JPH1092913A - 半導体成長用サセプタ - Google Patents
半導体成長用サセプタInfo
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- JPH1092913A JPH1092913A JP24654996A JP24654996A JPH1092913A JP H1092913 A JPH1092913 A JP H1092913A JP 24654996 A JP24654996 A JP 24654996A JP 24654996 A JP24654996 A JP 24654996A JP H1092913 A JPH1092913 A JP H1092913A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体成長装置に用いるサセプタとしての消
耗部品の経費削減を図る。 【解決手段】 半導体成長装置に用いる半導体加熱保持
のためのいわゆる半導体成長用サセプタ21であって、
2分割以上の分割可能な構造を有し、例えば半導体基板
を保持する基板保持部22と、基板保持部22を着脱可
能に支持する支持部23とから成る。
耗部品の経費削減を図る。 【解決手段】 半導体成長装置に用いる半導体加熱保持
のためのいわゆる半導体成長用サセプタ21であって、
2分割以上の分割可能な構造を有し、例えば半導体基板
を保持する基板保持部22と、基板保持部22を着脱可
能に支持する支持部23とから成る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体成長
装置等の半導体成長装置に用いる基板加熱保持するため
のサセプタ、いわゆる半導体成長用サセプタに関する。
装置等の半導体成長装置に用いる基板加熱保持するため
のサセプタ、いわゆる半導体成長用サセプタに関する。
【0002】
【従来の技術】ガス原料を用いる半導体成長装置、例え
ば化合物半導体成長装置においては、供給されたガス原
料が加熱されたサセプタの熱により熱分解し、その分解
生成種がサセプタ上に加熱保持された半導体基板に達し
て成長が開始される。
ば化合物半導体成長装置においては、供給されたガス原
料が加熱されたサセプタの熱により熱分解し、その分解
生成種がサセプタ上に加熱保持された半導体基板に達し
て成長が開始される。
【0003】加熱方法としては、高周波誘導加熱、ヒー
タ加熱等の方法が考えられるが、いずれにせよサセプタ
の材質は、熱の均一性を保つ上で熱伝導率の良いものが
一般的に用いられる。
タ加熱等の方法が考えられるが、いずれにせよサセプタ
の材質は、熱の均一性を保つ上で熱伝導率の良いものが
一般的に用いられる。
【0004】例えば高純度カーボン材料は、高周波加熱
でそれ自体が加熱されることもあり、高周波加熱用のサ
セプタとして広く用いられており、熱伝導率が高いこと
からヒータ加熱用のサセプタとしても同様に用いられて
いる。
でそれ自体が加熱されることもあり、高周波加熱用のサ
セプタとして広く用いられており、熱伝導率が高いこと
からヒータ加熱用のサセプタとしても同様に用いられて
いる。
【0005】サセプタにおいて、半導体成長の際には、
当然の事ながら原料が供給されている面においては、半
導体基板と同様に、熱分解した原料が供給されることか
ら、多結晶の析出物を生じる。結晶成長の回数を重ねる
に従って、この析出物は、半導体基板が保持されている
部分の回りで厚みの分布を生じ、均一なガス流を乱し膜
厚分布を生じるパージされにくい部分が増加し、結晶の
純度に悪影響を与える等の原因になり得る。
当然の事ながら原料が供給されている面においては、半
導体基板と同様に、熱分解した原料が供給されることか
ら、多結晶の析出物を生じる。結晶成長の回数を重ねる
に従って、この析出物は、半導体基板が保持されている
部分の回りで厚みの分布を生じ、均一なガス流を乱し膜
厚分布を生じるパージされにくい部分が増加し、結晶の
純度に悪影響を与える等の原因になり得る。
【0006】従って、サセプタとしては、定期的に新品
に交換するか、析出物を除去するためのエッチング処理
を必要とするが、エッチングのためには更に専用の装置
が必要となり、経費負担が大きくなる。
に交換するか、析出物を除去するためのエッチング処理
を必要とするが、エッチングのためには更に専用の装置
が必要となり、経費負担が大きくなる。
【0007】図6は、常圧の化合物半導体成長装置の一
例を示す概略図である。
例を示す概略図である。
【0008】図6において、1は化合物半導体成長装置
の全体を示し、2はその反応管、3は半導体基板4を保
持するサセプタである。サセプタ3は回転可能なサセプ
タホルダー5に保持されている。6はサセプタ3を加熱
する高周波加熱手段を示す。結晶成長時には、原料ガス
供給口7より原料ガス8が反応管2内に供給されると共
に、サセプタホルダー5と共にサセプタ3が回転され、
半導体基板4の表面に均一に結晶成長が行われる。9は
ガス排出口である。
の全体を示し、2はその反応管、3は半導体基板4を保
持するサセプタである。サセプタ3は回転可能なサセプ
タホルダー5に保持されている。6はサセプタ3を加熱
する高周波加熱手段を示す。結晶成長時には、原料ガス
供給口7より原料ガス8が反応管2内に供給されると共
に、サセプタホルダー5と共にサセプタ3が回転され、
半導体基板4の表面に均一に結晶成長が行われる。9は
ガス排出口である。
【0009】この装置1では、図7に示すように、成長
の回数を重ねるに従って、サセプタ3の表面周辺部分に
多結晶の析出物10が付着され、サセプタ表面の平坦度
が低下する。
の回数を重ねるに従って、サセプタ3の表面周辺部分に
多結晶の析出物10が付着され、サセプタ表面の平坦度
が低下する。
【0010】本発明は、上述の点に鑑み、サセプタとし
ての消費部品の経費削減を可能にした半導体成長用サセ
プタを提供するものである。
ての消費部品の経費削減を可能にした半導体成長用サセ
プタを提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係るサセプタ
は、2分割以上に分割可能な構造を有して成るものであ
る。
は、2分割以上に分割可能な構造を有して成るものであ
る。
【0012】このサセプタによれば、2分割以上に分割
可能に構成されているので、結晶成長の回数を重ねるこ
とによってサセプタ表面に析出物が生じた場合、サセプ
タ全体を交換する必要はなく、その析出物が生じた表面
部分のみの交換で済む。
可能に構成されているので、結晶成長の回数を重ねるこ
とによってサセプタ表面に析出物が生じた場合、サセプ
タ全体を交換する必要はなく、その析出物が生じた表面
部分のみの交換で済む。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体成長装置に用い
る半導体加熱保持のためのサセプタ、いわゆる半導体成
長用サセプタであって、2分割以上に分割可能な構造を
有して成る。本発明は、上記半導体成長用サセプタにお
いて、半導体基板を保持する基板保持部材と、この基板
保持部材を着脱可能に支持する支持部材とから成る。
る半導体加熱保持のためのサセプタ、いわゆる半導体成
長用サセプタであって、2分割以上に分割可能な構造を
有して成る。本発明は、上記半導体成長用サセプタにお
いて、半導体基板を保持する基板保持部材と、この基板
保持部材を着脱可能に支持する支持部材とから成る。
【0014】本発明は、上記半導体成長用サセプタにお
いて、半導体基板を保持する回転可能な基板保持部材
と、ガス流を滑らかに導く上面部材と、基板保持部材及
び上面部材を夫々着脱可能に支持する支持部材とから成
る。
いて、半導体基板を保持する回転可能な基板保持部材
と、ガス流を滑らかに導く上面部材と、基板保持部材及
び上面部材を夫々着脱可能に支持する支持部材とから成
る。
【0015】以下、図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【0016】図1及び図2は、本発明のサセプタの一実
施例を示す。
施例を示す。
【0017】本例のサセプタ21は、例えば高純度カー
ボンからなり、図1に示すように、使用時の状態では円
柱状を成している。このサセプタ21は、図2に示すよ
うに、少なくとも2つの部分に分割可能に構成される。
即ち、結晶成長すべき半導体基板を保持する比較的に厚
みの薄い円盤状の上面部すなわち基板保持部22と、こ
の基板保持部22と直径が等しく基板保持部22を着脱
自在に支持する円柱状の支持部23とによって、サセプ
タ21が構成される。
ボンからなり、図1に示すように、使用時の状態では円
柱状を成している。このサセプタ21は、図2に示すよ
うに、少なくとも2つの部分に分割可能に構成される。
即ち、結晶成長すべき半導体基板を保持する比較的に厚
みの薄い円盤状の上面部すなわち基板保持部22と、こ
の基板保持部22と直径が等しく基板保持部22を着脱
自在に支持する円柱状の支持部23とによって、サセプ
タ21が構成される。
【0018】この場合、一方の基板保持部22の下面中
心部に凸部24が一体に設けられ、他方の支持部23の
上面中心部に突起24と係合する係合凹部25が設けら
れる。これら凸部24と係合凹部25が係合することに
より、支持部23と基板保持部22が一体化され、凸部
24と係合凹部25との係合が外れることによって、支
持部23と基板保持部22は互に分離される。
心部に凸部24が一体に設けられ、他方の支持部23の
上面中心部に突起24と係合する係合凹部25が設けら
れる。これら凸部24と係合凹部25が係合することに
より、支持部23と基板保持部22が一体化され、凸部
24と係合凹部25との係合が外れることによって、支
持部23と基板保持部22は互に分離される。
【0019】ここで、基板保持部22は、支持部23に
一体化された状態で、基板保持部22の上面22aと支
持部23の下面23bとは互に平行である。即ち、保持
部22は、支持部23の下面23bに平行な面により基
板支持部23に対して分割可能とされる。
一体化された状態で、基板保持部22の上面22aと支
持部23の下面23bとは互に平行である。即ち、保持
部22は、支持部23の下面23bに平行な面により基
板支持部23に対して分割可能とされる。
【0020】基板保持部22の厚みt1 は例えば5mm
程度、支持部23の厚みt2 は例えば20mm程度とす
る。
程度、支持部23の厚みt2 は例えば20mm程度とす
る。
【0021】基板保持部22の上面22aの直径は、円
形の半導体基板の直径より大きいか、若しくは矩形の半
導体基板の対角線より大きい寸法に設定される。
形の半導体基板の直径より大きいか、若しくは矩形の半
導体基板の対角線より大きい寸法に設定される。
【0022】また、図3に示すように、基板保持部22
の上面22aには、使用する半導体基板27の大きさと
厚さに合わせて、例えば500μm深さの削り加工によ
る凹状受け部28を設け、この凹状受け部28内に半導
体基板27を配置できるように構成することもできる。
の上面22aには、使用する半導体基板27の大きさと
厚さに合わせて、例えば500μm深さの削り加工によ
る凹状受け部28を設け、この凹状受け部28内に半導
体基板27を配置できるように構成することもできる。
【0023】また、図示せざるも、この円柱状のサセプ
タ21は、例えば石英製の受け皿、即ちサセプタホルダ
ーにより保持されて、このサセプタホルダーを回転させ
ることによりサセプタ21も回転可能となる等の回転機
構を有していることが実用上望ましい。
タ21は、例えば石英製の受け皿、即ちサセプタホルダ
ーにより保持されて、このサセプタホルダーを回転させ
ることによりサセプタ21も回転可能となる等の回転機
構を有していることが実用上望ましい。
【0024】尚、上例では、基板保持部22と支持部2
3の中心部に夫々1組の凸部24及び係合凹部25を設
けたが、この組み合わせ方法に特定されるものではな
い。
3の中心部に夫々1組の凸部24及び係合凹部25を設
けたが、この組み合わせ方法に特定されるものではな
い。
【0025】また、上例では、全体として円柱状を有す
る構成としたが、完全な円柱を意味するものでなく、図
3に示すように、半導体基板27の設置用の凹状受け部
28等、何らかの加工がされてあってもよい。
る構成としたが、完全な円柱を意味するものでなく、図
3に示すように、半導体基板27の設置用の凹状受け部
28等、何らかの加工がされてあってもよい。
【0026】かかるサセプタ21は、例えば前述の図6
に示すような常圧の化合物半導体成長装置等に適用する
ことができる。
に示すような常圧の化合物半導体成長装置等に適用する
ことができる。
【0027】上述のサセプタ21によれば、結晶成長を
重ね、基板保持部22の上面に相当量の多結晶の堆積物
が付着した場合に、サセプタ21の全体を交換する必要
はなく、ただ基板保持部22のみを交換することによ
り、従来のサセプタ全体を新しく交換したと同様の効果
が得られる。
重ね、基板保持部22の上面に相当量の多結晶の堆積物
が付着した場合に、サセプタ21の全体を交換する必要
はなく、ただ基板保持部22のみを交換することによ
り、従来のサセプタ全体を新しく交換したと同様の効果
が得られる。
【0028】図4及び図5は、本発明のサセプタの他の
実施例を示す。
実施例を示す。
【0029】本例のサセプタ31は、例えば高純度カー
ボンからなり、図4に示すように、使用時の状態では直
方体状を成している。このサセプタ31は、図5に示す
ように、少なくとも3つの部分に分割可能に構成され
る。即ち、結晶成長すべき半導体基板を保持する回転可
能な基板保持部32と、ガス流を滑らかに導くための平
坦な表面を有する上面部33と、基板保持部32を回転
するための回転機構を内蔵して基板保持部32及び上面
部33を夫々着脱自在に支持する支持部34とによっ
て、サセプタ31が構成される。
ボンからなり、図4に示すように、使用時の状態では直
方体状を成している。このサセプタ31は、図5に示す
ように、少なくとも3つの部分に分割可能に構成され
る。即ち、結晶成長すべき半導体基板を保持する回転可
能な基板保持部32と、ガス流を滑らかに導くための平
坦な表面を有する上面部33と、基板保持部32を回転
するための回転機構を内蔵して基板保持部32及び上面
部33を夫々着脱自在に支持する支持部34とによっ
て、サセプタ31が構成される。
【0030】上面部33は、基板保持部32が挿入され
る開口35が設けられる。上面部33及び基板保持部3
2が支持部34上に装着され、一体化された状態では、
上面部33の開口35に基板支持部32が挿入され、上
面部33の上面33aと基板保持部32の上面32aと
は同一面上に有するようになされる。
る開口35が設けられる。上面部33及び基板保持部3
2が支持部34上に装着され、一体化された状態では、
上面部33の開口35に基板支持部32が挿入され、上
面部33の上面33aと基板保持部32の上面32aと
は同一面上に有するようになされる。
【0031】基板保持部32の下面中心部には凸部状の
回転軸37が一体に設けられ、また支持部34には、こ
の回転軸37が回転可能に挿入される係合凹部38が設
けられる。従って、回転軸37及びその係合凹部38の
形状は、例えば横断面円形状をなして回転可能な形状で
ある必要があり、径の精度、研磨加工も滑らかな回転に
耐えられるものが望ましい。
回転軸37が一体に設けられ、また支持部34には、こ
の回転軸37が回転可能に挿入される係合凹部38が設
けられる。従って、回転軸37及びその係合凹部38の
形状は、例えば横断面円形状をなして回転可能な形状で
ある必要があり、径の精度、研磨加工も滑らかな回転に
耐えられるものが望ましい。
【0032】一方、上面部33の下面には凸部39が一
体に設けられ、この凸部39に係合する係合凹部40が
支持部34側に設けられる。これら凸部39及び係合凹
部40が係合することにより支持部34と上面部33が
一体化される。
体に設けられ、この凸部39に係合する係合凹部40が
支持部34側に設けられる。これら凸部39及び係合凹
部40が係合することにより支持部34と上面部33が
一体化される。
【0033】この凸部39と係合凹部40は固定のため
であるので、横断面円形である必要はない。なお、この
実施例においては凸部39及び係合凹部40を2ヵ所設
けているが、この例に制限されるものではない。
であるので、横断面円形である必要はない。なお、この
実施例においては凸部39及び係合凹部40を2ヵ所設
けているが、この例に制限されるものではない。
【0034】上面部33及び基板保持部32の厚み
t3 ,t4 は、夫々例えは5mm程度、支持部34の厚
みt5 は例えば20mm程度とすることができる。
t3 ,t4 は、夫々例えは5mm程度、支持部34の厚
みt5 は例えば20mm程度とすることができる。
【0035】図示しないが、基板保持部32に回転力を
伝搬する回転機構は、例えば支持部34内に組み込まれ
ているものとする。従って、基板保持部32の形状は単
純な円盤状ではなく、円盤状を基本とした種々の変形が
考えられる。また、支持部34は、単純な直方体ではな
く、回転機構を内に含むための種々の加工が必要とな
る。
伝搬する回転機構は、例えば支持部34内に組み込まれ
ているものとする。従って、基板保持部32の形状は単
純な円盤状ではなく、円盤状を基本とした種々の変形が
考えられる。また、支持部34は、単純な直方体ではな
く、回転機構を内に含むための種々の加工が必要とな
る。
【0036】これに対して上面部33は、比較的単純な
加工で形成することができる。
加工で形成することができる。
【0037】基板保持部32は、前述と同様にその上面
の直径が円形の半導体基板の直径より大きいか、若しく
は矩形の半導体基板の対角線より大きい寸法に設定され
る。なお、図示しないが、前述と同様に基板保持部32
の上面には使用する半導体基板の大きさと厚みに合わせ
て例えば500μmの深さの削り加工による凹状受け部
を設け、この凹状受け部内に半導体基板を配置できるよ
うに構成することができる。
の直径が円形の半導体基板の直径より大きいか、若しく
は矩形の半導体基板の対角線より大きい寸法に設定され
る。なお、図示しないが、前述と同様に基板保持部32
の上面には使用する半導体基板の大きさと厚みに合わせ
て例えば500μmの深さの削り加工による凹状受け部
を設け、この凹状受け部内に半導体基板を配置できるよ
うに構成することができる。
【0038】上述のサセプタ31によれば、結晶成長を
重ね、上面部33の上面に相当量の多結晶の堆積物が付
着した場合にも、回転する基板保持部32は半導体基板
が設置されているために全面的に多結晶が堆積すること
はない。従って、この場合に、上面部33のみを交換す
ることにより、従来のサセプタ全体を新しく交換した効
果にかなり近い効果が得られる。このサセプタ31は、
例えば減圧の化合物半導体成長装置等に適用することが
できる。
重ね、上面部33の上面に相当量の多結晶の堆積物が付
着した場合にも、回転する基板保持部32は半導体基板
が設置されているために全面的に多結晶が堆積すること
はない。従って、この場合に、上面部33のみを交換す
ることにより、従来のサセプタ全体を新しく交換した効
果にかなり近い効果が得られる。このサセプタ31は、
例えば減圧の化合物半導体成長装置等に適用することが
できる。
【0039】上述の各実施例のサセプタ21,31にお
いては、半導体結晶成長することにより、サセプタ表面
に多結晶の析出物が生じ、成長回数を重ねるに従って表
面の平坦度が著しく低下した際、サセプタ全体を交換す
る必要が無く、堆積が小さく、簡単な加工ですみ、比較
的安価な基板保持部22又は上面部33だけの交換です
む。従ってサセプタとしての消耗部品の経費削減が可能
となり大きな経済効果が得られる。
いては、半導体結晶成長することにより、サセプタ表面
に多結晶の析出物が生じ、成長回数を重ねるに従って表
面の平坦度が著しく低下した際、サセプタ全体を交換す
る必要が無く、堆積が小さく、簡単な加工ですみ、比較
的安価な基板保持部22又は上面部33だけの交換です
む。従ってサセプタとしての消耗部品の経費削減が可能
となり大きな経済効果が得られる。
【0040】また、サセプタの再生エッチングのための
装置を用意する必要がなくなる。サセプタとして種々の
形状の設計変更等にも比較的簡単に対応可能である。
装置を用意する必要がなくなる。サセプタとして種々の
形状の設計変更等にも比較的簡単に対応可能である。
【0041】
【発明の効果】本発明に係るサセプタによれば、結晶成
長の回数を重ねることにより、サセプタの表面に相当量
の多結晶の析出物が付着し、表面の平坦度が著しく低下
した際には、サセプタ全体を交換する必要がなく、析出
物が付着した表面部分のみの交換ですむため、サセプタ
としての消耗部品の経費削減の経済効果を得ることがで
きる。
長の回数を重ねることにより、サセプタの表面に相当量
の多結晶の析出物が付着し、表面の平坦度が著しく低下
した際には、サセプタ全体を交換する必要がなく、析出
物が付着した表面部分のみの交換ですむため、サセプタ
としての消耗部品の経費削減の経済効果を得ることがで
きる。
【0042】また、サセプタの再生エッチングのための
装置を用意する必要がなくなる。
装置を用意する必要がなくなる。
【0043】さらに、サセプタとして種々の形状の設計
変更等にも比較的簡単に対応することができる。
変更等にも比較的簡単に対応することができる。
【図1】本発明に係る半導体成長用サセプタの一例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図2】図1の半導体成長用サセプタの分解図である。
【図3】本発明に係る半導体成長用サセプタの他の例の
要部の断面図である。
要部の断面図である。
【図4】本発明に係る半導体成長用サセプタの他の例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図5】図4の半導体成長用サセプタの分解図である。
【図6】化合物半導体成長装置の概略図である。
【図7】問題点の説明に供する要部の断面図である。
1 化合物半導体成長装置、2 反応管、3 サセプ
タ、4 半導体基板、5サセプタホルダー、6 高周波
加熱手段、21 サセプタ、22,32 基板保持部、
23,34 支持部、27 半導体基板、33 上面
部、24,39 凸部、25,38,40 係合凹部、
37 回転軸
タ、4 半導体基板、5サセプタホルダー、6 高周波
加熱手段、21 サセプタ、22,32 基板保持部、
23,34 支持部、27 半導体基板、33 上面
部、24,39 凸部、25,38,40 係合凹部、
37 回転軸
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体成長装置に用いる半導体加熱保持
のためのサセプタであって、 2分割以上に分割可能な構造を有して成ることを特徴と
する半導体成長用サセプタ。 - 【請求項2】 半導体基板を保持する基板保持部材と、 該基板保持部材を着脱可能に支持する支持部材とから成
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体成長用サセ
プタ。 - 【請求項3】 半導体基板を保持する回転可能な基板保
持部材と、 ガス流を滑らかに導く上面部材と、 前記基板保持部材及び前記上面部材を夫々着脱可能に支
持する支持部材とから成ることを特徴とする請求項1に
記載の半導体成長用サセプタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24654996A JPH1092913A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24654996A JPH1092913A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体成長用サセプタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092913A true JPH1092913A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17150074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24654996A Pending JPH1092913A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体成長用サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1092913A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000024044A1 (fr) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Applied Materials, Inc. | Support de plaquette de systeme de fabrication de semiconducteurs |
JP2014022732A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 気相成長用反応装置 |
US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
CN113084680A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-07-09 | 株式会社迪思科 | 保持工作台 |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24654996A patent/JPH1092913A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000024044A1 (fr) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Applied Materials, Inc. | Support de plaquette de systeme de fabrication de semiconducteurs |
JP2014022732A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Shogen Koden Kofun Yugenkoshi | 気相成長用反応装置 |
US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
CN113084680A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-07-09 | 株式会社迪思科 | 保持工作台 |
CN113084680B (zh) * | 2019-12-19 | 2024-03-12 | 株式会社迪思科 | 保持工作台 |
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