JPH1083975A - Adhesive tape for conductor wafer and method of adhesion - Google Patents
Adhesive tape for conductor wafer and method of adhesionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハを貼着
してチップ状にダイシングするために使用される半導体
ウエハの粘着テープおよび貼着方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an adhesive tape for a semiconductor wafer used for attaching a semiconductor wafer and dicing the semiconductor wafer into chips, and a method for attaching the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図８で示すように、テープ基材１
の一側面１ａに放射線硬化性粘着材層２を形成してなる
粘着テープ３に半導体ウエハ４を貼着するとともに、環
状フレーム５の外周縁部に上記粘着テープ３を固定し、
上記半導体ウエハ４をチップ状にダイシングして半導体
チップ４ａとした後、図９で示すように、押圧部材６で
もって上記粘着テープ３の他側面１ｂから押圧してエキ
スパンド、つまり引き伸ばし、上記半導体チップ４ａの
設定間隔を拡大させながら、他の部材（図示せず）で順
次突き上げて剥離させ、上記半導体チップ４ａを所定個
所に設定する半導体ウエハ４の粘着テープ３およびその
貼着方法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG.
A semiconductor wafer 4 is adhered to an adhesive tape 3 having a radiation-curable adhesive layer 2 formed on one side surface 1a, and the adhesive tape 3 is fixed to an outer peripheral portion of an annular frame 5,
After the semiconductor wafer 4 is diced into chips to form semiconductor chips 4a, as shown in FIG. 9, the pressing member 6 presses the other side 1b of the adhesive tape 3 to expand, that is, expands the semiconductor chip. An adhesive tape 3 of a semiconductor wafer 4 for setting the semiconductor chip 4a at a predetermined position and a method of attaching the adhesive chip 3a are known, while sequentially increasing the set interval of the semiconductor chips 4a by peeling them up by another member (not shown) while expanding the set interval of the semiconductor chips 4a. I have.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記半導体
チップ４ａを順次剥離させる際、その剥離動作を許容す
るために、上記押圧部材６をテープ基材１に摺動させな
ければならず、その摺動摩擦抵抗が上記押圧部材６のエ
ッジ部６ａで極端に高くなって、このエッジ部６ａに対
応する部分１ａのみが局部的に異常に引き伸ばされ、半
導体チップ４ａの設定間隔を拡大させることが不可能と
なり、その剥離作業に支障をきたし、誤動作の要因とな
る。When the semiconductor chips 4a are sequentially peeled, the pressing member 6 must slide on the tape substrate 1 in order to allow the peeling operation. The dynamic frictional resistance becomes extremely high at the edge 6a of the pressing member 6, and only the portion 1a corresponding to the edge 6a is locally abnormally stretched, making it impossible to increase the set interval of the semiconductor chips 4a. This hinders the peeling operation and causes a malfunction.
【０００４】従来、これを解決するために、たとえば上
記押圧部材６に摺接するテープ基材１の他側面１ｂに微
細な凹凸面からなる、いわゆる梨地加工が施されて、そ
の摺動摩擦抵抗を低減し、初期の目的を達成しようとす
る粘着テープ３およびその貼着方法が知られている。ま
た、従来、粘着テープの製造工程において、上記粘着テ
ープ３の搬送用ローラ部への貼り付きを防止するため
に、上記粘着テープ３の外表面を粗面に形成する、いわ
ゆるマット加工が施されている。Conventionally, in order to solve this, for example, a so-called satin finish is formed on the other side surface 1b of the tape base material 1 which is in sliding contact with the pressing member 6, so as to reduce the sliding frictional resistance. An adhesive tape 3 and a method for attaching the same to achieve an initial purpose are known. Further, conventionally, in a manufacturing process of the adhesive tape, in order to prevent the adhesive tape 3 from sticking to the transport roller portion, a so-called matting process is performed in which the outer surface of the adhesive tape 3 is formed into a rough surface. ing.
【０００５】他方、近年、粘着テープ３に貼着された半
導体ウエハ４を上記テープ基材１の他側面１ｂから目視
や光学的画像処理装置（図示せず）を使用して検査しよ
うとする試みがなされており、その場合、上記粘着テー
プ３の微細な凹凸面からなる梨地面や粗面が乱反射面と
なって光散乱して白濁化し、検査対象である半導体ウエ
ハ４を読み取ることができず、この種の粘着テープ３お
よびその貼着方法を採用することができないという課題
がある。On the other hand, in recent years, an attempt has been made to inspect the semiconductor wafer 4 attached to the adhesive tape 3 from the other side 1b of the tape base 1 visually or by using an optical image processing device (not shown). In this case, the matte or rough surface of the pressure-sensitive adhesive tape 3 having a fine uneven surface becomes an irregularly-reflected surface, scatters light and becomes cloudy, and the semiconductor wafer 4 to be inspected cannot be read. However, there is a problem that this kind of pressure-sensitive adhesive tape 3 and its attaching method cannot be adopted.
【０００６】この発明は、上記課題を解消するためにな
されたもので、１つの目的は、テープ基材の一側面に粘
着材層を形成してなる粘着テープに半導体ウエハを貼着
するとともに、この半導体ウエハを上記テープ基材の他
側面から目視検査や画像処理検査が可能な半導体ウエハ
の粘着テープを提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. One object of the present invention is to attach a semiconductor wafer to an adhesive tape formed by forming an adhesive layer on one side of a tape base, It is an object of the present invention to provide an adhesive tape for a semiconductor wafer which allows the semiconductor wafer to be visually inspected or image-processed and inspected from the other side of the tape base.
【０００７】この発明の他の目的は、テープ基材の一側
面に粘着材層を形成してなる粘着テープに半導体ウエハ
を貼着するとともに、この半導体ウエハを上記テープ基
材の他側面から目視検査や画像処理検査が可能な半導体
ウエハの貼着方法を提供することにある。Another object of the present invention is to attach a semiconductor wafer to an adhesive tape formed by forming an adhesive layer on one side of a tape base, and visually check the semiconductor wafer from the other side of the tape base. It is an object of the present invention to provide a method for attaching a semiconductor wafer, which enables inspection and image processing inspection.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による導
体ウエハの粘着テープは、少なくとも片面が粗面状に形
成されて半導体ウエハを貼着する半透明な粘着テープを
加熱処理し、この粘着テープに透明性を有するように形
成したことを特徴とする。この発明は、上記課題を解消
するためになされたもので、１つの目的は、テープ基材
の一側面に粘着材層を形成してなる粘着テープに半導体
ウエハを貼着するとともに、この半導体ウエハを上記テ
ープ基材の他側面から目視検査や画像処理検査が可能な
半導体ウエハの粘着テープを提供することにある。According to the first aspect of the present invention, there is provided an adhesive tape for a conductor wafer, wherein at least one surface is formed into a rough surface and a semi-transparent adhesive tape to which a semiconductor wafer is adhered is subjected to a heat treatment. The tape is formed to have transparency. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. One object of the present invention is to attach a semiconductor wafer to an adhesive tape formed by forming an adhesive layer on one side of a tape base material, It is another object of the present invention to provide an adhesive tape for a semiconductor wafer which allows visual inspection and image processing inspection from the other side of the tape base.
【０００９】この発明の他の目的は、テープ基材の一側
面に粘着材層を形成してなる粘着テープに半導体ウエハ
を貼着するとともに、この半導体ウエハを上記テープ基
材の他側面から目視検査や画像処理検査が可能な半導体
ウエハの貼着方法を提供することにある。Another object of the present invention is to attach a semiconductor wafer to an adhesive tape formed by forming an adhesive layer on one side of a tape base, and to visually check the semiconductor wafer from the other side of the tape base. It is an object of the present invention to provide a method for attaching a semiconductor wafer, which enables inspection and image processing inspection.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による導
体ウエハの粘着テープは、少なくとも片面が粗面状に形
成されて半導体ウエハを貼着する半透明な粘着テープを
加熱処理し、この粘着テープに透明性を有するように形
成したことを特徴とする。請求項２の発明による導体ウ
エハの粘着方法は、半透明な粘着テープに半導体ウエハ
を貼着する半導体ウエハの貼着方法であって、上記粘着
テープを加熱処理した後、透明性を有する粘着テープに
上記半導体ウエハを貼着することを特徴とする。According to the first aspect of the present invention, there is provided an adhesive tape for a conductor wafer, wherein at least one surface is formed into a rough surface and a semi-transparent adhesive tape to which a semiconductor wafer is adhered is subjected to a heat treatment. The tape is formed to have transparency. The method for bonding a conductor wafer according to the invention of claim 2 is a method for bonding a semiconductor wafer to a semi-transparent pressure-sensitive adhesive tape, wherein the pressure-sensitive adhesive tape having transparency after heat-treating the pressure-sensitive adhesive tape. The semiconductor wafer is attached to the substrate.
【００１１】請求項３の発明による導体ウエハの粘着方
法は、少なくとも粘着材層側に耐熱性テープを被着して
加熱時に加圧することを特徴とする。請求項４の発明に
よる導体ウエハの粘着方法は、半透明な粘着テープに半
導体ウエハを貼着する半導体ウエハの貼着方法であっ
て、上記粘着テープを加熱ローラで加熱処理して透明性
を確保しながら、上記粘着テープに上記半導体ウエハを
貼着することを特徴とする。In a third aspect of the present invention, the method for adhering a conductive wafer is characterized in that a heat-resistant tape is applied to at least the side of the adhesive material layer, and pressure is applied during heating. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for attaching a semiconductor wafer to a semi-transparent adhesive tape, wherein the adhesive tape is heated by a heating roller to ensure transparency. The semiconductor wafer is attached to the adhesive tape.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１の発明によれば、半透明な粘着テープ
を加熱処理して透明性を有するように形成したから、上
記半導体ウエハを上記テープ基材の他側面から目視検査
や画像処理検査が可能となり、きわめて簡単な手段で初
期の目的を達成することができる。請求項２の発明によ
れば、半透明な粘着テープを加熱処理した後、透明性を
有する粘着テープに半導体ウエハを貼着したから、上記
半導体ウエハを上記テープ基材の他側面から目視検査や
画像処理検査が可能となり、きわめて簡単な方法で初期
の目的を達成することができる。According to the first aspect of the present invention, since the semi-transparent adhesive tape is formed by heat treatment to have transparency, the semiconductor wafer is visually inspected or image processing inspected from the other side of the tape base. It is possible to achieve the initial purpose by a very simple means. According to the invention of claim 2, after the semi-transparent adhesive tape is subjected to heat treatment, the semiconductor wafer is attached to the transparent adhesive tape, so that the semiconductor wafer can be visually inspected from the other side surface of the tape base material. Image processing inspections are possible, and the initial objectives can be achieved in a very simple way.
【００１３】請求項３の発明によれば、粘着テープの粘
着材層側に耐熱性テープを被着したから、上記粘着テー
プを加熱および加圧しても加圧ローラに巻き付くのを有
効に防止することができる。請求項４の発明によれば、
半透明な粘着テープを加熱ローラで加熱処理して透明性
を確保しながら、上記粘着テープに半導体ウエハを貼着
し、上記粘着テープの加熱工程，加圧工程および上記半
導体ウエハの貼着工程が同一工程でなされるために、上
記粘着テープの加熱透明処理および半導体ウエハの貼着
処理が簡素化されて量産化に迅速に対応することができ
る。According to the third aspect of the present invention, since the heat-resistant tape is applied to the adhesive layer side of the adhesive tape, even if the adhesive tape is heated and pressed, it is effectively prevented from being wound around the pressure roller. can do. According to the invention of claim 4,
A semiconductor wafer is adhered to the adhesive tape while the translucent adhesive tape is heated by a heating roller to ensure transparency, and the heating step, the pressing step, and the semiconductor wafer attaching step of the adhesive tape are performed. Since they are performed in the same process, the heating and transparent processing of the pressure-sensitive adhesive tape and the bonding processing of the semiconductor wafer can be simplified, and mass production can be promptly dealt with.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがって
説明する。図１はこの発明による半導体ウエハの粘着テ
ープおよびその貼着方法の一例を示す概略的な側面図で
ある。同図において、粘着テープ３は、粘着材層側に配
設された耐熱性テープ１１を介して粘着テープロール１
０に巻回されており、上記粘着テープ３の加熱工程Ａ，
加圧工程Ｂ，耐熱性テープ１１の分離工程Ｃ，半導体ウ
エハ４の貼着工程Ｄおよび上記粘着テープ３の切断工程
Ｅを経過して、上記半導体ウエハ４の検査工程へと移行
される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view showing an example of an adhesive tape for a semiconductor wafer and a method for attaching the same to a semiconductor wafer according to the present invention. In the figure, the adhesive tape 3 is provided with an adhesive tape roll 1 via a heat-resistant tape 11 disposed on the adhesive layer side.
0, and heating step A,
After the pressing step B, the separating step C of the heat-resistant tape 11, the attaching step D of the semiconductor wafer 4, and the cutting step E of the adhesive tape 3, the process proceeds to the inspection step of the semiconductor wafer 4.
【００１５】上記粘着テープ３を構成するテープ基材１
（図２）は熱可塑性樹脂からなり、たとえばポリエチレ
ンやエチレン系重合体、またはポリプロピレン，ポリブ
チレン，ポリブタジエン，ポリエチレンテレフタレー
ト，ポリブチレンテレフタレートおよびポリウレタンな
どの汎用重合体の１種もしくは複数種の一層もしくは複
数層から形成されている。The tape substrate 1 constituting the adhesive tape 3
(FIG. 2) is one or more layers of one or more general-purpose polymers such as polyethylene, ethylene-based polymers, or polypropylene, polybutylene, polybutadiene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyurethane. Is formed from.
【００１６】上記粘着テープ３は、複数のガイドローラ
１２で案内されながら矢印ａ方向へ耐熱性テープ１２と
ともに粘着テープロール１０から引き出されるととも
に、テープ基材１が熱可塑性樹脂から形成されているた
めに、加熱工程Ａにおいて、粘着材層２側に配設された
耐熱性テープ１１を介して、たとえば半円弧状のヒータ
からなる発熱体１４で加熱されて表面が溶融され、１対
の加圧ローラ１５で加圧されて圧延され、図２（Ａ）で
示すテープ基材１の他側面１ｂにおける微細な凹凸面が
平坦面に形成されて透明性を確保することができる。テ
ープ基材１の透明化を開始させる条件として、たとえば
上記粘着テープ３の搬送速度を９mm/secとし、加熱温度
を１４０℃以上にすることが推奨される。また、上記耐
熱性テープ１１は上記加圧ローラ１５に巻き付くのを防
止するために被着されるものであり、上記加熱温度に耐
える可撓性材料であればよい。The pressure-sensitive adhesive tape 3 is pulled out of the pressure-sensitive adhesive tape roll 10 together with the heat-resistant tape 12 in the direction of arrow a while being guided by the plurality of guide rollers 12, and the tape base 1 is formed of a thermoplastic resin. In the heating step A, the surface is melted by a heating element 14 composed of, for example, a semicircular heater through a heat-resistant tape 11 provided on the adhesive layer 2 side, and the surface is melted. The roller 15 is pressed and rolled, and a fine uneven surface on the other side surface 1b of the tape substrate 1 shown in FIG. 2A is formed on a flat surface to ensure transparency. As conditions for starting the transparency of the tape substrate 1, for example, it is recommended that the conveying speed of the adhesive tape 3 be 9 mm / sec and the heating temperature be 140 ° C. or higher. The heat-resistant tape 11 is applied to prevent the heat-resistant tape 11 from being wound around the pressure roller 15, and may be a flexible material that can withstand the heating temperature.
【００１７】上記粘着テープ３は加熱工程Ａおよび加圧
工程Ｂを経た後、半導体ウエハ４の貼着工程Ｄに移行さ
れるとともに、上記耐熱性テープ１１は複数のガイドロ
ーラ１２で案内されながら分離工程Ｃで上記粘着テープ
３から剥離されて耐熱性テープロール１３に巻き取られ
る。上記半導体ウエハ４の貼着工程Ｄにおいて、上記粘
着テープ３の粘着材層２側に半導体ウエハ４および環状
のフレーム５が配設されており、図２（Ｂ）で示すよう
に、上記粘着テープ３の粘着材層２に上記半導体ウエハ
４およびフレーム５を上記貼着ローラ装置１６のローラ
１７で圧接しながら貼着し、上記粘着テープ３の皺を延
ばし、半導体ウエハ４との間に気泡が巻き込まれて新ら
たな乱反射光の発生要因となるのを除去するとともに緊
密な貼着状態が確保される。その後、上記粘着テープ３
の切断工程Ｅにおいて、カッタ１８で切断されて粘着テ
ープロール１０側から切り離されて、上記半導体ウエハ
４の検査工程に移行される。After the adhesive tape 3 has passed through the heating step A and the pressing step B, the adhesive tape 3 is transferred to the attaching step D of the semiconductor wafer 4, and the heat-resistant tape 11 is separated while being guided by a plurality of guide rollers 12. In step C, the adhesive tape 3 is peeled off from the pressure-sensitive adhesive tape 3 and wound on a heat-resistant tape roll 13. In the attaching step D of the semiconductor wafer 4, the semiconductor wafer 4 and the annular frame 5 are disposed on the adhesive layer 2 side of the adhesive tape 3, and as shown in FIG. The semiconductor wafer 4 and the frame 5 are adhered to the adhesive material layer 2 by pressing the roller 17 of the adhesive roller device 16 while pressing the semiconductor wafer 4 and the frame 5. It is possible to eliminate the entangled and newly generated irregularly reflected light, and secure a tightly adhered state. Then, the adhesive tape 3
In the cutting step E, the semiconductor wafer 4 is cut off by the cutter 18 and separated from the adhesive tape roll 10 side, and the process proceeds to the inspection step of the semiconductor wafer 4.
【００１８】上記半導体ウエハ４の検査工程において、
図２（Ｃ）で示すように、上記粘着テープ３の粘着材層
２に貼着された半導体ウエハ４をチップ状にダイシング
して半導体チップ４ａとした後、粘着テープ３の他側面
１ｂから図２（Ｄ）で示すように光学的画像処理装置１
９を使用して検査される。上記光学画像処理装置１９
は、たとえば光学系２０と画像処理系２１から構成さ
れ、光源２３からの照射光Ｘが上記光学系２０を通して
粘着テープ３から半導体チップ４ａに入射され、その反
射光Ｙが上記画像処理系２１における画像処理部２２に
入射されて検査される。In the inspection process of the semiconductor wafer 4,
As shown in FIG. 2C, the semiconductor wafer 4 stuck to the adhesive layer 2 of the adhesive tape 3 is diced into chips to form semiconductor chips 4a. 2 (D), the optical image processing apparatus 1
Tested using No. 9. The optical image processing device 19
Is composed of, for example, an optical system 20 and an image processing system 21. Irradiation light X from a light source 23 is incident on the semiconductor chip 4 a from the adhesive tape 3 through the optical system 20, and reflected light Y in the image processing system 21 The light enters the image processing unit 22 and is inspected.
【００１９】上記半導体チップ４ａは、図３で示すよう
に、たとえばガラスなどの透明性絶縁基板２４が装着さ
れ、この絶縁基板２４の内面に設定された環状電極２５
とで構成される静電容量形センサの設定間隔ｄに関する
平行度，歪みおよび介在異物などを上記反射光Ｙに基づ
く干渉縞を検査することによって検出される。このよう
に、上記粘着テープ３の粘着材層２に貼着された半導体
ウエハ４は、上記静電容量形センサの製造工程上の制約
からチップ状にダイシングされて複数に切断分割された
後に上記検査が達成されるため、上記粘着テープ３側か
ら検査しなければならない。As shown in FIG. 3, a transparent insulating substrate 24 made of, for example, glass is mounted on the semiconductor chip 4a, and an annular electrode 25 set on the inner surface of the insulating substrate 24.
The parallelism, distortion, intervening foreign matter and the like with respect to the set interval d of the capacitance type sensor constituted by the above are detected by inspecting the interference fringes based on the reflected light Y. As described above, the semiconductor wafer 4 adhered to the adhesive layer 2 of the adhesive tape 3 is diced into chips due to restrictions in the manufacturing process of the capacitance type sensor, cut into a plurality of pieces, and then divided into a plurality of pieces. In order to achieve the inspection, the inspection must be performed from the adhesive tape 3 side.
【００２０】ところが、上記粘着テープ３の他側面１ｂ
が平坦面に形成されているため、上記反射光Ｙが乱反射
されることなく、画像ノイズ（Ｓ／Ｎ比）を0.16dBから
9.48dBに低減することができ、従来のように散乱光で白
濁化するおそれがなく、検査対象である半導体チップ４
ａと絶縁基板２４との設定間隔ｄに関する平行度，歪み
および介在異物などを上記反射光Ｙに基づく干渉縞を的
確に検査して検出することができる。また、上記テープ
基材１が加熱されて平坦面に形成されているために、上
記粘着テープ３の粘着材層２に貼着された半導体ウエハ
４をチップ状にダイシングする際における上記粘着テー
プ３の破壊強度を従来に比較して20.9N から22.6N へ、
限界拡大率を116 ％程度へ高めて上記粘着テープ３の耐
エキスパンド性を向上させるとともに、従来の放射線硬
化性粘着材層２に比較して上記半導体ウエハ４に対する
粘着テープ３における粘着材層２の粘着力を43.1N から
44.3N へ高め、少なくとも上記粘着材層２の劣化を有効
に防止することができる。However, the other side 1b of the adhesive tape 3
Is formed on a flat surface, the reflected light Y is not irregularly reflected, and the image noise (S / N ratio) is reduced from 0.16 dB.
The semiconductor chip 4 to be inspected can be reduced to 9.48 dB without the possibility of clouding due to scattered light unlike the prior art.
The parallelism, distortion, intervening foreign matter, and the like with respect to the set distance d between a and the insulating substrate 24 can be detected by accurately inspecting the interference fringes based on the reflected light Y. Further, since the tape base 1 is heated and formed on a flat surface, the adhesive tape 3 when the semiconductor wafer 4 adhered to the adhesive layer 2 of the adhesive tape 3 is diced into chips is formed. From 20.9N to 22.6N,
The expansion resistance of the pressure-sensitive adhesive tape 3 is improved by increasing the limit expansion rate to about 116%, and the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive tape 3 for the semiconductor wafer 4 is compared with the conventional radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2. Adhesive strength from 43.1N
44.3N, and at least deterioration of the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be effectively prevented.
【００２１】図４はこの発明による半導体ウエハの粘着
テープおよびその貼着方法の他の例を示す概略的な側面
図である。上記実施例において、粘着テープ３の切断工
程Ｅは、半導体ウエハ４の貼着工程Ｄの後であったけれ
ども、上記粘着テープ３の加熱工程Ａおよび加圧工程Ｂ
の前工程に設定するとともに、粘着材層側に補助テープ
２６を被着し、両側面に耐熱性テープ１１，１１が介在
された粘着テープ３を粘着テープロール１０に巻回し、
上記粘着テープ３を上記切断工程Ｅで所定長さごとに切
断した後、加熱工程Ａおよび加圧工程Ｂで透明性にし、
分離工程Ｃにおいて上記補助テープ２６および耐熱性テ
ープ１１，１１から分離して、上記半導体ウエハ４の貼
着工程Ｄを達成するようにしてもよい。FIG. 4 is a schematic side view showing another example of an adhesive tape for a semiconductor wafer and a method for attaching the same to a semiconductor wafer according to the present invention. In the above embodiment, the cutting step E of the adhesive tape 3 was performed after the attaching step D of the semiconductor wafer 4, but the heating step A and the pressing step B of the adhesive tape 3 were performed.
The auxiliary tape 26 is adhered to the adhesive layer side, and the adhesive tape 3 with the heat resistant tapes 11, 11 interposed on both sides is wound around the adhesive tape roll 10,
After cutting the adhesive tape 3 into predetermined lengths in the cutting step E, the adhesive tape 3 is made transparent in a heating step A and a pressure step B,
In the separation step C, the semiconductor tape 4 may be separated from the auxiliary tape 26 and the heat-resistant tapes 11 to achieve the bonding step D of the semiconductor wafer 4.
【００２２】図５はこの発明による半導体ウエハの粘着
テープおよびその貼着方法の異なる他の例を示す概略的
な側面図である。図１で示す実施例において、粘着テー
プ３の加熱工程Ａおよび加圧工程Ｂは、上記粘着テープ
３と耐熱性テープ１１との分離工程Ｃおよび上記粘着テ
ープ３の切断工程Ｅの前工程に設定したけれども、図５
で示すように、上記分離工程Ｃおよび切断工程Ｅの後工
程における半導体ウエハ４の貼着工程Ｄにおいて同時に
達成される。FIG. 5 is a schematic side view showing another example of the adhesive tape for a semiconductor wafer according to the present invention and a method for attaching the same. In the embodiment shown in FIG. 1, the heating step A and the pressing step B of the adhesive tape 3 are set as steps before the separating step C of the adhesive tape 3 and the heat-resistant tape 11 and the cutting step E of the adhesive tape 3. Figure 5
As shown by, in the bonding step D of the semiconductor wafer 4 after the separation step C and the cutting step E, this is achieved simultaneously.
【００２３】すなわち、上記半導体ウエハ４の貼着工程
Ｄにおいて、上記粘着テープ３の粘着材層側に半導体ウ
エハ４および環状フレーム５を貼着する際、図６で示す
ように、上記加熱ローラ３７の把持部２７に充電可能な
蓄電池２８を収納するとともに、図７で示すように、上
記加熱ローラ３７の外周部にウレタンゴムなどの絶縁性
樹脂２９で被覆されたラバーヒータのような発熱体３０
を埋設し、この発熱体３０の両端部に設定された電極３
３を上記加熱ローラ３７の導電性回転軸３１および発熱
体３０に摺接させ、充電器３５で上記蓄電池２８を充電
するとともに、上記蓄電池２８からの電流を軸受部材３
２に装着された上記電極３３，リ−ド線３４およびスイ
ッチ３６を介して上記発熱体３０に通電し、上記粘着テ
ープ３を加熱して透明性にすると同時に、上記半導体ウ
エハ４が加圧して貼着される。上記半導体ウエハ４の貼
着方法によれば、半透明な粘着テープ３を加熱ローラ３
７で加熱処理して透明性を確保しながら、上記粘着テー
プ３に半導体ウエハ４を貼着し、上記粘着テープ３の加
熱工程Ａ，加圧工程Ｂおよび上記半導体ウエハ４の貼着
工程Ｄが同一工程でなされるために、上記粘着テープ４
の加熱透明処理および半導体ウエハ４の貼着処理が簡素
化されて量産化に迅速に対応することができる。That is, when the semiconductor wafer 4 and the annular frame 5 are attached to the adhesive layer side of the adhesive tape 3 in the attaching step D of the semiconductor wafer 4, as shown in FIG. A rechargeable storage battery 28 is stored in the holding portion 27, and a heating element 30 such as a rubber heater in which an outer peripheral portion of the heating roller 37 is covered with an insulating resin 29 such as urethane rubber as shown in FIG.
And electrodes 3 set at both ends of the heating element 30
3 is brought into sliding contact with the conductive rotating shaft 31 of the heating roller 37 and the heating element 30 to charge the storage battery 28 with the charger 35 and to apply the current from the storage battery 28 to the bearing member 3.
The heating element 30 is energized through the electrode 33, the lead wire 34 and the switch 36 mounted on the heating device 2 to heat the adhesive tape 3 to make it transparent, and at the same time, the semiconductor wafer 4 is pressed. Affixed. According to the method of attaching the semiconductor wafer 4, the translucent adhesive tape 3 is
7, the semiconductor wafer 4 is adhered to the adhesive tape 3 while ensuring transparency by heating, and the heating step A, the pressing step B of the adhesive tape 3 and the attaching step D of the semiconductor wafer 4 are performed. In order to be performed in the same process, the adhesive tape 4
The heating transparent process and the bonding process of the semiconductor wafer 4 are simplified, and mass production can be promptly dealt with.
【００２４】また、上記図１および図４で示す実施例で
は、粘着テープ３の加熱工程Ａにおいて、半円弧状のヒ
ータのような発熱体１４を設定して上記粘着テープ３を
加熱するように構成したけれども、上記発熱体１４に代
えて熱風を送風する熱風装置（図示せず）からの熱風で
上記粘着テープ３を加熱して透明性を確保するように構
成してもよい。In the embodiment shown in FIGS. 1 and 4, in the heating step A of the adhesive tape 3, a heating element 14 such as a semicircular heater is set to heat the adhesive tape 3. Although configured, the adhesive tape 3 may be heated by hot air from a hot air device (not shown) that blows hot air instead of the heating element 14 to ensure transparency.
【００２５】さらに、上記粘着テープ３におけるテープ
基材１の他側面１ｂが平坦面に形成されているため、上
記粘着テープ３の粘着材層２に貼着された半導体ウエハ
４をチップ状にダイシングする際における上記テープ基
材１の摺動が円滑になされない場合、その摺動摩擦抵抗
の低減材をテープ基材１の他側面１ｂに含有させること
が推奨される。Further, since the other side surface 1b of the tape substrate 1 in the adhesive tape 3 is formed as a flat surface, the semiconductor wafer 4 attached to the adhesive layer 2 of the adhesive tape 3 is diced into chips. If the sliding of the tape base material 1 is not performed smoothly, it is recommended that a material for reducing the sliding frictional resistance is contained in the other side surface 1b of the tape base material 1.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、半透明な粘着テープを加熱処理して透明性を有
するように形成したから、上記半導体ウエハを上記テー
プ基材の他側面から目視検査や画像処理検査が可能な半
導体ウエハの粘着テープを提供することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the semi-transparent pressure-sensitive adhesive tape is heat-treated so as to have transparency. An adhesive tape of a semiconductor wafer that can be visually inspected and image processing inspected from a side surface can be provided.
【００２７】請求項２の発明によれば、半透明な粘着テ
ープを加熱処理した後、透明性を有する粘着テープに半
導体ウエハを貼着したから、上記半導体ウエハを上記テ
ープ基材の他側面からきわめて簡単な方法で目視検査や
画像処理検査が可能な半導体ウエハの貼着方法を提供す
ることができる。請求項３の発明によれば、粘着テープ
の粘着材層側に耐熱性テープを被着したから、上記粘着
テープを加熱および加圧しても加圧ローラに巻き付きを
有効に防止することができる。According to the second aspect of the present invention, after the semi-transparent adhesive tape is subjected to heat treatment, the semiconductor wafer is attached to the transparent adhesive tape. It is possible to provide a method of attaching a semiconductor wafer, which enables a visual inspection and an image processing inspection by a very simple method. According to the third aspect of the present invention, since the heat-resistant tape is adhered to the adhesive layer side of the adhesive tape, even when the adhesive tape is heated and pressed, it is possible to effectively prevent winding around the pressure roller.
【００２８】請求項４の発明によれば、半透明な粘着テ
ープを加熱ローラで加熱処理して透明性を確保しなが
ら、上記粘着テープに半導体ウエハを貼着し、上記粘着
テープの加熱工程と上記半導体ウエハの貼着工程とが同
一工程でなされるために、上記粘着テープの加熱透明処
理および半導体ウエハの貼着処理が簡素化されて量産化
に迅速に対応することができる。According to the fourth aspect of the present invention, a semi-transparent adhesive tape is heat-treated with a heating roller to secure transparency while a semiconductor wafer is attached to the adhesive tape. Since the step of attaching the semiconductor wafer is performed in the same step, the transparent heating process of the adhesive tape and the attaching process of the semiconductor wafer can be simplified, and mass production can be promptly dealt with.
【図１】この発明による半導体ウエハの粘着テープおよ
びその貼着方法の一例を示す概略的な側面図である。FIG. 1 is a schematic side view showing one example of an adhesive tape for a semiconductor wafer and a method for attaching the same to a semiconductor wafer according to the present invention.
【図２】同粘着テープの要部を示す概略的な説明図であ
る。FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a main part of the adhesive tape.
【図３】同半導体ウエハの一例を示す概略的な断面図で
ある。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an example of the semiconductor wafer.
【図４】この発明による半導体ウエハの粘着テープおよ
びその貼着方法の他の例を示す概略的な側面図である。FIG. 4 is a schematic side view showing another example of an adhesive tape for a semiconductor wafer and a method for attaching the same to a semiconductor wafer according to the present invention.
【図５】この発明による半導体ウエハの粘着テープおよ
びその貼着方法の異なる他の例を示す概略的な側面図で
ある。FIG. 5 is a schematic side view showing another example of an adhesive tape for a semiconductor wafer and a method for attaching the same to a semiconductor wafer according to the present invention.
【図６】加熱ローラの一例を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view illustrating an example of a heating roller.
【図７】同ローラの要部を示す概略的な断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a main part of the roller.
【図８】半導体ウエハの粘着テープの使用例を示す概略
的な側面図である。FIG. 8 is a schematic side view showing an example of using an adhesive tape for a semiconductor wafer.
【図９】半導体ウエハの粘着テープの使用例を説明する
概略的な側面図である。FIG. 9 is a schematic side view illustrating an example of use of an adhesive tape for a semiconductor wafer.
Ａ 加熱工程 Ｂ 加圧工程 Ｃ 分離工程 Ｄ 貼着工程 Ｅ 切断工程 １ テープ基材 ２ 粘着材層 ３ 粘着テープ １１ 耐熱性テープ ３７ 加熱ローラ Reference Signs List A heating step B pressure step C separation step D sticking step E cutting step 1 tape base 2 adhesive layer 3 adhesive tape 11 heat-resistant tape 37 heating roller
Claims (4)
導体ウエハを貼着する半透明な粘着テープを加熱処理
し、この粘着テープに透明性を有するように形成したこ
とを特徴とする導体ウエハの粘着テープ。1. A conductive wafer, wherein a semi-transparent adhesive tape on which at least one surface is formed in a rough surface and to which a semiconductor wafer is attached is subjected to a heat treatment, and the adhesive tape is formed to have transparency. Adhesive tape.
着する半導体ウエハの貼着方法であって、上記粘着テー
プを加熱処理した後、透明性を有する粘着テープに上記
半導体ウエハを貼着することを特徴とする導体ウエハの
貼着方法。2. A method for attaching a semiconductor wafer to a semi-transparent adhesive tape, wherein the semiconductor wafer is attached to a transparent adhesive tape after heating the adhesive tape. A method for attaching a conductive wafer, comprising:
被着して加熱時に加圧することを特徴とする請求項２に
記載の導体ウエハの貼着方法。3. The method for attaching a conductive wafer according to claim 2, wherein a heat-resistant tape is applied to at least the pressure-sensitive adhesive layer side and pressurized during heating.
着する半導体ウエハの貼着方法であって、上記粘着テー
プを加熱ローラで加熱処理して透明性を確保しながら、
上記粘着テープに上記半導体ウエハを貼着することを特
徴とする導体ウエハの貼着方法。4. A method of attaching a semiconductor wafer to a semi-transparent adhesive tape, wherein the adhesive tape is heated by a heating roller to secure transparency.
A method for attaching a conductive wafer, comprising attaching the semiconductor wafer to the adhesive tape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25764096A JPH1083975A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Adhesive tape for conductor wafer and method of adhesion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25764096A JPH1083975A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Adhesive tape for conductor wafer and method of adhesion |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083975A true JPH1083975A (en) | 1998-03-31 |
Family
ID=17309055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25764096A Pending JPH1083975A (en) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | Adhesive tape for conductor wafer and method of adhesion |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083975A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000015583A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-15 | 김규현 | Circuit film and elastomer tape adhesion apparatus for fabricating a semiconductor package |
| JP2005236082A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nitto Denko Corp | Pressure sensitive adhesive sheet for laser dicing, and its manufacturing method |
| JP2008098348A (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Yamaha Corp | Method of inspecting semiconductor chip |
| JP2009266909A (en) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Lintec Corp | Sheet-sticking device and sheet sticking method |
| US8224062B2 (en) | 2006-08-14 | 2012-07-17 | Yamaha Corporation | Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP25764096A patent/JPH1083975A/en active Pending
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