JPH1088323A - Material for vapor deposition of silicon, its production and production of vapor deposited silicon film - Google Patents
Material for vapor deposition of silicon, its production and production of vapor deposited silicon filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度のシリコン
蒸着膜を形成するために使用するシリコン蒸着用材，及
びその製造方法，及びシリコン蒸着フィルムの製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material for silicon deposition used for forming a high-purity silicon deposited film, a method for producing the same, and a method for producing a silicon deposited film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属シリコン（Ｓｉ）は、酸素に次いで
多く地中に存在し、その主原鉱である珪石は世界各国で
産出されている。しかしながら化学的精製，物理的精製
ともに格段の困難を伴うために、高純度の金属シリコン
を得ることは非常に困難である。一般に化学的精製は、
精製が容易なハロゲン化物，水素化物で行い、これらを
還元，又は熱分解することにより行われている。シリコ
ンは溶融状態（融点1410℃）で化学的に著しく活性であ
るから物理的精製，単結晶製作に際しても技術的に困難
な点が多い。精製過程における汚染の原因となる因子は
できるだけ少なくすることが必要であり、使用する試
薬，容器，装置部品などには十分に留意することが重要
である。2. Description of the Related Art Metallic silicon (Si) is present in the ground next to oxygen, and its main ore, silica, is produced in various countries around the world. However, it is extremely difficult to obtain high-purity metallic silicon because both chemical and physical refining are extremely difficult. In general, chemical purification
The purification is carried out by using halides and hydrides which are easy to purify, and by reducing or thermally decomposing them. Silicon is chemically extremely active in a molten state (melting point: 1410 ° C.), and thus has many technical difficulties in physical refining and single crystal production. It is necessary to minimize the factors that cause contamination in the purification process, and it is important to pay close attention to the reagents, containers, and equipment used.
【０００３】高純度シリコンの原料は、珪石をアーク還
元して得られる工業用シリコン（97〜98％）を用いる場
合の他に、チタン工業の副産物である四塩化ケイ素 (Ｓ
ｉＣｌ4 ) を用いる場合がある。高純度シリコンの初生
原料である珪石は、Ｆｅ，Ａｌ等の不純物が少ないシリ
カ（ＳｉＯ2 ) 純度99.5％以上であることが要求され、
石炭，コークス，又は木片等の炭材を混合し、アーク炉
内で加熱（1500〜2000℃）、溶融することにより下記の
還元反応が起こり、金属級シリコン（メタルシリコン）
が得られる。 ＳｉＯ2 ＋２Ｃ→Ｓｉ＋２ＣＯ 表１に工業用シリコンの成分を示す。不純物としてはＡ
ｌ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｂ等の物質が含まれる場合もある。ま
たメタルシリコン中の不純物を表２に示す。[0003] The raw material of high-purity silicon is not only the case where industrial silicon (97-98%) obtained by arc reduction of silica stone is used, but also silicon tetrachloride (S) which is a by-product of titanium industry.
iCl 4 ) may be used. Silica, which is the primary raw material of high-purity silicon, is required to have a silica (SiO 2 ) purity of 99.5% or more with few impurities such as Fe and Al.
By mixing carbon materials such as coal, coke, or wood chips, heating (1500-2000 ° C) and melting in an arc furnace, the following reduction reaction occurs, and metal-grade silicon (metal silicon)
Is obtained. SiO 2 + 2C → Si + 2CO Table 1 shows the components of industrial silicon. A as an impurity
Materials such as 1, Ca, Mg, and B may be included. Table 2 shows impurities in the metal silicon.
【０００４】[0004]
【表１】 [Table 1]
【０００５】[0005]
【表２】 [Table 2]
【０００６】一酸化ケイ素（ＳｉＯ），二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2 ）を主材料とした材料からなる酸化ケイ素系
薄膜は、電気絶縁用，機械保護用として優れた特性を発
揮することから、エレクトロニクス及び光学の分野にお
ける包装材料の蒸着薄膜として従来から使用されてい
る。また酸化ケイ素系薄膜は、食品包装に適した透明性
及びガスバリア性を有するため、食品包装用材料の表面
被覆用としての使用が増大しつつある。A silicon oxide-based thin film composed mainly of silicon monoxide (SiO) or silicon dioxide (SiO 2 ) exhibits excellent properties for electrical insulation and mechanical protection. Has been conventionally used as a vapor-deposited thin film of a packaging material in the field of (1). Further, since the silicon oxide-based thin film has transparency and gas barrier properties suitable for food packaging, its use as a surface coating for food packaging materials is increasing.
【０００７】酸化ケイ素系薄膜を形成する方法として
は、粉末状，粒状，塊状の一酸化ケイ素を加熱し、真空
蒸着させて包装材料の表面に蒸着させる方法が周知であ
る。しかしながらこの方法で形成された一酸化ケイ素蒸
着膜は、屈折率が 2.0〜 2.2であり、また膜内の分子構
造に多くの酸素欠陥を有するために、膜内で光の吸収，
散乱を起こして褐色を呈し透明性はあまり優れない。膜
の透明性には膜組成が大きく影響し、膜組成をＳｉＯX
とした場合、ｘが１に近いほど褐色を呈し、ｘが２に近
いほど透明であることが分かっている。またこの方法で
使用する一酸化ケイ素は、製造工程が複雑であり生産性
が悪いため、価格が高い。そのため原材料費が大きくな
り、製造コストの削減には限界がある。As a method for forming a silicon oxide-based thin film, a method is known in which powdery, granular, or massive silicon monoxide is heated, vacuum-deposited, and deposited on the surface of a packaging material. However, the silicon monoxide vapor-deposited film formed by this method has a refractive index of 2.0 to 2.2, and has many oxygen defects in the molecular structure in the film.
It is scattered to give a brown color and the transparency is not so good. Film composition significantly affect the transparency of the film, SiO X film composition
It is known that when x is closer to 1, the color becomes browner, and as x is closer to 2, the color becomes more transparent. Further, silicon monoxide used in this method is expensive due to complicated production steps and poor productivity. As a result, the cost of raw materials increases, and there is a limit to the reduction in manufacturing costs.
【０００８】さらに特開平２−122924号公報には、酸化
ケイ素系混合材料として、例えばＳｉＯ＋Ｓｉ2 Ｏ3 ＋
ＳｉＯ2 の混合材料を、電子ビーム加熱によって真空蒸
着させることにより、フィルムの表面に蒸着膜を形成す
る方法が開示されている。この方法は、上述したように
製造が困難であるＳｉＯを使用するという問題点の他
に、ＳｉＯとＳｉＯ2 とでは蒸気圧が異なり、ＳｉＯ2
の蒸気圧はＳｉＯのそれより低いという問題点を有す
る。従って蒸着時の蒸発速度が低く制限され生産性に優
れないという問題がある。Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2-122924 discloses, for example, SiO + Si 2 O 3 +
There is disclosed a method of forming a vapor-deposited film on the surface of a film by vacuum-depositing a mixed material of SiO 2 by electron beam heating. This method, in addition to the problem of using SiO difficult to manufacture as described above, vapor pressure varies in the SiO and SiO 2, SiO 2
Has a problem that its vapor pressure is lower than that of SiO. Therefore, there is a problem that the evaporation rate at the time of vapor deposition is low and the productivity is not excellent.
【０００９】また特開昭63−310961号公報，特開昭63−
166965号公報には、金属ケイ素及び酸化ケイ素、例えば
Ｓｉ及びＳｉＯ2 を出発原料としてこれらを混合し、加
熱によって真空蒸着させてフィルムの表面にＳｉＯX 膜
を形成する方法が開示されている。この方法で得られる
蒸着膜は組成が不均一であり、蒸発特性も良くないため
に特性が良好な膜を得ることは困難である。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-310961,
The 166,965 discloses a metal silicon and silicon oxide, for example, Si and SiO 2 These were mixed as a starting material, a method of forming a SiO X film is disclosed on a surface of vacuum deposited film by heating. The vapor-deposited film obtained by this method has a non-uniform composition and poor evaporation characteristics, so that it is difficult to obtain a film having good characteristics.
【００１０】これら２つの方法ではＳｉＯ2 が多い組成
を有する蒸着膜が形成されるので透明性には優れるが、
ＳｉＯ2 はシリカ系ガラスの形態となっているためフィ
ルム表面との密着性が悪い。逆にＳｉＯ2 が少ない場
合、密着性は良好であるが透明性は悪い。このようにＳ
ｉＯ2 含有量により膜の透明性と密着性とは相反した特
性を示すことが知られている。In these two methods, a vapor deposition film having a composition containing a large amount of SiO 2 is formed, so that the transparency is excellent.
Since SiO 2 is in the form of silica-based glass, it has poor adhesion to the film surface. Conversely, when the amount of SiO 2 is small, the adhesion is good, but the transparency is poor. Thus S
It is known that the transparency and adhesion of the film exhibit contradictory characteristics depending on the iO 2 content.
【００１１】さらに特開平６-57417号公報には、Ｓｉと
Ｓｉ酸化物とを含有し、多孔質構造を有する蒸発材料及
びその製造方法が開示されている。この方法では例えば
Ｓｉが40％、ＳｉＯ2 が60％の割合の混合物を使用して
おり、この混合物を多孔質化させた後、例えばＥＢ（電
子ビーム）蒸着法にて加熱蒸着して蒸着膜を形成する。
この蒸発材料は良好な蒸発特性を有し、蒸発速度を高め
ることができるので、ＥＢ蒸着法にて被覆を行った場合
は、透明で酸素透過量が少なく、飛散物の付着がない食
品包装材料を高能率で生産することが可能である。ここ
で得られる蒸着膜の組成はｘ≒1.5 の酸化シリコン（Ｓ
ｉＯX ）であると考えられる。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-57417 discloses an evaporating material containing Si and a Si oxide and having a porous structure and a method for producing the same. In this method, a mixture of, for example, 40% of Si and 60% of SiO 2 is used. After the mixture is made porous, the mixture is heated and deposited by, for example, an EB (electron beam) deposition method to form a deposited film. To form
This evaporating material has good evaporating properties and can evaporate at a high rate. Therefore, when coated by the EB evaporation method, a food packaging material which is transparent, has a small amount of oxygen permeation, and has no adhesion of flying substances. Can be produced with high efficiency. The composition of the deposited film obtained here is silicon oxide (S
iO x ).
【００１２】さらにシリコンを蒸着したシリコン蒸着フ
ィルムの１つとして三菱化学（株）製のテックバリアが
実用化されている。テックバリアには幾つかのグレード
があり、例えば食品及び一般包装用、薬品用、エレクト
ロニクス用がある。テックバリア，アルミ箔複合フィル
ム，及びアルミ蒸着複合フィルムの透湿度及び酸素透過
度を表３に示す。Further, a tech barrier manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation has been put to practical use as one of the silicon-deposited films on which silicon is deposited. Tech barriers are available in several grades, for example for food and general packaging, pharmaceuticals and electronics. Table 3 shows the moisture permeability and oxygen permeability of the Tech Barrier, the aluminum foil composite film, and the aluminum vapor-deposited composite film.
【００１３】[0013]
【表３】 [Table 3]
【００１４】また半導体装置，ガラスの保護膜として使
用可能な蒸着膜は、酸化シリコン（ＳｉＯX ）ではなく
シリコン（Ｓｉ）であることが要求され、単結晶化した
シリコンを原料としてスパッタリング法によって形成し
ている。膜組成がＳｉである蒸着膜は、ＳｉＯX の蒸着
膜に比較して、Ｓｉ原子の配列が規則的であるため、透
明であり、且つ高気密性を有する。また半導体の性質
（例えば光電効果）を有するため、半導体装置への応用
も可能である。In addition, a deposited film that can be used as a protective film for a semiconductor device and glass is required to be silicon (Si) instead of silicon oxide (SiO x ), and is formed by sputtering using single crystal silicon as a raw material. doing. A deposited film having a film composition of Si is transparent and has high airtightness, as compared to a deposited film of SiO X , since the arrangement of Si atoms is regular. In addition, since it has semiconductor properties (for example, photoelectric effect), application to a semiconductor device is also possible.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】半導体装置に使用可能
なレベルの、高純度シリコンからなる蒸着膜をスパッタ
リング法によって形成するには、非常に高価な単結晶シ
リコンを使用するため、シリコン蒸着フィルムを安価と
することは困難である。また従来の製造方法では単結晶
シリコンを使用しても高純度シリコンからなる蒸着膜を
形成するには、大掛かりなスパッタリング装置を使用し
なければならず、容易には製造できない。また装置，消
費電力等を含む製造コストが比較的高い。In order to form a deposited film made of high-purity silicon by a sputtering method at a level usable for a semiconductor device, very expensive single crystal silicon is used. It is difficult to make it cheap. Further, in the conventional manufacturing method, a large-scale sputtering device must be used to form a vapor-deposited film made of high-purity silicon even if single crystal silicon is used, which cannot be easily manufactured. Also, the manufacturing cost including the device and power consumption is relatively high.
【００１６】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、容易に高純度のシリコン蒸着膜を形成するた
めのシリコン蒸着用材，その製造方法，及びシリコン蒸
着フィルムの製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a material for silicon vapor deposition for easily forming a high-purity silicon vapor deposited film, a method for producing the same, and a method for producing a silicon vapor deposited film. The purpose is to:
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明に係るシリコン蒸
着用材は、シリコンとケイ酸ナトリウムと水とを混合し
てなることを特徴とする。The material for silicon deposition according to the present invention is characterized in that silicon, sodium silicate and water are mixed.
【００１８】このシリコン蒸着用材は多孔質であるた
め、昇華しやすく蒸発特性が良好である。従ってこのシ
リコン蒸着用材を用いると、容易に高純度のシリコン蒸
着膜を形成することができ、また蒸着膜を形成するとき
の粒径が小さいために高密度にシリコンが蒸着され気密
性が良好である。Since the silicon vapor deposition material is porous, it easily sublimates and has good evaporation characteristics. Therefore, when this silicon deposition material is used, a high-purity silicon deposition film can be easily formed.Since the particle diameter at the time of forming the deposition film is small, silicon is deposited at a high density and the airtightness is good. is there.
【００１９】本発明に係るシリコン蒸着用材の製造方法
は、シリコンとケイ酸ナトリウムとを混合し、マイナス
イオン化された石英坩堝に所定時間投入し、このマイナ
スイオン化された混合物に水を添加して自噴させること
を特徴とする。In the method for producing a material for silicon vapor deposition according to the present invention, silicon and sodium silicate are mixed, charged into a negatively ionized quartz crucible for a predetermined time, and water is added to the negatively ionized mixture to spontaneously jet. It is characterized by making it.
【００２０】本発明に係るシリコン蒸着フィルムの製造
方法は、前記シリコン蒸着用材を蒸発させてフィルム基
材に付着させる、例えば電子ビーム加熱式巻取り式真空
蒸着法によりシリコン蒸着膜を形成することを特徴とす
る。The method for producing a silicon vapor-deposited film according to the present invention comprises forming a silicon vapor-deposited film by evaporating the silicon vapor-depositing material and attaching it to a film substrate, for example, by an electron beam heating roll-up vacuum vapor deposition method. Features.
【００２１】得られたシリコン蒸着膜は、シリコン純度
が高く（95％以上）、アモルファス、又は多結晶構造を
なしている。この結晶構造のために光の散乱は少なく、
シリコン蒸着膜は透明であり、原子配列が規則的である
ために酸素透過性が小さい。さらにシリコン以外の不純
物が殆ど含まれないため、食品保存用，機械保護用の
他、半導体装置レベルの使用にも適する。またマイナス
イオンを放出するので、生体及び物体に対する活性化作
用が得られる。The obtained silicon deposited film has a high silicon purity (95% or more) and has an amorphous or polycrystalline structure. Light scattering is small due to this crystal structure,
The silicon vapor deposition film is transparent and has low oxygen permeability because of the regular atomic arrangement. Furthermore, since it contains almost no impurities other than silicon, it is suitable not only for preserving food, protecting machinery, but also for use at the semiconductor device level. In addition, since it releases negative ions, an activating effect on a living body and an object can be obtained.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は本発明に係
るシリコン蒸着フィルムの製造方法の処理手順を示すフ
ローチャートである。まずＳｉ純度が99.5％のメタルシ
リコン（粒径：５×10-8〜２×10-1mm）１ｋｇとケイ酸
ナトリウム50ｇ〜１ｋｇとを混合し（ステップＳ１）、
マイナスイオン化された石英坩堝に所定時間投入してお
くことにより、マイナスイオン化する（ステップＳ
２）。このマイナスイオン化された混合物に水50ｃｃを
添加してスラリー状とすると（ステップＳ３）、自噴し
て95℃に上昇する（ステップＳ４）。ここで水の量が少
ないとスラリー状とならず、逆に多すぎるとスラリー状
の粘度が低くなりすぎる。自噴することにより水分が蒸
発し、この状態で所定時間（20〜30分間）放置したあと
成形して冷却すると（ステップＳ５）、シリコン蒸着用
材であるインゴットが得られる。そして、このインゴッ
トを使用した電子ビーム加熱式巻取り式真空蒸着法にて
フィルム基材の表面にシリコン蒸着膜を形成する（ステ
ップＳ６）。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 1 is a flowchart showing the processing procedure of the method for producing a silicon vapor-deposited film according to the present invention. First, 1 kg of metal silicon having a Si purity of 99.5% (particle size: 5 × 10 −8 to 2 × 10 −1 mm) and 50 g to 1 kg of sodium silicate are mixed (Step S1).
By putting the quartz crucible into a negative ion crucible for a predetermined time, the ion is negatively ionized (Step S).
2). When 50 cc of water is added to the anionized mixture to form a slurry (step S3), the mixture self-injects and rises to 95 ° C. (step S4). Here, if the amount of water is small, the slurry is not formed, and if it is too large, the viscosity of the slurry is too low. Moisture evaporates by self-injection, and after being left in this state for a predetermined time (20 to 30 minutes) and then molded and cooled (step S5), an ingot as a silicon vapor deposition material is obtained. Then, a silicon vapor-deposited film is formed on the surface of the film substrate by an electron beam heating-type winding vacuum vapor deposition method using the ingot (step S6).
【００２３】ステップＳ５で得られるシリコン蒸着用材
は、蒸発特性が良好であるため、通常のＣＶＤ装置にお
いても蒸発が可能である。このシリコン蒸着用材を使用
して得られる蒸着膜は、シリコン純度が95％と高く、Ｓ
ｉ原子を含む化学種の膜堆積であるために、主にアモル
ファスであるが、一部多結晶構造をなしている。このた
め光の散乱は少なく、シリコン蒸着膜は透明に近い。ま
た原子配列が密であり且つ規則的であるため、酸素透過
性が小さく、即ちガスバリア性が良好であるので、食品
包装用被膜として好適である。また酸素透過性が小さい
ため金属の酸化防止にも有効である。さらにシリコン蒸
着膜におけるシリコンの純度が高いため、太陽電池，バ
ッテリー，コンデンサ等、半導体装置レベルの使用にも
適する。The material for silicon deposition obtained in step S5 has good evaporation characteristics, so that it can be evaporated even in a normal CVD apparatus. The deposited film obtained using this material for silicon deposition has a high silicon purity of 95%,
Since it is a film deposition of a chemical species containing i atoms, it is mainly amorphous, but partially has a polycrystalline structure. For this reason, light scattering is small, and the silicon deposition film is almost transparent. In addition, since the atomic arrangement is dense and regular, the oxygen permeability is small, that is, the gas barrier property is good, so that it is suitable as a food packaging film. In addition, since oxygen permeability is small, it is also effective in preventing metal oxidation. Further, the high purity of silicon in the silicon deposited film makes it suitable for use in semiconductor devices such as solar cells, batteries, and capacitors.
【００２４】本発明に係るシリコン蒸着フィルムに含ま
れるシリコンからはマイナスイオンが放出され、このマ
イナスイオンが周辺の空気中の酸素を活性化させると考
えられる。この活性化された酸素の作用により抗菌効果
が得られる。またこの活性酸素、若しくはマイナスイオ
ンの直接作用により、周辺に存在する水分，生物の組
織，又は物質が活性化される。Negative ions are released from silicon contained in the silicon vapor-deposited film according to the present invention, and it is considered that the negative ions activate oxygen in the surrounding air. An antibacterial effect is obtained by the action of the activated oxygen. Further, by the direct action of the active oxygen or the negative ion, the water, the tissue of the living body, or the substance existing in the vicinity is activated.
【００２５】空中にマイナスイオンが多いと、マイナス
イオンアルカリ性大気となり、その生体作用としては、
鎮静的，爽快感，催眠，食欲増進等の全身作用，血圧下
降作用，血糖減少作用，血管拡張作用，利尿促進作用等
が挙げられる。逆にプラスイオンが多いと、プラスイオ
ン酸性大気となり、興奮的，不快感，不眠，食欲減退等
の全身作用，血圧上昇作用，血糖増加作用，血管収縮作
用，利尿抑制作用等の生体作用があるといわれている。
現代社会、特に都会においては、プラスイオン濃度が高
くなり易く、肩こり，疲労感を訴える人が増加する傾向
にある。When there are many negative ions in the air, negative ions become alkaline atmosphere, and the biological action is as follows.
It has systemic effects such as sedation, exhilaration, hypnosis, and appetite enhancement, blood pressure lowering effect, blood sugar decreasing effect, vasodilatory effect, and diuretic promoting effect. Conversely, if there is a large amount of positive ions, it becomes a positive ion acidic atmosphere and has systemic effects such as excitement, discomfort, insomnia, loss of appetite, blood pressure increasing effect, blood glucose increasing effect, vasoconstrictive effect, diuretic suppressing effect, etc. It is said that.
In modern society, especially in urban areas, the concentration of positive ions tends to increase, and the number of people who complain of stiff shoulders and fatigue tends to increase.
【００２６】またマイナスイオンによってプラスの静電
気が中和される、又はマイナスに転じるので、上述した
生体作用のみならず物質においても、例えば電気機器に
おける誤動作防止等の良好な効果が得られる。Further, positive static electricity is neutralized or turned negative by negative ions, so that not only the above-mentioned biological action but also a substance can provide a good effect such as malfunction prevention in electric equipment.
【００２７】これら抗菌効果，蘇生効果，又は遠赤外線
効果を得ることを目的としたシリコン蒸着フィルムの適
用例を以下に列挙する。シリコン蒸着フィルムは、包
む，敷く，載置する，添付する，内在させる等、様々な
形態での使用が可能である。 食品包装用ラップ −鮮度保持 金属包装 −酸化防止 冷蔵庫に添付，又は載置 −抗菌，鮮度保持 靴の中敷き −抗菌 畳裏に添付 −抗菌，防虫，湿度の低下 寝具に内在 −鎮静作用 インテリア用品（座布団，カーテン等）−疲労回復 家具 −虫害防除 農地に設置（ビニルハウス，懸吊等） −生長促進，病虫害防除 森林に設置 −植物活性化，病虫害防除 半導体装置の保護膜 −静電気防除，不純物洩出防止 ，酸化防止Examples of application of the silicon vapor-deposited film for the purpose of obtaining these antibacterial effects, resuscitation effects, or far-infrared effects are listed below. The silicon vapor deposition film can be used in various forms, such as wrapping, laying, placing, attaching, attaching, etc. Food packaging wrap-Freshness preservation Metal packaging-Antioxidant Attached or placed on refrigerator-Antibacterial, freshness keeping Insole insole-Antibacterial Attached to the back of tatami-Antibacterial, insect repellent, low humidity Intrinsic in bedding-Sedating interior goods ( -Cushions, curtains, etc.)-Fatigue recovery Furniture-Insect control Pests installed on farmland (vinyl houses, hanging, etc.)-Growth promotion, pest control Pests installed in forests-Plant activation, pest control Pest protection for semiconductor devices-Static electricity control, impurity leakage Prevention, oxidation prevention
【００２８】マイナスイオン化することにより、メタル
シリコンとケイ酸ナトリウムとが混ざり易くなり、この
程度はマイナスイオン化の度合いが高いほど高い。The negative ionization makes it easier for metal silicon and sodium silicate to be mixed, and this level increases as the degree of negative ionization increases.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように本発明に係るシリコン蒸着
用材は、シリコンとケイ酸ナトリウムとを混合し、マイ
ナスイオン化された石英坩堝に所定時間投入し、このマ
イナスイオン化された混合物に水を添加し、自噴させる
ことにより得られ、蒸発特性が良好である。またこのシ
リコン蒸着用材を用いると、容易に高純度のシリコン蒸
着膜を形成することができる。また得られたシリコン蒸
着膜は、透明で、酸素透過性が小さく、シリコン以外の
不純物が殆ど含まれないため、食品保存用，機械保護用
の他、半導体装置レベルの使用にも適し、さらにマイナ
スイオンを放出することから生体及び物体の活性化作用
が得られる等、本発明は優れた効果を奏する。As described above, in the material for silicon deposition according to the present invention, silicon and sodium silicate are mixed and charged into a negatively ionized quartz crucible for a predetermined time, and water is added to the negatively ionized mixture. It is obtained by self-injection and has good evaporation characteristics. Further, by using this silicon deposition material, a high-purity silicon deposition film can be easily formed. The obtained silicon vapor-deposited film is transparent, has low oxygen permeability, and contains almost no impurities other than silicon. Therefore, it is suitable not only for preserving food, protecting machinery, but also for use at the level of a semiconductor device. The present invention has excellent effects such as the activation of living bodies and objects obtained by releasing ions.
【図１】本発明に係るシリコン蒸着フィルムの製造方法
の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a processing procedure of a method for manufacturing a silicon vapor deposition film according to the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 豊子 奈良県奈良市あやめ池南７丁目538の18 (72)発明者 菊池 英明 大阪府大阪市旭区太子橋１−25−25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Toyoko Ohara 7-538-18-18 Ayameikeminami, Nara City, Nara Prefecture (72) Inventor Hideaki Kikuchi 1-25-25 Taishibashi, Asahi-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (4)
合してなるシリコン蒸着用材。1. A silicon vapor deposition material obtained by mixing silicon, sodium silicate and water.
る工程と、マイナスイオン化された石英坩堝に所定時間
投入する工程と、このマイナスイオン化された混合物に
水を添加して自噴させる工程とを含むことを特徴とする
シリコン蒸着用材の製造方法。2. A method comprising the steps of: mixing silicon and sodium silicate; charging the negatively ionized quartz crucible for a predetermined time; and adding water to the negatively ionized mixture and spouting the mixture by itself. A method for producing a silicon deposition material, characterized by comprising:
る工程と、マイナスイオン化された石英坩堝に所定時間
投入する工程と、このマイナスイオン化された混合物に
水を添加して自噴させる工程と、これにより得られたシ
リコン蒸着用材を蒸発させてフィルム基材に付着させて
シリコン蒸着膜を形成する膜形成工程とを含むことを特
徴とするシリコン蒸着フィルムの製造方法。3. A step of mixing silicon and sodium silicate; a step of charging the negatively ionized quartz crucible for a predetermined time; and a step of adding water to the negatively ionized mixture and spouting it by itself. And e. Evaporating the obtained material for silicon vapor deposition and attaching the material to a film substrate to form a silicon vapor deposited film.
用材を用いた電子ビーム加熱式巻取り式真空蒸着法を使
用することを特徴とする請求項３記載のシリコン蒸着フ
ィルムの製造方法。4. The method for producing a silicon-deposited film according to claim 3, wherein in the film forming step, an electron beam heating type vacuum deposition method using the silicon deposition material is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24830196A JPH1088323A (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Material for vapor deposition of silicon, its production and production of vapor deposited silicon film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24830196A JPH1088323A (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Material for vapor deposition of silicon, its production and production of vapor deposited silicon film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1088323A true JPH1088323A (en) | 1998-04-07 |
Family
ID=17176047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24830196A Pending JPH1088323A (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Material for vapor deposition of silicon, its production and production of vapor deposited silicon film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1088323A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246389A (en) * | 2000-03-03 | 2001-09-11 | 邦明 ▲高▼松 | Water cleaner and water cleaning device |
| JP2001260270A (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-25 | 邦明 ▲高▼松 | Ultraviolet cut-off sheet and method for manufacturing ultraviolet cut-off sheet |
| JP2015029149A (en) * | 2008-11-27 | 2015-02-12 | 日立金属株式会社 | Lead wire for solar cell and solar cell |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24830196A patent/JPH1088323A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246389A (en) * | 2000-03-03 | 2001-09-11 | 邦明 ▲高▼松 | Water cleaner and water cleaning device |
| JP2001260270A (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-25 | 邦明 ▲高▼松 | Ultraviolet cut-off sheet and method for manufacturing ultraviolet cut-off sheet |
| JP4502446B2 (en) * | 2000-03-21 | 2010-07-14 | 邦明 ▲高▼松 | Ultraviolet shielding sheet and method for producing ultraviolet shielding sheet |
| JP2015029149A (en) * | 2008-11-27 | 2015-02-12 | 日立金属株式会社 | Lead wire for solar cell and solar cell |
| US9279176B2 (en) | 2008-11-27 | 2016-03-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Lead wire for solar cell, manufacturing method and storage method thereof, and solar cell |
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