JPH1062815A - 液晶表示装置用電極板 - Google Patents
液晶表示装置用電極板Info
- Publication number
- JPH1062815A JPH1062815A JP22368596A JP22368596A JPH1062815A JP H1062815 A JPH1062815 A JP H1062815A JP 22368596 A JP22368596 A JP 22368596A JP 22368596 A JP22368596 A JP 22368596A JP H1062815 A JPH1062815 A JP H1062815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- silver
- transparent
- liquid crystal
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
て、導電性、透明性、耐久性が高く、画素電極とゲート
電極とを同じ材質で同時に形成できる透明導電膜を持っ
た電極基板を提供する。 【解決手段】液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極
を、銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の
透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶しや
すい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と固
溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材との
混合酸化物である。
Description
極基板に係わり、特に導電性、透明性、耐久性が高く、
透明画素電極とゲート電極とを同じ材質で形成した薄膜
トランジスタを持った電極基板に関するものである。
上に、可視光線を透過する電極形状の透明導電膜が設け
られた電極板は、液晶表示装置等の各種表示装置の表示
用電極やこの表示装置の表示画面から直接入力する入出
力電極などに広く使用されている。例えば、薄膜トラン
ジスタ(以下TFTという)方式液晶表示装置のTFT
形成側電極板は、逆スタガード型の場合、図2(a)及
び図2(b)に示すように、ガラス基板1(図示せず)
と、ガラス基板1上に成膜された透明画素電極2′、ゲ
ート電極3、ゲート絶縁膜4、アモルファスシリコン層
5、オーミック層6、ソース電極7、ドレイン電極8、
および前記回路上の全面に薄く成膜された配向膜(図示
せず)とでその主要部が構成されている。ここで上記透
明画素電極2′はスパッタリングにより成膜されたのち
所定のパターンにエッチングされた透明導電膜により構
成されている。この透明導電膜としては従来、例えばイ
ンジウム〜スズ酸化物(以下ITOという)からなる透
明酸化物薄膜もしくは0.1〜3at%(原子%)銅を含
有する銀系薄膜をITO薄膜または酸化インジウム薄膜
で挟持する3層構造の透明導電膜が提案されていた。ま
た、ゲート電極3は、導電性やガラス基板1との密着性
の良さから金属クロムや金属タンタルを用いたエッチン
グパターンの薄膜により形成していた。
装置においては、近年、画素密度をの増大と表示画面の
大型化が求められており、上記透明電極として面積抵抗
率5Ω/□以下という高い導電性を備えた透明導電膜を
適用する必要があった。また、これに加えて、スーパー
・ツイスト・ネマティック(STN)液晶等を利用した
単純マトリクス駆動方式の液晶表示装置において16階
調以上の多階調表示を行う場合には3Ω/□以下という
さらに低い面積抵抗率が要求されている。
においては、高々5Ω/□程度の面積抵抗率が得られる
に過ぎず、十分な導電性が確保できないという問題点が
あった。銀薄膜の厚さを厚くすることによりその面積抵
抗率を約3Ω/□に低下させることは可能であるが、可
視光線透過率が低下し、透明導電膜としての機能が損な
われてしまう。さらに、上記3層構造の透明導電膜にお
いては、銀の薄膜が積層界面などから進入した空気中の
水分と化合しやすく、その表面に反応物を生成してシミ
状の欠陥を生じ表示欠陥となりやすいという耐久性のな
さが問題点であった。
電極は、その他のTFT回路内の電極に用いることはで
きず、図3(a)に示すようにゲート電極をクロム、タ
ンタル、アルミニウムなどの金属膜で形成した後、図3
(b)に示すように透明画素電極をITO膜で形成して
いた。
問題点を解消することを目的としたものであって、その
課題とするところは、導電性、透明性、耐久性が高く、
従って画素電極とゲート電極とを同じ材質で同時に形成
した薄膜トランジスタを持った電極基板を提供すること
にある。ITO膜では導電性が十分でなく、配線抵抗が
高くなりすぎるため、ゲート電極と透明電極を兼用でき
なかった。
に、少なくとも液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極
を配置し、スイッチング素子としての逆スタガード型の
薄膜トランジスタを存在させてなる透過型液晶表示装置
用電極板または反射型液晶表示装置用電極板において、
前記液晶駆動用の透明画素電極とゲート電極を、透過型
の場合は厚さ15〜30nm、反射型の場合は厚さ50
〜200nmの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した
3層構造の透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀
と固溶しやすい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材
と、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2
の基材との混合酸化物であることを特徴とする液晶表示
装置用電極板である。また、銀系薄膜が、金を0.1〜
10at%(原子%)含有する銀合金であることを特徴と
する上記の液晶表示装置用電極板である。
ート電極の間に逆スタガード型の薄膜トランジスタを配
置してなる透過型液晶表示装置用電極板または反射型液
晶表示装置用電極板において、液晶駆動用の透明画素電
極とゲート電極に関し、それらの導電性が高く(つまり
抵抗値が低く)、かつ耐湿性などの耐環境性にすぐれた
電極を実現するため、それらを下記の銀系薄膜を下記の
透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の透明導電膜とす
る。このように本発明では、図3(c)に示すように、
薄膜トランジスタの製造工程においては、透明画素電極
とゲート電極を同じ薄膜で同時に形成することができ
る。
装置において高輝度の光源をバックライトとする構成で
は、厚さ15〜30nmが適当である。これは、厚さ1
nmより薄くなると上記銀系薄膜のゲート線としての配
線抵抗が大きくなって電極として正しく機能しなくな
り、30nmを超えると必要な光透過率を維持すること
が難しくなるためである。一方、銀系薄膜の膜厚を50
nmより厚く形成すると、光の反射率の高い反射電極と
なる。反射電極は、反射型液晶表示装置で反射板と駆動
電極を兼ねた反射電極として用いることができる。この
場合、厚さ50〜200nmが適当である。これは、厚
さが50nmを下回ると、反射板として充分な光反射率
が得られず、また200nmより厚く形成しても無意味
で材料の無駄であり、経済的理由から好ましくない。な
お、反射電極を形成する基板は、透明であっても良い
が、白、黒その他の色に着色された基板であっても良
い。材質も、ガラス、プラスチックフィルム、あるいは
セラミックなど種々のものが使用できる。
やすい元素の酸化物、すなわちインジウム、スズ、亜
鉛、ガリウム、アルミニウムなどの酸化物のうち一種以
上を含む第1の基材と、銀と固溶しにくい元素の酸化
物、すなわちセリウム、チタン、ビスマス、クロム、ゲ
ルマニウム、シリコン、ジルコニウム、ハフニウム、ニ
オブ、タンタルなどの酸化物のうち一種以上を含む第2
の基材との混合酸化物である。この混合酸化物の第1の
基材と第2の基材の割合は、重量比(または原子量比)
100:5〜100:100の比率が最適である。透明
酸化物は、3層構造の透明導電膜の耐湿性を上げるため
非晶質であることが望ましい。さらに言えば、この混合
酸化物の光屈折率は、3層構造の透明導電膜の光透過率
を高める観点からは高屈折率であることが良く、例えば
2.2以上であることが好ましい。なお、反射電極の場
合、混合酸化物は高屈折率である必要はない。また上記
銀系薄膜は、望ましくは耐湿性の観点、Agマイグレー
ションの抑制の点で金を0.1〜10at%含有する銀合
金であるほうが良い。なお、本発明のTFT電極板の上
に、遮光膜、もしくは遮光膜(ブラックマトリクス)と
カラーフィルタ(R,G,Bの3色)を重ねて形成する
こともできる。
である。まず、図4(a)に示すように、ガラス基板1
上に透明画素電極2とゲート電極3を以下に示す3層膜
にてパターン形成する。ここで形成する3層膜は、銀と
固溶しやすい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化イン
ジウム(In2O3)や酸化スズ(SnO2)を含むもの
を第1の基材とし、銀と固溶しにくい元素の酸化物を一
種以上、例えば酸化セリウム(CeO2)や酸化チタン
(TiO2)を含むものを第2の基材とし、これら第1
の基材と第2の基材を60:40の比率で混合した混合
酸化物を膜厚35〜60nm程度に蒸着形成し、次いで
金を0.1〜10at%含有する銀合金を、透過型液晶表
示装置の場合は厚さ15〜30nmに、反射型液晶表示
装置の場合には厚さ50〜200nm程度に形成し、さ
らに前記混合酸化物を同様に膜厚35〜60nm程度に
形成したものである。
ィーの手法を用い、硫酸にごく少量のフッ酸を加えた混
酸にてエッチングし、パターン形成した。パターン断面
形状は、ゲート電極や画素電極として形成された透明電
極とのコンタクトが十分に取れるように銀系薄膜端面が
一部露出する図5の形状とした。なお、当実施例で用い
た混酸は、フッ酸の代わりに塩酸、過塩素酸、硝酸、硝
酸第2セリウムアンモニウム、クロム酸塩などを加えて
も良い。加温した硫酸単体でも良い。また、界面活性剤
を適当量加えても良い。あるいは塩酸と硝酸の混酸でも
良い。
縁膜4をSiNxにて形成する。続いて図4(c)に示
すようにアモルファスシリコン(a−Si:H)層5を
形成する。続いて図4(d)に示すようにオーミック層
6を形成する。次いで図4(e)に示すようにソース電
極7とドレイン電極8を金属アルミニウム膜にて形成す
る。
すような液晶表示装置用電極板において、透明画素電極
2とゲート電極3は、同時に同じ3層膜にて形成され、
いずれも高い導電性、すなわち低い抵抗値(透過型電極
で1〜2Ω/□、反射型電極で0.2Ω/□)、高い光
透過率(全可視光波長で60%以上)、高いガラス密着
性、耐久性を備えている。
のTFT形成側電極板の製造プロセスを、以下に図面を
用いて説明する。まず、図4(a)に示すように、ガラ
ス基板1上に透明画素電極2とゲート電極3を以下に示
す3層膜にて厚さ約0.11μmにスパッタリングにて
同時に成膜し、ウエットエッチングにてパターン形成し
た。ここで形成する3層膜は、銀と固溶しやすい元素の
酸化物を一種以上、例えば酸化インジウム(In2O3)
を含むものを第1の基材とし、銀と固溶しにくい元素の
酸化物を一種以上、例えば酸化セリウム(CeO2)お
よび酸化チタン(TiO2)を含むものを第2の基材と
し、これら第1の基材と第2の基材を60:40の比率
で混合した混合酸化物を膜厚40nmに形成し、次いで
金を1.5at%含有する銀合金を厚さ25nmに形成
し、さらに前記混合酸化物を同様に膜厚45nmに形成
したものである。
膜4をSiNxにてプラズマCVDで厚さ0.5μmに
形成した。ここで、基板温度は300℃、水素を170
sccm、水素で希釈した10%シラン(SiH4:1
0%、H2:90%)を流量50sccm、同じく水素
希釈のアンモニアを流量34sccmで反応室内に供給
し、圧力1torr、負荷電力180W、堆積速度1Å
/secにて成膜を行った後、パターンエッチングをC
F4を用いた反応性イオンエッチングにて行った。続い
て図4(c)に示すようにアモルファスシリコン(a−
Si:H)層5をプラズマCVDにて厚さ0.05μm
に形成した。ここで、基板温度は250℃、水素で希釈
した10%シラン(SiH4:10%、H2:90%)を
流量300sccmで反応室内に供給し、圧力1tor
r、負荷電力60W、堆積速度1Å/secにて成膜を
行った後、同じく反応性イオンエッチングをCF4ガス
中にて行ってアモルファスシリコン層5をパターン化し
た。続いて図4(d)に示すようにオーミック層6をプ
ラズマCVDにて厚さ0.05μmに形成した。ここ
で、基板温度は250℃、水素を150sccmと、水
素で希釈した10%シラン(SiH4:10%、H2:9
0%)を流量300sccm、水素希釈1000ppm
のPH3を流量90sccmで反応室内に供給し、圧力
1torr、負荷電力60W、堆積速度0.6Å/se
cにて成膜を行った後、CF4ガスを用いた反応性イオ
ンエッチングにてオーミック層6をパターン化した。次
いで図4(e)に示すようにソース電極7とドレイン電
極8を金属アルミニウム膜にて厚さ0.8μmにスパッ
タリングにて成膜、ウエットエッチングにてパターン成
膜した。得られた透明画素電極2の光透過率は可視全波
長域で60%以上であり、表面抵抗率は1.2Ω/□で
あった。ゲート電極もTFT用として正しく機能した。
液晶表示装置のTFT形成側電極板の製造プロセスを、
以下に図面を用いて説明する。まず、図4(a)に示す
ように、ガラス基板1上に透明画素電極2とゲート電極
3を以下に示す3層膜にて厚さ約0.23μmにスパッ
タリングにて同時に成膜し、ウエットエッチングにてパ
ターン形成した。ここで形成する3層膜は、銀と固溶し
やすい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化インジウム
(In2O3)を含むものを第1の基材とし、銀と固溶し
にくい元素の酸化物を一種以上、例えば酸化セリウム
(CeO2)を含むものを第2の基材とし、これら第1
の基材と第2の基材を60:40の比率で混合した混合
酸化物を膜厚30nmに形成し、次いで金を0.3at%
含有する銀合金を厚さ150nmに形成し、さらに前記
混合酸化物を同様に膜厚45nmに形成したものであ
る。
膜4をSiNxにてプラズマCVDで厚さ0.5μmに
形成した。ここで、基板温度は300℃、水素を170
sccmと、水素で希釈した10%シラン(SiH4:
10%、H2:90%)を流量50sccm、アンモニ
アを流量34sccmで反応室内に供給し、圧力1to
rr、負荷電力180W、堆積速度1Å/secにて成
膜を行った後、CF4ガスを用いる反応性イオンエッチ
ングによりゲート絶縁膜4となるパターン化を行った。
続いて図4(c)に示すようにアモルファスシリコン
(a−Si:H)層5をプラズマCVDにて厚さ0.0
5μmに形成した。ここで、基板温度は250℃、水素
を150sccmと、水素で希釈した10%シラン(S
iH4:10%、H2:90%)を流量300sccmで
反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力60W、
堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、CF4ガス
を用いる反応性イオンエッチングによりアモルファスシ
リコン層5のパターン化を行った。続いて図4(d)に
示すようにオーミック層6をプラズマCVDにて厚さ
0.05μmに形成した。ここで、基板温度は250
℃、水素を150sccm、水素で希釈した10%シラ
ン(SiH4:10%、H2:90%)を流量300sc
cm、水素希釈1000ppmのPH3を流量90sc
cmで反応室内に供給し、圧力1torr、負荷電力6
0W、堆積速度1Å/secにて成膜を行った後、反応
性イオンエッチングをCF4ガス中にて行った。次いで
図4(e)に示すようにソース電極7とドレイン電極8
を金属アルミニウム膜にて厚さ0.6〜1.0μmにス
パッタリングにて成膜、ウエットエッチングにてパター
ン形成した。
板を製造すれば、画素電極とゲート電極を同時に形成で
き、煩瑣な薄膜トランジスタの製造工程の省略が可能に
なる。また、従来のITO/Ag/ITOの3層膜に比
べて極めて耐湿性に富んでおり、薄膜トランジスタとし
て充分な実用レベルの性能と耐久性が獲得される。加え
て、銀系薄膜とガラス基板の間に酸化物層が介在するた
め、銀系薄膜とガラス基板との密着性が良く、耐久性の
向上に寄与する。しかも、反射型電極基板によれば、銀
系薄膜は表面反射率が高く、良好な反射型電極基板とな
る。
明図である。
は上面から、(b)は(a)のA−A′切断面から見た
様子を示す説明図である。
板の製造工程の一部を示す説明図である。
極板の製造工程を順に示す説明図である。
状を示す説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】透明基板上に、少なくとも液晶駆動用の透
明画素電極とゲート電極を配置し、スイッチング素子と
しての逆スタガード型の薄膜トランジスタを存在させて
なる透過型液晶表示装置用電極板において、前記液晶駆
動用の透明画素電極とゲート電極を、厚さ15〜30n
mの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造の
透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶しや
すい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と固
溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材との
混合酸化物であることを特徴とする透過型液晶表示装置
用電極板。 - 【請求項2】透明基板上に、少なくともゲート電極と液
晶駆動用の透明画素電極を配置し、スイッチング素子と
しての逆スタガード型の薄膜トランジスタを存在させて
なる反射型液晶表示装置用電極板において、前記液晶駆
動用の透明画素電極とゲート電極を、厚さ50〜200
nmの銀系薄膜を透明酸化物薄膜にて挟持した3層構造
の透明導電膜とし、上記透明酸化物薄膜が、銀と固溶し
やすい元素の酸化物を一種以上含む第1の基材と、銀と
固溶しにくい元素の酸化物を一種以上含む第2の基材と
の混合酸化物であることを特徴とする反射型液晶表示装
置用電極板。 - 【請求項3】銀系薄膜が、金を0.1〜10at%(原子
%)含有する銀合金であることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2記載の液晶表示装置用電極板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22368596A JP3603496B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 液晶表示装置用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22368596A JP3603496B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 液晶表示装置用電極板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1062815A true JPH1062815A (ja) | 1998-03-06 |
JP3603496B2 JP3603496B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=16802050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22368596A Expired - Fee Related JP3603496B2 (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 液晶表示装置用電極板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3603496B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002328629A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線及びその製造方法とその配線を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
KR100670051B1 (ko) | 1999-12-01 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN100359397C (zh) * | 2004-08-09 | 2008-01-02 | 广辉电子股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制造方法 |
US7396695B2 (en) | 2002-01-02 | 2008-07-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire structure, a thin film transistor substrate of using the wire structure and a method of manufacturing the same |
JP2008216954A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US7486356B2 (en) | 2004-08-13 | 2009-02-03 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of a liquid crystal display and fabricating method with black matrix pattern covering over TFT and directly lying on parts of pixel electrode pattern |
US7649203B2 (en) | 2004-08-12 | 2010-01-19 | Au Optronics Corp | Pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display |
JP2015111703A (ja) * | 2009-07-18 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015130511A (ja) * | 2009-07-18 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102054000B1 (ko) | 2013-09-11 | 2019-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP22368596A patent/JP3603496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100670051B1 (ko) | 1999-12-01 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP2002328629A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-11-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 配線及びその製造方法とその配線を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
US7396695B2 (en) | 2002-01-02 | 2008-07-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wire structure, a thin film transistor substrate of using the wire structure and a method of manufacturing the same |
KR100980008B1 (ko) * | 2002-01-02 | 2010-09-03 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조, 이를 이용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
CN100359397C (zh) * | 2004-08-09 | 2008-01-02 | 广辉电子股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制造方法 |
US7649203B2 (en) | 2004-08-12 | 2010-01-19 | Au Optronics Corp | Pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display |
US7486356B2 (en) | 2004-08-13 | 2009-02-03 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of a liquid crystal display and fabricating method with black matrix pattern covering over TFT and directly lying on parts of pixel electrode pattern |
JP2008216954A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US7723134B2 (en) | 2007-03-05 | 2010-05-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
JP4629072B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2011-02-09 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2015111703A (ja) * | 2009-07-18 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015130511A (ja) * | 2009-07-18 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3603496B2 (ja) | 2004-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5610741A (en) | Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector | |
JP3377447B2 (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
KR100497759B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP3670577B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US7833813B2 (en) | Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same | |
US6222600B1 (en) | Reflective liquid crystal display apparatus with low manufacturing cost | |
JP3617800B2 (ja) | Tftアレイ基板とその製造方法それを用いた液晶表示装置 | |
TW200539317A (en) | Transflective liquid crystal display | |
US20030060056A1 (en) | Etching solution for signal wire and method of fabricating thin film transistor array panel with the same | |
JP3603496B2 (ja) | 液晶表示装置用電極板 | |
JPH1062816A (ja) | 液晶表示装置用電極板 | |
JP3063618B2 (ja) | 表示装置用電極基板 | |
KR20010054411A (ko) | 반투과 반사형 박막트랜지스터 액정표시장치 | |
JP2002229016A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法及び画像表示応用装置 | |
JP3475101B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3234168B2 (ja) | Tftアレイ基板の製造方法 | |
JPH1144887A (ja) | 表示装置用反射電極基板 | |
KR100719333B1 (ko) | 반사-투과형 박막트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
KR20010086702A (ko) | 반사투과형 액정 표시장치 및 그 제조방법 | |
JPH028821A (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
KR100358700B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
JP2506067B2 (ja) | 透過型液晶表示装置 | |
CN100456098C (zh) | 像素结构及其制造方法 | |
KR20010017383A (ko) | 반사 투과 복합형 액정표시장치 | |
KR100417917B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040920 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |