JPH1081678A - 光学活性なフラノンの製造法 - Google Patents
光学活性なフラノンの製造法Info
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- JPH1081678A JPH1081678A JP8236434A JP23643496A JPH1081678A JP H1081678 A JPH1081678 A JP H1081678A JP 8236434 A JP8236434 A JP 8236434A JP 23643496 A JP23643496 A JP 23643496A JP H1081678 A JPH1081678 A JP H1081678A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 次の反応式:
【化1】
〔式中、Rは水酸基の保護基、*は不斉炭素を示す〕で
表わされる4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−
3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法及
びその製造中間体(3)。 【効果】 光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキ
シメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン
を容易にかつ高収率で製造することができる。
表わされる4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−
3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法及
びその製造中間体(3)。 【効果】 光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキ
シメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン
を容易にかつ高収率で製造することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学活性な4,5
−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニ
ル−2(3H)−フラノンの製造法及びこれに用いる製
造中間体に関する。
−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニ
ル−2(3H)−フラノンの製造法及びこれに用いる製
造中間体に関する。
【0002】
【従来の技術】4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチ
ル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンは、医
薬品として有用な抗ムスカリン作用を有するN−置換−
5−アミノメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−
フラノン誘導体の合成中間体として産業上重要な化合物
である(J. Med. Chem. 1992, 35, 4415-4424)。
ル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンは、医
薬品として有用な抗ムスカリン作用を有するN−置換−
5−アミノメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−
フラノン誘導体の合成中間体として産業上重要な化合物
である(J. Med. Chem. 1992, 35, 4415-4424)。
【0003】従来、斯かる4,5−ジヒドロ−5−ヒド
ロキシメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラ
ノンの製造法としては、(i)光学活性な2,2−ジメ
チル−4−(p−トルエンスルホニルオキシメチル)−
1,3−ジオキソランにヨウ化ナトリウムを反応させて
得られる2,2−ジメチル−4−ヨードメチル−1,3
−ジオキソランにジフェニル酢酸を反応せしめ、3−
(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イ
ル)−2,2−ジフェニルプロピオン酸を得、次いで塩
酸により脱保護と同時に閉環反応を行う方法(J. Med.
Chem. 1992, 35, 4415-4424)、(ii)臭化アリルとジ
フェニル酢酸から得られる2,2−ジフェニル−4−ペ
ンテン酸に蟻酸−過酸化水素(米国特許第5039691号)
や過安息香酸〔J. Org. Chem. Soc., 24, 934-938(195
9)〕等の過酸化物を反応して4,5−ジヒドロキシ−
2,2−ジフェニル−ペンタン酸を得、次いで閉環反応
を行う方法が知られている。
ロキシメチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラ
ノンの製造法としては、(i)光学活性な2,2−ジメ
チル−4−(p−トルエンスルホニルオキシメチル)−
1,3−ジオキソランにヨウ化ナトリウムを反応させて
得られる2,2−ジメチル−4−ヨードメチル−1,3
−ジオキソランにジフェニル酢酸を反応せしめ、3−
(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン−4−イ
ル)−2,2−ジフェニルプロピオン酸を得、次いで塩
酸により脱保護と同時に閉環反応を行う方法(J. Med.
Chem. 1992, 35, 4415-4424)、(ii)臭化アリルとジ
フェニル酢酸から得られる2,2−ジフェニル−4−ペ
ンテン酸に蟻酸−過酸化水素(米国特許第5039691号)
や過安息香酸〔J. Org. Chem. Soc., 24, 934-938(195
9)〕等の過酸化物を反応して4,5−ジヒドロキシ−
2,2−ジフェニル−ペンタン酸を得、次いで閉環反応
を行う方法が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
(i)の製造法、すなわち2,2−ジメチル−4−ヨー
ドメチル−1,3−ジオキソランとジフェニル酢酸を反
応させる方法は、立体障害の大きな化合物同士を反応さ
せるため、極めて低収率でしか目的物が得られない。ま
た、上記(ii)の製造法、すなわち2,2−ジフェニル
−4−ペンテン酸に過酸化物を反応させる方法は、反応
に危険な過酸化物を使用しなければならないだけでな
く、反応成績体がラセミ体として得られるため、当該ラ
セミ体から光学活性な化合物を得る必要があり、その手
段が極めて困難であり、かつ低収率となってしまうとい
う欠点を有していた。
(i)の製造法、すなわち2,2−ジメチル−4−ヨー
ドメチル−1,3−ジオキソランとジフェニル酢酸を反
応させる方法は、立体障害の大きな化合物同士を反応さ
せるため、極めて低収率でしか目的物が得られない。ま
た、上記(ii)の製造法、すなわち2,2−ジフェニル
−4−ペンテン酸に過酸化物を反応させる方法は、反応
に危険な過酸化物を使用しなければならないだけでな
く、反応成績体がラセミ体として得られるため、当該ラ
セミ体から光学活性な化合物を得る必要があり、その手
段が極めて困難であり、かつ低収率となってしまうとい
う欠点を有していた。
【0005】従って、本発明の目的は、光学純度の高い
4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジ
フェニル−2(3H)−フラノンを高収率で製造するこ
とができる方法及びその中間体を提供することにある。
4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジ
フェニル−2(3H)−フラノンを高収率で製造するこ
とができる方法及びその中間体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】斯かる実情に鑑み本発明
者らは、鋭意研究を行った結果、入手の容易な下記一般
式(1)で表わされる光学活性なグリシジルアルコール
誘導体を出発原料として用いてジフェニル酢酸と反応を
行えば、光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシ
メチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンを
容易にかつ高収率で製造することができることを見い出
し、本発明を完成した。
者らは、鋭意研究を行った結果、入手の容易な下記一般
式(1)で表わされる光学活性なグリシジルアルコール
誘導体を出発原料として用いてジフェニル酢酸と反応を
行えば、光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシ
メチル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンを
容易にかつ高収率で製造することができることを見い出
し、本発明を完成した。
【0007】本発明は次の反応式で表わすことができ
る。
る。
【0008】
【化11】
【0009】〔式中、Rは水酸基の保護基を示し、*は
不斉炭素の位置を示す〕
不斉炭素の位置を示す〕
【0010】すなわち、本発明は、一般式(1)で表わ
されるグリシジルアルコール誘導体にジフェニル酢酸を
反応させて(工程1)一般式(2)で表わされる2,2
−ジフェニル−4−ヒドロキシカルボン酸類を得、この
ヒドロキシカルボン酸類を分子内脱水反応(工程2)せ
しめて一般式(3)で表わされる4,5−ジヒドロ−2
(3H)−フラノン誘導体を得、次いでこの化合物の水
酸基の保護基を脱離せしめる(工程3)ことを特徴とす
る光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル
−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法
である。
されるグリシジルアルコール誘導体にジフェニル酢酸を
反応させて(工程1)一般式(2)で表わされる2,2
−ジフェニル−4−ヒドロキシカルボン酸類を得、この
ヒドロキシカルボン酸類を分子内脱水反応(工程2)せ
しめて一般式(3)で表わされる4,5−ジヒドロ−2
(3H)−フラノン誘導体を得、次いでこの化合物の水
酸基の保護基を脱離せしめる(工程3)ことを特徴とす
る光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル
−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法
である。
【0011】また、本発明は上記一般式(3)で表わさ
れる製造中間体を提供するものである。
れる製造中間体を提供するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明方法を上記工程毎に
説明する。
説明する。
【0013】(1)工程1 工程1の反応は、例えばテトラヒドロフラン、ジエチル
エーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン等の不活性
溶媒中、約2当量の金属化試薬を用いてジフェニル酢酸
の金属塩を調製し、この中にグリシジルアルコール誘導
体を滴下することによって行われる。ここで用いられる
金属化試薬としては、リチウムジイソプロピルアミド
(LDA)、n−ブチルリチウム、t−ブトキシカリウ
ム等の有機金属試薬や水素化リチウム、金属ナトリウム
等の無機金属試薬が挙げられる。また、反応は−20〜
50℃で1〜24時間行うのが好ましい。
エーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン等の不活性
溶媒中、約2当量の金属化試薬を用いてジフェニル酢酸
の金属塩を調製し、この中にグリシジルアルコール誘導
体を滴下することによって行われる。ここで用いられる
金属化試薬としては、リチウムジイソプロピルアミド
(LDA)、n−ブチルリチウム、t−ブトキシカリウ
ム等の有機金属試薬や水素化リチウム、金属ナトリウム
等の無機金属試薬が挙げられる。また、反応は−20〜
50℃で1〜24時間行うのが好ましい。
【0014】原料に用いられる光学活性なグリシジルア
ルコール誘導体(1)中のRとしては、一般的に用いら
れる水酸基の保護基ならば特に制限されないが、その中
でも特にベンジル基、トリアリールメチル基等のアラル
キル基、アリル基、トリアルキルシリル基、テトラヒド
ロピラニル基、2−チオラニル基等が好ましく、アラル
キル基が特に好ましい。
ルコール誘導体(1)中のRとしては、一般的に用いら
れる水酸基の保護基ならば特に制限されないが、その中
でも特にベンジル基、トリアリールメチル基等のアラル
キル基、アリル基、トリアルキルシリル基、テトラヒド
ロピラニル基、2−チオラニル基等が好ましく、アラル
キル基が特に好ましい。
【0015】なお、ここで用いられるグリシジルアルコ
ール誘導体(1)は不斉炭素原子を有するので、R体、
S体及びその混合物が存在するが、本発明においては、
斯かる立体配置は、最終生成物たる4,5−ジヒドロ−
5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニル−2(3
H)−フラノン(4)まで保持される。すなわち、所望
する4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3
−ジフェニル−2(3H)−フラノン(4)の立体配置
に応じた立体配置を有するグリシジルアルコール誘導体
(1)を選択し、用いればよい。
ール誘導体(1)は不斉炭素原子を有するので、R体、
S体及びその混合物が存在するが、本発明においては、
斯かる立体配置は、最終生成物たる4,5−ジヒドロ−
5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニル−2(3
H)−フラノン(4)まで保持される。すなわち、所望
する4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3
−ジフェニル−2(3H)−フラノン(4)の立体配置
に応じた立体配置を有するグリシジルアルコール誘導体
(1)を選択し、用いればよい。
【0016】ここで得られる2,2−ジフェニル−4−
ヒドロキシカルボン酸類(2)は単離してもよいが、単
離することなく反応液又は抽出液をそのまま次の工程2
に用いることもできる。
ヒドロキシカルボン酸類(2)は単離してもよいが、単
離することなく反応液又は抽出液をそのまま次の工程2
に用いることもできる。
【0017】(2)工程2 工程2の反応は溶媒の存在あるいは非存在下、室温ある
いは加熱下に行われるが、トルエン等の不活性溶媒中、
生成する水を留去しながら加熱して行うのが好ましい。
いは加熱下に行われるが、トルエン等の不活性溶媒中、
生成する水を留去しながら加熱して行うのが好ましい。
【0018】(3)工程3 工程3は水酸基の保護基を脱離せしめることにより目的
とする光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメ
チル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン
(4)を得る反応である。保護基の脱離反応は、保護基
に応じた常法、例えば加水素分解又は加水分解によって
行われるが、より具体的には、ベンジル基等のアラルキ
ル基の場合はパラジウム炭素等の金属触媒の存在下に水
素添加することにより行われる。またアリル基の場合は
プロペニルエーテルに異性化させた後、酸触媒加水分解
することにより行われる。トリアルキルシリル基の場合
はテトラヒドロフラン中フッ化テトラブチルアンモニウ
ムを用いることにより、テトラヒドロピラニル基の場合
はp−トルエンスルホン酸等の酸触媒による加水分解に
より、2−チオラニル基の場合は銀塩を用いることによ
りそれぞれ行われる。
とする光学活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメ
チル−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン
(4)を得る反応である。保護基の脱離反応は、保護基
に応じた常法、例えば加水素分解又は加水分解によって
行われるが、より具体的には、ベンジル基等のアラルキ
ル基の場合はパラジウム炭素等の金属触媒の存在下に水
素添加することにより行われる。またアリル基の場合は
プロペニルエーテルに異性化させた後、酸触媒加水分解
することにより行われる。トリアルキルシリル基の場合
はテトラヒドロフラン中フッ化テトラブチルアンモニウ
ムを用いることにより、テトラヒドロピラニル基の場合
はp−トルエンスルホン酸等の酸触媒による加水分解に
より、2−チオラニル基の場合は銀塩を用いることによ
りそれぞれ行われる。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、光学活性な4,5−ジ
ヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニル−
2(3H)−フラノンを容易にかつ高収率で製造するこ
とができる。
ヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,3−ジフェニル−
2(3H)−フラノンを容易にかつ高収率で製造するこ
とができる。
【0020】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
が、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではな
い。
【0021】実施例1 (R)−5−ベンジルオキシメチル−4,5−ジヒドロ
−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン(3a)
の製造:
−3,3−ジフェニル−2(3H)−フラノン(3a)
の製造:
【0022】
【化12】
【0023】窒素気流下、無水テトラヒドロフラン20
0ml中にジフェニル酢酸37.5g(0.18mol)を
加え、この中に氷冷しながらリチウムジイソプロピルア
ミド2.0Mテトラヒドロフラン溶液180ml(0.3
6mol相当)をゆっくりと滴下した。終了後氷冷下に
1.5時間攪拌を続けジリチウム塩を調製した。次いで
氷冷下に(R)−(−)−ベンジルグリシジルエーテル
(1a)29.0g(0.18mol)をゆっくりと滴下
し、終了後氷冷下に40分更に室温で1晩攪拌を続け
た。反応液を水1リットル中に加え、クエン酸1水和物
76.0g(0.36mol)の水300ml溶液を加え酸
性とした後、酢酸エチルで抽出した。抽出液は水洗後無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して
化合物(2a)75.4gを黄褐色油状物として得た。
この油状物にトルエン500mlを加え、生成する水を留
去しながら3時間加熱還流を続けた。放冷後、減圧下に
溶媒を留去して得た赤褐色油状物66.9gをシリカゲ
ルクロマトグラフィー(溶媒n−ヘキサン/酢酸エチ
ル)にて精製し、標記化合物(3a)を55.1g(収
率86%)得た。
0ml中にジフェニル酢酸37.5g(0.18mol)を
加え、この中に氷冷しながらリチウムジイソプロピルア
ミド2.0Mテトラヒドロフラン溶液180ml(0.3
6mol相当)をゆっくりと滴下した。終了後氷冷下に
1.5時間攪拌を続けジリチウム塩を調製した。次いで
氷冷下に(R)−(−)−ベンジルグリシジルエーテル
(1a)29.0g(0.18mol)をゆっくりと滴下
し、終了後氷冷下に40分更に室温で1晩攪拌を続け
た。反応液を水1リットル中に加え、クエン酸1水和物
76.0g(0.36mol)の水300ml溶液を加え酸
性とした後、酢酸エチルで抽出した。抽出液は水洗後無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して
化合物(2a)75.4gを黄褐色油状物として得た。
この油状物にトルエン500mlを加え、生成する水を留
去しながら3時間加熱還流を続けた。放冷後、減圧下に
溶媒を留去して得た赤褐色油状物66.9gをシリカゲ
ルクロマトグラフィー(溶媒n−ヘキサン/酢酸エチ
ル)にて精製し、標記化合物(3a)を55.1g(収
率86%)得た。
【0024】黄色粘稠油状物1 H-NMR(CDCl3)δ:2.87(1H,dd,J=10.3 and 13.0Hz),2.9
6(1H,dd,J=5.3 and 13.0Hz),3.67(1H,dd,J=5.1 and 11.
0Hz),3.73(1H,dd,J=3.8 and 11.0Hz), 4.51〜4.58(1H,
m),4.59(2H,s), 7.24〜7.38(15H,m)
6(1H,dd,J=5.3 and 13.0Hz),3.67(1H,dd,J=5.1 and 11.
0Hz),3.73(1H,dd,J=3.8 and 11.0Hz), 4.51〜4.58(1H,
m),4.59(2H,s), 7.24〜7.38(15H,m)
【0025】実施例2 (R)−(+)−4,5−ジヒドロ−3,3−ジフェニ
ル−5−ヒドロキシメチル−2(3H)−フラノン(4
a)の製造:
ル−5−ヒドロキシメチル−2(3H)−フラノン(4
a)の製造:
【0026】
【化13】
【0027】エタノール20ml中に(R)−5−ベンジ
ルオキシメチル−4,5−ジヒドロ−3,3−ジフェニ
ル−2(3H)−フラノン(3a)1.0g(2.8mm
ol)及び5%パラジウム炭素0.5gを加え水素雰囲気
下に室温で21時間攪拌を続けた。次いで、反応液を濾
過して触媒を除去し、濾液は減圧下に溶媒を留去して
0.86gの残渣を得た。この残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィー(溶媒 クロロホルム)で精製して油状物
である標記化合物(4a)を0.75g(収率100
%)得た。
ルオキシメチル−4,5−ジヒドロ−3,3−ジフェニ
ル−2(3H)−フラノン(3a)1.0g(2.8mm
ol)及び5%パラジウム炭素0.5gを加え水素雰囲気
下に室温で21時間攪拌を続けた。次いで、反応液を濾
過して触媒を除去し、濾液は減圧下に溶媒を留去して
0.86gの残渣を得た。この残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィー(溶媒 クロロホルム)で精製して油状物
である標記化合物(4a)を0.75g(収率100
%)得た。
【0028】〔α〕D 22:+61.35°(c=1.9, EtOH)〔文
献値+54.6°(c=1.9, EtOH)〕 IRνmax neatcm-1:3400, 17551 H-NMR(CDCl3)δ:2.02(1H,t,J=7.0Hz), 2.89(1H,dd,J=
5.5 and 12.9Hz),2.97(1H,dd,J=10.3 and 12.9Hz),3.71
(1H,ddd,J=4.6 and 7.0 and 12.6Hz),3.99(1H,ddd,J=2.
8 and 7.0 and 12.6Hz),4.44〜4.52(1H,m), 7.26〜7.38
(10H,m)
献値+54.6°(c=1.9, EtOH)〕 IRνmax neatcm-1:3400, 17551 H-NMR(CDCl3)δ:2.02(1H,t,J=7.0Hz), 2.89(1H,dd,J=
5.5 and 12.9Hz),2.97(1H,dd,J=10.3 and 12.9Hz),3.71
(1H,ddd,J=4.6 and 7.0 and 12.6Hz),3.99(1H,ddd,J=2.
8 and 7.0 and 12.6Hz),4.44〜4.52(1H,m), 7.26〜7.38
(10H,m)
Claims (4)
- 【請求項1】 次の一般式(3): 【化1】 〔式中、Rは水酸基の保護基を示し、*は不斉炭素の位
置を示す〕で表わされる4,5−ジヒドロ−2(3H)
−フラノン誘導体の水酸基保護基を脱離せしめることを
特徴とする次の一般式(4): 【化2】 〔式中、*は前記と同じものを示す〕で表わされる光学
活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,
3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法。 - 【請求項2】 次の一般式(2): 【化3】 〔式中、Rは水酸基の保護基を示し、*は不斉炭素の位
置を示す〕で表わされる2,2−ジフェニル−4−ヒド
ロキシカルボン酸類を分子内脱水反応せしめて次の一般
式(3): 【化4】 〔式中、R及び*は前記と同じものを示す〕で表わされ
る4,5−ジヒドロ−2(3H)−フラノン誘導体を
得、次いで水酸基の保護基を脱離せしめることを特徴と
する次の一般式(4): 【化5】 〔式中、*は前記と同じものを示す〕で表わされる光学
活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,
3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法。 - 【請求項3】 次の一般式(1): 【化6】 〔式中、Rは水酸基の保護基を示し、*は不斉炭素の位
置を示す〕で表わされる光学活性なグリシジルアルコー
ル誘導体にジフェニル酢酸を反応させて次の一般式
(2): 【化7】 〔式中、R及び*は前記と同じものを示す〕で表わされ
る2,2−ジフェニル−4−ヒドロキシカルボン酸類を
得、分子内脱水反応をせしめて次の一般式(3): 【化8】 〔式中、R及び*は前記と同じものを示す〕で表わされ
る4,5−ジヒドロ−2(3H)−フラノン誘導体を
得、次いで水酸基の保護基を脱離せしめることを特徴と
する次の一般式(4): 【化9】 〔式中、*は前記と同じものを示す〕で表わされる光学
活性な4,5−ジヒドロ−5−ヒドロキシメチル−3,
3−ジフェニル−2(3H)−フラノンの製造法。 - 【請求項4】 次の一般式(3): 【化10】 〔式中、Rは水酸基の保護基を示し、*は不斉炭素の位
置を示す〕で表わされる4,5−ジヒドロ−2(3H)
−フラノン誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8236434A JPH1081678A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 光学活性なフラノンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8236434A JPH1081678A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 光学活性なフラノンの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1081678A true JPH1081678A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17000704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8236434A Pending JPH1081678A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 光学活性なフラノンの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1081678A (ja) |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP8236434A patent/JPH1081678A/ja active Pending
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