発
生時に用いた後、このアルゴンガスを止めたものである
（自動スパッタ方式）。"A2" indicates that argon gas was used at the time of generation of plasma, and then this argon gas was stopped (automatic sputtering method).

【０１１６】「ａ３」は、フルオロカーボンのスパッタ
を始める前に、プラズマ中にサンプルを導入してプレス
パッタを行ったものである（シャッタでフルオロカーボ
ンの成膜を防いでおく）。“A3” is obtained by introducing a sample into the plasma and performing pre-sputtering before starting the sputtering of the fluorocarbon (preventing the formation of the fluorocarbon with a shutter).

【０１１７】「ａ４」は、下地上に、アースした銅のシ
ャッタを設けたものである。“A4” is provided with a grounded copper shutter on the base.

【０１１８】「ａ５」は、成膜前及び成膜中に下地を約
１００℃に加熱したものである。“A5” is obtained by heating the base to about 100 ° C. before and during film formation.

【０１１９】「ａ６」は、スパッタ材の飛翔距離を長く
するために、パレットを用いないで、チャンバーの壁部
に下地を配したものである。“A6” is one in which a base is arranged on the wall of the chamber without using a pallet in order to increase the flying distance of the sputtered material.

【０１２０】「ａ７」は、カプトンテープ(Kapton Tap
e：ポリイミド系の耐熱性の高いテープ）のアーク放電
及び過熱により生じた炭素の汚れがあったものである。"A7" is Kapton Tap (Kapton Tap)
e: Polyimide-based tape having high heat resistance), which has carbon contamination caused by arc discharge and overheating.

【０１２１】「ａ８」は、スパッタ雰囲気中に、アルゴ
ンガスを使用しないものである。“A8” is one in which no argon gas is used in the sputtering atmosphere.

【０１２２】「ａ９」は、アーク放電を少なくするた
め、水冷されたターゲットにアルミニウムテープを設け
たものである。"A9" is an aluminum tape provided on a water-cooled target in order to reduce arc discharge.

【０１２３】「ａ１０」は、プラズマスパッタの生じる
領域に、導入管によって、ドーピングガスを直接導入し
たものである。“A10” is obtained by directly introducing a doping gas into a region where plasma sputtering occurs by an introduction pipe.

【０１２４】「ａ１１」は、真空吸引を長時間行ってチ
ャンバー内を十分に真空状態にしたものである。この時
のチャンバー内の圧力は１×１０^-6ｍＴｏｒｒである。"A11" is obtained by performing a vacuum suction for a long time to sufficiently evacuate the chamber. The pressure in the chamber at this time is 1 × 10 ⁻⁶ mTorr.

【０１２５】「ａ１２」は、フルオロカーボンターゲッ
トを十分に洗浄し、このターゲットの後方側でアーク放
電が生じないようにしたものである。"A12" is obtained by sufficiently cleaning the fluorocarbon target so that no arc discharge occurs behind the target.

【０１２６】「ａ１３」は、フルオロカーボンターゲッ
トの後方側で、アーク放電が多数生じたものである。“A13” indicates that a large number of arc discharges occurred behind the fluorocarbon target.

【０１２７】「ａ１４」は、フルオロカーボンターゲッ
トが溶解したものである。"A14" is the one in which the fluorocarbon target was dissolved.

【０１２８】「ａ１５」は、ケイ素を主とする接着層を
成膜する際、スパッタ電力を０．２ＫＷにしたものであ
る。“A15” is obtained by setting the sputtering power to 0.2 KW when forming an adhesive layer mainly composed of silicon.

【０１２９】「ａ１６」は、ケイ素を主とする接着層を
成膜する際、スパッタ電力を０．６ＫＷにしたものであ
る。"A16" is obtained by setting the sputtering power to 0.6 KW when forming an adhesive layer mainly composed of silicon.

【０１３０】「ａ１７」は、プラズマを発生させた状態
での停滞時間を１０秒としたものである。“A17” is the stagnation time of 10 seconds in a state where plasma is generated.

【０１３１】「ａ１８」は、プラズマを発生させた状態
での停滞時間を１分としたものである。“A18” is the one in which the stagnation time in the state where plasma is generated is one minute.

【０１３２】「ａ１９」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を１分３０秒としたものである。"A19" indicates that the stagnation time when no plasma is generated is 1 minute and 30 seconds.

【０１３３】「ａ２０」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を１０分としたものである。“A20” is the stagnation time of 10 minutes when no plasma is generated.

【０１３４】「ａ２１」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を３分としたものである。"A21" is the stagnation time of 3 minutes in a state where no plasma is generated.

【０１３５】「ｂ１」は、水冷されたターゲット板に両
面テープでフルオロカーボンターゲットを熱接着したも
のである。"B1" is obtained by heat-bonding a fluorocarbon target to a water-cooled target plate with a double-sided tape.

【０１３６】「ｂ２」は、金属パレットに下地を熱的に
結合したものである。"B2" is obtained by thermally bonding a base to a metal pallet.

【０１３７】「ｂ３」は、真空吸引を長時間行ってチャ
ンバー内を十分に真空状態にしたものである。この時の
チャンバー内の圧力は１×１０^-6ｍＴｏｒｒである。“B3” is obtained by performing a vacuum suction for a long time to make the inside of the chamber sufficiently vacuum. The pressure in the chamber at this time is 1 × 10 ⁻⁶ mTorr.

【０１３８】「ｂ４」は、パレットを回転させるもので
ある。"B4" is for rotating the pallet.

【０１３９】「ｂ５」は、スパッタ雰囲気中に、アルゴ
ンガスを使用しないものである。"B5" does not use an argon gas in the sputtering atmosphere.

【０１４０】「ｂ６」は、プラズマを低入射角で導く
（とじ込める）ために、下地の下部に磁石を設けたもの
である。“B6” has a magnet provided under the base to guide (trap) plasma at a low incident angle.

【０１４１】「ｂ７」は、アルゴンガスをプラズマの発
生時に用いた後、このアルゴンガスを止めたものである
（自動スパッタ方式）。"B7" indicates that argon gas was used at the time of generation of plasma, and then this argon gas was stopped (automatic sputtering method).

【０１４２】「ｂ８」は、下地上に、アースした銅のシ
ャッタを設けたものである。"B8" is provided with a grounded copper shutter on the base.

【０１４３】「ｂ９」は、スパッタ材の飛翔距離を長く
するために、パレットを用いないで、チャンバーの壁部
にサンプルを設けたものである。“B9” is one in which a sample is provided on the wall of the chamber without using a pallet in order to increase the flying distance of the sputtered material.

【０１４４】「ｂ１０」は、１つのターゲット（即ち、
上述の一体型ターゲット）から接着層用材料をスパッタ
し、その近傍にドーピング材料を配したものである。“B10” is one target (ie,
An adhesive layer material is sputtered from the above-mentioned integrated target, and a doping material is disposed in the vicinity thereof.

【０１４５】「ｂ１１」は、異なる２つのターゲット
（即ち、上述の分割型のターゲット）から接着層用材料
をスパッタし、その近傍にドーピング材料を配したもの
である。“B11” is obtained by sputtering the adhesive layer material from two different targets (ie, the above-mentioned split type target) and disposing a doping material in the vicinity thereof.

【０１４６】「ｂ１２」は、アーク放電を少なくするた
め、水冷されたターゲットにアルミニウムテープを設け
たものである。"B12" is an aluminum tape provided on a water-cooled target to reduce arc discharge.

【０１４７】「ｂ１３」は、プラズマスパッタの生じる
領域に、導入管によって、ドーピングガスを直接導入し
たものである。“B13” is obtained by directly introducing a doping gas into a region where plasma sputtering is generated by an introduction pipe.

【０１４８】「ｂ１４」は、カプトンテープ(Kapton Ta
pe：ポリイミド系の耐熱性の高いテープ）のアーク放電
及び過熱により生じた炭素の汚れがあったものである。"B14" is Kapton tape (Kapton Ta
pe: Polyimide-based tape having high heat resistance), which has carbon contamination caused by arc discharge and overheating.

【０１４９】「ｂ１５」は、水冷されたターゲット板上
にをネジ止めによりフルオロカーボンターゲットを固定
したものである。“B15” is obtained by fixing a fluorocarbon target on a water-cooled target plate by screwing.

【０１５０】「ｂ１６」は、ターゲット温度９３℃、ス
パッタ電力０．４ＫＷで５時間フルオロカーボンターゲ
ットをスパッタした後、グリース状のフルオロカーボン
によってフルオロカーボンターゲットを設けたものであ
る。“B16” is obtained by sputtering a fluorocarbon target at a target temperature of 93 ° C. and a sputtering power of 0.4 KW for 5 hours, and then providing the fluorocarbon target with grease-like fluorocarbon.

【０１５１】「ｂ１７」は、プラズマを発生させた状態
での停滞時間を１０秒としたものである。"B17" is the one in which the stagnation time in a state where plasma is generated is 10 seconds.

【０１５２】「ｂ１８」は、プラズマを発生させた状態
での停滞時間を１分としたものである。"B18" is the one in which the stagnation time in the state where plasma is generated is one minute.

【０１５３】「ｂ１９」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を１分３０秒としたものである。"B19" is the one in which the stagnation time in a state where no plasma is generated is 1 minute and 30 seconds.

【０１５４】「ｂ２０」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を１０分としたものである。“B20” is the stagnation time of 10 minutes when no plasma is generated.

【０１５５】「ｂ２１」は、プラズマが発生していない
状態での停滞時間を３分としたものである。"B21" is a value in which the stagnation time in a state where no plasma is generated is 3 minutes.

【０１５６】「ｂ２２」は、フルオロカーボンのスパッ
タ時にＣＦ₃ Ｉ（１００ｓｃｃｍ）を導入したものであ
る。“B22” is obtained by introducing CF ₃ I (100 sccm) at the time of fluorocarbon sputtering.

【０１５７】「ｂ２３」は、フルオロカーボンターゲッ
トの後方側で、アーク放電が多数生じたものである。"B23" indicates that a large number of arc discharges occurred behind the fluorocarbon target.

【０１５８】また、その他の条件として、サンプルＦ０
３〜Ｆ１５では、厚さ１ｍｍ又は２ｍｍのフルオロカー
ボンターゲットを用い、サンプルＦ１６以降では、厚さ
５ｍｍのフルオロカーボンターゲットを用いてターゲッ
ト材中での伝熱を向上させたものである。Further, as other conditions, the sample F0
In 3 to F15, a fluorocarbon target having a thickness of 1 mm or 2 mm is used, and in samples F16 and thereafter, a fluorocarbon target having a thickness of 5 mm is used to improve heat transfer in the target material.

【０１５９】さらに、サンプルＦ１４までは、自動的に
ＲＦ（高周波）電力を変化させ、サンプルＦ１５以降で
は手動でＲＦ（高周波）電力を変化させた。Further, the RF (high frequency) power was automatically changed up to the sample F14, and the RF (high frequency) power was manually changed after the sample F15.

【０１６０】サンプルＡ９２以降は、フルオロカーボン
ターゲットの紙やすりによるラビング後にその汚れを取
り除いてクリーンにしたサンプルである。Sample A92 and subsequent samples are clean samples obtained by removing the dirt after rubbing the fluorocarbon target with sandpaper.

【０１６１】サンプルＦ８１以降は、水冷されたアルミ
ニウムターゲット板にフルオロカーボンターゲットをネ
ジ止めし、これにより、カーリング、過熱、アーク放電
等からフルオロカーボンターゲットを保護することがで
きる。After the sample F81, the fluorocarbon target is screwed to the water-cooled aluminum target plate, whereby the fluorocarbon target can be protected from curling, overheating, arc discharge and the like.

【０１６２】サンプルＦ９３以降は、水冷されたアルミ
ニウムターゲット板にフルオロカーボンターゲットを熱
的に結合するために、グリース状のフルオロカーボンを
用いたものあり、これによって一定の制御された温度で
成膜（堆積）の時間を長くできる。ここで、グリース状
のフルオロカーボンとは、商品名Krytox（DuPont社製）
であって、固体状のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴ
ＦＥ）と液体状のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰ
Ｅ）とを重量比１：１で混合したものである。[0162] Samples F93 and after use a grease-like fluorocarbon to thermally couple the fluorocarbon target to a water-cooled aluminum target plate, thereby forming a film (deposition) at a constant and controlled temperature. Time can be lengthened. Here, the grease-like fluorocarbon refers to Krytox (trade name, manufactured by DuPont)
A solid polytetrafluoroethylene (PT
FE) and liquid perfluoropolyether (PFP)
E) in a weight ratio of 1: 1.

【０１６３】各サンプル作製の目的 また、各例は、その目的別に６つのグループに分けるこ
とができる。 Purpose of Making Each Sample Further , each example can be divided into six groups according to the purpose.

【０１６４】まず第一に、Ｆ０３〜Ｆ２９のサンプルの
主な目的は、フルオロカーボン層（トップコート）の純
水（又は、二ヨウ化メチレン）に対する接触角を、様々
な条件下で調べることである。First, the main purpose of the samples F03 to F29 is to examine the contact angle of the fluorocarbon layer (top coat) with pure water (or methylene diiodide) under various conditions. .

【０１６５】第二に、Ｆ３０〜Ｆ７２及びＦ１１２〜Ｆ
１１４のサンプルの主な目的は、接着層の剥離の程度
を、様々な条件下で調べることである。Second, F30-F72 and F112-F
The main purpose of the 114 samples is to determine the extent of delamination of the adhesive layer under various conditions.

【０１６６】第三に、Ａ８５〜Ａ９５のサンプルの主な
目的は、洗浄性、機械的耐久性及び接着性を保持し、光
学的な特性を、様々な条件下で調べることである。Third, the primary purpose of the A85-A95 samples is to maintain washability, mechanical durability and adhesion, and to examine optical properties under various conditions.

【０１６７】第四に、Ｆ７３〜Ｆ９２のサンプルの主な
目的は、ターゲット温度による効果を調べることであ
る。Fourth, the main purpose of the samples F73 to F92 is to examine the effect of the target temperature.

【０１６８】第五に、Ｆ９３〜Ｆ９８のサンプルの主な
目的は、フルオロカーボン層の厚み（厚みはフルオロカ
ーボンの成膜時間によって決定される。）による効果を
調べることである。Fifth, the main purpose of the samples F93 to F98 is to examine the effect of the thickness of the fluorocarbon layer (the thickness is determined by the fluorocarbon deposition time).

【０１６９】第六に、Ｆ１０７〜Ｆ１１１のサンプルの
主な目的は、停滞時間による効果を調べることである。Sixth, the main purpose of the samples F107 to F111 is to examine the effect of dwell time.

【０１７０】[0170]

【表１】 [Table 1]

【０１７１】[0171]

【表２】 [Table 2]

【０１７２】[0172]

【表３】 [Table 3]

【０１７３】[0173]

【表４】 [Table 4]

【０１７４】[0174]

【表５】 [Table 5]

【０１７５】[0175]

【表６】 [Table 6]

【０１７６】[0176]

【表７】 [Table 7]

【０１７７】[0177]

【表８】 [Table 8]

【０１７８】[0178]

【表９】 [Table 9]

【０１７９】[0179]

【表１０】 [Table 10]

【０１８０】[0180]

【表１１】 [Table 11]

【０１８１】[0181]

【表１２】 [Table 12]

【０１８２】[0182]

【表１３】 [Table 13]

【０１８３】[0183]

【表１４】 [Table 14]

【０１８４】[0184]

【表１５】 [Table 15]

【０１８５】＜結果の評価＞表１より、トップコートと
してのフルオロカーボン層は、純水又はジヨードメタン
（二ヨウ化メチレン）の接触角が概して大きいが、洗浄
性及び機械的耐久性に更に優れたフルオロカーボン層
は、接触角が水について１００°以上がよく、これは以
下に示す条件で成膜すれば可能である。<Evaluation of Results> From Table 1, it can be seen from Table 1 that the fluorocarbon layer as the top coat generally has a large contact angle of pure water or diiodomethane (methylene diiodide), but is more excellent in cleaning properties and mechanical durability. The layer preferably has a contact angle of 100 ° or more for water, which can be formed by forming a film under the following conditions.

【０１８６】・スパッタ圧力が高いこと。 ・プラズマの閉じ込め状態がよいこと。 ・フルオロカーボン層の成膜時間が適度な範囲であるこ
と。High sputter pressure.・ The confinement state of the plasma is good.・ The film formation time of the fluorocarbon layer is within an appropriate range.

【０１８７】また、表１より、スパッタ温度（ターゲッ
ト温度）は高いほどよいと言えるが、チャンバー内のア
ーク放電の量、ターゲットの溶解、接着層とフルオロカ
ーボン層の成膜時間の違い等にも相関関係があるので、
一概に、スパッタ温度が高いほどよいとは言えない。From Table 1, it can be said that the higher the sputtering temperature (target temperature), the better, but it is also correlated with the amount of arc discharge in the chamber, the dissolution of the target, and the difference in the deposition time between the adhesive layer and the fluorocarbon layer. Because there is a relationship
Generally, the higher the sputtering temperature, the better.

【０１８８】さらに、フルオロカーボン層の成膜時間が
短すぎる場合（例えば、スパッタ電力１．２ＫＷで、成
膜時間４秒未満）及び成膜時間が長すぎる場合（例え
ば、スパッタ電力１．２ＫＷで、成膜時間５分以上）
は、小さな接触角しか得られない傾向がある。Further, when the film formation time of the fluorocarbon layer is too short (for example, at a sputtering power of 1.2 KW and the film formation time is less than 4 seconds), and when the film formation time is too long (for example, at a sputtering power of 1.2 KW, (Deposition time 5 minutes or more)
Tend to give only small contact angles.

【０１８９】これは、フルオロカーボン層が接着層を覆
うのに、ある程度の厚みが必要であることと、フルオロ
カーボン層が厚すぎると、フルオロカーボン層の構造が
変化してしまうこととによるものと考えられる。また、
フルオロカーボン層が厚すぎる（特に１０ｎｍを超え
る）と、光学的特性を劣化させ易い。It is considered that this is because a certain thickness is required for the fluorocarbon layer to cover the adhesive layer, and the structure of the fluorocarbon layer changes when the fluorocarbon layer is too thick. Also,
If the fluorocarbon layer is too thick (especially, more than 10 nm), the optical characteristics are likely to deteriorate.

【０１９０】また、フルオロカーボン層が薄すぎると、
フルオロカーボン層の機械的耐久性や洗浄性等の特徴が
失われ易い。If the fluorocarbon layer is too thin,
Features such as mechanical durability and detergency of the fluorocarbon layer are likely to be lost.

【０１９１】表１より、フルオロカーボン層の接着性
（耐剥離性）は、特に、下地には依存しないが、接着層
としてＳｉを用いることによって向上することが分か
る。また、ドーピングガスとしてＣＦ₃ Ｉを用いると、
ＳｉＯ₂ 表面がＳｉ−ＣＦ₃ 化し、トップコートの接着
力を向上させ得るものと期待される。Table 1 shows that the adhesion (peeling resistance) of the fluorocarbon layer is improved by using Si as the adhesion layer, although it does not depend on the underlying layer. When CF ₃ I is used as a doping gas,
It is expected that the surface of SiO ₂ can be converted into Si—CF ₃ to improve the adhesion of the top coat.

【０１９２】停滞時間については、１×１０^-6Ｔｏｒｒ
の圧力下では、１分以内であることが好ましい。図８に
示した装置を用いる場合は、ケイ素接着層成膜用チャン
バーをフルオロカーボン層成膜用チャンバーの直前に配
置することで、上述の条件を容易に満たすことができ
る。Regarding the stagnation time, 1 × 10 ⁻⁶ Torr
It is preferable that the pressure be within 1 minute under the above pressure. When the apparatus shown in FIG. 8 is used, the above conditions can be easily satisfied by disposing the chamber for forming the silicon adhesion layer immediately before the chamber for forming the fluorocarbon layer.

【０１９３】また、ドーピング材料は、含有しないほう
が好ましく、純粋なフルオロカーボンを成膜する場合
が、接触角が優れることが分かる。しかしながら、例え
ば、ドーピング材料としてシリコンを用いた場合は、接
触角が必ずしも小さくなることはなく、実際に、ケイ素
からなる接着層用材料の近傍にごく少量のシリコンを配
置してスパッタを行ったサンプルは、優れた（大きい）
接触角を得ている。Further, it is preferable that the doping material is not contained, and it can be seen that the contact angle is excellent when a pure fluorocarbon is formed. However, for example, when silicon is used as a doping material, the contact angle does not always become small, and a sample in which a very small amount of silicon is actually arranged near the adhesive layer material made of silicon and sputtered is performed. Is excellent (large)
The contact angle has been obtained.

【０１９４】以上の結果から、例えば、ターゲット温度
が室温付近（つまり、冷却水によって冷却されてい
る。）であり、スパッタ電力は１．２ＫＷ、スパッタ圧
力は１４ｍＴｏｒｒで、ドーピング材料を含まず、フル
オロカーボン層の成膜時間は１０秒で、プラズマの閉じ
込めが適度の場合である条件が適したものである。From the above results, for example, the target temperature is around room temperature (that is, cooled by cooling water), the sputtering power is 1.2 KW, the sputtering pressure is 14 mTorr, the doping material is not included, and the fluorocarbon The film formation time of the layer is 10 seconds, and the condition that the confinement of the plasma is appropriate is suitable.

【０１９５】また、上述のように、接触角を優れたもの
にするためには、プラズマの閉じ込めが重要な要素であ
る。これは、プラズマの閉じ込めが、フルオロカーボン
をスパッタする際に、このフルオロカーボンからフッ素
原子が失われるのを防いでいるためである。Further, as described above, confinement of plasma is an important factor in improving the contact angle. This is because the confinement of the plasma prevents the loss of fluorine atoms from the fluorocarbon when sputtering the fluorocarbon.

【０１９６】また、本発明に基づく積層構造では、トッ
プコート層のモース硬度は４．５以上（ビッカース硬度
で３００以上）となった。In the multilayer structure according to the present invention, the Mohs hardness of the top coat layer was 4.5 or more (300 or more in Vickers hardness).

【０１９７】また、接着層用原料としてチタンやジルコ
ニウムは接着性には優れるものの、ケイ素に比べて接触
角が小さくなっている。Further, although titanium and zirconium are excellent in adhesiveness as materials for the adhesive layer, the contact angle is smaller than that of silicon.

【０１９８】保存性試験 次に、上記の各例による被覆構造及び光学的装置又は素
子のフルオロカーボン層（トップコート）について、保
存性試験を行った。この保存性試験は、フルオロカーボ
ン層について、（１）成膜直後、（２）脱イオン水（純
水）で洗浄した後、（３）４８時間、相対湿度１００
％、温度５０℃下に保存した後、（４）上述の剥離テス
トの後、の４回に分けて、純水及び二ヨウ化メチレンの
接触角を測定したものである。この結果は下記の表２に
示す。但し、使用したサンプルは、Ａ９６である。 Storage Test Next, a storage test was performed on the coating structure and the fluorocarbon layer (top coat) of the optical device or element according to each of the above examples. In this storage stability test, the fluorocarbon layer was subjected to (1) immediately after film formation, (2) washing with deionized water (pure water), (3) 48 hours, and a relative humidity of 100.
%, Stored at a temperature of 50 ° C., and (4) the contact angle of pure water and methylene diiodide was measured four times after the above-mentioned peel test. The results are shown in Table 2 below. However, the sample used was A96.

【０１９９】 [0199]

【０２００】＜結果の評価＞これより、成膜直後から、
脱イオン水（純水）で洗浄した後、及び４８時間相対湿
度１００％、温度５０℃下に保存しておいた後でも、１
００°以上と優れた接触角を保持することが分かる。但
し、剥離テストの後は、この剥離テストでフルオロカー
ボン層表面にキズが生じ、純水及び二ヨウ化メチレンの
接触角が減少したものと考えられる。<Evaluation of Results> From immediately after the film formation,
Even after washing with deionized water (pure water) and after storing at a relative humidity of 100% and a temperature of 50 ° C. for 48 hours, 1
It can be seen that an excellent contact angle is maintained at 00 ° or more. However, after the peeling test, it is considered that scratches occurred on the surface of the fluorocarbon layer in the peeling test, and the contact angles of pure water and methylene diiodide were reduced.

【０２０１】各材料の接触角 さらに、テフロンＴＦＥ、シリコーン、ポリプロピレ
ン、ポリエチレン、テフロンＦＥＰ、金、炭化チタン、
テフロンＰＦＡ、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）、炭化ケイ素、ＢＫ７ガラスを様々な形状にして、
純水の接触角を測定した。この結果は下記の表３に示
す。 The contact angle of each material is further determined by Teflon TFE, silicone, polypropylene, polyethylene, Teflon FEP, gold, titanium carbide,
Teflon PFA, DLC (diamond-like carbon), silicon carbide, BK7 glass in various shapes,
The contact angle of pure water was measured. The results are shown in Table 3 below.

【０２０２】 [0202]

【０２０３】このように、本発明に基づくＳｉ接着層を
使用し、フルオロカーボントップコート層として、ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いると、他の
材質のものよりも接触角が向上することが分かる。な
お、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、及びＰＴ
ＦＥとの混合物や、テフロンＦＥＰ、テフロンＰＦＡ等
のフルオロカーボンも使用することができる。As described above, when the Si adhesive layer according to the present invention is used and polytetrafluoroethylene (PTFE) is used as the fluorocarbon top coat layer, the contact angle is improved as compared with those of other materials. . In addition, perfluoropolyether (PFPE) and PT
A mixture with FE and a fluorocarbon such as Teflon FEP and Teflon PFA can also be used.

【０２０４】また、図１に示した構造に用いるトップコ
ート材として、荷重が小さくて鋭いものによるスクラッ
チ（シャープペン硬度）について、シャープペン硬度は
表面状態に影響されることから、３Ｍ社のＦＣ−７２２
（フルオロカーボン系）の層を設けた。これは液体材料
であり、溶媒で希釈して使用し、コーティングした。As for the top coat material used in the structure shown in FIG. 1, the scratch (sharp pen hardness) caused by a sharp material having a small load is affected by the surface condition. -722
(Fluorocarbon-based) layer was provided. It is a liquid material and was used diluted with a solvent and coated.

【０２０５】このトップコート層の膜厚は数１０Åと非
常に薄いが、経時劣化し難く、また反射率（波長変化も
含む。）等の光学的な影響は小さく（反射波長のシフト
５ｎｍ程度）、無視できるレベルであった。そして、こ
のトップコート層の特徴として、表面張力が小さく（フ
ッ素系の特徴であって、十分に乾燥すれば、３０ｄｙｎ
ｅｓ／ｃｍ以下となる。）、また滑りが良いので汚れが
付き難く、拭き取り易い。また、シャープペン硬度は、
表面が平滑で滑りが良いことから、１５０ｇ程度（この
トップコート層を設けないときは５０ｇ）まで改善され
た。鉛筆硬度では３Ｈであった。Although the thickness of this top coat layer is very thin, several tens of degrees, it is difficult to deteriorate with time, and the optical influence such as the reflectance (including the change in wavelength) is small (the shift of the reflection wavelength is about 5 nm). , At a negligible level. A characteristic of this top coat layer is that the surface tension is small (a characteristic of fluorine, and if it is sufficiently dried, 30 dyn
es / cm or less. ) Also, since it has good slip, it is hard to get dirty and easy to wipe off. Also, the mechanical hardness of the mechanical pen
Since the surface was smooth and had good slippage, the improvement was reduced to about 150 g (50 g when the top coat layer was not provided). The pencil hardness was 3H.

【０２０６】従って、このトップコート層を設けること
によっても、膜の光学特性、機械的強度の両方を確保す
ることができるようになった。Therefore, by providing this top coat layer, both optical characteristics and mechanical strength of the film can be secured.

【０２０７】以上、本発明を実施例について説明した
が、上述した実施例は本発明の技術的思想に基づいて更
に変形が可能である。The present invention has been described with reference to the embodiment. However, the above-described embodiment can be further modified based on the technical idea of the present invention.

【０２０８】例えば、上述した被覆構造の積層構造体の
層構成や材質、形状等は種々変更でき、特にＳｉ系接着
層で接着されるトップコート材は上述したもの以外の種
々のフルオロカーボンが使用可能である。For example, the layer structure, material, shape, and the like of the above-mentioned laminated structure having a coating structure can be variously changed. In particular, various fluorocarbons other than those described above can be used as the top coat material bonded with the Si-based adhesive layer. It is.

【０２０９】また、下地についても、光学特性向上のた
めには反射防止膜をはじめ、光透過性材料、帯電防止性
材料等の種々の膜を設けることができるし、適用可能な
光学装置又は素子も種々の光学系、更には光源装置、光
情報処理装置が挙げられる。For the base, various films such as an antireflection film, a light-transmitting material, an antistatic material and the like can be provided to improve the optical characteristics. Also include various optical systems, furthermore, a light source device and an optical information processing device.

【０２１０】各層の成膜方法は、その種類毎に適切な方
法を採用でき、スパッタ法、真空蒸着法、コーティング
法等を適切に組み合わせることができる。As a method of forming each layer, an appropriate method can be adopted for each type, and a sputtering method, a vacuum evaporation method, a coating method and the like can be appropriately combined.

【０２１１】[0211]

【発明の作用効果】本発明によれば、主としてケイ素か
らなる接着層を介して、下地層上にフルオロカーボン層
を設けているので、洗浄性及び機械的強度に優れるばか
りでなく、フルオロカーボン層が剥離しにくい被覆構
造、光学的装置又は素子を提供できる。According to the present invention, since the fluorocarbon layer is provided on the base layer via the adhesive layer mainly composed of silicon, not only is the cleaning property and mechanical strength excellent, but also the fluorocarbon layer is peeled off. It is possible to provide a coating structure, an optical device or an element that is difficult to perform.

【０２１２】また、本発明の製造方法によれば、物理的
成膜法を用いて接着層及びフルオロカーボン層を形成す
るので、上記の優れた被覆構造、光学的装置又は素子を
低コストに製造することができる。Further, according to the manufacturing method of the present invention, since the adhesive layer and the fluorocarbon layer are formed by using the physical film forming method, the above-mentioned excellent coating structure, optical device or element can be manufactured at low cost. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施例による光学的装置又は素子の要
部断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a main part of an optical device or element according to an embodiment of the present invention.

【図２】同、光学的装置又は素子のフルオロカーボント
ップコート層に対する純水（又は、二ヨウ化メチレン）
の接触角を示した断面図である。FIG. 2 shows pure water (or methylene diiodide) for a fluorocarbon top coat layer of an optical device or element.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a contact angle of FIG.

【図３】（Ａ）は、本発明に基づくフルオロカーボン樹
脂の一部分の構造式であり、（Ｂ）及び（Ｃ）は、フル
オロカーボンがフッ素原子を失って生成された別のフル
オロカーボン樹脂の一部分の構造式である。FIG. 3 (A) is a structural formula of a part of a fluorocarbon resin according to the present invention, and (B) and (C) are structural structures of a part of another fluorocarbon resin formed by losing a fluorine atom of a fluorocarbon. It is an expression.

【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の実施例による光
学的装置（陰極線管）の概略断面図であり、（Ｃ）は、
同光学的素子（光学レンズ）の断面図である。4A and 4B are schematic sectional views of an optical device (cathode ray tube) according to an embodiment of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing of the same optical element (optical lens).

【図５】本発明の他の実施例による光学的装置又は素子
の要部断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a main part of an optical device or element according to another embodiment of the present invention.

【図６】本発明に基づく光学的装置又は素子を製造する
に際して使用できるＲＦプラズマスパッタ装置の概略断
面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view of an RF plasma sputtering apparatus that can be used in manufacturing an optical device or element according to the present invention.

【図７】同ＲＦプラズマスパッタ装置に使用される回転
式パレット部分の二例の概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view of two examples of a rotary pallet used in the RF plasma sputtering apparatus.

【図８】本発明に基づく光学的装置又は素子を製造する
に際して使用できる連続式ＲＦプラズマスパッタ装置の
概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a continuous RF plasma sputtering apparatus that can be used in manufacturing an optical device or element according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…フルオロカーボン層、２…主としてケイ素からなる
接着層、３…例えば、二酸化ケイ素からなる薄膜層、４
…例えば、二酸化スズからなる薄膜層、５…ハードコー
ト層、６…プラスチックフィルム層、７…接着剤層、８
…基体、９…光学膜、１０…液滴、１１…陰極線管（ブ
ラウン管）、１２…光学レンズ、２１…真空チャンバ
ー、２２…アルゴンガス導入管、23…排気口、２６…ガ
ス導入管、２８、４５、４６、４７、４８、４９…ター
ゲット板（バッキングプレート）２９…回転プレート、
３０…電源、３１ａ、３１ｂ…冷却水、３３…アルゴン
ガス、３４…排気ガス、３５、３６、６０、６１、６２
…ターゲット、３７…下地、４１…送りロール、４２…
巻取りロール、４３…ガイドロール、４４ａ、４４ｂ…
冷却キャン、５０ａ、５０ｂ…プラスチック層（ベー
ス）、５１…仕切り板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Fluorocarbon layer, 2 ... Adhesion layer mainly consisting of silicon, 3 ... For example, a thin film layer consisting of silicon dioxide, 4
... For example, a thin film layer made of tin dioxide, 5 ... a hard coat layer, 6 ... a plastic film layer, 7 ... an adhesive layer, 8
... Substrate, 9 ... Optical film, 10 ... Droplet, 11 ... Cathode tube (Brown tube), 12 ... Optical lens, 21 ... Vacuum chamber, 22 ... Argon gas inlet tube, 23 ... Exhaust port, 26 ... Gas inlet tube, 28 , 45, 46, 47, 48, 49 ... target plate (backing plate) 29 ... rotating plate,
Reference numeral 30: power supply, 31a, 31b: cooling water, 33: argon gas, 34: exhaust gas, 35, 36, 60, 61, 62
... Target, 37 ... Substrate, 41 ... Feed roll, 42 ...
Winding roll, 43 ... Guide roll, 44a, 44b ...
Cooling can, 50a, 50b: plastic layer (base), 51: partition plate

Claims (63)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 主としてケイ素からなる接着層を介し
て、下地層上にフルオロカーボン層が被覆されている被
覆構造。1. A coating structure in which a fluorocarbon layer is coated on a base layer via an adhesive layer mainly composed of silicon. 【請求項２】 フルオロカーボン層が、ポリテトラフル
オロエチレン及び／又はパーフルオロポリエーテルによ
って形成されている、請求項１に記載した被覆構造。2. The coating structure according to claim 1, wherein the fluorocarbon layer is formed of polytetrafluoroethylene and / or perfluoropolyether. 【請求項３】 接着層の厚みが１０ｎｍ以下である、請
求項１に記載した被覆構造。3. The coating structure according to claim 1, wherein the thickness of the adhesive layer is 10 nm or less. 【請求項４】 フルオロカーボン層の厚みが１０ｎｍ以
下である、請求項１に記載した被覆構造。4. The coating structure according to claim 1, wherein the thickness of the fluorocarbon layer is 10 nm or less. 【請求項５】 アルコールを含浸した布によって２０回
往復してラビングした際に、フルオロカーボン層の表面
が外観的に変化しない、請求項１に記載した被覆構造。5. The coating structure according to claim 1, wherein the surface of the fluorocarbon layer does not change its appearance when rubbed back and forth 20 times with a cloth impregnated with alcohol. 【請求項６】 フルオロカーボン層に対する水の接触角
が１００°以上である、請求項１に記載した被覆構造。6. The coating structure according to claim 1, wherein a contact angle of water with respect to the fluorocarbon layer is 100 ° or more. 【請求項７】 下地層が光学膜からなる、請求項１に記
載した被覆構造。7. The coating structure according to claim 1, wherein the underlayer comprises an optical film. 【請求項８】 光学膜の内、接着層に接する境界層が二
酸化ケイ素によって形成される、請求項７に記載した被
覆構造。8. The coating structure according to claim 7, wherein a boundary layer of the optical film that is in contact with the adhesive layer is formed of silicon dioxide. 【請求項９】 光学膜が反射防止膜である、請求項８に
記載した被覆構造。9. The coating structure according to claim 8, wherein the optical film is an anti-reflection film. 【請求項１０】 光学膜が光学的装置又は素子の本体上
に設けられている、請求項８に記載した被覆構造。10. The coating structure according to claim 8, wherein the optical film is provided on a main body of the optical device or element. 【請求項１１】 光学膜と光学的装置又は素子の本体と
の間に、樹脂層及び硬質層が積層して設けられている、
請求項１０に記載した被覆構造。11. A resin layer and a hard layer are provided by lamination between an optical film and a main body of an optical device or an element.
The coating structure according to claim 10. 【請求項１２】 下地層が、石英ガラス又はシリコンか
らなる、請求項１に記載した被覆構造。12. The coating structure according to claim 1, wherein the underlayer is made of quartz glass or silicon. 【請求項１３】 本体上に、主としてケイ素からなる接
着層を介してフルオロカーボン層が被覆されている光学
的装置又は素子。13. An optical device or element in which a fluorocarbon layer is coated on a main body via an adhesive layer mainly composed of silicon. 【請求項１４】 下地層上にフルオロカーボン層が接着
されている、請求項１３に記載した光学的装置又は素
子。14. The optical device or element according to claim 13, wherein a fluorocarbon layer is adhered on the underlayer. 【請求項１５】 フルオロカーボン層が、ポリテトラフ
ルオロエチレン及び／又はパーフルオロポリエーテルに
よって形成されている、請求項１３に記載した光学的装
置又は素子。15. The optical device or element according to claim 13, wherein the fluorocarbon layer is formed of polytetrafluoroethylene and / or perfluoropolyether. 【請求項１６】 接着層の厚みが１０ｎｍ以下である、
請求項１３に記載した光学的装置又は素子。16. The adhesive layer has a thickness of 10 nm or less.
An optical device or element according to claim 13. 【請求項１７】 フルオロカーボン層の厚みが１０ｎｍ
以下である、請求項１３に記載した光学的装置又は素
子。17. The thickness of the fluorocarbon layer is 10 nm.
14. The optical device or element according to claim 13, wherein: 【請求項１８】 アルコールを含浸した布によって２０
回往復してラビングした際に、フルオロカーボン層の表
面が外観的に変化しない、請求項１３に記載した光学的
装置又は素子。18. The method according to claim 19, wherein the fabric is impregnated with an alcohol.
14. The optical device or element according to claim 13, wherein the surface of the fluorocarbon layer does not change in appearance when rubbing is performed twice. 【請求項１９】 フルオロカーボン層に対する水の接触
角が１００°以上である、請求項１３に記載した光学的
装置又は素子。19. The optical device or element according to claim 13, wherein a contact angle of water with the fluorocarbon layer is 100 ° or more. 【請求項２０】 下地層が光学膜からなる、請求項１４
に記載した光学的装置又は素子。20. The underlayer is made of an optical film.
An optical device or element as described in 1. 【請求項２１】 光学膜の内、接着層が接する境界層が
二酸化ケイ素によって形成される、請求項２０に記載し
た光学的装置又は素子。21. The optical device or element according to claim 20, wherein a boundary layer of the optical film where the adhesive layer contacts is formed by silicon dioxide. 【請求項２２】 光学膜が反射防止膜である、請求項２
１に記載した光学的装置又は素子。22. The optical film according to claim 2, wherein the optical film is an antireflection film.
2. The optical device or element according to 1. 【請求項２３】 光学膜が本体上に設けられている、請
求項２１に記載した光学的装置又は素子。23. The optical device or element according to claim 21, wherein the optical film is provided on the main body. 【請求項２４】 光学膜と本体との間に、樹脂層及び硬
質層が積層して設けられている、請求項２３に記載した
光学的装置又は素子。24. The optical device or element according to claim 23, wherein a resin layer and a hard layer are laminated between the optical film and the main body. 【請求項２５】 下地層が石英ガラス又はシリコン製の
本体からなる、請求項１３に記載した光学的装置又は素
子。25. The optical device or element according to claim 13, wherein the underlayer comprises a main body made of quartz glass or silicon. 【請求項２６】 主としてケイ素からなる接着層を介し
て、下地層上にフルオロカーボン層が被覆されている被
覆構造を製造するに際し、物理的成膜法によって前記接
着層及び前記フルオロカーボン層をそれぞれ形成する、
被覆構造の製造方法。26. When manufacturing a coating structure in which a fluorocarbon layer is coated on an underlayer via an adhesive layer mainly composed of silicon, the adhesive layer and the fluorocarbon layer are formed by a physical film formation method. ,
Manufacturing method of coating structure. 【請求項２７】 物理的成膜法としてＲＦ（高周波）プ
ラズマスパッタ法を適用する、請求項２６に記載した製
造方法。27. The manufacturing method according to claim 26, wherein an RF (high frequency) plasma sputtering method is applied as the physical film forming method. 【請求項２８】 接着層用及びフルオロカーボン層用の
ターゲットを回転体上に配置する、請求項２７に記載し
た製造方法。28. The method according to claim 27, wherein targets for the adhesive layer and the fluorocarbon layer are arranged on a rotating body. 【請求項２９】 真空蒸着法によって、接着層及びフル
オロカーボン層をそれぞれ形成する、請求項２６に記載
した製造方法。29. The method according to claim 26, wherein the adhesive layer and the fluorocarbon layer are formed by a vacuum deposition method. 【請求項３０】 接着層の成膜直後にフルオロカーボン
層を成膜する、請求項２６に記載した製造方法。30. The method according to claim 26, wherein the fluorocarbon layer is formed immediately after the formation of the adhesive layer. 【請求項３１】 接着層を成膜した後、１分以内にフル
オロカーボン層を成膜する、請求項３０に記載した製造
方法。31. The method according to claim 30, wherein the fluorocarbon layer is formed within one minute after forming the adhesive layer. 【請求項３２】 フルオロカーボンガス及び／又は酸素
