JPH1064467A - 電子顕微鏡 - Google Patents
電子顕微鏡Info
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- JPH1064467A JPH1064467A JP8222383A JP22238396A JPH1064467A JP H1064467 A JPH1064467 A JP H1064467A JP 8222383 A JP8222383 A JP 8222383A JP 22238396 A JP22238396 A JP 22238396A JP H1064467 A JPH1064467 A JP H1064467A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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-
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-
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料室内で発生したコンタミの影響を受ける
ことなく、試料室内の低真空状態と隔離して鏡筒内を高
真空状態を維持可能な電子顕微鏡を提供する。 【解決手段】 電子顕微鏡は、レンズ(2、3、4)で
集光制御された電子ビームが通過する鏡筒(5)と、鏡
筒内を通過した電子ビームが照射される試料(7)が載
置される試料室(8)と、鏡筒の試料室側の開口を閉じ
るように取り付けられ鏡筒と試料室との真空を隔離する
隔離薄膜(6)とを備えたことを特徴とする。
ことなく、試料室内の低真空状態と隔離して鏡筒内を高
真空状態を維持可能な電子顕微鏡を提供する。 【解決手段】 電子顕微鏡は、レンズ(2、3、4)で
集光制御された電子ビームが通過する鏡筒(5)と、鏡
筒内を通過した電子ビームが照射される試料(7)が載
置される試料室(8)と、鏡筒の試料室側の開口を閉じ
るように取り付けられ鏡筒と試料室との真空を隔離する
隔離薄膜(6)とを備えたことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子顕微鏡に係り、
特に鏡筒と試料室との間の真空を隔離する隔離薄膜を有
する電子顕微鏡に関する。
特に鏡筒と試料室との間の真空を隔離する隔離薄膜を有
する電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子顕微鏡では低真空(約10-5
torr)の試料室と高真空(約10-7torr)の鏡筒とは連
通しており、作動排気によって形成される真空度の勾配
が形成されているだけであった。
torr)の試料室と高真空(約10-7torr)の鏡筒とは連
通しており、作動排気によって形成される真空度の勾配
が形成されているだけであった。
【0003】この場合、大気中の試料をロードロック室
で排気した後試料室に搬送した直後には、試料室の真空
度は二桁程度は低下するが、鏡筒側はそのコンダクタン
スの値に従って真空度の勾配が形成されており、試料室
の真空度に比べて鏡筒内は高真空度に維持されている。
で排気した後試料室に搬送した直後には、試料室の真空
度は二桁程度は低下するが、鏡筒側はそのコンダクタン
スの値に従って真空度の勾配が形成されており、試料室
の真空度に比べて鏡筒内は高真空度に維持されている。
【0004】しかしなから電子ビームを試料に照射しつ
ずけることにより生じる試料からのカーボン系汚染を完
全に遮断することは不可能であり、鏡筒内のレンズ系や
アパーチャなどの性能劣化の主要因となっている。
ずけることにより生じる試料からのカーボン系汚染を完
全に遮断することは不可能であり、鏡筒内のレンズ系や
アパーチャなどの性能劣化の主要因となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの微細
化に伴い電子顕微鏡の観察倍率は10万倍以上であるこ
とが要求されてきている。観察倍率が増加すると電子ビ
ームのドーズ量(単位面積あたりの照射密度)も高くな
る。
化に伴い電子顕微鏡の観察倍率は10万倍以上であるこ
とが要求されてきている。観察倍率が増加すると電子ビ
ームのドーズ量(単位面積あたりの照射密度)も高くな
る。
【0006】この結果、電子ビーム照射により試料から
ハイドロカーボン系のコンタミが発生し、次のことがお
きている。 (1)鏡筒内の真空度劣化を誘因する。 (2)発生したコンタミが鏡筒内のレンズ系(主に対物
レンズ)やアパーチャ系に付着する。
ハイドロカーボン系のコンタミが発生し、次のことがお
きている。 (1)鏡筒内の真空度劣化を誘因する。 (2)発生したコンタミが鏡筒内のレンズ系(主に対物
レンズ)やアパーチャ系に付着する。
【0007】これらのことは分解能の低下、あるいは測
定精度の低下を招いている。
定精度の低下を招いている。
【0008】図6は測定倍率=50kXで電子ビーム電
流=2pAにて同一パターンの繰り返し測定を行った結
果を示す。測定パターン寸法が増加しているのはコンタ
ミが試料に付着して測定値が変動していくことを示して
いる。
流=2pAにて同一パターンの繰り返し測定を行った結
果を示す。測定パターン寸法が増加しているのはコンタ
ミが試料に付着して測定値が変動していくことを示して
いる。
【0009】このコンタミは鏡筒内に蓄積しているもの
で、鏡筒内をさらに強力に排気することでこのような寸
法変動が抑えられることを以下のように本発明者は見い
だした。すなわち、図7は図6と同一試料を同一条件に
して測定した結果を示すものであるが、図6に示すよう
な寸法変動は生じていないことが認められる。図7に示
す結果は、鏡筒の対物レンズ近傍をさらに追加排気でき
るように工夫することによって得られたものである。
で、鏡筒内をさらに強力に排気することでこのような寸
法変動が抑えられることを以下のように本発明者は見い
だした。すなわち、図7は図6と同一試料を同一条件に
して測定した結果を示すものであるが、図6に示すよう
な寸法変動は生じていないことが認められる。図7に示
す結果は、鏡筒の対物レンズ近傍をさらに追加排気でき
るように工夫することによって得られたものである。
【0010】しかしながら、このような鏡筒に追加排気
機構を取り込んでも対物レンズあるいはアパーチャへの
コンタミの付着までを除去することは困難である。
機構を取り込んでも対物レンズあるいはアパーチャへの
コンタミの付着までを除去することは困難である。
【0011】そこで本発明の目的は上記従来技術の有す
る問題を解消し、試料室内で発生したコンタミの影響を
受けることなく、試料室内の低真空状態と隔離して鏡筒
内を高真空状態を維持可能の電子顕微鏡を提供すること
である。
る問題を解消し、試料室内で発生したコンタミの影響を
受けることなく、試料室内の低真空状態と隔離して鏡筒
内を高真空状態を維持可能の電子顕微鏡を提供すること
である。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電子顕微鏡は、レンズで集光制御された電子
ビームが通過する鏡筒と、前記鏡筒内を通過した電子ビ
ームが照射される試料が載置される試料室と、前記鏡筒
の前記試料室側の開口を閉じるように取り付けられ前記
鏡筒と前記試料室との真空を隔離する隔離薄膜とを備え
たことを特徴とする。
に本発明の電子顕微鏡は、レンズで集光制御された電子
ビームが通過する鏡筒と、前記鏡筒内を通過した電子ビ
ームが照射される試料が載置される試料室と、前記鏡筒
の前記試料室側の開口を閉じるように取り付けられ前記
鏡筒と前記試料室との真空を隔離する隔離薄膜とを備え
たことを特徴とする。
【0013】また、前記隔離薄膜は、電子ビームが照射
されたときにアウトガスを発生させないSiC等の材料
から形成されていることが好適である。
されたときにアウトガスを発生させないSiC等の材料
から形成されていることが好適である。
【0014】また、前記隔離薄膜はシリコンと炭素とを
含む燒結体で形成されていることが好適である。
含む燒結体で形成されていることが好適である。
【0015】また、前記隔離薄膜は均一な厚さを有する
ことが好適である。
ことが好適である。
【0016】また、前記隔離薄膜は、1μmの厚さにお
いて1kg/cm2 以上の耐真空力特性を有することが
好適である。
いて1kg/cm2 以上の耐真空力特性を有することが
好適である。
【0017】また、前記隔離薄膜は、104 Ω・cm以
上の比抵抗を有することが好適である。
上の比抵抗を有することが好適である。
【0018】また、本発明のパターン寸法測定装置は、
レンズで集光制御された電子ビームが通過する鏡筒と、
前記鏡筒内を通過した電子ビームが照射される試料が載
置される試料室と、前記鏡筒の前記試料室側の開口を閉
じるように取り付けられ前記鏡筒と前記試料室との真空
を隔離する隔離薄膜と、前記試料に形成されたパターン
の寸法を測定する寸法測定手段と、を備えたことを特徴
とする。
レンズで集光制御された電子ビームが通過する鏡筒と、
前記鏡筒内を通過した電子ビームが照射される試料が載
置される試料室と、前記鏡筒の前記試料室側の開口を閉
じるように取り付けられ前記鏡筒と前記試料室との真空
を隔離する隔離薄膜と、前記試料に形成されたパターン
の寸法を測定する寸法測定手段と、を備えたことを特徴
とする。
【0019】
【発明の実施の態様】次に図面を参照して本発明の実施
の態様について説明する。図1は本発明に係る電子顕微
鏡の一実施形態を示すブロック図である。図1におい
て、電子顕微鏡は電子銃1と、電子銃1から放出された
電子ビームを集光制御するコンデンサレンズ2、偏向レ
ンズ3及び対物レンズ4からなるレンズ系と、これらの
レンズ系で制御された電子ビームが内部を通過する鏡筒
5と、鏡筒5の試料室8側の開口部に取り付けられた隔
離薄膜6と、鏡筒5内を通り隔離薄膜6を通過した電子
ビームが照射される試料7が載置される試料室7と、を
備えている。試料7はテーブル9上に載置されており、
テーブル9は寸法測定手段を内蔵する移動制御手段10
によって移動制御される。電子ビームが試料8上のパタ
ーンに照射され、生成された二次電子信号は検出器11
によって検出される。鏡筒5内はイオンポンプ12によ
って約10-7torrに真空引きされており、試料室8内は
ターボモレキュラポンプ13によって約10-5torrに真
空引きされている。
の態様について説明する。図1は本発明に係る電子顕微
鏡の一実施形態を示すブロック図である。図1におい
て、電子顕微鏡は電子銃1と、電子銃1から放出された
電子ビームを集光制御するコンデンサレンズ2、偏向レ
ンズ3及び対物レンズ4からなるレンズ系と、これらの
レンズ系で制御された電子ビームが内部を通過する鏡筒
5と、鏡筒5の試料室8側の開口部に取り付けられた隔
離薄膜6と、鏡筒5内を通り隔離薄膜6を通過した電子
ビームが照射される試料7が載置される試料室7と、を
備えている。試料7はテーブル9上に載置されており、
テーブル9は寸法測定手段を内蔵する移動制御手段10
によって移動制御される。電子ビームが試料8上のパタ
ーンに照射され、生成された二次電子信号は検出器11
によって検出される。鏡筒5内はイオンポンプ12によ
って約10-7torrに真空引きされており、試料室8内は
ターボモレキュラポンプ13によって約10-5torrに真
空引きされている。
【0020】図2は隔離薄膜6の近傍を拡大して示す図
である。図2において、鏡筒5に開口部に隔離薄膜6が
取り付けられている。鏡筒5の外周部には対物レンズ4
を構成するレンズコイル4aと上極4bと下極4cとが
配設されている。
である。図2において、鏡筒5に開口部に隔離薄膜6が
取り付けられている。鏡筒5の外周部には対物レンズ4
を構成するレンズコイル4aと上極4bと下極4cとが
配設されている。
【0021】試料7上に形成されたパターンの寸法測定
については、電子ビームを試料7上に走査し、検出器1
1によって二次電子信号を検出するとともに移動制御手
段10によってテーブル9を移動制御し、電子ビームの
走査量やテーブル9の移動量から寸法測定が行われる。
については、電子ビームを試料7上に走査し、検出器1
1によって二次電子信号を検出するとともに移動制御手
段10によってテーブル9を移動制御し、電子ビームの
走査量やテーブル9の移動量から寸法測定が行われる。
【0022】次に、隔離薄膜6について詳細に説明す
る。隔離薄膜6に要求される特性は次の通りである。 (1)電子ビームを通過できる程度に薄い膜厚に精度良
く加工されている必要がある。すなわち、電子ビームの
散乱を抑えるため、密度が低く低原子番号の材質である
必要がある。また、膜厚が高精度に均一である必要があ
る。均一でない場合には、光軸に直交方向に走査される
電子ビームが隔離薄膜6を通過した後には一種のくさび
形プリズムを通過したようになり、光軸に対して非対称
のビーム形状になってしまうからである。
る。隔離薄膜6に要求される特性は次の通りである。 (1)電子ビームを通過できる程度に薄い膜厚に精度良
く加工されている必要がある。すなわち、電子ビームの
散乱を抑えるため、密度が低く低原子番号の材質である
必要がある。また、膜厚が高精度に均一である必要があ
る。均一でない場合には、光軸に直交方向に走査される
電子ビームが隔離薄膜6を通過した後には一種のくさび
形プリズムを通過したようになり、光軸に対して非対称
のビーム形状になってしまうからである。
【0023】例えば導電製ナイロンや導電製セラミック
など鏡筒内部に従来用いられてきた材質では加工精度に
問題があり電子ビームが通過できる膜厚には加工が極め
て困難である。 (2)隔離薄膜6を金属系材料で形成した場合にはうず
電流損失を無視することができない。うず電流損失を無
視できるようにするためには、電子ビームの偏向速度を
低速度化する必要があるという制約が生じ、スループッ
トが低下する。
など鏡筒内部に従来用いられてきた材質では加工精度に
問題があり電子ビームが通過できる膜厚には加工が極め
て困難である。 (2)隔離薄膜6を金属系材料で形成した場合にはうず
電流損失を無視することができない。うず電流損失を無
視できるようにするためには、電子ビームの偏向速度を
低速度化する必要があるという制約が生じ、スループッ
トが低下する。
【0024】高速偏向(8kHz)をしても渦電流の影
響を無視できるためには、比抵抗として104 〜105
Ω・cm以上であることが望ましい。 (3)隔離薄膜6に電子ビームが照射されたときにアウ
トガスの発生ができるだけ少ないことが必要であり、少
なくとも10-5torr以下に排気を可能にするようでなけ
ればならない。 (4)隔離薄膜6の耐真空度は1kg/cm2 以上であ
ることが必要である。鏡筒5内は約10-7torrに真空引
きされ、試料室8内は約10-5torrに真空引きされ、両
者の真空度の差に耐える耐真空度が必要である。
響を無視できるためには、比抵抗として104 〜105
Ω・cm以上であることが望ましい。 (3)隔離薄膜6に電子ビームが照射されたときにアウ
トガスの発生ができるだけ少ないことが必要であり、少
なくとも10-5torr以下に排気を可能にするようでなけ
ればならない。 (4)隔離薄膜6の耐真空度は1kg/cm2 以上であ
ることが必要である。鏡筒5内は約10-7torrに真空引
きされ、試料室8内は約10-5torrに真空引きされ、両
者の真空度の差に耐える耐真空度が必要である。
【0025】上述のこれらの特性を満足できる材質とし
て、本実施形態ではSiCの焼結体を採用し、これによ
って膜厚約1μmの隔離薄膜6を形成した。
て、本実施形態ではSiCの焼結体を採用し、これによ
って膜厚約1μmの隔離薄膜6を形成した。
【0026】次に図3乃至図5を参照して隔離薄膜6と
鏡筒5への取り付け方法について説明する。なお、わか
りやすくするために隔離薄膜6の厚さ等は他の部材に比
べて誇張して大きく表示されている。図3に示す実施例
では、隔離薄膜6は平板状に形成されるとともに側面に
テーパが形成されており、上方に尖った薄い円錐台形状
をしている。この円錐台形状の上面の径は鏡筒5の開口
部の径より小さく、下面の径は鏡筒5の開口部の径より
大きく形成されている。そして、鏡筒5の内壁面に真空
グリース15を塗り、隔離薄膜6を鏡筒5の開口部に挿
入し、鏡筒5内を真空引きして隔離薄膜6が鏡筒5に取
り付けられる。
鏡筒5への取り付け方法について説明する。なお、わか
りやすくするために隔離薄膜6の厚さ等は他の部材に比
べて誇張して大きく表示されている。図3に示す実施例
では、隔離薄膜6は平板状に形成されるとともに側面に
テーパが形成されており、上方に尖った薄い円錐台形状
をしている。この円錐台形状の上面の径は鏡筒5の開口
部の径より小さく、下面の径は鏡筒5の開口部の径より
大きく形成されている。そして、鏡筒5の内壁面に真空
グリース15を塗り、隔離薄膜6を鏡筒5の開口部に挿
入し、鏡筒5内を真空引きして隔離薄膜6が鏡筒5に取
り付けられる。
【0027】図4または図5に示す実施例では、隔離薄
膜6はSiC焼結体からなるコップ状の円筒体17の底
面に形成されている。円筒体17はその外壁面が鏡筒5
の内壁面に密接して挿入され、鏡筒5に保持され、これ
によって隔離薄膜6は鏡筒5の開口部に取り付けられ
る。
膜6はSiC焼結体からなるコップ状の円筒体17の底
面に形成されている。円筒体17はその外壁面が鏡筒5
の内壁面に密接して挿入され、鏡筒5に保持され、これ
によって隔離薄膜6は鏡筒5の開口部に取り付けられ
る。
【0028】また、図4に示す実施例では、円筒体17
の外側面に深さ約0.5μmの薄い溝部18が形成され
ている。溝部18には偏向レンズ3を構成するコイル1
9が巻かれている。また、図5に示す実施例では、円筒
体17の内側面に深さ約0.5μmの薄い溝部18が形
成されている。溝部18には偏向レンズ3を構成するた
めの金の蒸着膜20が形成されている。
の外側面に深さ約0.5μmの薄い溝部18が形成され
ている。溝部18には偏向レンズ3を構成するコイル1
9が巻かれている。また、図5に示す実施例では、円筒
体17の内側面に深さ約0.5μmの薄い溝部18が形
成されている。溝部18には偏向レンズ3を構成するた
めの金の蒸着膜20が形成されている。
【0029】図4または図5に示す実施例では、円筒体
17は鏡筒5に対し高精度に同軸状の位置決め可能であ
り、従って、コイル19または蒸着膜20を鏡筒5の軸
芯に対し高精度に位置決めして配設することができる。
この結果、電子ビームを高精度に偏向走査でき、また偏
向レンズ3の電源供給などの設計を容易化できる。
17は鏡筒5に対し高精度に同軸状の位置決め可能であ
り、従って、コイル19または蒸着膜20を鏡筒5の軸
芯に対し高精度に位置決めして配設することができる。
この結果、電子ビームを高精度に偏向走査でき、また偏
向レンズ3の電源供給などの設計を容易化できる。
【0030】上述のようにして形成されたSiC焼結体
の隔離薄膜6は膜厚1μm程度あるいはそれ以下の厚さ
に成形されている。隔離薄膜6を通過(透過)した電子
ビームのエネルギ分散をみるとプラズモン励起によるエ
ネルギ損失の発振現象が生じ得る。しかし、パターン寸
法測定を行う走査形電子顕微鏡(SEM)のように低エ
ネルギの電子ビームを用いる場合にはこの影響を無視す
ることができる。また、隔離薄膜6に与える応力(差圧
による)に関しても鏡筒5の開口のボア径が8mm程度
である場合には1atmの差圧にも耐えられることを確
認することができた。
の隔離薄膜6は膜厚1μm程度あるいはそれ以下の厚さ
に成形されている。隔離薄膜6を通過(透過)した電子
ビームのエネルギ分散をみるとプラズモン励起によるエ
ネルギ損失の発振現象が生じ得る。しかし、パターン寸
法測定を行う走査形電子顕微鏡(SEM)のように低エ
ネルギの電子ビームを用いる場合にはこの影響を無視す
ることができる。また、隔離薄膜6に与える応力(差圧
による)に関しても鏡筒5の開口のボア径が8mm程度
である場合には1atmの差圧にも耐えられることを確
認することができた。
【0031】隔離薄膜6は鏡筒5の試料室8側の開口部
を塞ぐようにとりつけたられているが、開口部を完全に
は塞がずにコンタミが鏡筒5内に侵入しないように部分
的に塞ぐのであってもかまわない。
を塞ぐようにとりつけたられているが、開口部を完全に
は塞がずにコンタミが鏡筒5内に侵入しないように部分
的に塞ぐのであってもかまわない。
【0032】以上の結果、電子銃1から射出された電子
ビームはレンズ系2、3、4によって集光制御され、鏡
筒5内を通り隔離薄膜6を通過して試料7に照射され
る。試料7への電子ビームの照射により、試料7からハ
イドロカーボン等のコンタミが放出され得るが、コンタ
ミは隔離薄膜6によって遮られて鏡筒5内へ進入するこ
とがなく、したがって、コンタミが鏡筒5内に蓄積する
ことを防止できる。この結果、隔離薄膜6が設けられて
いない場合に生じていた弊害、すなわち鏡筒5内に蓄積
したコンタミが試料7に再付着し線幅の測定が電子ビー
ムの照射時間が経過するほど太くなるというような測定
精度を低下させる弊害を除去することができる。
ビームはレンズ系2、3、4によって集光制御され、鏡
筒5内を通り隔離薄膜6を通過して試料7に照射され
る。試料7への電子ビームの照射により、試料7からハ
イドロカーボン等のコンタミが放出され得るが、コンタ
ミは隔離薄膜6によって遮られて鏡筒5内へ進入するこ
とがなく、したがって、コンタミが鏡筒5内に蓄積する
ことを防止できる。この結果、隔離薄膜6が設けられて
いない場合に生じていた弊害、すなわち鏡筒5内に蓄積
したコンタミが試料7に再付着し線幅の測定が電子ビー
ムの照射時間が経過するほど太くなるというような測定
精度を低下させる弊害を除去することができる。
【0033】また、隔離薄膜6はSiC焼結体で形成さ
れているので、膜厚を均一な厚さに加工することが容易
であり、また、比抵抗が104 〜105 Ω・cmの値を
有するのでうず電流の影響の制限を受けることなく電子
ビームを8kHzの高速偏向しても支障がなく、また、
電子ビームが照射されてもアウトガスの発生がないので
鏡筒5内と試料室8内とを容易に10-5torr以下の真空
に排気することができる。
れているので、膜厚を均一な厚さに加工することが容易
であり、また、比抵抗が104 〜105 Ω・cmの値を
有するのでうず電流の影響の制限を受けることなく電子
ビームを8kHzの高速偏向しても支障がなく、また、
電子ビームが照射されてもアウトガスの発生がないので
鏡筒5内と試料室8内とを容易に10-5torr以下の真空
に排気することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、鏡筒の試料室側の開口を閉じるように取り付けら
れ鏡筒と試料室との真空を隔離する隔離薄膜を設けたの
で、電子ビームの照射により発生したコンタミが鏡筒内
に進入することを防止でき、鏡筒内を常に高真空状態を
維持できるので分解能の経時変化がなくなり、寸法計測
においても測定値の変動をおさえることが可能になる。
れば、鏡筒の試料室側の開口を閉じるように取り付けら
れ鏡筒と試料室との真空を隔離する隔離薄膜を設けたの
で、電子ビームの照射により発生したコンタミが鏡筒内
に進入することを防止でき、鏡筒内を常に高真空状態を
維持できるので分解能の経時変化がなくなり、寸法計測
においても測定値の変動をおさえることが可能になる。
【図1】本発明の電子顕微鏡の一実施形態を示す断面
図。
図。
【図2】本発明電子顕微鏡の鏡筒の対物レンズの近傍を
示す断面図。
示す断面図。
【図3】隔離薄膜を鏡筒に取り付ける一実施例を示す断
面図。
面図。
【図4】隔離薄膜を鏡筒に取り付ける他の実施例を示す
断面図。
断面図。
【図5】隔離薄膜を鏡筒に取り付ける他の実施例。
【図6】従来の電子顕微鏡により、同一パターンを繰り
返し測定した場合の寸法値の時間的変動を示すグラフで
あり、電子ビームの照射により発生したカーボン系コン
タミが試料表面に再付着し、照射時間の経過とともにパ
ターンが太く測定されることを示す図。
返し測定した場合の寸法値の時間的変動を示すグラフで
あり、電子ビームの照射により発生したカーボン系コン
タミが試料表面に再付着し、照射時間の経過とともにパ
ターンが太く測定されることを示す図。
【図7】従来の電子顕微鏡で、鏡筒の対物レンズ周辺を
強制排気できるように装置を改し、図5に示すものと同
一パターンを同一条件で測定した結果を示す図であり、
(a)は(1)、(2)、(3)の3回の測定結果を示
し、(b)は(a)の結果をグラフに示したものであ
る。
強制排気できるように装置を改し、図5に示すものと同
一パターンを同一条件で測定した結果を示す図であり、
(a)は(1)、(2)、(3)の3回の測定結果を示
し、(b)は(a)の結果をグラフに示したものであ
る。
1 電子銃 2 コンデンサレンズ 3 偏向レンズ 4 対物レンズ 5 鏡筒 6 隔離薄膜 7 試料 8 試料室 9 テーブル 10 移動制御手段 11 検出器 12 イオンポンプ 13 ターボモレキュラポンプ 15 真空グリース 17 円筒体 18 溝部 19 コイル 20 蒸着膜
Claims (7)
- 【請求項1】レンズで集光制御された電子ビームが通過
する鏡筒と、前記鏡筒内を通過した電子ビームが照射さ
れる試料が載置される試料室と、前記鏡筒の前記試料室
側の開口を閉じるように取り付けられ前記鏡筒と前記試
料室との真空を隔離する隔離薄膜とを備えたことを特徴
とする電子顕微鏡。 - 【請求項2】前記隔離薄膜は、電子ビームが照射された
ときにアウトガスを発生させないSiC等の材料から形
成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子顕
微鏡。 - 【請求項3】前記隔離薄膜はシリコンと炭素とを含む燒
結体で形成されていることを特徴とする請求項1に記載
の電子顕微鏡。 - 【請求項4】前記隔離薄膜は均一な厚さを有することを
特徴とする請求項1に記載の電子顕微鏡。 - 【請求項5】前記隔離薄膜は、1μmの厚さにおいて1
kg/cm2 以上の耐真空力特性を有することを特徴と
する請求項1に記載の電子顕微鏡。 - 【請求項6】前記隔離薄膜は、104 Ω・cm以上の比
抵抗を有することを特徴とする請求項1に記載の電子顕
微鏡。 - 【請求項7】レンズで集光制御された電子ビームが通過
する鏡筒と、前記鏡筒内を通過した電子ビームが照射さ
れる試料が載置される試料室と、前記鏡筒の前記試料室
側の開口を閉じるように取り付けられ前記鏡筒と前記試
料室との真空を隔離する隔離薄膜と、前記試料に形成さ
れたパターンの寸法を測定する寸法測定手段と、を備え
たことを特徴とするパターン寸法測定装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8222383A JPH1064467A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子顕微鏡 |
US08/915,399 US5811803A (en) | 1996-08-23 | 1997-08-20 | Electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8222383A JPH1064467A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子顕微鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1064467A true JPH1064467A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16781504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8222383A Pending JPH1064467A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子顕微鏡 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5811803A (ja) |
JP (1) | JPH1064467A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013084651A1 (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査イオン顕微鏡および二次粒子制御方法 |
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-
1996
- 1996-08-23 JP JP8222383A patent/JPH1064467A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-20 US US08/915,399 patent/US5811803A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021108 |