JPH1090563A - Optical module and its production - Google Patents

Optical module and its production

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JPH1090563A
JPH1090563A JP24224196A JP24224196A JPH1090563A JP H1090563 A JPH1090563 A JP H1090563A JP 24224196 A JP24224196 A JP 24224196A JP 24224196 A JP24224196 A JP 24224196A JP H1090563 A JPH1090563 A JP H1090563A
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wafer
electric wiring
optical
optical module
optical waveguide
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module which is small in size, is simple in structure and is excellent in mass productivity and a process for producing the same. SOLUTION: Optical waveguides 21 and electric wirings 3 are arrayed and formed in a matrix form on an Si wafer 1 surface and an Si flat plate wafer 10 is stuck to this Si wafer 1 surface. The blade of a cutting machine cuts the optical waveguides 21 and the electric wirings 3 and cuts out the waveguides and wirings to rectangular parallelepipeds by each of the matrix units. The electrodes conducting to the electric wirings 3 exposed on the cut surfaces of the rectangular parallelepipeds are formed on the cut sections and front and rear surfaces of the rectangular parallelepipeds.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光モジュールお
よびその製造方法に関し、特に、小型であると共に構造
の簡易な量産性に優れた光モジュールおよびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an optical module which is small in size and simple in structure and excellent in mass productivity, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】光学素子を光モジュールパッケージ化す
る使用取り扱いの態様を図5ないし図7を参照して説明
する。図5において、光学素子である光導波路デバイス
2はケース7内に収容固定されえている。そして、この
光導波路デバイス2の近傍にはレンズ8が設置され、こ
のレンズ8を介してケース7に取り付けられる光ファイ
バ40と光導波路デバイス2との間の光の入出力をして
いる。30は入出力電気端子である。
2. Description of the Related Art A mode of use and handling for packaging an optical element into an optical module will be described with reference to FIGS. In FIG. 5, an optical waveguide device 2 as an optical element is housed and fixed in a case 7. A lens 8 is provided near the optical waveguide device 2, and inputs and outputs light between the optical fiber 40 attached to the case 7 and the optical waveguide device 2 via the lens 8. Reference numeral 30 denotes an input / output electric terminal.

【0003】図6において、Siウェハ1その他の基板
に光学素子6を接着剤4により取り付けて金属キャップ
の如きケース7内に気密封止し、ケース7内部の光学素
子6近傍に取り付けたボールレンズの如きレンズ体8を
介して光信号を入出力している。30は入出力電気端子
であり、60は光を入出力するガラス窓である。図7は
Siより成る実装基板1’およびSiより成る押さえ基
板10’を接合して構成されるケース内に光学素子6を
収容実装して光モジュールパッケージ全体を小型、簡易
化することが行われている。40は光を入出力する光フ
ァイバである。
In FIG. 6, a ball lens attached to an Si wafer 1 or other substrate with an adhesive 4 and hermetically sealed in a case 7 such as a metal cap, and attached to the vicinity of the optical element 6 inside the case 7 Optical signals are input and output through a lens body 8 as shown in FIG. Reference numeral 30 denotes an input / output electric terminal, and reference numeral 60 denotes a glass window for inputting / outputting light. FIG. 7 shows that the optical element 6 is housed and mounted in a case constituted by bonding a mounting substrate 1 'made of Si and a holding substrate 10' made of Si, so that the entire optical module package is reduced in size and simplified. ing. 40 is an optical fiber for inputting and outputting light.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述した通り、光モジ
ュールは図5ないし図7により図示説明される如く使用
取り扱いされている。しかし、これらは何れも、パッケ
ージ化するに際して出来上がりの形状構造が大型複雑と
なる上に、組み立てに多数の工数を必要とする。図7の
構成を採用する場合、光モジュールパッケージ外形を多
少は小型化することはできるが、実装基板1’および押
さえ基板10’を光モジュールの大きさに切り出した後
に、光ファイバを取り付けて貼り合わせる加工を実施す
るものであり、必ずしも量産性が良好であるとはいい難
い。
As described above, the optical module is used and handled as shown and described with reference to FIGS. However, all of them require a large number of man-hours for assembling, in addition to a large and complicated finished structure when packaged. When the configuration shown in FIG. 7 is adopted, the outer shape of the optical module package can be reduced somewhat, but the mounting substrate 1 ′ and the holding substrate 10 ′ are cut out to the size of the optical module, and then an optical fiber is attached and attached. It is a process of combining, and it is difficult to say that the mass productivity is always good.

【0005】この発明は、上述の問題を解消した量産性
に優れ、取り扱いが容易である小型簡易な構造の光モジ
ュールおよびその製造方法を提供するものである。
An object of the present invention is to provide an optical module having a small and simple structure which is excellent in mass productivity and which is easy to handle and which solves the above-mentioned problems, and a method of manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】一方の表面に光導波路2
1および電気配線3を形成されるSiウェハ1を具備
し、光導波路21および電気配線3の端面はSiウェハ
1の側面に露出しており、Siウェハ1の一方の表面に
貼り付けられたSi平板ウェハ10を具備し、電気配線
3が露出するSiウェハ1の側面および上下面に亘って
連続成膜される電極300を具備し、電極300には電
気配線3の端面が接続している光モジュールを構成し
た。
An optical waveguide 2 is provided on one surface.
1 and the Si wafer 1 on which the electric wiring 3 is formed, and the end faces of the optical waveguide 21 and the electric wiring 3 are exposed on the side surface of the Si wafer 1, and are attached to one surface of the Si wafer 1. It has a flat wafer 10 and an electrode 300 that is continuously formed on the side surface and the upper and lower surfaces of the Si wafer 1 where the electric wiring 3 is exposed, and a light whose end face is connected to the electrode 300. Configured the module.

【0007】そして、表面にSi平板ウェハ10を貼り
付けたSiウェハ1を複数段重ねて貼り付けて一体化し
た光モジュールを構成した。また、一方の表面に光導波
路21および電気配線3を形成されると共に光学素子を
搭載したSiウェハ1を具備し、光導波路21および電
気配線3の端面はSiウェハ1の側面に露出しており、
中央部に凹部を形成しSiウェハ1の一方の表面に貼り
付けられたエッチングSiウェハ5を具備し、電気配線
3が露出するSiウェハ1の側面および上下面に亘って
連続成膜される電極300を具備し、電極300には電
気配線3の端面が接続している光モジュールを構成し
た。
[0007] Then, an optical module was constructed in which a plurality of Si wafers 1 each having a Si flat plate wafer 10 adhered to the surface were laminated and adhered. Further, the optical waveguide 21 and the electric wiring 3 are formed on one surface, and the Si wafer 1 on which the optical element is mounted is provided. The end faces of the optical waveguide 21 and the electric wiring 3 are exposed on the side surfaces of the Si wafer 1. ,
An electrode having a concave portion formed in the center and having an etched Si wafer 5 attached to one surface of the Si wafer 1, and having a film continuously formed on the side surface and the upper and lower surfaces of the Si wafer 1 where the electric wiring 3 is exposed. An optical module was provided, comprising an electrode 300 and an end face of the electric wiring 3 connected to the electrode 300.

【0008】更に、表面の中央部に凹部を形成したエッ
チングSiウェハ5を貼付けたSiウェハ1を複数段重
ねて貼り付けて一体化した光モジュールを構成した。こ
こで、Siウェハ1表面に光導波路21および電気配線
3をマトリクス状に配列形成し、このSiウェハ1表面
にSi平板ウェハ10を貼り付け、次いで、切断機の刃
が光導波路21および電気配線3を切断してマトリクス
単位毎に直方体に切り出し、直方体の切断面に露出した
電気配線3と導通する電極300を直方体の当該切断面
および上下面に形成する光モジュールの製造方法を構成
した。
Further, an optical module was constructed in which a plurality of Si wafers 1 to which an etched Si wafer 5 having a concave portion formed in the center of the surface were bonded were laminated and bonded. Here, the optical waveguides 21 and the electrical wirings 3 are arranged and formed in a matrix on the surface of the Si wafer 1, and the Si flat wafer 10 is attached to the surface of the Si wafer 1. 3 is cut into a rectangular parallelepiped for each matrix unit, and an electrode 300 is formed on the cut surface and the upper and lower surfaces of the rectangular parallelepiped to form the electrodes 300 that are electrically connected to the electric wires 3 exposed on the cut surface of the rectangular parallelepiped.

【0009】そして、表面にSi平板ウェハ10を貼り
付けたSiウェハ1を複数段重ねて貼り付けてから直方
体に切り出し、電極300を形成した光モジュールの製
造方法を構成した。また、Siウェハ1表面に光導波路
21および電気配線3をマトリクス状に配列形成し、各
マトリクス単位毎に光学素子を搭載し、このSiウェハ
1表面に中央部に凹部を予め形成したエッチングSiウ
ェハ5を貼り付け、次いで、切断機の刃が光導波路21
および電気配線3を切断してマトリクス単位毎に直方体
に切り出し、直方体の切断面に露出した電気配線3と導
通する電極300を直方体の当該切断面および上下面に
形成する光モジュールの製造方法を構成した。
Then, a method of manufacturing an optical module in which electrodes 300 are formed by forming a plurality of Si wafers 1 each having a flat Si wafer 10 adhered to the surface thereof, attaching the Si wafers 1 to one another, and cutting out the rectangular parallelepiped. Also, an optical waveguide 21 and electric wires 3 are arranged and formed in a matrix on the surface of the Si wafer 1, an optical element is mounted for each matrix unit, and an etched Si wafer in which a concave portion is formed in the center of the surface of the Si wafer 1 in advance. 5 and then the blade of the cutting machine
And a method for manufacturing an optical module in which the electric wiring 3 is cut and cut into a rectangular parallelepiped for each matrix unit, and the electrodes 300 electrically connected to the electric wiring 3 exposed on the cut surface of the rectangular solid are formed on the cut surface and the upper and lower surfaces of the rectangular solid. did.

【0010】更に、表面の中央部に凹部を予め形成した
エッチングSiウェハ5を貼り付けたSiウェハ1を複
数段重ねて貼り付けてから直方体に切り出し、電極30
0を形成した光モジュールの製造方法を構成した。
Further, a plurality of Si wafers 1 on which an etched Si wafer 5 having a concave portion formed in the center of the surface is attached in advance are laminated and attached, and then cut into a rectangular parallelepiped.
Thus, a method for manufacturing an optical module in which a zero was formed was constructed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1およ
び図2を参照して説明する。図1および図2は光モジュ
ールパッケージの構成要素である光導波路デバイス2の
製造工程を説明する図である。図1(a)において、光
導波路21および電気配線3がSiウェハ1の表面にマ
トリクス状に形成されている。これらマトリクス状に形
成された光導波路21および電気配線3の拡大した構成
は(a)の右上に示される如きものである。光導波路2
1は、火災堆積法により形成された石英導波路、透明合
成樹脂により形成されたポリマー導波路とすることがで
きる。電気配線3はスパッタリングその他の成膜技術に
より金属膜を形成した後にフォトリソグラフィによりパ
ターン形成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 and FIG. 2 are views for explaining a manufacturing process of the optical waveguide device 2 which is a component of the optical module package. In FIG. 1A, an optical waveguide 21 and an electric wiring 3 are formed in a matrix on the surface of a Si wafer 1. The enlarged configuration of the optical waveguide 21 and the electric wiring 3 formed in a matrix is as shown in the upper right of FIG. Optical waveguide 2
1 may be a quartz waveguide formed by a fire deposition method, or a polymer waveguide formed of a transparent synthetic resin. The electric wiring 3 is patterned by photolithography after forming a metal film by sputtering or another film forming technique.

【0012】図1(b)は、図1(a)のSiウェハ1
に更に一枚のSi平板ウェハ10を貼り合わせた状態の
ものを示す図である。接着剤4はSiウェハ1およびS
i平板ウェハ10相互の間に隙間を生ぜしめない様に塗
布する。図1(c)は、貼り合わせたSiウェハを光導
波路21に沿って切断した断面を示す図である。
FIG. 1B shows the Si wafer 1 shown in FIG.
FIG. 3 is a view showing a state in which one Si flat wafer 10 is further bonded to FIG. The adhesive 4 is composed of Si wafer 1 and S
The i-plate wafers 10 are applied so that no gap is formed between the i-plate wafers 10. FIG. 1C is a diagram showing a cross section of the bonded Si wafer cut along the optical waveguide 21.

【0013】図1(d)の右側面は(c)の右側面を視
たところを示す。(d)の左側面には光導波路21と直
交する電気配線3の断面が露出していることが判る。図
1(c)および図1(d)に示される如く、貼り合わせ
たSiウェハを切断して光導波路デバイス2を直方体に
切り出すに際して、切断機の刃が光導波路21および電
気配線3を切断し、光導波路21および電気配線3を断
面に露出させる。
The right side of FIG. 1D shows the right side of FIG. 1C. It can be seen that the cross section of the electric wiring 3 orthogonal to the optical waveguide 21 is exposed on the left side of FIG. As shown in FIGS. 1C and 1D, when the bonded Si wafer is cut and the optical waveguide device 2 is cut into a rectangular parallelepiped, the blade of the cutting machine cuts the optical waveguide 21 and the electric wiring 3. Then, the optical waveguide 21 and the electric wiring 3 are exposed in the cross section.

【0014】図2(e)において、直方体の光導波路デ
バイス2の電気配線3の露出した面にスパッタリングを
施して薄膜の電極300を形成する。図2(f)におい
て、電極300をフォトリソグラフィによりパターン形
成して電極300とする一方、光導波路21の露出した
面は研磨を施される。ここにおいて、光導波路デバイス
2は完成したことになる。
In FIG. 2E, the exposed surface of the electric wiring 3 of the rectangular parallelepiped optical waveguide device 2 is subjected to sputtering to form a thin-film electrode 300. In FIG. 2F, the electrode 300 is patterned by photolithography to form the electrode 300, while the exposed surface of the optical waveguide 21 is polished. Here, the optical waveguide device 2 is completed.

【0015】図3を参照して他の実施例を説明する。先
ず、図3(a)を参照するに、Siウェハ1表面に光導
波路21および電気配線3をマトリクス状に配列形成
し、そのマトリクス状に配列された各単位にレーザーダ
イオードその他の光学素子6を搭載する。これら光導波
路21、電気配線3および搭載された光学素子6の詳細
は右上に示される通りであり、光学素子6はリードワイ
ヤを介して電気配線3に接続する一方、光学素子6の対
して光導波路21がその端面を接近対向して形成されて
いる。ここで、図3(b)を参照するに、平板のSiウ
ェハ10の一方の面にマトリクス状にエッチングを施し
中央部に凹部51を形成したエッチングSiウェハ5を
示す。
Another embodiment will be described with reference to FIG. First, referring to FIG. 3 (a), optical waveguides 21 and electric wirings 3 are formed in a matrix on the surface of a Si wafer 1, and a laser diode and other optical elements 6 are arranged in each unit arranged in the matrix. Mount. The details of the optical waveguide 21, the electric wiring 3 and the mounted optical element 6 are as shown in the upper right. The optical element 6 is connected to the electric wiring 3 via a lead wire, while the optical element 6 A wave path 21 is formed with its end faces approaching and facing each other. Here, referring to FIG. 3B, there is shown an etched Si wafer 5 in which one surface of a flat Si wafer 10 is etched in a matrix and a concave portion 51 is formed in the center.

【0016】図4を参照するに、Siウェハ1の光導波
路21、電気配線3および光学素子6搭載面に先のエッ
チングウェハ5をエッチング面を搭載面側にして接着剤
により貼り合わせる。これを先の実施例と同様に直方体
に切り出し、電極300を形成して光モジュールパッケ
ージを構成する。ここで、この実施例は、光導波路21
および電気配線3を施したSiウェハ1の表面に光学素
子6を搭載するので、平板のSiウェハ10を貼り付け
ることはできない。そこで、上述した通り、マトリクス
状にエッチングを施して凹部51を形成したエッチング
ウェハ5を構成し、光学素子6がSiウェハ1表面から
突出していてもこれに接触しない構成としている。この
接着の際、接着剤はエッチングしたマトリクス形状に合
わせて格子状に塗布するが、塗布の幅を切断機の刃厚よ
りは大きくとるので、切り出された光モジュールパッケ
ージの封止は保持することができる。図4においては、
Siウェハ1にエッチングウェハ5を貼り合わせた状態
のものを、更に数段重ねて貼り付けてから直方体に切り
出し、切り出したものに電極300を形成したものであ
る。
Referring to FIG. 4, the etching wafer 5 is bonded to the optical waveguide 21, the electric wiring 3, and the optical element 6 mounting surface of the Si wafer 1 with an adhesive with the etching surface being the mounting surface side. This is cut into a rectangular parallelepiped as in the previous embodiment, and the electrodes 300 are formed to form an optical module package. In this embodiment, the optical waveguide 21
In addition, since the optical element 6 is mounted on the surface of the Si wafer 1 on which the electric wiring 3 is provided, the flat Si wafer 10 cannot be attached. Therefore, as described above, the etching wafer 5 in which the concave portions 51 are formed by performing etching in a matrix shape is formed, and even if the optical element 6 protrudes from the surface of the Si wafer 1, it does not contact the Si wafer. During this bonding, the adhesive is applied in a grid pattern according to the etched matrix shape, but the width of the coating is set to be larger than the blade thickness of the cutting machine, so the sealing of the cut out optical module package must be maintained. Can be. In FIG.
The silicon wafer 1 with the etching wafer 5 bonded thereto is further stacked in several layers and bonded, and then cut into a rectangular parallelepiped, and the cutout is formed with the electrode 300.

【0017】そして、他の側面および上下面には電極3
00が形成されており、この電極300を介してプリン
ト基板その他の外部回路に半田付けすることにより、光
学素子6に対する電気信号の入出力をすると共に、光モ
ジュールパッケージの固定を実施することができる。
The electrodes 3 are provided on the other side and upper and lower surfaces.
00 is formed, and by soldering to the printed circuit board and other external circuits via the electrodes 300, it is possible to input and output electric signals to and from the optical element 6 and to fix the optical module package. .

【0018】[0018]

【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、Si
ウェハ表面にマトリクス状に光導波路および電気配線を
形成し、更に、一枚のSiウェハを貼り合わせた後、直
方体に切断するので量産性に優れ、小型化した光モジュ
ールを提供することができる。そして、この発明は、光
導波路2を介して光信号を入出力しているので、Siウ
ェハ1の段階において電気配線3と同様にマトリクス状
に形成することができる。従って、2枚のSiウェハ1
を貼り合わせた後で、直方体形状に切断するので、量産
性に優れ、その切断面を光モジュール側壁とすることに
よりモジュールの小型化を実現することができる。
As described above, according to the present invention, Si
Since optical waveguides and electric wirings are formed in a matrix on the wafer surface, and a single Si wafer is bonded and then cut into a rectangular parallelepiped, it is possible to provide an optical module which is excellent in mass productivity and is downsized. In the present invention, optical signals are input and output via the optical waveguide 2, so that they can be formed in a matrix at the stage of the Si wafer 1, similarly to the electric wiring 3. Therefore, two Si wafers 1
After bonding, the optical module is cut into a rectangular parallelepiped shape, so that it is excellent in mass productivity, and the cut surface is used as the side wall of the optical module, so that the module can be downsized.

【0019】また、直方体形状に切り出す際に、光導波
路および電気配線を切断することによりその断面が直方
体側面に露出する。この露出した光導波路端面を光学研
磨することによりその端面より光信号の入出力をするこ
とができる。更に、電気配線が露出した端面に接続して
電極を形成することにより、電気信号の入出力部の形成
は容易である。
When the optical waveguide and the electric wiring are cut into a rectangular parallelepiped shape, the cross section is exposed on the side surface of the rectangular parallelepiped. By optically polishing the exposed end face of the optical waveguide, an optical signal can be input / output from the end face. Further, by forming an electrode by connecting to the exposed end surface of the electric wiring, it is easy to form an input / output portion of an electric signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例を説明する図。FIG. 1 illustrates an embodiment.

【図2】図1の続き。FIG. 2 is a continuation of FIG. 1;

【図3】他の実施例を説明する図。FIG. 3 is a diagram illustrating another embodiment.

【図4】3段重ねにして切り出した光モジュールパッケ
ージの斜視図。
FIG. 4 is a perspective view of an optical module package cut out in a three-tiered configuration.

【図5】従来例を説明する図。FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional example.

【図6】他の従来例を説明する図。FIG. 6 is a diagram illustrating another conventional example.

【図7】更なる従来例を説明する図。FIG. 7 is a diagram illustrating a further conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 Siウェハ 2 光導波路デバイス 3 電気配線 4 接着剤 5 エッチングSiウェハ 6 光学素子 10 Si平板ウェハ 21 光導波路 51 凹部 300 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Si wafer 2 Optical waveguide device 3 Electric wiring 4 Adhesive 5 Etched Si wafer 6 Optical element 10 Si flat wafer 21 Optical waveguide 51 Depression 300 Electrode

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方の表面に光導波路および電気配線を
形成されるSiウェハを具備し、光導波路および電気配
線の端面はSiウェハの側面に露出しており、 Siウェハの一方の表面に貼り付けられたSi平板ウェ
ハを具備し、 電気配線が露出するSiウェハの側面および上下面に亘
って連続成膜される電極を具備し、電極には電気配線の
端面が接続していることを特徴とする光モジュール。
An Si wafer having an optical waveguide and an electric wiring formed on one surface thereof, wherein end faces of the optical waveguide and the electric wiring are exposed on side surfaces of the Si wafer, and are attached to one surface of the Si wafer. A silicon flat wafer attached thereto, electrodes provided continuously on the side surfaces and upper and lower surfaces of the Si wafer on which the electric wiring is exposed, and an end face of the electric wiring is connected to the electrode. Optical module.
【請求項2】 請求項1に記載される光モジュールおい
て、 表面にSi平板ウェハを貼り付けたSiウェハを複数段
重ねて貼り付けて一体化したことを特徴とする光モジュ
ール。
2. The optical module according to claim 1, wherein a plurality of Si wafers each having a flat Si wafer bonded to the surface are stacked and bonded.
【請求項3】 一方の表面に光導波路および電気配線を
形成されると共に光学素子を搭載したSiウェハを具備
し、光導波路および電気配線の端面はSiウェハの側面
に露出しており、 中央部に凹部を形成しSiウェハの一方の表面に貼り付
けられたエッチングSiウェハを具備し、 電気配線が露出するSiウェハの側面および上下面に亘
って連続成膜される電極を具備し、電極には電気配線の
端面が接続していることを特徴とする光モジュール。
3. An optical waveguide and electric wiring are formed on one surface, and a Si wafer having an optical element mounted thereon is provided. End faces of the optical waveguide and electric wiring are exposed on side surfaces of the Si wafer. An etched Si wafer having a concave portion formed thereon and attached to one surface of the Si wafer, comprising an electrode that is continuously formed on the side and upper and lower surfaces of the Si wafer where electric wiring is exposed, Is an optical module wherein the end faces of the electric wiring are connected.
【請求項4】 請求項3に記載される光モジュールおい
て、 表面の中央部に凹部を形成したエッチングSiウェハを
貼り付けたSiウェハを複数段重ねて貼り付けて一体化
したことを特徴とする光モジュール。
4. The optical module according to claim 3, wherein a plurality of Si wafers to which an etched Si wafer having a concave portion formed in the center of the surface are attached are laminated and attached. Optical module.
【請求項5】 Siウェハ表面に光導波路および電気配
線をマトリクス状に配列形成し、このSiウェハ表面に
Si平板ウェハを貼り付け、次いで切断機の刃が光導波
路および電気配線を切断してマトリクス単位毎に直方体
に切り出し、直方体の切断面に露出した電気配線と導通
する電極を直方体の当該切断面および上下面に形成する
ことを特徴とする光モジュールの製造方法。
5. An optical waveguide and electric wiring are arranged and formed in a matrix on a surface of a Si wafer, and a Si flat wafer is attached to the surface of the Si wafer, and then a blade of a cutting machine cuts the optical waveguide and the electric wiring to form a matrix. A method for manufacturing an optical module, comprising cutting out a rectangular parallelepiped for each unit, and forming electrodes, which are electrically connected to the electric wiring exposed on the cut surface of the rectangular parallelepiped, on the cut surface and the upper and lower surfaces of the rectangular parallelepiped.
【請求項6】 請求項5に記載される光モジュールの製
造方法おいて、 表面にSi平板ウェハを貼り付けたSiウェハを複数段
重ねて貼り付けてから直方体に切り出し、電極を形成し
たことを特徴とする光モジュールの製造方法。
6. The method for manufacturing an optical module according to claim 5, wherein a plurality of Si wafers each having a Si flat wafer bonded to the surface are stacked and bonded, and then cut into a rectangular parallelepiped to form electrodes. A method of manufacturing an optical module.
【請求項7】 Siウェハ表面に光導波路および電気配
線をマトリクス状に配列形成し、この各マトリクス単位
毎に光学素子を搭載し、このSiウェハ表面に中央部に
凹部を予め形成したエッチングSiウェハを貼り付け、
次いで、切断機の刃が光導波路および電気配線を切断し
てマトリクス単位毎に直方体に切り出し、直方体の切断
面に露出した電気配線と導通する電極を直方体の当該切
断面および上下面に形成することを特徴とする光モジュ
ールの製造方法。
7. An etched Si wafer in which optical waveguides and electric wirings are arranged in a matrix on the surface of a Si wafer, optical elements are mounted for each matrix unit, and a concave portion is formed in the center of the Si wafer in advance. Paste,
Next, the blade of the cutting machine cuts the optical waveguide and the electric wiring, cuts out each rectangular unit into a rectangular parallelepiped, and forms electrodes that are electrically connected to the electric wiring exposed on the cut surface of the rectangular parallelepiped on the cut surface and the upper and lower surfaces of the rectangular solid. A method for manufacturing an optical module, comprising:
【請求項8】 請求項7に記載される光モジュールの製
造方法おいて、 表面の中央部に凹部を予め形成したエッチングSiウェ
ハを貼り付けたSiウェハを複数段重ねて貼り付けてか
ら直方体に切り出し、電極を形成したことを特徴とする
光モジュールの製造方法。
8. The method for manufacturing an optical module according to claim 7, wherein a plurality of Si wafers on which an etched Si wafer having a concave portion formed in advance at the center of the surface is bonded are stacked in a plurality of stages, and then the rectangular parallelepiped is formed. A method for manufacturing an optical module, comprising cutting out and forming electrodes.
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