ガスを含む雰囲気中で成膜する、請求項２６に記載した
製造方法。32. The method according to claim 26, wherein the film is formed in an atmosphere containing a fluorocarbon gas and / or an oxygen gas. 【請求項３３】 成膜中に、プラズマによる荷電粒子が
堆積膜を衝撃することを防止する、請求項２６に記載し
た製造方法。33. The manufacturing method according to claim 26, wherein charged particles due to plasma are prevented from bombarding the deposited film during film formation. 【請求項３４】 磁石の作用下で、或いは、電気的にバ
イアスされたスクリーンを用いて、プラズマが堆積膜を
衝撃するのを防止する、請求項３３に記載した製造方
法。34. The method of claim 33, wherein the plasma is prevented from bombarding the deposited film under the action of a magnet or using an electrically biased screen. 【請求項３５】 ポリテトラフルオロエチレン及び／又
はパーフルオロポリエーテルによって、フルオロカーボ
ン層を形成する、請求項２６に記載した製造方法。35. The method according to claim 26, wherein the fluorocarbon layer is formed from polytetrafluoroethylene and / or perfluoropolyether. 【請求項３６】 接着層の厚みを１０ｎｍ以下とする、
請求項２６に記載した製造方法。36. The adhesive layer has a thickness of 10 nm or less.
The method according to claim 26. 【請求項３７】 フルオロカーボン層の厚みを１０ｎｍ
以下とする、請求項２６に記載した製造方法。37. The thickness of the fluorocarbon layer is 10 nm.
The manufacturing method according to claim 26, wherein: 【請求項３８】 ＤＣ（直流）スパッタ法によって下地
層を形成する、請求項２６に記載した製造方法。38. The method according to claim 26, wherein the underlayer is formed by a DC (direct current) sputtering method. 【請求項３９】 下地層として光学膜を形成する、請求
項２６に記載した製造方法。39. The manufacturing method according to claim 26, wherein an optical film is formed as an underlayer. 【請求項４０】 光学膜の内、接着層に接する境界層を
二酸化ケイ素によって形成する、請求項３９に記載した
製造方法。40. The manufacturing method according to claim 39, wherein a boundary layer in contact with the adhesive layer in the optical film is formed of silicon dioxide. 【請求項４１】 光学膜として反射防止膜を形成する、
請求項３９に記載した製造方法。41. forming an antireflection film as an optical film;
A method according to claim 39. 【請求項４２】 光学膜を光学的装置又は素子の本体上
に設ける、請求項３９に記載した製造方法。42. The method according to claim 39, wherein the optical film is provided on a main body of the optical device or element. 【請求項４３】 光学膜と光学的装置又は素子の本体と
の間に、樹脂層及び硬質層を積層して設ける、請求項４
２に記載した製造方法。43. A resin layer and a hard layer are laminated between an optical film and a main body of an optical device or element.
2. The production method described in 2. 【請求項４４】 下地層を石英ガラス又はシリコンとす
る、請求項２６に記載した製造方法。44. The method according to claim 26, wherein the underlayer is made of quartz glass or silicon. 【請求項４５】 本体上に、主としてケイ素からなる接
着層を介してフルオロカーボン層が被覆されている光学
的装置又は素子を製造するに際し、物理的成膜法によっ
て、前記接着層及び前記フルオロカーボン層をそれぞれ
形成する、光学的装置又は素子の製造方法。45. When manufacturing an optical device or element in which a fluorocarbon layer is coated on a main body via an adhesive layer mainly composed of silicon, the adhesive layer and the fluorocarbon layer are formed by a physical film forming method. A method of manufacturing an optical device or element to be formed. 【請求項４６】 物理的成膜法としてＲＦ（高周波）プ
ラズマスパッタ法を適用する、請求項４５に記載した製
造方法。46. The manufacturing method according to claim 45, wherein an RF (high frequency) plasma sputtering method is applied as the physical film forming method. 【請求項４７】 接着層用及びフルオロカーボン層用の
ターゲットを回転体上に配置する、請求項４６に記載し
た製造方法。47. The manufacturing method according to claim 46, wherein targets for the adhesive layer and the fluorocarbon layer are arranged on a rotating body. 【請求項４８】 真空蒸着法によって、接着層及びフル
オロカーボン層をそれぞれ形成する、請求項４５に記載
した製造方法。48. The method according to claim 45, wherein the adhesive layer and the fluorocarbon layer are formed by a vacuum deposition method. 【請求項４９】 接着層の成膜直後にフルオロカーボン
層を成膜する、請求項４５に記載した製造方法。49. The method according to claim 45, wherein the fluorocarbon layer is formed immediately after the formation of the adhesive layer. 【請求項５０】 接着層を成膜した後、１分以内にフル
オロカーボン層を成膜する、請求項４９に記載した製造
方法。50. The method according to claim 49, wherein the fluorocarbon layer is formed within one minute after forming the adhesive layer. 【請求項５１】 フルオロカーボンガス及び／又は酸素
ガスを含む雰囲気中で成膜する、請求項４５に記載した
製造方法。51. The method according to claim 45, wherein the film is formed in an atmosphere containing a fluorocarbon gas and / or an oxygen gas. 【請求項５２】 成膜中に、プラズマによる荷電粒子が
堆積膜を衝撃することを防止する、請求項４５に記載し
た製造方法。52. The manufacturing method according to claim 45, wherein charged particles due to plasma are prevented from impacting the deposited film during film formation. 【請求項５３】 磁石の作用下で、又は、電気的にバイ
アスされたスクリーンを用いて、プラズマが堆積膜を衝
撃するのを防止する、請求項５２に記載した製造方法。53. The method according to claim 52, wherein the plasma is prevented from bombarding the deposited film under the action of a magnet or using an electrically biased screen. 【請求項５４】 ポリテトラフルオロエチレン及び／又
はパーフルオロポリエーテルによって、フルオロカーボ
ン層を形成する、請求項４５に記載した製造方法。54. The production method according to claim 45, wherein the fluorocarbon layer is formed from polytetrafluoroethylene and / or perfluoropolyether. 【請求項５５】 接着層の厚みを１０ｎｍ以下とする、
請求項４５に記載した製造方法。55. An adhesive layer having a thickness of 10 nm or less.
A method according to claim 45. 【請求項５６】 フルオロカーボン層の厚みを１０ｎｍ
以下とする、請求項４５に記載した製造方法。56. The thickness of the fluorocarbon layer is 10 nm.
The manufacturing method according to claim 45, wherein: 【請求項５７】 ＤＣ（直流）スパッタ法によって下地
層を形成し、この上にフルオロカーボン層を形成する、
請求項４５に記載した製造方法。57. An underlayer is formed by a DC (direct current) sputtering method, and a fluorocarbon layer is formed thereon.
A method according to claim 45. 【請求項５８】 フルオロカーボン層の下地層として光
学膜を形成する、請求項４５に記載した製造方法。58. The method according to claim 45, wherein an optical film is formed as an underlayer of the fluorocarbon layer. 【請求項５９】 光学膜の内、接着層と接する境界層を
二酸化ケイ素によって形成する、請求項５８に記載した
製造方法。59. The method according to claim 58, wherein a boundary layer in contact with the adhesive layer in the optical film is formed of silicon dioxide. 【請求項６０】 光学膜として反射防止膜を形成する、
請求項５８に記載した製造方法。60. forming an antireflection film as an optical film;
A method according to claim 58. 【請求項６１】 光学膜を光学的装置又は素子の本体上
に設ける、請求項５８に記載した製造方法。61. The method according to claim 58, wherein the optical film is provided on a main body of the optical device or element. 【請求項６２】 光学膜と光学的装置又は素子の本体と
の間に、樹脂層及び硬質層を積層して設ける、請求項６
１に記載した製造方法。62. A resin layer and a hard layer laminated and provided between an optical film and a main body of an optical device or element.
2. The production method according to 1. 【請求項６３】 下地層を石英ガラス又はシリコンとす
る、請求項５８に記載した製造方法。63. The method according to claim 58, wherein the underlayer is made of quartz glass or silicon.