JPH1055117A - 半導電性材料組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高電圧を印加した際の電圧（Ｖ）⇔電流
（Ｉ）の線形性を改善し、電荷量のコントロールを容易
にする半導電性材料組成物およびそれを成形・硬化して
なる半導電性部材。 【解決手段】 絶縁性物質中に仕事関数が 4.9ｅＶ以上
である導電性物質が含有される半導電性材料組成物及び
これを成形、硬化してなる半導電性部材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導電領域（抵抗値
10³〜10¹⁰Ω・cm）で安定した導電性を示し、特に高電
圧下（100 Ｖ〜 4,000Ｖ）で電圧依存性の少ない半導電
性材料組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真方式は汎用されている画像形成
方式の一つであり、コピー、プリンター、ファクシミリ
などで主流となっている。この方式では、画像形成の中
心となるＯＰＣドラム廻りに種々の半導電性部材が使用
されている。これらの部材には導電性物質を充填したゴ
ム部材である帯電あるいは現像、転写などを目的とする
ゴムロールやブレードなどがあるが、何れも主に１×10
³ 〜１×10¹⁰Ω・cmの中抵抗領域で使用されている。

【０００３】近年これらのＯＡ機器の高性能化に伴い、
これらのゴム部材をコントロールする電流値のより厳密
な制御が要求されている。これらのローラー類の中でも
転写ローラーは特にＯＰＣドラムより記録紙へのトナー
の転写の際に、紙を間に挟んで紙の裏面から電圧を印加
し電場を形成するために、記録紙の厚さや含有水分量な
どが電荷のコントロールに影響を及ぼす。転写させるた
めにはＯＰＣドラム上のトナーに働く静電気Ｆｅが機械
的な付着力Ｆａを超える必要があるが、静電気Ｆｅはト
ナーのもつ電荷量ｑに比例することから、確実に転写さ
せるためには与える電荷量を増加させる必要がある。ま
た記録紙は表面抵抗が低下すると転写効率が急激に低下
する。これは記録紙の抵抗値が低い場合には与えた電荷
量を転写領域を通過するまで保持できずに、トナー⇔記
録紙間の電界が急激に低下するためである。したがって
ローラーによる転写などでは記録紙は 10⁹Ωcm以上の高
抵抗値を要求される。

【０００４】したがって上記の理由から、転写ローラー
の役割は高抵抗値の記録紙を通してトナーに対して電界
を形成させる（トナーと逆の電荷を与える）ことであ
り、このためには高電圧の印加が必須となる。さらに種
々の厚さの記録紙に対応し、かつ様々な環境の変化（湿
度環境の変化）による記録紙の抵抗値の変化や紙厚の変
化による押圧の変化で生じるロール自体の変形によって
も、ロールの抵抗値は変化する。これら抵抗値の変化に
対応するために、トナーに付与する電荷量を電流量でコ
ントロールしなければならず、転写ローラーは高電圧下
で電流量のコントロールを容易に行えなければらならな
い。

【０００５】またプリンター類の高速化は時代の要求で
ありそのテンポは速まってきている。転写速度は充電時
間とトナーの移動時間の和により律速され、紙送り速度
はこの転写速度を基に設定される。転写電界を形成する
のに必要な時間は単位面積当たりの被帯電層の静電容量
Ｃとローラーの抵抗値Ｒの積に比例することから抵抗値
を下げずに充電時間を短縮しようとすればＣを小さくし
なければならない。帯電時間ｔ＝０でローラーに電圧Ｖ
_trが印加された場合、電荷量Ｑ（ｔ）は下記式（数１）
となる。（「電子写真技術の基礎と応用」電子写真学会
偏；コロナ社、３章５、中島淳三著） 静電容量Ｃ上の電荷量ＱはＣとＶ（印加電圧）の積に比
例するのでＣを小さくするとＶを上げなければＱを大き
くできない。このことからも印加電圧Ｖの高電圧化は必
要になってくる。

【０００６】

【数１】 Ｑ（ｔ）＝ＣＶ_tr［１−ｅｘｐ（−ｔ／ＣＲ）］

【０００７】しかし、このような高電圧を印加した場合
には、従来の絶縁性高分子エラストマーによるマトリッ
クス中に金属や導電性カーボン、あるいは金属酸化物な
どの導電性の高い物質を添加して導電性を付与する方式
では電圧の変動に対して電流量が比例して変化せずに電
荷量のコントロールが難しくなる。特に数百Ｖ以上では
電圧の増加に伴う抵抗値の低下が著しく、過大な電流が
流れるため、電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）の線形性が崩れて
しまい、オームの法則は成立せず、電荷量のコントロー
ルは大変難しいものとなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を解決するものであり、高電圧を印加した際の
電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）の線形性を改善し、電荷量のコ
ントロールを容易にする半導電性材料組成物およびそれ
を成形・硬化してなる半導電性部材を提供するものであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記従来
技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、
絶縁性物質中に導電性あるいは半導電性物質を充填、分
散させて半導電性を得ようとするような系に、仕事関数
の高い導電性あるいは半導電性物質を用いることにより
電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）の線形性が改善されることを見
出し本発明を完成した。従来、絶縁性マトリックスに導
電性の物質を充填して導電性を付与しようとする場合
は、単に一般に導電性の高い物質を使用し、その充填量
で抵抗値の調整をしていた。このような系においては、
導電性物質間の導電は、直接接触による導電の可能性は
低く、絶縁性物質によって隔てられるため、導電性物質
間の連鎖形成による接触導電は期待できない。そこで導
電の主流は誘電体薄膜によるエネルギー障壁を、ショッ
トキー効果導電で超えるか、あるいはトンネル効果によ
り、エネルギー障壁中を通り抜けることにより電子を移
動させることになる。しかしこの２つの導電形式の特徴
は各々異なっており、また主に作用する領域も異なって
いる。ショットキー効果導電の場合、電場の強さがＥの
ときの飽和電流密度Ｉは、電場が０の時の飽和電流密度
Ｉ_s 、ボルツマン定数Ｋ_B 、絶対温度をＴ、電子の電荷
をｅとすると下記式（数２）で表せる。

【００１０】

【数２】Ｉ＝Ｉ_s ｅｘｐ（ｅ^3/2 Ｅ^1/2 ／Ｋ_B Ｔ）

【００１１】上記式（数２）からショットキー効果導電
は電場Ｅの強さに依存して指数関数的に増加する。これ
は実効的な意味合いで導電性物質間のフェルミ準位の差
を拡大するとともに、ポテンシャル障壁間の距離ｄを挟
めるような効果がある。したがってショットキー効果導
電が主流の場合、電圧の増加に対して電流の増加量は線
形的にならず指数関数的に増加する。一方、トンネル効
果導電の場合、ポテンシャル障壁を質量ｍの粒子が透過
する確率p は下記式（数３）で与えられる。この場合Ｅ
は全エネルギー、ｘ₀ 、ｘ₁は古典的折り返し点の座標
を示す。

【００１２】

【数３】

【００１３】このトンネル効果導電に際しポテンシャル
障壁の両側に電位差Ｖが印加されると、両側のフェルミ
準位にはｅＶのエネルギー差が生じる。この時の両方向
への遷移の確率の差はトンネル効果電流の大きさと等し
い。したがって電位差Ｖを与えた場合の両方向からの遷
移の確率差を求めると下記式（数４）のようになる。

【００１４】

【数４】

【００１５】上記式（数４）より、トンネル効果電流の
大きさＩは、両方向へ遷移する確率の増減には指数関数
的に変化するが印加電圧の増加によるポテンシャル障壁
間の電位差Ｖの変動によるフェルミ準位の差ｅＶの増減
に対しては指数関数的には変動しないことがわかる。し
たがってこの二つの導電形式を比較した場合、ショット
キー導電よりもトンネル導電の方が支配的な環境下で
は、電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）の関係はより線形性を有す
ることになる。このことから、電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）
の線形化には極力ショットキー効果導電を避けてトンネ
ル効果導電が支配的な環境を作れば良いことがわかる。
そのためにはポテンシャル障壁を出来るだけ高く取る必
要がある。このためには導電層間のフェルミ準位の差を
大きくしなければならない。これを具体的に実施するた
めの目安としては、外部ポテンシャルとフェルミ準位と
のエネルギーの差があり、これは仕事関数として定義さ
れている。仕事関数とは金属や半導体の固体表面から１
個の電子を表面のすぐ外側に取り出すのに必要な最小エ
ネルギーと定義されている。また仕事関数は外側に取り
出した外部ポテンシャルと物質中の電子の化学ポテンシ
ャルとの差とも定義される。そして物質中の電子の化学
ポテンシャルはフェルミ準位に等しいので前者のように
定義される。

【００１６】そこで導電層のフェルミ準位をできるだけ
高くとるためには、導電性物質の仕事関数が高いものを
選択してやれば良いことがわかる。本発明においては絶
縁性物質中に仕事関数が 4.9ｅＶ以上である導電性物質
が含有されることが必須要件であるが、この理由は、導
電性物質を絶縁性マトリックス中に分散させた場合、そ
の硬化後の部材の電荷のコントロールを容易に行えるレ
ベルまで電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）曲線の線形性を改善さ
せた時、導電性物質の仕事関数値が 4.9ｅＶであった。
従って 4.9ｅＶ以上の仕事関数値を有する導電性物質を
使用することにより課題を解決することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明における仕事関数の高い導
電性物質を例示するとプラチナ、ニッケル、パラジウ
ム、金などがあげられるが、単独の元素である必要は無
く、合金でよいし、金属塩でも良い。あるいは仕事関数
の低い金属の粒子表面に官能基を付けたり、また仕事関
数の高い物質の薄膜で粒子表面をコーティングやマイク
ロカプセル化などの処方で覆ったりして、仕事関数を高
めても良い。上記導電性物質としては金属に限らず、酸
化亜鉛や硫酸バリウム、ほう酸アルミニウム、酸化チタ
ンなどの無機酸化物やオイルファーネスブラックやアセ
チレンブラック、サーマルブラックなどのカーボンブラ
ック系、あるいは黒鉛、カーボン繊維など導電性を有す
る物であれば良いが、何れの場合でも仕事関数の高いグ
レードを選ぶ必要性がある。

【００１８】本発明における絶縁性物質に特に制限はな
い。一般的な絶縁性物質であればよいが、これに限ら
ず、導電性物質との間にポテンシャル障壁が出来るもの
の中で導電性物質とのフェルミ準位の差が大きい物質で
あれば使用可能である。また絶縁性物質として、高分子
化合物エラストマーを用いた場合はそのゴム弾性により
ＯＰＣドラムとの接触精度が高まり印字品位が良くなる
効果が認められる。特にＯＡ機器のロール類などに使用
する場合、ポリオルガノシロキサンはその物性の温度依
存性が低い点や圧縮永久歪特性が良い点、さらに耐オゾ
ン性や耐薬品性に優れている点などにおいて、他の高分
子化合物エラストマーに比較して格段に優れている。本
発明における高分子化合物エラストマーとして使用可能
なものを挙げると、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ブタ
ジエンゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、イソプ
レンゴム、アクリルゴム、SBR、NBR などがある。また本
発明におけるシリコーンゴム（コンパウンド）は、一般
式R₂SiO 単位からなる線状ポリマーと補強剤としての微
粉末シリカ及び分散助剤を基本成分とするものである。
ここでR はメチル基、エチル基などのアルキル基；ビニ
ル基などのアルケニル基；フェニル基などのアリール基
及びこれらの基の炭素原子に結合する水素原子がハロゲ
ン原子などで置換された基であり、R は同一でも互いに
異なっていてもよい。

【００１９】本発明における導電性物質と絶縁性物質の
配合比率はその目的に合った抵抗値が発現される比率で
よく、特に限定するものではないが、導電性物質の配合
比率が高すぎると導電性物質の粒子が相互に接触する機
会が増え、その結果直接接触により導電のために絶縁層
によって引き起こされる電圧（Ｖ）⇔電流（Ｉ）の非線
形化は防げるが、電荷をコントロールして画像を形成す
る電子写真の分野では望ましい中抵抗領域を得ることが
できない。逆に導電性物質の比率が低すぎる場合は導電
性物質粒子間の距離が大きすぎて導電が確保されず、好
ましい配合比率とは言えない。これらのことから導電性
物質の添加量は、ＤＢＰ吸油量が50〜 100ml／100g程度
の通常の構造で、20〜80ｍμ程度の中級の粒子径のカー
ボンブラックの場合で３〜30重量％が望ましい。しかし
構造の発達程度と粒径の大小にリンクしてこの添加量は
増減する。

【００２０】本発明における導電性物質の絶縁性物質へ
の配合方法については特に限定されない。ロールミル、
加圧ニーダー、ヘンシェルミキサーなど混合、分散を行
う機器が使用可能である。また配合順序なども任意であ
るが、導電性物質が絶縁性物質中で均一に分散していな
いと、硬化後の部材の電気的な測定に際して部分的な測
定値のムラが生じるので均一に配合することが望まし
い。

【００２１】本発明における組成物の成形方法について
は特に制限はなく、プレス成形、射出成形、押出成形な
ど汎用の成形方法が使用できる。また本発明において熱
硬化性の絶縁性物質を使用する場合、架橋方法は有機過
酸化物や塩化白金酸触媒による架橋、硫黄による架橋ま
たは放射線架橋や電子線架橋などのいずれの架橋方法も
使用可能であるが、有機過酸化物が最もよく使用され
る。これを例示すると、ベンゾイルパーオキサイド、ビ
ス２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ジクミ
ルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス
（t −ブチルパーオキシ）ヘキサンなどである。

【００２２】本発明における導電性物質の仕事関数の測
定方法は以下の様なものがあるが、いずれも最終的に半
導電性部材とした場合の表面性状を測定する方法であ
る。これらの方法は絶対的測定法と相対的測定法とに分
けられる。絶対的測定法とは直接仕事関数を検出するも
ので、これには熱電子放出測定法、電界電子放出測
定法、光電子放出測定法などがある。また相対的測定
法としては、接触電位差法、減速電位差法があり、
これらは仕事関数が既知の試料を用いてそれに対する相
対的な値を算出するものである。いずれの方法を用いて
もよいが、測定精度が高く最も良く用いられている方法
は接触電位差法である。接触電位差の測定には（Ａ）ケ
ルビン法（振動容量法）、（Ｂ）熱電子線法、（Ｃ）電
界電子線法などの方法がある。ケルビン法は高速測定が
可能であり、測定に際して高真空を必要としないため
に、よく用いられている。ケルビン法では接触電位差に
よって発生する電荷量Ｑを測定し、電荷量Ｑと接触電位
差Ｖ_BAとの関係式Ｑ＝Ｃ（φ_B −φ_A ＋Ｖ_E ）及びＶ_BA
＝φ_B −φ_Aから接触電位差Ｖ_BAを求めるものである。
（ここでＣは接触部分の静電容量、Ｖ_E は印加電圧、Φ
_A ，Φ_B は例えば図１の振動板４と試料５の各々の仕事
関数を示す）

【００２３】接触電位差法の具体的手法としてはW.A.Zi
smanらによる測定法が挙げられる。［W.A.Zisman, Rev.
Sci.instr. 3,367(1932)］ 図１は接触電位差法に使用する測定装置の一例である。
これを使用した測定法を以下に述べる。図１の試料５と
振動板４の間の電荷量ＱはＱ＝Ｃ（φ_B −φ_A）で与え
られ、試料５と振動板４の間に外部からＶ_E の電位差を
与えた場合、前記のようにＱ＝Ｃ（φ_B −φ_A ＋Ｖ_E ）
となる。ここで振動板４を振動させて△Ｃの静電容量変
化を与える。すると試料５と振動板４の二つの電極間に
△Ｑ＝△Ｃ（φ_B −φ_A ＋Ｖ_E ）の電荷を生じる。この
交流の微小電流を増幅器２で増幅して取り出し、電流計
で検出する。この際Ｖ_E を変化させて△Ｑ＝０の位置を
検出するが、普通Ｖ_B ＝Ｖ₁₂の時増幅器２に入る電位差
Ｖ_inが０になる。つまり△Ｑ＝０になるので、その時の
Ｖ_E の値とＶ_E ＝φ_A −φ_B の関係から接触電位差Ｖ₁₂
の値を決めることができ、最終的に仕事関数φ_A を求め
ることができる。

【００２４】上記測定法により仕事関数を求めた導電性
物質は絶縁性物質中に分散配合され、各マトリックス構
成材料の通常の硬化法により硬化し、目的とする半導電
性材料組成物の硬化物を得ることができる。本発明の半
導電性材料組成物の成形、硬化物は半導電性の領域（抵
抗値で 10³〜10¹⁰Ω・cm）において電圧の変化に比例し
て電流量が変化する。つまり電圧⇔電流の線形性を示
し、電子写真方式のプリンターや複写機において高品位
な印字を与えるための電荷のコントロールを容易にす
る。

【００２５】

【実施例】以下に実施例により本発明を説明するが本発
明はこれらに限定されるものではない。

【００２６】（実施例１）絶縁性物質としてシリコーン
ゴムコンパウンド（硬化物としたときの体積抵抗値１×
10¹⁶Ω・cm）を用い、導電性物質としてカーボンブラッ
クを用いて半導電性シリコーンゴムローラーを作製し
た。まずカーボンブラックとしてRegal・400R（Cabot Co
rp製商品名）を用い、前記の測定装置によりケルビン法
で金（仕事関数4.90）を標準試料として接触電位差を測
定した。この結果接触電位差△ψ＝φ（Carbon）−φ
（Gold）＝0.46となり、これからRegal・400Rの仕事関数
φ（Carbon）は5.36ｅＶであり、本発明に用いる導電性
物質として適当であることが確認された。絶縁性物質と
してはシリコーンゴムコンパウンド・ＫＥ-151Ｕ［信越
化学工業（株）製商品名］を用いた。ＫＥ-151Ｕの 100
重量部にRegal・400Rの20重量部を加え、加圧ニーダーで
30分間混練した。これに架橋剤として有機過酸化物２，
５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）
ヘキサンを１重量部を加え、ミキシングロールで充分に
分散、混合した後、ステンレス製シャフトの上に巻き付
けて金型に投入し、プレス成型機で 150℃、10分間の成
形、硬化を行った。成形後２次硬化を行い終了後冷却し
た。これを常温に冷却した後研削機で仕上げ研磨した。
成形終了後に印加電圧を０〜3,000 Ｖまで変化させた場
合の電流の測定を行ったところ、（図２）に示す様に電
圧⇔電流の関係は線形性を示した。

【００２７】（実施例２）導電性物質をＺｎＯの粉末パ
ストランＴＹＰＥ−II［三井金属鉱業（株）製商品名］
に替えた以外は実施例１と同様にして実施した。まずパ
ストランＴＹＰＥ−IIの金に対する接触電位差を測定し
仕事関数を算出したところ5.21であった。実施例１で用
いたシリコーンゴムコンパウンドＫＥ-151Ｕ 100重量部
に対してパストランＴＹＰＥ−II 250重量部を充填し、
実施例１と同様の方法で混練、分散、成形を行い、作製
した半導電性ローラーの電気特性を図４に従って測定し
た結果、電圧⇔電流の関係は線形性を示した。

【００２８】（実施例３）架橋剤を有機物過酸化系に替
えて付加反応系のハイドロジェンポリシロキサン３重量
部、白金触媒 0.1重量部、反応制御剤を適量加えた以外
は実施例１と同様にして実施した。同様にして 150℃、
10分のプレス成形、硬化を行い半導電性ローラーを得
た。この電気特性を図４に従って測定し確認したとこ
ろ、電圧⇔電流の関係は線形性を示した。

【００２９】（実施例４）実施例３の配合内容に加えて
有機発泡剤としてアゾジカルボンアミド（ＡＤＣＡ）を
５重量部加えた。これをステンレス製シャフトと同時に
押出機でローラー状に一体成形し、 250℃、30分間熱風
加硫炉で加熱、硬化、発泡を行った後、これを乾燥炉で
200℃、４時間の後処理を行った。さらに円筒研削機で
研磨し、ローラーを完成させた。この電気特性を図４に
従って測定し確認したところ、電圧⇔電流の関係は線形
性を示した。

【００３０】（実施例５）実施例１と同じ原料組成で摩
擦帯電ブレードを作製した。まづ前記原料に架橋剤を加
え、混練した後、金型に充填しプレス成形を行い、摩擦
帯電部材（Ｌ10mm×Ｄ200mm ×Ｈ10mm）を得た。これに
ステンレス製支持体（Ｌ20mm×Ｄ200mm ×Ｈ 0.1mm）を
接着固定して摩擦帯電ブレードを完成させた。この電気
特性を確認したところ、電圧⇔電流の関係は線形性を示
した。

【００３１】（実施例６）実施例１の絶縁性物質をエチ
レンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）のシリコーン変
性ゴムのＳＥＰラバー・ＳＥＰ1711−Ｕ［信越化学工業
（株）製商品名］に替えた以外は実施例１と同様にし
た。この結果、電圧⇔電流の関係は比較的良好な線形性
を示した。

【００３２】（比較例１）導電性物質を樹枝状銅粉［福
田金属箔粉工業（株）製］に変更した以外は実施例１同
様の方法で半導電性ローラーを作製した。なおこの樹枝
状銅粉の仕事関数値は4.63と算出された。得られた半導
電性ローラーの電気特性を確認したところ、（図３）の
ように電圧⇔電流の関係は線形性を示さず、電圧の増加
に伴って電流値の増加が顕著であった。

【００３３】（比較例２）導電性物質を針状のチタン酸
カリウム・デントールＷＫ-200［大塚化学（株）製商品
名］に替えた以外は実施例１と同様な方法で半導電性ロ
ーラーを作製した。ＷＫ-200の仕事関数値は4.50であっ
た。得られた半導電性ローラーの電気特性を確認したと
ころ、電圧⇔電流の関係は線形性を示さなかった。

【００３４】

【発明の効果】本発明の半導電性材料組成物を使用した
半導電性ローラーなどの部材における電圧⇔電流の関係
は良好な線形性を示し、これによって高速印字に対応す
るプリンター、複写機などのＯＰＣドラム廻りに用いら
れる各種部材への使用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】接触電位差測定装置の説明図である。

【図２】実施例１の半導電性ローラーについての電圧〜
電流の関係を示すグラフである。

【図３】比較例１の半導電性ローラーについての電圧〜
電流の関係を示すグラフである。

【図４】ローラー電流値の測定法を示す略図である。

【符号の説明】

1 信号、 2 増幅器、 3 振動体、 4 振動板、 5 試料、 6 真空、 7 大気、 Ｖ_in 増幅器に入る電位差、 Ｒ 抵抗、 ω 振動数、 Ｖ₁₂ 接触電位差、 d 試料と振動板間の距離、 i 試料と振動板間の振動によって流れる電流、 Ｖ_B 電源電圧、 8 ローラー、 9 電流計、 10 電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 3/22 ＫＣＶ Ｃ０８Ｋ 3/22 ＫＣＶ Ｃ０８Ｌ 21/00 Ｃ０８Ｌ 21/00 83/10 83/10 101/00 101/00 Ｇ０３Ｇ 15/08 ５０４ Ｇ０３Ｇ 15/08 ５０４Ａ // Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｅ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性物質中に仕事関数が 4.9ｅＶ以上
   である導電性物質が含有されることを特徴とする半導電
   性材料組成物。
2. 【請求項２】 絶縁性物質が高分子化合物エラストマー
   であることを特徴とする請求項１記載の半導電性材料組
   成物。
3. 【請求項３】 絶縁性物質がシリコーンゴムであること
   を特徴とする請求項２記載の半導電性材料組成物。
4. 【請求項４】 請求項２の組成物を成形、硬化してなる
   半導電性部材。
5. 【請求項５】 請求項３の組成物を成形、硬化してなる
   半導電性部材。