JPH1039324A - Liquid crystal display device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lessen the shorting and disconnection defect of terminal parts by electrolytic corrosion by applying a silicide terminal structure and forming metal silicide films having excellent chemical stability even in the oxidation or cell reaction of the surface layers of the terminals forming electrically connection with external driving circuits and metals. SOLUTION: The ends of gate wirings 22 consist of the metal silicide films and are connected to pad electrodes 21 for gate terminals. The pad electrodes 21 for the gate terminals consisting of the metal silicide films are formed before a stage for forming the gate wirings 22 on an insulating substrate 1. The metal silicide films consisting more specifically of Al, Cr, Ta, Ti, Mo, W, Nb, Pt, etc., are used as the metal silicide films and are formed by a sputtering method, etc. The pad electrodes 21 for the gate terminals are formed of the metal silicide films in such a manner and are, therefore, excellent in the chemical stability and the chemical stability of the surface layers of the terminals is assured even if the electrodes are installed in the atmosphere where the electrodes are liable to be affected by pollution.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、外部駆動回路との接続端子の少なくとも表面
層に金属シリサイド膜を形成した、良好な信頼性の端子
構造を有する液晶表示装置にある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a highly reliable terminal structure in which a metal silicide film is formed on at least a surface layer of a connection terminal for an external drive circuit. is there.

【０００２】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置においては、表示部分のス
イッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子
を設けた構造のアクティブマトリックス型が主流になり
つゝある。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, an active matrix type having a structure in which a thin film transistor (TFT) element is provided as a switching element in a display portion is becoming mainstream.

【０００３】このような液晶表示装置は、基板上にＴＦ
Ｔ素子、画素電極、これを構成する電極と配線、およ
び、外部駆動回路との接続のための端子等が形成された
絶縁基板と、カラーフィルタおよび対向電極が形成され
た絶縁基板とを、互いの主面側が対向するように配置
し、その間隙に液晶を挟持した構造に構成されている。[0003] Such a liquid crystal display device has a TF on a substrate.
An insulating substrate on which a T element, a pixel electrode, electrodes and wiring constituting the same, terminals for connection to an external drive circuit, and the like are formed, and an insulating substrate on which a color filter and a counter electrode are formed, Are arranged so that the main surfaces thereof face each other, and a liquid crystal is sandwiched between the gaps.

【０００４】上記ＴＦＴ素子、電極、配線、および、外
部駆動回路との接続のための端子等は、酸化物透明導電
膜および金属等の導電膜、絶縁膜、および、半導体膜等
の薄膜パターンを互いに積層、交差させて構成されてい
る。The TFT elements, electrodes, wirings, and terminals for connection to an external drive circuit are formed by a thin film pattern such as an oxide transparent conductive film and a conductive film such as a metal, an insulating film, and a semiconductor film. They are stacked and crossed each other.

【０００５】具体的には画素電極、または、配線と外部
駆動回路との接続端子用の引出電極の一部は、酸化イン
ジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ等の酸化物透明
導電膜で構成される。また、ＴＦＴの電極、配線、また
は引出電極の一部は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、
Ｗ等の金属、または、これらの合金膜が用いられる。More specifically, a part of a pixel electrode or an extraction electrode for a connection terminal between a wiring and an external drive circuit is formed of a transparent conductive oxide film of indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, or the like. . In addition, a part of a TFT electrode, a wiring, or an extraction electrode is made of Al, Cr, Ta, Ti, Mo,
A metal such as W or an alloy film thereof is used.

【０００６】ＴＦＴのゲート絶縁膜、層間絶縁膜、また
は、パッシベーション膜は窒化シリコン膜、酸化シリコ
ン膜等の絶縁膜で、ＴＦＴ素子のチャネル部分は非晶質
シリコン膜、または、多結晶シリコン膜等の半導体膜で
構成される。また、外部駆動回路と端子の接続には通常
異方性導電膜等の金属が用いられる。A gate insulating film, an interlayer insulating film or a passivation film of a TFT is an insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film, and a channel portion of the TFT element is an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film. Semiconductor film. Further, a metal such as an anisotropic conductive film is usually used for connection between the external drive circuit and the terminal.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の液晶表示装置の
外部駆動回路との接続端子は表面が露出しており、製造
プロセス中の後工程で用いられる各種の薬品や、接続後
も大気中の湿気や不純物等に汚染され易い状態にある。
これは、液晶表示装置の歩留り低下の一因となるもので
ある。The connection terminals of the above-mentioned liquid crystal display device with the external drive circuit have exposed surfaces, and various chemicals used in the later steps of the manufacturing process and the air after connection are still in the atmosphere. It is in a state easily contaminated by moisture, impurities and the like.
This causes a reduction in the yield of the liquid crystal display device.

【０００８】具体的には、パターニングのためのエッチ
ング薬品による腐食や、端子を構成する材料と外部駆動
回路の接続端子材料との間の電池反応等により、端子部
分の断線や接触不良が生じたり、あるいは、隣接する端
子と間でエレクトロケミカルマイグレーションによる反
応生成物の析出によって、端子間の短絡不良を発生した
りする。More specifically, disconnection or poor contact of the terminal portion occurs due to corrosion by an etching chemical for patterning, a battery reaction between a material forming the terminal and a connection terminal material of an external drive circuit, or the like. Alternatively, a short-circuit failure between terminals may occur due to the deposition of a reaction product due to electrochemical migration between adjacent terminals.

【０００９】上記の問題を起こさないために、画素電極
に用いられている酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を被
覆した端子構造が用いられる。これは、酸化物透明導電
膜であるＩＴＯ膜は、大気中においてこれ以上の酸化を
受けにくいこと、耐薬品性にも優れていることによるた
めである。しかし、活性な酸化物であるために酸化還元
反応のカソード極になり易く、外部駆動回路の接続部分
を構成する金属（または合金）とは、むしろ電池反応を
起こし易いと云う問題があった。In order to avoid the above problem, a terminal structure coated with an indium tin oxide (ITO) film used for a pixel electrode is used. This is because the ITO film, which is an oxide transparent conductive film, is less susceptible to further oxidation in the air and has excellent chemical resistance. However, since it is an active oxide, it tends to be a cathode electrode of an oxidation-reduction reaction, and there is a problem that a battery reaction easily occurs with a metal (or alloy) constituting a connection portion of an external drive circuit.

【００１０】また、金属や合金膜とＩＴＯ膜との接続部
分においては、ＩＴＯ膜中の酸素が金属や合金膜側に拡
散し、接触界面部に上記金属や合金膜の酸化物が形成さ
れる。更に、該酸化物が酸化アルミニウム等の絶縁性の
ものゝ場合、オーミックコンタクトが得られにくいと云
う問題があった。加えて、ＩＴＯ膜は金属に比べて比抵
抗が高いため、端子を含めた配線抵抗が高くなると云う
問題があった。[0010] Further, at the connection portion between the metal or alloy film and the ITO film, oxygen in the ITO film diffuses toward the metal or alloy film, and an oxide of the metal or alloy film is formed at the contact interface. . Further, when the oxide is an insulating material such as aluminum oxide, there is a problem that it is difficult to obtain an ohmic contact. In addition, since the ITO film has a higher specific resistance than a metal, there is a problem that the wiring resistance including terminals is increased.

【００１１】また、通常の液晶表示装置においては、Ｔ
ＦＴ素子を設けた絶縁基板と、カラーフィルタ側に対向
電極を設けた絶縁基板との間に液晶を挟持し、ＴＦＴ素
子に接続した画素電極と対向電極間に電圧を印加する縦
電界方式が採られる。In a typical liquid crystal display device, T
A vertical electric field method is adopted in which liquid crystal is sandwiched between an insulating substrate provided with an FT element and an insulating substrate provided with a counter electrode on the color filter side, and a voltage is applied between the pixel electrode connected to the TFT element and the counter electrode. Can be

【００１２】この縦電界方式においては、表示部分とな
る画素電極および対向電極は、共に透明導電膜で形成さ
れている。従って、端子部分のＩＴＯ被覆は、ＴＦＴ素
子基板側の画素電極の形成と同時に形成すればよい。In this vertical electric field method, the pixel electrode and the counter electrode, which are the display portion, are both formed of a transparent conductive film. Therefore, the ITO coating of the terminal portion may be formed simultaneously with the formation of the pixel electrode on the TFT element substrate side.

【００１３】しかし、縦電界方式の液晶表示装置の弱点
である視野角依存性を改善するため、ＴＦＴ素子基板側
にゲート配線と平行にコモン配線を形成し、ドレイン電
極とコモン電極の間に電圧を印加して広視野角特性を得
るようにした、いわゆる横電界方式が提案されている。However, in order to improve the viewing angle dependency, which is a weak point of the vertical electric field type liquid crystal display device, a common wiring is formed on the TFT element substrate side in parallel with the gate wiring, and a voltage is applied between the drain electrode and the common electrode. Is applied to obtain a wide viewing angle characteristic, a so-called lateral electric field method has been proposed.

【００１４】この横電界方式では、コモン電極が透明導
電膜である必要がなく、従って、ＩＴＯ膜を形成し、パ
ターニングする工程は不要となるはずである。しかしな
がら、実際には、端子部分の被覆保護のためにＩＴＯ膜
の形成工程を省略することができず、従って、製造工程
がその分多くなり、製造コストの低減と云う点で問題と
なっていた。In this lateral electric field method, the common electrode does not need to be a transparent conductive film, and therefore, the step of forming and patterning an ITO film should not be necessary. However, in practice, it is not possible to omit the step of forming the ITO film in order to protect the covering of the terminal portion, and therefore, the number of manufacturing steps is increased by that amount, and there has been a problem in that the manufacturing cost is reduced. .

【００１５】本発明の第１の目的は、上記の課題を解決
し、外部駆動回路との接続端子部に耐食性の金属シリサ
イド膜を形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置
を提供することにある。A first object of the present invention is to solve the above problems and to provide an active matrix type liquid crystal display device in which a corrosion-resistant metal silicide film is formed at a connection terminal portion with an external drive circuit.

【００１６】本発明の第２の目的は、外部駆動回路との
接続端子部に耐食性の金属シリサイド膜を形成した横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることにある。A second object of the present invention is to provide a lateral electric field type active matrix type liquid crystal display device in which a corrosion-resistant metal silicide film is formed at a connection terminal portion with an external drive circuit.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
本発明の要旨は次のとおりである。The gist of the present invention to achieve the above object is as follows.

【００１８】〔１〕 対向した一対の絶縁基板と、該絶
縁基板の少なくとも一方の面に薄膜トランジスタ素子、
電極、配線、および、外部駆動回路との接続のための端
子を有し、液晶の配向膜が形成された対向面の間隙に液
晶層を挟持した液晶表示装置において、外部駆動回路と
の接続のための端子の少なくとも表面層が、金属シリサ
イド膜で構成されている液晶表示装置にある。[1] A pair of opposed insulating substrates, and a thin film transistor element on at least one surface of the insulating substrate.
In a liquid crystal display device having electrodes, wiring, and terminals for connection with an external drive circuit, and a liquid crystal layer sandwiched in a gap between opposing surfaces on which a liquid crystal alignment film is formed, connection of an external drive circuit is provided. In a liquid crystal display device, at least a surface layer of a terminal for the liquid crystal display is formed of a metal silicide film.

【００１９】〔２〕 対向した一対の絶縁基板と、該絶
縁基板の一方の面に薄膜トランジスタ素子、電極、配
線、および、外部駆動回路との接続のための端子を有
し、液晶の配向膜が形成された対向面の間隙に液晶層を
挟持し、該液晶層にほぼ平行に電界を印加する横電界方
式の液晶表示装置において、外部駆動回路との接続のた
めの端子の少なくとも表面層が、金属シリサイド膜で構
成されている液晶表示装置にある。[2] A pair of opposed insulating substrates, and a thin film transistor element, electrodes, wiring, and terminals for connection to an external drive circuit on one surface of the insulating substrate. In a lateral electric field type liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched in a gap between the formed facing surfaces and an electric field is applied substantially in parallel to the liquid crystal layer, at least a surface layer of a terminal for connection with an external drive circuit is provided. In a liquid crystal display device composed of a metal silicide film.

【００２０】前記外部駆動回路との接続のための端子の
少なくとも表面層が、前記配線を形成する金属材料のシ
リサイド膜で形成されている。また、前記端子の部分
が、金属シリサイド膜からなるパッド電極が形成されて
いる。At least a surface layer of a terminal for connection to the external drive circuit is formed of a silicide film of a metal material forming the wiring. Further, a pad electrode made of a metal silicide film is formed at the terminal.

【００２１】前記金属シリサイド膜からなるパッド電極
は、前記ＴＦＴ素子のチャネル半導体層であるシリコン
膜、または、チャネル半導体層および不純物をドープし
た電極層となるシリコンの積層膜の形成時に、パッド電
極部にもシリコン膜を同時に形成し、該シリコン膜とそ
の上に形成される配線材料金屬とのシリサイド化反応に
より形成された金属シリサイド膜からなる。The pad electrode made of the metal silicide film is used when forming a silicon film which is a channel semiconductor layer of the TFT element or a laminated film of silicon which becomes an electrode layer doped with the channel semiconductor layer and impurities. And a metal silicide film formed by a silicidation reaction between the silicon film and a wiring material metal formed thereon.

【００２２】〔３〕 前記金属シリサイド膜が、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｔから選ばれる
金属シリサイド膜である前記の液晶表示装置にある。[3] The metal silicide film is made of Al,
The liquid crystal display device is a metal silicide film selected from Cr, Ta, Ti, Mo, W, Nb, and Pt.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】前記金属シリサイドを形成する配
線が、前記薄膜トタンジスタに接続したゲート配線，ド
レイン配線またはゲート配線と平行に形成したコモン配
線のいずれかである。The wiring forming the metal silicide is one of a gate wiring connected to the thin film transistor, a drain wiring, and a common wiring formed in parallel with the gate wiring.

【００２４】上記の端子構造とすることにより、外部駆
動回路との接続端子の表面を、従来のＩＴＯ膜に替えて
金属シリサイド膜で構成したことで、酸化や金属との電
池反応においても化学的安定性に優れるため、湿度が高
く、不純物等の汚染の影響を受け易い大気中に液晶表示
装置を放置した場合においても、端子部分の表面の化学
的安定性が保証される。With the above-mentioned terminal structure, the surface of the connection terminal for the external drive circuit is formed of a metal silicide film instead of the conventional ITO film, so that the chemical reaction can be performed even in oxidation or battery reaction with metal. Since the liquid crystal display device is excellent in stability, the chemical stability of the surface of the terminal portion is guaranteed even when the liquid crystal display device is left in the air where the humidity is high and is easily affected by contamination such as impurities.

【００２５】また、配線や外部駆動回路との接続端子を
構成する金属や合金膜の酸化がなく、金属シリサイド膜
は金属に準じて比抵抗が低いため、ＩＴＯ膜に比べて端
子を含めた配線の抵抗が低くなる。Further, since the metal or alloy film constituting the wiring and the connection terminal with the external drive circuit is not oxidized, and the specific resistance of the metal silicide film is lower than that of the metal, the wiring including the terminal is smaller than that of the ITO film. Resistance is low.

【００２６】また、金属シリサイド膜は金属とＳｉとの
シリサイド化反応を利用して形成することができるた
め、ＴＦＴ素子のチャネル半導体層であるシリコン膜、
不純物をドープした電極層のシリコン膜の形成時に、端
子部分にもシリコン膜を形成し、このシリコン膜と上部
配線材料金屬との反応により金属シリサイド膜を容易に
形成することができる。Further, since the metal silicide film can be formed by utilizing a silicidation reaction between metal and Si, a silicon film which is a channel semiconductor layer of a TFT element,
At the time of forming the silicon film of the electrode layer doped with impurities, a silicon film is also formed on the terminal portion, and a metal silicide film can be easily formed by a reaction between the silicon film and an upper wiring material metal.

【００２７】まず、ＴＦＴ素子を含む画素部分の断面構
造について説明する。液晶表示装置において、外部駆動
回路との電気的接続を形成する端子部分は、ＴＦＴや電
極、配線と同一絶縁基板上に、これらとほぼ同一工程
で、同時に形成できることが望ましい。従って、端子部
分の構造も、ＴＦＴ素子と同時に形成できる構造である
ことが前提となる。First, a sectional structure of a pixel portion including a TFT element will be described. In a liquid crystal display device, it is desirable that a terminal portion for forming an electrical connection with an external drive circuit can be formed on the same insulating substrate as a TFT, an electrode, and a wiring in almost the same steps and at the same time. Therefore, it is assumed that the structure of the terminal portion is also a structure that can be formed simultaneously with the TFT element.

【００２８】図１は、本発明の液晶表示装置の１画素の
断面構造を示す。本実施例では、ＴＦＴ素子２として逆
スタガ型のＴＦＴを用いた。なお、同図において、３は
画素の表示寄与部分を示す。FIG. 1 shows a sectional structure of one pixel of the liquid crystal display device of the present invention. In this embodiment, an inverted staggered TFT is used as the TFT element 2. Note that in FIG. 3, reference numeral 3 denotes a display contributing portion of the pixel.

【００２９】ガラスからなる絶縁基板１上の一部にゲー
ト電極４が形成され、その上にゲート絶縁膜５が全面に
形成される。ゲート電極４上には、ゲート絶縁膜５を介
してＴＦＴ素子２のチャネル半導体層となるシリコン膜
６、および、コンタクトを補償するためにリン等の不純
物をドープしたシリコン膜からなる電極層７を積層した
島が形成される。A gate electrode 4 is formed on a portion of an insulating substrate 1 made of glass, and a gate insulating film 5 is formed on the entire surface of the gate electrode 4. On the gate electrode 4, a silicon film 6 serving as a channel semiconductor layer of the TFT element 2 via a gate insulating film 5 and an electrode layer 7 made of a silicon film doped with an impurity such as phosphorus for compensating a contact are provided. Stacked islands are formed.

【００３０】この島上の一部に、ソース電極８およびド
レイン電極９が形成される。ソース電極８およびドレイ
ン電極９をパターンマスクに、不純物をドープしたシリ
コン膜からなる電極層７の一部が除去され、ＴＦＴ素子
２のチャネル部分が形成される。A source electrode 8 and a drain electrode 9 are formed on a part of the island. Using the source electrode 8 and the drain electrode 9 as a pattern mask, a part of the electrode layer 7 made of an impurity-doped silicon film is removed, and a channel portion of the TFT element 2 is formed.

【００３１】次に、ドレイン電極９上に画素電極１０を
積層し、ドレイン電極９と画素電極１０が接続され、画
素の表示寄与部分３が形成される。Next, a pixel electrode 10 is laminated on the drain electrode 9, the drain electrode 9 is connected to the pixel electrode 10, and the display contributing portion 3 of the pixel is formed.

【００３２】さらにＴＦＴ素子２、および、画素電極１
０上の全面を覆うように、パッシベーション膜１１が形
成される。ゲート電極４およびソース電極８は、延長部
分で、それぞれ図２および図３で説明するゲート配線２
２およびドレイン配線２５になる。Further, the TFT element 2 and the pixel electrode 1
A passivation film 11 is formed so as to cover the entire surface on zero. The gate electrode 4 and the source electrode 8 are extended portions, and the gate wiring 2 described with reference to FIGS.
2 and the drain wiring 25.

【００３３】さらに、これらゲート配線２２およびドレ
イン配線２５は、延長部分で外部駆動回路との接続部分
となるゲート端子用パッド電極２１、および、ドレイン
端子用パッド電極２４に接続される。Further, the gate wiring 22 and the drain wiring 25 are connected to the pad electrode 21 for the gate terminal and the pad electrode 24 for the drain terminal which are connected to the external drive circuit at the extended portions.

【００３４】ゲート電極４、ソース電極８およびドレイ
ン電極９は、例えば、スパッタリングまたは蒸着法等で
形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、
Ｐｔから選ばれる金属膜またはこれらの合金膜、あるい
はこれらの積層膜で構成されている。The gate electrode 4, the source electrode 8 and the drain electrode 9 are made of, for example, Al, Cr, Ta, Ti, Mo, W, Nb,
It is composed of a metal film selected from Pt, an alloy film thereof, or a laminated film thereof.

【００３５】ゲート絶縁膜５およびパッシベーション膜
１１は、例えば、プラズマＣＶＤ、または、スパッタリ
ング法等で形成された窒化シリコン膜、または酸化シリ
コン膜等の絶縁膜で構成される。ゲート絶縁膜５は、ゲ
ート電極４およびゲート配線２２の一部表面を酸化して
形成してもよい。また、これらの酸化膜と窒化シリコン
膜または酸化シリコン膜等との積層膜で構成してもよ
い。The gate insulating film 5 and the passivation film 11 are made of, for example, an insulating film such as a silicon nitride film or a silicon oxide film formed by plasma CVD or sputtering. The gate insulating film 5 may be formed by oxidizing a partial surface of the gate electrode 4 and the gate wiring 22. Further, a stacked film of these oxide films and a silicon nitride film or a silicon oxide film may be used.

【００３６】チャネル半導体層となるシリコン膜６、お
よび、不純物をドープしたシリコン膜からなる電極層７
は、例えば、プラズマＣＶＤ法で形成された非晶質シリ
コン膜、または、多結晶シリコン膜で構成される。A silicon film 6 serving as a channel semiconductor layer and an electrode layer 7 comprising a silicon film doped with impurities
Is composed of, for example, an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film formed by a plasma CVD method.

【００３７】画素電極１０は、スパッタリングまたは蒸
着法等で形成されたＩＴＯ、酸化インジウム、酸化スズ
からなる酸化物透明導電膜で形成される。The pixel electrode 10 is formed of an oxide transparent conductive film made of ITO, indium oxide, and tin oxide formed by sputtering or vapor deposition.

【００３８】[0038]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００３９】〔実施例 １〕図１は画素の断面構造の一
例であるが、次に、このような画素構造を有する液晶表
示装置に、本発明の金属シリサイド端子構造を適用した
際の端子構造の実施例を具体的に説明する。Embodiment 1 FIG. 1 shows an example of a sectional structure of a pixel. Next, a terminal structure when the metal silicide terminal structure of the present invention is applied to a liquid crystal display device having such a pixel structure. The embodiment of the invention will be specifically described.

【００４０】図２（ａ）は、ゲート端子に適用した際の
端子部分の断面の構成例を示す。ゲート配線２２の端部
は金属シリサイド膜からなり、ゲート端子用パッド電極
２１に接続される。金属シリサイド膜からなるゲート端
子用パッド電極２１は、絶縁基板１上にゲート配線２２
の形成工程の前に形成する。FIG. 2A shows a configuration example of a cross section of a terminal portion when applied to a gate terminal. The end of the gate wiring 22 is made of a metal silicide film and is connected to the gate terminal pad electrode 21. A gate terminal pad electrode 21 made of a metal silicide film is formed on an insulating substrate 1 by a gate wiring 22.
Formed before the forming step.

【００４１】金属シリサイド膜としては、具体的にはＡ
ｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｔ等の金属
シリサイド膜を用い、スパッタリング法等で形成する。As the metal silicide film, specifically, A
It is formed by a sputtering method or the like using a metal silicide film of l, Cr, Ta, Ti, Mo, W, Nb, Pt or the like.

【００４２】例えば、本実施例では、これらの金属から
なるターゲットとＡｒガスを用いて、ＤＣマグネトロン
スパッタリング法により、ガス圧０.２〜２Ｐａ，パワ
ー０.５〜３ｋＷ，基板温度は室温〜２５０℃の範囲で
金属シリサイド膜を形成した。For example, in the present embodiment, a gas pressure of 0.2 to 2 Pa, a power of 0.5 to 3 kW, and a substrate temperature of room temperature to 250 are performed by DC magnetron sputtering using a target made of these metals and Ar gas. A metal silicide film was formed at a temperature in the range of ° C.

【００４３】ゲート絶縁膜５およびパッシベーション膜
１１は、ゲート配線２２とゲート端子用パッド電極２１
の接続部分を覆うように形成し、かつ、外部駆動回路
（図示省略）との接続部分が露出するように、ゲート端
子用パッド電極２１上のゲート絶縁膜５とパッシベーシ
ョン膜１１の一部をエッチングにより除去する。The gate insulating film 5 and the passivation film 11 are composed of a gate wiring 22 and a pad electrode 21 for a gate terminal.
The gate insulating film 5 and a part of the passivation film 11 on the pad electrode 21 for the gate terminal are etched so as to cover the connection portion of the gate electrode 21 and to expose the connection portion with the external drive circuit (not shown). To remove.

【００４４】本実施例によれば、ゲート端子用パッド電
極２１が、従来例のＩＴＯや酸化スズ、酸化インジウム
等の酸化物透明導電膜で被覆した端子構造に代わり、金
属シリサイド膜で構成したため、酸化や金属との電池反
応においても化学的安定性に優れ、高湿度で不純物等に
よる汚染の影響を受け易い大気中に、液晶表示装置を放
置した場合でも、端子の表面層の化学的安定性が保証さ
れる。従って、電食による端子部分の短絡、断線不良を
低減できる。According to this embodiment, the gate terminal pad electrode 21 is made of a metal silicide film instead of the terminal structure covered with a transparent conductive film of an oxide such as ITO, tin oxide, or indium oxide in the conventional example. Excellent chemical stability even in oxidation and battery reactions with metals.Chemical stability of the surface layer of terminals even when the liquid crystal display device is left in the air, which is easily affected by impurities due to high humidity. Is guaranteed. Therefore, it is possible to reduce short-circuit and disconnection failure of the terminal portion due to electrolytic corrosion.

【００４５】また、端子と配線、および、外部駆動回路
との接続部分においても、良好なオーミックコンタクト
が確保される。また、端子を含めた配線抵抗も低く抑え
ることができる。Also, a good ohmic contact is ensured at the connection between the terminal and the wiring and the external drive circuit. Further, the wiring resistance including the terminals can be suppressed low.

【００４６】図２（ｂ）は、ゲート端子用パッド電極２
１とゲート配線２２の層順序が入れ替わった例を示す。
ゲート配線２２の形成工程の後に、ゲート端子用パッド
電極２１を形成した例である。効果は図２（ａ）の場合
と同様である。FIG. 2B shows a pad electrode 2 for a gate terminal.
1 shows an example in which the layer order of 1 and the gate wiring 22 is changed.
In this example, a pad electrode 21 for a gate terminal is formed after a step of forming a gate wiring 22. The effect is the same as in the case of FIG.

【００４７】図２（ｃ）は、ゲート配線２２とゲート端
子用パッド電極２１との接続を、ソース電極８、ドレイ
ン電極９、および、ドレイン配線２５と同層で形成した
接続用パッド電極２３を用いて、ゲート絶縁膜５に開口
したスルーホール１２を介して接続した例である。この
場合、ゲート端子用パッド電極２１と接続用パッド電極
２３との接続が問題になるが、ゲート端子用パッド電極
２１は本発明の金属シリサイド膜で形成されているの
で、接続用パッド電極２３との接続信頼性は図２（ａ）
と同様である。FIG. 2C shows the connection between the gate wiring 22 and the pad electrode 21 for the gate terminal by connecting the source electrode 8, the drain electrode 9, and the connection pad electrode 23 formed in the same layer as the drain wiring 25. This is an example in which connection is made via a through hole 12 opened in the gate insulating film 5. In this case, the connection between the gate terminal pad electrode 21 and the connection pad electrode 23 becomes a problem. However, since the gate terminal pad electrode 21 is formed of the metal silicide film of the present invention, the connection pad electrode 23 Figure 2 (a) shows the connection reliability of
Is the same as

【００４８】図２（ｄ）は、ゲート配線２２そのものに
本発明の金属シリサイド膜を適用した例であり、ゲート
配線２２を延長した端部が、そのまま図（ａ）〜（ｃ）
で示すところのゲート端子用パッド電極２１を兼ねてい
る。FIG. 2D shows an example in which the metal silicide film of the present invention is applied to the gate wiring 22 itself, and the extended end of the gate wiring 22 is directly shown in FIGS.
Also serves as a gate terminal pad electrode 21 indicated by.

【００４９】図２（ｅ）は、図（ａ）〜（ｄ）のゲート
端子構造を実施する際のドレイン端子の断面構成例を示
す。金属シリサイド膜からなるドレイン端子用パッド電
極２４を、ゲート端子用パッド電極２１と同一工程，同
層で形成した。ドレイン端子用パッド電極２４は、ゲー
ト絶縁膜５に開口したスルーホール１２を介してドレイ
ン配線２５と接続する。FIG. 2E shows an example of a sectional configuration of the drain terminal when the gate terminal structure shown in FIGS. The drain terminal pad electrode 24 made of a metal silicide film was formed in the same step and in the same layer as the gate terminal pad electrode 21. The drain terminal pad electrode 24 is connected to the drain wiring 25 via the through hole 12 opened in the gate insulating film 5.

【００５０】ドレイン端子用パッド電極２４とドレイン
配線２５との接続が問題になるが、ドレイン端子用パッ
ド電極２４は、ゲート端子用パッド電極２１と同様に本
発明の金属シリサイド膜で形成されており、その接続信
頼性は図２（ａ）と同様である。The connection between the drain terminal pad electrode 24 and the drain wiring 25 poses a problem, but the drain terminal pad electrode 24 is formed of the metal silicide film of the present invention similarly to the gate terminal pad electrode 21. The connection reliability is the same as that of FIG.

【００５１】パッシベーション膜１１は、ドレイン配線
２５とドレイン端子用パッド電極２４との接続部分を覆
うように形成し、かつ、ゲート端子の外部駆動回路との
接続部分が露出するように、ドレイン端子用パッド電極
２４上のパッシベーション膜１１の一部をエッチングに
より除去する。The passivation film 11 is formed so as to cover the connection portion between the drain wiring 25 and the pad electrode 24 for the drain terminal, and so that the connection portion between the gate terminal and the external drive circuit is exposed. Part of the passivation film 11 on the pad electrode 24 is removed by etching.

【００５２】図２に示した各実施例は、ゲート配線２２
の形成工程の前後にゲート端子用パッド電極２１、およ
び、ドレイン端子用パッド電極２４を形成した例であ
る。Each of the embodiments shown in FIG.
This is an example in which a pad electrode 21 for a gate terminal and a pad electrode 24 for a drain terminal are formed before and after the forming process.

【００５３】次に図３の実施例は、ゲート絶縁膜５上に
位置するドレイン配線２５の形成工程の前後にゲート端
子用パッド電極２１、および、ドレイン端子用パッド電
極２４を形成した例である。Next, the embodiment of FIG. 3 is an example in which a gate terminal pad electrode 21 and a drain terminal pad electrode 24 are formed before and after the step of forming the drain wiring 25 located on the gate insulating film 5. .

【００５４】〔実施例 ２〕図３（ｆ）は、ドレイン端
子に適用した際の端子部分の断面の構成例を示す。[Embodiment 2] FIG. 3F shows a configuration example of a cross section of a terminal portion when applied to a drain terminal.

【００５５】ドレイン配線２５の端部は、本発明の金属
シリサイド膜で形成された引出し用のドレイン端子用パ
ッド電極２４に接続される。この場合、ドレイン端子用
パッド電極２４を構成する金属シリサイド膜はスパッタ
リング法で形成してもよい。The end of the drain wiring 25 is connected to the lead drain pad electrode 24 formed of the metal silicide film of the present invention. In this case, the metal silicide film constituting the pad electrode 24 for the drain terminal may be formed by a sputtering method.

【００５６】また、ドレイン端子用パッド電極２４の形
成工程が、ＴＦＴ素子のチャネル半導体層であるシリコ
ン膜の形成工程後に位置するため、チャネル半導体層お
よび不純物をドープした電極層となるシリコンの積層膜
を形成する際に、端子部分にもシリコン膜を形成し、こ
のシリコン膜と上部配線材料金屬、この場合ドレイン配
材料金属とのシリサイド化反応を利用して形成してもよ
い。Further, since the step of forming the drain terminal pad electrode 24 is located after the step of forming the silicon film which is the channel semiconductor layer of the TFT element, the silicon laminated film which becomes the channel semiconductor layer and the impurity-doped electrode layer is formed. May be formed by forming a silicon film also on the terminal portion and utilizing a silicidation reaction between the silicon film and a metal for an upper wiring material, in this case, a metal for drain distribution.

【００５７】なお、シリサイド化を利用したシリサイド
金属端子の形成方法の詳細については、図４、図５で詳
述する。The method of forming a silicide metal terminal using silicidation will be described in detail with reference to FIGS.

【００５８】パッシベーション膜１１は、ドレイン配線
２５とドレイン端子用パッド電極２４の接続部分を覆う
ように形成し、かつ、ドレイン端子の外部駆動回路との
接続部分が露出するように、ドレイン端子用パッド電極
２４上のパッシベーション膜１１の一部をエッチングに
より除去する。The passivation film 11 is formed so as to cover the connection between the drain wiring 25 and the pad electrode 24 for the drain terminal, and so that the connection between the drain terminal and the external drive circuit is exposed. A part of the passivation film 11 on the electrode 24 is removed by etching.

【００５９】図３（ｇ）は、図（ｆ）においてドレイン
端子用パッド電極２４とドレイン配線２５の層順序が入
れ替わった例であり、ドレイン配線２５の形成工程の後
にドレイン端子用パッド電極２４を形成した例である。FIG. 3G shows an example in which the layer order of the drain terminal pad electrode 24 and the drain wiring 25 is changed in FIG. 3F. This is an example of forming.

【００６０】図３（ｈ）は、ドレイン配線２５そのもの
に本発明の金属シリサイド膜を適用した例であり、ドレ
イン配線２５を延長した端部が、ドレイン端子用パッド
電極２４を兼ねる。FIG. 3H shows an example in which the metal silicide film of the present invention is applied to the drain wiring 25 itself, and the extended end of the drain wiring 25 also serves as the drain terminal pad electrode 24.

【００６１】図３（ｉ）は、図（ｆ）〜（ｈ）のゲート
端子の実施例の断面構成例を示したものである。金属シ
リサイド膜からなるゲート端子用パッド電極２１を、ド
レイン端子用パッド電極２４と同一工程、同層で形成す
る。ゲート端子用パッド電極２１は、ゲート絶縁膜５に
開口したスルーホール１２を介してゲート配線２２と接
続される。FIG. 3 (i) shows an example of a sectional configuration of the embodiment of the gate terminal shown in FIGS. 3 (f) to 3 (h). The gate electrode pad electrode 21 made of a metal silicide film is formed in the same step and in the same layer as the drain terminal pad electrode 24. The gate terminal pad electrode 21 is connected to the gate wiring 22 via the through hole 12 opened in the gate insulating film 5.

【００６２】パッシベーション膜１１は、ゲート配線２
２とゲート端子用パッド電極２１との接続部分を覆うよ
うに形成し、かつ、ゲート端子の外部駆動回路との接続
予定部分が露出するように、ゲート端子用パッド電極２
１上のパッシベーション膜１１の一部をエッチングによ
り除去する。The passivation film 11 is formed on the gate wiring 2
The gate electrode pad electrode 2 is formed so as to cover the connection between the gate electrode 2 and the gate terminal pad electrode 21 and to expose the portion of the gate terminal to be connected to the external drive circuit.
A part of the passivation film 11 on the substrate 1 is removed by etching.

【００６３】〔実施例 ３〕次に、チャネル半導体層で
あるシリコン膜６、不純物をドープしたシリコン膜から
なる電極層の形成工程を利用して、このシリコン膜とド
レイン配材料金属とのシリサイド化反応によりシリサイ
ド金属端子を形成した実施例について説明する。[Embodiment 3] Next, the silicon film 6 serving as a channel semiconductor layer and an electrode layer formed of an impurity-doped silicon film are used to form a silicide between the silicon film 6 and a drain material. An embodiment in which a silicide metal terminal is formed by a reaction will be described.

【００６４】図４は、本発明をゲート端子に適用した際
の端子部分の断面構成の実施例を、形成工程順に示す。FIG. 4 shows an embodiment of a sectional configuration of a terminal portion when the present invention is applied to a gate terminal in the order of forming steps.

【００６５】まず、工程（１）では、絶縁基板１上にゲ
ート配線２２を形成する。次いで、工程（２）で、基板
全面にゲート絶縁膜５、その上に、チャネル半導体層お
よび不純物をドープした電極層となるシリコンの積層膜
２６を形成する。First, in step (1), a gate wiring 22 is formed on the insulating substrate 1. Next, in a step (2), a gate insulating film 5 is formed on the entire surface of the substrate, and a stacked layer film 26 of silicon to be a channel semiconductor layer and an electrode layer doped with impurities is formed thereon.

【００６６】次いで、工程（３）で画素部分に図１で前
述したＴＦＴ素子のチャネル部分の島パターンとなるシ
リコン膜６を形成する際に、端子部分にもシリコン膜か
らなるシリコンパターン２７を形成する。このシリコン
パターン２７をシリサイド化して、ゲート端子用パッド
電極３０を形成することになる。Next, in the step (3), when the silicon film 6 serving as the island pattern of the channel portion of the TFT element described above with reference to FIG. I do. The silicon pattern 27 is silicided to form the gate terminal pad electrode 30.

【００６７】次に、工程（４）で、ゲート絶縁膜５の一
部に、ゲート端子用パッド電極と接続のためのスルーホ
ール２８を形成する。Next, in a step (4), a through hole 28 for connection with a pad electrode for a gate terminal is formed in a part of the gate insulating film 5.

【００６８】次に、工程（５）で、基板全面にドレイン
配線用金属膜２９を形成し、工程（６）ではゲート端子
部分に形成したシリコンパターン２７とドレイン配線用
金属膜２９とのシリサイド化反応を利用して、シリコン
パターン２７の上面に金属シリサイド化したゲート端子
用パッド電極３０用の膜を形成する。その際には、チャ
ネル部分の島パターンとなるシリコン膜を除いた端子部
分のシリコンパターン上のみを選択的にシリサイド化さ
せなければならない。Next, in step (5), a drain wiring metal film 29 is formed on the entire surface of the substrate, and in step (6), the silicon pattern 27 formed on the gate terminal portion and the drain wiring metal film 29 are silicided. Utilizing the reaction, a film for the gate electrode pad electrode 30 is formed on the upper surface of the silicon pattern 27 into a metal silicide. In that case, only the silicon pattern on the terminal portion except for the silicon film serving as the island pattern in the channel portion must be selectively silicided.

【００６９】具体的にはシリコンパターン２７とドレイ
ン配線用金属膜２９を積層した後に、端子部分のシリコ
ンパターン２７の位置に選択的にＸｅＣｌレーザー光を
照射して熱処理することで、選択的にシリサイド化させ
た。Specifically, after laminating the silicon pattern 27 and the metal film 29 for the drain wiring, the position of the silicon pattern 27 in the terminal portion is selectively irradiated with XeCl laser light and heat-treated to selectively silicide. It was made.

【００７０】ＸｅＣｌレーザ光のエネルギー密度は、２
００〜４００ｍｊ／ｃｍ²の範囲で照射した。The energy density of the XeCl laser beam is 2
Irradiation was performed in the range of 00 to 400 mj / cm ² .

【００７１】本実施例では、レーザー光として波長３０
８ｎｍのＸｅＣｌレーザーを用いたが、シリサイド化反
応が十分促進できるものであればよく、例えば、波長２
５７ｎｍのＡｒレーザーの第二高調波を用いてもよい。In this embodiment, a laser beam having a wavelength of 30
Although an XeCl laser of 8 nm was used, any material capable of sufficiently promoting the silicidation reaction may be used.
A second harmonic of a 57 nm Ar laser may be used.

【００７２】次に、工程（７）で、シリコンパターン２
７のシリサイド化未反応部分と共に、ドレイン配線用金
属膜２９をエッチングして、スルーホール２８を介して
ゲート配線２２とシリサイド化したゲート端子用パッド
電極３０とを接続するための、接続用パッド電極２３を
形成する。Next, in step (7), the silicon pattern 2
7, a connection pad electrode for connecting the gate wiring 22 and the silicided gate terminal pad electrode 30 through the through hole 28 by etching the drain wiring metal film 29 together with the silicidation-unreacted portion of No. 7. 23 are formed.

【００７３】最後に、工程（８）において、ゲート配線
２２とゲート端子用パッド電極２１との接続部分を覆
い、かつ、ゲート端子の外部駆動回路との接続部分が露
出するようにパッシベーション膜１１を形成する。Finally, in step (8), the passivation film 11 is formed so as to cover the connection between the gate wiring 22 and the pad electrode 21 for the gate terminal and to expose the connection between the gate terminal and the external drive circuit. Form.

【００７４】本実施例においては、チャネル半導体層お
よび不純物をドープした電極層からなるシリコンの積層
膜の形成工程を利用して、シリコン膜とドレイン配線金
属とのシリサイド化反応によりシリサイド金属端子を形
成できるので、選択的にシリサイド化するためのレーザ
ー工程が増えるものゝ、金属シリサイド膜の形成、パタ
ーニングのためのホトリソグラフィ工程およびエッチン
グ工程を特に新たに設ける必要がなく、金属シリサイド
端子の形成工程を簡略化することができる。In this embodiment, a silicide metal terminal is formed by a silicidation reaction between a silicon film and a drain wiring metal utilizing a process of forming a silicon laminated film composed of a channel semiconductor layer and an impurity-doped electrode layer. Since the laser process for selective silicidation is increased, it is not necessary to newly provide a photolithography process and an etching process for forming and patterning a metal silicide film. It can be simplified.

【００７５】〔実施例 ４〕図５は、図４に示したゲー
ト端子構造を実施した際のドレイン端子部分の断面構成
を、形成工程順に示したものである。[Embodiment 4] FIG. 5 shows a sectional structure of a drain terminal portion when the gate terminal structure shown in FIG. 4 is implemented, in the order of forming steps.

【００７６】工程（ａ）は、絶縁基板１上にゲート配線
２２を形成後、引き続き基板全面にゲート絶縁膜５、ゲ
ート絶縁膜５上に、チャネル半導体層および不純物をド
ープした電極層となるシリコンの積層膜２６を形成した
後のドレイン端子形成予定部分の断面を示すものであ
る。In the step (a), after the gate wiring 22 is formed on the insulating substrate 1, the gate insulating film 5 is continuously formed over the entire surface of the substrate, and a silicon layer serving as a channel semiconductor layer and an impurity-doped electrode layer is formed on the gate insulating film 5. 2 shows a cross section of a portion where a drain terminal is to be formed after the formation of the laminated film 26 of FIG.

【００７７】次いで、工程（ｂ）で、画素部分にチャネ
ル部分の島パターンとなるシリコン膜を形成する際に、
端子部分にもシリコン膜からなるパターンを形成する。
このドレイン端子部分に形成したシリコンパターン３１
をシリサイド化して、ドレイン端子用パッド電極３２を
形成することになる。Next, in the step (b), when forming a silicon film to be an island pattern of a channel portion in a pixel portion,
A pattern made of a silicon film is also formed on the terminal portion.
The silicon pattern 31 formed on the drain terminal portion
Is converted into a silicide to form the pad electrode 32 for the drain terminal.

【００７８】次に、工程（ｃ）で、基板全面にドレイン
配線用金属膜２９を形成し、次いで、工程（ｄ）で、シ
リコンパターン３１とドレイン配線用金属膜２９とのシ
リサイド化反応を利用して、シリコンパターン３１の上
面に金属シリサイド膜を形成し、シリサイド化したドレ
イン端子用パッド電極３２を形成する。その際には、図
４と同様に、チャネル部分の島パターンシリコン膜を除
いた端子部分のシリコンパターン上のみを選択的にシリ
サイド化させなければならない。Next, in step (c), a metal film 29 for drain wiring is formed on the entire surface of the substrate. Then, in step (d), a silicidation reaction between the silicon pattern 31 and the metal film 29 for drain wiring is utilized. Then, a metal silicide film is formed on the upper surface of the silicon pattern 31, and a silicidized drain terminal pad electrode 32 is formed. At this time, as in FIG. 4, only the silicon pattern at the terminal portion except for the island pattern silicon film at the channel portion must be selectively silicided.

【００７９】そこで、図４と同様に、シリコンパターン
３１と、ドレイン配線用金属膜２９を積層後、端子部分
のシリコンパターン３１の位置にＸｅＣｌレーザー光を
選択的に照射して熱処理することで、選択的にシリサイ
ド化させた。Then, similarly to FIG. 4, after laminating the silicon pattern 31 and the metal film 29 for the drain wiring, the position of the silicon pattern 31 at the terminal portion is selectively irradiated with XeCl laser light and heat-treated. It was selectively silicided.

【００８０】次に、工程（ｅ）で、シリサイド化未反応
部分と共にドレイン配線用金属膜２９をエッチングし
て、ドレイン配線２５を形成する。最後に、工程（ｆ）
では、ドレイン配線２５とドレイン端子用パッド電極３
２との接続部分を覆い、かつ、ゲート端子の外部駆動回
路との接続部分が露出するよう、パッシベーション膜１
１を形成する。Next, in step (e), the drain wiring metal film 29 is etched together with the silicidation-unreacted portions to form the drain wiring 25. Finally, step (f)
Now, the drain wiring 25 and the pad electrode 3 for the drain terminal
Passivation film 1 so as to cover the connection portion with gate electrode 2 and expose the connection portion of the gate terminal with the external drive circuit.
Form one.

【００８１】本実施例においても、金属シリサイド端子
により信頼性の優れた接続が得られた。In this embodiment, a highly reliable connection was obtained by the metal silicide terminal.

【００８２】ＴＦＴ素子基板側の画素電極、および、コ
モン配線を平行に形成し、ドレイン電極とコモン電極
間、即ち、基板にほぼ平行に電圧を印加し広視野角特性
の横電界方式では、コモン電極が透明導電膜である必要
がなく、ＩＴＯ膜を形成、パターニングする工程は本来
は不要である。A pixel electrode on the TFT element substrate side and a common wiring are formed in parallel, and a voltage is applied between the drain electrode and the common electrode, that is, substantially parallel to the substrate. The electrode does not need to be a transparent conductive film, and the step of forming and patterning the ITO film is not originally necessary.

【００８３】しかしながら、従来は、端子部分の被覆保
護のために、ＩＴＯ膜の形成工程を省略できないことを
既述した。この横電界方式を用いた液晶表示装置のゲー
ト端子およびドレイン端子、並びにコモン端子に図４お
よび図５で示した本発明の金属シリサイド端子構造を適
用することにより、チャネル半導体層および不純物をド
ープした電極層からなるシリコンの積層膜の形成工程を
利用して、シリコン膜とドレイン配線金属とのシリサイ
ド化反応によって、シリサイド金属端子を形成できる。However, conventionally, it has been described that the step of forming the ITO film cannot be omitted in order to protect the covering of the terminal portion. The channel semiconductor layer and the impurities are doped by applying the metal silicide terminal structure of the present invention shown in FIGS. 4 and 5 to the gate terminal, the drain terminal, and the common terminal of the liquid crystal display device using the in-plane switching method. A silicide metal terminal can be formed by a silicidation reaction between the silicon film and the drain wiring metal using a process of forming a silicon laminated film composed of an electrode layer.

【００８４】シリサイド金属端子の形成には選択的なシ
リサイド化のために、レーザー照射工程が増えるもの
ゝ、横電界方式には本来不要なＩＴＯ膜の形成工程およ
びパターニングのためのホトリソグラフィー工程、並び
にエッチング工程を省略することができ、端子部分の信
頼性を十分確保できる。In order to form a silicide metal terminal, a laser irradiation step is increased for selective silicidation. In addition, an ITO film forming step and a photolithography step for patterning, which are essentially unnecessary in the lateral electric field method, and The etching step can be omitted, and the reliability of the terminal portion can be sufficiently ensured.

【００８５】〔実施例 ５〕図６は、本発明の端子構造
を適用した横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の１画素の平面構造の一例を示す。Embodiment 5 FIG. 6 shows an example of a planar structure of one pixel of an in-plane switching type active matrix type liquid crystal display device to which the terminal structure of the present invention is applied.

【００８６】絶縁基板１上にゲート電極４を形成する際
に、画素の表示寄与部分３中に、ＩＴＯからなる画素電
極に替わり、ゲート電極４と同層，同一工程でコモン電
極３４を櫛歯状に形成する。このゲート電極４、コモン
電極３４を覆うように、画素の表示寄与部分３の全面に
ゲート絶縁膜５を形成し、この上にＴＦＴ素子２のチャ
ネル半導体であるシリコンの島パターンとなるシリコン
膜６、次いで、その上にＴＦＴ素子２のソース電極８、
ドレイン電極９が形成されている。When the gate electrode 4 is formed on the insulating substrate 1, the common electrode 34 is formed in the same layer and in the same process as the gate electrode 4 in the display contributing portion 3 instead of the pixel electrode made of ITO. It is formed in a shape. A gate insulating film 5 is formed on the entire surface of the display contributing portion 3 of the pixel so as to cover the gate electrode 4 and the common electrode 34, and a silicon film 6 serving as a silicon island pattern as a channel semiconductor of the TFT element 2 is formed thereon. , And then a source electrode 8 of the TFT element 2 thereon,
A drain electrode 9 is formed.

【００８７】画素の表示寄与部分３において、ドレイン
電極９は、櫛歯状に配置形成されたコモン電極３４と平
行に、互いに噛み合う櫛歯状に形成する。このドレイン
電極９とコモン電極３４とは、ゲート絶縁膜５を介して
対向しており、対向するドレイン電極９とコモン電極３
４間に、横方向に電圧を印加して液晶を駆動する。In the display-contributing portion 3 of the pixel, the drain electrode 9 is formed in a comb-tooth shape in parallel with the common electrode 34 formed in a comb-tooth shape. The drain electrode 9 and the common electrode 34 face each other with the gate insulating film 5 interposed therebetween.
Between the four, a voltage is applied in the horizontal direction to drive the liquid crystal.

【００８８】ゲート電極４、ソース電極８、および、新
たに配置されたコモン電極３４は、延長部分でそれぞれ
前記のゲート配線２２、ドレイン配線２５およびゲート
配線２２と平行に新たに形成したコモン配線になる。The gate electrode 4, the source electrode 8, and the newly disposed common electrode 34 are connected to the newly formed common wiring in parallel with the gate wiring 22, the drain wiring 25, and the gate wiring 22 at the extended portions, respectively. Become.

【００８９】さらに、これらゲート配線２２、ドレイン
配線２５およびコモン配線は、延長部分で外部駆動回路
との接続部分となるゲート端子用パッド電極２１および
ドレイン端子用パッド電極２４、およびコモン端子に接
続される。ゲート端子用パッド電極２１、ドレイン端子
用パッド電極２４、およびコモン端子は、いずれも本発
明の金属シリサイド端子であることは云うまでもない。Further, these gate wiring 22, drain wiring 25 and common wiring are connected to pad electrode 21 for gate terminal and pad electrode 24 for drain terminal and the common terminal, which are extended portions to be connected to an external drive circuit. You. It goes without saying that the gate terminal pad electrode 21, the drain terminal pad electrode 24, and the common terminal are all metal silicide terminals of the present invention.

【００９０】この場合、コモン端子は、ゲート端子用パ
ッド電極２１と同一工程，同層で形成されるため、ゲー
ト端子と同一構造となる。従って、図２（ａ）〜
（ｄ）、図３（ｉ）、図４に示したゲート端子構造がそ
のままコモン端子構造となる。In this case, since the common terminal is formed in the same step and in the same layer as the gate terminal pad electrode 21, it has the same structure as the gate terminal. Therefore, FIG.
(D), the gate terminal structure shown in FIGS. 3 (i) and 4 becomes the common terminal structure as it is.

【００９１】さらに、ゲート端子およびコモン端子とし
て図４に示した構造、ドレイン端子用パッド電極２４と
して図５に示した構造を採用することにより、本来不要
なＩＴＯ形成工程、パターニング工程を省略しても、信
頼性の高い金属シリサイド端子が容易に得られる。Further, by employing the structure shown in FIG. 4 as the gate terminal and the common terminal and the structure shown in FIG. 5 as the drain terminal pad electrode 24, the unnecessary ITO formation step and patterning step are omitted. In addition, a highly reliable metal silicide terminal can be easily obtained.

【００９２】図７は、図６のＡ−Ｂ断面構造である。絶
縁基板１上に形成されたゲート電極４、コモン電極３４
上には、ゲート絶縁膜５を介してＴＦＴ素子２のチャネ
ル半導体層となるシリコン膜およびコンタクトを補償す
るためにリン等の不純物をドープしたシリコン膜からな
る電極層７を積層した島が形成される。FIG. 7 is a sectional view taken along the line AB in FIG. Gate electrode 4 and common electrode 34 formed on insulating substrate 1
On the upper surface, an island is formed in which a silicon film serving as a channel semiconductor layer of the TFT element 2 and an electrode layer 7 made of a silicon film doped with an impurity such as phosphorus for compensating a contact are stacked via the gate insulating film 5. You.

【００９３】この島上の一部に、ソース電極８およびド
レイン電極９が形成される。ソース電極８およびドレイ
ン電極９のパターンをマスクとし、不純物をドープした
シリコン膜からなる電極層７の一部を除去し、ＴＦＴ素
子２のチャネル部分を形成する。A source electrode 8 and a drain electrode 9 are formed on a part of the island. Using the pattern of the source electrode 8 and the drain electrode 9 as a mask, a part of the electrode layer 7 made of a silicon film doped with impurities is removed to form a channel portion of the TFT element 2.

【００９４】図６で説明したように、画素の表示寄与部
分３には、ドレイン電極９とコモン電極３４とがゲート
絶縁膜５を介して平行に形成されている。さらに、画素
全面を覆うように、パッシベーション膜１１が形成され
る。As described with reference to FIG. 6, in the display contributing portion 3 of the pixel, the drain electrode 9 and the common electrode 34 are formed in parallel with the gate insulating film 5 interposed. Further, a passivation film 11 is formed so as to cover the entire surface of the pixel.

【００９５】〔実施例 ６〕図８は、本発明の金属シリ
サイド端子を構成要素の一部に適用した縦電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示した斜視
図である。[Embodiment 6] FIG. 8 is a perspective view showing the structure of a vertical electric field type active matrix type liquid crystal display device in which the metal silicide terminal of the present invention is applied to some of the components.

【００９６】同図において、ガラスからなる絶縁基板１
上にはスイッチング素子であるＴＦＴ素子２、画素電極
１０、ＴＦＴ素子２を駆動するための信号を各ＴＦＴ素
子２に伝達、保持するためのゲート配線２２、ドレイン
配線２５等が形成されてＴＦＴ基板３５を構成してい
る。In the figure, an insulating substrate 1 made of glass is used.
A TFT substrate 2, a pixel electrode 10, and a gate wiring 22 and a drain wiring 25 for transmitting and holding a signal for driving the TFT device 2 to each TFT device 2 are formed on the TFT substrate. 35.

【００９７】ゲート配線２２およびドレイン配線２５を
延長した端部には、それぞれ外部駆動回路との接続部分
となるゲート端子用パッド電極２１およびドレイン端子
が形成されている。At the extended ends of the gate wiring 22 and the drain wiring 25, a pad electrode 21 for a gate terminal and a drain terminal are formed, respectively, which serve as connection parts with an external drive circuit.

【００９８】外部駆動回路と端子の接続には、例えば異
方性導電膜等が用いられる。ＴＦＴ基板３５の表面には
液晶層３６を介して対向電極３７上にカラーフィルタ３
８が形成され、カラーフィルタ３８上にはガラスからな
る対向側絶縁基板３９が形成されている。絶縁基板１お
よび対向側絶縁基板３９の外側には偏向板４０が形成さ
れている。For connection between the external drive circuit and the terminal, for example, an anisotropic conductive film is used. On the surface of the TFT substrate 35, a color filter 3 is formed on a counter electrode 37 via a liquid crystal layer 36.
On the color filter 38, an opposing insulating substrate 39 made of glass is formed. A deflection plate 40 is formed outside the insulating substrate 1 and the opposing insulating substrate 39.

【００９９】このような縦電界方式の液晶表示装置で
は、ＴＦＴ素子２を介して画素電極１０へ電圧を印加
し、光源からの光を調節することによってカラー表示が
可能となる。In such a vertical electric field type liquid crystal display device, color display can be performed by applying a voltage to the pixel electrode 10 via the TFT element 2 and adjusting light from a light source.

【０１００】本実施例では、上記したゲート端子用パッ
ド電極２１およびドレイン端子用パッド電極２４に本発
明の金属シリサイド端子構造を適用しているため、信頼
性に優れた液晶表示装置を容易に得ることができる。本
実施例では、縦電界方式の液晶表示装置を例に説明した
が、同様に横電界方式の液晶表示装置においても適用可
能であることは言うまでもない。In this embodiment, since the metal silicide terminal structure of the present invention is applied to the pad electrode 21 for the gate terminal and the pad electrode 24 for the drain terminal, a liquid crystal display device having excellent reliability can be easily obtained. be able to. In the present embodiment, a vertical electric field type liquid crystal display device has been described as an example, but it is needless to say that the present invention can be similarly applied to a horizontal electric field type liquid crystal display device.

【０１０１】[0101]

【発明の効果】本発明のシリサイド端子構造を適用する
ことにより、外部駆動回路と電気的接続を形成する端子
の表面層が、酸化や金属との電池反応においても化学的
安定性に優れた金属シリサイド膜が形成されているた
め、高湿度，不純物等の汚染の影響を受け易い大気中に
液晶表示装置を放置しても、端子の表面層の化学的安定
性が保証される。これにより、電食による端子部分の短
絡、断線不良を低減できる。By applying the silicide terminal structure of the present invention, the surface layer of the terminal which forms the electrical connection with the external drive circuit is made of a metal having excellent chemical stability even in oxidation and battery reaction with the metal. Since the silicide film is formed, the chemical stability of the surface layer of the terminal can be ensured even when the liquid crystal display device is left in the air which is easily affected by contamination such as high humidity and impurities. As a result, it is possible to reduce short-circuit and disconnection failure of the terminal portion due to electrolytic corrosion.

【０１０２】また、端子と配線、および外部駆動回路と
の接続部分においては、端子表面が金属シリサイド膜で
形成されているため、良好なオーミックコンタクトが確
保される。Further, in the connection portion between the terminal and the wiring and between the terminal and the external drive circuit, a good ohmic contact is ensured since the terminal surface is formed of a metal silicide film.

【０１０３】また、金属シリサイド膜は金属に準じて比
抵抗が低いため、従来用いられているＩＴＯ等の酸化物
透明導電膜に比べて、端子を含めた配線抵抗を低く抑え
ることができる。Further, since the metal silicide film has a low specific resistance in accordance with a metal, the wiring resistance including terminals can be suppressed lower than that of a conventionally used transparent conductive oxide film such as ITO.

【０１０４】また、ＴＦＴ素子のチャネル半導体層であ
るＳｉ膜を利用して、このＳｉ膜と上部配線材料金屬と
の反応により、金属シリサイド膜を容易に形成すること
ができるため、本来酸化物透明導電膜からなる画素電極
を必要としない横電界方式において、酸化物透明導電膜
の形成工程を省略すことができる。これにより、簡略な
端子構造で、端子部分の信頼性を確保できるので、信頼
性に優れた液晶表示装置が得られる。Further, a metal silicide film can be easily formed by utilizing a Si film which is a channel semiconductor layer of a TFT element and reacting the Si film with a metal of an upper wiring material. In a lateral electric field method which does not require a pixel electrode made of a conductive film, the step of forming a transparent conductive oxide film can be omitted. Thereby, the reliability of the terminal portion can be ensured with a simple terminal structure, so that a liquid crystal display device having excellent reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明を適用した液晶表示装置の１画素の模式
断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of one pixel of a liquid crystal display device to which the present invention is applied.

【図２】本発明の金属シリサイド端子構造をゲート端子
に適用した端子部分の模式断面図である（但し（ｅ）は
（ａ）〜（ｄ）のゲート端子を実施した際のドレイン端
子部分の模式断面図である）。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a terminal portion in which a metal silicide terminal structure of the present invention is applied to a gate terminal (where (e) shows a drain terminal portion when the gate terminals (a) to (d) are implemented). It is a schematic sectional view).

【図３】本発明の金属シリサイド端子構造をドレイン端
子に適用した端子部分の模式断面図である（但し（ｉ）
は（ｆ）〜（ｈ）のドレイン端子を実施した際のゲート
端子部分の模式断面図である）。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a terminal portion in which the metal silicide terminal structure of the present invention is applied to a drain terminal ((i)).
(A) is a schematic cross-sectional view of a gate terminal portion when the drain terminals of (f) to (h) are implemented).

【図４】チャネル半導体層であるシリコン膜の形成工程
を利用して、本発明の金属シリサイドゲート端子を形成
した端子部分の断面構成を形成工程順に示した模式断面
図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of a terminal portion where a metal silicide gate terminal of the present invention is formed in the order of forming steps, utilizing a forming process of a silicon film as a channel semiconductor layer.

【図５】図４に示したゲート端子構造を形成した際のド
レイン端子部分の断面構成を形成工程順に示した模式断
面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of a drain terminal portion when the gate terminal structure shown in FIG. 4 is formed in the order of forming steps.

【図６】本発明を適用して作製した横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の１画素の模式平面図で
ある。FIG. 6 is a schematic plan view of one pixel of a lateral electric field type active matrix liquid crystal display device manufactured by applying the present invention.

【図７】図１３のＡ−Ｂ断面を示す模式断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a cross section taken along a line AB in FIG.

【図８】本発明の金属シリサイド端子を構成した縦電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の部分断面
斜視図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional perspective view of a vertical electric field type active matrix liquid crystal display device having a metal silicide terminal of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…絶縁基板、２…ＴＦＴ素子、３…画素の表示寄与部
分、４…ゲート電極、５…ゲート絶縁膜、６…シリコン
膜、７…不純物をドープしたシリコン膜からなる電極
層、８…ソース電極、９…ドレイン電極、１０…画素電
極、１１…パッシベーション膜、１２，２８…スルーホ
ール、２１…ゲート端子用パッド電極、２２…ゲート配
線、２３…接続用パッド電極、２４…ドレイン端子用パ
ッド電極、２５…ドレイン配線、２６…チャネル半導体
層および不純物をドープした電極層となるシリコンの積
層膜、２７…シリコンパターン、２９…ドレイン配線用
金属膜、３０…シリサイド化したゲート端子用パッド電
極、３１…ドレイン端子部分に形成したシリコンパター
ン、３２…シリサイド化したドレイン端子用パッド電
極、３３…付加容量形成部分、３４…コモン電極、３５
…ＴＦＴ基板、３６…液晶層、３７…対向電極、３８…
カラーフィルタ、３９…対向側絶縁基板、４０…偏向
板。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate, 2 ... TFT element, 3 ... Display contribution part of a pixel, 4 ... Gate electrode, 5 ... Gate insulating film, 6 ... Silicon film, 7 ... Electrode layer made of silicon film doped with impurities, 8 ... Source Electrode, 9: drain electrode, 10: pixel electrode, 11: passivation film, 12, 28: through hole, 21: pad electrode for gate terminal, 22: gate wiring, 23: pad electrode for connection, 24: pad for drain terminal Electrode, 25: drain wiring, 26: laminated silicon film to be a channel semiconductor layer and an impurity-doped electrode layer, 27: silicon pattern, 29: metal film for drain wiring, 30: pad electrode for silicified gate terminal, 31: silicon pattern formed on the drain terminal portion; 32: silicidized pad electrode for the drain terminal; 33: additional capacitance type Part, 34 ... common electrode, 35
... TFT substrate, 36 ... Liquid crystal layer, 37 ... Counter electrode, 38 ...
Color filters, 39: opposing insulating substrate, 40: polarizing plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 茶原 健一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 健史 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 橋本 健一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Kenichi Chahara 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory, Ltd. No. 1-1 In Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Kenichi Hashimoto 1-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture In Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 対向した一対の絶縁基板と、該絶縁基板
の少なくとも一方の面に薄膜トランジスタ素子、電極、
配線、および、外部駆動回路との接続のための端子を有
し、液晶の配向膜が形成された対向面の間隙に液晶層を
挟持した液晶表示装置において、外部駆動回路との接続
のための端子の少なくとも表面層が、金属シリサイド膜
で構成されていることを特徴とする液晶表示装置。1. A pair of opposing insulating substrates, and a thin film transistor element, an electrode,
In a liquid crystal display device having wiring, and a terminal for connection with an external drive circuit, and a liquid crystal layer sandwiched in a gap between opposing surfaces on which a liquid crystal alignment film is formed, a connection for an external drive circuit is provided. A liquid crystal display device wherein at least a surface layer of the terminal is formed of a metal silicide film. 【請求項２】 対向した一対の絶縁基板と、該絶縁基板
の一方の面に薄膜トランジスタ素子、電極、配線、およ
び、外部駆動回路との接続のための端子を有し、液晶の
配向膜が形成された対向面の間隙に液晶層を挟持し、該
液晶層にほぼ平行に電界を印加する横電界方式の液晶表
示装置において、外部駆動回路との接続のための端子の
少なくとも表面層が、金属シリサイド膜で構成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。2. A pair of insulating substrates facing each other, and a thin film transistor element, electrodes, wiring, and terminals for connection to an external driving circuit on one surface of the insulating substrate, and an alignment film of liquid crystal is formed. In a horizontal electric field type liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched in a gap between the opposing surfaces and an electric field is applied substantially parallel to the liquid crystal layer, at least a surface layer of a terminal for connection to an external drive circuit is made of metal. A liquid crystal display device comprising a silicide film. 【請求項３】 前記外部駆動回路との接続のための端子
の少なくとも表面層が、前記配線を形成する金属材料の
シリサイド膜で形成されている請求項１または２に記載
の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a surface layer of a terminal for connection to the external drive circuit is formed of a silicide film of a metal material forming the wiring. 【請求項４】 前記外部駆動回路との接続のための端子
の少なくとも表面層が、金属シリサイド膜からなるパッ
ド電極を形成した請求項１または２に記載の液晶表示装
置。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a surface layer of a terminal for connection with the external drive circuit forms a pad electrode made of a metal silicide film. 【請求項５】 前記金属シリサイド膜からなるパッド電
極は、前記薄膜トランジスタ素子のチャネル半導体層で
あるシリコン膜、または、チャネル半導体層および不純
物をドープした電極層となるシリコンの積層膜の形成時
に、パッド電極部にもシリコン膜を同時に形成し、該シ
リコン膜とその上に形成される配線材料金屬とのシリサ
イド化反応により形成された金属シリサイド膜からなる
請求項３に記載の液晶表示装置。5. A pad electrode made of a metal silicide film is used when a silicon film which is a channel semiconductor layer of the thin film transistor element or a silicon laminated film which becomes an electrode layer doped with a channel semiconductor layer and an impurity is formed. 4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein a silicon film is simultaneously formed on the electrode portion, and a metal silicide film is formed by a silicidation reaction between the silicon film and a wiring material metal formed thereon. 【請求項６】 前記金属シリサイド膜が、Ａｌ、Ｃｒ、
Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｔから選ばれる金属シ
リサイド膜である請求項１〜５のいずれかに記載の液晶
表示装置。6. The method according to claim 1, wherein the metal silicide film is made of Al, Cr,
The liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 5, wherein the liquid crystal display device is a metal silicide film selected from Ta, Ti, Mo, W, Nb, and Pt. 【請求項７】 前記金属シリサイドを形成する配線が、
前記薄膜トタンジスタに接続したゲート配線，ドレイン
配線またはゲート配線と平行に形成したコモン配線のい
ずれかである請求項１または２に記載の液晶表示装置。7. A wiring forming the metal silicide,
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is one of a gate wiring connected to the thin film transistor, a drain wiring, and a common wiring formed in parallel with the gate wiring. 【請求項８】 前記金属シリサイド膜が、シリコン膜の
積層膜とＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐ
ｔから選ばれる金属膜との積層膜にレーザー照射により
形成された膜である請求項１または２に記載の液晶表示
装置。8. The method according to claim 1, wherein the metal silicide film comprises a silicon film laminated film and Al, Cr, Ta, Ti, Mo, W, Nb, P
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the film is a film formed by irradiating a laminated film with a metal film selected from t by laser irradiation.