JPH1094794A - 有機性排水の嫌気性処理装置 - Google Patents

有機性排水の嫌気性処理装置

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JPH1094794A
JPH1094794A JP24992096A JP24992096A JPH1094794A JP H1094794 A JPH1094794 A JP H1094794A JP 24992096 A JP24992096 A JP 24992096A JP 24992096 A JP24992096 A JP 24992096A JP H1094794 A JPH1094794 A JP H1094794A
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sedimentation
rising
water
section
tank
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Motoyuki Yoda
元之 依田
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Kurita Water Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理すべき有機性排水(原水)のCODcr負
荷量が高く、嫌気性ガスの発生量が多くても、それには
関係なく、汚泥が混入しない処理水を採水できると共
に、沈殿処理した汚泥を反応部に強制的に返送し、原水
中の有機物を完全に生物処理する。 【解決手段】 底部に嫌気性汚泥層22と、該汚泥層中
に有機性排水を上向流で供給する給水管23とを有する
反応部21を備えた処理槽10の内部の、上記反応部の
上方に、上端部が槽内の水面上に突出した有底の沈殿部
24を配置し、この沈殿部の外には、上端部が槽内の水
面上に突出した仕切壁28を沈殿部沿いに間隔を保って
配置し、上記間隔を反応部から上昇する処理水の一部が
流入する上昇水路29にし、この上昇水路と沈殿部の内
部を連通すると共に、前記上昇水路の下端の下方に、該
上昇水路中に嫌気性ガスが進入するのを防ぐじゃま板3
2を設け、且つ沈殿部の底24´と反応部との間には沈
殿部の底に沈降した汚泥を反応部に返送する返送管31
を設け、沈殿部内の上部から処理水を槽外に取出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は有機性排水中の有
機物を、沈積層を構成する嫌気性微生物からなる自己造
粒汚泥(グラニュール)で最終的にメタンと二酸化炭素
を主成分とする嫌気性ガスに分解して有機物を除去し、
有機物の分解が済んだ処理水を、発生した嫌気性ガス、
及びグラニュールから分離して取出すUASB式(上向
流スラッジブランケット式)嫌気性処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4に示すように、頂部にガス抜き管1
1を有する有蓋の処理槽10と、上端部が槽内の水面上
に突出し、水面下で傾斜して下端が槽内の高さの中程に
位置する傾斜分離板12と、この傾斜分離板により槽内
に隔離して設けられた汚泥沈殿室13、及び反応室14
と、反応室の槽底部上に形成される嫌気性汚泥層15
と、該嫌気性汚泥層中に有機性排水を供給する給水管1
6と、前記汚泥沈殿室の上部に、傾斜分離板に接して設
けられた処理水の溢流トラフ17と、前記反応室の内部
で、汚泥沈殿室の下部に傾斜して設けられたガス分離板
18とを備えた有機性排水の嫌気性処理装置は従来から
公知である。処理槽10の平面形状は円筒形でも、角筒
形でもよいが、円筒形の場合は傾斜分離板12は直径が
下向きに小さくなった円錐筒であり、ガス分離板18は
陣笠形である。尚、傾斜分離板の円錐板は上半部12a
と、上部が上半部の下部よりも直径が少し大きい下半部
12bとからなり、上半部の下部と下半部の上部は内外
に同心状に嵌合し、その間に陣笠状のガス分離板の周面
に向う円錐形の通路12´を形成している。このような
構成により、汚泥沈殿室13の下部開口部は、流路を残
してガス分離板18によって下方から覆われた状態とな
っている。
【0003】給水管16から処理槽内に供給された原水
(有機性排水)は、嫌気性汚泥層中を上昇する際に、含
有する有機物を該汚泥層を構成するグラニュールにより
分解されて処理水となり、処理水は分解により生成した
嫌気性ガスの上昇に随伴して一部のグラニュールを伴っ
て反応室14内を上向流する。そして、一部の処理水は
ガス分離板18の回りから、汚泥沈殿室13内に下端の
入口から入って室内を上昇する上昇流Aになる。汚泥沈
殿室の下端の入口はガス分離板18で遮られ、グラニュ
ールを伴った処理水が直接、汚泥分離室に上向流しない
ので、ガスは分離され、汚泥沈殿室に流入した処理水の
上昇流Aに含まれたグラニュールは室内で分離し、グラ
ニュールは汚泥沈殿室に流入する処理水に抗して沈殿室
の下端の入口からガス分離板上に落下し、ガス分離板の
回りから嫌気性汚泥層15上に沈下する。従って、グラ
ニュールを分離した処理水は溢流トラフ17に溢入し、
排出管19から取出される。又、発生した嫌気性ガスの
一部はガス分離板18の下に集まり、ガス分離板の回り
や、処理槽が角筒状の場合は山形断面のガス分離板の両
端から沈殿室の外の液面に浮上し、ガス抜き管11から
放出される。
【0004】汚泥沈殿室に流入しなかったグラニュール
を含んだ残りの処理水は嫌気性ガスに随伴して傾斜分離
板12の回りの反応室の上部に上昇し、嫌気性ガスは反
応室の液面に浮上し、ガス抜き管11から放出される。
嫌気性ガスに随伴して上昇する処理水の上昇速度は、原
水中のCODcr負荷量、つまり生成される嫌気性ガスの
量によって定まり、CODcr負荷量が高い程、嫌気性ガ
スの生成量は大になるので処理水の上昇速度は早まる。
こうして、反応室内で嫌気性ガスを放出した処理水は、
嫌気性ガスによる上昇流Bの反転流Cとして反応室内の
傾斜分離板12の外側に沿って傾斜分離板の下方の円錐
形の通路12´中を下降し、処理水に含まれるグラニュ
ールは嫌気性汚泥層15上に沈下する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置はCOD
cr負荷量が15kg/COD/m3 /日程度までの有機
性排水であれば、充分に処理を行うことができるが、C
OD負荷量が20kg/COD/m3 /日、或いはそれ
以上に高い有機性排水の場合は、生成する嫌気ガスの量
が多いので反応室内の上昇流Bと、その後の傾斜分離板
の外側に沿って通路12´中を下降する反転流Cは高速
になり、ガス分離板18上に激しく衝突し、一部が反射
的な上向きの衝突流Dになって沈殿室13の内部に浸入
し、沈殿室でのグラニュールの沈殿を妨げたり、沈殿す
べきグラニュールが溢流トラフ17に流入し、排出管1
9から取出される処理水にグラニュールが混ざることが
ある。つまり、反応室内の傾斜分離板12に沿って下降
する反転流Cが、嫌気性ガスによって反応室内を上昇す
る上昇流Bの反転流を利用したものであるため、COD
cr負荷量の上昇に伴う上昇流Bの流速の上昇が反転流C
の流速の上昇につながり、結果として沈殿室13内に反
射的に上昇して室内を攪拌する垂直上向きの衝突流Dが
無視できない悪影響を及ぼし、前述したように沈殿室で
のグラニュールの沈殿を妨げたり、グラニュールが排出
管19に流出するのである。又、汚泥沈殿室内で分離し
たグラニュールは該室に流入して上昇流Aとなる処理水
の流れに抗してガス分離板上に落下しなければならない
ので汚泥沈殿室にグラニュールが滞流し、嫌気性汚泥層
15の汚泥量が不足することがある。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、原水の
CODcr負荷量が高くても、嫌気性ガスによる処理水の
上昇流の影響を受けることなく処理水中に含まれている
グラニュールを確実に沈殿分離し、分離したグラニュー
ルを強制的に嫌気性汚泥層に返送することにより上記し
た従来装置の問題点を完全に解消したもので、有機性排
水の嫌気性処理装置として、底部に嫌気性汚泥層と、該
汚泥層中に有機性排水を上向流で供給する給水管とを有
する反応部を備えた処理槽の内部の、上記反応部の上方
に、上端部が槽内の水面上に突出した有底の沈殿部を配
置し、この沈殿部内の上部に処理水を処理槽外に取出す
ための溢流トラフを設け、該沈殿部の外には、上端部が
槽内の水面上に突出した仕切壁を沈殿部沿いに間隔を保
って配置し、沈殿部と仕切壁との間の上記間隔を反応部
から上昇する処理水の一部が流入する上昇水路にし、こ
の上昇水路と沈殿部の内部を連通すると共に、前記上昇
水路の下端の下方に、該上昇水路中に嫌気性ガスが進入
するのを防ぐじゃま板を設け、且つ沈殿部の底と反応部
との間には沈殿部の底上に沈降した汚泥を反応部に返送
する返送管を設けたことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】前記沈殿部の内部に、上端部が槽
内の水面上に突出し、下端が沈殿部中に位置するフィー
ドウェルを立設し、前記上昇水路と、フィードウェルと
の間には上昇水路の水面から溢入する処理水をフィード
ウェルを介して沈殿部に供給する連絡水路を設け、又、
沈殿部内のフィードウェルの下端の下方にバッフルを設
けることが好ましい。
【0008】
【実施例】図1,2の各実施例において、20は頂部に
ガス抜き管20´を有する有蓋の処理槽、22は処理槽
の内部に形成されたグラニュールからなる嫌気性汚泥
層、23は上記嫌気性汚泥層中に原水(有機性排水)を
供給して上向流させる給水管であり、嫌気性汚泥層を構
成するグラニュールは上向流する原水により処理槽の高
さの中程まで流動状態に展開する。原水の給水管23
と、流動状態に展開する嫌気性汚泥層22とにより処理
槽内の下半部に反応部20が構成される。
【0009】処理槽の内部の上記反応部21の上方に、
上端部が槽内の水面W上に突出した有底の沈殿部24を
配置する。沈殿部24の底24´は、図示の実施例では
夫々断面V字形に閉じ、前記反応部21の上に離れて位
置する。この沈殿部内の上部には沈殿部内の処理水が溢
入する溢流トラフ25が設けてあり、溢流トラフに溢入
した処理水は排水管26で槽外に取出される。
【0010】上記沈殿部24の内部には、上端が槽内の
水面上に突出したフィードウェル27が立設してある。
フィードウェルの下端は沈殿部の高さの中程に位置す
る。このフィードウェルは円筒形でも、角筒形でもよ
い。このようにフィードウェル27を設けると、沈殿部
内の上部の水流が攪乱されることがないので好ましい。
【0011】沈殿部24の外には、上端部が槽内の水面
上に突出した仕切壁28を沈殿部沿いに間隔を保って配
置し、沈殿部と仕切壁との間の上記間隔で、反応部21
から上昇する処理水が流入する上昇水路29を形成す
る。そして、この上昇水路29と、前記フィードウェル
27との間には上昇水路の水面から溢入する処理水をフ
ィードウェルの内部の水面下に導入し、フィードウェル
の下端から沈殿部の内部に供給する連絡水路30を設け
る。
【0012】図1〜3では好ましい実施例を示している
が、フィードウェル、連絡水路を省略し、上昇水路中の
水を沈殿部内に直接、導入するようにしてもよい。例え
ば、沈殿部を構成する壁に上昇水路と沈殿部の内部とを
連通する連絡開口を設け、上昇水路から沈殿部に水を直
接、供給してもよい。
【0013】沈殿部24の底と、反応部21との間には
沈殿部の底に沈降した汚泥を反応部に返送する返送管3
1を設ける。返送管31にはポンプPを接続し、ポンプ
を連続的、又は間欠的に運転し、沈殿部の底から汚泥を
反応部に供給する。
【0014】沈殿部の外面と、仕切壁の内面との間の間
隔に形成された上昇水路29の下端の下方に、反応部2
1から浮上した嫌気性ガスが上昇水路に流入するのを防
止するじゃま板32を配置する。沈殿部の底24´が図
示のようにV形に閉じ、仕切壁28の下端が沈殿部の下
半部のV形に上から短く沿って終る図1の実施例の場合
は、仕切壁28の下端から下に少し離して沈殿部のV形
の下半部に対しほゞ直角のハ字形にじゃま板を沈殿部の
下半部に固定する。又、仕切壁28の下端が、沈殿部の
V形に閉じた底の近くにまで沿って長く延びている図2
の実施例の場合は仕切壁28の二つの下端から下に少し
離して山形断面のじゃま板を配置する。
【0015】又、沈殿部24の内部には、フィードウェ
ル27の下端から下に少し離して山形断面のバッフル3
3を配置してもよい。
【0016】処理槽20と、沈殿部24の平面形状は円
形でも、角形でもよい。更に、処理槽の平面形状が角
形、沈殿部の平面形状が円形でもよいし、逆に処理槽の
平面形状が円形、沈殿部の平面形状が角形でもよい。図
3(A)は処理槽、沈殿部がともに円形で、同心状に配
置された場合を示す。この場合は、沈殿部の上半部は円
筒形、その下半部と底24´は尖端を下に向けた円錐形
になり、これに伴い仕切壁28も沈殿部の上半部に沿う
部分は円筒形、その下半部と底24´に沿う部分は下向
きに直径を減少した円錐形になり、図1のじゃま板32
は逆に下向きに直径を拡大した円錐形であり、図2のじ
ゃま板は陣笠形になる。そして、溢流トラフ25は円筒
形の沈殿部の上部内周に沿って設け、フィードウェル2
7は円筒形で、沈殿部の中心に立設し、フィードウェル
の下方には陣笠形のバッフル33を同心状に配置する。
沈殿部、仕切壁、図2の陣笠形のじゃま板は、図示して
いないが放射状の支持体で処理槽に支持する。
【0017】これに対して、図3(B)は処理槽の平面
形状を四角にした場合を示す。この場合は処理槽の相対
向した2つの側壁20aと20bから内側に少し離して
下端がV字形に閉じたコーン形の沈殿部24と、沈殿部
の両方の外側に沿う2枚の仕切壁28,28を固定す
る。沈殿部と、2枚の仕切壁28,28の側壁20a,
20bと対向する端部は端壁で塞ぐ。そして、沈殿部の
中央に立設するフィードウェル27は両側壁20aと2
0bとの間に1つに限定されず、図示の如く2つなど、
複数設けることができる。又、溢流トラフ25は、沈殿
部の直立した2つの上半部の内側上部に個々に設けても
よいし、この両方の溢流トラフを、沈殿部の両端を塞ぐ
端壁に沿って設けたトラフ25´,25´で図示の如く
接続して回廊状にしてもよい。図1のじゃま板32は、
仕切壁28,28の下端から下に離して沈殿部の左右の
下半部にハ字形に固定する。又、図2のじゃま板32
は、山形断面板を沈殿部の底から下に少し離して配置す
る。そして、フィードウェルの下方に配置するバッフル
33は、山形断面板の両端を沈殿部の両端を塞ぐ端壁に
固定して設置する。沈殿部、及び仕切壁の両方の端壁と
図2の山形断面板のバッフル33は、図示していないが
処理槽の両方の側壁20a,20bに支持体で支持し、
側壁20a,20bとの間に間隔を保つ。
【0018】給水管23から処理槽内に供給されて反応
部21中を上向流し、嫌気性汚泥層22を流動状態に展
開した原水(有機性排水)は、流動状態に展開する汚泥
(グラニュール)と接触して含有する有機物を分解され
て処理水となる。そして、処理水は分解により生成して
浮上する嫌気性ガスに随伴し、一部のグラニュールを伴
って反応部21から更に上向流する。
【0019】上向流する処理水の一部は上昇水路29に
下から流入して水路中を上昇し、又、処理水の残部は処
理槽仕切壁28の外を上昇し、この処理水に含まれてい
る嫌気性ガスの気泡は処理槽の水面に浮上し、ガス抜き
管20´から外に放出される。上昇水路29に流入して
上昇する一部の処理水中に嫌気性ガスが含まれていて
も、嫌気性ガスは上昇水路の液面に浮上してガス抜き管
20´から放出されるので支障はないが、上昇水路の下
端の下方に離してじゃま板32を設けておくと、上昇水
路に流入する処理水は、主にじゃま板に向かって上昇
し、じゃま板の縁を迂回して来るものであるため、この
処理水に含まれている嫌気性ガスはじゃま板の下に蓄積
し、上昇水路29に進入するのを防止でき、ガスと共に
巻き上げられたグラニュールが沈殿部に流入するのを大
部分、防止できる。
【0020】上昇水路29に流入した処理水は、水面上
に開口した連絡水路30の上端に溢入し、該水路内を流
れてフィードウェル27の内部に流入し、フィードウェ
ルの下端から沈殿部24の高さの中程に供給される。沈
殿部は上端部が処理槽内の水面上に突出し、底は閉じて
いるため、仕切壁28の外方を上向流する処理水や、浮
上する嫌気性ガスによる水流の影響を受けることがない
ので、沈殿部に供給された処理水に含まれているグラニ
ュールや、その前駆体(小粒径のグラニュール)は、そ
れ自身の沈降性に従って沈殿部の底に自由沈降し、グラ
ニュールを分離した上澄み処理水は溢流トラフ25に溢
入し、排水管26から槽外に流出する。沈殿部内での処
理水の上昇流速は3〜30m/時程度が良い。
【0021】フィードウェル27の下方にバッフル33
を設けておくと、フィードウェルの下端から沈殿部内に
下向きに供給される処理水はバッフルによって向きを斜
め下向きに変え、沈殿部の下端上に沈積したグラニュー
ルを舞い上げたり、沈降しようとするグラニュールを乱
したりすることがないので好ましい。
【0022】そして、沈殿部24の底に沈積したグラニ
ュールは、ポンプPの運転により連続的、又は間欠的に
返送管31で反応部21に戻される。返送管31で反応
部に返送されるグラニュールの量は、排水管26で取出
される上澄み処理水の水量の約1〜5%程度が良い。
【0023】
【発明の効果】以上で明らかなように、本発明では、沈
殿部は下端が閉じ、沈殿部の内部は仕切壁の外を上昇す
る処理水や、浮上する嫌気性ガスの水流により影響を全
く受けないため処理水中に含まれるグラニュールや、そ
の前駆体を自身の沈降性で自然沈降させ、処理水を沈殿
部の溢流トラフから槽外に取出すことができ、処理水中
に汚泥が流出するのを防止できる。従って有機性排水の
CODcr負荷量が高く、嫌気性ガスの発生量が多くて
も、それ等に関係なく、汚泥が混ざらない上澄み処理水
を採水することができる。そして、沈殿部上に沈降した
汚泥は返送管で強制的に反応部に返送するため、反応部
での嫌気性汚泥の量の不足を防止し、原水中の有機物を
完全に生物処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の嫌気性処理装置の第1実施例の概略縦
断面図である。
【図2】本発明の嫌気性処理装置の第2実施例の概略縦
断面図である。
【図3】(A)は図1,図2のA−B線での一例の横断
平面図であり、(B)は本発明の嫌気性処理装置の他の
一例の概略縦断面図である。
【図4】従来の嫌気性処理装置の概略縦断面図である。
【符号の説明】
20 処理槽 21 反応部 22 反応部の嫌気性汚泥層 23 反応部の給水管 24 沈殿部 24´ 沈殿部の底 25 反応部の溢流トラフ 26 溢流トラフからの排水管 27 フィードウェル 28 仕切壁 29 上昇水路 30 連絡水路 31 返送管 32 じゃま板 33 バッフル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 底部に嫌気性汚泥層と、該汚泥層中に有
    機性排水を上向流で供給する給水管とを有する反応部を
    備えた処理槽の内部の、上記反応部の上方に、上端部が
    槽内の水面上に突出した有底の沈殿部を配置し、この沈
    殿部内の上部に処理水を処理槽外に取出すための溢流ト
    ラフを設け、該沈殿部の外には、上端部が槽内の水面上
    に突出した仕切壁を沈殿部沿いに間隔を保って配置し、
    沈殿部と仕切壁との間の上記間隔を反応部から上昇する
    処理水の一部が流入する上昇水路にし、この上昇水路と
    沈殿部の内部を連通すると共に、前記上昇水路の下端の
    下方に、該上昇水路中に嫌気性ガスが進入するのを防ぐ
    じゃま板を設け、且つ沈殿部の底と反応部との間には沈
    殿部の底上に沈降した汚泥を反応部に返送する返送管を
    設けたことを特徴とする有機性排水の嫌気性処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の有機性排水の嫌気性処
    理装置において、前記沈殿部の内部に、上端部が槽内の
    水面上に突出し、下端が沈殿部中に位置するフィードウ
    ェルを立設し、前記上昇水路と、フィードウェルとの間
    には上昇水路の水面から溢入する処理水をフィードウェ
    ルを介して沈殿部に供給する連絡水路を設け、沈殿部内
    のフィードウェルの下端の下方にバッフルを設けたこと
    を特徴とする有機性排水の嫌気性処理装置。
JP24992096A 1996-09-20 1996-09-20 有機性排水の嫌気性処理装置 Pending JPH1094794A (ja)

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