JPH1079292A - High frequency heating device - Google Patents
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- JPH1079292A JPH1079292A JP8233410A JP23341096A JPH1079292A JP H1079292 A JPH1079292 A JP H1079292A JP 8233410 A JP8233410 A JP 8233410A JP 23341096 A JP23341096 A JP 23341096A JP H1079292 A JPH1079292 A JP H1079292A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波加熱装置、
特にその電波シール構造に関するものである。The present invention relates to a high-frequency heating device,
In particular, it relates to the radio wave seal structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】高周波加熱装置の電波シール構造の第１
の従来技術として、例えば図２３に示すようなチョーク
溝構造がある。同図（ａ）はチョーク溝部分の断面図、
同図（ｂ）はチョーク溝の電気的等価回路である。高周
波加熱装置は、内部に高周波が供給される本体の前面部
に、被加熱物を出し入れするための扉が開閉自在に設け
られている。同図（ａ）の２１は本体前面の周囲部に設
けられた前板であり、この前板２１に対向した扉部分に
チョーク溝２２が形成されている。このようなチョーク
溝２２構造において電波シールとして機能するために
は、そのチョーク溝２２の入力インピーダンスＺinが、
Ｚin＝∞の条件となる必要がある。いま、チョーク溝２
２の特性インピーダンスがＺ0 で一定のとき、終端面短
絡としたときの入力インピーダンスＺinは、 Ｚin＝ｊＺ0 tan（β・ｌ） （１） となる。βは位相定数、ｌはチョーク溝２２の深さであ
る。ここで、ｌ＝λ／４とすることで、 β・ｌ＝（２π／λ）・（λ／４）＝π／２， Ｚin＝ｊＺ0 tan（π／２）＝∞ となり、Ｚin＝∞となる条件を満たすことができる。2. Description of the Related Art The first radio wave seal structure of a high-frequency heating device is described.
For example, there is a choke groove structure as shown in FIG. FIG. 2A is a cross-sectional view of a choke groove portion.
FIG. 3B is an electrical equivalent circuit of the choke groove. In the high-frequency heating device, a door for taking in and out an object to be heated is provided on the front surface of a main body to which a high frequency is supplied, so that the door can be opened and closed. 21A is a front plate provided on the periphery of the front surface of the main body, and a choke groove 22 is formed in a door portion facing the front plate 21. In order to function as a radio wave seal in such a choke groove 22 structure, the input impedance Zin of the choke groove 22 must be:
It is necessary to satisfy the condition of Zin = ∞. Now, chalk groove 2
When the characteristic impedance of No. 2 is constant at Z 0 , the input impedance Zin when the termination surface is short-circuited is as follows: Zin = jZ 0 tan (β · l) (1) β is a phase constant, and 1 is the depth of the choke groove 22. Here, by setting l = λ / 4, β · l = (2π / λ) · (λ / 4) = π / 2, Zin = jZ 0 tan (π / 2) = ∞, and Zin = ∞ Can be satisfied.
【０００３】これに対し、高周波加熱装置の電波シール
構造の第２の従来技術として、図２４に示すようにチョ
ーク溝の特性インピーダンスを深さ方向に段階的に変化
させるようにした方法がある（特公昭６２−４９７１５
号公報、特公昭６３−１３３１９号公報等）。同図
（ａ）はチョーク溝部分の断面図、同図（ｂ）はチョー
ク溝の電気的等価回路である。チョーク溝２３は特性イ
ンピーダンスの異なる線路を接続した構成となってお
り、チョーク溝２３の深さの総和（ｌ1 ＋ｌ2 ）が実質
的にλ／４以下の場合でも特性インピーダンス及び
ｌ1 ，ｌ2 を調節することで電波シール機能を持たせる
ことができるとしている。いま、仮に２段階に特性イン
ピーダンスが変化する場合を考えると、入力インピーダ
ンスＺinは、On the other hand, as a second conventional technique of the radio wave seal structure of the high frequency heating device, there is a method of changing the characteristic impedance of the choke groove stepwise in the depth direction as shown in FIG. Tokiko Sho 62-49715
And Japanese Patent Publication No. 63-13319). FIG. 3A is a cross-sectional view of a choke groove portion, and FIG. 3B is an electrical equivalent circuit of the choke groove. The choke groove 23 has a configuration in which lines having different characteristic impedances are connected. Even when the total depth (l 1 + l 2 ) of the choke groove 23 is substantially λ / 4 or less, the characteristic impedance and l 1 , l It is said that by adjusting 2 , the radio wave sealing function can be provided. Now, assuming that the characteristic impedance changes in two stages, the input impedance Zin is
【数３】 Ｚin＝ｊ（Ｚ01tan β1 ｌ1 ＋Ｚ02tan β2 ｌ2 ） ／〔１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 〕 （２） となる。ここでは、ｌ＝（ｌ1 ＋ｌ2 ）＜λ／４の場合
でも、Ｚinの分母が０となるように各定数を選定するこ
とでＺin＝∞となり、特性インピーダンス及び各定数を
調節することでＺin＝∞となる条件を満たすことができ
るとしている。しかし、チョーク溝構造の全体を調整す
る必要があるために、入力インピーダンスＺinの調節に
はかなりの難しさが伴う。[Number 3] Zin = j (Z 01 tan β 1 l 1 + Z 02 tan β 2 l 2) / [1- (Z 02 / Z 01) · tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2 ] (2) Becomes Here, even when l = (l 1 + l 2 ) <λ / 4, Zin = Ｚ by selecting each constant so that the denominator of Zin becomes 0, and adjusting the characteristic impedance and each constant. It is stated that the condition of Zin = ∞ can be satisfied. However, since it is necessary to adjust the entire choke groove structure, adjusting the input impedance Zin involves considerable difficulty.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、高周波加熱
装置（電子レンジ）は、現在様々な大きさの機種が作ら
れており、それに対応して扉構造の寸法も必然的に決ま
る。そこで、任意寸法の扉チョーク溝構造において、そ
の寸法を変えることなく容易に入力インピーダンスＺin
の調節ができて所望の電波シール性能を持たせることが
できるチョーク溝構造が切望されている。By the way, various types of high-frequency heating devices (microwave ovens) are currently manufactured, and the dimensions of the door structure are inevitably determined correspondingly. Therefore, in a door choke groove structure of an arbitrary size, the input impedance Zin can be easily changed without changing the size.
There is a strong demand for a choke groove structure capable of adjusting the thickness of the electromagnetic wave and providing a desired radio wave sealing performance.
【０００５】しかしながら、第１の従来技術では、所望
の電波シール性能を持たせるためには、チョーク溝の深
さが実質的にλ／４の場合のみに限定され、チョーク溝
構造を任意寸法にすることができないという問題点があ
った。また第２の従来技術では、チョーク溝の深さが実
質的にλ／４以下の場合でも所望の電波シール性能を持
たせることができるが、構造的にチョーク溝全体の寸
法、形状を変化させて特性インピーダンス及び各定数を
調節するようになっていたため、Ｚin＝∞となる条件に
マッチングさせることにかなりの難しさが伴うという問
題点があった。However, in the first prior art, in order to provide a desired radio wave sealing performance, the depth of the choke groove is substantially limited to only λ / 4, and the choke groove structure is made to have an arbitrary size. There was a problem that it was not possible. In the second prior art, even if the depth of the choke groove is substantially λ / 4 or less, the desired radio wave sealing performance can be provided, but the dimensions and shape of the entire choke groove are structurally changed. Therefore, the characteristic impedance and the respective constants are adjusted, so that there is a problem that it is considerably difficult to match the condition of Zin = ∞.
【０００６】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
任意の特性インピーダンスで構成された任意寸法、形状
のチョーク溝を容易、確実に入力インピーダンスＺin＝
∞の条件に導いて、扉全周にわたって電波シール性能を
持たせることができる高周波加熱装置を提供することを
目的とする。[0006] The present invention has been made in view of the above,
A choke groove of any size and shape composed of any characteristic impedance can be easily and reliably formed in the input impedance Zin =
It is an object of the present invention to provide a high-frequency heating device capable of providing radio wave sealing performance over the entire periphery of the door under the conditions of (1).
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、内部に高周波が供給される
本体と該本体に開閉自在に設けられた扉との対向する部
分の少なくとも一方に、電波シール用のチョーク溝を設
け、該チョーク溝に、当該チョーク溝の入力インピーダ
ンス調整用のアドミッタンス素子を挿入してなることを
要旨とする。この構成により、任意の特性インピーダン
スで構成された任意寸法のチョーク溝をアドミッタンス
素子の値を調整することで、電波シール性能を持つＺin
＝∞の条件に導くことが可能となる。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is directed to a structure in which a main body to which a high frequency is supplied and a door which is openably and closably provided in the main body are provided. The gist is that at least one of the choke grooves is provided with a radio wave seal choke groove, and an admittance element for adjusting the input impedance of the choke groove is inserted into the choke groove. With this configuration, by adjusting the value of the admittance element to a choke groove having an arbitrary dimension constituted by an arbitrary characteristic impedance, Zin having a radio wave sealing performance can be obtained.
= ∞.
【０００８】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の高周波加熱装置において、前記アドミッタンス素子
は、金属導体、誘電体又は金属壁のスリットの少なくと
も何れかで構成してなることを要旨とする。この構成に
より、チョーク溝内へ挿入するアドミッタンス素子の容
易構成性が得られる。According to a second aspect of the present invention, in the high-frequency heating device according to the first aspect, the admittance element is constituted by at least one of a metal conductor, a dielectric, and a slit in a metal wall. I do. With this configuration, easy configuration of the admittance element inserted into the choke groove can be obtained.
【０００９】請求項３記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の高周波加熱装置において、前記アドミッタンス
素子は、前記チョーク溝の電気的な深さの入力端から短
絡終端の間に挿入してなることを要旨とする。この構成
により、アドミッタンス素子の値を効果的に調整するこ
とができて、任意寸法のチョーク溝の入力インピーダン
スを確実にＺin＝∞の条件に導くことが可能となる。According to a third aspect of the present invention, in the high-frequency heating device according to the first or second aspect, the admittance element is inserted between an input end of an electrical depth of the choke groove and a short-circuit end. The gist is to become With this configuration, the value of the admittance element can be effectively adjusted, and the input impedance of the choke groove having an arbitrary dimension can be reliably led to the condition of Zin = ∞.
【００１０】請求項４記載の発明は、上記請求項２又は
３記載の高周波加熱装置において、前記金属壁のスリッ
トは、前記チョーク溝における深さ方向と直交する長手
方向に延びる形状に構成してなることを要旨とする。こ
の構成により、チョーク溝の深さ方向に流れる壁面電流
が制限されて、金属壁のスリットが誘導性のアドミッタ
ンスを挿入したことと等価的に作用する。According to a fourth aspect of the present invention, in the high-frequency heating device according to the second or third aspect, the slit of the metal wall is formed in a shape extending in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove. The gist is to become With this configuration, the wall current flowing in the depth direction of the choke groove is restricted, and the slit of the metal wall acts equivalently to the insertion of the inductive admittance.
【００１１】請求項５記載の発明は、上記請求項２又は
３記載の高周波加熱装置において、前記金属導体の長さ
は、当該金属導体の挿入深さ位置における前記チョーク
溝の幅の１／２以上としてなることを要旨とする。この
構成により、挿入アドミッタンスによるチョーク溝の入
力インピーダンス調整作用を、より一層効果的に発揮さ
せることが可能となる。According to a fifth aspect of the present invention, in the high frequency heating apparatus according to the second or third aspect, the length of the metal conductor is １ ／ of the width of the choke groove at the insertion depth position of the metal conductor. It is the gist that the above is achieved. With this configuration, it is possible to more effectively exert the input impedance adjusting action of the choke groove by the insertion admittance.
【００１２】請求項６記載の発明は、上記請求項２又は
３記載の高周波加熱装置において、前記誘電体は、前記
チョーク溝における深さ方向と直交する長手方向に非一
様形状に構成してなることを要旨とする。この構成によ
り、扉全周にわたるチョーク溝の電波シール性能を向上
させることが可能となる。According to a sixth aspect of the present invention, in the high frequency heating apparatus according to the second or third aspect, the dielectric is formed in a non-uniform shape in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove. The gist is to become With this configuration, it is possible to improve the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door.
【００１３】請求項７記載の発明は、上記請求項１乃至
６の何れかに記載の高周波加熱装置において、前記アド
ミッタンス素子は、前記チョーク溝における深さ方向と
直交する長手方向に複数に分割してなることを要旨とす
る。この構成により、上記と同様に、扉全周にわたるチ
ョーク溝の電波シール性能を向上させることが可能とな
る。According to a seventh aspect of the present invention, in the high-frequency heating apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the admittance element is divided into a plurality in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove. The gist is that With this configuration, it is possible to improve the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire periphery of the door, as described above.
【００１４】請求項８記載の発明は、上記請求項７記載
の高周波加熱装置において、分割により長手方向に配列
された複数の前記アドミッタンス素子における隣接する
当該アドミッタンス素子の間隔は、前記扉各辺の中心部
付近を起点として端部に進むにつれて広げるように構成
してなることを要旨とする。この構成により、扉各辺の
中心部を起点としてアドミッタンス素子の配列及び各ア
ドミッタンス値の調節を容易に行うことができて、扉全
周にわたるチョーク溝の電波シール性能を確実に向上さ
せることが可能となる。According to an eighth aspect of the present invention, in the high frequency heating apparatus according to the seventh aspect, an interval between adjacent admittance elements in the plurality of admittance elements arranged in the longitudinal direction by division is equal to each side of the door. The gist of the invention is that it is configured so as to be widened toward the end portion starting from the vicinity of the center. With this configuration, the arrangement of the admittance elements and the adjustment of each admittance value can be easily performed starting from the center of each side of the door, and the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door can be reliably improved. Becomes
【００１５】請求項９記載の発明は、上記請求項８記載
の高周波加熱装置において、長手方向に配列された前記
アドミッタンス素子の各々に、前記扉各辺の中心部付近
を起点として番号ｎ（＝１，２，３，４，…）を割り当
てたとき、前記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−１）を、According to a ninth aspect of the present invention, in the high frequency heating apparatus according to the eighth aspect, each of the admittance elements arranged in the longitudinal direction has a number n (= , 1, 2, 3, 4,...), The interval SP (n, n-1)
【数４】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としてなることを要旨とする。この構成により、扉
全周にわたるチョーク溝の電波シール性能が確実に向上
して、電波漏洩量を一層減少させることが可能となる。## EQU4 ## SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
The gist is to become 3). With this configuration, the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire periphery of the door is reliably improved, and the amount of radio wave leakage can be further reduced.
【００１６】請求項１０記載の発明は、上記請求項７，
８又は９記載の高周波加熱装置において、中心部付近に
配置した前記アドミッタンス素子は、他のアドミッタン
ス素子と異なるアドミッタンス値又は形状としてなるこ
とを要旨とする。この構成により、扉各辺の中心部を起
点とした各アドミッタンスが適切な値となって、扉全周
にわたるチョーク溝の電波シール性能が確実に向上す
る。[0016] The invention according to claim 10 is the invention according to claim 7,
10. The high-frequency heating apparatus according to 8 or 9, wherein the admittance element arranged near the center has a different admittance value or shape from other admittance elements. With this configuration, each admittance starting from the center of each side of the door becomes an appropriate value, and the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is reliably improved.
【００１７】請求項１１記載の発明は、内部に高周波が
供給される本体と該本体に開閉自在に設けられた扉との
対向する部分の少なくとも一方に、電波シール用のチョ
ーク溝を設け、該チョーク溝内には深さ方向と直交する
長手方向に当該チョーク溝の入力インピーダンス調整用
の複数のインピーダンス素子を配列し、隣接する前記イ
ンピーダンス素子の間隔は、前記扉各辺の中心部付近を
起点として端部に進むにつれて広げるように構成してな
ることを要旨とする。この構成により、扉各辺の中心部
を起点としてインピーダンス素子の配列及び各インピー
ダンス値の調節を容易に行うことができて、扉全周にわ
たるチョーク溝の電波シール性能を確実に向上させるこ
とが可能となる。According to an eleventh aspect of the present invention, a choke groove for a radio wave seal is provided on at least one of a portion where a main body to which a high frequency is supplied and a door which is openably and closably provided oppose the main body. In the choke groove, a plurality of impedance elements for input impedance adjustment of the choke groove are arranged in the longitudinal direction orthogonal to the depth direction, and the interval between the adjacent impedance elements starts from near the center of each side of the door. The gist of the invention is that it is configured to expand as it goes to the end. With this configuration, the arrangement of impedance elements and the adjustment of each impedance value can be easily performed starting from the center of each side of the door, and the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door can be reliably improved. Becomes
【００１８】請求項１２記載の発明は、上記請求項１１
記載の高周波加熱装置において、長手方向に配列された
前記インピーダンス素子の各々に、前記扉各辺の中心部
付近を起点として番号ｎ（＝１，２，３，４，…）を割
り当てたとき、前記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−１）を、The invention according to claim 12 is the invention according to claim 11.
In the high-frequency heating device according to the above, when a number n (= 1, 2, 3, 4,...) Is assigned to each of the impedance elements arranged in the longitudinal direction starting from near the center of each side of the door, The interval SP (n, n-1) is
【数５】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としてなることを要旨とする。この構成により、扉
全周にわたるチョーク溝の電波シール性能が確実に向上
して、電波漏洩量を一層減少させることが可能となる。## EQU5 ## SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
The gist is to become 3). With this configuration, the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire periphery of the door is reliably improved, and the amount of radio wave leakage can be further reduced.
【００１９】請求項１３記載の発明は、上記請求項１１
又は１２記載の高周波加熱装置において、中心部付近に
配置した前記インピーダンス素子は、他のインピーダン
ス素子と異なるインピーダンス値又は形状としてなるこ
とを要旨とする。この構成により、扉各辺の中心部を起
点とした各インピーダンスが適切な値となって、扉全周
にわたるチョーク溝の電波シール性能が確実に向上す
る。The invention according to claim 13 is the invention according to claim 11.
Or the impedance element arranged near the center has a different impedance value or shape from other impedance elements. With this configuration, each impedance starting from the center of each side of the door has an appropriate value, and the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is reliably improved.
【００２０】請求項１４記載の発明は、上記請求項１又
は１１記載の高周波加熱装置において、前記チョーク溝
の開口部から短絡終端面までの経路を折り曲げた構造と
してなることを要旨とする。この構成により、チョーク
溝を、本体又は扉構造の寸法等に応じて折り曲げ経路構
造とした場合においても、アドミッタンス素子又はイン
ピーダンス素子の値を調整することで、電波シール性能
を持つＺin＝∞の条件に導くことが可能となる。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the high frequency heating device according to the first or eleventh aspect, a structure is provided in which a path from an opening of the choke groove to a short-circuit termination surface is bent. With this configuration, even when the choke groove has a bent path structure according to the dimensions of the main body or the door structure, by adjusting the value of the admittance element or the impedance element, the condition of Zin = ∞ having the radio wave sealing performance is obtained. It is possible to lead to.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
の（ａ），（ｂ）及び図２を用いて説明する。まず図１
（ａ）を用いて、本実施の形態の高周波加熱装置のチョ
ーク溝構造を説明する。同図において、１は本体全面の
周囲部に設けられた前板であり、この前板１に対向した
扉部分にチョーク溝２が形成されている。そして、この
チョーク溝２の電気的な深さの中間位置にアドミッタン
ス素子３が挿入されている。図では一般的に特性インピ
ーダンスをＺ01，Ｚ02と記号を違えて示してあるが、勿
論Ｚ01＝Ｚ02であってもよい。β，ｌについても同様で
ある。チョーク溝２にアドミッタンス素子３を挿入する
ことで、任意の特性インピーダンスＺ01，Ｚ02，β，ｌ
で構成された任意寸法のチョーク溝２を、このアドミッ
タンス素子３の値を調整することだけで、所望の電波シ
ール性能を持たせることができる。これを図１（ｂ）の
電気的等価回路図を用いて説明する。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to (a) and (b) of FIG. First, Figure 1
The choke groove structure of the high-frequency heating device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a front plate provided around the entire surface of the main body, and a choke groove 2 is formed in a door portion facing the front plate 1. The admittance element 3 is inserted at an intermediate position of the electrical depth of the choke groove 2. In the figure, the characteristic impedances are generally shown as Z 01 and Z 02 with different symbols, but of course Z 01 = Z 02 may be used. The same applies to β and l. By inserting the admittance element 3 into the choke groove 2, arbitrary characteristic impedances Z 01 , Z 02 , β, l
By adjusting the value of the admittance element 3 in the choke groove 2 having an arbitrary size constituted by the above, a desired radio wave sealing performance can be provided. This will be described with reference to the electrical equivalent circuit diagram of FIG.
【００２２】チョーク溝２にアドミッタンス素子３を挿
入することで、電気的等価回路において伝送線路中に並
列にアドミッタンスＹを挿入したことになる。このとき
のチョーク溝２の入力端からみた入力インピーダンスＺ
inを以下に求める。By inserting the admittance element 3 into the choke groove 2, the admittance Y is inserted in the transmission line in parallel in the electrical equivalent circuit. The input impedance Z seen from the input end of the choke groove 2 at this time
Find in below.
【００２３】四端子網回路の考え方から、入力電圧、入
力電流、出力電圧、出力電流をそれぞれＥ1 ，Ｉ1 ，Ｅ
2 ，Ｉ2 としたとき、入力インピーダンスＺinは四端子
定数ａ，ｂ，ｃ，ｄを用いて、From the viewpoint of the four-terminal network circuit, the input voltage, the input current, the output voltage, and the output current are represented by E 1 , I 1 , and E 1 , respectively.
2 and I 2 , the input impedance Zin is calculated using the four-terminal constants a, b, c, and d.
【数６】 と表せる。ここでは、終端面短絡として、Ｅ2 ＝０とす
ると、(Equation 6) Can be expressed as Here, assuming that E 2 = 0 as a termination surface short circuit,
【数７】 となって、入力インピーダンスＺinは、Ｚin＝Ｅ1 ／Ｉ
1 ＝ｂ／ｄとなる。(Equation 7) And the input impedance Zin is Zin = E 1 / I
1 = b / d.
【００２４】次に、図１（ｂ）の等価回路の四端子定数
を求める。伝送線路の中間部に並列にアドミッタンスＹ
が挿入されているので、次のような数式（５）となる。Next, the four-terminal constant of the equivalent circuit shown in FIG. Admittance Y in parallel with the middle part of the transmission line
Is inserted, the following equation (5) is obtained.
【００２５】[0025]
【数８】 ここで、Ｚ01，Ｚ02は、線路の特性インピーダンス、β
1 ，β2 は位相定数である。いま、一般式として記述し
ているため、伝送線路の並列アドミッタンスＹの挿入位
置の前と後で、特性インピーダンス及び位相定数を違う
記号で表しているが、Ｚ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合も
当然含まれる。これより、入力インピーダンスＺinは、(Equation 8) Here, Z 01 and Z 02 are the characteristic impedance of the line, β
1 and β 2 are phase constants. Now, since it is described as a general formula, the characteristic impedance and the phase constant are represented by different symbols before and after the insertion position of the parallel admittance Y of the transmission line, but Z 01 = Z 02 , β 1 = β Of course, the case of 2 is also included. Thus, the input impedance Zin is
【数９】 Ｚin＝ｂ／ｄ ＝〔−Ｙ・Ｚ01・Ｚ02tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ＋ｊ（Ｚ01tan β1 ｌ1 ＋Ｚ02tan β2 ｌ2 ）〕 ／〔（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ＋ｊＹ・Ｚ02tan β2 ｌ2 〕 （６） となる。この数式（６）においてＺin＝∞の条件とする
ためには、分母が０となればよい。Equation 9] Zin = b / d = [- Y · Z 01 · Z 02 tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2 + j (Z 01 tan β 1 l 1 + Z 02 tan β 2 l 2) ] / [ (1− (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 11 · tan β 2 l 2 ) + jY · Z 02 tan β 2 l 2 ] (6) In order to satisfy the condition of Zin = ∞ in the equation (6), the denominator may be 0.
【００２６】Ｙ＝０の場合；Ｙ＝０の場合は、前記第
２の従来技術の場合に相当する。即ちアドミッタンス素
子３を挿入していない場合である。このとき、数式
（６）は数式（２）と同じ式となり、先に第２の従来技
術で述べたとおり、Ｚin＝∞の条件とするためには、Case of Y = 0; Case of Y = 0 corresponds to the case of the second prior art. That is, the case where the admittance element 3 is not inserted. At this time, Expression (6) becomes the same expression as Expression (2), and as described in the second related art, to satisfy the condition of Zin = ∞,
【数１０】 １−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ＝０ （７） を満たす必要があり、特性インピーダンスＺ01，Ｚ02、
位相定数β1 ，β2 等を調整しなければならず、インピ
ーダンスマッチングが比較的困難である。また、Ｙ＝０
且つＺ01＝Ｚ02，β1 ＝β2 の場合は、数式（６）は数
式（１）と同じ式となり、ｌ1 ＋ｌ2 ＝λ／４のときに
のみＺin＝∞の条件を満たす。It is necessary to satisfy 1- (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2 = 0 (7), and the characteristic impedances Z 01 , Z 02 ,
The phase constants β 1 , β 2, etc. must be adjusted, and impedance matching is relatively difficult. Also, Y = 0
When Z 01 = Z 02 and β 1 = β 2 , Expression (6) becomes the same expression as Expression (1), and the condition of Zin = ∞ is satisfied only when l 1 + l 2 = λ / 4.
【００２７】アドミッタンス素子３を挿入した場合Ｙ
≠０；一方、本実施の形態では、並列アドミッタンスＹ
を挿入した場合に、Ｚin＝∞の条件を導くには、数式
（６）の分母が０となればよいから、When the admittance element 3 is inserted, Y
$ 0; On the other hand, in the present embodiment, parallel admittance Y
In order to derive the condition of Zin = ∞ when is inserted, the denominator of Expression (6) only needs to be 0.
【数１１】 （１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ＋ｊＹ・Ｚ02tan β2 ｌ2 ＝０ （８） を満たせばよい。よって、これから、(1− (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2 ) + jY · Z 02 tan β 2 l 2 = 0 (8) So, from now on,
【数１２】 Ｙ＝ｊ（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 （９） を満たす並列アドミッタンスＹを挿入すれば、任意の特
性インピーダンス、位相定数及びチョーク溝物理長をも
つチョーク溝構造に対して、そのチョーク溝２を電波シ
ール性能を持つＺin＝∞の条件に導くことができる。即
ち、任意に構成されたチョーク溝２に対して、数式
（９）を満たすアドミッタンス素子３を挿入することに
より、チョーク溝２のＺin＝∞となる条件を満たすこと
ができるのである。If the parallel admittance Y that satisfies Y = j (1− (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 1 1 · tan β 2 l 2 ) / Z 02 tan β 2 l 2 (9) is inserted, For a choke groove structure having an arbitrary characteristic impedance, phase constant and choke groove physical length, the choke groove 2 can be guided to the condition of Zin = ∞ having radio wave sealing performance. That is, by inserting the admittance element 3 satisfying the expression (9) into the arbitrarily configured choke groove 2, the condition of Zin = ∞ of the choke groove 2 can be satisfied.
【００２８】いま、具体的に、並列に挿入するアドミッ
タンスＹの値を、コンダクタンスＧとサセプタンスＢ
で、 Ｙ＝Ｇ＋ｊＢ （10） と表したとき、数式（９）は、Now, specifically, the value of the admittance Y to be inserted in parallel is determined by the conductance G and the susceptance B.
When Y = G + jB (10), Expression (9) becomes
【数１３】 Ｙ＝Ｇ＋ｊＢ ＝ｊ（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 （11） Ｇ＝０ Ｂ＝（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 （12） となる。一般的にコンダクタンスＧは小さい値であり、
Ｇは略０として無視できる。いまサセプタンスＢを、容
量性リアクタンスωＣと誘導性リアクタンス１／ωＬ
で、Ｂ＝〔ωＣ−（１／ωＬ）〕と表すと、数式（１
１）は、Y = G + jB = j (1− (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 11 · tan β 2 l 2 ) / Z 02 tan β 2 l 2 (11) G = 0 B = (1 − (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2 ) / Z 02 tan β 2 l 2 (12) Generally, the conductance G is a small value,
G can be ignored as approximately zero. Now, the susceptance B is changed by the capacitive reactance ωC and the inductive reactance 1 / ωL.
And B = [ωC− (1 / ωL)], the equation (1)
1)
【数１４】 Ｙ＝ｊＢ ＝ｊ〔ωＣ−（１／ωＬ）〕 ＝ｊ〔（１−（Ｚ02／Ｚ01）・tan β1 ｌ1 ・tan β2 ｌ2 ） ／Ｚ02tan β2 ｌ2 〕 （13） となる。チョーク溝２をＺin＝∞となる条件に導くに
は、数式（１３）を満たせばよいことになる。即ち、数
式（１３）を満たすアドミッタンスＹ＝ｊＢ＝ｊ〔ωＣ
−（１／ωＬ）〕を、チョーク溝２の電気的深さ方向の
中間部に挿入することで、任意のチョーク溝２の入力イ
ンピーダンスをＺin＝∞の条件に導くことができる。Equation 14] Y = jB = j [ωC- (1 / ωL)] = j [(1- (Z 02 / Z 01 ) · tan β 1 l 1 · tan β 2 l 2) / Z 02 tan β 2 l 2 ] (13). In order to guide the choke groove 2 to the condition of Zin = ∞, it suffices to satisfy Expression (13). That is, admittance Y = jB = j [ωC
− (1 / ωL)] in the middle of the choke groove 2 in the electrical depth direction, the input impedance of any choke groove 2 can be guided to the condition of Zin = ∞.
【００２９】図２は、挿入する並列アドミッタンスＹ＝
ｊＢとチョーク溝２の深さとの関係を示している。チョ
ーク溝２の性能を決定する最も重要なパラメータの１つ
であるチョーク溝２の深さを縦軸にとり、電波シールと
して機能させるためのＺin＝∞の条件を満たすときの並
列アドミッタンスＹ＝ｊＢとの関係を図示したものであ
る。この図から、任意のｌ、即ち、任意のチョーク溝２
構造に対して、サセプタンスＢの値を調節することで、
必ずＺin＝∞の条件を満たすように調節できることがわ
かる。FIG. 2 shows the parallel admittance Y =
The relationship between jB and the depth of the choke groove 2 is shown. The vertical axis represents the depth of the choke groove 2, which is one of the most important parameters for determining the performance of the choke groove 2, and the parallel admittance Y = jB when satisfying the condition of Zin = ∞ for functioning as a radio wave seal. Is a diagram illustrating the relationship. From this figure, any l, that is, any choke groove 2
By adjusting the value of susceptance B for the structure,
It can be seen that the adjustment can always be made to satisfy the condition of Zin = ∞.
【００３０】挿入するアドミッタンス素子３は、後述す
る各実施例で示すように、金属導体、誘電体又は金属壁
のスリットの何れか又はこれらの組み合わせにより構成
することができる。The admittance element 3 to be inserted can be made of any one of a metal conductor, a dielectric, a slit in a metal wall, or a combination thereof, as shown in each embodiment described later.
【００３１】次に、チョーク溝２の電気的深さの中間部
に挿入するアドミッタンス素子３の長手方向の配置につ
いて考えると、電波シール性能を扉チョーク溝２の全周
にわたって略一様に得るために、アドミッタンス素子３
はチョーク溝２の長手方向に複数に分割して配列する。
このように配列することで、挿入アドミッタンスＹの値
を、扉の全周からの電波漏洩を防ぐように調節すること
ができ、扉の全周においてのチョーク溝２の入力インピ
ーダンスＺinをＺin＝∞の条件にもっていくことが比較
的容易にできる。また、このようにアドミッタンス素子
３をチョーク溝２の長手方向に複数に分割して配列させ
た態様において、扉の各辺の中心を起点として扉の端に
進むにつれて隣接するアドミッタンス素子間の間隔（ス
パン）を広げるように配置することで、挿入アドミッタ
ンス素子３の効果により、扉全周からの電波漏洩を防ぐ
ように効果的に調節できることを見出だした。この構成
によれば、扉の各辺の中心に配置したアドミッタンス素
子を起点として配列及びアドミッタンスＹの値を調節す
るため、特に長手方向の配列の調節が容易に行えるよう
になる。また、扉の各辺の中心に配置したアドミッタン
ス素子は、チョーク溝２全周のアドミッタンス素子の起
点として作用させているため、この扉の各辺の中心に配
置したアドミッタンス素子の値を調節することで、扉全
周にわたるチョーク溝２のＺin＝∞となる特性に大きく
影響を与えることができる。即ち、起点となる扉の各辺
の中心に配置したアドミッタンス素子の値を調節するこ
とで、扉全周のチョーク溝２の電波シール特性を調節す
ることが可能となる。その結果、扉の各辺の中心に配置
したアドミッタンス素子の値が、他のアドミッタンス素
子の値と異なる値になることもある。また、チョーク溝
２の開口面から短絡終端面までの経路は、途中で少なく
とも一回折り曲げた構造としてもよい。次に、本実施の
形態の具体例である各実施例を順に述べる。Next, considering the longitudinal arrangement of the admittance element 3 inserted in the middle of the electrical depth of the choke groove 2, the radio wave sealing performance is obtained almost uniformly over the entire circumference of the door choke groove 2. Admittance element 3
Are divided into a plurality in the longitudinal direction of the choke groove 2 and arranged.
By arranging in this manner, the value of the insertion admittance Y can be adjusted so as to prevent radio wave leakage from the entire periphery of the door, and the input impedance Zin of the choke groove 2 over the entire periphery of the door is Zin = ∞ Can be relatively easily carried out. Further, in such an embodiment in which the admittance element 3 is divided into a plurality in the longitudinal direction of the choke groove 2 and arranged, the distance between adjacent admittance elements as the center of each side of the door is set as a starting point and the end of the door is advanced ( It has been found that by arranging so as to extend the span, the effect of the insertion admittance element 3 can be effectively adjusted so as to prevent radio wave leakage from the entire periphery of the door. According to this configuration, since the arrangement and the value of the admittance Y are adjusted starting from the admittance element arranged at the center of each side of the door, the arrangement in the longitudinal direction can be particularly easily adjusted. In addition, since the admittance element arranged at the center of each side of the door is used as a starting point of the admittance element around the entire periphery of the choke groove 2, the value of the admittance element arranged at the center of each side of the door is adjusted. Thus, the characteristics of the choke groove 2 over the entire periphery of the door where Zin = ∞ can be greatly affected. That is, by adjusting the value of the admittance element arranged at the center of each side of the door serving as the starting point, it is possible to adjust the radio wave sealing characteristics of the choke groove 2 around the entire door. As a result, the value of the admittance element arranged at the center of each side of the door may be different from the values of other admittance elements. The path from the opening surface of the choke groove 2 to the short-circuit termination surface may have a structure that is bent at least once in the middle. Next, examples which are specific examples of the present embodiment will be described in order.
【００３２】[0032]
実施例１；図３乃至図７を用いて説明する。本実施例
は、アドミッタンス素子３として金属導体を用いたもの
である。まず図３は、チョーク溝２の電気的深さの中間
部に角柱状の金属導体４を挿入した場合を示している。
チョーク溝２内の電界１１の方向は、図示のように、チ
ョーク溝２の深さ方向に直交する方向である。一般に、
電界の方向に対して平行方向に長さをもつ金属導体を挿
入すると、電気回路的には、アドミッタンスを並列に挿
入した効果を奏する。そこで、金属導体４を図に示すよ
うに挿入することで、電気等価回路的にアドミッタンス
素子３を並列に挿入したことになる。なお、図では、金
属導体４を角柱で示してあるが、アドミッタンス素子３
として機能させるためには角柱である必要はなく、板
状、円柱状、パイプ状など形状は任意でよい。Embodiment 1 A description will be given with reference to FIGS. In the present embodiment, a metal conductor is used as the admittance element 3. First, FIG. 3 shows a case where a prism-shaped metal conductor 4 is inserted in the middle of the electrical depth of the choke groove 2.
The direction of the electric field 11 in the choke groove 2 is a direction orthogonal to the depth direction of the choke groove 2 as illustrated. In general,
When a metal conductor having a length parallel to the direction of the electric field is inserted, the effect of inserting the admittance in parallel in the electric circuit is achieved. Therefore, by inserting the metal conductor 4 as shown in the figure, the admittance elements 3 are inserted in parallel in an electric equivalent circuit. Although the metal conductor 4 is shown by a prism in the figure, the admittance element 3
It does not need to be a prism in order to function as, and any shape such as a plate, a column, and a pipe may be used.
【００３３】図４（ａ）は、チョーク溝２の電気的深さ
の中間部に板状の金属導体４ａを挿入した場合を示し、
同図（ｂ）は、その導波管等価モデル、同図（ｃ）は、
その電気的等価回路モデルを示している。チョーク溝２
の電気的深さの中間部に金属導体４ａを挿入した構成
を、チョーク溝２の電気的深さ方向にみると、導波管等
価モデルでは、容量性の窓を付けたことになる（図４
（ｂ））。そして、容量性の窓を付けることは、電気的
には容量性のアドミッタンスＹ＝ｊＢを並列に挿入した
ことになる（図４（ｃ））。FIG. 4A shows a case where a plate-shaped metal conductor 4a is inserted in the middle of the electrical depth of the choke groove 2.
FIG. 2B is a waveguide equivalent model thereof, and FIG.
The electric equivalent circuit model is shown. Choke groove 2
Looking at the configuration in which the metal conductor 4a is inserted in the middle part of the electric depth of FIG. 1 in the electric depth direction of the choke groove 2, the capacitive equivalent window is provided in the waveguide equivalent model (FIG. 4
(B)). Adding a capacitive window means that an electrically capacitive admittance Y = jB is inserted in parallel (FIG. 4C).
【００３４】図５は、金属導体を板状金属導体４ａとし
たときの変形例を示している。図５（ａ）は、傾斜状の
板状金属導体４ｂを挿入した構成、即ち、チョーク溝２
の電気的深さ方向の経路を折り曲げ構造とした構成例、
図５（ｂ）は、チョーク溝２の深さ方向及び長手方向に
それぞれ平行な板状金属導体４ｃを挿入した構成例であ
る。何れの構成例も、上記図４の場合と同様に、電気的
には、チョーク溝２の電気的深さの中間部に容量性のア
ドミッタンスを並列に挿入したことになる。FIG. 5 shows a modification in which the metal conductor is a plate-shaped metal conductor 4a. FIG. 5A shows a configuration in which the inclined plate-shaped metal conductor 4b is inserted, that is, the choke groove 2 is formed.
Configuration example in which the path in the electrical depth direction is bent.
FIG. 5B is a configuration example in which a plate-shaped metal conductor 4c parallel to the depth direction and the longitudinal direction of the choke groove 2 is inserted. In each of the configuration examples, similarly to the case of FIG. 4 described above, the admittance of the capacitance is inserted in parallel in the middle of the electrical depth of the choke groove 2.
【００３５】図６及び図７は、チョーク溝２の電気的深
さの中間部に傾斜状の板状金属導体を挿入した図５
（ａ）の、さらに変形例に相当する。図６の板状金属導
体４ｄは、図５（ａ）の板状金属導体４ｂに対し、反対
側に傾斜させてある。図６及び図７の両板状金属導体４
ｂ，４ｄの長さは、当該板状金属導体４ｂ，４ｄの挿入
深さ位置におけるチョーク溝２の幅の１／２よりも長く
構成してある。このような構成とすることで、挿入アド
ミッタンスＹの効果をより一層発揮させることができ
る。FIGS. 6 and 7 show an inclined plate-shaped metal conductor inserted in the middle of the electrical depth of the choke groove 2.
This corresponds to a further modified example of FIG. The plate-shaped metal conductor 4d in FIG. 6 is inclined to the opposite side to the plate-shaped metal conductor 4b in FIG. 6 and 7 are both plate-shaped metal conductors 4.
The lengths of b and 4d are longer than 幅 of the width of the choke groove 2 at the insertion depth position of the plate-shaped metal conductors 4b and 4d. With such a configuration, the effect of the insertion admittance Y can be further exhibited.
【００３６】実施例２；図８乃至図１４を用いて説明す
る。本実施例は、アドミッタンス素子３として誘電体を
用いたものである。図８は、チョーク溝２の電気的深さ
の中間部に角柱状の誘電体５を挿入した場合を示してい
る。誘電体５を挿入しても、電気回路的には、アドミッ
タンスを並列に挿入した効果を奏する。なお、図では、
誘電体５を角柱で示してあるが、アドミッタンス素子３
として機能させるためには角柱である必要はなく、板
状、円柱状、パイプ状など形状は任意でよい。Embodiment 2 A description will be given with reference to FIGS. In this embodiment, a dielectric is used as the admittance element 3. FIG. 8 shows a case where a prism-shaped dielectric 5 is inserted in the middle of the electrical depth of the choke groove 2. Even if the dielectric 5 is inserted, the effect of inserting the admittance in parallel is obtained in an electric circuit. In the figure,
Although the dielectric 5 is shown by a prism, the admittance element 3
It does not need to be a prism in order to function as, and any shape such as a plate, a column, and a pipe may be used.
【００３７】図９、図１０及び図１１は、角柱状誘電体
５の挿入態様の変形例をそれぞれ示している。図９は、
角柱状誘電体５をチョーク溝２の底面側に配置した例、
図１０は、角柱状誘電体５をチョーク溝２の一方の側壁
側に配置した例、図１１は、角柱状誘電体５をチョーク
溝２の他方の側壁側に配置した例である。何れの配置例
においても、上記と同様に、電気回路的には、アドミッ
タンスを並列に挿入した効果を奏する。なお、図９、図
１０及び図１１において、角柱状誘電体５を同形状の金
属導体４としても、同様の作用、効果を奏する。FIGS. 9, 10 and 11 show modified examples of the insertion mode of the prismatic dielectric 5, respectively. FIG.
An example in which a prismatic dielectric 5 is arranged on the bottom side of the choke groove 2;
FIG. 10 shows an example in which the prismatic dielectric 5 is arranged on one side wall of the choke groove 2, and FIG. 11 shows an example in which the prismatic dielectric 5 is arranged on the other side wall of the choke groove 2. In any of the arrangement examples, the effect of inserting the admittance in parallel is obtained in the electric circuit as described above. 9, 10, and 11, the same operation and effect can be obtained even if the prism-shaped dielectric 5 is made of the same shape of the metal conductor 4.
【００３８】図１２、図１３及び図１４は、誘電体を円
柱状誘電体５ａとした各変形例を示している。図１２
は、円柱状誘電体５ａをチョーク溝２の底面側に配置し
た例、図１３は、円柱状誘電体５ａをチョーク溝２の一
方の側壁側に配置した例、図１４は、円柱状誘電体５ａ
をチョーク溝２の他方の側壁側に配置した例である。何
れの配置例においても、上記と同様に、電気回路的に
は、アドミッタンスを並列に挿入した効果を奏する。な
お、図１２、図１３及び図１４において、円柱状誘電体
５ａを同形状の金属導体４ｅとしても、同様の作用、効
果を奏する。FIGS. 12, 13 and 14 show modified examples in which the dielectric is a cylindrical dielectric 5a. FIG.
Is an example in which the columnar dielectric 5a is disposed on the bottom side of the choke groove 2, FIG. 13 is an example in which the columnar dielectric 5a is disposed on one side wall side of the choke groove 2, and FIG. 5a
Is arranged on the other side wall side of the choke groove 2. In any of the arrangement examples, the effect of inserting the admittance in parallel is obtained in the electric circuit as described above. In FIGS. 12, 13 and 14, the same operation and effect can be obtained even if the columnar dielectric 5a is made of the same shape as the metal conductor 4e.
【００３９】実施例３；図１５乃至図１８を用いて説明
する。本実施例は、アドミッタンス素子３としてチョー
ク溝２の長手方向に延びる金属壁のスリット６を用いた
ものである。図１５は、チョーク溝２の金属壁の電気的
深さの中間部に単一のスリット６を切った場合を示して
いる。このようなスリット６を形成することで、チョー
ク溝２の深さ方向に流れる壁面電流の流れを制限するた
め、チョーク溝２の深さ方向の伝送線路に並列に誘導性
のアドミッタンスを挿入したことになる。Third Embodiment A description will be given with reference to FIGS. In this embodiment, a slit 6 of a metal wall extending in the longitudinal direction of the choke groove 2 is used as the admittance element 3. FIG. 15 shows a case where a single slit 6 is cut in the middle of the electrical depth of the metal wall of the choke groove 2. In order to limit the flow of the wall current flowing in the depth direction of the choke groove 2 by forming such a slit 6, an inductive admittance is inserted in parallel to the transmission line in the depth direction of the choke groove 2. become.
【００４０】図１６、図１７及び図１８は、金属壁のス
リット６の形成態様の変形例をそれぞれ示している。図
１６は、チョーク溝２の金属壁に、やや細目のスリット
６ａを形成した例、図１７は、チョーク溝２の金属壁
に、平行した２つのスリット６ｂを一部が重なるように
して形成した例、図１８は、チョーク溝２の金属壁に、
平行した２つのスリット６ｃが全体的に重なるようにし
て形成した例である。何れの形成態様においても、上記
と同様に、チョーク溝２の深さ方向の伝送線路に並列に
誘導性のアドミッタンスを挿入した効果を奏する。FIGS. 16, 17 and 18 show modified examples of the formation of the slit 6 in the metal wall. FIG. 16 shows an example in which a slightly thinner slit 6a is formed in the metal wall of the choke groove 2, and FIG. 17 shows two parallel slits 6b formed in the metal wall of the choke groove 2 such that a part thereof partially overlaps. For example, FIG. 18 shows that the metal wall of the choke groove 2
This is an example in which two parallel slits 6c are formed so as to entirely overlap. In any of the formation modes, as described above, the effect of inserting an inductive admittance in parallel to the transmission line in the depth direction of the choke groove 2 is achieved.
【００４１】実施例４；図１９を用いて説明する。本実
施例は、アドミッタンス素子３として誘電体を用いた構
成において、その誘電体をチョーク溝２の長手方向に一
様な形状でなく、変化を持たせて構成したものである。
同図（ａ）は、チョーク溝２の長手方向に、その厚みを
変化させることにより、非一様形状に構成した誘電体５
Ａの例、同図（ｂ）は、チョーク溝２の長手方向に、複
数に分割することにより、非一様形状に構成した誘電体
５Ｂの例、同図（ｃ）は、チョーク溝２の長手方向に、
はしご型とすることにより、非一様形状に構成した誘電
体５Ｃの例である。このように、誘電体５Ａ，５Ｂ，５
Ｃをチョーク溝２の長手方向に非一様形状に構成するこ
とで、扉チョーク溝２の全周にわたって電波シール性能
を向上させることができる。Embodiment 4 This will be described with reference to FIG. In the present embodiment, in a configuration using a dielectric as the admittance element 3, the dielectric is not uniform in the longitudinal direction of the choke groove 2 but is varied.
FIG. 2A shows a dielectric 5 formed in a non-uniform shape by changing the thickness of the choke groove 2 in the longitudinal direction.
FIG. 4B shows an example of a dielectric 5B which is formed into a non-uniform shape by being divided into a plurality of pieces in the longitudinal direction of the choke groove 2, and FIG. In the longitudinal direction,
This is an example of a dielectric material 5C having a ladder shape and having a non-uniform shape. Thus, the dielectrics 5A, 5B, 5
By forming C with a non-uniform shape in the longitudinal direction of the choke groove 2, the radio wave sealing performance can be improved over the entire circumference of the door choke groove 2.
【００４２】実施例５；図２０及び図２１を用いて説明
する。本実施例は、アドミッタンス素子３をチョーク溝
２の長手方向に複数に分割して配置したものである。図
２０（ａ）は、チョーク溝２の長手方向に複数に分割し
た板状金属導体からなる分割型アドミッタンス素子７と
したものである。このように、チョーク溝２の長手方向
に変化をつけることで、扉チョーク溝２の全周にわたっ
て電波シール性能を向上させることができる。図２０
（ｂ）は、分割配置型のアドミッタンス素子８おいて、
隣接するアドミッタンス素子（８ａと８ｂ、８ｂと８ｃ
等）間の間隔（スパン）を扉各辺の中心部付近を起点と
して端部に進むにつれて広げるように構成したものであ
る。間隔の広げ方は、分割配置されたアドミッタンス素
子８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，…の各々に、扉各辺の中心
部を起点として番号ｎ（＝１，２，３，４，…）を割り
当てたとき、間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−１）は、Fifth Embodiment A description will be given with reference to FIGS. In this embodiment, the admittance element 3 is divided into a plurality in the longitudinal direction of the choke groove 2 and arranged. FIG. 20A shows a divided admittance element 7 composed of a plate-shaped metal conductor divided into a plurality of pieces in the longitudinal direction of the choke groove 2. As described above, by changing the length of the choke groove 2 in the longitudinal direction, the radio wave sealing performance can be improved over the entire circumference of the door choke groove 2. FIG.
(B) shows a divided arrangement type admittance element 8;
Adjacent admittance elements (8a and 8b, 8b and 8c
, Etc.), with the distance from the center of each side of the door as a starting point to the end. In order to widen the interval, a number n (= 1, 2, 3, 4,...) Is assigned to each of the divided admittance elements 8a, 8b, 8c, 8d,. , The interval SP (n, n-1) is
【数１５】 ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／２）＋Ａ・ｎ〕 （14） とする。ここで、Ａ＝０．１〜０．３である。このよう
な、間隔とすることで、扉各辺の中心部を起点として配
列及び各アドミッタンス値の調節を容易に行うことがで
き、扉全周のチョーク溝２の電波シール特性を調節する
ことが可能となる。その結果、扉各辺の中心部に配置し
たアドミッタンス素子の値又は形状は、他のアドミッタ
ンス素子の値又は形状と異なることもある。上記図２０
（ａ）と図２０（ｂ）の両分割型アドミッタンス素子７
又は８を用いたときの、チョーク溝２の電波シール性能
を比較したとき、図２０（ａ）の分割型アドミッタンス
素子７を用いた場合でも電波シール性能は十分に機能し
ているが、図２０（ｂ）の分割型アドミッタンス素子８
を用いた場合は、さらに電波漏洩量を半分以下（０．４
６倍）に減少させることができる（扉と前板の隙間が
２．５mmのとき）。図２１は、両分割型アドミッタンス
素子７及び８を用いたチョーク溝２における扉と前板の
隙間と、電波漏洩量との関係（実測値）を示したもので
ある。SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1/2) + A · n] (14) Here, A = 0.1 to 0.3. With such an interval, the arrangement and each admittance value can be easily adjusted starting from the center of each side of the door, and the radio wave sealing characteristic of the choke groove 2 around the entire door can be adjusted. It becomes possible. As a result, the value or shape of the admittance element arranged at the center of each side of the door may be different from the value or shape of another admittance element. FIG. 20 above
20 (a) and FIG. 20 (b), both split type admittance elements 7
When the split admittance element 7 shown in FIG. 20A is used, the radio seal performance is sufficiently functioning. (B) Split type admittance element 8
, The amount of radio wave leakage is further reduced by half or less (0.4
6 times) (when the gap between the door and the front plate is 2.5 mm). FIG. 21 shows the relationship (measured value) between the gap between the door and the front plate in the choke groove 2 using the two-divided admittance elements 7 and 8, and the amount of radio wave leakage.
【００４３】実施例６；図２２を用いて説明する。本実
施例は、同図（ａ）に示すように、チョーク溝２の入力
インピーダンスを、チョーク溝２の長手方向に分割配列
された複数のインピーダンス素子９ａ，９ｂ，９ｃ，９
ｄ，…からなる分割型インピーダンス素子９で調整する
ようにしたものである。図の例の分割型インピーダンス
素子９は板状金属導体で形成されている。隣接するイン
ピーダンス素子（９ａと９ｂ、９ｂと９ｃ等）間の間隔
は扉各辺の中心部付近を起点として端部に進むにつれて
広げるように構成され、その間隔の広げ方は、前記数式
（１４）で示したものと同様になっている。このような
配列間隔とすることで、扉各辺の中心部を起点として配
列及び各インピーダンス値の調節を容易に行うことがで
き、扉全周のチョーク溝２の電波シール特性を、電波漏
洩量が十分少なくなるように調節することが可能とな
る。その結果、扉各辺の中心部に配置したインピーダン
ス素子の値又は形状は、他のインピーダンス素子の値又
は形状と異なることもある。本実施例の電波漏洩量の実
測値は、前記図２１に示した分割型アドミッタンス素子
８を用いたものと略同様である。図２２（ｂ）は、他の
分割型インピーダンス素子１０の構成例であり、この構
成例においても、上記と略同様の作用、効果が得られ
る。Embodiment 6: This will be described with reference to FIG. In the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the input impedance of the choke groove 2 is divided into a plurality of impedance elements 9a, 9b, 9c, 9 divided and arranged in the longitudinal direction of the choke groove 2.
The adjustment is performed by the split type impedance element 9 composed of d,. The split impedance element 9 in the illustrated example is formed of a plate-like metal conductor. The distance between the adjacent impedance elements (9a and 9b, 9b and 9c, etc.) is configured to increase from the vicinity of the center of each side of the door to the end, and the way of expanding the distance is determined by the formula (14). ). With such an arrangement interval, the arrangement and each impedance value can be easily adjusted with the center of each side of the door as a starting point, and the radio wave sealing characteristic of the choke groove 2 around the door can be determined by the amount of radio wave leakage. Can be adjusted to be sufficiently small. As a result, the value or shape of the impedance element disposed at the center of each side of the door may be different from the value or shape of another impedance element. The measured value of the amount of radio wave leakage in this embodiment is substantially the same as that using the divided admittance element 8 shown in FIG. FIG. 22B is a configuration example of another split-type impedance element 10. In this configuration example, substantially the same operation and effect as described above can be obtained.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、内部に高周波が供給される本体と該本体に
開閉自在に設けられた扉との対向する部分の少なくとも
一方に、電波シール用のチョーク溝を設け、該チョーク
溝に、当該チョーク溝の入力インピーダンス調整用のア
ドミッタンス素子を挿入したため、任意の特性インピー
ダンスで構成された任意寸法、形状のチョーク溝を、ア
ドミッタンス素子の値を調整することで、容易に入力イ
ンピーダンスＺin＝∞の条件に導いて電波シール性能を
持たせることができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, at least one of the opposing portions of the main body to which the high frequency is supplied and the door provided to be openable and closable on the main body is provided. Since a choke groove for radio wave seal was provided, and an admittance element for input impedance adjustment of the choke groove was inserted into the choke groove, a choke groove having an arbitrary size and shape constituted by an arbitrary characteristic impedance was set to a value of the admittance element. Is adjusted, the condition of the input impedance Zin = ∞ can be easily obtained to provide the radio wave sealing performance.
【００４５】請求項２記載の発明によれば、前記アドミ
ッタンス素子は、金属導体、誘電体又は金属壁のスリッ
トの少なくとも何れかで構成したため、チョーク溝内へ
挿入するアドミッタンス素子の容易構成性を得ることが
できる。According to the second aspect of the present invention, since the admittance element is constituted by at least one of a metal conductor, a dielectric, and a slit in a metal wall, the admittance element to be inserted into the choke groove can be easily configured. be able to.
【００４６】請求項３記載の発明によれば、前記アドミ
ッタンス素子は、前記チョーク溝の電気的な深さの入力
端から短絡終端の間に挿入したため、アドミッタンス素
子の値を効果的に調整することができて、任意寸法、形
状のチョーク溝に確実に電波シール性能を持たせること
ができる。According to the third aspect of the present invention, since the admittance element is inserted between the input end of the electrical depth of the choke groove and the short-circuit end, the value of the admittance element can be effectively adjusted. As a result, the choke groove having an arbitrary size and shape can reliably have radio wave sealing performance.
【００４７】請求項４記載の発明によれば、前記金属壁
のスリットは、前記チョーク溝における深さ方向と直交
する長手方向に延びる形状に構成したため、金属壁のス
リットが誘導性のアドミッタンスを挿入したことと等価
的に作用し、このアドミッタンスの値を調整すること
で、任意寸法、形状のチョーク溝に電波シール性能を持
たせることができる。According to the fourth aspect of the present invention, since the slit of the metal wall is formed in a shape extending in the longitudinal direction orthogonal to the depth direction of the choke groove, the slit of the metal wall inserts an inductive admittance. By adjusting the value of the admittance, radio wave sealing performance can be imparted to a choke groove having an arbitrary size and shape.
【００４８】請求項５記載の発明によれば、前記金属導
体の長さは、当該金属導体の挿入深さ位置における前記
チョーク溝の幅の１／２以上としたため、挿入アドミッ
タンスによるチョーク溝の入力インピーダンス調整作用
を、より一層効果的に発揮させることができる。According to the fifth aspect of the present invention, since the length of the metal conductor is at least half the width of the choke groove at the insertion depth position of the metal conductor, the input of the choke groove by insertion admittance is performed. The impedance adjusting function can be more effectively exerted.
【００４９】請求項６記載の発明によれば、前記誘電体
は、前記チョーク溝における深さ方向と直交する長手方
向に非一様形状に構成したため、扉全周にわたるチョー
ク溝の電波シール性能を向上させることができる。According to the sixth aspect of the present invention, since the dielectric is formed in a non-uniform shape in the longitudinal direction orthogonal to the depth direction of the choke groove, the electric wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is improved. Can be improved.
【００５０】請求項７記載の発明によれば、前記アドミ
ッタンス素子は、前記チョーク溝における深さ方向と直
交する長手方向に複数に分割したため、上記と同様に、
扉全周にわたるチョーク溝の電波シール性能を向上させ
ることができる。According to the seventh aspect of the present invention, the admittance element is divided into a plurality of parts in the longitudinal direction orthogonal to the depth direction of the choke groove.
The radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door can be improved.
【００５１】請求項８記載の発明によれば、分割により
長手方向に配列された複数の前記アドミッタンス素子に
おける隣接する当該アドミッタンス素子の間隔は、前記
扉各辺の中心部付近を起点として端部に進むにつれて広
げるように構成したため、扉各辺の中心部を起点として
アドミッタンス素子の配列及び各アドミッタンス値の調
節を容易に行うことができて、扉全周にわたるチョーク
溝の電波シール性能を確実に向上させることができる。According to the eighth aspect of the present invention, the interval between the admittance elements adjacent to each other in the plurality of admittance elements arranged in the longitudinal direction by division is set such that the distance from the center of each side of the door as a starting point to an end portion. As it is configured to expand as it progresses, the admittance element arrangement and each admittance value can be easily adjusted starting from the center of each side of the door, and the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is reliably improved Can be done.
【００５２】請求項９記載の発明によれば、長手方向に
配列された前記アドミッタンス素子の各々に、前記扉各
辺の中心部付近を起点として番号ｎ（＝１，２，３，
４，…）を割り当てたとき、前記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−
１）を、According to the ninth aspect, each of the admittance elements arranged in the longitudinal direction has a number n (= 1, 2, 3, 3) starting from the vicinity of the center of each side of the door.
4,...), The interval SP (n, n−
1)
【数１６】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としたため、扉全周にわたるチョーク溝の電波シー
ル性能を確実に向上させて、電波漏洩量を一層減少させ
ることができる。SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
Since 3), the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is reliably improved, and the amount of radio wave leakage can be further reduced.
【００５３】請求項１０記載の発明によれば、中心部付
近に配置した前記アドミッタンス素子は、他のアドミッ
タンス素子と異なるアドミッタンス値又は形状としたた
め、扉各辺の中心部を起点とした各アドミッタンスが適
切な値となって、扉全周にわたるチョーク溝の電波シー
ル性能を確実に向上させることができる。According to the tenth aspect of the present invention, since the admittance element arranged near the center has a different admittance value or shape from the other admittance elements, each admittance starting from the center of each side of the door is used. With an appropriate value, the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door can be reliably improved.
【００５４】請求項１１記載の発明によれば、内部に高
周波が供給される本体と該本体に開閉自在に設けられた
扉との対向する部分の少なくとも一方に、電波シール用
のチョーク溝を設け、該チョーク溝内には深さ方向と直
交する長手方向に当該チョーク溝の入力インピーダンス
調整用の複数のインピーダンス素子を配列し、隣接する
前記インピーダンス素子の間隔は、前記扉各辺の中心部
付近を起点として端部に進むにつれて広げるように構成
したため、扉各辺の中心部を起点としてインピーダンス
素子の配列及び各インピーダンス値の調節を容易に行う
ことができて、扉全周にわたるチョーク溝の電波シール
性能を確実に向上させることができる。According to the eleventh aspect of the present invention, a choke groove for radio wave sealing is provided on at least one of the opposing portions of the main body to which the high frequency is supplied and the door provided to be openable and closable on the main body. In the choke groove, a plurality of impedance elements for input impedance adjustment of the choke groove are arranged in a longitudinal direction orthogonal to the depth direction, and an interval between adjacent impedance elements is near a center of each side of the door. The starting point is the starting point, and as it goes to the end, the arrangement of impedance elements and each impedance value can be easily adjusted starting from the center of each side of the door. The sealing performance can be reliably improved.
【００５５】請求項１２記載の発明によれば、長手方向
に配列された前記インピーダンス素子の各々に、前記扉
各辺の中心部付近を起点として番号ｎ（＝１，２，３，
４，…）を割り当てたとき、前記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−
１）を、According to the twelfth aspect of the present invention, each of the impedance elements arranged in the longitudinal direction has a number n (= 1, 2, 3, 3) starting from near the center of each side of the door.
4,...), The interval SP (n, n−
1)
【数１７】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としたため、扉全周にわたるチョーク溝の電波シー
ル性能を確実に向上させて、電波漏洩量を一層減少させ
ることができる。## EQU17 ## SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
Since 3), the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door is reliably improved, and the amount of radio wave leakage can be further reduced.
【００５６】請求項１３記載の発明によれば、中心部付
近に配置した前記インピーダンス素子は、他のインピー
ダンス素子と異なるインピーダンス値又は形状としたた
め、扉各辺の中心部を起点とした各インピーダンスが適
切な値となって、扉全周にわたるチョーク溝の電波シー
ル性能を確実に向上させることができる。According to the thirteenth aspect of the present invention, since the impedance element disposed near the center has a different impedance value or shape from the other impedance elements, each impedance starting from the center of each side of the door can be adjusted. With an appropriate value, the radio wave sealing performance of the choke groove over the entire circumference of the door can be reliably improved.
【００５７】請求項１４記載の発明によれば、前記チョ
ーク溝の開口部から短絡終端面までの経路を折り曲げた
構造としたため、チョーク溝を、本体又は扉構造の寸法
等に応じて折り曲げ経路構造とした場合においても、ア
ドミッタンス素子又はインピーダンス素子の値を調整す
ることで、容易に入力インピーダンスＺin＝∞の条件に
導いて電波シール性能を持たせることができる。According to the fourteenth aspect of the present invention, since the path from the opening of the choke groove to the short-circuit termination surface is bent, the choke groove is bent according to the dimensions of the main body or the door structure. In this case, by adjusting the value of the admittance element or the impedance element, the condition of the input impedance Zin = ∞ can be easily obtained to provide the radio wave sealing performance.
【図１】本発明に係る高周波加熱装置の実施の形態にお
けるチョーク溝部分の構成及び電気的等価回路を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a choke groove portion and an electrical equivalent circuit in an embodiment of a high-frequency heating device according to the present invention.
【図２】上記実施の形態における挿入アドミッタンスと
チョーク溝の深さとの関係を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an insertion admittance and a depth of a choke groove in the embodiment.
【図３】本発明の実施例１においてチョーク溝にアドミ
ッタンス素子として金属導体を挿入した状態を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing a state in which a metal conductor is inserted as an admittance element into a choke groove in the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例１の第１の変形例を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a first modification of the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例１の第２の変形例を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a second modification of the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例１の第３の変形例を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a third modification of the first embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例１の第４の変形例を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施例２においてチョーク溝にアドミ
ッタンス素子として誘電体を挿入した状態を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram illustrating a state in which a dielectric is inserted as an admittance element into a choke groove in the second embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施例２の第１の変形例を示す図であ
る。FIG. 9 is a diagram showing a first modification of the second embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施例２の第２の変形例を示す図で
ある。FIG. 10 is a diagram showing a second modification of the second embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の実施例２の第３の変形例を示す図で
ある。FIG. 11 is a diagram showing a third modification of the second embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の実施例２の第４の変形例を示す図で
ある。FIG. 12 is a diagram showing a fourth modification of the second embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の実施例２の第５の変形例を示す図で
ある。FIG. 13 is a view showing a fifth modification of the second embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の実施例２の第６の変形例を示す図で
ある。FIG. 14 is a view showing a sixth modification of the second embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の実施例３においてチョーク溝内にア
ドミッタンス素子として金属壁のスリットを形成した状
態を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a state in which a slit of a metal wall is formed as an admittance element in a choke groove in Embodiment 3 of the present invention.
【図１６】本発明の実施例３の第１の変形例を示す図で
ある。FIG. 16 is a diagram showing a first modification of the third embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の実施例３の第２の変形例を示す図で
ある。FIG. 17 is a diagram showing a second modification of the third embodiment of the present invention.
【図１８】本発明の実施例３の第３の変形例を示す図で
ある。FIG. 18 is a diagram showing a third modification of the third embodiment of the present invention.
【図１９】本発明の実施例４において誘電体をチョーク
溝の長手方向に非一様形状に構成した状態を示す図であ
る。FIG. 19 is a diagram showing a state in which the dielectric is formed in a non-uniform shape in the longitudinal direction of the choke groove in the fourth embodiment of the present invention.
【図２０】本発明の実施例５においてアドミッタンス素
子をチョーク溝の長手方向に複数に分割した構成を示す
図である。FIG. 20 is a diagram showing a configuration in which an admittance element is divided into a plurality of pieces in a longitudinal direction of a choke groove in a fifth embodiment of the present invention.
【図２１】上記実施例５において扉と前板の隙間と電波
漏洩量との関係を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the gap between the door and the front plate and the amount of radio wave leakage in the fifth embodiment.
【図２２】本発明の実施例６においてインピーダンス素
子をチョーク溝の長手方向に複数に分割した構成を示す
図である。FIG. 22 is a diagram showing a configuration in which an impedance element is divided into a plurality of parts in a longitudinal direction of a choke groove in a sixth embodiment of the present invention.
【図２３】高周波加熱装置の第１の従来技術におけるチ
ョーク溝部分の構成及び電気的等価回路を示す図であ
る。FIG. 23 is a diagram showing a configuration and an electrical equivalent circuit of a choke groove portion in the first conventional technique of the high-frequency heating device.
【図２４】高周波加熱装置の第２の従来技術におけるチ
ョーク溝部分の構成及び電気的等価回路を示す図であ
る。FIG. 24 is a diagram showing a configuration of a choke groove portion and an electrical equivalent circuit in a second conventional technique of a high-frequency heating device.
１ 本体前面の周囲部に設けられた前板 ２ チョーク溝 ３ アドミッタンス素子 ４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ 金属導体 ５，５ａ 誘電体 ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ チョーク溝の長手方向に非一様形状
に構成した誘電体 ６，６ａ，６ｂ，６ｃ 金属壁のスリット ７，８ 分割型アドミッタンス素子 ９，１０ 分割型インピーダンス素子DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate provided in the periphery of the front surface of the main body 2 Choke groove 3 Admittance element 4, 4a, 4b, 4c, 4d, 4e Metal conductor 5, 5a Dielectric 5A, 5B, 5C Non-uniform in the longitudinal direction of the choke groove Dielectric formed in shape 6, 6a, 6b, 6c Slit in metal wall 7, 8 Split admittance element 9, 10 Split impedance element
Claims (14)
に開閉自在に設けられた扉との対向する部分の少なくと
も一方に、電波シール用のチョーク溝を設け、該チョー
ク溝に、当該チョーク溝の入力インピーダンス調整用の
アドミッタンス素子を挿入してなることを特徴とする高
周波加熱装置。1. A choke groove for radio wave sealing is provided on at least one of opposing portions of a main body to which a high frequency is supplied and a door openably and closably provided in the main body, and the choke groove is provided in the choke groove. An RF heating device comprising an admittance element for adjusting an input impedance of a groove.
誘電体又は金属壁のスリットの少なくとも何れかで構成
してなることを特徴とする請求項１記載の高周波加熱装
置。2. The admittance element comprises: a metal conductor;
2. The high-frequency heating device according to claim 1, wherein the high-frequency heating device is constituted by at least one of a dielectric and a slit in a metal wall.
ク溝の電気的な深さの入力端から短絡終端の間に挿入し
てなることを特徴とする請求項１又は２記載の高周波加
熱装置。3. The high-frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the admittance element is inserted between an input end of an electrical depth of the choke groove and a short-circuit termination.
溝における深さ方向と直交する長手方向に延びる形状に
構成してなることを特徴とする請求項２又は３記載の高
周波加熱装置。4. The high-frequency heating device according to claim 2, wherein the slit of the metal wall is formed in a shape extending in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove.
挿入深さ位置における前記チョーク溝の幅の１／２以上
としてなることを特徴とする請求項２又は３記載の高周
波加熱装置。5. The high-frequency heating apparatus according to claim 2, wherein a length of the metal conductor is equal to or more than の of a width of the choke groove at a position where the metal conductor is inserted.
深さ方向と直交する長手方向に非一様形状に構成してな
ることを特徴とする請求項２又は３記載の高周波加熱装
置。6. The high-frequency heating apparatus according to claim 2, wherein the dielectric has a non-uniform shape in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove.
ク溝における深さ方向と直交する長手方向に複数に分割
してなることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記
載の高周波加熱装置。7. The high-frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the admittance element is divided into a plurality in a longitudinal direction orthogonal to a depth direction of the choke groove.
前記アドミッタンス素子における隣接する当該アドミッ
タンス素子の間隔は、前記扉各辺の中心部付近を起点と
して端部に進むにつれて広げるように構成してなること
を特徴とする請求項７記載の高周波加熱装置。8. The distance between adjacent admittance elements in the plurality of admittance elements arranged in the longitudinal direction by division is configured to increase from the vicinity of the center of each side of the door as a starting point toward an end. The high-frequency heating device according to claim 7, wherein:
ス素子の各々に、前記扉各辺の中心部付近を起点として
番号ｎ（＝１，２，３，４，…）を割り当てたとき、前
記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−１）を、 【数１】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としてなることを特徴とする請求項８記載の高周波
加熱装置。9. When the number n (= 1, 2, 3, 4,...) Is assigned to each of the admittance elements arranged in the longitudinal direction starting from the vicinity of the center of each side of the door, SP (n, n-1) is calculated by the following equation: SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
9. The high-frequency heating device according to claim 8, wherein the high-frequency heating device is configured as 3).
ンス素子は、他のアドミッタンス素子と異なるアドミッ
タンス値又は形状としてなることを特徴とする請求項
７，８又は９記載の高周波加熱装置。10. The high-frequency heating apparatus according to claim 7, wherein the admittance element arranged near the center has an admittance value or a shape different from that of another admittance element.
体に開閉自在に設けられた扉との対向する部分の少なく
とも一方に、電波シール用のチョーク溝を設け、該チョ
ーク溝内には深さ方向と直交する長手方向に当該チョー
ク溝の入力インピーダンス調整用の複数のインピーダン
ス素子を配列し、隣接する前記インピーダンス素子の間
隔は、前記扉各辺の中心部付近を起点として端部に進む
につれて広げるように構成してなることを特徴とする高
周波加熱装置。11. A radio wave sealing choke groove is provided in at least one of a portion where a main body to which a high frequency is supplied and a door which is openably and closably provided are provided in the choke groove. A plurality of impedance elements for input impedance adjustment of the choke groove are arranged in a longitudinal direction orthogonal to the direction of the length of the choke groove. A high-frequency heating device characterized by being configured to be spread.
ンス素子の各々に、前記扉各辺の中心部付近を起点とし
て番号ｎ（＝１，２，３，４，…）を割り当てたとき、
前記間隔ＳＰ（ｎ，ｎ−１）を、 【数２】ＳＰ（ｎ，ｎ−１）＝（λ／４）・〔（１／
２）＋Ａ・ｎ〕 （但し、λ＝高周波の自由空間波長、Ａ＝０．１〜０．
３）としてなることを特徴とする請求項１１記載の高周
波加熱装置。12. When each of the impedance elements arranged in the longitudinal direction is assigned a number n (= 1, 2, 3, 4,...) Starting from near the center of each side of the door,
The interval SP (n, n-1) is expressed by the following equation: SP (n, n-1) = (λ / 4) · [(1 /
2) + A · n] (where λ = the free-space wavelength of the high frequency, A = 0.1-0.
The high-frequency heating apparatus according to claim 11, wherein the apparatus is configured as (3).
ンス素子は、他のインピーダンス素子と異なるインピー
ダンス値又は形状としてなることを特徴とする請求項１
１又は１２記載の高周波加熱装置。13. The impedance element arranged near a center portion has an impedance value or a shape different from that of another impedance element.
13. The high-frequency heating device according to 1 or 12.
面までの経路を折り曲げた構造としてなることを特徴と
する請求項１又は１１記載の高周波加熱装置。14. The high-frequency heating apparatus according to claim 1, wherein a path from an opening of the choke groove to a short-circuit termination surface is bent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233410A JPH1079292A (en) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | High frequency heating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233410A JPH1079292A (en) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | High frequency heating device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079292A true JPH1079292A (en) | 1998-03-24 |
Family
ID=16954635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8233410A Pending JPH1079292A (en) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | High frequency heating device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH1079292A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343553A (en) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electromagnetic wave shielding device and microwave oven |
| US11299619B2 (en) | 2011-07-01 | 2022-04-12 | The Boeing Company | Composite structure having an inorganic coating adhered thereto and method of making same |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP8233410A patent/JPH1079292A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343553A (en) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electromagnetic wave shielding device and microwave oven |
| US11299619B2 (en) | 2011-07-01 | 2022-04-12 | The Boeing Company | Composite structure having an inorganic coating adhered thereto and method of making same |
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