JPH1067594A - Metal organic chemical vapor deposition apparatus - Google Patents
Metal organic chemical vapor deposition apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属気相成長
装置（ＭＯＣＶＤ装置）、すなわち有機金属ガス供給源
を有する有機金属気相成長装置に係わるものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal organic chemical vapor deposition apparatus (MOCVD apparatus), that is, a metal organic chemical vapor deposition apparatus having an organic metal gas supply source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor
）を始めとする種々の半導体デバイスの装置における
化合物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長におい
ては、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有
機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子線エピタキ
シャル法（ＭＢＥ）が適している。さらにこれらの方法
は、非平衡状態での結晶成長を特徴としており、液相成
長法（ＬＰＥ）では困難な多元系化合物半導体混晶を得
ることができる。特に、ＭＯＣＶＤ装置では、その規模
を大きくすることが容易で、化合物半導体層の育成を効
率良く、容易に行うことができる。2. Description of the Related Art For example, an LED (Light Emitting Diod)
e), HEMT (High Electron Mobility Transistor)
In the formation of compound semiconductors in various semiconductor device apparatuses, such as epitaxial growth, for example, metalorganic vapor phase epitaxy (MOCVD), which can control the supply of raw materials accurately and reproducibly, and molecular beam The epitaxial method (MBE) is suitable. Furthermore, these methods are characterized by crystal growth in a non-equilibrium state, and can obtain a multi-component compound semiconductor mixed crystal which is difficult to perform by liquid phase epitaxy (LPE). In particular, in the MOCVD apparatus, the scale can be easily increased, and the compound semiconductor layer can be grown efficiently and easily.
【０００３】図２に、一般的なＭＯＣＶＤ装置の概略構
成図を示す。例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａ
ＡｓＰ、ＧａＩｎＰ等の化合物半導層のＭＯＣＶＤ法に
よるエピタキシーは、III族原料として、トリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属
ガスを得る有機金属ガス供給源６０（図２においては、
１つの有機金属ガス供給源のみを示している。）が設け
られ、Ｖ族原料供給源３２としては、アルシン（ＡｓＨ
3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of a general MOCVD apparatus. For example, GaAs, AlGaAs, AlGa
Epitaxy of a compound semiconductor layer such as AsP, GaInP or the like by MOCVD is performed using trimethyl gallium (TMGa), trimethyl aluminum (TMA) as a group III raw material.
l), an organic metal gas supply source 60 for obtaining an organic metal gas such as trimethylindium (TMIn) (in FIG. 2,
Only one metal organic gas source is shown. ) Is provided, and the group V raw material supply source 32 is arsine (AsH).
3 ), hydrides such as phosphine (PH 3 ) are provided.
【０００４】有機金属ガス供給源６０において、ＴＭＩ
ｎ等の固体原料が用いられる場合、その供給源は、図３
に示すように、密閉槽１１内に上述の例えばＴＭＩｎが
表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒に
よる固体有機金属原料３１が収容され、これに、純化装
置（図示せず）により高純度化された図２に示す水素キ
ャリアガス供給源１２からのキャリアガスをマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）１７を通じて流量制御して、キ
ャリアガス供給管５１から、所定の流量をもって、吹き
込み、このキャリアガスとともに、これによって気化さ
れた有機金属原料ガスを有機金属原料ガス取り出し管５
２から取り出し、図２に示す目的とする気相成長を行う
反応室１３に導く。In an organic metal gas supply source 60, a TMI
When a solid raw material such as n is used, its source is as shown in FIG.
As shown in the figure, a solid organometallic raw material 31 composed of spherical particles having a diameter of about 5 mm to 10 mm and having the above-mentioned, for example, TMIn adhered to the surface thereof is accommodated in a closed tank 11, and the raw material is purified by a purifier (not shown). The purified carrier gas from the hydrogen carrier gas supply source 12 shown in FIG. 2 is flow-controlled at a predetermined flow rate through a mass flow controller (MFC) 17 through a mass flow controller (MFC) 17 and is blown at a predetermined flow rate. The organic metal raw material gas thus vaporized is taken out of the organic metal raw material gas extraction pipe 5.
2 and is led to a reaction chamber 13 shown in FIG.
【０００５】このようにして反応室１３に送り込まれた
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の被気相成
長基板１６に送り込み、そこで、熱分解を起こして基板
１６上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成
長を行う。The organometallic raw material gas thus sent into the reaction chamber 13 is sent by a heating means 14 such as a high-frequency coil to a vapor deposition substrate 16 on a susceptor 15 maintained at a constant temperature. The target compound semiconductor layer is epitaxially grown on the substrate 16 by thermal decomposition.
【０００６】一方、エピタキシャル成長を停止する時に
は、例えば、有機金属原料ガス供給源６０に対するキャ
リアガスの供給、従って反応室１３に対する有機金属原
料ガスの供給を停止すればよい。このような装置により
III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。On the other hand, when the epitaxial growth is stopped, for example, the supply of the carrier gas to the organometallic source gas supply source 60, that is, the supply of the organometallic source gas to the reaction chamber 13 may be stopped. With such a device
Epitaxial growth of a III-V compound semiconductor is performed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】この場合、密閉槽１１
内の固体有機金属原料３１には、その球状粒表面からの
剥離物による微粒子（パーティクル）や霧（ミスト）存
在したり、更にこの状態で、キャリアガス供給管５１か
ら水素キャリアガスが吹き込まれることによって、球状
粒表面からＴＭＩｎ等が剥離して生じた微粒子や霧が、
吹き上げられ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと
共に、水素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り
出し管５２から、搬送されてしまう場合がある。In this case, the closed tank 11
In the solid organic metal raw material 31 in the inside, fine particles (particles) or fog (mist) due to a substance separated from the spherical particle surface are present, and in this state, a hydrogen carrier gas is blown from the carrier gas supply pipe 51. As a result, fine particles and fog generated by peeling off TMIn etc. from the spherical particle surface,
Along with the blown-up and vaporized (sublimated) TMIn source gas, it may be transported from the organometallic source gas extraction pipe 52 on a hydrogen carrier gas.
【０００８】このように、不本意に搬送された微粒子や
霧は、図２中の反応室１３に通じる配管内に付着し、こ
れが積層するため、気体有機金属原料ガスおよび水素キ
ャリアガスの通過を妨げる。また、この結果、気体の流
れが悪くなるため、密閉槽１１内の総圧力が上昇する。[0008] As described above, the fine particles and mist unintentionally conveyed adhere to the pipes leading to the reaction chamber 13 in FIG. 2 and are stacked, so that the gaseous organometallic raw material gas and the hydrogen carrier gas pass through. Hinder. In addition, as a result, the flow of the gas becomes worse, so that the total pressure in the sealed tank 11 increases.
【０００９】密閉槽１１内における有機金属原料３１の
蒸気圧は、例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）に
おいては、温度により所定の値になるため、結果的に密
閉槽１１内における気体有機金属原料のモル濃度は減少
する。The vapor pressure of the organometallic raw material 31 in the closed tank 11 becomes a predetermined value depending on the temperature in, for example, trimethylindium (TMIn). Decreases.
【００１０】密閉槽１１内における気体有機金属原料ガ
スのモル濃度が変化すると、基板１６上に気相成長され
る化合物半導体結晶の組成に変化が生じ、目的とする化
合物半導体が得られない。When the molar concentration of the gaseous organometallic raw material in the closed vessel 11 changes, the composition of the compound semiconductor crystal grown in vapor phase on the substrate 16 changes, and the desired compound semiconductor cannot be obtained.
【００１１】上述の場合には、配管等に付着した有機金
属原料を排除すなわち洗浄するとか、あるいは配管等を
交換する必要が生じるが、その有機金属原料の排除すな
わち洗浄、配管の交換作業は、著しく面倒であり、コス
ト高を招来する。また、その交換の際に、多量に付着し
た有機金属原料が空気に触れると発火する恐れもあり、
取扱上、極めて危険である。In the above case, it is necessary to remove or clean the organic metal raw material adhering to the pipe or the like, or to replace the pipe or the like. This is extremely troublesome and results in high costs. In addition, at the time of replacement, there is a risk of ignition if a large amount of organometallic material that has adhered comes into contact with air,
Extremely dangerous in handling.
【００１２】そこで、本発明は、上述した微粒子や霧
が、キャリアガスと共に吹き上げられた場合であって
も、これらが、密閉槽１１の外部に搬送されることがな
いようにする。Therefore, the present invention prevents the above-mentioned fine particles and mist from being conveyed to the outside of the closed tank 11 even when the fine particles and the mist are blown up together with the carrier gas.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明は、有機金属ガス
供給源を具備する有機金属気相成長装置において、有機
金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離された第
１の領域と、第２の領域とが形成され、第１の領域が、
固体有機金属原料の収容領域とされ、第２の領域が、第
１の領域から吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域とす
る。According to the present invention, there is provided an organometallic vapor phase epitaxy apparatus provided with an organometallic gas supply source, wherein the organometallic gas supply source is provided in a hermetically sealed tank with a first airtightly separated first metalorganic gas supply source. An area and a second area are formed, and the first area is
The second region is a storage region for the fine particles and fog blown up from the first region.
【００１４】本発明によれば、第２の領域によって第１
の領域から、吹き上げられた微粒子や霧を蓄積するよう
にしたので、これらを密閉槽の外部に出る前に捕集する
ことができる。これにより、密閉槽の外部の配管を固体
有機金属原料によって、汚損することを防止することが
できる。また、これにより、密閉槽内における有機金属
原料ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質
の良い化合物半導体結晶を成長させることができる。According to the present invention, the first region is defined by the second region.
The fine particles and the mist blown up from the area are accumulated, so that they can be collected before leaving the closed tank. Thus, it is possible to prevent the external pipe of the closed vessel from being contaminated by the solid organometallic raw material. In addition, the vapor pressure of the organometallic raw material gas in the closed vessel can be maintained at a predetermined value, and a high-quality compound semiconductor crystal can be grown.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の有機金属気相成
長装置（ＭＯＣＶＤ装置）の一実施の形態を説明する。
以下、その一実施例を説明する。この例においても、図
２で説明したと同様の構成とする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the metal organic chemical vapor deposition apparatus (MOCVD apparatus) of the present invention will be described below.
Hereinafter, one embodiment will be described. This example also has the same configuration as that described with reference to FIG.
【００１６】例えば、ＧａＩｎＰ等の化合物半導体層の
ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシーは、III族原料の供給
源として、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチ
ルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属ガスを得る有機
金属ガス供給源６０が設けられ、Ｖ族原料供給源３２と
しては、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が設けられ
る。For example, epitaxy of a compound semiconductor layer such as GaInP by MOCVD is performed by using an organic metal gas supply source 60 for obtaining an organic metal gas such as trimethylgallium (TMGa) or trimethylindium (TMIn) as a source of a group III raw material. And a hydride such as phosphine (PH 3 ) is provided as the group V raw material supply source 32.
【００１７】本発明においては、有機金属ガス供給源６
０のうち、特に固体有機金属原料が用いられ、例えばト
リメチルインジウム（ＴＭＩｎ）の供給源６０として、
図１に示すように第１の領域１と第２の領域２を有する
密閉槽１０を設ける。この第１の領域１に固体有機金属
原料３１が収容され、これに、純化装置（図示せず）に
より高純度化された水素キャリアガス供給源１２からの
キャリアガスを、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１
７を通じて、流量制御して、キャリアガス供給管５１か
ら吹き込む。In the present invention, the organic metal gas supply source 6
0, a solid organometallic raw material is particularly used. For example, as a supply source 60 of trimethylindium (TMIn),
As shown in FIG. 1, a closed tank 10 having a first region 1 and a second region 2 is provided. The first region 1 contains a solid organometallic raw material 31, into which a carrier gas from a hydrogen carrier gas supply source 12 that has been purified by a purifier (not shown) is supplied to a mass flow controller (MFC) 1.
Through 7, the flow rate is controlled and blown from the carrier gas supply pipe 51.
【００１８】固体有機金属原料３１は、例えばＴＭＩｎ
が表面に被着された直径５ｍｍ〜１０ｍｍ程度の球状粒
からなり、この固体有機金属原料３１にキャリアガスを
吹き込むと、固体有機金属原料３１はその球状粒の表面
からＴＭＩｎが気化（昇華）する。The solid organometallic raw material 31 is, for example, TMIn
Is formed of spherical particles having a diameter of about 5 mm to 10 mm adhered to the surface. When a carrier gas is blown into the solid organic metal raw material 31, TMIn is vaporized (sublimated) from the surface of the solid organic metal raw material 31. .
【００１９】キャリアガスとともに有機金属原料、例え
ばＴＭＩｎのガスは、有機金属原料ガス送出管５３から
第２の領域２に送り出され、最終的に有機金属原料ガス
取り出し管５２から、図２の反応室１３に導かれる。The organic metal material, for example, TMIn gas together with the carrier gas is sent from the organic metal material gas delivery pipe 53 to the second region 2 and finally from the organic metal material gas outlet pipe 52 to the reaction chamber of FIG. It is led to 13.
【００２０】このようにして反応室１３に送り込まれた
有機金属原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段１４に
よって、一定温度に保たれたサセプタ１５上の基板１６
に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板１６上に目
的とする化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。The organometallic raw material gas thus sent into the reaction chamber 13 is heated by a heating means 14 such as a high-frequency coil or the like on the substrate 16 on the susceptor 15 maintained at a constant temperature.
Where thermal decomposition occurs to perform epitaxial growth of the target compound semiconductor on the substrate 16.
【００２１】上述の本発明装置における有機金属ガス供
給源６０の密閉槽１０は、図１に示すように、固体有機
金属原料３１の収容領域とされており、キャリアガスが
供給される第１の領域１と、第１の領域から吹き上げら
れた固体有機金属原料の微粒子や霧の蓄積領域とする第
２の領域２とが仕切り４０によって区分される。この仕
切り４０は、密閉槽１０を構成する材料と同様の材料、
例えばステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ）によって構成され
る。As shown in FIG. 1, the closed vessel 10 of the organometallic gas supply source 60 in the above-described apparatus of the present invention is a storage area for the solid organometallic raw material 31, and the first vessel to which the carrier gas is supplied. The partition 40 divides the region 1 from a second region 2 which is a region for accumulating fine particles and fog of the solid organometallic raw material blown up from the first region. This partition 40 is made of the same material as the material forming the closed tank 10,
For example, it is made of stainless steel (SUS316L).
【００２２】キャリアガスを密閉槽１０内に供給するキ
ャリアガス供給管５１は、第１の領域１に連通するよう
になされている。さらに、固体有機金属原料３１が配置
された第１の領域１と、第２の領域２とは、有機金属原
料ガスをキャリアガスとともに第２の領域２に送り出す
有機金属原料ガス送出管５３によって連通されている。
そして、第２の領域２から、密閉槽１０外部に有機金属
原料ガス取り出し管５２が連通するように設けられてい
る。この有機金属原料ガス取り出し管５２と、有機金属
原料ガス送出管５３との配置位置は、互いに一致しない
位置、すなわち一直線上にないように設けられている。A carrier gas supply pipe 51 for supplying a carrier gas into the closed vessel 10 communicates with the first region 1. Further, the first region 1 in which the solid organometallic raw material 31 is disposed and the second region 2 are communicated with each other by an organometallic raw material gas delivery pipe 53 that sends out the organic metal raw material gas to the second region 2 together with the carrier gas. Have been.
An organic metal source gas take-out pipe 52 is provided so as to communicate from the second region 2 to the outside of the closed vessel 10. The disposing positions of the organometallic source gas take-out pipe 52 and the organometallic source gas delivery pipe 53 are provided so as not to coincide with each other, that is, not on a straight line.
【００２３】ＭＯＣＶＤを行うに当たっては、先ず、キ
ャリアガス供給管５１から、キャリアガスを固体有機金
属原料３１が配置された第１の領域１内に供給し、固体
有機金属原料３１の表面から、気化（昇華）した有機金
属原料を、キャリアガスとともに有機金属原料ガス送出
管５３によって第２の領域２に送り出す。In performing MOCVD, first, a carrier gas is supplied from a carrier gas supply pipe 51 into the first region 1 where the solid organometallic raw material 31 is disposed, and vaporized from the surface of the solid organometallic raw material 31. The (sublimated) organometallic raw material is sent to the second region 2 through the organic metal raw material gas delivery pipe 53 together with the carrier gas.
【００２４】しかし、密閉槽１０内の固体有機金属原料
３１には、その球状粒表面からの剥離物による微粒子
（パーティクル）や霧（ミスト）存在したり、更にこの
状態で、キャリアガス供給管５１から水素キャリアガス
が吹き込まれることによって、球状粒表面からＴＭＩｎ
等が剥離して生じた微粒子や霧が、吹き上げられ、気化
（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水素キャリア
ガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５２から、搬
送されてしまう場合がある。However, the solid organometallic raw material 31 in the closed vessel 10 contains fine particles (particles) or fog (mist) due to a substance separated from the surface of the spherical particle, and in this state, the carrier gas supply pipe 51 The hydrogen carrier gas is blown from the
In some cases, fine particles and mist generated by peeling off the gas and the like are blown up and transported from the organometallic raw material gas take-out pipe 52 on the hydrogen carrier gas together with the vaporized (sublimated) TMIn raw material gas.
【００２５】この固体有機金属原料の微粒子や霧は、第
２の領域２に到達すると、ガスの流速が落ちることよ
り、自重により仕切り４０上に沈下し、蓄積する。When the fine particles and fog of the solid organometallic raw material reach the second region 2, the flow velocity of the gas decreases, and the fine particles and fog settle on the partition 40 by their own weight and accumulate.
【００２６】固体有機金属原料の微粒子や霧が除去され
た有機金属原料ガスは、キャリアガスとともに有機金属
原料ガス取り出し管５２を介して、密閉槽１０の外部へ
と送り出され、図２の目的とするＭＯＣＶＤを行う反応
室１３へと送られ、基板１６上に気相成長を行う。上述
したように、本発明装置によれば、固体有機金属原料ガ
ス以外の微粒子や霧が、第２の領域２に沈下し、蓄積さ
れることにより密閉槽１０の外部へと搬送されることを
防止することができる。すなわち、固体有機金属原料の
微粒子や霧を除去せしめたことにより、この装置が固体
有機金属原料の微粒子や霧により汚損されることから、
効果的に回避することができ、装置および配管の洗浄、
交換等を省略することができるため、装置の連続使用が
可能となった。The organometallic raw material gas from which the fine particles and the mist of the solid organometallic raw material have been removed is sent out of the closed vessel 10 through the organic metal raw material gas take-out pipe 52 together with the carrier gas. To the reaction chamber 13 where MOCVD is performed, and vapor phase growth is performed on the substrate 16. As described above, according to the apparatus of the present invention, fine particles and fog other than the solid organometallic raw material gas are conveyed to the outside of the closed vessel 10 by sinking and accumulating in the second region 2. Can be prevented. That is, by removing the fine particles and fog of the solid organometallic raw material, the apparatus is contaminated by the fine particles and fog of the solid organometallic raw material.
Cleaning of equipment and piping, which can be effectively avoided,
Since the replacement and the like can be omitted, continuous use of the device is enabled.
【００２７】上述したように、本発明によれば、有機金
属ガス供給源６０を具備する気相成長装置において、有
機金属ガス供給源６０を、密閉槽１０内に、気密的に分
離された第１の領域１と、第２の領域２とで形成し、第
１の領域１を、固体有機金属原料３１の収容領域とし、
第２の領域２を、第１の領域１から、吹き上げられた微
粒子や霧の蓄積領域とし、第２の領域２を介して第１の
領域１に、キャリアガス供給管５１が連結し、第１の領
域１中の固体有機金属原料３１から、第２の領域２に有
機金属原料ガス取り出し管５２を設け、第２の領域２か
ら、密閉槽１０外に連通する有機金属原料ガス送出管５
３が設けた装置により気相成長を行ったことにより、固
体有機金属原料３１の球状粒表面からＴＭＩｎ等が剥離
して生じた微粒子や霧が、キャリアガスにより吹き上げ
られ、気化（昇華）されたＴＭＩｎ原料ガスと共に、水
素キャリアガスに乗って有機金属原料ガス取り出し管５
２を介して密閉槽１０の外に搬送されることを効果的に
防止することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
し、ガスの流れを妨げることを防止することができた。
また、これにより、密閉槽１０内における有機金属原料
ガスの蒸気圧を所定の値に保持することができ、質の良
い化合物半導体結晶を成長させることができた。As described above, according to the present invention, in the vapor phase growth apparatus provided with the organometallic gas supply source 60, the organometallic gas supply source 60 is sealed in the hermetically sealed tank 10 in the airtight manner. 1 region 1 and a second region 2, and the first region 1 is used as a storage region for the solid organometallic raw material 31,
The second region 2 is a region for accumulating fine particles and mist blown up from the first region 1, and a carrier gas supply pipe 51 is connected to the first region 1 via the second region 2, From the solid organometallic raw material 31 in the first region 1, an organometallic raw material gas take-out pipe 52 is provided in the second region 2, and the organometallic raw material gas delivery tube 5 communicating from the second region 2 to the outside of the closed vessel 10.
By performing vapor phase growth using the apparatus provided with 3, fine particles and fog generated by peeling off TMIn and the like from the spherical particle surface of the solid organometallic raw material 31 were blown up by the carrier gas and vaporized (sublimated). An organometallic raw material gas extraction pipe 5 on a hydrogen carrier gas together with the TMIn raw material gas
2 was effectively prevented from being conveyed out of the closed vessel 10 via the container 2. As a result, it was possible to prevent the external pipe of the sealed tank 10 from being polluted by the fine particles or fog of the solid organometallic raw material, thereby preventing the gas flow from being hindered.
In addition, the vapor pressure of the organometallic raw material gas in the closed vessel 10 could be maintained at a predetermined value, and a high-quality compound semiconductor crystal could be grown.
【００２８】また、ＭＯＣＶＤ装置の汚損を防止するこ
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。Further, since the contamination of the MOCVD apparatus can be prevented, the apparatus can be continuously used.
The durability of the VD device can be improved, and the MO
It has been found that the maintenance of the CVD apparatus can be made extremely simple, and that it is extremely effective also in terms of the maintenance of the apparatus.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明によれば、第２の領域２によって
第１の領域１から吹き上げられた微粒子や霧を蓄積する
ようにしたので、これらを密閉槽１０の外部に出る前に
捕集することができた。これにより、密閉槽１０の外部
の配管を固体有機金属原料の微粒子や霧によって、汚損
することを防止することができた。また、これにより、
密閉槽１０内における有機金属原料ガスの蒸気圧を所定
の値に保持することができ、質の良い化合物半導体結晶
を成長させることができた。According to the present invention, the fine particles and mist blown up from the first area 1 are accumulated by the second area 2, so that they are collected before leaving the outside of the closed vessel 10. We were able to. As a result, it was possible to prevent the external piping of the sealed tank 10 from being polluted by the fine particles or fog of the solid organometallic raw material. This also gives
The vapor pressure of the organometallic raw material gas in the closed vessel 10 could be maintained at a predetermined value, and a high-quality compound semiconductor crystal could be grown.
【００３０】また、ＭＯＣＶＤ装置の汚損を防止するこ
とができたため、装置の連続使用が可能となり、ＭＯＣ
ＶＤ装置の耐久性を向上させることができ、また、ＭＯ
ＣＶＤ装置の整備が極めて簡潔にすることができ、装置
のメンテナンスの点からも極めて有効であることがわか
った。Further, since the contamination of the MOCVD apparatus can be prevented, the apparatus can be used continuously.
The durability of the VD device can be improved, and the MO
It has been found that the maintenance of the CVD apparatus can be made extremely simple, and that it is extremely effective also in terms of the maintenance of the apparatus.
【図１】本発明の有機金属気相成長装置に使用する一例
の密閉槽を示す。FIG. 1 shows an example of a closed vessel used in a metal organic chemical vapor deposition apparatus of the present invention.
【図２】有機金属気相成長装置の一例の概略図を示す。FIG. 2 shows a schematic diagram of an example of a metal organic chemical vapor deposition apparatus.
【図３】従来の有機金属気相成長装置に使用する一例の
密閉槽を示す。FIG. 3 shows an example of a closed vessel used in a conventional metal organic chemical vapor deposition apparatus.
１ 第１の領域、２ 第２の領域、１０、１１ 密閉
槽、１２ キャリアガス供給源、１３ 反応室、１４
温度調節器、１５ サセプタ、１６ 基板、１７マスフ
ローコントーラ、３１ 固体有機金属原料、３２ Ｖ族
原料供給源、４０仕切り、５１ キャリアガス供給管、
５２ 有機金属原料ガス取り出し管、５３ 有機金属原
料ガス送出管、６０ 有機金属ガス供給源DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st area, 2nd area, 10 and 11 Closed tank, 12 Carrier gas supply source, 13 Reaction chamber, 14
Temperature controller, 15 susceptor, 16 substrate, 17 mass flow controller, 31 solid organometallic raw material, 32 group V raw material supply source, 40 partition, 51 carrier gas supply pipe,
52 organometallic raw material gas extraction pipe, 53 organometallic raw material gas delivery pipe, 60 organometallic gas supply source
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ａ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H01L 33/00 H01L 33/00 A
Claims (2)
気相成長装置において、 上記有機金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離
された第１の領域と、第２の領域とが形成され、 上記第１の領域が、固体有機金属原料の収容領域とさ
れ、 上記第２の領域が、上記第１の領域から、吹き上げられ
た微粒子や霧の蓄積領域とされた有機金属気相成長装
置。1. An organometallic vapor phase epitaxy apparatus having an organometallic gas supply source, wherein the organometallic gas supply source is provided in a sealed tank with a first region and a second region which are hermetically separated. Wherein the first region is a storage region for the solid organometallic raw material, and the second region is a storage region for the fine particles and fog blown up from the first region. Vapor growth equipment.
キャリアガス供給管が連結され、 上記第１の領域中の固体有機金属原料上から、上記第２
の領域に有機金属原料ガス取り出し管が設けられ、 上記第２の領域から、上記密閉槽外に連通する有機金属
原料ガス送出管が設けられてなることを特徴とする請求
項１に記載の有機金属気相成長装置。2. The method according to claim 1, further comprising:
The carrier gas supply pipe is connected, and the second organic metal raw material in the first region is connected to the second organic metal raw material.
The organic metal raw material gas take-out pipe is provided in a region of the organic metal raw material gas, and the organic metal raw material gas delivery pipe communicating with the outside of the closed vessel is provided from the second region. Metallic vapor phase epitaxy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22401396A JPH1067594A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Metal organic chemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22401396A JPH1067594A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Metal organic chemical vapor deposition apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067594A true JPH1067594A (en) | 1998-03-10 |
Family
ID=16807227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22401396A Pending JPH1067594A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Metal organic chemical vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067594A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083777A (en) * | 2000-05-31 | 2002-03-22 | Shipley Co Llc | Bubbler |
| JP2007053186A (en) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic metal compound supplying vessel |
| JP2008214762A (en) * | 2008-05-29 | 2008-09-18 | Denso Corp | Method for forming thin film |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22401396A patent/JPH1067594A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083777A (en) * | 2000-05-31 | 2002-03-22 | Shipley Co Llc | Bubbler |
| JP2007053186A (en) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic metal compound supplying vessel |
| JP4710481B2 (en) * | 2005-08-17 | 2011-06-29 | 住友化学株式会社 | Organometallic compound supply container |
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