JPH1076460A - Device and method for polishing thin plate - Google Patents
Device and method for polishing thin plateInfo
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回転する定盤に薄板を
圧接させて研磨する方法および装置に関するもので、さ
らに詳しくは、薄板の両面研磨を行うための研磨方法お
よび研磨装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for polishing a thin plate by pressing a thin plate against a rotating surface plate, and more particularly to a polishing method and a polishing apparatus for performing double-side polishing of a thin plate. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の研磨装置として、例えば、図４
および図５に示すような研磨装置が知られている。この
研磨装置１０は下定盤１１と上定盤１２を備えている。
この下定盤１１と上定盤１２にはそれぞれ研磨布が張ら
れている。また、この下定盤１１および上定盤１２は図
示しない回転駆動装置によって回転駆動されるように構
成されている。さらに、上定盤１２は図示しない昇降装
置によって上下動可能に構成されていて、下定盤１１に
対して接近および離反できるようになっている。なお、
図示はしないが、この研磨装置は研磨剤供給装置を備え
ており、ウェーハＷの研磨部に対して研磨剤を供給でき
るようになっている。2. Description of the Related Art As a polishing apparatus of this kind, for example, FIG.
A polishing apparatus as shown in FIG. 5 is known. The polishing apparatus 10 includes a lower surface plate 11 and an upper surface plate 12.
A polishing cloth is provided on each of the lower surface plate 11 and the upper surface plate 12. The lower platen 11 and the upper platen 12 are configured to be rotationally driven by a rotation driving device (not shown). Further, the upper stool 12 is configured to be able to move up and down by a lifting device (not shown) so that it can approach and separate from the lower stool 11. In addition,
Although not shown, the polishing apparatus includes an abrasive supply device, and can supply an abrasive to a polishing portion of the wafer W.
【０００３】ここで、下定盤１１の軸部１１ａの中央は
空洞となっており、その空洞部には歯車軸１３が挿通さ
れている。この歯車軸１３の上端には太陽歯車１４が付
設されている。この太陽歯車１４は下定盤１１の上面か
らその厚み分だけ突出して設けられている。また、下定
盤１１の軸部１１ａを覆うように内歯歯車１５の軸部１
５ａが設けられている。この軸部１５ａの上端部は下定
盤１１の下面および周面を被覆するように半径方向外側
に膨らんでおり、その上端には内歯歯車１５が付設され
ている。この内歯歯車１５は前記太陽歯車１４に対峙し
た状態で配置されている。下定盤１１上には太陽歯車１
４と内歯歯車１５との間にキャリア１６が設置されてい
る。このキャリア１６は図５に示すように下定盤１１の
円周方向に沿って等間隔に計４個設けられている。キャ
リア１６の外周には歯車部１６ａが設けられ、この歯車
部１６ａは太陽歯車１４および内歯歯車１５の双方に同
時に噛合している。各キャリア１６には４枚のウェーハ
Ｗが保持されている。Here, the center of the shaft portion 11a of the lower platen 11 is hollow, and the gear shaft 13 is inserted through the hollow portion. A sun gear 14 is attached to the upper end of the gear shaft 13. The sun gear 14 is provided so as to protrude from the upper surface of the lower stool 11 by the thickness thereof. Also, the shaft 1 of the internal gear 15 is covered so as to cover the shaft 11 a of the lower platen 11.
5a is provided. The upper end of the shaft portion 15a bulges outward in the radial direction so as to cover the lower surface and the peripheral surface of the lower surface plate 11, and an internal gear 15 is attached to the upper end thereof. The internal gear 15 is arranged so as to face the sun gear 14. Sun gear 1 on lower surface plate 11
A carrier 16 is provided between the internal gear 4 and the internal gear 15. As shown in FIG. 5, a total of four carriers 16 are provided at equal intervals along the circumferential direction of the lower stool 11. A gear 16a is provided on the outer periphery of the carrier 16, and the gear 16a is engaged with both the sun gear 14 and the internal gear 15 at the same time. Each carrier 16 holds four wafers W.
【０００４】この研磨装置によれば、研磨剤供給装置に
よって研磨剤を供給しつつ、下定盤１１、上定盤１２、
太陽歯車１４および内歯歯車１５をそれぞれ回転させる
ことにより、キャリア１６を自転させつつ公転させるこ
とにより、そのキャリア１６に保持されているウェーハ
Ｗを下定盤１１および上定盤１２で研磨するようになっ
ている。According to this polishing apparatus, the lower platen 11, the upper platen 12,
By rotating the sun gear 14 and the internal gear 15, respectively, the carrier 16 is revolved while rotating, so that the wafer W held by the carrier 16 is polished by the lower surface plate 11 and the upper surface plate 12. Has become.
【０００５】このようにすれば、下定盤１１および上定
盤１２に張られた研磨布の広い範囲で１枚のウェーハＷ
が研磨されるので、平坦度の良いウェーハＷが得られる
ことになる。In this manner, one wafer W can be spread over a wide range of the polishing cloth stretched on the lower platen 11 and the upper platen 12.
Is polished, so that a wafer W with good flatness can be obtained.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した研
磨装置によれば、ウェーハＷを研磨するのに、下定盤１
１、上定盤１２、太陽歯車１４および内歯歯車１５と回
転要素を４つ用いているので構造が複雑であった。ま
た、キャリア１６は太陽歯車１４および内歯歯車１５に
研磨部近傍で噛合しているため、歯車部分からの発粉に
よる研磨傷が発生する恐れがあった。However, according to the above-mentioned polishing apparatus, the lower platen 1 is used for polishing the wafer W.
1, the upper platen 12, the sun gear 14, the internal gear 15, and four rotating elements are used, so that the structure is complicated. In addition, since the carrier 16 meshes with the sun gear 14 and the internal gear 15 in the vicinity of the polishing portion, there is a possibility that polishing flaws may occur due to powder generation from the gear portion.
【０００７】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、構造が簡素で、しかも、発粉による研磨傷の発生
を可及的に防止することができる、研磨方法および研磨
装置を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above points, and provides a polishing method and a polishing apparatus having a simple structure and capable of preventing generation of polishing scratches due to dusting as much as possible. It is intended to be.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の研磨方法
は、研磨布の張られた下定盤および上定盤との間の偏心
位置に、研磨対象物である複数の薄板を保持するための
複数のキャリアをキャリアホルダによってその場回転可
能となるようにそれぞれ設置し、前記下定盤および前記
上定盤を回転駆動して前記複数のキャリアをその場で回
転させると共に、前記薄板の研磨部に研磨剤を供給する
ことにより前記薄板の両面研磨を行うようにしたことを
特徴とする。この場合、キャリアをその場で回転させる
には、下定盤および上定盤を互いに逆方向に回転駆動す
るか、同じ方向に回転駆動するようにすれば良い。ま
た、請求項２記載の研磨装置は、研磨布の張られた下定
盤および上定盤と、この下定盤および上定盤を互いに逆
方向に回転駆動するための回転駆動装置と、研磨対象物
である複数の薄板を保持するための複数のキャリアと、
固定状態で設けられ前記複数のキャリアを回転自在に保
持するためのキャリアホルダと、前記薄板の研磨部に対
して研磨剤を供給するための研磨剤供給装置とを備え、
前記下定盤および上定盤を前記回転駆動装置で互いに逆
方向に回転駆動して前記複数のキャリアをその場で回転
させると共に、前記薄板の研磨部に前記研磨剤供給装置
で研磨剤を供給することにより前記薄板の両面研磨を行
うように構成されていることを特徴とする。なお、キャ
リアおよびキャリアホルダはガラスエポキシ樹脂等のプ
ラスチック、金属、あるいは金属をプラスチックやセラ
ミックスでコーティングしたものから構成されるが、強
度や金属汚染を考慮すれば、キャリアおよびキャリアホ
ルダは金属をプラスチックやセラミックスでコーティン
グしたものから構成されていることが好ましい。According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing method for holding a plurality of thin plates to be polished at an eccentric position between a lower surface plate and an upper surface plate on which a polishing cloth is stretched. A plurality of carriers are installed so as to be rotatable in place by a carrier holder, and the lower platen and the upper platen are rotationally driven to rotate the plurality of carriers in place, and the thin plate polishing unit And polishing the thin plate on both sides by supplying an abrasive. In this case, in order to rotate the carrier in place, the lower platen and the upper platen may be driven to rotate in opposite directions, or may be driven to rotate in the same direction. A polishing apparatus according to a second aspect of the present invention includes a lower platen and an upper platen on which a polishing cloth is stretched, a rotation drive device for rotating the lower platen and the upper platen in directions opposite to each other, and an object to be polished. A plurality of carriers for holding a plurality of thin plates,
A carrier holder provided in a fixed state for rotatably holding the plurality of carriers, and an abrasive supply device for supplying an abrasive to the polishing section of the thin plate,
The lower platen and the upper platen are rotationally driven in opposite directions by the rotation driving device to rotate the plurality of carriers in place, and supply the polishing agent to the thin plate polishing section with the polishing agent supply device. Thereby, the thin plate is configured to be polished on both sides. The carrier and carrier holder are made of plastic such as glass epoxy resin, metal, or a metal coated with plastic or ceramic. However, considering strength and metal contamination, the carrier and carrier holder are made of plastic or metal. It is preferable to be composed of those coated with ceramics.
【０００９】この研磨方法および研磨装置によれば、下
定盤と上定盤の回転駆動により、キャリアがその場で回
転し、ウェーハが該キャリアの中心に対して公転するこ
とになるので、各ウェーハが研磨布の広い部分を使って
研磨されることになる。したがって、研磨布の磨耗も均
一となり、平坦度の高いウェーハが得られる。また、ウ
ェーハの公転を行わせるのに、下定盤および上定盤を回
転させることによりキャリアをその場で回転させるだけ
なので、研磨装置の構造を簡素化できる。加えて、歯車
部分を少なくすることができると共に、残った歯車部
分、例えば下定盤および上定盤を回転させるための歯車
部分も研磨部から離すことができるので、歯車部分から
の発粉による影響を低減させることができる。According to the polishing method and the polishing apparatus, the carrier is rotated on the spot by the rotational drive of the lower platen and the upper platen, and the wafer revolves around the center of the carrier. Will be polished using a large portion of the polishing cloth. Therefore, the abrasion of the polishing pad becomes uniform, and a wafer with high flatness can be obtained. In addition, since the rotation of the lower platen and the upper platen only rotates the carrier in place to rotate the wafer, the structure of the polishing apparatus can be simplified. In addition, the number of gears can be reduced, and the remaining gears, for example, the gears for rotating the lower stool and the upper stool, can be separated from the polishing section. Can be reduced.
【００１０】請求項３記載の研磨装置は、請求項２記載
の研磨装置において、前記回転駆動装置は、前記下定盤
と前記上定盤とを互いに逆方向に回転駆動させる代わり
に、同方向に回転駆動するように構成されていることを
特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the polishing apparatus according to the second aspect, the rotation driving device rotates the lower surface plate and the upper surface plate in the same direction instead of rotating the lower surface plate and the upper surface plate in opposite directions. It is characterized by being configured to be driven to rotate.
【００１１】この研磨装置においても、請求項２記載の
研磨装置と同様の効果を得ることができる。In this polishing apparatus, the same effect as the polishing apparatus according to the second aspect can be obtained.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１および図２には本発明の実施
形態の研磨装置が示されている。この研磨装置は下定盤
１と上定盤２を備えている。この下定盤１と上定盤２に
はそれぞれ研磨布が張られている。また、下定盤１と上
定盤２は図示しない回転駆動装置によってそれぞれ回転
駆動されるように構成されている。この場合、特に制限
はされないが、下定盤１と上定盤２は互いに逆方向に回
転駆動されるようになっている。また、上定盤２は上下
動可能に構成されていて、下定盤１に対して接近および
離反できるようになっている。なお、図示はしないが、
この研磨装置は研磨剤供給装置を備えており、ウェーハ
Ｗの研磨部に対して研磨剤を供給できるようになってい
る。ここでは、研磨剤として、特に限定はされないが、
ＳｉＯ2 粉を水酸化ナトリウムの水溶液に溶かしたもの
が用いられる。1 and 2 show a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. This polishing apparatus includes a lower platen 1 and an upper platen 2. A polishing cloth is provided on each of the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2. The lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 are each configured to be rotationally driven by a rotation driving device (not shown). In this case, although not particularly limited, the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 are driven to rotate in directions opposite to each other. The upper stool 2 is configured to be vertically movable so that it can approach and separate from the lower stool 1. Although not shown,
This polishing apparatus is provided with an abrasive supply device, and is capable of supplying an abrasive to a polishing portion of the wafer W. Here, the abrasive is not particularly limited,
That dissolved SiO 2 powder in an aqueous solution of sodium hydroxide.
【００１３】下定盤１の軸部１ａの外側には、その軸部
１ａを覆うように円筒体４が設けられている。この円筒
体４は研磨装置に固定状態で設けられる。この円筒体４
の上端は下定盤１の外周近傍に位置し、この円筒体４の
上端には外向きのフランジ５が設けられている。このフ
ランジ５には円周方向に沿ってピン穴５ａが複数付設さ
れている。また、このフランジ５には円板状のキャリア
ホルダ６が設置できるようになっている。このキャリア
ホルダ６のフランジ５への取付けは、キャリアホルダ６
に設けられた貫通孔６ｂと前記ピン穴５ａを合致させ、
貫通孔６ｂに差し込んだピン３０をピン穴５ａに嵌合さ
せることによってなされる。このキャリアホルダ６には
円周方向に４個、等間隔に円孔６ａが設けられている。
各円孔６ａには、その円孔６ａよりもわずかに径の小さ
いキャリア７が設置されている。そして、各キャリア７
は円孔６ａの中で自由に回転できるようになっている。
また、各キャリア７には円周方向に４個、等間隔に、研
磨すべきウェーハＷの形状とほぼ同じ孔７ａが設けられ
ている。各円孔７ａにはウェーハＷが設置されている。A cylindrical body 4 is provided outside the shaft portion 1a of the lower stool 1 so as to cover the shaft portion 1a. The cylindrical body 4 is provided in a fixed state in the polishing apparatus. This cylindrical body 4
Is located near the outer periphery of the lower stool 1, and an outward flange 5 is provided at the upper end of the cylindrical body 4. The flange 5 is provided with a plurality of pin holes 5a along the circumferential direction. A disc-shaped carrier holder 6 can be installed on the flange 5. The attachment of the carrier holder 6 to the flange 5 is performed by the carrier holder 6
And the pin hole 5a is aligned with the through hole 6b provided in the
This is performed by fitting the pin 30 inserted into the through hole 6b into the pin hole 5a. The carrier holder 6 is provided with four circular holes 6a at equal intervals in the circumferential direction.
Each circular hole 6a is provided with a carrier 7 slightly smaller in diameter than the circular hole 6a. And each carrier 7
Can rotate freely in the circular hole 6a.
Each carrier 7 is provided with four holes 7a in the circumferential direction at regular intervals, which are substantially the same as the shape of the wafer W to be polished. A wafer W is installed in each circular hole 7a.
【００１４】なお、上記ではキャリアホルダ６を固定す
るのに円筒体４を用いたが、この円筒体４の代わりに角
筒体を用いても良いし、柱体でも良い。要は、キャリア
ホルダ６を固定できることである。また、キャリアホル
ダ６として円板状のものを用いたが、下定盤１と上定盤
２で挟持する部分が少なくとも板状のものであればあれ
ば良い。また、キャリアホルダ６およびキャリア７の厚
みはウェーハＷの厚みよりも薄くなっている。Although the cylindrical body 4 is used to fix the carrier holder 6 in the above description, a rectangular cylindrical body may be used instead of the cylindrical body 4 or a columnar body. The point is that the carrier holder 6 can be fixed. Further, although a disc-shaped carrier holder is used as the carrier holder 6, it is sufficient that the portion sandwiched between the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 is at least a plate shape. The thickness of the carrier holder 6 and the thickness of the carrier 7 are smaller than the thickness of the wafer W.
【００１５】この研磨装置による研磨は次のようにして
行われる。まず、昇降装置により上定盤２を上昇させ
て、その上定盤２を下定盤１から離反させておく。次
に、キャリアホルダ６を下定盤１上にセットし、前述の
ように貫通孔６ｂと前記ピン穴５ａを合致させ、貫通孔
６ｂに差し込んだピン３０をピン穴５ａに嵌合させるこ
とによって、キャリアホルダ６をフランジ５に固定す
る。次いで、キャリアホルダ６の円孔６ａにキャリア７
を入れ、さらに、キャリア７の孔７ａにウェーハＷを入
れる。その後、昇降装置により上定盤２を下降させて、
その上定盤２を下定盤１に接近させ、上定盤２と下定盤
１との間でウェーハＷを挟持する。そして、研磨剤供給
装置により研磨剤を供給しつつ、下定盤１と上定盤２と
を互いに逆方向に回転させることにより、キャリア６を
その場で回転させ、ウェーハＷをキャリア６の中心に対
して公転させることによって、下定盤１と上定盤２でウ
ェーハＷを研磨する。この場合、キャリア６、下定盤１
および上定盤２の角速度をそれぞれＮ6 、Ｎ1 およびＮ
2 とすれば、キャリア６の角速度は、Ｎ6 ＝（Ｎ1＋
Ｎ2）／２となる。したがって、図３に示すように矩形
波状に下定盤１および上定盤２の角速度をそれぞれ制御
すると共に、その際に下定盤１および上定盤２の角速度
を互いに相補的となるように制御すれば、下定盤１およ
び上定盤２の角速度の設定にもよるが、キャリア６は正
転および逆転を交互に行い、ウェーハＷの表面および裏
面が均一に研磨されることになる。The polishing by this polishing apparatus is performed as follows. First, the upper platen 2 is raised by the lifting device, and the upper platen 2 is separated from the lower platen 1. Next, the carrier holder 6 is set on the lower platen 1, the through-hole 6b is matched with the pin hole 5a as described above, and the pin 30 inserted into the through-hole 6b is fitted into the pin hole 5a. The carrier holder 6 is fixed to the flange 5. Next, the carrier 7 is inserted into the circular hole 6a of the carrier holder 6.
And the wafer W is further inserted into the hole 7 a of the carrier 7. Thereafter, the upper platen 2 is lowered by the lifting device,
The upper platen 2 is made to approach the lower platen 1, and the wafer W is sandwiched between the upper platen 2 and the lower platen 1. Then, the lower platen 1 and the upper platen 2 are rotated in opposite directions to each other while the polishing agent is supplied by the polishing agent supply device, so that the carrier 6 is rotated on the spot, and the wafer W is moved to the center of the carrier 6. The wafer W is polished by the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 by revolving the wafer W. In this case, carrier 6, lower surface plate 1
And the angular velocities of the upper platen 2 are respectively N 6 , N 1 and N
Assuming that 2 , the angular velocity of the carrier 6 is N 6 = (N 1 +
N 2 ) / 2. Therefore, as shown in FIG. 3, while controlling the angular velocities of the lower stool 1 and the upper stool 2 in a rectangular wave shape, the angular velocities of the lower stool 1 and the upper stool 2 are controlled so as to be complementary to each other. For example, depending on the setting of the angular velocities of the lower stool 1 and the upper stool 2, the carrier 6 alternately rotates normally and reversely, and the front and back surfaces of the wafer W are polished uniformly.
【００１６】このようにすれば、研磨剤を供給しつつ、
下定盤１と上定盤２の回転駆動によりキャリア６をその
場で回転させ、ウェーハＷを該キャリア６の中心に対し
て公転させるだけで、各ウェーハＷが研磨布の広い部分
を使って研磨されることから、研磨布の磨耗も均一とな
り、平坦度の高いウェーハＷが得られる。また、ウェー
ハＷの公転を行わせるのに、下定盤１および上定盤２を
回転させるだけなので、研磨装置の構造を簡素化でき
る。加えて、下定盤１および上定盤２を回転させるため
の歯車部分を研磨部から離すことができるので、歯車部
分からの発粉による影響を低減させることができる。In this way, while supplying the abrasive,
Each carrier W is polished using a wide portion of the polishing cloth only by rotating the carrier 6 in place by rotating the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 to revolve the wafer W with respect to the center of the carrier 6. Therefore, the wear of the polishing pad becomes uniform, and a wafer W having a high flatness can be obtained. Further, since the lower platen 1 and the upper platen 2 are simply rotated to cause the wafer W to revolve, the structure of the polishing apparatus can be simplified. In addition, the gear portion for rotating the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 can be separated from the polishing portion, so that the influence of powdering from the gear portion can be reduced.
【００１７】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が
可能である。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to such embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【００１８】例えば、前記実施形態では、前記回転駆動
装置は、下定盤１と上定盤２とを互いに逆方向に回転駆
動させるようになっているが、その代わりに、同方向に
回転駆動するようにしても良いことは勿論である。この
場合にも、前記実施形態と同様の効果が得られることは
勿論である。For example, in the above-described embodiment, the rotary drive device drives the lower surface plate 1 and the upper surface plate 2 to rotate in directions opposite to each other. Instead, the rotational drive device drives to rotate in the same direction. Needless to say, this may be done. In this case, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明の代表的なものの効果を説明すれ
ば、下定盤と上定盤の回転駆動により、キャリアをその
場で回転させることにより、ウェーハを該キャリアの中
心に対して公転させるようになっているので、各ウェー
ハが研磨布の広い部分を使って研磨されることから、研
磨布の磨耗も均一となり、平坦度の高いウェーハが得ら
れる。また、ウェーハの公転を行わせるのに、下定盤お
よび上定盤を回転させるだけなので、研磨装置の構造を
簡素化できる。加えて、下定盤および上定盤を回転させ
るための歯車部分を研磨部から離すことができるので、
歯車部分からの発粉による影響を低減させることができ
る。The effect of a typical example of the present invention will be described. The wafer is revolved around the center of the carrier by rotating the carrier in place by rotating the lower surface plate and the upper surface plate. Since each wafer is polished using a wide portion of the polishing cloth, the wear of the polishing cloth becomes uniform, and a wafer with high flatness can be obtained. In addition, the lower platen and the upper platen are simply rotated to revolve the wafer, so that the structure of the polishing apparatus can be simplified. In addition, the gear part for rotating the lower and upper stool can be separated from the polishing section,
It is possible to reduce the influence of powdering from the gear portion.
【図１】本発明の実施形態に係る研磨装置の要部を示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a main part of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施形態に係る研磨装置の要部の平面
図である。FIG. 2 is a plan view of a main part of the polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図３】下定盤および上定盤の角速度の制御の一例を示
す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of control of angular velocities of a lower stool and an upper stool.
【図４】従来の研磨装置の一部を示す図である。FIG. 4 is a view showing a part of a conventional polishing apparatus.
【図５】従来の研磨装置の一部の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a part of a conventional polishing apparatus.
１ 下定盤 ２ 上定盤 ６ キャリアホルダ ７ キャリア Ｗ ウェーハ 1 lower surface plate 2 upper surface plate 6 carrier holder 7 carrier W wafer
Claims (3)
の間の偏心位置に、研磨対象物である複数の薄板を保持
するための複数のキャリアをキャリアホルダによってそ
の場回転可能となるようにそれぞれ設置し、前記下定盤
および前記上定盤を回転駆動して前記複数のキャリアを
その場で回転させると共に、前記薄板の研磨部に研磨剤
を供給することにより前記薄板の両面研磨を行うように
したことを特徴とする、薄板の研磨方法。1. A plurality of carriers for holding a plurality of thin plates which are objects to be polished can be rotated in place by a carrier holder at eccentric positions between a lower surface plate and an upper surface plate on which a polishing cloth is stretched. Respectively, and the lower platen and the upper platen are rotationally driven to rotate the plurality of carriers in place, and a polishing agent is supplied to a polishing section of the thin plate, thereby polishing both surfaces of the thin plate. A polishing method for a thin plate.
と、この下定盤および上定盤を互いに逆方向に回転駆動
するための回転駆動装置と、研磨対象物である複数の薄
板を保持するための複数のキャリアと、固定状態で設け
られ前記複数のキャリアを回転自在に保持するためのキ
ャリアホルダと、前記薄板の研磨部に対して研磨剤を供
給するための研磨剤供給装置とを備え、前記下定盤およ
び上定盤を前記回転駆動装置で回転駆動して前記複数の
キャリアをその場で回転させると共に、前記薄板の研磨
部に前記研磨剤供給装置で研磨剤を供給することにより
前記薄板の両面研磨を行うように構成されていることを
特徴とする研磨装置。2. A lower platen and an upper platen on which a polishing cloth is stretched, a rotation driving device for rotating the lower platen and the upper platen in directions opposite to each other, and a plurality of thin plates to be polished. A plurality of carriers for holding, a carrier holder provided in a fixed state for rotatably holding the plurality of carriers, and an abrasive supply device for supplying an abrasive to the polishing portion of the thin plate; And rotating the plurality of carriers in place by rotating the lower platen and the upper platen with the rotary driving device, and supplying an abrasive with the abrasive supply device to the polishing section of the thin plate. A polishing apparatus configured to perform double-side polishing on the thin plate.
上定盤とを互いに逆方向に回転駆動させる代わりに、同
方向に回転駆動するように構成されていることを特徴と
する請求項２記載の研磨装置。3. The rotary drive device according to claim 1, wherein the lower platen and the upper platen are driven in the same direction instead of being driven in opposite directions. 3. The polishing apparatus according to 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096696A JPH1076460A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Device and method for polishing thin plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096696A JPH1076460A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Device and method for polishing thin plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1076460A true JPH1076460A (en) | 1998-03-24 |
Family
ID=16916121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23096696A Pending JPH1076460A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Device and method for polishing thin plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1076460A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159383A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Kashiwara Machine Mfg Co Ltd | Carrier for double-disc polishing |
| CN111230728A (en) * | 2019-12-18 | 2020-06-05 | 昆山益延精密五金有限公司 | Double-side grinding device |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP23096696A patent/JPH1076460A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159383A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Kashiwara Machine Mfg Co Ltd | Carrier for double-disc polishing |
| JP4727218B2 (en) * | 2004-12-10 | 2011-07-20 | 株式会社住友金属ファインテック | Double-side polishing carrier |
| CN111230728A (en) * | 2019-12-18 | 2020-06-05 | 昆山益延精密五金有限公司 | Double-side grinding device |
| CN111230728B (en) * | 2019-12-18 | 2021-05-14 | 昆山益延精密五金有限公司 | Double-side grinding device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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