JPH1090711A - Reflection type liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
Reflection type liquid crystal display device and its manufactureInfo
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- JPH1090711A JPH1090711A JP24534596A JP24534596A JPH1090711A JP H1090711 A JPH1090711 A JP H1090711A JP 24534596 A JP24534596 A JP 24534596A JP 24534596 A JP24534596 A JP 24534596A JP H1090711 A JPH1090711 A JP H1090711A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、画素スイッチング
用のアクティブ素子として薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＦＴという。）を用いたアクティブマトリクス方式の反
射型液晶表示装置およびその製造方法に関するものであ
る。さらに詳しくは、アクティブマトリクス基板の製造
工程を透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置との間
で共通化するための技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film transistor (hereinafter, referred to as T) as an active element for pixel switching.
It is called FT. ) And a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a technique for making a manufacturing process of an active matrix substrate common between a transmission type liquid crystal display device and a reflection type liquid crystal display device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置では、図１に示すように、アクティブマトリクス基板
３上に区画形成された各画素領域２のそれぞれにＴＦＴ
が形成されている。このＴＦＴは、図９に示すように、
データ線に電気的接続するソース領域１４、走査線に電
気的接続するゲート電極１５、および画素電極４０Ａに
電気的接続するドレイン領域１６を備えている。このよ
うに構成したアクティブマトリクス基板３には、図２
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、共通電極が形成
された対向基板７０が重ねられ、これらの基板の間に液
晶層ＬＣが封入される。反射型液晶表示装置では、図２
（Ｂ）に示すように、対向基板７０の方から入射した光
が液晶層ＬＣで光変調された後、画素電極４０Ａの表面
で反射され、対向基板７０を再び透過して画像を表示す
る。従って、画素電極４０Ａとしては鏡面を構成するよ
うな金属層から構成される。これに対して、透過型液晶
表示装置では、図２（Ｃ）に示すように、アクティブマ
トリクス基板３の方から入射した光は画素電極４０Ａを
透過して液晶層ＬＣで光変調された後、対向基板７０を
透過して画像を表示する。従って、画素電極４０Ａとし
てはＩＴＯ膜などといった透明導電膜から構成される。2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device, as shown in FIG. 1, a TFT is provided in each pixel region 2 partitioned on an active matrix substrate 3.
Are formed. This TFT, as shown in FIG.
A source region 14 electrically connected to the data line, a gate electrode 15 electrically connected to the scanning line, and a drain region 16 electrically connected to the pixel electrode 40A are provided. The active matrix substrate 3 thus configured has a structure shown in FIG.
As shown in (A), (B), and (C), a counter substrate 70 on which a common electrode is formed is stacked, and a liquid crystal layer LC is sealed between these substrates. In a reflective liquid crystal display device, FIG.
As shown in (B), after the light incident from the counter substrate 70 is modulated by the liquid crystal layer LC, it is reflected on the surface of the pixel electrode 40A and transmits through the counter substrate 70 again to display an image. Therefore, the pixel electrode 40A is formed of a metal layer that forms a mirror surface. On the other hand, in the transmission type liquid crystal display device, as shown in FIG. 2C, light incident from the active matrix substrate 3 passes through the pixel electrode 40A and is light-modulated by the liquid crystal layer LC. An image is displayed through the opposing substrate 70. Therefore, the pixel electrode 40A is formed of a transparent conductive film such as an ITO film.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このように、反射型液
晶表示装置と透過型液晶表示装置とは基本的な構造が共
通しているものの、画素電極４０Ａを構成する材料に求
められる性質が全く異なるため、従来の液晶表示装置で
はアクティブマトリクス基板３の製造工程を透過型液晶
表示装置と反射型液晶表示装置との間で大幅な共通化を
進めることができないという問題点がある。As described above, although the reflection type liquid crystal display device and the transmission type liquid crystal display device have the same basic structure, the properties required for the material forming the pixel electrode 40A are completely different. For this reason, the conventional liquid crystal display device has a problem that the manufacturing process of the active matrix substrate 3 cannot be largely shared between the transmission liquid crystal display device and the reflection liquid crystal display device.
【０００４】そこで、本発明の課題は、透過型液晶表示
装置との間でアクティブマトリクス基板の製造工程の共
通化を大幅に進めることのできる反射型液晶表示装置お
よびその製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which can greatly promote the common use of the manufacturing process of the active matrix substrate with the transmission type liquid crystal display device. is there.
【０００５】また、本発明の課題は、透過型液晶表示装
置との間でアクティブマトリクス基板の製造工程の共通
化を進めるとともに画素電極がデータ線に対してオープ
ン状態にある画素欠陥を検出することのできる反射型液
晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。Another object of the present invention is to promote the common use of the manufacturing process of an active matrix substrate with a transmission type liquid crystal display device and to detect a pixel defect in which a pixel electrode is open with respect to a data line. And a method of manufacturing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、一対の基板間に封入された液晶と、前
記一対の基板のうちの一方の基板上にマトリクス状に形
成されたデータ線および走査線と、前記一方の基板上で
前記データ線に電気的接続するソース領域、前記走査線
に電気的接続するゲート電極、および画素電極に電気的
接続するドレイン領域を備える薄膜トランジスタとを有
する反射型液晶表示装置において、前記画素電極は、透
明導電膜と、該透明導電膜の表面に形成された無電解め
っき層とを備えていることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, a liquid crystal sealed between a pair of substrates and a matrix formed on one of the pair of substrates in a matrix. A data line and a scanning line, and a thin film transistor including a source region electrically connected to the data line, a gate electrode electrically connected to the scanning line, and a drain region electrically connected to a pixel electrode on the one substrate. The pixel electrode has a transparent conductive film and an electroless plating layer formed on a surface of the transparent conductive film.
【０００７】本発明では画素電極を構成するにあたって
透明導電膜の表面に無電解めっき層を形成するか否かだ
けで、アクティブマトリクス基板を反射型液晶表示装置
用と透過型液晶表示装置用とに使い分けできる。すなわ
ち、透明導電膜を形成するまでは共通の工程で行い、そ
の後、無電解めっき層を形成しなければそのまま透過型
液晶表示装置用として使用できる。これに対して、透明
導電膜を形成した場合でもその表面に無電解めっき層さ
え形成すれば反射型液晶表示装置用として使用できる。
よって、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置との
間でアクティブマトリクス基板の製造工程の大部分を共
通化することができるので、多品種小ロットの液晶表示
装置の生産効率が向上する。According to the present invention, the active matrix substrate can be used for a reflection type liquid crystal display device and a transmission type liquid crystal display device only by forming an electroless plating layer on the surface of a transparent conductive film in forming a pixel electrode. You can use them properly. In other words, the steps are performed in a common step until the formation of the transparent conductive film, and thereafter, if the electroless plating layer is not formed, it can be used as it is for a transmission type liquid crystal display device. On the other hand, even when a transparent conductive film is formed, it can be used for a reflective liquid crystal display device if only an electroless plating layer is formed on the surface.
Therefore, since most of the manufacturing process of the active matrix substrate can be shared between the transmission type liquid crystal display device and the reflection type liquid crystal display device, the production efficiency of the liquid crystal display devices of various kinds and small lots is improved.
【０００８】このような構成の反射型液晶表示装置を製
造するにあたっては、前記透明導電膜を形成した後、該
透明導電膜の表面に無電解めっきを行って前記無電解め
っき層を形成する。In manufacturing the reflection type liquid crystal display device having such a configuration, after the transparent conductive film is formed, the surface of the transparent conductive film is subjected to electroless plating to form the electroless plated layer.
【０００９】本発明では、前記透明導電膜の表面には無
電解めっき層に代えて、電解めっき層を形成することが
好ましい。In the present invention, it is preferable that an electrolytic plating layer is formed on the surface of the transparent conductive film instead of the electroless plating layer.
【００１０】このような構成の反射型液晶表示装置を製
造するにあたっては、前記透明導電膜を形成した後、前
記走査線を介して前記ＴＦＴをオン状態としこの状態で
前記データ線から給電することにより前記透明導電膜の
表面に電解めっきを行って前記電解めっき層を形成する
ことを特徴とする。In manufacturing the reflection type liquid crystal display device having such a configuration, after forming the transparent conductive film, the TFT is turned on via the scanning line, and power is supplied from the data line in this state. And electroplating the surface of the transparent conductive film to form the electroplating layer.
【００１１】本発明でも画素電極を形成するにあたって
透明導電膜の表面に電解めっき層を形成するか否かだけ
で、ＴＦＴアレイ基板を反射型液晶表示装置用と透過型
液晶表示装置用とに使い分けできるので、透明導電膜を
形成するまでは共通の工程で行うことができる。ここ
で、電解めっきを行うには各透明導電膜に給電する必要
があるが、本発明では、走査線を介してＴＦＴをオン状
態としこの状態でデータ線からＴＦＴを介して透明導電
膜に給電するので、電解めっきを行うことができる。ま
た、データ線からの給電により透明導電膜の表面にめっ
きを行うので、データ線に対してオープン状態にある透
明導電膜にはめっき層が形成されない。それ故、透明導
電膜からなる画素電極を形成しただけでは透明であるた
め検出できないような画素電極のオープンも、電解めっ
き層の有無を画像解析などの方法により検出すれば、画
素電極がＴＦＴを介してデータ線に接続しているか否か
を検査できる。In the present invention, the TFT array substrate is selectively used for a reflective liquid crystal display device and a transmissive liquid crystal display device only by forming an electrolytic plating layer on the surface of a transparent conductive film when forming a pixel electrode. Therefore, the steps can be performed in a common step until a transparent conductive film is formed. Here, it is necessary to supply power to each transparent conductive film in order to perform electrolytic plating, but in the present invention, the TFT is turned on via the scanning line, and in this state, power is supplied from the data line to the transparent conductive film via the TFT. Therefore, electrolytic plating can be performed. In addition, since plating is performed on the surface of the transparent conductive film by power supply from the data line, no plating layer is formed on the transparent conductive film that is open with respect to the data line. Therefore, even if an open pixel electrode that cannot be detected because it is transparent only by forming a pixel electrode made of a transparent conductive film is used, if the presence or absence of the electrolytic plating layer is detected by a method such as image analysis, the pixel electrode becomes a TFT. It can be checked whether or not it is connected to the data line via the interface.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下に説明する各形態におい
て、従来の液晶表示装置用アクティブマトリクス基板と
共通する機能を有する部分には同一符号を付してある。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the embodiments described below, parts having the same functions as those of a conventional active matrix substrate for a liquid crystal display device are denoted by the same reference numerals.
【００１３】（液晶表示装置の全体構成）図１は、液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板の構成を模式的に
示す説明図である。(Overall Configuration of Liquid Crystal Display) FIG. 1 is an explanatory view schematically showing the configuration of an active matrix substrate of a liquid crystal display.
【００１４】この図において、液晶表示装置１では、ア
クティブマトリクス基板３上に、データ線３１０および
走査線１５０で区画形成された画素領域２を有し、いず
れの画素領域２にも画素用のＴＦＴと、このＴＦＴを介
して画像信号が印加される液晶セルＬＣＣとが構成され
ている。データ線３１０に対しては、シフトレジスタ、
レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備え
るデータドライバ部６が構成され、走査線１５０に対し
ては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査
ドライバ部７が構成されている。画素領域２には、前段
の走査線との間、または容量線との間に保持容量が形成
されることもある。アクティブマトリクス基板３として
は、アクティブマトリクス部だけが基板上に構成された
もの、アクティブマトリクス部と同じ基板上にデータド
ライバ部６が構成されたもの、アクティブマトリクス部
と同じ基板上に走査ドライバ部７が構成されたもの、ア
クティブマトリクス部と同じ基板上にデータドライバ部
６および走査ドライバ部７の双方が構成されたものがあ
る。ドライバ内蔵型のアクティブマトリクス基板３であ
っても、データドライバ部６に含まれるシフトレジス
タ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチ等
の全てがアクティブマトリクス基板３上に構成された完
全ドライバ内蔵タイプと、それらの一部がアクティブマ
トリクス基板３上に構成された部分ドライバ内蔵タイプ
とがあるが、本発明はいずれのタイプにも適用できる。In FIG. 1, a liquid crystal display device 1 has a pixel area 2 defined by a data line 310 and a scanning line 150 on an active matrix substrate 3, and any pixel area 2 has a pixel TFT. And a liquid crystal cell LCC to which an image signal is applied via the TFT. For the data line 310, a shift register,
A data driver unit 6 including a level shifter, a video line, and an analog switch is configured. For the scanning line 150, a scan driver unit 7 including a shift register and a level shifter is configured. In the pixel region 2, a storage capacitor may be formed between the pixel region 2 and a preceding scanning line or between the pixel region 2 and a capacitor line. The active matrix substrate 3 includes only the active matrix portion on the substrate, the data driver portion 6 on the same substrate as the active matrix portion, and the scanning driver portion 7 on the same substrate as the active matrix portion. And the one in which both the data driver unit 6 and the scanning driver unit 7 are formed on the same substrate as the active matrix unit. Even with the active matrix substrate 3 with a built-in driver, a complete driver built-in type in which the shift register, level shifter, video line, analog switch, and the like included in the data driver section 6 are all configured on the active matrix substrate 3 There is a type with a built-in partial driver in which a part is formed on the active matrix substrate 3, but the present invention can be applied to any type.
【００１５】以下の説明では、アクティブマトリクス部
の周囲にデータドライバ部６および走査ドライバ部７の
双方が構成され、かつ、アクティブマトリクス基板３が
液晶表示装置１に組み込まれたときにデータドライバ部
６および走査ドライバ部７にクロック信号や映像信号な
どを入力するための端子群４がデータドライバ部６より
も縁側に配列されているものを例に説明する。In the following description, both the data driver section 6 and the scanning driver section 7 are formed around the active matrix section, and the data driver section 6 is provided when the active matrix substrate 3 is incorporated in the liquid crystal display device 1. In addition, an example in which a terminal group 4 for inputting a clock signal, a video signal, and the like to the scanning driver unit 7 is arranged closer to the edge than the data driver unit 6 will be described.
【００１６】アクティブマトリクス基板３を用いて液晶
表示装置１を構成する際には、図２（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように、アクティブマトリクス基板３に対
して、共通電極およびカラーフィルタ（いずれも図示せ
ず。）が形成された対向基板７０が重ねられる。この状
態で、アクティブマトリクス基板３と対向基板７０との
間に充填された液晶層ＬＣは、シール剤７１および封止
剤７２によって封止されている。なお、対向基板７０の
外周側にはブラックストライプ７３が構成されている。When the liquid crystal display device 1 is constructed using the active matrix substrate 3, FIGS. 2A, 2B,
As shown in (C), a counter substrate 70 on which a common electrode and a color filter (both not shown) are formed is superimposed on the active matrix substrate 3. In this state, the liquid crystal layer LC filled between the active matrix substrate 3 and the counter substrate 70 is sealed by the sealant 71 and the sealant 72. Note that a black stripe 73 is formed on the outer peripheral side of the counter substrate 70.
【００１７】［実施の形態１］図３は、液晶表示装置用
のアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素
領域の一部を拡大して示す平面図、図４は、そのＸ−
Ｘ′線に相当する位置での縦断面図である。[First Embodiment] FIG. 3 is an enlarged plan view showing a part of a pixel region defined on an active matrix substrate for a liquid crystal display device, and FIG.
It is a longitudinal cross-sectional view in the position corresponding to X 'line.
【００１８】図３および図４において、液晶表示装置１
のアクティブマトリクス基板３では、絶縁基板１０上が
データ線３１０と走査線１５０とによって複数の画素領
域２に区画形成され、各画素領域２の各々に対してはＴ
ＦＴが形成されている。このＴＦＴは、ソース領域１４
とドレイン領域１６との間にチャネルを形成するための
チャネル領域１７、該チャネル領域１７にゲート絶縁膜
１３を介して対峙するゲート電極１５、該ゲート電極１
５の表面側に形成された層間絶縁膜２０、該層間絶縁膜
２０のコンタクトホール２０１を介してソース領域１４
に電気的接続するソース電極３１、および層間絶縁膜２
０のコンタクトホール２０２を介してドレイン領域１６
に電気的接続するＩＴＯ膜からなる透明導電膜４１を備
える画素電極４０を有している。ソース電極３１はデー
タ線３０１の一部であり、ゲート電極１５は走査線１５
０の一部である。Referring to FIG. 3 and FIG.
In the active matrix substrate 3 described above, the insulating substrate 10 is partitioned into a plurality of pixel regions 2 by the data lines 310 and the scanning lines 150, and each pixel region 2 has T
FT is formed. This TFT is connected to the source region 14
Region 17 for forming a channel between the gate electrode 1 and the drain region 16, a gate electrode 15 facing the channel region 17 via a gate insulating film 13,
5, the source region 14 through the contact hole 201 of the interlayer insulating film 20.
Electrode 31 electrically connected to the substrate and interlayer insulating film 2
0 through the contact hole 202 of the drain region 16
The pixel electrode 40 includes a transparent conductive film 41 made of an ITO film and electrically connected to the pixel electrode 40. The source electrode 31 is a part of the data line 301, and the gate electrode 15 is
Part of zero.
【００１９】従って、透明導電膜４１だけから構成され
た画素電極４０を備えるアクティブマトリクス基板３を
用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２（Ｃ）に示す
ように、アクティブマトリクス基板３の方から入射した
光は透明導電膜４１（画素電極４０）を透過して液晶層
ＬＣで光変調された後、対向基板７０を透過して画像を
表示するので、透過型液晶表示装置を構成できる。Therefore, if the liquid crystal display device 1 is constituted by using the active matrix substrate 3 having the pixel electrode 40 composed of only the transparent conductive film 41, as shown in FIG. The incident light passes through the transparent conductive film 41 (pixel electrode 40) and is light-modulated by the liquid crystal layer LC, and then passes through the counter substrate 70 to display an image. Thus, a transmissive liquid crystal display device can be configured. .
【００２０】これに対して、本形態では、画素電極４０
は、透明導電膜４１と、この表面に無電解めっきにより
形成され、鏡面を備えたニッケルめっき層４５Ａとから
構成されている。従って、この構造のアクティブマトリ
クス基板３を用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２
（Ｂ）に示すように、対向基板７０の方から入射した光
は、液晶層ＬＣで光変調された後、透明導電膜４１の表
面に形成されたニッケルめっき層４５Ａの表面で反射さ
れ、対向基板７０を再び透過して画像を表示するので、
反射型液晶表示装置を構成できる。すなわち、反射型液
晶表示装置用のアクティブマトリクス基板３であるにも
かかわらず透明導電膜４１を形成するが、その代わりに
その表面にニッケルめっき層４５Ａを形成したものを画
素電極４０として用いるので、反射型液晶表示装置用の
アクティブマトリクス基板３として用いることができ
る。On the other hand, in the present embodiment, the pixel electrode 40
Is composed of a transparent conductive film 41 and a nickel plating layer 45A formed on the surface by electroless plating and having a mirror surface. Therefore, if the liquid crystal display device 1 is configured using the active matrix substrate 3 having this structure, FIG.
As shown in (B), the light incident from the counter substrate 70 is light-modulated by the liquid crystal layer LC, then reflected by the surface of the nickel plating layer 45A formed on the surface of the transparent conductive film 41, and Since the image is displayed again through the substrate 70,
A reflective liquid crystal display device can be configured. That is, the transparent conductive film 41 is formed in spite of being the active matrix substrate 3 for the reflection type liquid crystal display device. However, since a nickel plating layer 45A is formed on the surface of the transparent conductive film 41 instead, the pixel electrode 40 is used. It can be used as an active matrix substrate 3 for a reflection type liquid crystal display device.
【００２１】図５、図６は、本形態のアクティブマトリ
クス基板の製造方法を示す工程断面図である。FIGS. 5 and 6 are process sectional views showing a method for manufacturing the active matrix substrate of the present embodiment.
【００２２】このようなアクティブマトリクス基板３の
製造方法では、まず、図５（Ａ）に示すように、絶縁基
板１０として汎用の無アリカリガラスを用いる。まず、
絶縁基板１０を清浄化した後、絶縁基板１０の上にＣＶ
Ｄ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）やＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりシリコン酸化膜などからな
る下地保護膜１１を形成する。ＣＶＤ法としては、たと
えば減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）やプラズマＣＶＤ法
（ＰＥＣＶＤ法）などがある。ＰＶＤ法としては、たと
えばスパッタ法などがある。In such a method of manufacturing the active matrix substrate 3, first, as shown in FIG. 5A, a general-purpose non-alkaline glass is used as the insulating substrate 10. First,
After cleaning the insulating substrate 10, the CV is placed on the insulating substrate 10.
Method D (Chemical Vapor Deposit)
ion) and PVD method (Physical VaporD)
An underlying protection film 11 made of a silicon oxide film or the like is formed by deposition. Examples of the CVD method include a low pressure CVD method (LPCVD method) and a plasma CVD method (PECVD method). The PVD method includes, for example, a sputtering method.
【００２３】次に、ＴＦＴの能動層となるべき真性のシ
リコン膜などの半導体膜１２０を形成する。この半導体
膜１２０もＣＶＤ法やＰＶＤ法により形成できる。この
ようにして得られる半導体膜１２０は、そのままａｓ−
ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ膜としてＴＦＴのチャネル領域など
の半導体層として用いることができる。また、半導体膜
１２０は、図５（Ｂ）に示すように、レーザ光などの光
学エネルギーまたは電磁エネルギーを短時間照射して結
晶化を進めてもよい。Next, a semiconductor film 120 such as an intrinsic silicon film to be an active layer of the TFT is formed. This semiconductor film 120 can also be formed by a CVD method or a PVD method. The semiconductor film 120 obtained in this manner can be used as-is.
The deposited film can be used as a semiconductor layer such as a channel region of a TFT. Further, as illustrated in FIG. 5B, the semiconductor film 120 may be irradiated with optical energy or electromagnetic energy such as laser light for a short time to promote crystallization.
【００２４】次に、所定のパターンをもつレジストマス
クを形成した後、このレジストマスクを用いて半導体膜
１２０をパターニングし、図５（Ｃ）に示すように、島
状の半導体膜１２とする。半導体膜１２にパターニング
した後は、ＰＶＤ法やＣＶＤ法などでゲート絶縁膜１３
を形成する。Next, after a resist mask having a predetermined pattern is formed, the semiconductor film 120 is patterned using the resist mask to form an island-shaped semiconductor film 12 as shown in FIG. After patterning on the semiconductor film 12, the gate insulating film 13 is formed by a PVD method, a CVD method, or the like.
To form
【００２５】次に、ゲート電極となるアルミニウム膜な
どの薄膜をスパッタ形成する。通常はゲート電極とゲー
ト配線とは、同一の金属材料などで同一の工程により形
成される。ゲート電極となる薄膜を堆積した後、図５
（Ｄ）に示すように、パターニングを行い、ゲート電極
１５を形成する。このとき、走査線１５０も形成され
る。Next, a thin film such as an aluminum film serving as a gate electrode is formed by sputtering. Usually, the gate electrode and the gate wiring are formed by the same process using the same metal material or the like. After depositing a thin film to be a gate electrode, FIG.
As shown in (D), patterning is performed to form a gate electrode 15. At this time, the scanning line 150 is also formed.
【００２６】次に、半導体膜１２に対して不純物イオン
を導入し、ソース領域１４およびドレイン領域１６を形
成する。不純物イオンが導入されなかった部分はチャネ
ル領域１７となる。この方法では、ゲート電極１５がイ
オン注入のマスクとなるため、チャネル領域１７は、ゲ
ート電極１５下のみに形成される自己整合構造となる
が、オフセットゲート構造やＬＤＤ構造のＴＦＴを構成
してもよい。不純物イオンの導入は、質量非分離型イオ
ン注入装置を用いて注入不純物元素の水素化合物と水素
とを注入するイオン・ドーピング法、あるいは質量分離
型イオン注入装置を用いて所望の不純物イオンのみを注
入するイオン打ち込み法などを適用することができる。
イオン・ドーピング法の原料ガスとしては、水素中に希
釈された濃度が０．１％程度のホスフィン（ＰＨ3 ）や
ジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）などの注入不純物の水素化物を用
いる。Next, impurity ions are introduced into the semiconductor film 12 to form a source region 14 and a drain region 16. The portion where the impurity ions have not been introduced becomes the channel region 17. In this method, since the gate electrode 15 serves as a mask for ion implantation, the channel region 17 has a self-aligned structure formed only under the gate electrode 15. However, even if a TFT having an offset gate structure or an LDD structure is formed, Good. Impurity ions can be introduced by an ion doping method using a mass non-separable ion implanter to implant a hydrogen compound and hydrogen as an implanted impurity element, or by implanting only desired impurity ions using a mass separated ion implanter. For example, an ion implantation method can be applied.
As a source gas for the ion doping method, a hydride of an implanted impurity such as phosphine (PH 3 ) or diborane (B 2 H 6 ) diluted to about 0.1% in hydrogen is used.
【００２７】次に、図６（Ａ）に示すように、シリコン
酸化膜からなる層間絶縁膜２０をＣＶＤ法あるいはＰＶ
Ｄ法で形成する。イオン注入と層間絶縁膜２０の形成
後、３５０℃程度以下の適当な熱環境下にて数十分から
数時間の熱処理を施して注入イオンの活性化及び層間絶
縁膜２０の焼き締めを行う。Next, as shown in FIG. 6A, an interlayer insulating film 20 made of a silicon oxide film is
Formed by method D. After the ion implantation and the formation of the interlayer insulating film 20, a heat treatment for several tens minutes to several hours is performed under a suitable thermal environment of about 350 ° C. or less to activate the implanted ions and to perform the baking of the interlayer insulating film 20.
【００２８】次に、図６（Ｂ）に示すように、層間絶縁
膜２０のうち、ソース領域１４およびドレイン領域１６
に相当する位置にコンタクトホール２０１、２０２を形
成する。次に、ソース電極を形成するためのアルミニウ
ム膜などをスパッタ形成した後、それをパターニングし
てソース電極３１を形成する。このときデータ線３１０
も形成される。Next, as shown in FIG. 6B, the source region 14 and the drain region 16 of the interlayer insulating film 20 are formed.
Contact holes 201 and 202 are formed at positions corresponding to. Next, after an aluminum film or the like for forming a source electrode is formed by sputtering, it is patterned to form a source electrode 31. At this time, the data line 310
Is also formed.
【００２９】次に、図６（Ｃ）に示すように、層間絶縁
膜２０の表面全体にスパッタ法などにより形成したＩＴ
Ｏ膜をパターニングして透明導電膜４１を形成すると、
各画素領域２にＴＦＴが形成される。従って、このよう
に製造したアクティブマトリクス基板３を用いて液晶表
示装置１を構成すれば、図２（Ｃ）に示すように、アク
ティブマトリクス基板３の方から入射した光が透明導電
膜４１を透過する透過型液晶表示装置となる。Next, as shown in FIG. 6C, an IT formed by sputtering or the like over the entire surface of the interlayer insulating film 20 is formed.
When the transparent conductive film 41 is formed by patterning the O film,
A TFT is formed in each pixel region 2. Therefore, when the liquid crystal display device 1 is configured using the active matrix substrate 3 manufactured as described above, light incident from the active matrix substrate 3 passes through the transparent conductive film 41 as shown in FIG. This is a transmissive liquid crystal display device.
【００３０】これに対して、本形態では、図６（Ｃ）に
示す工程までを終えたアクティブマトリクス基板３を、
図７に示すように、無電解めっき浴８に浸漬し、図３お
よび図４に示したように、透明導電膜４１の表面にニッ
ケルめっき層４５Ａを形成する（無電解めっき工程）。On the other hand, in the present embodiment, the active matrix substrate 3 which has completed the steps shown in FIG.
As shown in FIG. 7, it is immersed in the electroless plating bath 8, and as shown in FIGS. 3 and 4, a nickel plating layer 45A is formed on the surface of the transparent conductive film 41 (electroless plating step).
【００３１】このように製造したアクティブマトリクス
基板３を用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２
（Ｂ）に示すように、対向基板７０の方から入射した光
がニッケルめっき層４５Ａで反射される反射型液晶表示
装置となる。従って、本形態によれば、図７に示した無
電解めっき工程においてニッケルめっき層４５Ａを形成
するか否かだけで、アクティブマトリクス基板３を反射
型液晶表示装置用と透過型液晶表示装置用とに使い分け
できる。すなわち、透明導電膜４１を形成するまでは共
通の工程で行い、しかる後に、図７に示した無電解めっ
き工程においてニッケルめっき層４５Ａを形成しなけれ
ばそのまま透過型液晶表示装置用のアクティブマトリク
ス基板３を製造できる。これに対して、透明導電膜４１
を形成した以降、図７に示した無電解めっき工程におい
てニッケルめっき層４５Ａを形成すれば、画素電極４０
が透明導電膜４１とニッケルめっき層４５Ａとから構成
された透過型液晶表示装置用のアクティブマトリクス基
板３を製造できる。よって、透過型液晶表示装置と反射
型液晶表示装置との間でアクティブマトリクス基板３の
製造工程の大部分を共通化することができるので、多品
種小ロットの液晶表示装置１の生産効率が向上するとい
う利点がある。If the liquid crystal display device 1 is constructed by using the active matrix substrate 3 manufactured as described above, FIG.
As shown in (B), a reflection type liquid crystal display device is obtained in which light incident from the counter substrate 70 is reflected by the nickel plating layer 45A. Therefore, according to this embodiment, the active matrix substrate 3 can be used for the reflection type liquid crystal display device and the transmission type liquid crystal display device only by forming the nickel plating layer 45A in the electroless plating step shown in FIG. Can be used properly. That is, the steps are performed in a common step until the transparent conductive film 41 is formed, and thereafter, if the nickel plating layer 45A is not formed in the electroless plating step shown in FIG. 3 can be manufactured. On the other hand, the transparent conductive film 41
Is formed, the nickel plating layer 45A is formed in the electroless plating step shown in FIG.
The active matrix substrate 3 for a transmission type liquid crystal display device, which is composed of the transparent conductive film 41 and the nickel plating layer 45A, can be manufactured. Therefore, since most of the manufacturing process of the active matrix substrate 3 can be shared between the transmission type liquid crystal display device and the reflection type liquid crystal display device, the production efficiency of the liquid crystal display device 1 of various kinds and small lots is improved. There is an advantage of doing so.
【００３２】なお、アクティブマトリクス基板３を製造
する際には、それを多数枚取りできる大型のガラス基板
（マザー基板）にＴＦＴアレイを作り込んだ後、それを
各アクティブマトリクス基板３に分割するのが一般的で
ある。このような場合でも、本形態では無電解めっき工
程でニッケルめっき層４５Ａを形成するので、給電する
必要がない。それ故、マザー基板の状態で、あるいはそ
れを分割した後のいずれにおいてもニッケルめっき層４
５Ａを形成できるという利点がある。When the active matrix substrate 3 is manufactured, a TFT array is formed on a large glass substrate (mother substrate) from which a large number of active matrix substrates 3 can be formed, and then the TFT array is divided into the respective active matrix substrates 3. Is common. Even in such a case, there is no need to supply power because the nickel plating layer 45A is formed in the electroless plating step in this embodiment. Therefore, in the state of the mother substrate or after dividing it, the nickel plating layer 4
There is an advantage that 5A can be formed.
【００３３】［実施の形態２］上記形態ではニッケルめ
っき層を無電解めっきにより形成したが、本形態では、
ニッケルめっき層を電解めっきにより形成する点のみが
相違する。従って、本形態の以下の説明では、上記形態
と共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそ
れらの詳細な説明を省略する。[Embodiment 2] In the above embodiment, the nickel plating layer is formed by electroless plating.
The only difference is that the nickel plating layer is formed by electrolytic plating. Therefore, in the following description of the present embodiment, portions having functions common to those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００３４】本形態でも、図１を参照して説明したよう
に、アクティブマトリクス基板３上に区画形成された各
画素領域２のそれぞれにＴＦＴ（画素用スイッチング素
子）が形成されている。このＴＦＴは、図３、４を参照
して説明したように、データ線３１０に電気的接続する
ソース領域１４、走査線１５０に電気的接続するゲート
電極１５、およびＩＴＯ膜からなる透明導電膜４１を備
える画素電極４０に電気的接続するドレイン領域１６を
有している。従って、透明導電膜４１だけから構成され
た画素電極４０を備えるアクティブマトリクス基板３を
用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２（Ｃ）に示す
ように、アクティブマトリクス基板３の方から入射した
光は、透明導電膜４１を透過して液晶層ＬＣで光変調さ
れた後、対向基板７０を透過して画像を表示するので、
透過型液晶表示装置を構成できる。Also in this embodiment, as described with reference to FIG. 1, a TFT (pixel switching element) is formed in each of the pixel regions 2 partitioned on the active matrix substrate 3. As described with reference to FIGS. 3 and 4, the TFT includes a source region 14 electrically connected to the data line 310, a gate electrode 15 electrically connected to the scanning line 150, and a transparent conductive film 41 made of an ITO film. And a drain region 16 electrically connected to the pixel electrode 40 having the same. Therefore, when the liquid crystal display device 1 is configured using the active matrix substrate 3 including the pixel electrodes 40 formed only of the transparent conductive films 41, the light is incident from the active matrix substrate 3 as shown in FIG. The transmitted light is transmitted through the transparent conductive film 41 and modulated by the liquid crystal layer LC, and then transmitted through the counter substrate 70 to display an image.
A transmission type liquid crystal display device can be configured.
【００３５】これに対して、本形態では、画素電極４０
は、透明導電膜４１と、この透明導電膜４１の表面に電
解めっきにより形成され、鏡面を備えたニッケルめっき
層４５Ｂとから構成されている。従って、この構造のア
クティブマトリクス基板３を用いて液晶表示装置１を構
成すれば、図２（Ｂ）に示すように、対向基板７０の方
から入射した光は、液晶層ＬＣで光変調された後、透明
導電膜４１の表面に形成されたニッケルめっき層４５Ｂ
の表面で反射され、対向基板７０を再び透過して画像を
表示するので、反射型液晶表示装置を構成できる。すな
わち、反射型液晶表示装置用のアクティブマトリクス基
板３であるにもかかわらず透明導電膜４１を形成してい
るがその代わりにその表面にニッケルめっき層４５Ｂを
形成したものを画素電極４０としているので、反射型液
晶表示装置用のアクティブマトリクス基板３として用い
ることができる。On the other hand, in the present embodiment, the pixel electrode 40
Is composed of a transparent conductive film 41 and a nickel plating layer 45B formed by electrolytic plating on the surface of the transparent conductive film 41 and having a mirror surface. Accordingly, when the liquid crystal display device 1 is configured using the active matrix substrate 3 having this structure, the light incident from the counter substrate 70 is modulated by the liquid crystal layer LC, as shown in FIG. Then, the nickel plating layer 45B formed on the surface of the transparent conductive film 41
The light is reflected by the surface of the liquid crystal panel, and is transmitted through the opposite substrate 70 again to display an image. Thus, a reflective liquid crystal display device can be configured. That is, although the transparent conductive film 41 is formed in spite of the active matrix substrate 3 for the reflection type liquid crystal display device, the pixel electrode 40 is formed by forming a nickel plating layer 45B on the surface instead. And an active matrix substrate 3 for a reflection type liquid crystal display device.
【００３６】このように構成したアクティブマトリクス
基板３の製造方法も、図５、図６を参照して説明した工
程までは実施の形態１と共通である。従って、図６
（Ｃ）を示す工程までを行っただけのアクティブマトリ
クス基板３を用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２
（Ｃ）に示すように、アクティブマトリクス基板３の方
から入射した光が透明導電膜４１を透過する透過型液晶
表示装置となる。The method of manufacturing the active matrix substrate 3 thus configured is the same as that of the first embodiment up to the steps described with reference to FIGS. Therefore, FIG.
If the liquid crystal display device 1 is constituted by using the active matrix substrate 3 which has only been subjected to the step shown in FIG.
As shown in (C), a transmission type liquid crystal display device in which light incident from the active matrix substrate 3 passes through the transparent conductive film 41 is obtained.
【００３７】これに対して、本形態では、図６（Ｃ）を
示す工程までを行ったアクティブマトリクス基板３を、
図８に示すように、電解めっき浴９に浸漬し、それに構
成されている端子群４および走査ドライバ部７から走査
線１５０を介してＴＦＴのゲート電極１５にオンレベル
のゲート電圧を印加してＴＦＴをオン状態とするととも
に、端子群４およびデータドライバ部６からデータ線３
１０およびＴＦＴを介して透明導電膜４１をマイナス電
位を印加する。この際には、アクティブマトリクス基板
３の各端子群４に接続する電極群が構成されたコネクタ
９１、このコネクタ９１を介して走査ドライバ部７およ
びデータドライバ部６に制御信号およびマイナス電位を
それぞれ供給する電源９２を用いる。その結果、アクテ
ィブマトリクス基板３は電解めっきが行われ、図３およ
び図４に示すように、透明導電膜４１の表面にはニッケ
ルめっき層４５Ｂが形成される。On the other hand, in this embodiment, the active matrix substrate 3 which has been subjected to the step shown in FIG.
As shown in FIG. 8, the terminal group 4 and the scan driver unit 7 immersed in the electrolytic plating bath 9 apply an on-level gate voltage to the gate electrode 15 of the TFT via the scan line 150. While the TFT is turned on, the terminal group 4 and the data driver 6
A negative potential is applied to the transparent conductive film 41 via the TFT 10 and the TFT. At this time, a control signal and a negative potential are supplied to the scanning driver unit 7 and the data driver unit 6 via the connector 91 having the electrode group connected to each terminal group 4 of the active matrix substrate 3. A power supply 92 is used. As a result, the active matrix substrate 3 is subjected to electrolytic plating, and a nickel plating layer 45B is formed on the surface of the transparent conductive film 41 as shown in FIGS.
【００３８】このように製造したアクティブマトリクス
基板３を用いて液晶表示装置１を構成すれば、図２
（Ｂ）に示すように、対向基板７０の方から入射した光
がニッケルめっき層４５Ａで反射される反射型液晶表示
装置となる。従って、本形態によれば、図８に示した電
解めっき工程においてニッケルめっき層４５Ｂを形成す
るか否かだけで、アクティブマトリクス基板３を反射型
液晶表示装置用と透過型液晶表示装置用とに使い分けで
きる。すなわち、透明導電膜４１を形成するまでは共通
の工程で行い、しかる後に、図８に示した電解めっき工
程においてニッケルめっき層４５Ｂを形成しなければそ
のまま透過型液晶表示装置用のアクティブマトリクス基
板３を製造でき、透明導電膜４１を形成した以降、図８
に示した電解めっき工程においてニッケルめっき層４５
Ｂを形成すれば、透過型液晶表示装置用のアクティブマ
トリクス基板３を製造できる。よって、透過型液晶表示
装置と反射型液晶表示装置との間でアクティブマトリク
ス基板３の製造工程の大部分を共通化することができ、
多品種小ロットの液晶表示装置１の生産効率が向上す
る。If the liquid crystal display device 1 is constructed using the active matrix substrate 3 manufactured as described above, FIG.
As shown in (B), a reflection type liquid crystal display device is obtained in which light incident from the counter substrate 70 is reflected by the nickel plating layer 45A. Therefore, according to this embodiment, the active matrix substrate 3 can be used for the reflection type liquid crystal display device and the transmission type liquid crystal display device only by forming the nickel plating layer 45B in the electrolytic plating process shown in FIG. You can use them properly. That is, a common process is performed until the transparent conductive film 41 is formed, and thereafter, if the nickel plating layer 45B is not formed in the electrolytic plating process shown in FIG. After forming the transparent conductive film 41, FIG.
In the electrolytic plating process shown in FIG.
By forming B, an active matrix substrate 3 for a transmission type liquid crystal display device can be manufactured. Therefore, most of the manufacturing process of the active matrix substrate 3 can be shared between the transmission type liquid crystal display device and the reflection type liquid crystal display device, and
The production efficiency of the liquid crystal display device 1 of a large variety of small lots is improved.
【００３９】また、本形態では、データ線３１０からの
給電により透明導電膜４１の表面にめっきを行うので、
データ線３１０に対してオープン状態にある透明導電膜
４１にはニッケルめっき層４５Ｂが形成されない。それ
故、透明導電膜４１を形成しただけでは透明であるため
検出できないような画素電極４０のオープンも、ニッケ
ルめっき層４５Ｂの有無を画像解析などの検査方法によ
り検出すれば、オープン状態にある画素電極４０（画
素）を検出できる。In this embodiment, since the surface of the transparent conductive film 41 is plated by power supply from the data line 310,
The nickel plating layer 45B is not formed on the transparent conductive film 41 which is open with respect to the data line 310. Therefore, the opening of the pixel electrode 40 that cannot be detected because it is transparent only by forming the transparent conductive film 41 can be detected by detecting the presence or absence of the nickel plating layer 45B by an inspection method such as image analysis. The electrode 40 (pixel) can be detected.
【００４０】なお、アクティブマトリクス基板３を製造
する際には、それを多数枚取りできる大型のガラス基板
（マザー基板）にＴＦＴアレイを作り込んだ後、それを
各アクティブマトリクス基板３に分割するのが一般的で
ある。このような場合でも、マザー基板において各アク
ティブマトリクス基板３に切断されるべき各領域には、
データドライバ部６、走査ドライバ部７、およびデータ
ドライバ部６や走査ドライバ部７にクロック信号や映像
信号などを入力するための端子群４が作り込まれてい
る。それ故、マザー基板からアクティブマトリクス基板
３を複数枚取りするような製造方法であっても、マザー
基板からアクティブマトリクス基板３を分割した後であ
れば、端子群４を利用して各ＴＦＴの透明導電膜４１へ
の給電を行うことができるので、各透明導電膜４１の表
面への電解めっきが可能である。When the active matrix substrate 3 is manufactured, a TFT array is formed on a large-sized glass substrate (mother substrate) from which a large number of the active matrix substrates 3 can be taken, and then divided into the respective active matrix substrates 3. Is common. Even in such a case, in each area of the mother substrate to be cut into each active matrix substrate 3,
The data driver unit 6, the scanning driver unit 7, and the terminal group 4 for inputting a clock signal, a video signal, and the like to the data driver unit 6 and the scanning driver unit 7 are formed. Therefore, even in a manufacturing method in which a plurality of active matrix substrates 3 are obtained from the mother substrate, if the active matrix substrate 3 is divided from the mother substrate, the transparent TFT Since power can be supplied to the conductive film 41, the surface of each transparent conductive film 41 can be electroplated.
【００４１】［その他の実施の形態］なお、上記のいず
れの形態でも透明導電膜４１の表面にニッケルめっき層
を形成した場合を例に説明したが、その他の金属層でも
よいことは勿論である。[Other Embodiments] In each of the above embodiments, the case where the nickel plating layer is formed on the surface of the transparent conductive film 41 has been described as an example, but it is needless to say that other metal layers may be used. .
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では反射型
液晶表示装置であるにもかかわらず、画素電極を形成す
るにあたって透明導電膜を形成する代わりに、この透明
導電膜の表面にめっき層を形成したことに特徴を有す
る。従って、本発明によれば、透明導電膜を形成した以
降、その表面にめっき層を形成しなければそのまま透過
型液晶表示装置用として使用でき、その表面にめっき層
さえ形成すれば反射型液晶表示装置用として使用でき
る。それ故、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置
との間でアクティブマトリクス基板の製造工程の大部分
を共通化することができるので、多品種小ロットの場合
に生産効率が向上する。As described above, in spite of the fact that the present invention is a reflection type liquid crystal display device, instead of forming a transparent conductive film when forming a pixel electrode, a plating layer is formed on the surface of the transparent conductive film. It is characterized by having formed. Therefore, according to the present invention, after forming a transparent conductive film, if a plating layer is not formed on the surface, it can be used as it is for a transmission type liquid crystal display device, and if only a plating layer is formed on the surface, a reflection type liquid crystal display can be used. Can be used for equipment. Therefore, most of the manufacturing process of the active matrix substrate can be shared between the transmission type liquid crystal display device and the reflection type liquid crystal display device, so that the production efficiency is improved in the case of a large variety of small lots.
【００４３】走査線を介してＴＦＴをオン状態としこの
状態でデータ線からＴＦＴを介して透明導電膜に給電し
て電解めっきを行う場合には、データ線に対してオープ
ン状態にある透明導電膜にはめっき層が形成されない。
それ故、透明導電膜を形成しただけでは透明であるため
検出できないような画素電極のオープンも、電解めっき
層の有無を画像解析などの方法により検出すれば確実に
検出できる。In the case where the TFT is turned on via the scanning line and electrolytic plating is performed by supplying power from the data line to the transparent conductive film via the TFT in this state, the transparent conductive film which is open with respect to the data line is used. No plating layer is formed.
Therefore, the opening of the pixel electrode, which cannot be detected because it is transparent only by forming the transparent conductive film, can be reliably detected by detecting the presence or absence of the electrolytic plating layer by a method such as image analysis.
【図１】液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の構
成を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of an active matrix substrate of a liquid crystal display device.
【図２】（Ａ）は液晶表示装置の構成を模式的に示す平
面図、（Ｂ）は反射型液晶表示装置の原理を模式的に示
す平面図、（Ｃ）は透過型液晶表示装置の原理を模式的
に示す平面図である。2A is a plan view schematically showing the configuration of a liquid crystal display device, FIG. 2B is a plan view schematically showing the principle of a reflection type liquid crystal display device, and FIG. It is a top view which shows a principle typically.
【図３】本発明の実施の形態１、２に係る液晶表示装置
用アクティブマトリクス基板に区画形成されている画素
領域の一部を拡大して示す平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view showing a part of a pixel region partitioned on an active matrix substrate for a liquid crystal display device according to Embodiments 1 and 2 of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態１、２に係る液晶表示装置
用アクティブマトリクス基板を図３のＸ−Ｘ′線に相当
する位置で切断したときの縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view when the active matrix substrate for a liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention is cut at a position corresponding to line XX ′ in FIG.
【図５】図３および図４に示すアクティブマトリクス基
板の製造方法を示す工程断面図である。FIG. 5 is a process sectional view illustrating the method of manufacturing the active matrix substrate illustrated in FIGS. 3 and 4.
【図６】図３および図４に示すアクティブマトリクス基
板の製造方法において、図５に示す工程以降に行う各工
程の工程断面図である。6 is a process cross-sectional view of each process performed after the process shown in FIG. 5 in the method of manufacturing the active matrix substrate shown in FIGS. 3 and 4.
【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置用ア
クティブマトリクス基板の製造方法において図６に示す
工程の後に行う無電解めっき工程を模式的に示す説明図
である。FIG. 7 is an explanatory view schematically showing an electroless plating step performed after the step shown in FIG. 6 in the method for manufacturing an active matrix substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置用ア
クティブマトリクス基板の製造方法において図６に示す
工程の後に行う電解めっき工程を模式的に示す説明図で
ある。FIG. 8 is an explanatory view schematically showing an electrolytic plating step performed after the step shown in FIG. 6 in the method for manufacturing an active matrix substrate for a liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.
【図９】従来の液晶表示装置用アクティブマトリクス基
板の縦断面図である。FIG. 9 is a longitudinal sectional view of a conventional active matrix substrate for a liquid crystal display device.
１ 液晶表示装置 ２ 画素領域 ３ アクティブマトリクス基板 ４ 端子群 ６ データドライバ部 ７ 走査ドライバ部 １０ 絶縁基板 １３ ゲート絶縁膜 １４ ソース領域 １５ ゲート電極 １６ ドレイン領域 １７ チャネル領域 ３１ ソース電極 ４０ 画素電極 ４１ 透明導電膜 ４５Ａ、４５Ｂ ニッケルめっき層 ７０ 対向基板 １５０ 走査線 ３１０ データ線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device 2 Pixel area 3 Active matrix substrate 4 Terminal group 6 Data driver part 7 Scan driver part 10 Insulating substrate 13 Gate insulating film 14 Source area 15 Gate electrode 16 Drain area 17 Channel area 31 Source electrode 40 Pixel electrode 41 Transparent conductive Film 45A, 45B Nickel plating layer 70 Counter substrate 150 Scan line 310 Data line
Claims (4)
一対の基板のうちの一方の基板上にマトリクス状に形成
されたデータ線および走査線と、前記一方の基板上で前
記データ線に電気的接続するソース領域、前記走査線に
電気的接続するゲート電極、および画素電極に電気的接
続するドレイン領域を備える薄膜トランジスタとを有す
る反射型液晶表示装置において、 前記画素電極は、透明導電膜と、該透明導電膜の表面に
形成された無電解めっき層とを備えていることを特徴と
する反射型液晶表示装置。1. A liquid crystal sealed between a pair of substrates, a data line and a scanning line formed in a matrix on one of the pair of substrates, and the data line on the one substrate. A reflection type liquid crystal display device comprising: a thin film transistor having a source region electrically connected to the scan line, a gate electrode electrically connected to the scan line, and a drain region electrically connected to the pixel electrode. And a non-electrolytic plating layer formed on the surface of the transparent conductive film.
一対の基板のうちの一方の基板上にマトリクス状に形成
されたデータ線および走査線と、前記一方の基板上で前
記データ線に電気的接続するソース領域、前記走査線に
電気的接続するゲート電極、および画素電極に電気的接
続するドレイン領域を備える薄膜トランジスタとを有す
る反射型液晶表示装置において、 前記画素電極は、透明導電膜と、該透明導電膜の表面に
形成された電解めっき層とを備えていることを特徴とす
る反射型液晶表示装置。2. A liquid crystal sealed between a pair of substrates, data lines and scanning lines formed in a matrix on one of the pair of substrates, and the data line on the one substrate. A reflection type liquid crystal display device comprising: a thin film transistor having a source region electrically connected to the scan line, a gate electrode electrically connected to the scan line, and a drain region electrically connected to the pixel electrode. A reflective liquid crystal display device comprising: a transparent conductive film; and an electrolytic plating layer formed on a surface of the transparent conductive film.
の製造方法において、前記透明導電膜を形成した後、該
透明導電膜表面に無電解めっきを行って前記無電解めっ
き層を形成することを特徴とする反射型液晶表示装置の
製造方法。3. The method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein after forming the transparent conductive film, the surface of the transparent conductive film is subjected to electroless plating to form the electroless plated layer. A method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device, comprising:
の製造方法において、前記透明導電膜を形成した後、前
記走査線を介して前記薄膜トランジスタをオン状態とし
この状態で前記データ線から給電することにより前記透
明導電膜の表面に電解めっきを行って前記電解めっき層
を形成することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造
方法。4. The method for manufacturing a reflective liquid crystal display device according to claim 2, wherein after forming the transparent conductive film, the thin film transistor is turned on via the scanning line, and power is supplied from the data line in this state. Performing a process of electroplating the surface of the transparent conductive film to form the electroplating layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24534596A JPH1090711A (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Reflection type liquid crystal display device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24534596A JPH1090711A (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Reflection type liquid crystal display device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090711A true JPH1090711A (en) | 1998-04-10 |
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|---|---|---|---|
| JP24534596A Withdrawn JPH1090711A (en) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | Reflection type liquid crystal display device and its manufacture |
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|---|---|
| JP (1) | JPH1090711A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933533B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6953951B2 (en) * | 2000-12-11 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| KR100529985B1 (en) * | 2000-03-31 | 2005-11-22 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device and defect correction method therefor |
| US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US7102231B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP24534596A patent/JPH1090711A/en not_active Withdrawn
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529985B1 (en) * | 2000-03-31 | 2005-11-22 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device and defect correction method therefor |
| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US6953951B2 (en) * | 2000-12-11 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US10665610B2 (en) | 2000-12-11 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9666601B2 (en) | 2000-12-11 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9793335B2 (en) | 2000-12-21 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6933533B2 (en) | 2000-12-21 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7417256B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8450851B2 (en) | 2002-09-20 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8749061B2 (en) | 2002-09-20 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7897973B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9082768B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7781772B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9622345B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7585761B2 (en) | 2002-09-20 | 2009-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US7102231B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9847386B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US10090373B2 (en) | 2002-09-20 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
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