JPH1036138A - 光ファイバの製造方法および光ファイバ - Google Patents
光ファイバの製造方法および光ファイバInfo
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- JPH1036138A JPH1036138A JP19714196A JP19714196A JPH1036138A JP H1036138 A JPH1036138 A JP H1036138A JP 19714196 A JP19714196 A JP 19714196A JP 19714196 A JP19714196 A JP 19714196A JP H1036138 A JPH1036138 A JP H1036138A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーリー散乱光の発生を抑制してビート雑音
の低減を図ること。 【解決手段】 クラッドに対してコアの屈折率を高める
ため一の添加材料を添加するとともに、コアでの励起光
による反転分布の形成のため他の添加材料を添加する光
ファイバの製造方法および光ファイバであり、コア内を
伝搬する光の反射率を予め設定した値（例えば−４８ｄ
Ｂ）以下にするにあたり、コア内を伝搬する光の単位長
さ当たりの吸収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差
との関係に基づいて、一の添加材料および他の添加材料
の添加量を設定する。
の低減を図ること。 【解決手段】 クラッドに対してコアの屈折率を高める
ため一の添加材料を添加するとともに、コアでの励起光
による反転分布の形成のため他の添加材料を添加する光
ファイバの製造方法および光ファイバであり、コア内を
伝搬する光の反射率を予め設定した値（例えば−４８ｄ
Ｂ）以下にするにあたり、コア内を伝搬する光の単位長
さ当たりの吸収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差
との関係に基づいて、一の添加材料および他の添加材料
の添加量を設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、励起光によってコ
アに反転分布を形成し、信号光を増幅する光ファイバの
製造方法に関する。
アに反転分布を形成し、信号光を増幅する光ファイバの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エルビウムドープ光ファイバ増幅器（以
下、ＥＤＦＡと言う。）は、エルビウムを添加した光フ
ァイバを利用した光増幅器であり、励起光によってコア
に反転分布を形成し、伝搬する信号光の誘導放出によっ
て光増幅を行うものである。
下、ＥＤＦＡと言う。）は、エルビウムを添加した光フ
ァイバを利用した光増幅器であり、励起光によってコア
に反転分布を形成し、伝搬する信号光の誘導放出によっ
て光増幅を行うものである。
【０００３】従来、ＥＤＦＡに使用されるエルビウム添
加光ファイバ（以下、ＥＤＦと言う。）の内部において
は、発生するレーリー散乱による反射光が、ＥＤＦＡお
よびシステムの雑音特性を劣化させていること、また、
ＥＤＦ内部において発生するレーリー散乱光の発光量は
ＥＤＦの構造および構造に関わる光ファイバパラメータ
に大きく依存していることが明らかにされている（F.W.
Willems and J.C vander Plaats,OAA'93,MD13pp.198-20
1(1993)参照）。
加光ファイバ（以下、ＥＤＦと言う。）の内部において
は、発生するレーリー散乱による反射光が、ＥＤＦＡお
よびシステムの雑音特性を劣化させていること、また、
ＥＤＦ内部において発生するレーリー散乱光の発光量は
ＥＤＦの構造および構造に関わる光ファイバパラメータ
に大きく依存していることが明らかにされている（F.W.
Willems and J.C vander Plaats,OAA'93,MD13pp.198-20
1(1993)参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光ファイバにおいて、レーリー散乱光を抑制し雑音
特性を劣化させない製造条件についての最適化が成され
ておらず、光ファイバ増幅器で使用される場合、その光
ファイバ内で増幅される信号光により発生する後方レー
リー散乱光が増幅し、もう一度後方レーリー散乱（ダブ
ルレーリー散乱光）を発生させて信号光との干渉を起こ
し、ビート雑音を発生させるという問題が生じている。
うな光ファイバにおいて、レーリー散乱光を抑制し雑音
特性を劣化させない製造条件についての最適化が成され
ておらず、光ファイバ増幅器で使用される場合、その光
ファイバ内で増幅される信号光により発生する後方レー
リー散乱光が増幅し、もう一度後方レーリー散乱（ダブ
ルレーリー散乱光）を発生させて信号光との干渉を起こ
し、ビート雑音を発生させるという問題が生じている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された光ファイバの製造方法であ
る。すなわち、本発明は、クラッドに対してコアの屈折
率を高めるため一の添加材料を添加するとともに、コア
での励起光による反転分布の形成のため他の添加材料を
添加する光ファイバの製造方法であり、コア内を伝搬す
る光の反射率を予め設定した一定の値以下にするにあた
り、コア内を伝搬する光の吸収損失と、クラッドとコア
との比屈折率差との関係に基づいて、一の添加材料およ
び他の添加材料の添加量を設定する方法である。
を解決するために成された光ファイバの製造方法であ
る。すなわち、本発明は、クラッドに対してコアの屈折
率を高めるため一の添加材料を添加するとともに、コア
での励起光による反転分布の形成のため他の添加材料を
添加する光ファイバの製造方法であり、コア内を伝搬す
る光の反射率を予め設定した一定の値以下にするにあた
り、コア内を伝搬する光の吸収損失と、クラッドとコア
との比屈折率差との関係に基づいて、一の添加材料およ
び他の添加材料の添加量を設定する方法である。
【０００６】また、本発明は、コア内を伝搬する光の反
射率を予め設定した一定の値以下とし、一の添加材料の
添加量と他の添加材料の添加量とをコア内を伝搬する光
の吸収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差との関係
に基づく量に設定してある光ファイバでもある。
射率を予め設定した一定の値以下とし、一の添加材料の
添加量と他の添加材料の添加量とをコア内を伝搬する光
の吸収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差との関係
に基づく量に設定してある光ファイバでもある。
【０００７】このように、一の添加材料および他の添加
材料の添加量を、予め設定した反射率以下となるよう吸
収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差との関係に基
づいて設定することで、レーリー散乱光の発生の抑制
と、信号光の効率の良い伝搬との両方を満たす光ファイ
バを構成できるとともに、このような光ファイバを定量
的に製造できるようになる。
材料の添加量を、予め設定した反射率以下となるよう吸
収損失と、クラッドとコアとの比屈折率差との関係に基
づいて設定することで、レーリー散乱光の発生の抑制
と、信号光の効率の良い伝搬との両方を満たす光ファイ
バを構成できるとともに、このような光ファイバを定量
的に製造できるようになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光ファイバの製
造方法および光ファイバにおける実施の形態を図に基づ
いて説明する。図１は本発明の光ファイバの製造方法に
おける実施形態を説明する図、図２はＥＤＦＡの構成
図、図３は光ファイバの構造と屈折率差を示す図、図４
は反射率と相対強度雑音との関係を示す図である。
造方法および光ファイバにおける実施の形態を図に基づ
いて説明する。図１は本発明の光ファイバの製造方法に
おける実施形態を説明する図、図２はＥＤＦＡの構成
図、図３は光ファイバの構造と屈折率差を示す図、図４
は反射率と相対強度雑音との関係を示す図である。
【０００９】本実施形態における光ファイバの製造方法
および光ファイバは、レーリー散乱を抑制して信号光と
の干渉によるビート雑音を低減できる製造条件の最適化
を図った点に特徴がある。先ず、ＥＤＦが適用されるＥ
ＤＦＡについて説明する。図２に示すように、ＥＤＦＡ
１は、入力端Ｉから入射される信号光と、励起光源３か
らの励起光とを合波する合波器４と、ＥＤＦＡ１の外部
からの反射光による特性劣化を防止するための光アイソ
レータ２、５と、合波器４と光アイソレータ５との間に
配置されるＥＤＦ１０と、増幅した信号光を出力する出
力端Ｏとから構成される。
および光ファイバは、レーリー散乱を抑制して信号光と
の干渉によるビート雑音を低減できる製造条件の最適化
を図った点に特徴がある。先ず、ＥＤＦが適用されるＥ
ＤＦＡについて説明する。図２に示すように、ＥＤＦＡ
１は、入力端Ｉから入射される信号光と、励起光源３か
らの励起光とを合波する合波器４と、ＥＤＦＡ１の外部
からの反射光による特性劣化を防止するための光アイソ
レータ２、５と、合波器４と光アイソレータ５との間に
配置されるＥＤＦ１０と、増幅した信号光を出力する出
力端Ｏとから構成される。
【００１０】図３に示すように、ＥＤＦ１０は、ＳｉＯ
2 から成るクラッド１１と、ＳｉＯ 2 にＧｅＯ2 とＥｒ
3+（エルビウム）と、Ｅｒ3+を添加するためにＡｌ2 Ｏ
3 とが添加されて成るコア１２とから構成されている。
コア１２にＧｅＯ2 を添加することでクラッド１１との
屈折率差を設け、またＥｒ3+をＡｌ2 Ｏ3 とともに添加
することで励起光による反転分布を形成できるようにし
ている。なお、コア１２とクラッド１１との比屈折率差
を設定する際、コア１２へＧｅＯ2 を添加するとともに
クラッド１１へフッ素を添加して調整を行ってもよい。
2 から成るクラッド１１と、ＳｉＯ 2 にＧｅＯ2 とＥｒ
3+（エルビウム）と、Ｅｒ3+を添加するためにＡｌ2 Ｏ
3 とが添加されて成るコア１２とから構成されている。
コア１２にＧｅＯ2 を添加することでクラッド１１との
屈折率差を設け、またＥｒ3+をＡｌ2 Ｏ3 とともに添加
することで励起光による反転分布を形成できるようにし
ている。なお、コア１２とクラッド１１との比屈折率差
を設定する際、コア１２へＧｅＯ2 を添加するとともに
クラッド１１へフッ素を添加して調整を行ってもよい。
【００１１】このようなＥＤＦ１０においては、反射率
が大きくなるに伴い相対強度雑音（ＲＩＮ：Ｒｅｌａｔ
ｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏｉｓｅ）が大きくな
る。図４は、横軸にＥＤＦの反射率、縦軸に相対強度雑
音ＲＩＮを示したものである。この反射率の低減を図っ
たＥＤＦを図２に示すＥＤＦＡ１で利用することによ
り、ビート雑音の低減を図ることが可能となる。
が大きくなるに伴い相対強度雑音（ＲＩＮ：Ｒｅｌａｔ
ｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ Ｎｏｉｓｅ）が大きくな
る。図４は、横軸にＥＤＦの反射率、縦軸に相対強度雑
音ＲＩＮを示したものである。この反射率の低減を図っ
たＥＤＦを図２に示すＥＤＦＡ１で利用することによ
り、ビート雑音の低減を図ることが可能となる。
【００１２】したがって、ＥＤＦ１０を製造する場合に
は、この反射率を所定値以下に抑制するたにあたり、Ｅ
ＤＦＡ１の利用形態に適したクラッド１１とコア１２と
の比屈折率差および単位長さ当たりの吸収損失を得るた
め、各種添加材料の量を制御することが必要となる。
は、この反射率を所定値以下に抑制するたにあたり、Ｅ
ＤＦＡ１の利用形態に適したクラッド１１とコア１２と
の比屈折率差および単位長さ当たりの吸収損失を得るた
め、各種添加材料の量を制御することが必要となる。
【００１３】ここで、単位長さ当たりのレーリー散乱損
失αR は（１）式のようになる。
失αR は（１）式のようになる。
【００１４】
【数１】
【００１５】（１）式において、ＫR は添加材質に依存
する定数であるが、Ａｌ添加濃度に大きく依存し、２％
以下のＡｌ濃度に対しては７０、６％程度のＡｌ濃度に
対しては１２５程度である。またλは信号光波長であ
り、Δは比屈折率差である。
する定数であるが、Ａｌ添加濃度に大きく依存し、２％
以下のＡｌ濃度に対しては７０、６％程度のＡｌ濃度に
対しては１２５程度である。またλは信号光波長であ
り、Δは比屈折率差である。
【００１６】また、長さＬのＥＤＦ全体における反射率
Ｒeqは、通常の光ファイバと同様に（２）式で表され
る。
Ｒeqは、通常の光ファイバと同様に（２）式で表され
る。
【００１７】
【数２】
【００１８】（２）式において、Ｓ（＝３（Ｗｋｎ）-2
／２）は光ファイバのコア内に捕獲されるレーリー散乱
光の割合であり、αは単位長さ当たりの伝搬損失であ
る。また、Ｗはスポットサイズ、ｋは波数、ｎはコアの
屈折率である。（１）式および（２）式から、ＫR の大
きいすなわちＡｌ添加濃度の高いＥＤＦほど反射率Ｒeq
が大きくなることが分かる。
／２）は光ファイバのコア内に捕獲されるレーリー散乱
光の割合であり、αは単位長さ当たりの伝搬損失であ
る。また、Ｗはスポットサイズ、ｋは波数、ｎはコアの
屈折率である。（１）式および（２）式から、ＫR の大
きいすなわちＡｌ添加濃度の高いＥＤＦほど反射率Ｒeq
が大きくなることが分かる。
【００１９】このようなことから、本実施形態では図１
に示すような条件に基づいて光ファイバを製造すること
で、レーリー散乱の抑制とともに、図２に示すＥＤＦＡ
１での利用に適合させることが可能となる。
に示すような条件に基づいて光ファイバを製造すること
で、レーリー散乱の抑制とともに、図２に示すＥＤＦＡ
１での利用に適合させることが可能となる。
【００２０】すなわち、図１（ａ）においては、飽和出
力が＋２０ｄＢｍ、全吸収損が７０ｄＢ、スポットサイ
ズが２μｍ、αが０．３５ｄＢ／ｋｍ、ＥＤＦ１０（図
１参照）のコア１２（図３参照）を形成するために添加
するＡｌの濃度が２％以下の場合における、単位長さ当
たり吸収損失と比屈折率との関係を、反射率をパラメー
タとして示したものである。
力が＋２０ｄＢｍ、全吸収損が７０ｄＢ、スポットサイ
ズが２μｍ、αが０．３５ｄＢ／ｋｍ、ＥＤＦ１０（図
１参照）のコア１２（図３参照）を形成するために添加
するＡｌの濃度が２％以下の場合における、単位長さ当
たり吸収損失と比屈折率との関係を、反射率をパラメー
タとして示したものである。
【００２１】図１（ａ）より、ＥＤＦ１０の反射率を低
減するためにはＥＤＦ１０の単位長さ当たりの吸収損失
が大きく、比屈折率差を小さくすればよいことが分か
る。しかし、Ａｌの濃度を低く、かつＥＤＦの吸収損失
を大きく（Ｅｒの濃度を高く）すると濃度消光によって
利得効率が低下してしまう。さらに、比屈折率を小さく
した場合には、ＥＤＦ１０内での励起光のパワー密度が
小さくなるため利得効率の低下を招く。
減するためにはＥＤＦ１０の単位長さ当たりの吸収損失
が大きく、比屈折率差を小さくすればよいことが分か
る。しかし、Ａｌの濃度を低く、かつＥＤＦの吸収損失
を大きく（Ｅｒの濃度を高く）すると濃度消光によって
利得効率が低下してしまう。さらに、比屈折率を小さく
した場合には、ＥＤＦ１０内での励起光のパワー密度が
小さくなるため利得効率の低下を招く。
【００２２】そこで、本実施形態では、光ファイバの反
射率を例えば−４８ｄＢ以下にして製造するにあたり、
比屈折率差が１．５％以上、単位長さ当たりの吸収損失
が３．５ｄＢ／ｍ以下となる図中斜線領域に入るよう、
ＧｅＯ2 やエルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を
設定する。
射率を例えば−４８ｄＢ以下にして製造するにあたり、
比屈折率差が１．５％以上、単位長さ当たりの吸収損失
が３．５ｄＢ／ｍ以下となる図中斜線領域に入るよう、
ＧｅＯ2 やエルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量を
設定する。
【００２３】例えば、光ファイバの反射率を−４８ｄＢ
以下に設定したとすると、比屈折率差を１．５％以上に
するためＧｅＯ2 を１５０００重量ｐｐｍ以上とし、単
位長さ当たりの吸収損失を３．５ｄＢ／ｍ以下にするた
めＡｌ2 Ｏ3 を２％、エルビウム（Ｅｒ）を１０００重
量ｐｐｍ以下にする。
以下に設定したとすると、比屈折率差を１．５％以上に
するためＧｅＯ2 を１５０００重量ｐｐｍ以上とし、単
位長さ当たりの吸収損失を３．５ｄＢ／ｍ以下にするた
めＡｌ2 Ｏ3 を２％、エルビウム（Ｅｒ）を１０００重
量ｐｐｍ以下にする。
【００２４】一例として、光ファイバの反射率を−４８
ｄＢ以下に設定する場合、ＧｅＯ2を３００００重量ｐ
ｐｍ、Ａｌ2 Ｏ3 を２％、エルビウム（Ｅｒ）を８００
重量ｐｐｍ添加する。
ｄＢ以下に設定する場合、ＧｅＯ2を３００００重量ｐ
ｐｍ、Ａｌ2 Ｏ3 を２％、エルビウム（Ｅｒ）を８００
重量ｐｐｍ添加する。
【００２５】これにより、光ファイバとしての伝搬特性
を損なうことなく、ダブルレーリー散乱光を抑制してＥ
ＤＦＡ１におけるビート雑音の低減を図ることができる
ようになる。
を損なうことなく、ダブルレーリー散乱光を抑制してＥ
ＤＦＡ１におけるビート雑音の低減を図ることができる
ようになる。
【００２６】また、図１（ｂ）においては、飽和出力が
＋２０ｄＢｍ、全吸収損が７０ｄＢ、スポットサイズが
２μｍ、αが０．３５ｄＢ／ｋｍ、ＥＤＦ１０（図１参
照）のコア１２（図３参照）を形成するために添加する
Ａｌの濃度が４〜６％の場合における、単位長さ当たり
吸収損失と比屈折率との関係を、反射率をパラメータと
して示したものである。
＋２０ｄＢｍ、全吸収損が７０ｄＢ、スポットサイズが
２μｍ、αが０．３５ｄＢ／ｋｍ、ＥＤＦ１０（図１参
照）のコア１２（図３参照）を形成するために添加する
Ａｌの濃度が４〜６％の場合における、単位長さ当たり
吸収損失と比屈折率との関係を、反射率をパラメータと
して示したものである。
【００２７】この例では、光ファイバの反射率を例えば
−４８ｄＢ以下にして製造するにあたり、比屈折率差が
１．５％以上、単位長さ当たりの吸収損失が５．０ｄＢ
／ｍ以下となる図中斜線領域に入るよう、ＧｅＯ2 やエ
ルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ2 Ｏ 3 の添加量を設定する。
−４８ｄＢ以下にして製造するにあたり、比屈折率差が
１．５％以上、単位長さ当たりの吸収損失が５．０ｄＢ
／ｍ以下となる図中斜線領域に入るよう、ＧｅＯ2 やエ
ルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ2 Ｏ 3 の添加量を設定する。
【００２８】例えば、光ファイバの反射率を−４８ｄＢ
以下に設定したとすると、比屈折率差を１．５％以上に
するためＧｅＯ2 を１５０００重量ｐｐｍ以上とし、単
位長さ当たりの吸収損失を５．０ｄＢ／ｍ以下にするた
めＡｌ2 Ｏ3 を５％、エルビウム（Ｅｒ）を１５００重
量ｐｐｍ以下にする。
以下に設定したとすると、比屈折率差を１．５％以上に
するためＧｅＯ2 を１５０００重量ｐｐｍ以上とし、単
位長さ当たりの吸収損失を５．０ｄＢ／ｍ以下にするた
めＡｌ2 Ｏ3 を５％、エルビウム（Ｅｒ）を１５００重
量ｐｐｍ以下にする。
【００２９】一例として、光ファイバの反射率を−４８
ｄＢ以下に設定する場合、ＧｅＯ2を３００００重量ｐ
ｐｍ、Ａｌ2 Ｏ3 を５％、エルビウム（Ｅｒ）を１２０
０重量ｐｐｍ添加する。
ｄＢ以下に設定する場合、ＧｅＯ2を３００００重量ｐ
ｐｍ、Ａｌ2 Ｏ3 を５％、エルビウム（Ｅｒ）を１２０
０重量ｐｐｍ添加する。
【００３０】このように、反射率を所定値以下に抑制す
る際、比屈折率差、単位長さ当たりの吸収損失が図中斜
線領域に入るようＧｅＯ2 やエルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ
2 Ｏ 3 の添加量を設定することで、光ファイバとしての
伝搬特性を損なうことなく、ダブルレーリー散乱光を抑
制してＥＤＦＡ１におけるビート雑音の低減を図ること
ができるようになる。
る際、比屈折率差、単位長さ当たりの吸収損失が図中斜
線領域に入るようＧｅＯ2 やエルビウム（Ｅｒ）、Ａｌ
2 Ｏ 3 の添加量を設定することで、光ファイバとしての
伝搬特性を損なうことなく、ダブルレーリー散乱光を抑
制してＥＤＦＡ１におけるビート雑音の低減を図ること
ができるようになる。
【００３１】なお、本実施形態では、コア１２を構成す
るための添加材料としてＧｅＯ2 やＥｒ3+（エルビウ
ム）、またＥｒ3+を添加するためにＡｌ2 Ｏ3 を用いた
例を示したが、本発明はこれらの材料に限定されること
はない。また、Ａｌ添加濃度として２％以下の場合と、
４〜６％の場合とを例として説明したが、これ以外の濃
度であっても同様な考え方で添加材料の添加量の設定を
行えばよい。
るための添加材料としてＧｅＯ2 やＥｒ3+（エルビウ
ム）、またＥｒ3+を添加するためにＡｌ2 Ｏ3 を用いた
例を示したが、本発明はこれらの材料に限定されること
はない。また、Ａｌ添加濃度として２％以下の場合と、
４〜６％の場合とを例として説明したが、これ以外の濃
度であっても同様な考え方で添加材料の添加量の設定を
行えばよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ファイ
バの製造方法および光ファイバによれば次のような効果
がある。すなわち、本発明では、信号光の伝搬特性を損
なうことなくレーリー散乱の発生を抑制できる光ファイ
バを定量的に製造することができ、この光ファイバを光
ファイバ増幅器で使用することで、ビート雑音の抑制お
よび増幅特性の向上を図ることが可能となる。
バの製造方法および光ファイバによれば次のような効果
がある。すなわち、本発明では、信号光の伝搬特性を損
なうことなくレーリー散乱の発生を抑制できる光ファイ
バを定量的に製造することができ、この光ファイバを光
ファイバ増幅器で使用することで、ビート雑音の抑制お
よび増幅特性の向上を図ることが可能となる。
【図１】本実施形態を説明する図で、（ａ）はＡｌ添加
濃度が２％以下の場合、（ｂ）はＡｌ添加濃度が４〜６
％の場合である。
濃度が２％以下の場合、（ｂ）はＡｌ添加濃度が４〜６
％の場合である。
【図２】ＥＤＦＡの構成図である。
【図３】光ファイバの構造と屈折率差を示す図である。
【図４】反射率と相対強度雑音との関係を示す図であ
る。
る。
１ ＥＤＦＡ ２、５ 光アイソレータ ３ 励起光源 ４ 合波器 １０ ＥＤＦ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 朗 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 (72)発明者 酒井 哲弥 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内
Claims (14)
- 【請求項１】 クラッドに対してコアの屈折率を高める
ため一の添加材料を添加するとともに、該コアでの励起
光による反転分布の形成のため他の添加材料を添加する
光ファイバの製造方法であって、 前記コア内を伝搬する光の反射率を予め設定した一定の
値以下にするにあたり、該コア内を伝搬する光の吸収損
失と、前記クラッドと該コアとの比屈折率差との関係に
基づいて、前記一の添加材料の添加量と前記他の添加材
料の添加量とを設定することを特徴とする光ファイバの
製造方法。 - 【請求項２】 前記反射率が−４８ｄＢ以下、前記光の
吸収損失が５ｄＢ／ｍ以下、前記比屈折率差が１．５％
以上となるよう前記一の添加材料の添加量と前記他の添
加材料の添加量とを設定することを特徴とする請求項１
記載の光ファイバの製造方法。 - 【請求項３】 前記一の添加材料として酸化ゲルマニウ
ムを含み、前記他の添加材料として酸化アルミニウムお
よびエルビウムを含むことを特徴とする請求項１記載の
光ファイバの製造方法。 - 【請求項４】 前記反射率を−４８ｄＢ以下に設定した
場合、前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムを１５
０００重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化ア
ルミニウムを２％、エルビウムを１０００重量ｐｐｍ以
下に設定することを特徴とする請求項３記載の光ファイ
バの製造方法。 - 【請求項５】 前記反射率を−４８ｄＢ以下に設定した
場合、前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムを１５
０００重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化ア
ルミニウムを５％、エルビウムを１５００重量ｐｐｍ以
下に設定することを特徴とする請求項３記載の光ファイ
バの製造方法。 - 【請求項６】 前記反射率を−４８ｄＢ以下に設定した
場合、前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムを３０
０００重量ｐｐｍ、前記他の添加材料として酸化アルミ
ニウムを２％、エルビウムを８００重量ｐｐｍに設定す
ることを特徴とする請求項４記載の光ファイバの製造方
法。 - 【請求項７】 前記反射率を−４８ｄＢ以下に設定した
場合、前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムを３０
０００重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化ア
ルミニウムを５％、エルビウムを１２００重量ｐｐｍに
設定することを特徴とする請求項５記載の光ファイバの
製造方法。 - 【請求項８】 クラッドに対してコアの屈折率を高める
ため一の添加材料が添加され、該コアでの励起光による
反転分布を形成するため他の添加材料が添加されている
光ファイバであって、 前記コア内を伝搬する光の反射率が予め設定した一定の
値以下となっており、前記一の添加材料の添加量と前記
他の添加材料の添加量とが該コア内を伝搬する光の吸収
損失と、前記クラッドと該コアとの比屈折率差との関係
に基づく量となっていることを特徴とする光ファイバ。 - 【請求項９】 前記反射率が−４８ｄＢ以下、前記光の
吸収損失が５ｄＢ／ｍ以下、前記比屈折率差が１．５％
以上となるよう前記一の添加材料の添加量と前記他の添
加材料の添加量とが設定されていることを特徴とする請
求項８記載の光ファイバの製造方法。 - 【請求項１０】 前記一の添加材料として酸化ゲルマニ
ウムを含み、前記他の添加材料として酸化アルミニウム
およびエルビウムを含むことを特徴とする請求項８記載
の光ファイバ。 - 【請求項１１】 前記反射率が−４８ｄＢ以下であり、
前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムが１５０００
重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化アルミニ
ウムが２％、エルビウムが１０００重量ｐｐｍ以下とな
っていることを特徴とする請求項１０記載の光ファイ
バ。 - 【請求項１２】 前記反射率を−４８ｄＢ以下であり、
前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムが１５０００
重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化アルミニ
ウムが５％、エルビウムが１５００重量ｐｐｍ以下とな
っていることを特徴とする請求項１０記載の光ファイ
バ。 - 【請求項１３】 前記反射率を−４８ｄＢ以下であり、
前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムが３００００
重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化アルミニ
ウムが２％、エルビウムが８００重量ｐｐｍとなってい
ることを特徴とする請求項１１記載の光ファイバ。 - 【請求項１４】 前記反射率を−４８ｄＢ以下であり、
前記一の添加材料として酸化ゲルマニウムが３００００
重量ｐｐｍ以上、前記他の添加材料として酸化アルミニ
ウムが５％、エルビウムが１２００重量ｐｐｍとなって
いることを特徴とする請求項１２記載の光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19714196A JPH1036138A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 光ファイバの製造方法および光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19714196A JPH1036138A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 光ファイバの製造方法および光ファイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036138A true JPH1036138A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16369449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19714196A Pending JPH1036138A (ja) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | 光ファイバの製造方法および光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1036138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015226057A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-14 | パッドテック エス．エー．Ｐａｄｔｅｃ Ｓ．Ａ． | 光増幅器及び関連する方法 |
-
1996
- 1996-07-26 JP JP19714196A patent/JPH1036138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015226057A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-14 | パッドテック エス．エー．Ｐａｄｔｅｃ Ｓ．Ａ． | 光増幅器及び関連する方法 |
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