JPH1074423A - 同軸ケーブルの製造方法 - Google Patents
同軸ケーブルの製造方法Info
- Publication number
- JPH1074423A JPH1074423A JP8229478A JP22947896A JPH1074423A JP H1074423 A JPH1074423 A JP H1074423A JP 8229478 A JP8229478 A JP 8229478A JP 22947896 A JP22947896 A JP 22947896A JP H1074423 A JPH1074423 A JP H1074423A
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- coaxial cable
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラックの発生を回避して信号伝達特性の劣
化を確実に防止する。 【解決手段】 金属薄膜からなる外部導体を有し、且
つ、任意形状に曲げ加工して用いられる同軸ケーブルの
製造方法において、曲げ加工後に前記外部導体を形成す
る。曲げ加工後に外部導体を形成するため、曲げ応力が
外部導体に加わらず、クラックの発生を回避できる。
化を確実に防止する。 【解決手段】 金属薄膜からなる外部導体を有し、且
つ、任意形状に曲げ加工して用いられる同軸ケーブルの
製造方法において、曲げ加工後に前記外部導体を形成す
る。曲げ加工後に外部導体を形成するため、曲げ応力が
外部導体に加わらず、クラックの発生を回避できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱を伝えにくい同
軸ケーブルの製造方法に関する。
軸ケーブルの製造方法に関する。
【０００２】
【背景の説明】同軸ケーブルは、円筒状の外部導体とそ
の軸心に位置する中心導体とからなるケーブルで、平衡
形ケーブルに比べて、高周波の伝送損失が少ない、漏話
特性がよい、インピーダンス均等性の確保が容易である
といった優れた特性を持ち、高周波デバイスへの信号伝
達に多用されるが、一定の温度環境下に置かれた高周波
デバイスに適用するには、上記特性に加えて、さらに熱
を伝えにくい構造であることが求められる。たとえば、
超伝導デバイスはきわめて低温の動作環境を必要とする
ため、温度変動の防止や冷却効率の点で、信号経路を含
むあらゆる部分の熱伝導を可能な限り抑制しなければな
らないからである。
の軸心に位置する中心導体とからなるケーブルで、平衡
形ケーブルに比べて、高周波の伝送損失が少ない、漏話
特性がよい、インピーダンス均等性の確保が容易である
といった優れた特性を持ち、高周波デバイスへの信号伝
達に多用されるが、一定の温度環境下に置かれた高周波
デバイスに適用するには、上記特性に加えて、さらに熱
を伝えにくい構造であることが求められる。たとえば、
超伝導デバイスはきわめて低温の動作環境を必要とする
ため、温度変動の防止や冷却効率の点で、信号経路を含
むあらゆる部分の熱伝導を可能な限り抑制しなければな
らないからである。
【０００３】
【従来の技術】同軸ケーブルで最も熱を伝えやすい部分
は外部導体である。この外部導体を薄くして断面積を少
なくすれば熱伝導を抑制できる。外部導体の最小の厚さ
は、いわゆる高周波信号の「表皮効果」の作用深度で決
まり、たとえば、ギガＨｚ帯の周波数域では概ね数ミク
ロン程度である。したがって、信号伝達特性を損なうこ
となく熱伝導を抑制するには、外部導体の厚さを、少な
くとも上記作用深度で決まる値に均一化すればよい。
は外部導体である。この外部導体を薄くして断面積を少
なくすれば熱伝導を抑制できる。外部導体の最小の厚さ
は、いわゆる高周波信号の「表皮効果」の作用深度で決
まり、たとえば、ギガＨｚ帯の周波数域では概ね数ミク
ロン程度である。したがって、信号伝達特性を損なうこ
となく熱伝導を抑制するには、外部導体の厚さを、少な
くとも上記作用深度で決まる値に均一化すればよい。
【０００４】図２は、そのような考え方に基づいて製作
された従来の同軸ケーブル（たとえば特願平７−２８１
１５５号参照）の構造図であり、１は中心導体、２は誘
電体、３は金属薄膜からなる外部導体である。
された従来の同軸ケーブル（たとえば特願平７−２８１
１５５号参照）の構造図であり、１は中心導体、２は誘
電体、３は金属薄膜からなる外部導体である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の同軸ケーブルにあっては、外部導体３が極めて薄
く、たとえば、同軸ケーブルに曲げ加工を施した場合に
外部導体３にクラック（亀裂やひび割れ）が入りやす
く、クラックの程度によっては信号伝達特性を損なうと
いう問題点があった。
来の同軸ケーブルにあっては、外部導体３が極めて薄
く、たとえば、同軸ケーブルに曲げ加工を施した場合に
外部導体３にクラック（亀裂やひび割れ）が入りやす
く、クラックの程度によっては信号伝達特性を損なうと
いう問題点があった。
【０００６】そこで、本発明は、クラックの発生を回避
し、以て信号伝達特性の劣化を確実に防止することを課
題とする。
し、以て信号伝達特性の劣化を確実に防止することを課
題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、金
属薄膜からなる外部導体を有し、且つ、任意形状に曲げ
加工して用いられる同軸ケーブルの製造方法において、
曲げ加工後に前記外部導体を形成することによって達成
される。曲げ加工後に外部導体を形成するため、曲げ応
力が外部導体に加わらないからである。
属薄膜からなる外部導体を有し、且つ、任意形状に曲げ
加工して用いられる同軸ケーブルの製造方法において、
曲げ加工後に前記外部導体を形成することによって達成
される。曲げ加工後に外部導体を形成するため、曲げ応
力が外部導体に加わらないからである。
【０００８】または、曲げ加工前に誘電体の表面を粗面
仕上げし、曲げ加工後に該誘電体の表面に所定膜厚の金
属薄膜からなる外部導体を形成することが望ましい。多
くの場合、同軸ケーブルの誘電体はテフロンであり、こ
のテフロンは化学的、物理的に不活性であるため、その
表面に高品質な金属薄膜を成膜することが相当に困難で
あるが、あらかじめテフロンの表面を粗面仕上げしてお
けば、いわゆる“アンカー効果”によって高品質な金属
薄膜を容易に成膜できるからである。
仕上げし、曲げ加工後に該誘電体の表面に所定膜厚の金
属薄膜からなる外部導体を形成することが望ましい。多
くの場合、同軸ケーブルの誘電体はテフロンであり、こ
のテフロンは化学的、物理的に不活性であるため、その
表面に高品質な金属薄膜を成膜することが相当に困難で
あるが、あらかじめテフロンの表面を粗面仕上げしてお
けば、いわゆる“アンカー効果”によって高品質な金属
薄膜を容易に成膜できるからである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は、本発明に係る同軸ケーブルの
製造方法の一実施例を示す図であり、１０は中心導体、
１１は誘電体（テフロンとする）、１２は下地金属、１
３は外部導体である。
づいて説明する。図１は、本発明に係る同軸ケーブルの
製造方法の一実施例を示す図であり、１０は中心導体、
１１は誘電体（テフロンとする）、１２は下地金属、１
３は外部導体である。
【００１０】本実施例の製造方法は、まず、図１（ａ）
に示すように、中心導体１０と誘電体１１からなる部分
を用意し、誘電体１１の表面を粗面仕上げする。この粗
面仕上げは、後述の下地金属を付着しやすくするための
前処理、すなわち、誘電体１１の表面にきわめて微細な
レベル（望ましくは原子レベル）の凹凸を形成するとい
う処理であり、具体的には、たとえば、エッチング等の
化学的処理や荷電粒子（イオン、電子又はＸ線）ビーム
照射等の物理的処理を利用できる。なお、かかる前処理
は、誘電体１１の素材が化学的、物理的に不活性であっ
て、その表面に高品質な金属薄膜を成膜しにくい場合に
必須の事項であるから、誘電体１１の素材がテフロン以
外のものであって、かつ、化学的、物理的に活性な素材
の場合には省略できることは言うまでもない。
に示すように、中心導体１０と誘電体１１からなる部分
を用意し、誘電体１１の表面を粗面仕上げする。この粗
面仕上げは、後述の下地金属を付着しやすくするための
前処理、すなわち、誘電体１１の表面にきわめて微細な
レベル（望ましくは原子レベル）の凹凸を形成するとい
う処理であり、具体的には、たとえば、エッチング等の
化学的処理や荷電粒子（イオン、電子又はＸ線）ビーム
照射等の物理的処理を利用できる。なお、かかる前処理
は、誘電体１１の素材が化学的、物理的に不活性であっ
て、その表面に高品質な金属薄膜を成膜しにくい場合に
必須の事項であるから、誘電体１１の素材がテフロン以
外のものであって、かつ、化学的、物理的に活性な素材
の場合には省略できることは言うまでもない。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、誘電体１
１の表面に下地金属（たとえばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａ
ｌ）１２を蒸着する。この段階の膜厚は全体に均一であ
ればよく、信号伝達に必要な膜厚を確保しなくてもよい
から、通常の蒸着技術（たとえば化学蒸着法であるＣＶ
Ｄや物理蒸着法であるスパッタ・真空蒸着）を利用でき
る。なお、膜厚の均一性を高めるためには、同軸ケーブ
ルを回転させながら蒸着を行うのが望ましい。
１の表面に下地金属（たとえばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａ
ｌ）１２を蒸着する。この段階の膜厚は全体に均一であ
ればよく、信号伝達に必要な膜厚を確保しなくてもよい
から、通常の蒸着技術（たとえば化学蒸着法であるＣＶ
Ｄや物理蒸着法であるスパッタ・真空蒸着）を利用でき
る。なお、膜厚の均一性を高めるためには、同軸ケーブ
ルを回転させながら蒸着を行うのが望ましい。
【００１２】下地金属１２を着け終わると、次に、図１
（ｃ）に示すように、曲げ加工を行う。なお、図では便
宜的にＡ部とＢ部の２箇所に曲げ加工を施しているが、
実際の曲げ加工は、同軸ケーブルと他部品との干渉関係
で決まり、適用装置ごとに様々な形状になることは言う
までもない。必要な曲げ加工を施すと、最後に、図１
（ｄ）に示すように、下地金属１２の上に、所定膜厚
（信号伝達に必要な膜厚から下地金属１２の膜厚を引い
た膜厚）を有する外部導体１３を形成して完成する。図
示の例では、下地金属１２を陰極に利用した電解メッキ
で外部導体１３を形成しているが、これに限らない。但
し、電解メッキは、蒸着等の成膜技術に比べて、厚みの
ある金属薄膜を精度よく成膜できる点で優れているか
ら、この段階で用いる成膜技術として好適である。
（ｃ）に示すように、曲げ加工を行う。なお、図では便
宜的にＡ部とＢ部の２箇所に曲げ加工を施しているが、
実際の曲げ加工は、同軸ケーブルと他部品との干渉関係
で決まり、適用装置ごとに様々な形状になることは言う
までもない。必要な曲げ加工を施すと、最後に、図１
（ｄ）に示すように、下地金属１２の上に、所定膜厚
（信号伝達に必要な膜厚から下地金属１２の膜厚を引い
た膜厚）を有する外部導体１３を形成して完成する。図
示の例では、下地金属１２を陰極に利用した電解メッキ
で外部導体１３を形成しているが、これに限らない。但
し、電解メッキは、蒸着等の成膜技術に比べて、厚みの
ある金属薄膜を精度よく成膜できる点で優れているか
ら、この段階で用いる成膜技術として好適である。
【００１３】以上のとおり、本実施例では、曲げ加工後
に外部導体１３を形成するため、曲げ加工に伴う応力が
外部導体１３に加わらない。したがって、曲げ部分（Ａ
部、Ｂ部）における外部導体１３のクラック発生を回避
でき、信号伝達特性の劣化を確実に防止できるという有
利な効果が得られる。因みに、本実施例では、曲げ加工
前に成膜される下地金属１２のクラック発生を否定でき
ないが、仮にクラックが生じても、曲げ加工後の外部導
体１３の形成時に埋められてしまうため、信号伝達特性
に支障をきたすことはない。
に外部導体１３を形成するため、曲げ加工に伴う応力が
外部導体１３に加わらない。したがって、曲げ部分（Ａ
部、Ｂ部）における外部導体１３のクラック発生を回避
でき、信号伝達特性の劣化を確実に防止できるという有
利な効果が得られる。因みに、本実施例では、曲げ加工
前に成膜される下地金属１２のクラック発生を否定でき
ないが、仮にクラックが生じても、曲げ加工後の外部導
体１３の形成時に埋められてしまうため、信号伝達特性
に支障をきたすことはない。
【００１４】なお、本実施例の下地金属１２は、蒸着に
よって形成したが、これに限らない。たとえば、スパッ
タ付着加工や無電解メッキで形成しても構わない。因み
に、無電解メッキで下地金属１２を形成する場合、その
下地金属１２の厚さを信号伝達に必要な膜厚にできるの
であれば、下地金属１２の形成工程を曲げ加工後とし、
下地金属１２それ自体を外部導体とすることもできる。
よって形成したが、これに限らない。たとえば、スパッ
タ付着加工や無電解メッキで形成しても構わない。因み
に、無電解メッキで下地金属１２を形成する場合、その
下地金属１２の厚さを信号伝達に必要な膜厚にできるの
であれば、下地金属１２の形成工程を曲げ加工後とし、
下地金属１２それ自体を外部導体とすることもできる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、曲げ加工後に外部導体
を形成するため、曲げ応力が外部導体に加わらない。し
たがって、外部導体のクラック発生を回避でき、信号伝
達特性の劣化を確実に防止できるから、特に、一定の温
度環境下に置かれた高周波デバイスに好適な同軸ケーブ
ルを提供できる。
を形成するため、曲げ応力が外部導体に加わらない。し
たがって、外部導体のクラック発生を回避でき、信号伝
達特性の劣化を確実に防止できるから、特に、一定の温
度環境下に置かれた高周波デバイスに好適な同軸ケーブ
ルを提供できる。
【図１】一実施例の概略製造工程図である。
【図２】従来の同軸ケーブルの構造図である。
１２：下地金属 １３：外部導体
Claims (2)
- 【請求項１】金属薄膜からなる外部導体を有し、且つ、
任意形状に曲げ加工して用いられる同軸ケーブルの製造
方法において、 曲げ加工後に前記外部導体を形成することを特徴とする
同軸ケーブルの製造方法。 - 【請求項２】曲げ加工前に誘電体の表面を粗面仕上げ
し、曲げ加工後に該誘電体の表面に所定膜厚の金属薄膜
からなる外部導体を形成することを特徴とする請求項１
記載の同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229478A JP2901551B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 同軸ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8229478A JP2901551B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 同軸ケーブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074423A true JPH1074423A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2901551B2 JP2901551B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16892809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8229478A Expired - Fee Related JP2901551B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 同軸ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901551B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151056A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Yazaki Corp | 高圧導電路及びワイヤハーネス |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8229478A patent/JP2901551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012151056A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Yazaki Corp | 高圧導電路及びワイヤハーネス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2901551B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |