JPH1051097A - Method of connecting electrodes, and manufacture of optical modulator, and interelectrode connection device, and mounter - Google Patents

Method of connecting electrodes, and manufacture of optical modulator, and interelectrode connection device, and mounter

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JPH1051097A
JPH1051097A JP9092530A JP9253097A JPH1051097A JP H1051097 A JPH1051097 A JP H1051097A JP 9092530 A JP9092530 A JP 9092530A JP 9253097 A JP9253097 A JP 9253097A JP H1051097 A JPH1051097 A JP H1051097A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of connecting electrodes which can perform good connection regardless of the excess or shortage of the quantity of precoating of solder. SOLUTION: In case that the connection between the electrodes of the first substrate 5 where an electrode 11 is made and the second substrate 4 which has an electrode 9 whose one surface is covered with resist pattern and which is substantially exposed in the opening B is performed by this method, in the first place the electrode 9a in the opening B of the resist pattern of the second substrate 4 is covered with solder 10. Next, the electrode 9a in the second substrate 4 and the electrode 11 in the first electrode 9 are registered. Then, the electrodes are connected with each other through solder 10 by thermally pressure-bonding the electrode 11 of the first substrate 5 and the electrode 9 of the second substrate 4 so that all of the tip face 14a may press the electrode 11 of the first substrate 5 and the electrode 9 of the second substrate 4 within the opening, by a thermal thermocompression-bonding head 14 which has a pressure-bonding tip face 14a with a smaller width than the width of the opening B of the resist of, at least, the second substrate 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、二基板の電極間を
半田を介して接続する方法、具体的には半導体チップが
搭載されたフレキシブルフィルム基板の電極と、周辺回
路基板の接続電極とを接続する電極接続方法、特に液晶
装置等の光学変調装置の駆動用半導体チップが搭載され
たフレキシブル回路基板の入力電極と、この駆動用半導
体チップに駆動電源及び制御用信号を入力するための周
辺回路基板の接続電極とを接続する基板間の電極接続方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of connecting electrodes of two substrates via solder, specifically, a method of connecting electrodes of a flexible film substrate on which a semiconductor chip is mounted and connection electrodes of a peripheral circuit substrate. An electrode connection method for connecting, particularly an input electrode of a flexible circuit board on which a driving semiconductor chip of an optical modulator such as a liquid crystal device is mounted, and a peripheral circuit for inputting a driving power supply and a control signal to the driving semiconductor chip The present invention relates to a method for connecting electrodes between substrates for connecting the connection electrodes of the substrates.

【０００２】[0002]

【従来の技術】二基板に形成された電極間の接続技術に
ついて、光学変調装置の駆動用ＩＣの実装を例にして説
明する。2. Description of the Related Art A connection technique between electrodes formed on two substrates will be described by taking an example of mounting a driving IC of an optical modulator.

【０００３】ＥＬ表示パネル、単純マトリクス型やアク
ティブマトリクス型の液晶表示パネル装置等のマトリク
ス状に電極が形成されたディスプレイ等の光学変調装置
における駆動用ＩＣの実装方法としては、例えば一般に
表示パネル（光学変調パネル）における基板の表面に透
明電極が形成され、該透明電極と接続して基板の周縁部
に形成された接続電極と、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により駆動用半導体チ
ップが搭載されたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ
Ｐａｃｋａｇｅ）の出力電極とを異方性導電接着膜を介
して熱圧着接続し、このＴＣＰの入力電極と、前記駆動
用半導体チップに駆動電源及び制御用信号を入力するた
めの周辺回路基板（以下、ＰＣＢ基板と省略する）の接
続電極とを半田接続している。[0003] As a method of mounting a driving IC in an optical modulation device such as an EL display panel, a display having electrodes formed in a matrix such as a simple matrix type or an active matrix type liquid crystal display panel device, for example, generally a display panel ( A transparent electrode is formed on the surface of a substrate in an optical modulation panel, a connection electrode connected to the transparent electrode and formed on a peripheral portion of the substrate, and a TAB (Tape Auto).
TCP (Tape Carrier) on which a driving semiconductor chip is mounted by a mated bonding method.
Package) is connected by thermo-compression bonding via an anisotropic conductive adhesive film, and the input electrode of this TCP and a peripheral circuit board (hereinafter referred to as a control circuit) for inputting a driving power supply and a control signal to the driving semiconductor chip. , And a PCB substrate) are connected by soldering.

【０００４】図６にＴＣＰの実装方法（接続構造）の断
面の例を示す。ＴＣＰはフレキシブルフィルム基板１０
０の一方の面に入力電極及び出力電極のパターンが形成
され、これらに接続して半導体装置が搭載されている。
そして、同図に示すように、フレキシブルフィルム基板
１００の入力電極１０１は、その先端部においてフィル
ム基材１００ａが開口されて電極リード部１０１ａがむ
き出し状態で、ＰＣＢ基板１０２の接続電極１０３に半
田１０４を介して接続されている。また、フレキシブル
フィルム基板１００の出力電極（図示省略）は、ガラス
基板（図示省略）上の所定位置に、例えば異方性導電接
着膜（図示省略）により接着固定されている。FIG. 6 shows an example of a cross section of a TCP mounting method (connection structure). TCP is flexible film substrate 10
A pattern of an input electrode and an output electrode is formed on one surface of the semiconductor chip 0, and a semiconductor device is mounted thereon by being connected thereto.
As shown in the drawing, the input electrode 101 of the flexible film substrate 100 is soldered to the connection electrode 103 of the PCB substrate 102 in a state where the film base 100a is opened at the tip end and the electrode lead portion 101a is exposed. Connected through. The output electrode (not shown) of the flexible film substrate 100 is bonded and fixed to a predetermined position on a glass substrate (not shown) by, for example, an anisotropic conductive adhesive film (not shown).

【０００５】電極リード部１０１ａと接続電極１０３間
の半田付けの方法としては、ステージ１０５上に配置さ
れたソルダーレジスト１０６が開口されているＰＣＢ基
板１０２の接続電極１０３に、例えばメッキ法、スーパ
ーソルダー法、スーパージャフィット法等により、予め
半田１０４をプリコートしておき、フレキシブルフィル
ム基板１００の入力１０１の電極リード部１０１ａとを
位置合わせした後、半田１０４がプリコートされたＰＣ
Ｂ基板１０２の接続電極１０３と、ソルダーレジスト１
０６との境界部近傍を、少なくともソルダレジストの開
口部（半田１０４がプリコートされた部分）の長さと実
質的に同じか、より長い巾（電極リードの長手方向の
巾）の熱圧着ヘッド１０７により熱圧着して半田付け接
続している。[0005] As a method of soldering between the electrode lead portion 101a and the connection electrode 103, for example, a plating method, a super-solder method is applied to the connection electrode 103 of the PCB substrate 102 on which the solder resist 106 arranged on the stage 105 is opened. The solder 104 is pre-coated in advance by a method such as a super-jafit method or the like, and after positioning the electrode 104 with the electrode lead portion 101a of the input 101 of the flexible film substrate 100, the PC coated with the solder 104 is pre-coated.
Connection electrode 103 of B substrate 102 and solder resist 1
In the vicinity of the boundary with No. 06, a thermocompression bonding head 107 having at least a length substantially equal to or longer than the length of the opening of the solder resist (the portion precoated with solder 104) or a longer width (width in the longitudinal direction of the electrode lead). It is connected by soldering by thermocompression bonding.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た基板間の電極接続方法では、フレキシブルフィルム基
板１００の入力電極１０１の電極リード部１０１ａとＰ
ＣＢ基板１０２の接続電極１０３とを接続する際に、例
えば図６に示すように熱圧着ヘッド１０７の位置合わせ
によりソルダーレジスト１０６と半田１０４との境界近
傍を熱圧着した時に、半田１０４のプリコート量が過多
の場合、余剰な半田１０４ａは、ソルダーレジスト１０
６が開口されて半田逃げのあるフレキシブルフィルム基
板１００の電極リード部１０１ａの一端側に集中し、半
田ブリッジが発生し、隣接する電極リード間を不要に導
通させるといった問題点があった。However, in the above-described electrode connection method between the substrates, the electrode lead portion 101a of the input electrode 101 of the flexible film substrate 100 is
When the connection electrode 103 of the CB substrate 102 is connected, for example, as shown in FIG. 6, when the vicinity of the boundary between the solder resist 106 and the solder 104 is thermocompression-bonded by the positioning of the thermocompression head 107, the precoat amount of the solder 104 Is excessive, the excess solder 104a is
6 is concentrated on one end side of the electrode lead portion 101a of the flexible film substrate 100 where the solder film escapes and a solder bridge is generated, and there is a problem that the adjacent electrode leads are unnecessarily conducted.

【０００７】また、上述したような寸法形状の熱圧着ヘ
ッド１０７を用いる場合、フレキシブルフィルム基板１
００の入力電極１０１の入力部１０１ａは、ソルダーレ
ジスト１０５の高さ以下には圧着され難いので、半田１
０４のプリコート量が少ない場合には図７に示すよう
に、フレキシブルフィルム基板１００の入力電極１０１
の電極リード部１０１ａが半田１０４に濡れずオープン
となって、ＰＣＢ基板１０２の接続電極１０３との接続
ができなくなってしまう問題点があった。When the thermocompression bonding head 107 having the above-mentioned dimensions and shape is used, the flexible film substrate 1
Since the input portion 101a of the input electrode 101 is hard to be crimped below the height of the solder resist 105,
In the case where the precoat amount is small, as shown in FIG.
There is a problem that the electrode lead portion 101a is not wetted by the solder 104 and is open, and cannot be connected to the connection electrode 103 of the PCB substrate 102.

【０００８】このため、ＰＣＢ基板１０２の接続電極１
０３の半田１０４のプリコート量は、ＰＣＢ基板１０２
の上のソルダーレジスト１０５より高くなるような量
で、且つ半田ブリッジを発生させないような量に管理す
る必要があるが、上述した半田プリコート方法では、半
田プリコートを最適に管理する事は技術的に困難であっ
た。また、ソルダーレジスト１０５の高さ自体もバラツ
キがあった。For this reason, the connection electrode 1 on the PCB substrate 102
The amount of pre-coating of the solder 104 is
It is necessary to control the solder pre-coating amount so as to be higher than the solder resist 105 above the solder resist and not to generate solder bridges. It was difficult. Further, the height itself of the solder resist 105 also varied.

【０００９】本発明の目的は、一基板における電極と、
他の基板における電極とを半田により接続する方法にお
いて、一方の基板の電極における半田のプリコート量の
過多、過少に拘らず良好な接続を行なうことのできる電
極間の接続方法を提供することである。An object of the present invention is to provide an electrode on one substrate,
It is an object of the present invention to provide a method for connecting electrodes on another substrate by soldering, in which a good connection can be made irrespective of whether the amount of pre-coating of solder on the electrode of one substrate is too large or too small. .

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の電極接続方法
は、電極が形成された第一の基板と、一方の表面がレジ
ストパターンにより被覆されその開口部において実質的
に露出した電極を有する第二の基板との電極間の接続方
法であって、前記第二の基板のレジスト開口部の接続電
極を半田にて被覆する工程と、前記第二の基板における
電極と前記第一の基板における電極を位置合わせする工
程と、少なくとも前記第二の基板のレジスト開口部の幅
より小さな幅の圧着先端面を有する熱圧着ヘッドによっ
て、該先端面の全てが該開口部内で第一の基板の電極及
び第二の基板の電極を押圧するように該第一の基板の電
極及び第二の基板の電極を熱圧着して該電極間を半田を
介し接続する工程と、を有するものである。According to the present invention, there is provided an electrode connecting method comprising a first substrate having an electrode formed thereon, and an electrode having one surface covered with a resist pattern and substantially exposed at an opening thereof. A connection method between electrodes of a second substrate and a step of coating a connection electrode of a resist opening of the second substrate with solder, and an electrode on the second substrate and an electrode on the first substrate. The step of aligning, and the thermocompression bonding head having a crimping tip surface having a width smaller than the width of at least the resist opening of the second substrate, all of the tip surface within the opening and the electrode of the first substrate and Thermocompression-bonding the electrode of the first substrate and the electrode of the second substrate so as to press the electrode of the second substrate, and connecting the electrodes via solder.

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板間の電極接続構造及び方法を、液晶表示装置にお
ける電極接続に適用した実施の形態に基づいて説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure and method for connecting electrodes between substrates according to the present invention will be described below with reference to the drawings based on an embodiment in which electrode connection in a liquid crystal display device is applied.

【００１２】図１は、本発明の一実施の形態に係る液晶
表示装置の概略を示す平面図、図２は図１の装置におけ
る駆動用ＩＣが実装された要部を示す概略図（上方から
見た図）、図３は図２のＡ−Ａ´線に沿った断面図であ
る。FIG. 1 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram (from above) showing a main portion of the device shown in FIG. 1 on which a driving IC is mounted. FIG. 3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【００１３】この液晶表示装置３０は、対向配置された
一対のガラス等からなる基板１ａ，１ｂを備えており、
各基板１ａ，１ｂには、不図示の透明電極、配向膜等が
それぞれ形成され、スペーサ等の部材を介して所定のセ
ルギャップで貼り付けられている。この基板１ａ，１ｂ
間には液晶（図示省略）が挟持されており、周縁部にお
いてシール部材（図示省略）によって封止されている。
なお、基板１ａ，１ｂの各透明電極（図示省略）は、ス
トライプ状にそれぞれ形成されて対向及び交差して例え
ば単純マトリクス配置され、その交差部で画素が形成さ
れている。また、基板１ａ，１ｂの外面には、偏光板２
が貼り付けられている。The liquid crystal display device 30 includes a pair of substrates 1a and 1b made of glass and the like disposed facing each other.
A transparent electrode, an alignment film, and the like (not shown) are formed on each of the substrates 1a and 1b, and are attached with a predetermined cell gap via members such as spacers. These substrates 1a, 1b
A liquid crystal (not shown) is sandwiched between them, and is sealed at the periphery by a seal member (not shown).
The transparent electrodes (not shown) of the substrates 1a and 1b are respectively formed in a stripe shape, opposed and intersected, for example, arranged in a simple matrix, and pixels are formed at the intersections. Further, a polarizing plate 2 is provided on the outer surfaces of the substrates 1a and 1b.
Is pasted.

【００１４】ところで、基板１ａ，１ｂの各透明電極
（図示省略）には、その端部（電極端子）において液晶
駆動用半導体チップ（駆動用ＩＣ）３がＴＡＢ（Tap au
tomated bonding)法によってフレキシブルフィルム基板
４に搭載されたＴＣＰ２０がそれぞれ接続されている。
更に、これらのＴＣＰ２０は、フレキシブルフィルム基
板４において、液晶駆動用半導体チップ（以下半導体チ
ップという）３に駆動電源及び制御用信号等を入力する
ためのＰＣＢ基板（周辺回路基板）５が接続されてい
る。ＰＣＢ基板５は、基板１ａ，１ｂの一方の側面に沿
ってそれぞれ形成されている。On each of the transparent electrodes (not shown) of the substrates 1a and 1b, a semiconductor chip (drive IC) 3 for driving a liquid crystal is provided at the end (electrode terminal) thereof with a TAB (Tap au).
The TCPs 20 mounted on the flexible film substrate 4 are connected by a tomated bonding method.
Further, in these TCPs 20, a PCB substrate (peripheral circuit substrate) 5 for inputting a driving power supply, a control signal, and the like to a liquid crystal driving semiconductor chip (hereinafter, referred to as a semiconductor chip) 3 is connected to the flexible film substrate 4. I have. The PCB substrate 5 is formed along one side surface of each of the substrates 1a and 1b.

【００１５】ＴＣＰ２０は、図２に示すようにフレキシ
ブルフィルム基板４の一方の面側に、例えばＴＡＢ法に
より半導体チップ３が搭載され、他方の面側に半導体チ
ップ３に対する入力電極パターン及び出力電極パターン
（リードパターン／図２では明示なし、図３における
９）が形成され、半導体チップ３の所定の電極に接続し
ている。フレキシブルフィルム基板４上において、半導
体チップ３の周囲は樹脂膜８によりコートされている。
ＴＣＰ２０において、フレキシブルフィルム基板４は、
例えば領域４ａ及び４ｂを残すようにパターニングさ
れ、半導体チップ３側から見て、開口部で入力電極パタ
ーン及び出力電極パターンが露出され、入力電極リード
９ａ、出力電極リード６となっている。As shown in FIG. 2, the TCP 20 has a semiconductor chip 3 mounted on one surface of the flexible film substrate 4 by, for example, a TAB method, and an input electrode pattern and an output electrode pattern for the semiconductor chip 3 on the other surface. (Lead pattern / not shown in FIG. 2, 9 in FIG. 3) is formed and connected to a predetermined electrode of the semiconductor chip 3. On the flexible film substrate 4, the periphery of the semiconductor chip 3 is coated with a resin film 8.
In the TCP 20, the flexible film substrate 4
For example, patterning is performed so as to leave the regions 4a and 4b, and the input electrode pattern and the output electrode pattern are exposed at the opening when viewed from the semiconductor chip 3 side, thereby forming an input electrode lead 9a and an output electrode lead 6.

【００１６】フレキシブルフィルム基板４は、例えばポ
リイミド、ＰＥＴといった材料から形成されている。
又、入力電極（パターン）及び出力電極（パターン）
は、例えば銅などの材料から形成されており、半導体チ
ップ３の仕様に応じて所定のピッチで形成される。例え
ば、半導体チップ３が一般的な液晶表示装置において用
いるドライバＩＣである場合、入力電極側のピッチは、
ドライバＩＣが、例えばマトリクス電極構造の走査信号
電極側、情報電極信号側のいずれに用いる場合であって
も、１００〜５００μm 程度（本数として３０〜６
０）、出力電極側のピッチは、ドライバＩＣが走査信号
電極側に用いるものとして１００〜３００μm 、情報信
号電極側に用いるものとして、２０〜６０μm （本数と
して２００〜５００程度）である。The flexible film substrate 4 is formed from a material such as polyimide or PET.
Also, input electrode (pattern) and output electrode (pattern)
Are formed from a material such as copper, for example, and are formed at a predetermined pitch according to the specifications of the semiconductor chip 3. For example, when the semiconductor chip 3 is a driver IC used in a general liquid crystal display device, the pitch on the input electrode side is:
Regardless of whether the driver IC is used on the scanning signal electrode side or the information electrode signal side of a matrix electrode structure, for example, about 100 to 500 μm (30 to 6
0) The pitch on the output electrode side is 100 to 300 μm for the driver IC used on the scanning signal electrode side, and 20 to 60 μm (about 200 to 500 in number) for the driver IC used on the information signal electrode side.

【００１７】フレキシブルフィルム基板４における各出
力電極は、フィルム基材４ａが開口されて電極リード部
６のみの状態で、ガラス基板１ａ，１ｂの各透明電極
（図示省略）の端部となる各接続電極７とそれぞれ位置
合わせされ、例えば異方性導電接着膜を介して熱圧着接
続されている。Each output electrode of the flexible film substrate 4 is connected to an end of each transparent electrode (not shown) of the glass substrates 1a and 1b in a state where the film base 4a is opened and only the electrode leads 6 are provided. The electrodes 7 are aligned with each other, and are connected by thermocompression bonding via, for example, an anisotropic conductive adhesive film.

【００１８】一方、フレキシブルフィルム基板４に形成
された各入力電極９は、図３に示すように、フィルム基
材４ｂが開口されて入力電極リード部９ａのみの状態
で、予め半田１０がプリコートされたＰＣＢ基板５の各
接続電極１１に半田付けで接続される。即ち、各入力電
極９は、その入力電極リード部９ａの先端側領域Ａで半
田１０によりＰＣＢ基板５の各接続電極１１に接続され
る。On the other hand, as shown in FIG. 3, each of the input electrodes 9 formed on the flexible film substrate 4 is pre-coated with solder 10 in advance in a state where the film base 4b is opened and only the input electrode leads 9a are provided. Each of the connection electrodes 11 of the PCB substrate 5 is connected by soldering. That is, each input electrode 9 is connected to each connection electrode 11 of the PCB substrate 5 by the solder 10 in the front end side area A of the input electrode lead portion 9a.

【００１９】なお、ＰＣＢ基板５にはレジスト材として
のソルダーレジスト１２がコートされており、各接続電
極１１上のフレキシブルフィルム基板４の各入力電極９
の先端側（フィルム基材４ｂが開口されて入力電極リー
ド部９ａのみとなった部分）に対応する場所でソルダー
レジスト１２が開口され、露出された状態で半田１０を
介して入力電極リード９ａ部分と電気的に接続される。The PCB substrate 5 is coated with a solder resist 12 as a resist material, and each input electrode 9 of the flexible film substrate 4 on each connection electrode 11 is coated.
The solder resist 12 is opened at a location corresponding to the front end side (the portion where the film base material 4b is opened and only the input electrode lead 9a is formed), and the input electrode lead 9a is exposed via the solder 10 in an exposed state. Is electrically connected to

【００２０】次に、上述したＴＣＰ２０におけるフレキ
シブルフィルム基板４の入力電極９とＰＣＢ基板５の接
続電極１１間の半田付けによる電極接続方法の詳細につ
いて説明する。Next, an electrode connection method by soldering between the input electrode 9 of the flexible film substrate 4 and the connection electrode 11 of the PCB substrate 5 in the above-described TCP 20 will be described.

【００２１】ＰＣＢ基板５とＴＣＰ２０の入力電極側の
接続時の位置関係は図４（Ａ）に示す通りである。即
ち、フレキシブルフィルム基板４の入力電極９の先端側
の入力電極リード部９ａは、フィルム基材４，４ｂが開
口されて露出しており、ＰＣＢ基板５の接続電極１１
は、フレキシブルフィルム基板４の入力電極９の入力電
極リード部９ａの先端側領域Ａに対応する位置にソルダ
ーレジスト１２が開口され（開口部Ｂとする）、予め半
田１０がプリコートされている。The positional relationship between the PCB substrate 5 and the input electrode side of the TCP 20 when connected is as shown in FIG. That is, the input electrode lead portion 9a on the tip end side of the input electrode 9 of the flexible film substrate 4 has the film bases 4 and 4b opened and exposed, and the connection electrode 11 of the PCB substrate 5
The solder resist 12 is opened at a position corresponding to the front end side area A of the input electrode lead portion 9a of the input electrode 9 of the flexible film substrate 4 (referred to as an opening B), and the solder 10 is pre-coated in advance.

【００２２】そして、半田１０がプリコートされたＰＣ
Ｂ基板５の接続電極１１にフラックスを塗布した後、フ
レキシブルフィルム基板４の入力電極９の入力電極リー
ド部９ａの、特に先端側領域Ａが、ステージ１３上に配
置したＰＣＢ基板５のソルダーレジスト１２の開口部Ｂ
の半田１０がプリコートされた領域における接続電極１
１に対向するように位置合わせをする。Then, a PC pre-coated with the solder 10
After the flux is applied to the connection electrodes 11 of the B substrate 5, the input electrode lead portions 9 a of the input electrodes 9 of the flexible film substrate 4, in particular, the front end side area A is connected to the solder resist 12 of the PCB substrate 5 arranged on the stage 13. Opening B of
Connection electrode 1 in a region where solder 10 is pre-coated
Positioning is performed so as to face 1.

【００２３】次いで、同図に示すようにフレキシブルフ
ィルム基板４の入力電極リード部９ａとＰＣＢ基板５の
接続電極１１とを位置合わせした状態で、ステージ１３
上に配置したＰＣＢ基板５に対し、フレキシブルフィル
ム基板４の入力電極リード部９ａ上から２００〜３００
℃に加熱された熱圧着ヘッド１４で、フレキシブルフィ
ルム基板４の入力電極リード部９ａを介してソルダーレ
ジスト１２が開口され、半田１０がプリコートされてい
る入力電極リード部９ａの先端側領域Ａのみを熱圧着し
て、フレキシブルフィルム基板４の入力電極９とＰＣＢ
基板５の接続電極１１を半田付けで接続する。Next, as shown in FIG. 2, the stage 13 is held in a state where the input electrode lead portions 9a of the flexible film substrate 4 and the connection electrodes 11 of the PCB substrate 5 are aligned.
With respect to the PCB substrate 5 disposed on the upper side, 200 to 300 from the input electrode lead portion 9a of the flexible film substrate 4
The solder resist 12 is opened through the input electrode lead portion 9a of the flexible film substrate 4 by the thermocompression bonding head 14 heated to a temperature of 10 ° C., and only the tip side region A of the input electrode lead portion 9a where the solder 10 is precoated is formed. Thermocompression bonding, the input electrode 9 of the flexible film substrate 4 and the PCB
The connection electrodes 11 of the substrate 5 are connected by soldering.

【００２４】図４（Ａ）における電極間の接続操作の態
様について、同図上方から見た部材の位置関係を図４
（Ｂ）に示す。この図では、フレキシブルフィルム基板
４側の入力電極リード９ａの各ラインが、ＰＣＢ基板側
ソルダレジストの開口部において接続電極の各ラインと
対応し、半田を介して接続している。FIG. 4A shows the positional relationship between the members viewed from above in FIG.
It is shown in (B). In this drawing, each line of the input electrode lead 9a on the flexible film substrate 4 side corresponds to each line of the connection electrode at the opening of the solder resist on the PCB substrate side, and is connected via solder.

【００２５】図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すような電極の
接続操作では、熱圧着ヘッド１４の圧着先端面１４ａの
幅（電極リードの長手方向の長さ／図４（Ｂ）における
ｂ）をソルダレジスト１２の開口幅（半田１０がプリコ
ートされているソルダレジストの開口領域Ｂの幅／図４
（Ｂ）におけるａ）より狭小としている。そして、圧着
ヘッド１４の先端面１４ａの少なくとも幅方向長さが、
ＰＣＢ基板５側のレジスト開口領域Ｂ内の接続電極１１
上における半田１０がプリコートされた領域内に、入力
電極リード９ａの半導体装置等への接続側で幅ｃ１及び
他端側で幅ｃ２の部分を夫々残して収まるようになって
いる。こうして、熱圧着ヘッド１４の先端面の全てにお
いて入力電極リード９ａ、半田１０及び接続電極１１を
押圧し、これらを熱圧着させる。In the electrode connection operation as shown in FIGS. 4A and 4B, the width of the crimping tip surface 14a of the thermocompression bonding head 14 (the length of the electrode lead in the longitudinal direction / b in FIG. 4B) ) Is the opening width of the solder resist 12 (the width of the opening region B of the solder resist pre-coated with the solder 10 / FIG. 4).
It is narrower than a) in FIG. Then, at least the length in the width direction of the distal end surface 14a of the pressure bonding head 14 is
Connection electrode 11 in resist opening area B on PCB substrate 5 side
The width of the input electrode lead 9a on the connection side to the semiconductor device or the like and the width c1 on the other end side are respectively set to fit in the pre-coated area of the solder 10 above. In this manner, the input electrode lead 9a, the solder 10, and the connection electrode 11 are pressed on the entire end surface of the thermocompression bonding head 14, and these are thermocompression bonded.

【００２６】このような実施の形態では、ソルダーレジ
スト１２の開口領域Ｂの幅より狭小の圧着先端面１４ａ
を有する熱圧着ヘッド１４の、該先端面１４ａの全てで
入力電極リード９ａの先端側領域Ａのみを押圧して接続
電極１１と熱圧着することにより、例えば図５に示すよ
うに、ＰＣＢ基板５の接続電極１１に半田１０のプリコ
ート量が過多の場合でも、熱圧着ヘッド１４による熱圧
着時に、溶融した半田１０の余剰な半田１０ａを、熱圧
着ヘッド１４で圧着された部分に対してＰＣＢ基板５の
ソルダーレジスト１２が開口されている領域（以下開口
領域という）Ｂ部分の両側の隙間から流出して均等に逃
がすことができるので、半田ブリッジの発生を防止する
ことができる。In such an embodiment, the crimping tip surface 14a which is smaller than the width of the opening region B of the solder resist 12 is formed.
By pressing only the distal end region A of the input electrode lead 9a with the entirety of the distal end surface 14a of the thermocompression bonding head 14 and having the thermocompression bonding with the connection electrode 11, for example, as shown in FIG. Even when the pre-coating amount of the solder 10 is excessively large on the connection electrode 11, the excess solder 10 a of the melted solder 10 is applied to the portion of the PCB that has been crimped by the thermocompression bonding head 14 during thermocompression bonding by the thermocompression bonding head 14. 5 can be discharged from the gaps on both sides of a region B where the solder resist 12 is opened (hereinafter, referred to as an opening region) B, so that the solder bridge can be prevented from being generated.

【００２７】また、ＰＣＢ基板５の接続電極１１に半田
１０のプリコート量が少ない場合には、ＰＣＢ基板５の
ソルダーレジスト１２の高さに関係なく、半田１０がプ
リコートされているソルダレジスト１２の開口領域Ｂに
対応する入力電極リード９ａの先端側領域Ａのみを熱圧
着して、フレキシブルフィルム基板４の入力電極９とＰ
ＣＢ基板５の接続電極１１を確実に半田付けで接続する
ことができる。When the amount of pre-coating of the solder 10 on the connection electrodes 11 of the PCB substrate 5 is small, the opening of the solder resist 12 on which the solder 10 is pre-coated is irrespective of the height of the solder resist 12 of the PCB substrate 5. Only the tip side area A of the input electrode lead 9a corresponding to the area B is thermocompression-bonded to the input electrode 9
The connection electrodes 11 of the CB substrate 5 can be reliably connected by soldering.

【００２８】上述したような図４（Ａ）及び（Ｂ）に示
す電極間の接続操作において、ソルダレジスト１２の開
口部の幅ａは、当該接続構造を採用する回路や半導体装
置等の電子デバイスの形態、更には熱圧着ヘッドの幅、
電極リードや接続電極の幅、プリコートされる半田の量
と関連して決定されるが、少なくとも熱圧着ヘッド１４
の幅ｂより大きく、好ましくは０．５〜２．０mm程度で
ある。In the connection operation between the electrodes shown in FIGS. 4A and 4B as described above, the width a of the opening of the solder resist 12 depends on the electronic device such as a circuit or a semiconductor device employing the connection structure. Form, and also the width of the thermocompression head,
It is determined in relation to the width of the electrode leads and connection electrodes, and the amount of solder to be pre-coated.
Is larger than the width b, preferably about 0.5 to 2.0 mm.

【００２９】なお、ａとｂの関係は、好ましくはｂ／ａ
＝０．５〜０．９となるように設定する。また、上記の
ａ＞ｂの関係より熱圧着ヘッド１４による熱圧着時に開
口領域Ｂ内での熱圧着ヘッド１４の両側で設定される間
隙幅ｃ１（入力電極リード９ａの半導体装置側）及びｃ
２（電極リード９ａの他端側）は夫々０．１〜０．５mm
程度とすることが好ましい。The relationship between a and b is preferably b / a
= 0.5 to 0.9. Further, the gap width c1 (the side of the input electrode lead 9a on the semiconductor device side) and c which are set on both sides of the thermocompression bonding head 14 in the opening area B during thermocompression bonding by the thermocompression bonding head 14 from the relationship of a> b.
2 (the other end of the electrode lead 9a) is 0.1 to 0.5 mm each
It is preferable to set the degree.

【００３０】更に、熱圧着ヘッド１４の両側に設定する
間隙の幅ｃ１及びｃ２をｃ１＞ｃ２とすることが好まし
い。これにより、熱圧着の際に、特に入力電極リード９
ａの接続側がソルダレジスト１２の開口部での端部（図
４（Ａ）に示すＤの部分）で加わる圧力を軽減し、不要
な破断等を防止することができる。Further, it is preferable that the widths c1 and c2 of the gaps set on both sides of the thermocompression bonding head 14 satisfy c1> c2. Thereby, in the case of thermocompression bonding, in particular, the input electrode leads 9
The pressure applied to the connection side a at the end of the opening of the solder resist 12 (portion D shown in FIG. 4A) can be reduced, and unnecessary breakage and the like can be prevented.

【００３１】尚、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、
フレキシブルフィルム基板４において露出された入力電
極リード９ａは、その露出領域（図４（Ａ）の幅ｄの部
分）のうち先端部分において、ＰＣＢ基板５側の接続電
極１１と熱圧着により接続させることが好ましい。こう
して、入力電極リード９ａにおける実際に接続に関与し
ない部分（長さｅの部分）がリードやフレキシブルフィ
ルムの変形等に対するバッファとして機能する。ここ
で、入力電極リード９ａの露出幅ａに対して、ｅの長さ
の下限を好ましくはｅ≧ｄ／５、より好ましくはｅ≧ｄ
／４となるように設定し、またｅの長さの上限を好まし
くはｅ≦ｄ／２、より好ましくはｅ≦２ｄ／５となるよ
うに設定する。As shown in FIGS. 4A and 4B,
The input electrode lead 9a exposed on the flexible film substrate 4 is connected to the connection electrode 11 on the side of the PCB substrate 5 by thermocompression bonding at the leading end of the exposed region (the portion having the width d in FIG. 4A). Is preferred. In this way, a portion (length e) of the input electrode lead 9a that is not actually involved in connection functions as a buffer against deformation of the lead or the flexible film. Here, for the exposed width a of the input electrode lead 9a, the lower limit of the length of e is preferably e ≧ d / 5, more preferably e ≧ d.
/ 4, and the upper limit of the length of e is preferably set to satisfy e ≦ d / 2, more preferably to satisfy e ≦ 2d / 5.

【００３２】また、このように入力電極リード９ａの先
端部のみにおいて接続を行なう場合、上述したように熱
圧着ヘッド１４の両側に設定する間隙の幅ｃ１及びｃ２
をｃ１＞ｃ２とすることは、図５に示すような熱圧着時
に溢れる過剰の半田１０ａを、より露出した電極リード
側から逃がすことが可能となる点で特に好ましい。When the connection is made only at the tip of the input electrode lead 9a, the widths c1 and c2 of the gaps set on both sides of the thermocompression bonding head 14 as described above.
Is particularly preferable in that excess solder 10a overflowing during thermocompression bonding as shown in FIG. 5 can be released from the more exposed electrode lead side.

【００３３】ところで、図４（Ａ）及び（Ｂ）に示す実
施の形態に沿ってピッチ０．５mm（線幅０．２mm）、リ
ード長（露出部分の長さｅ）２．０mmの入力電極リード
９ａを有するＴＣＰと、ピッチ０．５mm（線幅０．２５
mm）の接続電極１１を有し、ソルダレジスト１２の開口
領域Ｂの幅（図４（Ａ）のａ）が１．２mmであるＰＣＢ
基板を用意し、先端面の幅（図４（Ａ）のｂ）が０．８
mmである熱圧着ヘッドを用いて電極間の接続を行なっ
た。なお、熱圧着の条件は熱圧着ヘッドの温度を２４０
℃として２秒間、電極リード単位面積あたり約５〜１０
Ｎ／mm2 の力が付与されるように設定した。この結果、
過大な半田ブリッジを生じることなく入力電極リード９
ａと接続電極１１が半田１０を介して精度よく接続され
た。According to the embodiment shown in FIGS. 4A and 4B, an input electrode having a pitch of 0.5 mm (line width 0.2 mm) and a lead length (exposed portion length e) of 2.0 mm is used. TCP having the lead 9a, pitch 0.5 mm (line width 0.25
PCB having a connection electrode 11 of 1.2 mm) and a width (a in FIG. 4A) of an opening region B of the solder resist 12 is 1.2 mm.
A substrate is prepared, and the width of the tip surface (b in FIG. 4A) is 0.8.
The connection between the electrodes was made using a thermocompression head of mm. The conditions of the thermocompression bonding are as follows.
℃ for about 2 seconds, about 5-10 per electrode lead unit area
The setting was such that a force of N / mm 2 was applied. As a result,
Input electrode lead 9 without excessive solder bridge
a and the connection electrode 11 were accurately connected via the solder 10.

【００３４】尚、本実施の形態では、液晶表示装置にお
けるＴＣＰのフレキシブルフィルム基板及びＰＣＢ基板
間の電極接続構造に適用した例であった。The present embodiment is an example in which the present invention is applied to an electrode connection structure between a TCP flexible film substrate and a PCB substrate in a liquid crystal display device.

【００３５】しかしながら、上述したような熱圧着ヘッ
ド、半田が塗布された開口部の形状及び対応関係を用い
た電極間を半田を介して接続する本発明の方法は、一基
板に形成された電極（パターン）を、他の基板において
レジスト材パターンに被覆され、その開口部で露出して
いる電極と、半田を介して接続する方法として広く適用
されるものである。フラットパネルディスプレイをはじ
め種々の電子機器における電極間接続に広く適用され得
る。However, the method of the present invention for connecting the electrodes using the thermocompression bonding head and the shape and the correspondence of the openings to which the solder is applied as described above through the solder is performed by using the electrodes formed on one substrate. (Pattern) is widely applied as a method of connecting via a solder to an electrode which is covered with a resist material pattern on another substrate and is exposed at the opening. It can be widely applied to connection between electrodes in various electronic devices including flat panel displays.

【００３６】ＰＣＢ基板（上述した実施の形態における
５）における配線等を保護するレジスト材としてのソル
ダレジスト（上述した実施の形態における１２）の材料
としては、無機材料からなる無機系ソルダレジスト、耐
熱性や耐薬品性を有する重合硬化性樹脂からなる有機系
ソルダレジストがある。前者の例としてはグラファイト
粉、酸化マグネシウム粉等のスラリーが挙げられ、後者
の例としてはメラミン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化型
樹脂、あるいは紫外線硬化型樹脂が挙げられる。As a material of the solder resist (12 in the above-described embodiment) as a resist material for protecting wiring and the like on the PCB substrate (5 in the above-described embodiment), an inorganic solder resist made of an inorganic material, There is an organic solder resist made of a polymer curable resin having properties and chemical resistance. Examples of the former include slurries such as graphite powder and magnesium oxide powder, and examples of the latter include thermosetting resins such as melamine resins and epoxy resins, and ultraviolet-curing resins.

【００３７】最近の液晶表示装置等の高精細化／大判化
の傾向により、当該装置における駆動ＩＣを備えたＴＣ
Ｐの出力電極と表示パネル側の基板等の取り出し電極の
接続ピッチは年々微小化している。また、実装されるＴ
ＣＰの数も増加しており、これに伴い周辺回路基板も大
型化／長尺化してきている。Due to the recent trend toward higher definition and larger size of liquid crystal display devices and the like, TC
The connection pitch between the P output electrode and an extraction electrode such as a substrate on the display panel side is becoming smaller year by year. Also, the T
The number of CPs is also increasing, and the peripheral circuit boards are becoming larger and longer with this.

【００３８】このため、特にこのフレキシブルフィルム
からなるＴＣＰと周辺回路基板との電極間を接続する実
装装置においては、製造時間の短縮のために熱圧着ヘッ
ドを複数設けるか又は長尺ヘッドを用いることにより、
複数のＴＣＰの入力電極をガラスエポキシ樹脂等からな
るＰＣＢ基板（周辺回路基板）に同時に熱圧着するよう
にしている。For this reason, in particular, in a mounting apparatus for connecting the electrodes of the TCP formed of the flexible film and the peripheral circuit board, a plurality of thermocompression bonding heads or a long head is used in order to shorten the manufacturing time. By
A plurality of TCP input electrodes are thermocompression-bonded simultaneously to a PCB substrate (peripheral circuit substrate) made of glass epoxy resin or the like.

【００３９】ところが、このような実装装置において、
複数のＴＣＰの入力電極を同時に熱圧着する場合、この
熱圧着によるＰＣＢ基板の熱膨張量が大きくなる。そし
て、このようにＰＣＢ基板の熱膨張量が過度に大きくな
ると、ＴＣＰにおいて、ＴＣＰとＰＣＢ基板とが配置さ
れる表示パネル側の基板の辺方向に剪断応力が生じ、こ
れによりＰＣＢ基板の接続電極に固定されているＴＣＰ
の入力電極が破断し、不良に至ることも想定される。However, in such a mounting apparatus,
When a plurality of input electrodes of TCP are thermocompression-bonded at the same time, the thermal expansion of the PCB substrate due to the thermocompression increases. When the thermal expansion amount of the PCB substrate becomes excessively large, a shear stress is generated in the TCP in the side direction of the substrate on the display panel side on which the TCP and the PCB substrate are arranged, and as a result, the connection electrode of the PCB substrate is formed. TCP fixed to
It is also supposed that the input electrode is broken, leading to failure.

【００４０】或いは、ＴＣＰに搭載された集積回路であ
る駆動用ＩＣとＴＣＰとの入力又は出力の電極パターン
（インナーリード）との接続部が損傷を受け、不良に至
ることも予想される。更には、ＴＣＰの出力電極と表示
パネル側の基板との接着部が剥離し、不良に至ることも
あった。そして、この問題は、特にＰＣＢ基板が長尺化
する１０インチを越える場合に特に重要である。Alternatively, it is expected that the connection between the driving IC, which is an integrated circuit mounted on the TCP, and the input or output electrode pattern (inner lead) of the TCP will be damaged, resulting in a failure. Furthermore, the bonding portion between the output electrode of the TCP and the substrate on the display panel side may be peeled off, resulting in a failure. This problem is particularly important when the length of the PCB substrate exceeds 10 inches.

【００４１】上述事情に鑑みて、フレキシブルフィルム
基板に半導体装置が搭載され該フレキシブルフィルム基
板上に半導体装置に対して信号の入出力を行なうための
電極パターンが形成されたＴＣＰを回路基板に実装する
際には、ＴＣＰの電極パターンと回路基板側の電極を、
回路基板側を冷却しながら熱圧着により接続することが
好ましい。In view of the above circumstances, a semiconductor device is mounted on a flexible film substrate, and a TCP on which an electrode pattern for inputting and outputting signals to and from the semiconductor device is formed is mounted on the flexible film substrate. In this case, the TCP electrode pattern and the electrode on the circuit board side are
It is preferable to connect by thermocompression bonding while cooling the circuit board side.

【００４２】特に、表示装置等の光学変調装置の製造に
おいて、光学変調パネル（表示パネル）に駆動信号を供
給する駆動ＩＣとしての半導体装置を搭載した上記ＴＣ
Ｐを実装する際には、上記ＴＣＰの入力電極パターンと
当該駆動ＩＣに対して制御用信号や電源等を供給するた
めの周辺回路基板の接続電極の接続を、ＴＣＰ側の電極
及び回路基板側の電極を回路基板側を冷却しながら熱圧
着により行なうことがより好ましい。In particular, in the manufacture of an optical modulation device such as a display device, the above TC mounted with a semiconductor device as a drive IC for supplying a drive signal to an optical modulation panel (display panel).
When mounting P, the connection between the input electrode pattern of the TCP and the connection electrode of the peripheral circuit board for supplying a control signal, power supply, etc. to the drive IC is performed by connecting the electrode on the TCP side and the circuit board side. More preferably, the electrodes are formed by thermocompression bonding while cooling the circuit board side.

【００４３】次に、図面を参照して上述した冷却操作を
採用した本発明の他の実施の形態に係る電極間の接続方
法を説明する。Next, a method for connecting electrodes according to another embodiment of the present invention employing the above-described cooling operation will be described with reference to the drawings.

【００４４】図８は、液晶表示装置において、表示パネ
ルに対する駆動ＩＣを備えたＴＣＰを実装する際に上述
した冷却操作を採用する態様の概略を示す図である。同
図において、１０１は表示パネル１０２に実装されたＴ
ＣＰ１０３に入力信号／電源信号を供給する周辺回路基
板１０４がセットされる圧着ステージ、１０５は上下方
向に移動可能に設けられ、周辺回路基板１０４の図示し
ない接続電極パターンとＴＣＰ１０３の入力電極（リー
ド）１０６とを熱圧着して接続する熱圧着手段である熱
圧着ヘッド１１５を備えた熱圧着ヘッドユニット、１０
７はＴＡＢ法によりＴＣＰ１０３のフレキシブルフィル
ム基板１０９上に搭載された駆動用ＩＣ、１０８は周辺
回路基板１０４側に冷風等を供給する冷却ノズルであ
る。FIG. 8 is a diagram schematically showing a mode in which the above-described cooling operation is employed when mounting a TCP provided with a drive IC for a display panel in a liquid crystal display device. In the figure, reference numeral 101 denotes a T mounted on the display panel 102.
A crimping stage 105 on which a peripheral circuit board 104 for supplying an input signal / power signal to the CP 103 is provided. The crimping stage 105 is provided so as to be movable in the vertical direction, and a connection electrode pattern (not shown) of the peripheral circuit board 104 and an input electrode (lead) of the TCP 103. A thermocompression head unit having a thermocompression head 115 which is thermocompression bonding means for connecting the thermocompression bonding with the thermocompression bonding 106;
Reference numeral 7 denotes a driving IC mounted on the flexible film substrate 109 of the TCP 103 by the TAB method, and reference numeral 108 denotes a cooling nozzle for supplying cool air or the like to the peripheral circuit substrate 104 side.

【００４５】図９は、図８に示す態様における、熱圧着
ヘッドユニット１０５等の部材について、図８のＣの地
点から見た配置例を説明するための図である。図９に示
す例では、圧着ステージ１０１により支持される周辺回
路基板１０４の長手方向に沿って熱圧着ヘッドユニット
１０５ａ，１０５ｂは複数設けられている。また、熱圧
着ヘッドユニット１０５ａ，１０５ｂの後方で、好まし
くは各熱圧着ユニット１０５ａ，１０５ｂ毎に冷却ノズ
ルが設けられている（図示せず）。こうして、複数の熱
圧着ヘッドユニット１０５ａ，１０５ｂが同時に作動
し、一つの周辺回路基板１０４に対して同時に複数のＴ
ＣＰ１０３（１０３ａ，１０３ｂ）が実装され得る。FIG. 9 is a diagram for explaining an example of the arrangement of the members such as the thermocompression bonding head unit 105 in the mode shown in FIG. 8 as viewed from the point C in FIG. In the example shown in FIG. 9, a plurality of thermocompression head units 105a and 105b are provided along the longitudinal direction of the peripheral circuit board 104 supported by the compression stage 101. Further, a cooling nozzle is provided behind the thermocompression bonding head units 105a, 105b, preferably for each thermocompression bonding unit 105a, 105b (not shown). Thus, the plurality of thermocompression head units 105a and 105b operate simultaneously, and the plurality of T
A CP 103 (103a, 103b) may be implemented.

【００４６】図１０は、図８に示す態様において用いら
れるＴＣＰが実装された表示パネルの概略を説明する図
（上方から見た図）である。なお、同図は表示パネルを
構成する基板１０２ｂを中心に示すものである。FIG. 10 is a diagram (view from above) schematically illustrating a display panel on which TCP used in the embodiment shown in FIG. 8 is mounted. It should be noted that the figure mainly shows a substrate 102b constituting a display panel.

【００４７】同図では、基板１０２ｂの周縁部におい
て、該基板１０２ｂに設けられた電極（例えば透明電
極）に対応する端子（図示せず）と、フレキシブルフィ
ルム基板１０９に駆動ＩＣ１０７が搭載されたＴＣＰ１
０３における出力電極リード（図示せず）が、例えばＡ
ＣＦを介して接続される形で、複数のＴＣＰ１０３が設
けられている。各ＴＣＰ１０３では、フレキシブルフィ
ルム基板１０９がパターニングされており、その開口部
で入力電極リード部１０６が形成されている。In the figure, a terminal (not shown) corresponding to an electrode (for example, a transparent electrode) provided on the substrate 102b and a TCP 1 on which a driving IC 107 is mounted on a flexible film substrate 109 are provided at the peripheral edge of the substrate 102b.
03, the output electrode lead (not shown)
A plurality of TCPs 103 are provided so as to be connected via CF. In each TCP 103, a flexible film substrate 109 is patterned, and an input electrode lead portion 106 is formed at an opening thereof.

【００４８】図１１は、図１０に示すＴＣＰ１０３を備
えた表示パネルを回路基板と共に、図８に示すような形
態にセットする操作を説明する図である。例えば、圧着
ステージ１０１に対して、ＴＣＰ１０３を備えた表示パ
ネル１０２及び回路基板１０４を移動させて、ＴＣＰ１
０３の入力電極リード部分（図８に示す１０６）と、回
路基板１０４側の接続電極の位置を正確に位置合わせす
る。尚、接続電極パターンの接続される表面側には半田
をプリコートしておく。FIG. 11 is a view for explaining the operation of setting the display panel provided with the TCP 103 shown in FIG. 10 together with the circuit board in the form shown in FIG. For example, the display panel 102 provided with the TCP 103 and the circuit board 104 are moved with respect to the crimping stage 101 so that the TCP 1
The input electrode lead portion 03 (106 shown in FIG. 8) and the position of the connection electrode on the circuit board 104 side are accurately aligned. Incidentally, solder is pre-coated on the surface to which the connection electrode pattern is connected.

【００４９】続いて、圧着ステージ１０１上で、矢印１
１０に示す方向で熱圧着ヘッドユニット（図８に示す１
０５、図９に示す１０５ａ，１０５ｂ）における熱圧着
ヘッド（図８に示す１１５、図９に示す１１５ａ，１１
５ｂ）を降下させ、ＴＣＰ１０３側の入力電極リード及
び回路基板１０４側の接続電極を熱圧着し、接続電極上
にプリコートされている半田を溶融させて、上記両電極
を電気的に接続させる。Subsequently, on the crimping stage 101, the arrow 1
In the direction shown in FIG. 10, a thermocompression bonding head unit (1 shown in FIG. 8)
05 and 105a and 105b shown in FIG. 9) (115 shown in FIG. 8 and 115a and 11 shown in FIG. 9).
5b) is lowered, and the input electrode leads on the TCP 103 side and the connection electrodes on the circuit board 104 side are thermocompression-bonded, and the solder pre-coated on the connection electrodes is melted to electrically connect the two electrodes.

【００５０】尚、図９に示すような複数セットとなった
加熱圧着ヘッドを用いる場合では、所定の個数（同図で
は２個）のＴＣＰについて入力電極リードと、対応する
回路基板の接続電極を接続させた後、例えば圧着ステー
ジ１０１や液晶パネル１０２を移動させて位置合わせを
行ない、別の複数のＴＣＰについて入力電極リード、対
応する回路基板の接続電極を接続操作を行なう。When a plurality of sets of thermocompression bonding heads as shown in FIG. 9 are used, input electrode leads and connection electrodes of a corresponding circuit board are connected for a predetermined number (two in the figure) of TCP. After the connection, for example, the pressure bonding stage 101 and the liquid crystal panel 102 are moved to perform the alignment, and the input operation is performed for the input electrode leads and the connection electrodes of the corresponding circuit board for another plurality of TCPs.

【００５１】本実施形態では、上記の加熱圧着操作の際
に、図８に示す熱圧着ヘッドユニット１０５に付設され
た冷却ノズル１０８を用いて回路基板側を冷却する。具
体的には、図８や図１１に示すような状態で、ＴＣＰ１
０３の入力電極リード１０６と回路基板１０４の接続電
極（図示せず）が位置合わせされ、熱圧着ヘッドユニッ
ト１０５のヘッド１１５が接続部位に降下する際に、こ
れに伴って冷却ノズル１０８も接続部位に向って降下す
る。そして、少なくともヘッド１１５による熱圧着操作
の際に、冷却されたガスを好ましくは接続部位を含む回
路基板の所定領域に供給する。In the present embodiment, the circuit board side is cooled using the cooling nozzle 108 attached to the thermocompression bonding head unit 105 shown in FIG. 8 during the above thermocompression bonding operation. Specifically, in the state shown in FIG. 8 or FIG.
When the input electrode lead 106 of No. 03 and the connection electrode (not shown) of the circuit board 104 are aligned, and the head 115 of the thermocompression bonding head unit 105 descends to the connection portion, the cooling nozzle 108 is accordingly connected. Descend toward. Then, at least at the time of the thermocompression bonding operation by the head 115, the cooled gas is preferably supplied to a predetermined region of the circuit board including the connection portion.

【００５２】こうして、前述した電極間の熱圧着の際に
おける回路基板の熱膨張が即座に収束される。ひいて
は、ＴＣＰ１０３とＴＣＰ１０３が実装される周辺回路
基板が設けられる表示パネル等の基板の辺方向において
ＴＣＰ１０３に対する剪断応力が生じることなく、既に
接続されているＴＣＰ１０３の電極（入力電極）と回路
基板側の電極の接続の破断や、更にはＴＣＰ１０３内に
おける半導体装置（表示装置の駆動ＩＣ）と入力電極や
出力電極との接続部位の損傷、あるいはＴＣＰ１０３の
電極（出力電極）と表示パネル側の端子との接続の損傷
等の不良の発生が抑制される。In this way, the thermal expansion of the circuit board during the aforementioned thermocompression bonding between the electrodes is immediately converged. As a result, no shear stress is applied to the TCP 103 in the lateral direction of the substrate such as a display panel on which the TCP 103 and the peripheral circuit board on which the TCP 103 is mounted are provided, and the already connected electrodes (input electrodes) of the TCP 103 are connected to the circuit board side. Breakage of the connection of the electrodes, damage to the connection between the semiconductor device (display device driving IC) in the TCP 103 and the input electrode or output electrode, or damage to the connection between the electrode of the TCP 103 (output electrode) and the terminal on the display panel side. The occurrence of defects such as damage to the connection is suppressed.

【００５３】よって、ＴＣＰ１０３の電極と回路基板の
電極間の熱圧着による接続操作を、回路基板の熱膨張に
よる不良発生を憂慮することなく、複数のＴＣＰ１０３
に対して効率よく連続的に行なうことができる。Therefore, the connection operation between the electrodes of the TCP 103 and the electrodes of the circuit board by thermocompression bonding can be performed by a plurality of TCP 103s without worrying about the occurrence of defects due to the thermal expansion of the circuit board.
Can be performed efficiently and continuously.

【００５４】上述した冷却操作では、冷却ガスとして例
えばＮ2 ガスやフィルタ等で微細な粉塵を除去し、乾燥
させた空気を用いる。これらのガスを好ましくは１０〜
２０℃で約８〜９kg／cm2 の圧力、流量５〜２０l ／mi
n で対象物（回路基板側）に供給する。[0054] In the above-mentioned cooling operation, fine dust in the cooling gas, e.g., N 2 gas or a filter or the like is removed, using dried air. Preferably these gases are
Approximately 8-9 kg / cm 2 at 20 ° C., flow rate 5-20 l / mi
Supply to the object (circuit board side) with n.

【００５５】複数のＴＣＰ１０３の電極における熱圧着
操作において、冷却ノズル１０８による冷却ガスの吹き
出し（エアーブロー）は、例えば図１２に示すようなタ
イミングチャートのように、各熱圧着操作の期間に同期
して行なうことができる。また、このエアーブローを図
１３に示すタイミングチャートのように熱圧着操作の期
間に無関係に連続して行なうこともできる。この場合、
熱圧着操作による回路基板側の熱膨張を極めて迅速に収
束されることができる。In the thermocompression operation of the electrodes of the plurality of TCPs 103, the blowing of the cooling gas (air blow) by the cooling nozzle 108 is synchronized with the period of each thermocompression operation as shown in a timing chart of FIG. Can be done. Further, this air blowing can be performed continuously regardless of the period of the thermocompression bonding operation as shown in the timing chart of FIG. in this case,
The thermal expansion on the circuit board side by the thermocompression operation can be converged very quickly.

【００５６】図８に示すような冷却ノズル１０８は、例
えば図９に示すような複数の熱圧着ユニット１０５ａ．
１０５ｂを用いる場合において、好ましくは各ユニット
１０５ａ．１０５ｂ毎に設けられるが、処理するＴＣＰ
１０３の個数や回路基板のサイズ、材質等に応じてユニ
ット数に対する配置数を適宜設定する。また、冷却ノズ
ル１０８の回路基板に対する位置も、図８に示すものに
限定されず処理するＴＣＰ１０３の個数や回路基板のサ
イズ、材質等に応じて設定される。The cooling nozzle 108 as shown in FIG. 8 includes a plurality of thermocompression units 105a.
105b, preferably each unit 105a. TCP that is provided for each 105b,
The number of arrangements with respect to the number of units is appropriately set according to the number of 103, the size and material of the circuit board, and the like. Further, the position of the cooling nozzle 108 with respect to the circuit board is not limited to that shown in FIG. 8 and is set according to the number of TCPs 103 to be processed, the size and material of the circuit board, and the like.

【００５７】上記冷却操作は、前述した例えば図４及び
５で説明したような熱圧着ヘッド１４と回路基板の接続
部位の位置関係での電極間接続において適用することが
好ましい。即ち、図４及び５の態様では、ＰＣＢ基板５
側を冷却しながら熱圧着ヘッド１４による熱圧着操作を
行なうことが、高精度でのＴＣＰ側の電極と回路基板側
の電極とを精度良く接続させる点で特に好ましい。The above-described cooling operation is preferably applied to the connection between electrodes in the positional relationship between the connection portion of the thermocompression bonding head 14 and the circuit board as described above with reference to FIGS. That is, in the embodiments of FIGS.
It is particularly preferable to perform the thermocompression bonding operation using the thermocompression bonding head 14 while cooling the side, in order to connect the electrodes on the TCP side and the electrodes on the circuit board side with high accuracy.

【００５８】上記冷却操作は、熱圧着による電極間の接
続が半田によるものに限定されずＡＣＦを介したもので
ある場合にも適用される。The above-described cooling operation is also applied to a case where the connection between the electrodes by thermocompression bonding is not limited to the connection by soldering but is through ACF.

【００５９】[0059]

【発明の効果】以上詳述したように歩によれば、一基板
における電極と他基板における電極とを半田により接続
するに際し、一方の基板の電極にプリコートされた半田
の量の過多、過少に拘らず、良好な接続を行う方法が提
供される。As described above in detail, according to the steps, when the electrodes on one substrate and the electrodes on the other substrate are connected by solder, the amount of solder pre-coated on the electrodes on one substrate may be excessively or excessively small. Nevertheless, a method of making a good connection is provided.

【００６０】更に、本発明によれば、一基板における電
極と他基板における電極を熱圧着による接続するに際
し、一方の基板の熱膨張や収縮による他の接続部位に対
する影響を低減する方法が提供される。Further, according to the present invention, there is provided a method of reducing the influence of thermal expansion and contraction of one substrate on other connection parts when connecting electrodes on one substrate and electrodes on another substrate by thermocompression bonding. You.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概略
を示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図２】上記液晶表示装置における駆動用ＩＣの実装さ
れた要部の概略を示す図。FIG. 2 is a diagram schematically showing a main part of the liquid crystal display device on which a driving IC is mounted.

【図３】図２のＡ−Ａ´線に沿った断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2;

【図４】（Ａ）は、上記実施形態においてＴＣＰの入力
電極と回路基板の電極を熱圧着操作により接続する際の
状態を示す図、（Ｂ）は（Ａ）の接続部分を上方から見
た図。FIG. 4A is a view showing a state when an input electrode of a TCP and an electrode of a circuit board are connected by a thermocompression bonding operation in the embodiment, and FIG. 4B is a view showing a connection portion of FIG. Figure.

【図５】本発明の一実施形態においてＴＣＰの入力電極
と回路基板の電極を熱圧着操作により接続する際の状態
を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a state when an input electrode of a TCP and an electrode of a circuit board are connected by a thermocompression bonding operation in the embodiment of the present invention.

【図６】従来のＴＣＰの実装におけるＴＣＰの電極と回
路基板の電極とを熱圧着操作により接続する際に生じた
半田ブリッジを示す図。FIG. 6 is a view showing a solder bridge generated when a TCP electrode and a circuit board electrode are connected by a thermocompression bonding operation in a conventional TCP mounting.

【図７】従来のＴＣＰの実装におけるＴＣＰの電極と回
路基板の電極とを熱圧着操作により接続する際の生じた
接続不良状態を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a connection failure state that occurs when a TCP electrode and a circuit board electrode are connected by a thermocompression operation in a conventional mounting of TCP.

【図８】本発明の他の実施形態におけるＴＣＰの入力電
極と回路基板の電極を熱圧着操作により接続する際の状
態を示す図。FIG. 8 is a diagram illustrating a state when an input electrode of a TCP and an electrode of a circuit board are connected by a thermocompression operation in another embodiment of the present invention.

【図９】図８に示す実施形態におけるＣの地点から見た
配置例を説明するための図。FIG. 9 is a view for explaining an arrangement example viewed from a point C in the embodiment shown in FIG. 8;

【図１０】上記他の実施形態において用いるＴＣＰが実
装された表示パネルの概略を示す図。FIG. 10 is a diagram schematically showing a display panel on which TCP used in the other embodiment is mounted.

【図１１】上記他の実施形態にセットする操作を模式的
に示す図。FIG. 11 is a diagram schematically showing an operation for setting in the other embodiment.

【図１２】上記他の実施形態におけるエアーブローと熱
圧着操作のタイミングチャートを示す図。FIG. 12 is a diagram showing a timing chart of an air blow and thermocompression operation in the other embodiment.

【図１３】上記他の実施形態におけるエアーブローと熱
圧着操作のタイミングチャートを示す図。FIG. 13 is a diagram showing a timing chart of an air blow and thermocompression operation in the other embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３ 液晶駆動用半導体チッ
プ ４，１００，１０９ フレキシブルフィルム
基板 ５，１０２ ＰＣＢ基板 ６ 出力電極リード ９，１０１ 入力電極 ９ａ，１０１ａ 入力電極リード １０，１０４ 半田 １１，１０３ 接続電極 １２，１０６ ソルダレジスト １４，１１５，１１５ａ，１１５ｂ 熱圧着ヘ
ッド １４ａ 熱圧着ヘッドの先端面 ａ ソルダレジストの開口
幅 ｂ 熱圧着ヘッドの圧着先
端面の幅 ２０，１０３，１０３ａ，１０３ｂ ＴＣＰ ３０ 液晶表示装置 １０２，１０２ｂ 表示パネル １０４ 周辺回路基板 １０５，１０５ａ，１０５ｂ 熱圧着ヘッドユニット １０７ 駆動用ＩＣ １０８ 冷却ノズルReference Signs List 3 Semiconductor chip for driving liquid crystal 4, 100, 109 Flexible film substrate 5, 102 PCB substrate 6 Output electrode lead 9, 101 Input electrode 9a, 101a Input electrode lead 10, 104 Solder 11, 103 Connection electrode 12, 106 Solder resist 14, 115, 115a, 115b Thermo-compression head 14a Tip surface of thermo-compression head a Width of solder resist opening b Width of thermo-compression head surface of thermo-compression head 20, 103, 103a, 103b TCP 30 Liquid crystal display device 102, 102b Display panel 104 Peripheral Circuit board 105, 105a, 105b Thermocompression bonding head unit 107 Driving IC 108 Cooling nozzle

Claims (41)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 電極が形成された第一の基板と、一方の
表面がレジストパターンにより被覆され、その開口部に
おいて実質的に露出した電極を有する第二の基板との電
極間の接続方法であって、 前記第二の基板のレジストパターンの開口部の電極を半
田にて被覆する工程と、 前記第二の基板における電極と前記第一の基板における
電極を位置合わせする工程と、 少なくとも前記第二の基板のレジスト開口部の幅より小
さな幅の圧着先端面を有する熱圧着ヘッドによって、該
先端面の全てが該開口部内で第一の基板の電極及び第二
の基板の電極を押圧するように該第一の基板の電極及び
第二の基板の電極を熱圧着して該電極間を半田を介し接
続する工程と、 を有する電極間の接続方法。1. A method of connecting electrodes between a first substrate having electrodes formed thereon and a second substrate having one surface covered with a resist pattern and having electrodes substantially exposed at an opening thereof. A step of coating an electrode at an opening of the resist pattern of the second substrate with solder; a step of aligning an electrode on the second substrate with an electrode on the first substrate; and With a thermocompression head having a crimping tip surface having a width smaller than the width of the resist opening of the second substrate, all of the tip surfaces press the electrodes of the first substrate and the electrodes of the second substrate within the opening. And thermocompression bonding the electrode of the first substrate and the electrode of the second substrate to connect the electrodes via solder. 【請求項２】 前記レジスト開口部の幅ａと、熱圧着ヘ
ッドの幅ｂとの比率ｂ／ａが０．５〜０．９の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１記載の電極間の接続方法。2. The electrode according to claim 1, wherein a ratio b / a of the width a of the resist opening to the width b of the thermocompression bonding head is in a range of 0.5 to 0.9. Connection method. 【請求項３】 前記第一の基板が、フレキシブルフィル
ム基板であることを特徴とする請求項１記載の電極間の
接続方法。3. The method according to claim 1, wherein the first substrate is a flexible film substrate. 【請求項４】 前記第一の基板には半導体装置が搭載さ
れており、該第一の基板における電極は半導体装置に対
する入力電極及び出力電極からなり、前記第二の基板は
前記第一の半導体装置に制御用信号及び電源を供給する
回路基板であり、前記第一及び第二の基板の電極を接続
する工程において該第一の基板における半導体装置に対
する入力電極と、前記第二の基板の接続電極とを接続す
ることを特徴とする請求項１記載の電極間の接続方法。4. A semiconductor device is mounted on the first substrate, an electrode on the first substrate comprises an input electrode and an output electrode for the semiconductor device, and the second substrate comprises the first semiconductor. A circuit board for supplying a control signal and a power supply to the device, wherein in the step of connecting the electrodes of the first and second substrates, the input electrode for the semiconductor device on the first substrate and the connection of the second substrate 2. The method according to claim 1, wherein the electrode is connected to the electrode. 【請求項５】 前記第一の基板がフレキシブル基板であ
ることを特徴とする請求項４記載の電極間の接続方法。5. The method according to claim 4, wherein the first substrate is a flexible substrate. 【請求項６】 前記第一の基板は半導体装置を搭載し、
該第一の基板における電極は半導体装置に対する入力電
極及び出力電極からなり、ＴＣＰ（テープキャリアパッ
ケージ）を構成しており、前記第二の基板は前記第一の
半導体装置に制御用信号及び電源を供給する回路基板で
あり、前記第一の基板の出力電極は電子機器の接続端子
と接続しており、前記第一及び第二の基板の電極を接続
する工程において前記第一の基板における半導体装置に
対する入力電極と、前記第二の基板の接続電極とを熱圧
着により接続することを特徴とする請求項１記載の電極
間の接続方法。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first substrate has a semiconductor device mounted thereon.
The electrodes on the first substrate are composed of input electrodes and output electrodes for the semiconductor device and constitute a TCP (tape carrier package), and the second substrate supplies control signals and power to the first semiconductor device. A circuit board to be supplied, wherein an output electrode of the first substrate is connected to a connection terminal of an electronic device, and in the step of connecting the electrodes of the first and second substrates, the semiconductor device on the first substrate The connection method between electrodes according to claim 1, wherein an input electrode for the first substrate and a connection electrode of the second substrate are connected by thermocompression bonding. 【請求項７】 前記第一及び第二の基板の電極を接続す
る工程において、熱圧着ヘッドにより前記第一の基板の
電極及び第二の基板の電極を押圧する際に、前記レジス
ト開口部内で該熱圧着ヘッドの前記半導体装置側及び前
記入力電極の先端側の両方に間隙を設け、該半導体装置
側の間隙の幅を該入力電極の先端側の間隙より長くする
ことを特徴とする請求項６記載の電極間の接続方法。7. In the step of connecting the electrodes of the first and second substrates, when the electrodes of the first substrate and the electrodes of the second substrate are pressed by a thermocompression bonding head, the electrodes are formed in the resist openings. A gap is provided on both the semiconductor device side of the thermocompression bonding head and the tip side of the input electrode, and the width of the gap on the semiconductor device side is made longer than the gap on the tip side of the input electrode. 7. The connection method between electrodes according to 6. 【請求項８】 前記半導体装置はＴＡＢ方式によりフレ
キシブル基板に搭載されていることを特徴とする請求項
６記載の電極間の接続方法。8. The method according to claim 6, wherein the semiconductor device is mounted on a flexible substrate by a TAB method. 【請求項９】 前記電子機器が光学変調パネルであるこ
とを特徴とする請求項７記載の電極間の接続方法。9. The method according to claim 7, wherein the electronic device is an optical modulation panel. 【請求項１０】 前記電子機器が表示パネルであること
を特徴とする請求項７記載の電極間の接続方法。10. The method according to claim 7, wherein the electronic device is a display panel. 【請求項１１】 前記表示装置が液晶表示パネルである
ことを特徴とする請求項１０記載の電極間の接続方法。11. The method according to claim 10, wherein the display device is a liquid crystal display panel. 【請求項１２】 前記レジストパターンがソルダーレジ
ストからなることを特徴とする請求項１記載の電極間の
接続方法。12. The method according to claim 1, wherein the resist pattern comprises a solder resist. 【請求項１３】 前記第一及び第二の基板の電極を接続
する工程において、前記第二の基板に冷却ガスを供給す
ることを特徴とする請求項１記載の電極間の接続方法。13. The method according to claim 1, wherein in the step of connecting the electrodes of the first and second substrates, a cooling gas is supplied to the second substrate. 【請求項１４】 夫々電極が形成された第一の基板及び
第二の基板の、該電極間の接続方法であって、 前記第一の基板における電極と前記第二の基板における
電極を位置合わせする工程と、 前記第一の基板における電極と前記第二の基板における
電極を、いずれかの基板に冷却ガスを付与しながら熱圧
着して接続する工程と、 を有する電極間の接続方法。14. A method for connecting a first substrate and a second substrate each having electrodes formed thereon, wherein the electrodes on the first substrate and the electrodes on the second substrate are aligned. And connecting the electrodes on the first substrate and the electrodes on the second substrate by thermocompression bonding while applying a cooling gas to any one of the substrates. 【請求項１５】 前記第一の基板が、フレキシブルフィ
ルム基板であり、前記第二の基板に冷却ガスを付与する
ことを特徴とする請求項１４記載の電極間の接続方法。15. The method according to claim 14, wherein the first substrate is a flexible film substrate, and a cooling gas is applied to the second substrate. 【請求項１６】 前記第一の基板には半導体装置が搭載
されており、該第一の基板における電極は半導体装置に
対する入力電極及び出力電極からなり、前記第二の基板
は前記第一の半導体装置に制御用信号及び電源を供給す
る回路基板であり、前記第一及び第二の基板の電極を接
続する工程において前記第二の基板に冷却ガスを付与し
ながら該第一の基板における半導体装置に対する入力電
極と、第二の基板の接続電極とを接続することを特徴と
する請求項１５記載の電極間の接続方法。16. The semiconductor device is mounted on the first substrate, electrodes on the first substrate are composed of input electrodes and output electrodes for the semiconductor device, and the second substrate is the first semiconductor. A circuit board for supplying a control signal and a power supply to the device, wherein a semiconductor device on the first substrate is supplied while applying a cooling gas to the second substrate in a step of connecting electrodes of the first and second substrates. The connection method between electrodes according to claim 15, wherein an input electrode for the second electrode is connected to a connection electrode of the second substrate. 【請求項１７】 前記第一の基板がフレキシブル基板で
あることを特徴とする請求項１５記載の電極間の接続方
法。17. The method according to claim 15, wherein the first substrate is a flexible substrate. 【請求項１８】 前記第一の基板は半導体装置を搭載
し、該第一の基板における電極は半導体装置に対する入
力電極及び出力電極からなり、ＴＣＰ（テープキャリア
パッケージ）を構成しており、前記第二の基板は前記第
一の半導体装置に制御用信号及び電源を供給する回路基
板であり、前記第一の基板の出力電極は電子機器の接続
端子と接続しており、前記第一及び第二の基板の電極を
接続する工程において前記第二の基板に冷却ガスを付与
しながら前記第一の基板における半導体装置に対する入
力電極と、第二の基板の接続電極とを前記熱圧着により
接続することを特徴とする請求項１４記載の電極間の接
続方法。18. The first substrate has a semiconductor device mounted thereon, and electrodes on the first substrate comprise input electrodes and output electrodes for the semiconductor device, forming a TCP (tape carrier package). The second substrate is a circuit substrate that supplies a control signal and power to the first semiconductor device, and an output electrode of the first substrate is connected to a connection terminal of an electronic device, and the first and second substrates are connected to each other. Connecting the input electrode to the semiconductor device on the first substrate and the connection electrode of the second substrate by the thermocompression bonding while applying a cooling gas to the second substrate in the step of connecting the electrodes of the second substrate. The method for connecting between electrodes according to claim 14, characterized in that: 【請求項１９】 前記半導体装置はＴＡＢ方式によりフ
レキシブル基板に搭載されていることを特徴とする請求
項１８記載の電極間の接続方法。19. The method according to claim 18, wherein the semiconductor device is mounted on a flexible substrate by a TAB method. 【請求項２０】 複数のＴＣＰにおける出力電極と、第
二の基板の接続電極間の接続について、前記第一及び第
二の基板の電極を位置合わせする工程と、第一及び第二
の基板の電極を接続する工程を順次くり返し行なうこと
を特徴とする請求項１８記載の電極間の接続方法。20. Aligning the electrodes of the first and second substrates with respect to the connection between the output electrodes of the plurality of TCPs and the connection electrodes of the second substrate; 19. The method according to claim 18, wherein the steps of connecting the electrodes are sequentially repeated. 【請求項２１】 前記第一及び第二の基板の電極を接続
する工程における冷却ガスの供給を、各ＴＣＰの出力電
極と、前記第二の基板の接続電極間を熱圧着による接続
操作と同期して行なうことを特徴とする請求項２０記載
の電極間の接続方法。21. The supply of the cooling gas in the step of connecting the electrodes of the first and second substrates is synchronized with the connection operation by thermocompression between the output electrode of each TCP and the connection electrode of the second substrate. 21. The method for connecting between electrodes according to claim 20, wherein the method is performed. 【請求項２２】 前記第一及び第二の基板の電極を接続
する工程における冷却ガスの供給を、各ＴＣＰの出力電
極と、前記第二の基板の接続電極間を熱圧着による接続
操作のタイミングに無関係に行なうことを特徴とする請
求項２０記載の電極間の接続方法。22. The supply of the cooling gas in the step of connecting the electrodes of the first and second substrates, the timing of the connection operation by thermocompression between the output electrodes of each TCP and the connection electrodes of the second substrate. 21. The method according to claim 20, wherein the connection is performed irrespective of the method. 【請求項２３】 前記電子機器が光学変調パネルである
ことを特徴とする請求項１８記載の電極間の接続方法。23. The method according to claim 18, wherein the electronic device is an optical modulation panel. 【請求項２４】 前記電子機器が表示パネルであること
を特徴とする請求項１８記載の電極間の接続方法。24. The method according to claim 18, wherein the electronic device is a display panel. 【請求項２５】 前記表示装置が液晶表示パネルである
ことを特徴とする請求項２４記載の電極間の接続方法。25. The method according to claim 24, wherein the display device is a liquid crystal display panel. 【請求項２６】 前記第二の基板がガラスエポキシ樹脂
からなる回路基板であることを特徴とする請求項１８記
載の電極間の接続方法。26. The method according to claim 18, wherein the second substrate is a circuit board made of glass epoxy resin. 【請求項２７】 光学変調パネル、フレキシブル基板に
該パネルの駆動用の半導体装置が搭載され、該半導体装
置に対する入力電極及び出力電極が設けられたＴＣＰ及
びレジストパターンにより被覆され、その開口部におい
て接続電極を有し、該半導体装置に電源及び制御用信号
を供給する回路基板を備えた光学変調装置の製造方法で
あって、 前記光学変調パネルの電極端子と、前記ＴＣＰにおける
出力電極とを接続する工程と、 前記回路基板のレジストパターンの開口部の接続電極を
半田にて被覆する工程と、 前記ＴＣＰにおける入力電極と前記回路基板における接
続電極を位置合わせする工程と、 少なくとも前記回路基板の接続電極部分におけるレジス
ト開口部の幅より小さな幅の圧着先端面を有する熱圧着
ヘッドによって、該先端面の全てが該開口部内で前記出
力電極及び回路基板の接続電極を押圧するようにこれら
電極を熱圧着して該電極間を半田を介し接続する工程
と、 を有する光学変調装置の製造方法。27. A semiconductor device for driving the optical modulation panel and the flexible substrate is mounted on a flexible substrate, and the semiconductor device is covered with a TCP and a resist pattern provided with an input electrode and an output electrode for the semiconductor device, and connected at an opening thereof. A method of manufacturing an optical modulation device having electrodes and a circuit board for supplying power and control signals to the semiconductor device, comprising: connecting an electrode terminal of the optical modulation panel to an output electrode of the TCP. A step of coating a connection electrode in an opening of a resist pattern of the circuit board with solder; a step of aligning an input electrode of the TCP with a connection electrode of the circuit board; and at least a connection electrode of the circuit board. The thermocompression head having a crimping tip surface having a width smaller than the width of the resist opening in the portion, Method of manufacturing all-optical modulator having the steps of connecting via the solder between the electrodes by thermocompression bonding these electrodes so as to press the connection electrode of the output electrode and the circuit board in the opening portion. 【請求項２８】 前記レジスト開口部の幅ａと、熱圧着
ヘッドの幅ｂとの比率ｂ／ａが０．５〜０．９の範囲に
あることを特徴とする請求項２７記載の光学変調装置の
製造方法。28. The optical modulation method according to claim 27, wherein a ratio b / a of the width a of the resist opening to the width b of the thermocompression bonding head is in a range of 0.5 to 0.9. Device manufacturing method. 【請求項２９】 前記光学変調パネルが表示パネルであ
り、前記光学変調パネルの電極端子と、前記光学変調パ
ネルの電極端子とＴＣＰにおける出力電極とを接続する
工程において前記表示パネルを構成する基板の周縁部に
形成された電極端子と、前記出力電極とを接続すること
を特徴とする請求項２７記載の光学変調装置の製造方
法。29. The method according to claim 29, wherein the optical modulation panel is a display panel, and wherein the electrode terminal of the optical modulation panel is connected to the electrode terminal of the optical modulation panel and an output electrode of a TCP. The method for manufacturing an optical modulation device according to claim 27, wherein an electrode terminal formed on a peripheral portion is connected to the output electrode. 【請求項３０】 前記光学変調パネルが一対の基板から
なる表示パネルであり、前記光学変調パネルの電極端子
とＴＣＰにおける出力電極とを接続する工程において前
記表示パネルを構成する基板の少なくとも一方の周縁部
に形成された電極端子と、前記出力電極を接続すること
を特徴とする請求項２７記載の光学変調装置の製造方
法。30. The optical modulation panel is a display panel including a pair of substrates, and in a step of connecting an electrode terminal of the optical modulation panel to an output electrode of a TCP, at least one edge of a substrate constituting the display panel. 28. The method according to claim 27, wherein the output electrode is connected to an electrode terminal formed in a portion. 【請求項３１】 前記熱圧着ヘッドによって電極を熱圧
着して電極間を接続する工程において回路基板に冷却ガ
スを供給することを特徴とする請求項２７記載の光学変
調装置の製造方法。31. The method according to claim 27, wherein a cooling gas is supplied to a circuit board in the step of connecting the electrodes by thermocompression bonding of the electrodes by the thermocompression bonding head. 【請求項３２】 前記熱圧着ヘッドによって電極を熱圧
着して電極間を接続する工程において、前記熱圧着ヘッ
ドにより第一の基板の電極及び第二の基板の電極を押圧
する際に、前記レジスト開口部内で該熱圧着ヘッドの前
記半導体装置側及び前記入力電極の先端側の両方に間隙
を設け、該半導体装置側の間隙の幅を該入力電極の先端
側の間隙より長くすることを特徴とする請求項２７記載
の光学変調装置の製造方法。32. In the step of connecting the electrodes by thermocompression bonding of the electrodes by the thermocompression bonding head, when the electrodes of the first substrate and the electrodes of the second substrate are pressed by the thermocompression bonding head, A gap is provided in the opening on both the semiconductor device side of the thermocompression bonding head and the tip side of the input electrode, and the width of the gap on the semiconductor device side is longer than the gap on the tip side of the input electrode. A method for manufacturing an optical modulation device according to claim 27. 【請求項３３】 光学変調パネル、フレキシブル基板に
該パネルの駆動用の半導体装置が搭載され、該半導体装
置に対する入力電極及び出力電極が設けられたＴＣＰ及
び接続電極を有し、該半導体装置に電源及び制御用信号
を供給する回路基板を備えた光学変調装置の製造方法で
あって、 前記光学変調パネルの電極端子と、前記ＴＣＰにおける
出力電極とを接続する工程と、 前記ＴＣＰにおける入力電極と前記回路基板における接
続電極を位置合わせする工程と、 前記ＴＣＰにおける入力電極と前記回路基板における接
続電極を、前記回路基板に冷却ガスを供給しながら熱圧
着して接続する工程と、 を有する光学変調装置の製造方法。33. An optical modulation panel, a flexible substrate, a semiconductor device for driving the panel mounted thereon, a TCP provided with input electrodes and output electrodes for the semiconductor device, and connection electrodes, wherein the semiconductor device has a power supply. And a method of manufacturing an optical modulation device including a circuit board that supplies a control signal, wherein: a step of connecting an electrode terminal of the optical modulation panel to an output electrode of the TCP; An optical modulator comprising: a step of aligning connection electrodes on a circuit board; and a step of connecting an input electrode on the TCP and a connection electrode on the circuit board by thermocompression bonding while supplying a cooling gas to the circuit board. Manufacturing method. 【請求項３４】 前記光学変調パネルが表示パネルであ
り、前記光学変調パネルの電極端子と、ＴＣＰにおける
出力電極とを接続する工程において前記表示パネルを構
成する基板の周縁部に形成された電極端子と、前記出力
電極とを接続することを特徴とする請求項３３記載の光
学変調装置の製造方法。34. The optical modulation panel is a display panel, and an electrode terminal formed on a peripheral portion of a substrate constituting the display panel in a step of connecting an electrode terminal of the optical modulation panel and an output electrode of a TCP. 34. The method according to claim 33, further comprising connecting the output electrode to the output electrode. 【請求項３５】 前記光学変調パネルが一対の基板から
なる表示パネルであり、前記光学変調パネルの電極端子
と、ＴＣＰにおける出力電極とを接続する工程において
前記表示パネルを構成する基板の少なくとも一方の周縁
部に形成された電極端子と、前記出力電極とを接続する
ことを特徴とする請求項３３記載の光学変調装置の製造
方法。35. The optical modulation panel is a display panel including a pair of substrates, and in a step of connecting an electrode terminal of the optical modulation panel and an output electrode of a TCP, at least one of the substrates constituting the display panel. The method for manufacturing an optical modulation device according to claim 33, wherein an electrode terminal formed on a peripheral portion is connected to the output electrode. 【請求項３６】 夫々電極が形成された第一の基板及び
第二の基板の、該電極間の接続するための装置であっ
て、 前記第一の基板における電極と前記第二の基板における
電極を位置合わせする手段と、 前記第一の基板における電極と前記第二の基板における
電極とを熱圧着するための手段と、 前記第一の基板及び第二の基板のいずれかの基板を冷却
する手段と、 を有する電極間接続装置。36. An apparatus for connecting a first substrate and a second substrate, each having an electrode formed thereon, between the electrodes, wherein the electrodes on the first substrate and the electrodes on the second substrate are provided. Means for positioning; means for thermocompression bonding the electrode on the first substrate and the electrode on the second substrate; and cooling any one of the first and second substrates. Means, and an interelectrode connecting device comprising: 【請求項３７】 前記冷却手段は、前記第一の基板及び
第二の基板のいずれかの基板に対して冷却ガスを吹き付
けるノズルを有することを特徴とする請求項３６記載の
電極間接続装置。37. The inter-electrode connection device according to claim 36, wherein the cooling means has a nozzle for blowing a cooling gas to one of the first substrate and the second substrate. 【請求項３８】 前記冷却手段は前記熱圧着するための
手段に付設されており、共に移動可能であることを特徴
とする請求項３６記載の電極間接続装置。38. The interelectrode connection device according to claim 36, wherein said cooling means is attached to said thermocompression bonding means and is movable together. 【請求項３９】 前記熱圧着するための手段を複数有す
ることを特徴とする請求項３６記載の電極間接続装置。39. The inter-electrode connection device according to claim 36, further comprising a plurality of means for thermocompression bonding. 【請求項４０】 フレキシブル基板に半導体装置が搭載
され、該半導体装置に接続する電極が設けられたＴＣＰ
における電極を、該半導体装置に電源及び制御用信号を
供給する回路基板における接続電極に電気的に接続する
実装装置であって、 前記フレキシブル基板における電極と前記回路基板にお
ける電極を位置合わせする手段と、 前記フレキシブル基板における電極と前記回路基板にお
ける電極を熱圧着するための手段と、 前記回路基板を冷却する手段と、 を有する実装装置。40. A TCP in which a semiconductor device is mounted on a flexible substrate and an electrode connected to the semiconductor device is provided.
A mounting device for electrically connecting the electrodes in (1) to connection electrodes on a circuit board that supplies power and control signals to the semiconductor device, and means for aligning the electrodes on the flexible board with the electrodes on the circuit board. A mounting apparatus comprising: means for thermocompression bonding an electrode on the flexible substrate and an electrode on the circuit board; and means for cooling the circuit board. 【請求項４１】 前記回路基板を冷却する手段は、前記
回路基板に対して冷却ガスを吹き付けるノズルを有する
ことを特徴とする請求項４０記載の実装装置。41. The mounting apparatus according to claim 40, wherein the means for cooling the circuit board has a nozzle for blowing a cooling gas to the circuit board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001127394A (en) * 1999-10-27 2001-05-11 Casio Comput Co Ltd Junction structure of flexible substrate
JP2002032032A (en) * 2000-06-12 2002-01-31 Lg Philips Lcd Co Ltd Organic light emitting element
JP2002232132A (en) * 2001-01-30 2002-08-16 Denso Corp Board connecting method

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