JPH1092784A - Wafer treatment equipment and wafer treatment method - Google Patents
Wafer treatment equipment and wafer treatment methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ処理装置
およびウェーハ処理方法に関し、より詳しくは、半導体
装置等の製造における、ウェーハ洗浄工程や、各種の液
体を用いた処理工程において使用されるウェーハ処理装
置およびウェーハ処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing apparatus and a wafer processing method, and more particularly, to wafer processing used in a wafer cleaning step or a processing step using various liquids in the manufacture of semiconductor devices and the like. The present invention relates to an apparatus and a wafer processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造に際し、ウェーハを各
種の液体で処理する工程は頻繁に設けられ、重要な位置
をしめる。ここでは、その一例として、ウェーハ洗浄工
程について説明する。ウェーハを洗浄する方法として
は、従来は、ディップ法やスピンナを用いる方法が採ら
れてきた。以下に図面を参照しつつ、従来の技術を説明
する。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a process for treating a wafer with various liquids is frequently provided, and places an important position. Here, a wafer cleaning step will be described as an example. As a method of cleaning a wafer, a dip method or a method using a spinner has conventionally been adopted. The conventional technique will be described below with reference to the drawings.
【０００３】図９は、従来のディップ法を説明する模式
図である。ディップ法とは、処理液が満たされた処理槽
にウェーハを浸す方法であり、半導体ウェーハの洗浄工
程で最も多く用いられている方法である。キャリア５１
には、通常、複数枚のウェーハ４が収容されている。ウ
ェーハ４は、搬送用の爪により端部をつかまれ、搬送経
路５４に沿って、処理槽５２の上まで搬送される。また
は、キャリア５１ごと搬送され、バッチ処理、すなわ
ち、複数枚のウェーハが同時に処理される場合もある。
処理槽５２は、洗浄用の処理液５０で満たされ、オーバ
ーフロー状態で待機している。その中に先程のウェーハ
４または、キャリア５１がゆっくりと浸され、洗浄処理
が開始される。洗浄処理されている間も処理液５０はオ
ーバーフローしており、洗浄後の汚れた処理液は、処理
槽５２の上部から捨てられる。処理液５０による処理が
終わると、処理槽５２は純水によって置換され、ウェー
ハ表面に残った処理液が洗い流される。純水によるリン
スが終了したウェーハ４は、乾燥させるためにスピンド
ライヤー５３に搬送される。スピンドライヤ５３では、
ウェーハは、高速回転され、ウェーハ表面の水分が遠心
力により、ウェーハ上から除去されることにより、ウェ
ーハが乾燥される。乾燥後は、ウェーハ４は、キャリア
５１に戻され次の工程に払い出される。FIG. 9 is a schematic diagram for explaining a conventional dip method. The dip method is a method in which a wafer is immersed in a processing bath filled with a processing liquid, and is the method most frequently used in a semiconductor wafer cleaning process. Carrier 51
Usually contains a plurality of wafers 4. The wafer 4 is gripped at the end by a transfer claw, and transferred along the transfer path 54 to a position above the processing tank 52. Alternatively, there is a case where the wafer is transported together with the carrier 51 and batch processing is performed, that is, a plurality of wafers are simultaneously processed.
The processing tank 52 is filled with the processing liquid 50 for cleaning and is waiting in an overflow state. The wafer 4 or the carrier 51 is slowly immersed therein, and the cleaning process is started. During the cleaning process, the processing liquid 50 overflows, and the dirty processing liquid after the cleaning is discarded from the upper portion of the processing tank 52. When the processing with the processing liquid 50 is completed, the processing tank 52 is replaced with pure water, and the processing liquid remaining on the wafer surface is washed away. The wafer 4 rinsed with pure water is conveyed to the spin dryer 53 for drying. In the spin dryer 53,
The wafer is rotated at a high speed, and moisture on the wafer surface is removed from the wafer by centrifugal force to dry the wafer. After the drying, the wafer 4 is returned to the carrier 51 and discharged to the next step.
【０００４】以上説明したディップ法は、処理槽と搬送
系のみにより構成されるため機構が簡単であり、また、
複数枚のウェーハを一度に処理する、いわゆるバッチ処
理が可能であるというメリットを有する。The dip method described above has a simple mechanism because it is constituted only by a processing tank and a transfer system.
There is an advantage that so-called batch processing, in which a plurality of wafers are processed at once, is possible.
【０００５】次に、図１０は、スピン式のウェーハ洗浄
装置の一例を示す模式図である。図示したようなスピン
式のウェーハ洗浄装置は、通常、スピンナと称される。
スピンナ６０は、モータ６５により回転するチャック６
６を有する。回転するチャック上には複数本の爪６７が
有り、爪６７の端部でウェーハ４をつかみ固定できるよ
うになっている。また、ノズル６８は、その支柱６９を
中心として移動できるようにしてあり、ウェーハ４の着
脱時や処理液の滴下時に随時移動できる。ウェーハ４
は、爪６７により固定されたまま、チャック６６ととも
に回転し、その上からノズル６８を介して処理液が滴下
されることにより、洗浄が行われる。また、洗浄処理中
に処理液が装置の外に飛散しないように、ウェーハ４の
周囲は、カップ７０により囲まれている。FIG. 10 is a schematic view showing an example of a spin type wafer cleaning apparatus. The spin-type wafer cleaning apparatus as illustrated is generally called a spinner.
The spinner 60 includes a chuck 6 rotated by a motor 65.
6. A plurality of claws 67 are provided on the rotating chuck, and the end of the claws 67 can grip and fix the wafer 4. Further, the nozzle 68 can be moved around the support 69, and can be moved at any time when the wafer 4 is attached / detached or when the treatment liquid is dropped. Wafer 4
The nozzle is rotated together with the chuck 66 while being fixed by the claws 67, and the processing liquid is dripped from above via the nozzle 68, thereby performing cleaning. Further, the periphery of the wafer 4 is surrounded by a cup 70 so that the processing liquid does not scatter outside the apparatus during the cleaning processing.
【０００６】以上説明したようなスピンナでは、ウェー
ハ一枚毎に洗浄を行うため、他のウェーハからの汚染物
質による汚染を受けることがないというメリットがあ
る。またウェーハの洗浄から乾燥までの工程を１つの装
置で完了できるために設備の専有面積の縮小を図ること
ができる。In the spinner described above, since cleaning is performed for each wafer, there is an advantage that contamination by contaminants from other wafers is prevented. Further, since the process from cleaning to drying of the wafer can be completed by one apparatus, the occupied area of the equipment can be reduced.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
技術のうち、図９に示されたようなディップ法では、処
理槽５２において、処理液５０をオーバーフローさせて
も、ウェーハから遊離した汚染物質（金属イオンや有機
物質、ごみ等）が処理液中に浮遊していることがある。
これらの汚染物質は、せっかく洗浄したウェーハ表面に
再付着することがあり、逆汚染が生ずるという問題を有
する。また、ディップ法においては、処理液の使用量が
膨大であり、洗浄工程のコストが高くなるという問題も
ある。However, among the above-mentioned prior arts, in the dip method as shown in FIG. 9, even if the processing liquid 50 overflows in the processing tank 52, the contaminants liberated from the wafer are removed. (Metal ions, organic substances, refuse, etc.) may be suspended in the processing liquid.
These contaminants can redeposit on the cleaned wafer surface, causing a problem of reverse contamination. Further, in the dipping method, there is a problem that the amount of the processing solution used is enormous, and the cost of the cleaning step is increased.
【０００８】一方、図１０に示されたようなスピンナで
は、処理液がウェーハ一枚毎に必要となるために、ディ
ップ法よりもさらに処理液の使用量が多いという問題が
ある。また、ウェーハの回転により周囲に飛散した処理
液等がカップ内壁などに当たって跳ね返り、ウェーハを
再汚染してしまう可能性もある。さらに、ノズルから滴
下した処理液を遠心力を用いてウェーハ上で均一に供給
するためには、ウェーハを高速で回転させる必要があ
る。従って、回転機構やウェーハチャック機構が複雑化
し、装置のコストが高くなるとともに保守管理も煩雑に
なるという問題があった。On the other hand, the spinner as shown in FIG. 10 has a problem that the processing liquid is used for each wafer, so that the amount of the processing liquid used is larger than in the dipping method. In addition, there is a possibility that the processing liquid or the like scattered around the wafer due to the rotation of the wafer may hit the inner wall of the cup and rebound to re-contaminate the wafer. Furthermore, in order to uniformly supply the processing liquid dropped from the nozzle on the wafer using centrifugal force, it is necessary to rotate the wafer at a high speed. Therefore, there has been a problem that the rotation mechanism and the wafer chuck mechanism are complicated, the cost of the apparatus is increased, and the maintenance management is complicated.
【０００９】本発明は、これらの点に鑑みてなされたも
のである。即ち、本発明による処理装置は、処理液の使
用量を削減できる。また、本発明による処理装置は、ウ
ェーハの回転を低速化することができるために、回転機
構部の小型化が可能となり、かつ、処理液を周囲に飛散
させず、周囲からの跳ね返りによる再汚染を防ぐことが
できる。The present invention has been made in view of these points. That is, the processing apparatus according to the present invention can reduce the amount of processing liquid used. In addition, the processing apparatus according to the present invention can reduce the rotation of the wafer because the rotation speed of the wafer can be reduced, and does not scatter the processing liquid to the surroundings. Can be prevented.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ処理装
置は、ウェーハを載せるウェーハチャックと、先端に少
なくとも、処理液を供給する処理液供給系に接続された
独立の第１の開口と、廃液を吸引する廃液吸引系に接続
された独立の第２の開口とを有するノズル体と、前記第
１の開口を介して前記ウェーハ上に処理液を供給する処
理液供給装置と、前記処理液によってウェーハ表面を処
理した後に得られる廃液を、前記第２の開口を介して吸
引除去する廃液吸引装置と、前記第１の開口に膨らんだ
状態で形成された処理液のみが前記ウェーハ表面に接
し、かつ、前記ノズル体は前記ウェーハと接触しない間
隔をもって、ノズル体とウェーハを相対的に移動させる
移動装置と、を備えるものとして構成される。According to the present invention, there is provided a wafer processing apparatus comprising: a wafer chuck on which a wafer is placed; an independent first opening connected to at least a processing liquid supply system for supplying a processing liquid; A nozzle body having an independent second opening connected to a waste liquid suction system for sucking a processing liquid, a processing liquid supply device for supplying a processing liquid onto the wafer via the first opening, and a processing liquid Waste liquid obtained after processing the wafer surface, a waste liquid suction device that sucks and removes through the second opening, and only the processing liquid formed in a state of being swollen in the first opening contacts the wafer surface, Further, the nozzle body is configured to include a moving device that relatively moves the nozzle body and the wafer at an interval that does not make contact with the wafer.
【００１１】また、本発明のウェーハ処理方法は、処理
液を供給する処理液供給系に接続された第１の独立した
開口と、廃液を吸引する廃液吸引系に接続された第２の
独立した開口を有する、ノズル体を用い、前記第１の開
口部に形成される前記処理液の液滴のみがウェーハに接
触し、且つ、前記ノズル体が前記ウェーハに接触しない
位置まで、前記ノズル体を前記ウェーハに接近させるこ
とにより、前記処理液で前記ウェーハを処理し、この処
理によって得られる廃液を、前記ノズル体の第２の開口
内を減圧状態にして前記第２の開口を介して吸引し、こ
の処理と廃液吸引を行いながら前記ノズル体と前記ウェ
ーハを相対的に移動させることにより、ウェーハ表面を
処理液で処理するものとして、構成される。Further, in the wafer processing method according to the present invention, the first independent opening connected to the processing liquid supply system for supplying the processing liquid and the second independent opening connected to the waste liquid suction system for sucking the waste liquid. Using a nozzle body having an opening, the nozzle body is moved to a position where only the droplets of the processing liquid formed in the first opening contact the wafer and the nozzle body does not contact the wafer. By approaching the wafer, the wafer is treated with the treatment liquid, and the waste liquid obtained by this treatment is suctioned through the second opening while the pressure inside the second opening of the nozzle body is reduced. By relatively moving the nozzle body and the wafer while performing this processing and waste liquid suction, the wafer surface is processed with the processing liquid.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１（ａ）は、本発明によるウェーハ処理
装置の構成を表す説明図である。本発明によるウェーハ
処理装置は、従来のスピンナと類似した部分を有する。
即ち、モータ１により、ベルト１６を介して回転するウ
ェーハチャック２を有する。回転するウェーハチャック
上には複数本の爪３が有り、爪の端部でウェーハ４をつ
かみ固定できるようになっている。また、ノズル体５
は、モータ６により、ベルト１５を介して、支柱７を中
心として移動できるようにしてあり、ウェーハ４の着脱
時や処理液の滴下時に随時移動できる。FIG. 1A is an explanatory diagram showing a configuration of a wafer processing apparatus according to the present invention. The wafer processing apparatus according to the present invention has a portion similar to a conventional spinner.
That is, the wafer chuck 2 is rotated by the motor 1 via the belt 16. A plurality of claws 3 are provided on the rotating wafer chuck, and the wafer 4 can be gripped and fixed at the ends of the claws. In addition, the nozzle body 5
Can be moved by the motor 6 around the support column 7 via the belt 15, and can be moved at any time when the wafer 4 is attached or detached or when the treatment liquid is dropped.
【００１４】本発明による処理装置の第１の特徴は、処
理液を滴下するノズル体５にある。本発明による処理装
置のノズル体５の断面図を図１（ｂ）に示す。同図に示
されるように、ノズル体５は、ノズル８を囲むようにほ
ぼ同心円状に配置された外側の配管９を有し、いわゆる
２重配管になっている。そして、ノズルの先端部には、
内側の開口１０が設けられ、外側の配管９の先端とノズ
ル８の先端の間には、外側の開口１１が設けられてい
る。その各部のサイズは、使用する処理液の種類や処理
速度等のパラメータにより最適値が決定される。例え
ば、シリコンウェーハをフッ酸で処理する場合に、ノズ
ル体を構成する外側の配管９の内径を直径７ｍｍ、内側
のノズル８の内径を直径４ｍｍとすることができる。ま
た、内側のノズル８の先端は、外側の配管９の先端と、
同一レベルか、それよりやや突出している。処理液は、
処理液供給装置１４によりノズル体５の内側の開口１０
を介してウェーハ表面に供給される。その流量として
は、例えば、毎分１０ｃｃ以下でよい。また、内側のノ
ズル８を取り囲む外側の開口１１内は、常に減圧状態と
なっている。その圧力としては、例えば、４００ｍｍＨ
ｇ以下の減圧状態が望ましい。このノズル体５の先端は
洗浄処理を行う際にはウェーハ表面の非常に近傍まで接
近し、処理液の表面張力により二重配管の内側の開口部
１０に形成される液滴がウェーハ４に接触する程度まで
接近する。ただし、ノズル体自体はウェーハ４とは接触
しない。内側のノズル８の先端とウェーハ４の間隔は、
通常５ｍｍ以下とされ、多くの場合に１〜２ｍｍの間隔
をもって、処理が行われる。A first feature of the processing apparatus according to the present invention resides in a nozzle body 5 for dropping a processing liquid. FIG. 1B is a sectional view of the nozzle body 5 of the processing apparatus according to the present invention. As shown in the drawing, the nozzle body 5 has an outer pipe 9 which is arranged substantially concentrically so as to surround the nozzle 8, and is a so-called double pipe. And at the tip of the nozzle,
An inner opening 10 is provided, and an outer opening 11 is provided between a tip of the outer pipe 9 and a tip of the nozzle 8. The optimal value of the size of each part is determined by parameters such as the type of processing liquid to be used and the processing speed. For example, when a silicon wafer is treated with hydrofluoric acid, the inner diameter of the outer pipe 9 constituting the nozzle body can be 7 mm in diameter, and the inner diameter of the inner nozzle 8 can be 4 mm in diameter. Further, the tip of the inner nozzle 8 is in contact with the tip of the outer pipe 9,
Same level or slightly more prominent. The processing solution is
The opening 10 inside the nozzle body 5 is supplied by the processing liquid supply device 14.
To the surface of the wafer. The flow rate may be, for example, 10 cc or less per minute. Further, the inside of the outer opening 11 surrounding the inner nozzle 8 is always in a reduced pressure state. As the pressure, for example, 400 mmH
g or less of a reduced pressure is desirable. The tip of the nozzle body 5 comes very close to the wafer surface when performing the cleaning process, and the droplet formed in the opening 10 inside the double pipe contacts the wafer 4 due to the surface tension of the processing solution. Approach to the extent that you do. However, the nozzle body itself does not contact the wafer 4. The distance between the tip of the inner nozzle 8 and the wafer 4 is
Usually, the processing is performed at an interval of 1 to 2 mm, which is set to 5 mm or less.
【００１５】外周をチャックの爪３でつかまれたウェー
ハ４は、モータ１で回転を与えられ低速で回転する。そ
こへ処理液供給用のノズル体５がウェーハ表面近傍まで
接近してくると、液滴となった処理液と接触し、接触し
たウェーハ部分が洗浄される。さらに、洗浄後の処理液
は、減圧状態となっている、外側の開口１１を介して、
吸引除去され、廃液ライン１２を通って、廃棄または、
循環処理が施される。ここで、図１（ｃ）に示すよう
に、ウェーハ４を回転させながら、ノズル体５を、ウェ
ーハ４の回転中心を通る曲線に沿って動かすと、螺旋状
にウェーハ全面を洗浄する事ができる。ウェーハ４は、
従来のスピンナのように、高速回転する必要がない。ま
た、ノズル体５を動かしている最中に処理液を供給し続
けていれば常に新鮮な処理液で洗浄ができる。その洗浄
に使用された処理液は従来はウェーハ上を流れていた
が、本発明による方法では、二重になった外側の開口１
１内が常に減圧状態のため、洗浄後の余分な処理液は、
ただちに、ノズル体５の外側の開口１１を介して吸引さ
れ、装置の廃液ライン１２を通って処分される。すなわ
ち、洗浄処理後の廃液がウェーハ上を流れ、再汚染する
ことがない。ウェーハ４の洗浄処理が終わったら図示し
ない別のノズル体から純水を供給し、リンスを行う。The wafer 4 whose outer periphery is gripped by the claws 3 of the chuck is rotated by the motor 1 and rotates at a low speed. When the processing liquid supply nozzle body 5 comes close to the vicinity of the wafer surface, the processing liquid supply nozzle body 5 comes into contact with the processing liquid in the form of droplets, and the contacted wafer portion is cleaned. Further, the processing liquid after the cleaning is reduced through the outer opening 11 in a reduced pressure state.
Aspirated and removed, through waste line 12, discarded or
A circulation process is performed. Here, as shown in FIG. 1C, when the nozzle body 5 is moved along a curve passing through the center of rotation of the wafer 4 while rotating the wafer 4, the entire surface of the wafer can be spirally cleaned. . Wafer 4 is
There is no need to rotate at high speed as in a conventional spinner. Further, if the processing liquid is continuously supplied while the nozzle body 5 is being moved, the cleaning can always be performed with a fresh processing liquid. Conventionally, the processing liquid used for the cleaning has flowed on the wafer, but in the method according to the present invention, the double outer opening 1 is used.
Since the inside of 1 is always under reduced pressure, excess processing solution after washing is
Immediately, it is sucked through the opening 11 outside the nozzle body 5 and disposed through the waste line 12 of the apparatus. That is, the waste liquid after the cleaning process does not flow on the wafer and does not re-contaminate. After the cleaning process of the wafer 4 is completed, pure water is supplied from another nozzle body (not shown) to perform rinsing.
【００１６】本発明による処理装置の第２の特徴は、廃
液ラインに設けられたモニタ１３にある。すなわち、図
１（ａ）において、廃液ライン１２の途中には、廃液中
のパーティクルを測定するパーティクルモニタや、濃度
を測定する濃度モニタ、不純物を測定する不純物モニタ
などのモニタ１３が接続される。そして、ウェーハ洗浄
後にノズル体から廃液ラインを介して得られる廃液の状
態を監視し、必要に応じて処理装置の制御のためにモニ
タ信号をフィードバックすることができる。例えば、パ
ーティクル数が１０／ｃｃ以下となったところでウェー
ハ洗浄を終了するように処理装置を制御することによ
り、バッチ式では出来ない、個々のウェーハ毎の最適な
洗浄処理を行うことが可能となる。また、処理液の濃度
とウェーハのエッチングレートとの関係を事前に調べて
おけば、廃液の濃度をモニタすることにより、測定され
た濃度に合わせてエッチング時間を制御することができ
る。A second feature of the processing apparatus according to the present invention resides in a monitor 13 provided in a waste liquid line. That is, in FIG. 1A, a monitor 13 such as a particle monitor for measuring particles in the waste liquid, a concentration monitor for measuring the concentration, and an impurity monitor for measuring impurities is connected in the middle of the waste liquid line 12. Then, the state of the waste liquid obtained from the nozzle body via the waste liquid line after the wafer cleaning can be monitored, and a monitor signal can be fed back as needed for controlling the processing apparatus. For example, by controlling the processing apparatus so as to end the wafer cleaning when the number of particles becomes 10 / cc or less, it becomes possible to perform an optimum cleaning process for each individual wafer, which cannot be performed by the batch method. . In addition, if the relationship between the concentration of the processing liquid and the etching rate of the wafer is checked in advance, the concentration of the waste liquid can be monitored to control the etching time in accordance with the measured concentration.
【００１７】次に、本発明によるウェーハ処理装置に用
いるノズル体の変形例について、図面を参照しつつ説明
する。図２は、本発明によるウェーハ処理装置に用いる
ノズル体の第２の例の縦断面図である。同図に示した例
では、ノズル体５ａは三重配管の構造を有する。最も内
側のノズル２０は処理液の供給に用いられる。その周囲
を囲む中間の配管２１は、ノズル２０との間の空間を減
圧状態にすることによって廃液を吸い込むために用いら
れる。また、最も外側の配管２２は、純水の供給に用い
られる。すなわち、ノズル体先端に設けられた開口のう
ちで、最も内側の開口２３を介して、処理液が供給され
る。また、最も外側に位置する開口２５を介して純水が
供給される。そして、中間に位置する開口２４を介し
て、処理済みの処理液と純水を吸引除去することができ
る。同図に示したノズル体５ａを、ウェーハ上で移動さ
せることにより、処理液による洗浄と純水によるリンス
を連続的に行うことが出来る。従って、洗浄処理に要す
る時間を大幅に短縮することができる。Next, a modified example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a second example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention. In the example shown in the figure, the nozzle body 5a has a triple pipe structure. The innermost nozzle 20 is used for supplying the processing liquid. An intermediate pipe 21 surrounding the periphery is used for sucking waste liquid by reducing the pressure between the nozzle 20 and the space. The outermost pipe 22 is used for supplying pure water. That is, the processing liquid is supplied through the innermost opening 23 among the openings provided at the tip of the nozzle body. Further, pure water is supplied through the opening 25 located on the outermost side. Then, the processed processing liquid and pure water can be removed by suction through the opening 24 located at the middle. By moving the nozzle body 5a shown in the figure on the wafer, the cleaning with the processing liquid and the rinsing with pure water can be continuously performed. Therefore, the time required for the cleaning process can be significantly reduced.
【００１８】なお、他の変形例として、例えば、ノズル
体を４重配管構造とし、内側から順に、処理液供給、廃
液吸引、純水供給、廃液吸引に用いることも可能であ
る。As another modified example, for example, the nozzle body may have a quadruple pipe structure, and may be used for supplying a processing liquid, sucking a waste liquid, supplying pure water, and sucking a waste liquid in order from the inside.
【００１９】また、図３は、本発明によるウェーハ処理
装置に用いるノズル体の第３の例を示す断面図である。
同図に示されたノズル体５ｂは、図２に示されたノズル
体５ａの変形例である。すなわち、このノズル体では、
三重配管をそれぞれ、内側から順に、処理液供給、純水
供給、廃液吸引に用いるものとした。すなわち、最も外
側の配管で処理後の処理液と純水を吸引するようにした
ものである。このノズル体を用いた場合は、ウェーハ上
でノズル体を移動すると、ウェーハ表面は、処理液によ
り洗浄された後に空気に接触することなく、直ちに純水
により希釈されリンスされる。従って、例えば、処理液
がウェーハ上に残留すると酸化膜を形成しやすいような
場合に、特に有効である。FIG. 3 is a sectional view showing a third example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention.
The nozzle body 5b shown in the same drawing is a modified example of the nozzle body 5a shown in FIG. That is, in this nozzle body,
Each of the triple pipes was used for supplying a processing liquid, supplying pure water, and sucking a waste liquid in order from the inside. That is, the processing liquid and pure water after the processing are sucked in the outermost piping. When this nozzle body is used, when the nozzle body is moved on the wafer, the wafer surface is immediately rinsed with pure water and then rinsed with pure water without contact with air after being cleaned with the processing liquid. Therefore, it is particularly effective, for example, when an oxide film is likely to be formed when the processing liquid remains on the wafer.
【００２０】図４(a) は、本発明によるウェーハ処理装
置に用いるノズル体の第４の例を示す横断面図である。
この例では、ノズル体５ｃは、３本のノズル２８、２
９、３０が束ねられた構成を有する。それぞれのノズル
の先端に設けられた開口を介して、それぞれ、処理液供
給、純水供給、および廃液吸引が行われる。図４(b) に
示したように、ノズル体５ｃはウェーハ上で、図中の矢
印Ａの方向に随意移動され、ウェーハの矢印Ｂの方向の
回転運動と組み合わせることにより、ウェーハ上を順
次、洗浄、リンスすることができる。なお、３本のノズ
ルの配置は、同図に示されたものに限られず、例えば、
３本のノズルが任意の順序で、一直線上に配列している
ようなノズル体でもよい。また、ノズル体を構成するノ
ズルの数も、３本には限定されず、４本以上のノズルを
任意の配列に配置し、それぞれを処理液供給、純水供
給、および廃液吸引のいずれかに割り当ててもよい。ま
た、２種類以上の処理液をそれぞれ別のノズルを介し
て、ウェーハ上に供給することもできる。FIG. 4A is a cross-sectional view showing a fourth example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention.
In this example, the nozzle body 5c includes three nozzles 28, 2
9 and 30 are bundled. The supply of the processing liquid, the supply of pure water, and the suction of the waste liquid are performed via openings provided at the tips of the respective nozzles. As shown in FIG. 4 (b), the nozzle body 5c is arbitrarily moved on the wafer in the direction of arrow A in the figure, and combined with the rotational movement of the wafer in the direction of arrow B to sequentially move on the wafer. Can be washed and rinsed. Note that the arrangement of the three nozzles is not limited to that shown in FIG.
A nozzle body in which three nozzles are arranged on a straight line in an arbitrary order may be used. Also, the number of nozzles constituting the nozzle body is not limited to three, and four or more nozzles may be arranged in an arbitrary arrangement, and each of the nozzles may be used for processing liquid supply, pure water supply, or waste liquid suction. May be assigned. Further, two or more types of processing liquids can be supplied onto the wafer via different nozzles.
【００２１】図５(a) は、本発明によるウェーハ処理装
置に用いるノズル体の第５の例を示す縦断面図であり、
図５(b) は、その横断面図である。この例では、ノズル
体５ｄは、外側の配管３１の中に、２本のノズル３２、
３３が並列して配置された構造を有する。処理液および
純水は、内部の２本のノズル３２、３３の先端に設けら
れた開口を介して、それぞれ、ウェーハ上に供給され
る。また、これら２本のノズル３２、３３と外側の配管
３１の間の空間が減圧され、廃液が吸引除去される。内
部のノズルの本数や配置は、同図に示した例には限られ
ず、３本以上のノズルを任意の配置に配列してもよい。
また、２種類以上の処理液をそれぞれ別のノズルを介し
て供給することもできる。FIG. 5A is a longitudinal sectional view showing a fifth example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention.
FIG. 5B is a cross-sectional view thereof. In this example, the nozzle body 5d includes two nozzles 32,
33 have a structure arranged in parallel. The processing liquid and the pure water are respectively supplied onto the wafer via openings provided at the tips of two internal nozzles 32 and 33. Further, the space between these two nozzles 32 and 33 and the outer pipe 31 is reduced in pressure, and the waste liquid is sucked and removed. The number and arrangement of the internal nozzles are not limited to the example shown in the figure, and three or more nozzles may be arranged in any arrangement.
Further, two or more kinds of processing liquids can be supplied through different nozzles.
【００２２】図６は、本発明によるウェーハ処理装置に
用いるノズル体の第６の例を示す説明図である。ここ
で、図６(a) は、ノズル体の平面図、図６(b) はＸ−
Ｘ’方向の縦側面図、また、図６(c) は、一部断面斜視
図である。この例では、ノズル体５ｅは、矩形状の断面
形状を有する筺体３４の内側に、細長いスリット状の開
口を有する２本のノズル３５、３６が並列して配置され
た構成を有する。また、筺体３４の上部には、処理液供
給用配管３７、純水供給用配管３８、廃液吸引用配管３
９が設けられている。処理液供給用配管３７、純水供給
用配管３８は、それぞれ、筺体３４を貫通して、ノズル
３５、３６に接続されている。また、廃液吸引用配管３
９は、筺体３４の内部に連通している。処理液、純水
は、それぞれ、処理液供給用配管３７、純水供給用配管
３８から、ノズル３５、３６の内部に供給され、各ノズ
ルの先端に設けられたスリット状の開口を介してウェー
ハ上に供給される。また、筺体３４は、その内側が廃液
吸引用配管３９を介して減圧状態にされ、その先端に設
けられた各ノズルとの間の開口を介して、処理済みの処
理液と純水を吸引除去する。FIG. 6 is an explanatory view showing a sixth example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention. Here, FIG. 6A is a plan view of the nozzle body, and FIG.
FIG. 6 (c) is a partial cross-sectional perspective view. In this example, the nozzle body 5e has a configuration in which two nozzles 35 and 36 having an elongated slit-like opening are arranged in parallel inside a housing 34 having a rectangular cross-sectional shape. In the upper part of the housing 34, a processing liquid supply pipe 37, a pure water supply pipe 38, and a waste liquid suction pipe 3 are provided.
9 are provided. The processing liquid supply pipe 37 and the pure water supply pipe 38 penetrate the housing 34 and are connected to nozzles 35 and 36, respectively. Also, waste liquid suction pipe 3
9 communicates with the inside of the housing 34. The processing liquid and pure water are supplied from the processing liquid supply pipe 37 and the pure water supply pipe 38 to the inside of the nozzles 35 and 36, respectively, and the wafer is supplied through the slit-shaped openings provided at the tips of the nozzles. Supplied above. The inside of the housing 34 is decompressed through a waste liquid suction pipe 39, and the processed processing liquid and pure water are suctioned and removed through an opening between each nozzle provided at the tip thereof. I do.
【００２３】ここで、各ノズル３５、３６のスリット状
の開口部の長さは、ウェーハ４の半径よりも長くして
も、短くしてもよい。図６(a) に示すように、開口部の
長さをウェーハ４の半径と同程度として、ノズル体５ｅ
をウェーハ４の半径上に配置すれば、ウェーハ４を一回
転するだけで洗浄処理を完了することも可能となる。ま
た、ノズル体５ｅの長さをウェーハ４の半径よりも短く
した場合は、例えば、ウェーハ４を回転させながらノズ
ル体５ｅを適宜移動させることにより、ウェーハ全面を
順次洗浄処理することができる。また、減圧された筺体
の内側の配置されるノズルの数は、図示したような２本
には限られず、必要に応じて３本以上のノズルを任意の
配置に配列してもよい。また、ノズルを１本のみとし、
処理液または純水のみを供給するようにしてもよい。Here, the length of the slit-shaped opening of each of the nozzles 35 and 36 may be longer or shorter than the radius of the wafer 4. As shown in FIG. 6 (a), the length of the opening is made substantially equal to the radius of the wafer 4, and the nozzle body 5e is formed.
Is arranged on the radius of the wafer 4, the cleaning process can be completed only by rotating the wafer 4 once. When the length of the nozzle body 5e is shorter than the radius of the wafer 4, for example, the entire surface of the wafer can be sequentially cleaned by moving the nozzle body 5e while rotating the wafer 4. Further, the number of nozzles arranged inside the decompressed housing is not limited to two as shown, and three or more nozzles may be arranged in an arbitrary arrangement as needed. Also, there is only one nozzle,
Only the processing liquid or pure water may be supplied.
【００２４】図７は、本発明によるウェーハ処理装置に
用いるノズル体の第７の例を示す説明図である。ここ
で、図７(a) は、ノズル体の一部断面斜視図であり、ま
た、図７(b) は同ノズル体を天地逆転させた、一部拡大
斜視図である。この例でも、ノズル体５ｆは、矩形状の
断面形状を有する筺体３４の内側に、細長い断面形状を
有する２本のノズル４０、４１が並列して配置されてい
る。しかし、図６に示した例と異なり、これらのノズル
４０、４１の先端には、細長いスリット状の開口の代わ
りに、多数の微細な貫通孔４２が設けられている。処理
液と純水は、それぞれ、処理液供給用配管３８、純水供
給用配管３９から、ノズル４０、４１の内側に供給さ
れ、各ノズルの先端に設けられた微細な貫通孔４２を介
してウェーハ上に供給される。また、筺体３４の内部
は、廃液吸引用配管を介して減圧状態にされ、その先端
に設けられた各ノズルとの間の開口を介して、処理済み
の処理液と純水が吸引除去される。ここで、ノズル体５
ｆは、ウェーハ４の半径よりも長くしても、短くしても
よい。図６(a) に示した例と同様に、ノズル体５ｆの長
さをウェーハ４の半径と同程度として、ノズル体５ｆを
ウェーハ４の半径上に配置すれば、ウェーハ４を一回転
するだけで洗浄処理を完了することも可能となる。ま
た、ノズル体５ｆの長さをウェーハ４の半径よりも短く
した場合は、例えば、ウェーハ４を回転させながらノズ
ル体５ｆを適宜移動させることにより、ウェーハ全面を
順次洗浄処理することができる。また、減圧された筺体
３４の内側の配置されるノズルの数は、図示したような
２本には限られず、必要に応じて３本以上のノズルを任
意の配置に配列してもよい。また、ノズルを１本のみと
し、処理液または純水のみを供給するようにしてもよ
い。FIG. 7 is an explanatory view showing a seventh example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention. Here, FIG. 7 (a) is a partial cross-sectional perspective view of the nozzle body, and FIG. 7 (b) is a partially enlarged perspective view in which the nozzle body is turned upside down. Also in this example, in the nozzle body 5f, two nozzles 40 and 41 having an elongated cross-sectional shape are arranged in parallel inside a housing 34 having a rectangular cross-sectional shape. However, unlike the example shown in FIG. 6, a large number of fine through holes 42 are provided at the tips of the nozzles 40 and 41 instead of the elongated slit-shaped openings. The processing liquid and the pure water are supplied from the processing liquid supply pipe 38 and the pure water supply pipe 39 to the inside of the nozzles 40 and 41, respectively, via the fine through holes 42 provided at the tips of the nozzles. Provided on the wafer. Further, the inside of the housing 34 is depressurized through a waste liquid suction pipe, and the processed processing liquid and pure water are suctioned and removed through an opening between each nozzle provided at the tip thereof. . Here, the nozzle body 5
f may be longer or shorter than the radius of the wafer 4. As in the example shown in FIG. 6A, if the length of the nozzle body 5f is set to be substantially equal to the radius of the wafer 4 and the nozzle body 5f is arranged on the radius of the wafer 4, the wafer 4 only needs to make one rotation. To complete the cleaning process. When the length of the nozzle body 5f is shorter than the radius of the wafer 4, for example, the entire surface of the wafer can be sequentially cleaned by moving the nozzle body 5f while rotating the wafer 4. Further, the number of nozzles arranged inside the depressurized housing 34 is not limited to two as shown, and three or more nozzles may be arranged in an arbitrary arrangement as needed. Alternatively, only one nozzle may be used, and only the processing liquid or pure water may be supplied.
【００２５】図８は、本発明によるウェーハ処理装置に
用いるノズル体の第８の例を示す説明図である。ここ
で、図８(a) は、ノズル体５ｇおよびウェーハの平面
図、図８(b) はノズル体５ｇの一部断面斜視図である。
この例でも、ノズル体５ｇは、矩形状の断面形状を有す
る筺体３４の内側に、細長い断面形状を有する２本のノ
ズル４２、４３が並列して配置されている。これらのノ
ズル４２、４３は、図８(b) に示したように、それぞれ
の先端に細長いスリット状の開口４５、４６を有する。
しかし、これらのノズルは、また、図７に示したよう
に、微細な貫通孔を有するものでもよい。２本のノズル
は、それぞれ、処理液供給と純水供給のために用いられ
る。また、筺体３４と内側の各ノズル４２、４３との間
の空間は減圧され、廃液吸引のために用いられる。ここ
で、ノズル体５ｇは、長手方向がウェーハ４の直径全体
を被うようにそのサイズが決められている。従って、ウ
ェーハ４を回転せずに、ノズル体５ｇまたはウェーハ４
を図８に示した矢印Ａの方向に移動させることにより、
ウェーハ全面の洗浄処理を完了することができる。な
お、内部に並列されるノズルの本数は、１本でもよく、
３本以上でもよい。FIG. 8 is an explanatory view showing an eighth example of the nozzle body used in the wafer processing apparatus according to the present invention. Here, FIG. 8A is a plan view of the nozzle body 5g and the wafer, and FIG. 8B is a partial sectional perspective view of the nozzle body 5g.
Also in this example, in the nozzle body 5g, two nozzles 42 and 43 having an elongated cross-sectional shape are arranged in parallel inside a housing 34 having a rectangular cross-sectional shape. As shown in FIG. 8 (b), these nozzles 42 and 43 have elongated slit-like openings 45 and 46 at their respective tips.
However, these nozzles may also have fine through holes as shown in FIG. The two nozzles are used for supplying a processing liquid and supplying pure water, respectively. The space between the housing 34 and the inner nozzles 42 and 43 is decompressed and used for sucking waste liquid. Here, the size of the nozzle body 5g is determined so that the longitudinal direction covers the entire diameter of the wafer 4. Therefore, the nozzle body 5g or the wafer 4 is not rotated without rotating the wafer 4.
Is moved in the direction of arrow A shown in FIG.
The cleaning process for the entire surface of the wafer can be completed. The number of nozzles arranged inside may be one,
Three or more may be used.
【００２６】本発明によるウェーハ処理方法およびウェ
ーハ処理装置は、ウェーハ洗浄工程に限られず、レジス
トや現像液、有機溶媒、コート液等の各種液体により、
ウェーハ表面を処理する工程において、実施することが
できる。The wafer processing method and the wafer processing apparatus according to the present invention are not limited to the wafer cleaning step, but may include various liquids such as a resist, a developing solution, an organic solvent, and a coating solution.
It can be performed in the step of treating the wafer surface.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。The present invention is embodied in the form described above and has the following effects.
【００２８】本発明によるウェーハ処理装置は、必要最
低限の量の処理液によりウェーハの処理をすることがで
きる。従って、従来の処理装置と比べて、処理に必要な
処理液の使用量を大幅に削減することができる。例え
ば、典型的な例として、フッ酸によりシリコンウェーハ
表面の自然酸化膜を除去する処理について説明すると、
従来のディップ法においては、６インチウェーハ１枚あ
たりのフッ酸の消費量は、約１リッターであった。これ
に対し、本発明による処理装置を用いると、ウェーハ１
枚あたりのフッ酸の消費量は、約１０ｃｃであり、従来
の１／１００に削減することができる。同様の効果は、
リンスのために用いられる純水についても得られる。す
なわち、本発明による処理装置によれば、処理液や純水
の消費量を大幅に削減することができる。従って、半導
体装置の製造コストを低減できるのみならず、地球資
源、環境の維持保全の見地からも、極めて大きな効果が
得られる。The wafer processing apparatus according to the present invention can process a wafer with a minimum necessary amount of processing liquid. Therefore, compared with the conventional processing apparatus, the amount of the processing solution required for the processing can be significantly reduced. For example, as a typical example, a process of removing a natural oxide film on the surface of a silicon wafer with hydrofluoric acid will be described.
In the conventional dip method, the consumption of hydrofluoric acid per one 6-inch wafer was about 1 liter. In contrast, when the processing apparatus according to the present invention is used, the wafer 1
The consumption of hydrofluoric acid per sheet is about 10 cc, which can be reduced to 1/100 of the conventional value. A similar effect is
It is also obtained for pure water used for rinsing. That is, according to the processing apparatus of the present invention, the consumption of the processing liquid and pure water can be significantly reduced. Therefore, not only can the manufacturing cost of the semiconductor device be reduced, but also a very large effect can be obtained from the viewpoint of maintaining and preserving the earth resources and the environment.
【００２９】また、本発明によるウェーハ処理装置は、
従来のスピンナと比較して、ウェーハの回転数をはるか
に低く押さえることができる。すなわち、従来のスピン
ナは、遠心力により処理液をウェーハ上に拡げる。従っ
て、ウェーハの回転数としては、通常、１０００ｒｐｍ
〜３０００ｒｐｍが必要とされていた。しかし、本発明
による処理装置では、ノズル体がウェーハ上に処理液を
順次供給する。従って、スピンナのような高速回転は必
要とされない。従って、スピンナにおいて問題となって
いた、ウェーハ周囲に飛散した処理液の跳ね返りによ
る、ウェーハの再汚染を防ぐことができる。Further, the wafer processing apparatus according to the present invention
Compared with a conventional spinner, the number of rotations of the wafer can be kept much lower. That is, the conventional spinner spreads the processing liquid on the wafer by centrifugal force. Therefore, the number of rotations of the wafer is usually 1000 rpm.
~ 3000 rpm was required. However, in the processing apparatus according to the present invention, the nozzle body sequentially supplies the processing liquid onto the wafer. Therefore, high-speed rotation like a spinner is not required. Therefore, recontamination of the wafer due to the rebound of the processing solution scattered around the wafer, which has been a problem in the spinner, can be prevented.
【００３０】また、ウェーハの回転数を低速化できるた
めに、回転機構の簡素化、小型化が図れる。従って、本
発明による装置では、装置のコストを低下することがで
きるとともに、保守管理も容易になる。また、本発明に
よる処理装置は、ウェーハを１枚ずつ処理する、いわゆ
る枚葉式である。従って、従来のディップ式において複
数のウェーハを一度に処理する場合に問題となる、他の
ウェーハからの汚染を防ぐことができる。Further, since the number of rotations of the wafer can be reduced, the rotation mechanism can be simplified and downsized. Therefore, in the device according to the present invention, the cost of the device can be reduced, and the maintenance management is also facilitated. Further, the processing apparatus according to the present invention is of a so-called single wafer type, which processes wafers one by one. Therefore, it is possible to prevent contamination from other wafers, which is a problem when processing a plurality of wafers at once in the conventional dip method.
【００３１】一方、本発明による処理装置は、廃液ライ
ンにモニタを設けることができる。従って、洗浄処理の
終端を検出することができ、洗浄液の無駄な使用を防ぐ
ことができる。また、廃液モニタから汚染度の信号をフ
ィードバックすることにより、汚染度の異なるウェーハ
や、直前の工程が異なるウェーハの混合ロットを処理す
るような場合でも、ウェーハ個々に洗浄時間や処理液の
種類、量などの処理条件を最適化でき、洗浄不足のウェ
ーハがなくなる。On the other hand, in the processing apparatus according to the present invention, a monitor can be provided in the waste liquid line. Therefore, the end of the cleaning process can be detected, and useless use of the cleaning liquid can be prevented. In addition, by feeding back the contamination level signal from the waste liquid monitor, even when processing wafers with different contamination levels or mixed lots of wafers with different immediately preceding processes, the cleaning time, type of processing solution, The processing conditions such as the amount can be optimized, and wafers with insufficient cleaning are eliminated.
【００３２】また、処理液を循環して使用する場合は、
廃液モニタで処理液の状態（組成や不純物濃度、パーテ
ィクル含有量など）をモニタすることにより、処理液の
補充、交換の時期を的確に決めることができる。When the processing solution is circulated for use,
By monitoring the state (composition, impurity concentration, particle content, etc.) of the processing liquid with the waste liquid monitor, it is possible to accurately determine the timing of replenishment and replacement of the processing liquid.
【００３３】一方、処理液の濃度とエッチングレートの
関係を事前に登録しておけば、処理液の濃度をモニタす
ることにより、適正なエッチングを行うことができる。On the other hand, if the relationship between the concentration of the processing solution and the etching rate is registered in advance, the proper etching can be performed by monitoring the concentration of the processing solution.
【図１】本発明によるウェーハ洗浄装置の構成を表す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図２】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第２の例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a second example of the nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図３】図２に示されたノズル体の変形例を示す断面図
である。FIG. 3 is a sectional view showing a modification of the nozzle body shown in FIG.
【図４】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第４の例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a fourth example of the nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図５】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第５の例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a fifth example of a nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図６】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第６の例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a sixth example of the nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図７】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第７の例を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view showing a seventh example of the nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図８】本発明によるウェーハ洗浄装置に使用するノズ
ル体の第８の例を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing an eighth example of the nozzle body used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
【図９】従来のディップ法を説明する模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a conventional dip method.
【図１０】従来のスピン式のウェーハ処理装置の一例を
示す模式図である。FIG. 10 is a schematic view showing an example of a conventional spin-type wafer processing apparatus.
１ モータ ２ ウェーハチャック ３ 爪 ４ ウェーハ ５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ，５ｆ、５ｇ ノズ
ル体 ６ モータ ７ 支持部 ８、２０、２８、２９、３０、３２、３３ ノズル ９、２４、２５、３１ 配管 １０、１１、２３、２４、２５ 開口 １２ 廃液ライン １３ モニタ １４ 処理液供給装置 １５、１６ ベルト ３４ 筺体 ３５、３６、４０、４１、４２、４３ ノズル ３７ 処理液供給用配管 ３８ 純水供給用配管 ３９ 廃液吸引用配管 ５０ 処理液 ５１ キャリア ５２ 処理槽 ５３ スピンドライヤー ５４ 搬送経路 ６０ スピンナ ６５ モータ ６６ チャック ６７ 爪 ６８ ノズル ６９ 支柱 ７０ カップ ７１ 処理液供給装置DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Motor 2 Wafer chuck 3 Claw 4 Wafer 5, 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 5f, 5g Nozzle body 6 Motor 7 Support part 8, 20, 28, 29, 30, 32, 33 Nozzle 9, 24, 25 , 31 piping 10, 11, 23, 24, 25 opening 12 waste liquid line 13 monitor 14 treatment liquid supply device 15, 16 belt 34 housing 35, 36, 40, 41, 42, 43 nozzle 37 treatment liquid supply piping 38 pure water Supply pipe 39 Waste liquid suction pipe 50 Processing liquid 51 Carrier 52 Processing tank 53 Spin dryer 54 Transfer path 60 Spinner 65 Motor 66 Chuck 67 Claw 68 Nozzle 69 Column 70 Cup 71 Processing liquid supply device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/30 569C
Claims (12)
続された独立の第１の開口と、廃液を吸引する廃液吸引
系に接続された独立の第２の開口とを有するノズル体
と、 前記第１の開口を介して前記ウェーハ上に処理液を供給
する処理液供給装置と、 前記処理液によってウェーハ表面を処理した後に得られ
る廃液を、前記第２の開口を介して吸引除去する廃液吸
引装置と、 前記第１の開口に膨らんだ状態で形成された処理液のみ
が前記ウェーハ表面に接し、かつ、前記ノズル体は前記
ウェーハと接触しない間隔をもって、ノズル体とウェー
ハを相対的に移動させる移動装置と、 を備えるウェーハ処理装置。An independent first opening connected to a processing liquid supply system for supplying a processing liquid at least at a tip thereof, and an independent first opening connected to a waste liquid suction system for sucking a waste liquid. A nozzle body having a second opening, a processing liquid supply device for supplying a processing liquid onto the wafer through the first opening, and a waste liquid obtained after processing a wafer surface with the processing liquid, A waste liquid suction device that sucks and removes through the second opening; and a space where only the processing liquid formed in a swelling state in the first opening is in contact with the wafer surface and the nozzle body is not in contact with the wafer. And a moving device for relatively moving the nozzle body and the wafer.
空配管を、外側に位置し、この第１の中空配管よりも大
径の第２の中空配管に収容配置したものであって、前記
第１の中空配管の先端が前記第１の開口となっており、
前記第２の配管と前記第２の配管の間が前記第２の開口
となっていることを特徴とする、請求項１記載のウェー
ハ処理装置。2. The nozzle body according to claim 1, wherein the first hollow pipe located inside is accommodated in a second hollow pipe located outside and having a diameter larger than that of the first hollow pipe. , The tip of the first hollow pipe is the first opening,
2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the second opening is provided between the second pipe and the second pipe. 3.
開口と、 前記第３の開口を介して前記ウェーハ上にリンス用の純
水を供給する純水供給装置とを、さらに備える請求項１
記載のウェーハ処理装置。3. The nozzle body supplies an independent third opening connected to a pure water supply system for supplying pure water, and supplies pure water for rinsing onto the wafer through the third opening. 2. A pure water supply device, comprising:
A wafer processing apparatus as described in the above.
空配管をまん中に位置し、この第１の中空配管よりも大
径の第２の中空配管に収容し、さらに、前記第２の中空
配管を、これよりも大径の第３の中空配管に収容配置し
たものであって、 前記第１の中空配管の先端が前記第１の開口となってお
り、前記第１の中空配管と前記第２の中空配管の間が記
第２の開口となっており、前記第２の中空配管と前記第
３の中空配管の間が前記第３の開口となっていることを
特徴とする、請求項３記載のウェーハ処理装置。4. The nozzle body has a first hollow pipe located inside located in the center, and is accommodated in a second hollow pipe having a diameter larger than that of the first hollow pipe. Is disposed in a third hollow pipe having a diameter larger than that of the first hollow pipe, wherein a tip of the first hollow pipe is the first opening, and the first hollow pipe is provided. And a second opening between the second hollow pipe and the second hollow pipe, and a third opening between the second hollow pipe and the third hollow pipe. The wafer processing apparatus according to claim 3.
空配管をまん中に位置し、この第１の中空配管よりも大
径の第２の中空配管に収容し、さらに、前記第２の中空
配管を、これよりも大径の第３の中空配管に収容配置し
たものであって、 前記第１の中空配管の先端が前記第１の開口となってお
り、前記第１の中空配管と前記第２の中空配管の間が記
第３の開口となっており、前記第２の中空配管と前記第
３の中空配管の間が前記第２の開口となっていることを
特徴とする、請求項３記載のウェーハ処理装置。5. The nozzle body has a first hollow pipe located inside located in the center, and is accommodated in a second hollow pipe having a diameter larger than that of the first hollow pipe. Is disposed in a third hollow pipe having a diameter larger than that of the first hollow pipe, wherein a tip of the first hollow pipe is the first opening, and the first hollow pipe is provided. And a third opening between the second hollow pipe and the second hollow pipe, and the second opening between the second hollow pipe and the third hollow pipe. The wafer processing apparatus according to claim 3.
３の中空配管が並列して配置されたものであって、 前記第１の中空配管の先端が前記第１の開口となってお
り、前記第２の中空配管の先端が前記第２の開口となっ
ており、前記第３の中空配管の先端が前記第３の開口と
なっていることを特徴とする、請求項３記載のウェーハ
処理装置。6. The nozzle body includes first to third hollow pipes that are separate from each other and are arranged in parallel, and a tip of the first hollow pipe serves as the first opening. 4. A tip of the second hollow pipe is the second opening, and a tip of the third hollow pipe is the third opening. Wafer processing equipment.
側に、これよりも小径の互いに別体の第１及び第２の中
空配管が並列的に配置されたものであって、 前記第１の中空配管の先端が前記第１の開口となってお
り、前記第２の中空配管の先端が前記第３の開口となっ
ており、前記外側中空配管と前記第１、第２の中空配管
の間が、前記第２の開口となっていることを特徴とす
る、請求項３記載のウェーハ処理装置。7. The nozzle body according to claim 1, wherein the first and second hollow pipes having a smaller diameter than each other are arranged in parallel inside a large-diameter outer hollow pipe. The tip of the first hollow pipe is the first opening, the tip of the second hollow pipe is the third opening, and the outer hollow pipe is connected to the first and second hollow pipes. The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein the second opening is provided between pipes.
側に、先端をスリット状の開口とした第１及び第２のノ
ズルが並列的に収容配置され、前記第１のノズルの先端
の前記スリット状の前記開口が前記第１の開口であり、
前記第２のノズルの先端の前記スリット状の前記開口が
前記第３の開口であり、前記筺体と前記第１及び第２の
ノズルの間の開口が前記第２の開口であることを特徴と
する、請求項３記載のウェーハ処理装置。8. The nozzle body is provided with a first and a second nozzle having a slit-shaped opening at the inside thereof, which are accommodated and arranged in parallel inside a housing having a bottom opening. The slit-shaped opening is the first opening,
The slit-shaped opening at the tip of the second nozzle is the third opening, and the opening between the housing and the first and second nozzles is the second opening. The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein
側に、底面が細長い面となった第１及び第２のノズルが
並列的に収容配置され、前記第１及び第２のノズルのそ
れぞれの底面には、内外を連通する複数の貫通孔が設け
られ、前記第１のノズルの前記底面の貫通孔が前記第１
の開口であり、前記第２のノズルの前記底面の貫通孔が
前記第３の開口であり、前記筺体と前記第１及び第２の
ノズルとの間の隙間が前記第２の開口となっていること
を特徴とする、請求項３記載のウェーハ処理装置。9. The nozzle body includes first and second nozzles each having an elongated bottom surface accommodated and arranged in parallel inside a housing having an open bottom surface. A plurality of through holes communicating between the inside and the outside are provided in each bottom surface, and the through holes in the bottom surface of the first nozzle are provided in the first nozzle.
The through hole in the bottom surface of the second nozzle is the third opening, and the gap between the housing and the first and second nozzles is the second opening. 4. The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein:
の量、組成、不純物濃度、パーティクル濃度のうち、少
なくとも１つをモニタするモニタ装置を備え、前記モニ
タ装置からの信号に基づいて、前記処理液供給装置、前
記廃液吸引装置及び前記移動装置のうちの、少なくとも
１つのものの動作が制御される特徴とする、請求項１か
ら９のいずれか１つに記載のウェーハ処理装置。10. A monitor for monitoring at least one of an amount, a composition, an impurity concentration, and a particle concentration of a waste liquid sucked through the second opening, and based on a signal from the monitor. 10. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein an operation of at least one of the processing liquid supply device, the waste liquid suction device, and the moving device is controlled.
れた第１の独立した開口と、廃液を吸引する廃液吸引系
に接続された第２の独立した開口を有する、ノズル体を
用い、 前記第１の開口部に形成される前記処理液の液滴のみが
ウェーハに接触し、且つ、前記ノズル体が前記ウェーハ
に接触しない位置まで、前記ノズル体を前記ウェーハに
接近させることにより、前記処理液で前記ウェーハを処
理し、この処理によって得られる廃液を、前記ノズル体
の第２の開口内を減圧状態にして前記第２の開口を介し
て吸引し、この処理と廃液吸引を行いながら前記ノズル
体と前記ウェーハを相対的に移動させることにより、ウ
ェーハ表面を処理液で処理する、ウェーハ処理方法。11. A nozzle having a first independent opening connected to a processing liquid supply system for supplying a processing liquid and a second independent opening connected to a waste liquid suction system for sucking waste liquid. By bringing the nozzle body close to the wafer until only the droplet of the processing liquid formed in the first opening contacts the wafer, and the nozzle body does not contact the wafer, The wafer is treated with the treatment liquid, and a waste liquid obtained by the treatment is suctioned through the second opening while the pressure inside the second opening of the nozzle body is reduced, and the treatment and the waste liquid suction are performed. A wafer processing method for processing the wafer surface with a processing liquid by relatively moving the nozzle body and the wafer.
の純水を供給する純水供給系に接続された第３の開口を
有するものを用い、この第３の開口を介して前記ウェー
ハ上に純水を供給することにより、前記ウェーハ上をリ
ンスし、前記第２の開口からは、前記ウェーハ上のリン
ス後の残留液体を吸引する、請求項１１記載のウェーハ
処理方法。12. The nozzle body further has a third opening connected to a pure water supply system for supplying pure water for rinsing, and is provided on the wafer through the third opening. 12. The wafer processing method according to claim 11, wherein the wafer is rinsed by supplying pure water, and a residual liquid on the wafer after rinsing is suctioned from the second opening.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |