JPH1036183A - Production of polycrystal ceramic membrane and polycrystal ceramic member - Google Patents
Production of polycrystal ceramic membrane and polycrystal ceramic memberInfo
- Publication number
- JPH1036183A JPH1036183A JP19734996A JP19734996A JPH1036183A JP H1036183 A JPH1036183 A JP H1036183A JP 19734996 A JP19734996 A JP 19734996A JP 19734996 A JP19734996 A JP 19734996A JP H1036183 A JPH1036183 A JP H1036183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- raw material
- film
- temperature
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、多結晶セラミックス膜
を形成する新規な方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel method for forming a polycrystalline ceramic film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、ガスタービン等、高温雰囲気で使
用されるセラミックス部材の表面耐酸化膜として、緻密
質の炭化珪素膜の被膜が有効であることが知られてい
る。また、他にも幾つかの用途において、セラミックス
部材の表面を緻密質の炭化珪素薄膜や窒化珪素薄膜によ
って被覆することが知られている。こうしたセラミック
ス薄膜を形成する方法としては、化学的気相成長法、電
気化学的気相成長法、スパッタリング法、溶射法等が知
られている。このうち、いわゆる気相法によると、緻密
質の良質な薄膜を形成できるので、現在のところ多用さ
れている。2. Description of the Related Art At present, it is known that a dense silicon carbide film is effective as a surface oxidation resistant film of a ceramic member used in a high temperature atmosphere such as a gas turbine. In some other applications, it is known that the surface of a ceramic member is covered with a dense silicon carbide thin film or silicon nitride thin film. As a method for forming such a ceramic thin film, a chemical vapor deposition method, an electrochemical vapor deposition method, a sputtering method, a thermal spraying method and the like are known. Among them, the so-called vapor phase method can be used to form a dense and high-quality thin film, and is currently widely used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、気相法によっ
てセラミックス薄膜を形成した場合には、堆積速度が著
しく遅いという問題がある。この堆積速度は、通常数十
〜百μｍ／時間程度に過ぎない。また、製造工程数が多
く、複雑であるし、原料の価格が高く、収率が低いため
に原料コストが高い。However, when a ceramic thin film is formed by a gas phase method, there is a problem that the deposition rate is extremely low. This deposition rate is usually only about several tens to hundreds μm / hour. In addition, the number of manufacturing steps is large and complicated, and the cost of raw materials is high due to the high price of raw materials and low yield.
【０００４】本発明の課題は、良質かつ高純度のセラミ
ックス薄膜を形成する方法であって、膜の堆積速度が速
く、製造工程数が少なく、原料コストも低減できるよう
な新しい方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a method for forming a high-quality and high-purity ceramic thin film, which can provide a high deposition rate of the film, reduce the number of manufacturing steps, and reduce the cost of raw materials. It is.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミックス
原料を加熱して気化させ、このセラミックス原料の蒸気
を基体上に堆積させることによって多結晶セラミックス
膜を得ることを特徴とする方法に係るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for heating and vaporizing a ceramic raw material, and obtaining a polycrystalline ceramic film by depositing a vapor of the ceramic raw material on a substrate. It is.
【０００６】また、本発明は、多結晶セラミックス部材
を製造するのに際して、セラミックス原料を加熱して気
化させ、このセラミックス原料の蒸気を、目的形状の型
上に堆積させることによって多結晶セラミックス膜を
得、次いで型を除去することを特徴とする方法に係るも
のである。Further, according to the present invention, in producing a polycrystalline ceramic member, a ceramic raw material is heated and vaporized, and a vapor of the ceramic raw material is deposited on a mold having a desired shape to form a polycrystalline ceramic film. And then removing the mold.
【０００７】本発明者は、多結晶のセラミックス膜を高
速度で形成する方法を模索していたが、この過程で、単
結晶の製造方法として知られている昇華法に着目した。
そして、基板等を種々変更して実験を重ねた結果、セラ
ミックス原料を加熱して気化させ、このセラミックス原
料の蒸気を基体上に堆積させることによって、高純度の
多結晶セラミックス膜が得られることを発見し、本発明
に到達した。The inventor of the present invention has sought a method of forming a polycrystalline ceramic film at a high speed. In this process, he paid his attention to a sublimation method known as a method of manufacturing a single crystal.
As a result of repeated experiments with various changes in the substrate, etc., it was found that a high-purity polycrystalline ceramic film can be obtained by heating and vaporizing the ceramic raw material and depositing the vapor of the ceramic raw material on the substrate. Discovered and reached the present invention.
【０００８】また、本発明によれば、セラミックス原料
を気化させて、基体上に堆積させているので、原料中の
不純物を清浄化する効果がある。特に、揮発性の高い元
素に対して効果がある。また、多結晶セラミックス膜を
一層高純度化するためには、原料の高純度化が効果的で
ある。Further, according to the present invention, since the ceramic raw material is vaporized and deposited on the substrate, there is an effect of cleaning impurities in the raw material. In particular, it is effective for highly volatile elements. Further, in order to further purify the polycrystalline ceramic film, it is effective to purify the raw material.
【０００９】図１は、本発明の方法を実施するための装
置の一例を模式的に示す断面図である。図１を適宜参照
しつつ、本発明の方法を説明する。ルツボ１の内側空間
３は、隔壁５によって２つに仕切られている。本実施形
態では、隔壁５の上側の空間３ａを原料室として使用
し、隔壁５の下側の空間３ｂを成膜室として使用する。
隔壁５は、原料室３ａと成膜室３ｂとを区分している。
隔壁５は、原料の蒸気が通過できるものであることが必
要であり、このために通気孔が設られているか、あるい
は蒸気の通過が可能なほどに十分に多孔質でなければな
らない。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention. The method of the present invention will be described with reference to FIG. The inner space 3 of the crucible 1 is divided into two by a partition wall 5. In this embodiment, the space 3a above the partition 5 is used as a raw material chamber, and the space 3b below the partition 5 is used as a film formation chamber.
The partition 5 divides the raw material chamber 3a and the film forming chamber 3b.
The partition walls 5 need to be able to pass the vapor of the raw material, and therefore have to be provided with vent holes or be sufficiently porous to allow the passage of the vapor.
【００１０】原料室３ａは蓋６によって密閉されてお
り、原料室３ａ内にセラミックス原料２が収容されてい
る。成膜室３ｂの下端部に基体７が固定されている。蓋
６および基体７は、原料室３ａ、成膜室３ｂ中の蒸気が
外に漏れることを、妨げる役割をしている。The raw material chamber 3a is closed by a lid 6, and the ceramic raw material 2 is accommodated in the raw material chamber 3a. The base 7 is fixed to the lower end of the film forming chamber 3b. The lid 6 and the base 7 serve to prevent the vapor in the raw material chamber 3a and the film forming chamber 3b from leaking outside.
【００１１】ルツボ１内において、原料室３ａ側は相対
的に温度が高く、基体７側の成膜室３ｂは、相対的に温
度が低い。原料２からの蒸気が、矢印Ａのように隔壁５
を通過して、低温側である成膜室へと移動し、基体７の
表面に多結晶セラミックス膜４が形成される。In the crucible 1, the temperature of the raw material chamber 3a is relatively high, and the temperature of the film forming chamber 3b on the base 7 is relatively low. As shown by arrow A, the vapor from raw material 2
And moves to the film forming chamber on the low temperature side, and the polycrystalline ceramic film 4 is formed on the surface of the base 7.
【００１２】セラミックス原料２は、昇華し易さの点か
らは粉末であることが好ましいが、粉末に限定はされな
い。粉末の成形体を使用すると、原料室３ａ内に充填で
きる原料粉末の重量を多くできるし、原料の取り扱いも
容易となるため、好ましい。The ceramic raw material 2 is preferably a powder from the viewpoint of ease of sublimation, but is not limited to a powder. The use of a powder compact is preferable because the weight of the raw material powder that can be filled in the raw material chamber 3a can be increased and the raw material can be easily handled.
【００１３】また、セラミックス原料２の種類は、昇華
し易い材料であること、即ち蒸気圧が高く、昇華点が低
い材料であることが、実際の生産性の点から重要であ
る。原料によっては、液体を経由して気化するものや、
分解後に気化するものもあるが、これらを用いることも
できる。It is important from the viewpoint of actual productivity that the type of the ceramic raw material 2 is a material that easily sublimates, that is, a material having a high vapor pressure and a low sublimation point. Some raw materials evaporate via liquid,
Some are vaporized after decomposition, but these can also be used.
【００１４】この観点から見ると、１０- 4 Ｔｏｒｒ蒸
気圧を示す温度が、２０００℃以下のものが好ましく、
１６００℃以下のものが特に好ましい。具体的には、Ｚ
ｒＢ2 、ＴｉＢ2 、ＴｉＢ、ＶＣ、Ｂ4 Ｃ、ＴｉＣ、Ｓ
ｉＣ、ＰｕＣ2 、Ｃｒ3 Ｃ2 、ＡｌＮ、ＺｒＮ、Ｈｆ
Ｎ、Ｔｈ3 Ｎ4 、ＵＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＬａＮ、Ｂ
Ｎ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＮｂＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢｅＯ、Ｌａ2
Ｏ3 、ＴｉＯ2、ＶＯ2 、ＣａＯ、ＰｕＯ2 、ＶＯ、Ｗ
Ｏ2 、ＴｉＯ、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＦｅＯ、Ｍ
ｎＯ、ＣｏＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ2 、ＮｉＯ、Ｌｉ2 Ｏ、
ＷＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＭｏＯ2 等がある。また、
これらの混合物であっても良い。[0014] In this regard, 10 - 4 Torr temperature showing the vapor pressure, preferably one having 2000 ° C. or less,
Those having a temperature of 1600 ° C. or lower are particularly preferred. Specifically, Z
rB 2 , TiB 2 , TiB, VC, B 4 C, TiC, S
iC, PuC 2 , Cr 3 C 2 , AlN, ZrN, Hf
N, Th 3 N 4, UN , TiN, TaN, LaN, B
N, Si 3 N 4 , NbN, Al 2 O 3 , BeO, La 2
O 3 , TiO 2 , VO 2 , CaO, PuO 2 , VO, W
O 2 , TiO, SiO 2 , MgO, SrO, FeO, M
nO, CoO, BaO, MoO 2 , NiO, Li 2 O,
WO 3 , B 2 O 3 , ZnO, MoO 2 and the like are available. Also,
These mixtures may be used.
【００１５】基体７は、多様な材料で作製できるが、多
結晶セラミックスからなっていることが、良質な多結晶
セラミックス膜を生成させるために好ましい。基体の材
質としては、例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ，Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ 2 、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ｃ、Ｓｉおよ
びこれらの複合体を例示できる。The base 7 can be made of various materials.
High quality polycrystals made of crystalline ceramics
It is preferable for forming a ceramic film. Base material
As the quality, for example, SiC, SiThreeNFour, AlN, A
lTwoOThree, ZrO Two, SiOTwo, MgO, C, Si and
And a complex thereof.
【００１６】また、炉の低温部分と高温部分とは、いず
れが上になっていても良い。しかし、図１に示すよう
に、高温部分（セラミックス原料のある部分）の方を上
にすると、下側から上方へと向かって熱が上昇してくる
ために、低温部分（基体７のある部分）と高温部分との
間の温度差を一定に保つことが容易になるため、好まし
い。また、高温部分と低温部分とが水平になるように、
配置しても良い。Either the low-temperature part or the high-temperature part of the furnace may be located above. However, as shown in FIG. 1, when the high temperature portion (the portion where the ceramic raw material is present) rises, the heat rises from the lower side to the upper side. This is preferable because it is easy to maintain the temperature difference between the high temperature portion and the high temperature portion. Also, so that the hot and cold parts are horizontal,
It may be arranged.
【００１７】原料の加熱方法としては、いろいろな方法
が適用できるが、比較的手軽に高温状態を生成できる抵
抗加熱法や高周波加熱法が好ましい。高周波加熱法によ
る場合には、高周波の放電が生じない圧力以上で、反応
を行わせる必要がある。多結晶セラミックス膜の結晶性
および成膜速度を向上させるためには、１０Ｔｏｒｒ以
下の圧力とすることが好ましく、０．５Ｔｏｒｒ以下の
圧力とすることが、更に好ましい。このような低い圧力
下で成膜を行う場合には、抵抗加熱法によって原料を加
熱することが好ましい。Various methods can be applied as a method for heating the raw material, but a resistance heating method and a high-frequency heating method that can relatively easily generate a high temperature state are preferable. In the case of the high-frequency heating method, the reaction needs to be performed at a pressure higher than the pressure at which high-frequency discharge does not occur. In order to improve the crystallinity and deposition rate of the polycrystalline ceramic film, the pressure is preferably set to 10 Torr or less, more preferably 0.5 Torr or less. When film formation is performed under such a low pressure, it is preferable to heat the raw material by a resistance heating method.
【００１８】また、均質な膜質を有する膜や、均一な膜
厚を有する膜を形成できるようにするためには、基体の
温度を均一に保つ必要がある。この点から、基体温度分
布は±２０℃以内にすることが好ましく、±５℃以内と
することが、更に好ましい。In order to form a film having a uniform film quality or a film having a uniform film thickness, it is necessary to keep the temperature of the substrate uniform. From this point, the substrate temperature distribution is preferably within ± 20 ° C., and more preferably within ± 5 ° C.
【００１９】本発明によって、基体上にセラミックス膜
が形成されたセラミックス部材を提供できる。また、型
上にセラミックス膜を形成した後に、型を除去すること
によって、セラミックス部材を作製することができる。According to the present invention, a ceramic member having a ceramic film formed on a substrate can be provided. Further, after forming the ceramic film on the mold, the ceramic member can be manufactured by removing the mold.
【００２０】本発明によって製造されるセラミックス部
材は、各種の製品に対して適用することができる。こう
した製品として、ガスタービン等の高温雰囲気で使用さ
れるセラミックス部品があげられる。具体的にはガスタ
ービン用の燃焼器、静翼、動翼、熱交換器、燃焼ガス通
路部品に、本方法で作製したセラミックス膜を有した基
体および部材を使用することができる。また、電磁波透
過体にも適用できる。これには、電磁波透過窓、高周波
電極装置、高周波プラズマを発生させるためのチュー
ブ、高周波プラズマを発生させるためのドームを例示で
きる。また、本発明によって製造されるセラミックス部
材は、半導体ウエハーを設置するためのサセプターに対
して適用できる。こうしたサセプターとしては、セラミ
ック静電チャック、セラミックスヒーター、高周波電極
装置を例示することができる。この他、ダミーウエハ
ー、シャドーリング、半導体ウエハーを支持するための
リフトピン、シャワー板等の各半導体製造用装置の基材
として、使用することができる。The ceramic member manufactured according to the present invention can be applied to various products. Such products include ceramic parts used in high-temperature atmospheres such as gas turbines. Specifically, a substrate and a member having a ceramic film produced by the present method can be used for a combustor, a stationary blade, a moving blade, a heat exchanger, and a combustion gas passage component for a gas turbine. Further, the present invention can be applied to an electromagnetic wave transmitting body. Examples thereof include an electromagnetic wave transmission window, a high-frequency electrode device, a tube for generating high-frequency plasma, and a dome for generating high-frequency plasma. Further, the ceramic member manufactured according to the present invention can be applied to a susceptor for installing a semiconductor wafer. Examples of such a susceptor include a ceramic electrostatic chuck, a ceramic heater, and a high-frequency electrode device. In addition, it can be used as a base material of each semiconductor manufacturing apparatus such as a dummy wafer, a shadow ring, a lift pin for supporting a semiconductor wafer, and a shower plate.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。図２に示す成膜装置を使用し、カーボン（Ｃ）から
なる基体７の上に炭化珪素膜４を形成する実験を行っ
た。ただし、図２において、図１に示した部材と同じ部
材には同じ符号を付け、その説明は省略する。EXAMPLES Hereinafter, more specific experimental results will be described. An experiment was conducted in which a silicon carbide film 4 was formed on a substrate 7 made of carbon (C) using the film forming apparatus shown in FIG. However, in FIG. 2, the same members as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００２２】ルツボ１は円筒形をしており、ルツボの材
質は高密度のカーボン（Ｃ）からなっている。基体７の
寸法は、直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板形状とし
た。平均粒径０．６μｍの炭化珪素粉末を、１００ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 の荷重で一軸プレスし、直径φ３０ｍｍ×厚
さ５ｍｍの円板状成形体を得た。この成形体２を、ルツ
ボ１内の原料室３ａに充填した。原料２を充填したルツ
ボ１を、図２に示す真空加熱炉中に設置した。ただし、
８は炉床であり、９は炉壁である。The crucible 1 has a cylindrical shape, and the material of the crucible is made of high-density carbon (C). The size of the base 7 was a disk shape having a diameter of 100 mm and a thickness of 5 mm. 100 kg of silicon carbide powder having an average particle size of 0.6 μm
Uniaxial pressing was performed with a load of f / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 30 mm and a thickness of 5 mm. The molded body 2 was filled in the raw material chamber 3a in the crucible 1. The crucible 1 filled with the raw material 2 was set in a vacuum heating furnace shown in FIG. However,
8 is a hearth and 9 is a furnace wall.
【００２３】炉内に抵抗加熱ヒーター１０を設置し、ヒ
ーター１０の内側を２２００℃に加熱した。なお、加熱
温度は、ＳｉＣの昇華が始まる２０００℃以上とする必
要があり、２２００〜２４００℃が好ましい。この時、
炉内の雰囲気はアルゴンとし、圧力は０．０１Ｔｏｒｒ
とした。温度制御を原料室３ａの近傍で行っていること
から、原料室３ａの温度は２２００℃となっているが、
ヒーター１０の無い成膜室３ｂは、原料室よりも若干低
い温度となっている。炉床８に接している基体７は、基
体７から炉床へと熱が逃げるために、成膜室３ｂ内より
も一層低い温度となっている。本実施例では、原料室の
温度と基体の温度との差を５０℃とした。なお、原料室
の温度と基体の温度との差は、２０℃以上、５００℃以
下とすることが好ましい。A resistance heater 10 was set in the furnace, and the inside of the heater 10 was heated to 2200 ° C. The heating temperature must be 2000 ° C. or higher at which sublimation of SiC starts, and is preferably 2200 to 2400 ° C. At this time,
The atmosphere in the furnace was argon and the pressure was 0.01 Torr
And Since the temperature control is performed near the raw material chamber 3a, the temperature of the raw material chamber 3a is 2200 ° C.,
The temperature of the film forming chamber 3b without the heater 10 is slightly lower than that of the raw material chamber. The temperature of the substrate 7 in contact with the hearth 8 is lower than that in the film forming chamber 3b because heat escapes from the substrate 7 to the hearth. In this embodiment, the difference between the temperature of the raw material chamber and the temperature of the substrate was set to 50 ° C. The difference between the temperature of the raw material chamber and the temperature of the base is preferably 20 ° C. or more and 500 ° C. or less.
【００２４】ルツボ１内を多結晶の成長温度まで昇温す
る際には、基体７上に不安定な結晶核の成長が起こらな
いように、ルツボ１内にアルゴン雰囲気を満たした。所
定の成長温度に到達した後に、ルツボ１内を減圧し、多
結晶の成長を開始させた。When the temperature in the crucible 1 was raised to the growth temperature of polycrystal, the crucible 1 was filled with an argon atmosphere so that unstable crystal nuclei would not grow on the substrate 7. After reaching a predetermined growth temperature, the pressure in the crucible 1 was reduced to start the growth of polycrystal.
【００２５】この結果、粒径１ｍｍ程度の緻密質の多結
晶炭化珪素膜４が基体７上に堆積した。この膜４の表面
は、滑らかで透明感があった。また、成膜速度は、０．
５ｍｍ／時間〜１ｍｍ／時間と極めて高速であった。As a result, a dense polycrystalline silicon carbide film 4 having a particle size of about 1 mm was deposited on the base 7. The surface of this film 4 was smooth and transparent. In addition, the film forming rate is set to 0.1.
The speed was extremely high, from 5 mm / hour to 1 mm / hour.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、良質かつ高純度の多結晶セラミックス薄膜を形成す
ることができ、膜の堆積速度が早く、製造工程数が少な
く、原料コストも低減できる。As described above, according to the present invention, a high-quality and high-purity polycrystalline ceramic thin film can be formed, the deposition rate of the film is high, the number of manufacturing steps is small, and the raw material cost is low. Can be reduced.
【図１】本発明の製造方法を実施するための装置の一例
を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an apparatus for performing a manufacturing method of the present invention.
【図２】本発明の製造方法を実施するための装置の一例
を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of an apparatus for performing the manufacturing method of the present invention.
１ ルツボ ３ ルツボ１の内側空間 ５ 隔壁
３ａ原料室 ３ｂ 成膜室 ６ 蓋 ７ 基体
８ 炉床 ９ 炉壁 １０ ヒーター1 Crucible 3 Internal space of crucible 1 5 Partition wall
3a raw material chamber 3b film forming chamber 6 lid 7 base 8 hearth 9 furnace wall 10 heater
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相原 靖文 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yasufumi Aihara 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Japan Insulator Co., Ltd.
Claims (4)
のセラミックス原料の蒸気を基体上に堆積させることに
よって多結晶セラミックス膜を得ることを特徴とする、
多結晶セラミックス膜の製造方法。A ceramic material is heated and vaporized, and a vapor of the ceramic material is deposited on a substrate to obtain a polycrystalline ceramic film.
A method for producing a polycrystalline ceramic film.
あることを特徴とする、請求項１記載の多結晶セラミッ
クス膜の製造方法。2. The method for manufacturing a polycrystalline ceramic film according to claim 1, wherein said polycrystalline ceramic film is a silicon carbide film.
して、セラミックス原料を加熱して気化させ、このセラ
ミックス原料の蒸気を、目的形状の型上に堆積させるこ
とによって多結晶セラミックス膜を得、次いで前記型を
除去することを特徴とする、多結晶セラミックス部材の
製造方法。3. In producing a polycrystalline ceramic member, a ceramic raw material is heated and vaporized, and a vapor of the ceramic raw material is deposited on a mold having a desired shape to obtain a polycrystalline ceramic film. A method for producing a polycrystalline ceramic member, comprising removing a mold.
あることを特徴とする、請求項３記載の多結晶セラミッ
クス部材の製造方法。4. The method for manufacturing a polycrystalline ceramic member according to claim 3, wherein said polycrystalline ceramic member is silicon carbide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19734996A JP3813664B2 (en) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Method for producing polycrystalline ceramic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19734996A JP3813664B2 (en) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Method for producing polycrystalline ceramic film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036183A true JPH1036183A (en) | 1998-02-10 |
| JP3813664B2 JP3813664B2 (en) | 2006-08-23 |
Family
ID=16373013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19734996A Expired - Fee Related JP3813664B2 (en) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Method for producing polycrystalline ceramic film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3813664B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531819A (en) * | 2004-03-22 | 2007-11-08 | イーストマン コダック カンパニー | Vaporization of fluidized organic materials |
| WO2008032666A1 (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Ulvac, Inc. | Vacuum evaporation processing equipment |
| WO2008032668A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-20 | Ulvac, Inc. | Vacuum evaporation processing equipment |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19734996A patent/JP3813664B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007531819A (en) * | 2004-03-22 | 2007-11-08 | イーストマン コダック カンパニー | Vaporization of fluidized organic materials |
| WO2008032668A1 (en) * | 2006-09-11 | 2008-03-20 | Ulvac, Inc. | Vacuum evaporation processing equipment |
| US8375891B2 (en) | 2006-09-11 | 2013-02-19 | Ulvac, Inc. | Vacuum vapor processing apparatus |
| JP5159629B2 (en) * | 2006-09-11 | 2013-03-06 | 株式会社アルバック | Vacuum steam processing equipment |
| WO2008032666A1 (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Ulvac, Inc. | Vacuum evaporation processing equipment |
| JPWO2008032666A1 (en) * | 2006-09-14 | 2010-01-28 | 株式会社アルバック | Vacuum steam processing equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3813664B2 (en) | 2006-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3165685B2 (en) | Sublimation growth of silicon carbide single crystal | |
| US4741925A (en) | Method of forming silicon nitride coating | |
| KR20140110266A (en) | An apparatus and method for growing silicon carbide single crystal | |
| US4717693A (en) | Process for producing beta silicon nitride fibers | |
| US3560364A (en) | Method for preparing thin unsupported films of silicon nitride | |
| JPH1036183A (en) | Production of polycrystal ceramic membrane and polycrystal ceramic member | |
| JPH11209198A (en) | Synthesis of silicon carbide single crystal | |
| JP3586870B2 (en) | Oriented thin film forming substrate and method for producing the same | |
| CN116324051A (en) | Method for growing single crystals | |
| JP4309509B2 (en) | Method for producing crucible for single crystal growth comprising pyrolytic graphite | |
| JP4053125B2 (en) | Method for synthesizing SiC single crystal | |
| JP4216491B2 (en) | α-SiC Wafer Manufacturing Method | |
| JPH0247258A (en) | Evaporation source for forming thin film | |
| JP3769065B2 (en) | Zirconia-coated member, manufacturing method thereof, manufacturing apparatus thereof, and turbine member | |
| JPH0693453A (en) | Susceptor | |
| JPH04362017A (en) | Formation of oriented ta2o5 thin film | |
| JPS6236089A (en) | Manufacture of ceramic product | |
| JP3553744B2 (en) | Manufacturing method of laminated member | |
| JP2000216090A (en) | Manufacture of polycrystalline semiconductor device | |
| CN108893723B (en) | Method for rapidly preparing ultrathin ceramic wafer | |
| JP2543754Y2 (en) | Artificial diamond deposition equipment | |
| JPH04300291A (en) | Method for preparing diamond film | |
| JPH0776090B2 (en) | Method for manufacturing zirconia thin film | |
| SU1490167A1 (en) | Method of producing niobium dioxide films | |
| JPH064520B2 (en) | Manufacturing method of oxide thin film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060320 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060509 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060601 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140609 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |