JPH10341061A - 半導体光増幅素子 - Google Patents
半導体光増幅素子Info
- Publication number
- JPH10341061A JPH10341061A JP15094997A JP15094997A JPH10341061A JP H10341061 A JPH10341061 A JP H10341061A JP 15094997 A JP15094997 A JP 15094997A JP 15094997 A JP15094997 A JP 15094997A JP H10341061 A JPH10341061 A JP H10341061A
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- light
- layer
- semiconductor optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光入射口と、この光入射口から入射して導波
する光を閉じ込めるテーパ状部分を有し、活性媒体にお
いて光を屈折率導波させる光増幅領域と、この領域で増
幅された光を出射させる光出射口とを備えてなる半導体
光増幅素子において、高出力発振時にも基本横モード制
御可能とする。 【解決手段】 導波光を閉じ込めるテーパ状部分の光導
波方向に沿った側端面に凹凸16ａを形成する。
する光を閉じ込めるテーパ状部分を有し、活性媒体にお
いて光を屈折率導波させる光増幅領域と、この領域で増
幅された光を出射させる光出射口とを備えてなる半導体
光増幅素子において、高出力発振時にも基本横モード制
御可能とする。 【解決手段】 導波光を閉じ込めるテーパ状部分の光導
波方向に沿った側端面に凹凸16ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性媒体において
光を屈折率導波させる光増幅領域を備えてなる半導体光
増幅素子に関するものである。
光を屈折率導波させる光増幅領域を備えてなる半導体光
増幅素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高出力で、基本横モード制御可能な光増
幅素子として、文献IEEE PhotonicsTechnology Letter
s,（フォトニクス・テクノロジー・レターズ) Vol.５ N
o.6(1993) pp.605〜608に記載されているように、１％
程度の低反射率コートが施された比較的狭い光入射口
と、この光入射口から入射して導波する光を閉じ込める
テーパ状部分を有し、活性媒体において光を屈折率導波
させる光増幅領域と、この領域で増幅された光を出射さ
せる、１％程度の低反射率コートが施された幅広い光出
射口とを備えてなる半導体光増幅素子が公知となってい
る。
幅素子として、文献IEEE PhotonicsTechnology Letter
s,（フォトニクス・テクノロジー・レターズ) Vol.５ N
o.6(1993) pp.605〜608に記載されているように、１％
程度の低反射率コートが施された比較的狭い光入射口
と、この光入射口から入射して導波する光を閉じ込める
テーパ状部分を有し、活性媒体において光を屈折率導波
させる光増幅領域と、この領域で増幅された光を出射さ
せる、１％程度の低反射率コートが施された幅広い光出
射口とを備えてなる半導体光増幅素子が公知となってい
る。
【０００３】この半導体光増幅素子においては、光入射
口に連続する光導波路部分が屈折率導波により、横モー
ドを基本横モードに制御する機構とされ、そしてこの光
導波路の両側には、光入射口以外から光が侵入すること
を防ぐために、反射ミラーとなる溝が形成されている。
口に連続する光導波路部分が屈折率導波により、横モー
ドを基本横モードに制御する機構とされ、そしてこの光
導波路の両側には、光入射口以外から光が侵入すること
を防ぐために、反射ミラーとなる溝が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の半
導体光増幅素子においては、高出力領域まで横モードを
基本横モードに制御することが困難であるという問題が
あった。なお上記の文献では、５．４Ａの電流値で３．
５Ｗレベルの回折限界光に近いビームプロファイルが達
成されたことが報告されているが、４Ａ以上では電流対
光出力特性において光出力の飛びが観測されており、横
モードが不安定になってしまう。
導体光増幅素子においては、高出力領域まで横モードを
基本横モードに制御することが困難であるという問題が
あった。なお上記の文献では、５．４Ａの電流値で３．
５Ｗレベルの回折限界光に近いビームプロファイルが達
成されたことが報告されているが、４Ａ以上では電流対
光出力特性において光出力の飛びが観測されており、横
モードが不安定になってしまう。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、高出力時にも横モードを基本横モードに制御す
ることができる半導体光増幅素子を提供することを目的
とする。
であり、高出力時にも横モードを基本横モードに制御す
ることができる半導体光増幅素子を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体光増
幅素子は、前述したように、光入射口と、この光入射口
から入射して導波する光を閉じ込めるテーパ状部分を有
し、活性媒体において光を屈折率導波させる光増幅領域
と、この領域で増幅された光を出射させる光出射口とを
備えてなる半導体光増幅素子において、上記テーパ状部
分の光導波方向に沿った側端面に凹凸が形成されている
ことを特徴とするものである。
幅素子は、前述したように、光入射口と、この光入射口
から入射して導波する光を閉じ込めるテーパ状部分を有
し、活性媒体において光を屈折率導波させる光増幅領域
と、この領域で増幅された光を出射させる光出射口とを
備えてなる半導体光増幅素子において、上記テーパ状部
分の光導波方向に沿った側端面に凹凸が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０００７】なおこの半導体光増幅素子において、上記
の導波光を閉じ込めるテーパ状部分は、活性媒体を挟む
光導波層の外側に形成されたクラッド層がテーパ状に形
成されてなるものであってもよいし、上記光導波層がテ
ーパ状に形成されてなるものであってもよいし、さらに
は活性媒体そのものがテーパ状に形成されてなるもので
あってもよい。
の導波光を閉じ込めるテーパ状部分は、活性媒体を挟む
光導波層の外側に形成されたクラッド層がテーパ状に形
成されてなるものであってもよいし、上記光導波層がテ
ーパ状に形成されてなるものであってもよいし、さらに
は活性媒体そのものがテーパ状に形成されてなるもので
あってもよい。
【０００８】
【発明の効果】本発明者の研究によると、従来の半導体
光増幅素子において高出力領域まで基本横モード制御す
ることが困難であることの１つの原因は、光出射口から
光増幅領域への戻り光であることが判明した。
光増幅素子において高出力領域まで基本横モード制御す
ることが困難であることの１つの原因は、光出射口から
光増幅領域への戻り光であることが判明した。
【０００９】すなわち、この光出射口には反射防止膜が
コートされるものの、その実際の反射率はゼロではな
く、高出力状態ではこの端面からの戻り光が存在するこ
とと、またテーパ状の活性媒体の利得が非常に大きいた
めに、このテーパ状の活性媒体の側端面で反射する共振
モードが現われるようになる。そして、この共振モード
により基本横モードが乱されるため、高出力領域まで基
本横モードに制御することが困難になるのである。
コートされるものの、その実際の反射率はゼロではな
く、高出力状態ではこの端面からの戻り光が存在するこ
とと、またテーパ状の活性媒体の利得が非常に大きいた
めに、このテーパ状の活性媒体の側端面で反射する共振
モードが現われるようになる。そして、この共振モード
により基本横モードが乱されるため、高出力領域まで基
本横モードに制御することが困難になるのである。
【００１０】また上記従来の素子における問題は、別の
原因によって引き起こされることも判明した。つまりこ
の従来の素子においては、光入射口以外から光増幅領域
に光が入射することがあり、その場合は、この光によっ
て基本横モードが乱されてしまうのである。
原因によって引き起こされることも判明した。つまりこ
の従来の素子においては、光入射口以外から光増幅領域
に光が入射することがあり、その場合は、この光によっ
て基本横モードが乱されてしまうのである。
【００１１】それに対して本発明の半導体光増幅素子で
は、導波光を閉じ込めるテーパ状部分の光導波方向に沿
った側端面に凹凸が形成されているので、光増幅領域の
光出射口からの戻り光はこの側端面に到達するとそこで
散乱してロスし、戻り光の共振モードが生じることがな
くなる。また、光入射口以外から素子内に入射した光
も、上記側端面に到達するとそこで散乱するようにな
る。
は、導波光を閉じ込めるテーパ状部分の光導波方向に沿
った側端面に凹凸が形成されているので、光増幅領域の
光出射口からの戻り光はこの側端面に到達するとそこで
散乱してロスし、戻り光の共振モードが生じることがな
くなる。また、光入射口以外から素子内に入射した光
も、上記側端面に到達するとそこで散乱するようにな
る。
【００１２】以上のようにして本発明の半導体光増幅素
子においては、戻り光や外部侵入光によって基本横モー
ドが乱されることがなくなり、高出力領域まで基本横モ
ードに制御可能となる。
子においては、戻り光や外部侵入光によって基本横モー
ドが乱されることがなくなり、高出力領域まで基本横モ
ードに制御可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。まず図１、２、３および４
を参照して、本発明の第１実施形態による半導体光増幅
素子について説明する。図１はこの第１実施形態の素子
の平面形状を示し、図２、３および４はそれぞれ図１中
のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線およびＣ−Ｃ’線に沿った部
分の断面形状を示している。
施の形態を詳細に説明する。まず図１、２、３および４
を参照して、本発明の第１実施形態による半導体光増幅
素子について説明する。図１はこの第１実施形態の素子
の平面形状を示し、図２、３および４はそれぞれ図１中
のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線およびＣ−Ｃ’線に沿った部
分の断面形状を示している。
【００１４】この第１実施形態の半導体光増幅素子は、
ｎ−ＧａＡｓ基板11の上に順次積層されたｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層12、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
13、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層14、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層15、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層17を有している。そして、リッジ
状とされたクラッド層16およびキャップ層17の両側外方
には、ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層18とｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4選択埋め込み層19とが形成されている（０
≦z4≦１，x4≒0.49y4）。
ｎ−ＧａＡｓ基板11の上に順次積層されたｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層12、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
13、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層14、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層15、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層17を有している。そして、リッジ
状とされたクラッド層16およびキャップ層17の両側外方
には、ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層18とｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4選択埋め込み層19とが形成されている（０
≦z4≦１，x4≒0.49y4）。
【００１５】またキャップ層17および選択埋め込み層19
の上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層20が形成され、この
コンタクト層20の上には、平面視状態で選択埋め込み層
19とほぼ整合する領域に絶縁膜21が形成され、さらにそ
の上にｐ側電極22が設けられている。一方基板11の下に
は、ｎ側電極23が形成されている。なお図１中の５は、
選択埋め込み領域の平面形状を示している。
の上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層20が形成され、この
コンタクト層20の上には、平面視状態で選択埋め込み層
19とほぼ整合する領域に絶縁膜21が形成され、さらにそ
の上にｐ側電極22が設けられている。一方基板11の下に
は、ｎ側電極23が形成されている。なお図１中の５は、
選択埋め込み領域の平面形状を示している。
【００１６】以下、この半導体光増幅素子の作製方法を
説明しながら、その細部構造を説明する。まずｎ−Ｇａ
Ａｓ基板11の上に、ＭＯＣＶＤ成長によりｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1- x1Ａｓクラッド層12、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
13、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層14、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層15、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層17を積層する。その後通常のリソ
グラフィーにより、幅３〜５μｍ程度の一定幅の部分
と、そこから連続してテーパ形（末広がり形）に延びる
部分とからなるストライプ状に絶縁膜をパターニング
し、この絶縁膜をマスクとしてドライあるいはウェット
エッチングにより、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層
16およびｐ−ＧａＡｓキャップ層17を側外方側から途中
まで除去してリッジストライプを形成する。なお上記絶
縁膜は、テーパ形の部分では側縁部に全角が６°程度の
凹凸を有する形状とする。
説明しながら、その細部構造を説明する。まずｎ−Ｇａ
Ａｓ基板11の上に、ＭＯＣＶＤ成長によりｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1- x1Ａｓクラッド層12、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
13、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層14、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層15、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層17を積層する。その後通常のリソ
グラフィーにより、幅３〜５μｍ程度の一定幅の部分
と、そこから連続してテーパ形（末広がり形）に延びる
部分とからなるストライプ状に絶縁膜をパターニング
し、この絶縁膜をマスクとしてドライあるいはウェット
エッチングにより、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層
16およびｐ−ＧａＡｓキャップ層17を側外方側から途中
まで除去してリッジストライプを形成する。なお上記絶
縁膜は、テーパ形の部分では側縁部に全角が６°程度の
凹凸を有する形状とする。
【００１７】その後、上記絶縁膜をマスクとして、ｐ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層18、ｎ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層19の選択
埋め込みを行なう。ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4層18は、屈折率がｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ
クラッド層16より小さくなる組成とする。また、ｐ−Ａ
ｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16の残し厚は、ゼロから３
００ｎｍ程度で、リッジ構造の幅の狭いストライプ構造
の光導波路６で屈折率導波が達成できるような厚みとす
る。
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層18、ｎ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層19の選択
埋め込みを行なう。ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4層18は、屈折率がｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ
クラッド層16より小さくなる組成とする。また、ｐ−Ａ
ｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層16の残し厚は、ゼロから３
００ｎｍ程度で、リッジ構造の幅の狭いストライプ構造
の光導波路６で屈折率導波が達成できるような厚みとす
る。
【００１８】次に上記絶縁膜を取り除き、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層20の成長を行ない、その上に絶縁膜21を形
成する。次いで通常のリソグラフィーにより、凹凸を有
する末広がり状の光増幅領域１となるストライプを含む
リッジストライプ上の絶縁膜21を除去し、その上にｐ側
電極22を形成する。また基板11の下側には、ｎ側電極23
を形成する。そして素子の両端面には、反射率が１％程
度の反射防止コート２，２’を形成する。この反射防止
コート２が形成された方の素子端面の一部は光入射口３
となり、反射防止コート２’が形成された方の素子端面
の一部は光出射口４となる。
コンタクト層20の成長を行ない、その上に絶縁膜21を形
成する。次いで通常のリソグラフィーにより、凹凸を有
する末広がり状の光増幅領域１となるストライプを含む
リッジストライプ上の絶縁膜21を除去し、その上にｐ側
電極22を形成する。また基板11の下側には、ｎ側電極23
を形成する。そして素子の両端面には、反射率が１％程
度の反射防止コート２，２’を形成する。この反射防止
コート２が形成された方の素子端面の一部は光入射口３
となり、反射防止コート２’が形成された方の素子端面
の一部は光出射口４となる。
【００１９】上記構成の半導体光増幅素子においては、
例えばＤＦＢレーザ等から発せられた、基本単一モード
発振したレーザ光が光入射口３に入射せしめられる。こ
の光は光導波路６を導波し、電流注入されている該光導
波路６と末広がり状の光増幅領域１で単一横モードを保
ったまま、高出力のレーザ光に増幅される。この高出力
のレーザ光は、光出射口４から素子外に出射する。
例えばＤＦＢレーザ等から発せられた、基本単一モード
発振したレーザ光が光入射口３に入射せしめられる。こ
の光は光導波路６を導波し、電流注入されている該光導
波路６と末広がり状の光増幅領域１で単一横モードを保
ったまま、高出力のレーザ光に増幅される。この高出力
のレーザ光は、光出射口４から素子外に出射する。
【００２０】本素子においては、上記リッジストライプ
の形成時に、側縁部に前述の通りの凹凸を有する絶縁膜
をマスクとして使用しているため、クラッド層16のテー
パ状部分の光導波方向に沿った側端面に細かい凹凸16ａ
が形成されるようになる。このような凹凸16ａが形成さ
れていると、光出射口４の有る素子端面（反射防止コー
ト２’が形成された方の端面）からの戻り光はクラッド
層側端面に到達するとそこで散乱してロスする。また、
光入射口３以外から素子内に侵入した光も、上記凹凸16
ａに到達するとそこで散乱するようになる。
の形成時に、側縁部に前述の通りの凹凸を有する絶縁膜
をマスクとして使用しているため、クラッド層16のテー
パ状部分の光導波方向に沿った側端面に細かい凹凸16ａ
が形成されるようになる。このような凹凸16ａが形成さ
れていると、光出射口４の有る素子端面（反射防止コー
ト２’が形成された方の端面）からの戻り光はクラッド
層側端面に到達するとそこで散乱してロスする。また、
光入射口３以外から素子内に侵入した光も、上記凹凸16
ａに到達するとそこで散乱するようになる。
【００２１】そこで、これらの戻り光や外部からの侵入
光によって基本横モードが乱されることがなくなり、高
出力領域まで基本横モードを維持して、回折限界光を発
生できるようになる。
光によって基本横モードが乱されることがなくなり、高
出力領域まで基本横モードを維持して、回折限界光を発
生できるようになる。
【００２２】次に図５、６および７を参照して、本発明
の第２実施形態による半導体光増幅素子について説明す
る。図５はこの第２実施形態の素子の平面形状を示し、
図６および７はそれぞれ図５中のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ
線に沿った部分の断面形状を示している。
の第２実施形態による半導体光増幅素子について説明す
る。図５はこの第２実施形態の素子の平面形状を示し、
図６および７はそれぞれ図５中のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ
線に沿った部分の断面形状を示している。
【００２３】この第２実施形態の半導体光増幅素子は、
ｎ−ＧａＡｓ基板31の上に順次積層されたｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層32、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
33、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層34、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層35、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層38を有している。またリッジ状と
されたクラッド層37およびキャップ層38の両側方には、
ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4選択埋
め込み層39と、ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ
1-y4Ｐy4選択埋め込み層40とが形成されている（０≦z4
≦１，x4≒0.49y4）。キャップ層38および選択埋め込み
層40の上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層41が形成され、
このコンタクト層41の上には、平面視状態で選択埋め込
み層40とほぼ整合する領域に絶縁膜42が形成され、さら
にその上にｐ側電極43が設けられている。一方基板31の
下には、ｎ側電極44が形成されている。なお図５中の10
5は、選択埋め込み領域の平面形状を示している。
ｎ−ＧａＡｓ基板31の上に順次積層されたｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層32、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
33、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層34、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層35、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層38を有している。またリッジ状と
されたクラッド層37およびキャップ層38の両側方には、
ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4選択埋
め込み層39と、ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ
1-y4Ｐy4選択埋め込み層40とが形成されている（０≦z4
≦１，x4≒0.49y4）。キャップ層38および選択埋め込み
層40の上にはｐ−ＧａＡｓコンタクト層41が形成され、
このコンタクト層41の上には、平面視状態で選択埋め込
み層40とほぼ整合する領域に絶縁膜42が形成され、さら
にその上にｐ側電極43が設けられている。一方基板31の
下には、ｎ側電極44が形成されている。なお図５中の10
5は、選択埋め込み領域の平面形状を示している。
【００２４】以下、この半導体光増幅素子の作製方法を
説明しながら、その細部構造を説明する。まずｎ−Ｇａ
Ａｓ基板31の上に、ＭＯＣＶＤ成長によりｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層32、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
33、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層34、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層35、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層38を積層する。その後通常のリソ
ブラフィーにより、テーパ形（末広がり形）に延びるス
トライプ状に絶縁膜をパターニングし、この絶縁膜をマ
スクとしてドライあるいはウェットエッチングにより、
ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37およびｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層38を側外方側から途中まで除去してリッジ
ストライプを形成する。なお上記絶縁膜は、テーパ形の
部分では側縁部に全角が６°程度の凹凸を有する形状と
する。
説明しながら、その細部構造を説明する。まずｎ−Ｇａ
Ａｓ基板31の上に、ＭＯＣＶＤ成長によりｎ−Ａｌx1Ｇ
ａ1-x1Ａｓクラッド層32、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層
33、Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層34、Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ
光導波層35、ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37、ｐ
−ＧａＡｓキャップ層38を積層する。その後通常のリソ
ブラフィーにより、テーパ形（末広がり形）に延びるス
トライプ状に絶縁膜をパターニングし、この絶縁膜をマ
スクとしてドライあるいはウェットエッチングにより、
ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37およびｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層38を側外方側から途中まで除去してリッジ
ストライプを形成する。なお上記絶縁膜は、テーパ形の
部分では側縁部に全角が６°程度の凹凸を有する形状と
する。
【００２５】その後、上記絶縁膜をマスクとして、ｐ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層39、ｎ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層40の選択
埋め込みを行なう。ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4層39は、屈折率がｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ
クラッド層37より小さくなる組成とする。また、ｐ−Ａ
ｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37の残し厚は、ゼロから３
００ｎｍ程度で、光増幅領域101 で屈折率導波が達成で
きるような厚みとする。
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層39、ｎ−
Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4層40の選択
埋め込みを行なう。ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4
Ａｓ1-y4Ｐy4層39は、屈折率がｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓ
クラッド層37より小さくなる組成とする。また、ｐ−Ａ
ｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層37の残し厚は、ゼロから３
００ｎｍ程度で、光増幅領域101 で屈折率導波が達成で
きるような厚みとする。
【００２６】次に上記絶縁膜を取り除き、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層41の成長を行ない、その上に絶縁膜42を形
成する。次に通常のリソグラフィーにより、光増幅領域
101を構成するテーパ状ストライプ上の絶縁膜42を除去
し、その上にｐ側電極43を形成する。また基板31の下側
には、ｎ側電極44を形成する。
コンタクト層41の成長を行ない、その上に絶縁膜42を形
成する。次に通常のリソグラフィーにより、光増幅領域
101を構成するテーパ状ストライプ上の絶縁膜42を除去
し、その上にｐ側電極43を形成する。また基板31の下側
には、ｎ側電極44を形成する。
【００２７】なお素子の両端面には、反射率１％程度の
反射防止コート102 ，102 ’を形成する。この反射防止
コート102 が形成された方の素子端面の一部は光入射口
103となり、反射防止コート102 ’が形成された方の素
子端面の一部は光出射口104となる。
反射防止コート102 ，102 ’を形成する。この反射防止
コート102 が形成された方の素子端面の一部は光入射口
103となり、反射防止コート102 ’が形成された方の素
子端面の一部は光出射口104となる。
【００２８】上記構成の半導体光増幅素子においては、
例えばＤＦＢレーザ等から発せられた、基本単一モード
発振したレーザ光が光入射口103 に入射せしめられる。
この光は、電流注入されている末広がり状の光増幅領域
101 で単一横モードを保ったまま、高出力のレーザ光に
増幅される。この高出力のレーザ光は、光出射口104か
ら素子外に出射する。
例えばＤＦＢレーザ等から発せられた、基本単一モード
発振したレーザ光が光入射口103 に入射せしめられる。
この光は、電流注入されている末広がり状の光増幅領域
101 で単一横モードを保ったまま、高出力のレーザ光に
増幅される。この高出力のレーザ光は、光出射口104か
ら素子外に出射する。
【００２９】本素子においても、上記リッジストライプ
の形成時に、側縁部に前述の通りの凹凸を有する絶縁膜
をマスクとして使用しているため、クラッド層37のテー
パ状部分の光導波方向に沿った側端面に細かい凹凸37ａ
が形成されるようになる。このような凹凸37ａが形成さ
れているため、この場合も第１実施形態と同様にして、
光出射口104 の有る素子端面（反射防止コート102 ’が
形成された方の端面）からの戻り光や外部からの侵入光
によって基本横モードが乱されることがなくなり、高出
力領域まで基本横モードを維持して、回折限界光を発生
できるようになる。
の形成時に、側縁部に前述の通りの凹凸を有する絶縁膜
をマスクとして使用しているため、クラッド層37のテー
パ状部分の光導波方向に沿った側端面に細かい凹凸37ａ
が形成されるようになる。このような凹凸37ａが形成さ
れているため、この場合も第１実施形態と同様にして、
光出射口104 の有る素子端面（反射防止コート102 ’が
形成された方の端面）からの戻り光や外部からの侵入光
によって基本横モードが乱されることがなくなり、高出
力領域まで基本横モードを維持して、回折限界光を発生
できるようになる。
【００３０】なお、上記のように光増幅領域101 で増幅
される光は、リッジストライプ状に形成されたクラッド
層37がその両側方の選択埋め込み層39よりも屈折率が大
きい組成とされているため、ほぼこのクラッド層37のリ
ッジ幅内に閉じ込められる形で、活性層34を屈折率導波
する。
される光は、リッジストライプ状に形成されたクラッド
層37がその両側方の選択埋め込み層39よりも屈折率が大
きい組成とされているため、ほぼこのクラッド層37のリ
ッジ幅内に閉じ込められる形で、活性層34を屈折率導波
する。
【００３１】次に図８を参照して、本発明の第３実施形
態による半導体光増幅素子について説明する。図８はこ
の第３実施形態の素子の平面形状を示すものである。こ
の第３実施形態の素子の基本的な層構成は第１および第
２実施形態と同様である。
態による半導体光増幅素子について説明する。図８はこ
の第３実施形態の素子の平面形状を示すものである。こ
の第３実施形態の素子の基本的な層構成は第１および第
２実施形態と同様である。
【００３２】この第３実施形態による半導体光増幅素子
は、幅の狭いストライプの両側端部の一部あるいは全体
に凹凸が形成されてなり、選択埋め込み領域205 により
屈折率導波が可能になっている光導波路206 と、図１の
光増幅領域１と同様の光増幅領域201 とを有している。
また素子の両端面には、反射率が１％程度の反射防止コ
ート202 ，202 ’が形成されている。この反射防止コー
ト202 が形成された方の素子端面の一部は光入射口203
となり、反射防止コート202 ’が形成された方の素子端
面の一部は光出射口204 となる。
は、幅の狭いストライプの両側端部の一部あるいは全体
に凹凸が形成されてなり、選択埋め込み領域205 により
屈折率導波が可能になっている光導波路206 と、図１の
光増幅領域１と同様の光増幅領域201 とを有している。
また素子の両端面には、反射率が１％程度の反射防止コ
ート202 ，202 ’が形成されている。この反射防止コー
ト202 が形成された方の素子端面の一部は光入射口203
となり、反射防止コート202 ’が形成された方の素子端
面の一部は光出射口204 となる。
【００３３】この第３実施形態の半導体光増幅素子にお
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口204 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口204 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
【００３４】次に図９を参照して、本発明の第４実施形
態による半導体光増幅素子について説明する。図９はこ
の第４実施形態の素子の平面形状を示すものである。こ
の第４実施形態の素子の基本的な構成は、第１実施形態
と同様である。
態による半導体光増幅素子について説明する。図９はこ
の第４実施形態の素子の平面形状を示すものである。こ
の第４実施形態の素子の基本的な構成は、第１実施形態
と同様である。
【００３５】この第４実施形態による半導体光増幅素子
において、幅の狭いストライプからなる屈折率導波が可
能な光導波路306 は単一モード導波路とされ、また光入
射口303 側の素子端面には、反射率が３０％以上のコー
ト302 が形成されている。一方、光出射口304 側の素子
端面には、反射率が１％程度の反射防止コート302 ’が
形成されている。なお図９中の301 は光増幅領域であ
り、305 は選択埋め込み領域の平面形状を示している。
において、幅の狭いストライプからなる屈折率導波が可
能な光導波路306 は単一モード導波路とされ、また光入
射口303 側の素子端面には、反射率が３０％以上のコー
ト302 が形成されている。一方、光出射口304 側の素子
端面には、反射率が１％程度の反射防止コート302 ’が
形成されている。なお図９中の301 は光増幅領域であ
り、305 は選択埋め込み領域の平面形状を示している。
【００３６】この第４実施形態の半導体光増幅素子にお
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口304 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口304 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
【００３７】またこの場合は、光入射口303 側のコート
302 の反射率を３０％以上としたことにより、該光入射
口303 側および光出射口304 側の各素子端面がレーザ共
振器となり、この素子はレーザ素子として動作するよう
になる。
302 の反射率を３０％以上としたことにより、該光入射
口303 側および光出射口304 側の各素子端面がレーザ共
振器となり、この素子はレーザ素子として動作するよう
になる。
【００３８】次に図１０を参照して、本発明の第５実施
形態による半導体光増幅素子について説明する。図１０
はこの第５実施形態の素子の平面形状を示すものであ
る。この第５実施形態の素子の基本的な構成は、第３実
施形態と同様である。
形態による半導体光増幅素子について説明する。図１０
はこの第５実施形態の素子の平面形状を示すものであ
る。この第５実施形態の素子の基本的な構成は、第３実
施形態と同様である。
【００３９】この第５実施形態による半導体光増幅素子
において、幅の狭いストライプからなる屈折率導波が可
能な光導波路406 は単一モード導波路とされ、また光入
射口403 側の素子端面には、反射率が３０％以上のコー
ト402 が形成されている。一方、光出射口404 側の素子
端面には、反射率が１％程度の反射防止コート402 ’が
形成されている。なお図１０中の401 は光増幅領域であ
り、405 は選択埋め込み領域の平面形状を示している。
において、幅の狭いストライプからなる屈折率導波が可
能な光導波路406 は単一モード導波路とされ、また光入
射口403 側の素子端面には、反射率が３０％以上のコー
ト402 が形成されている。一方、光出射口404 側の素子
端面には、反射率が１％程度の反射防止コート402 ’が
形成されている。なお図１０中の401 は光増幅領域であ
り、405 は選択埋め込み領域の平面形状を示している。
【００４０】この第５実施形態の半導体光増幅素子にお
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口404 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
いても、第１実施形態や第２実施形態におけるのと同様
にして、光出射口404 の有る素子端面からの戻り光や外
部からの侵入光によって基本横モードが乱されることが
なくなり、高出力領域まで基本横モードを維持して、回
折限界光を発生できるようになる。
【００４１】またこの場合も第４実施形態と同様、光入
射口403 側のコート402 の反射率を３０％以上としたこ
とにより、該光入射口403 側および光出射口404 側の各
素子端面がレーザ共振器となり、この素子はレーザ素子
として動作するようになる。
射口403 側のコート402 の反射率を３０％以上としたこ
とにより、該光入射口403 側および光出射口404 側の各
素子端面がレーザ共振器となり、この素子はレーザ素子
として動作するようになる。
【００４２】なお上記各実施形態ではｎ型基板を用いて
いるが、ｐ型基板を用いても同様のことができる。ま
た、活性層には量子井戸構造あるいは歪み量子井戸構造
を用いてもよい。
いるが、ｐ型基板を用いても同様のことができる。ま
た、活性層には量子井戸構造あるいは歪み量子井戸構造
を用いてもよい。
【００４３】また上記実施形態では、特に量子井戸が単
一で、光導波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる
構造を示したが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とす
るＭＱＷ構造を採用することも可能である。
一で、光導波層組成が一定のＳＱＷ−ＳＣＨと呼ばれる
構造を示したが、ＳＱＷの代わりに量子井戸を複数とす
るＭＱＷ構造を採用することも可能である。
【００４４】また、材料としては、ＧａＡｓ基板に格子
整合するＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓＰ系材料も、
あるいはＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＡｌＧａＡｓＰ
系材料等も適用可能である。
整合するＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓＰ系材料も、
あるいはＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＡｌＧａＡｓＰ
系材料等も適用可能である。
【００４５】さらに、光導波路をリッジ構造で形成する
場合に、エッチング深さを制御するためにエッチング阻
止層を設けてもよい。また、リッジを活性層を突き抜け
るように構成し、ｐｎｐの埋め込み構造で光導波路スト
ライプを構成してもよい。また以上は、ｐクラッド層を
埋め込む構造について説明したが、埋め込み成長は行な
わずに、屈折率導波となるような凹凸構造の溝を光増幅
領域の側端面に形成するだけでもよい。
場合に、エッチング深さを制御するためにエッチング阻
止層を設けてもよい。また、リッジを活性層を突き抜け
るように構成し、ｐｎｐの埋め込み構造で光導波路スト
ライプを構成してもよい。また以上は、ｐクラッド層を
埋め込む構造について説明したが、埋め込み成長は行な
わずに、屈折率導波となるような凹凸構造の溝を光増幅
領域の側端面に形成するだけでもよい。
【００４６】他方、結晶成長法としては、固体あるいは
ガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法等を使用
することもできる。
ガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法等を使用
することもできる。
【図１】本発明の第１実施形態による半導体光増幅素子
を示す概略平面図
を示す概略平面図
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った部分の断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ’線に沿った部分の断面図
【図４】図１のＣ−Ｃ’線に沿った部分の断面図
【図５】本発明の第２実施形態による半導体光増幅素子
を示す概略平面図
を示す概略平面図
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った部分の断面図
【図７】図５のＢ−Ｂ’線に沿った部分の断面図
【図８】本発明の第３実施形態による半導体光増幅素子
を示す概略平面図
を示す概略平面図
【図９】本発明の第４実施形態による半導体光増幅素子
を示す概略平面図
を示す概略平面図
【図１０】本発明の第５実施形態による半導体光増幅素
子を示す概略平面図
子を示す概略平面図
１ 光増幅領域 ２，２’ 反射防止コート ３ 光入射口 ４ 光出射口 ５ 選択埋め込み領域 ６ 狭いストライプ構造の光導波路 11 ｎ−ＧａＡｓ基板 12 ｎ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 13 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 14 Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層 15 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 16 ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 16ａ クラッド層側端面の凹凸 17 ｐ−ＧａＡｓキャップ層 18 ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 19 ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 20 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 21 絶縁膜 22 ｐ側電極 23 ｎ側電極 31 ｎ−ＧａＡｓ基板 32 ｎ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 33 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 34 Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層 35 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 37 ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 37ａ クラッド層側端面の凹凸 38 ｐ−ＧａＡｓキャップ層 39 ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 40 ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 41 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 42 絶縁膜 43 ｐ側電極 44 ｎ側電極 101 光増幅領域 102 ，102 ’ 反射防止コート 103 光入射口 104 光出射口 105 選択埋め込み領域 201 光増幅領域 202 ，202 ’ 反射防止コート 203 光入射口 204 光出射口 205 選択埋め込み領域 301 光増幅領域 302 反射率３０％以上のコート 302 ’ 反射防止コート 303 光入射口 304 光出射口 305 選択埋め込み領域 306 狭いストライプ構造の光導波路 401 光増幅領域 402 反射率３０％以上のコート 402 ’ 反射防止コート 403 光入射口 404 光出射口 405 選択埋め込み領域 406 狭いストライプ構造の光導波路
選択埋め込み層 19 ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 20 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 21 絶縁膜 22 ｐ側電極 23 ｎ側電極 31 ｎ−ＧａＡｓ基板 32 ｎ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 33 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 34 Ａｌx3Ｇａ1-x3Ａｓ活性層 35 Ａｌx2Ｇａ1-x2Ａｓ光導波層 37 ｐ−Ａｌx1Ｇａ1-x1Ａｓクラッド層 37ａ クラッド層側端面の凹凸 38 ｐ−ＧａＡｓキャップ層 39 ｐ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 40 ｎ−Ｉｎx4（Ｇａ1-z4Ａｌz4）1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4
選択埋め込み層 41 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 42 絶縁膜 43 ｐ側電極 44 ｎ側電極 101 光増幅領域 102 ，102 ’ 反射防止コート 103 光入射口 104 光出射口 105 選択埋め込み領域 201 光増幅領域 202 ，202 ’ 反射防止コート 203 光入射口 204 光出射口 205 選択埋め込み領域 301 光増幅領域 302 反射率３０％以上のコート 302 ’ 反射防止コート 303 光入射口 304 光出射口 305 選択埋め込み領域 306 狭いストライプ構造の光導波路 401 光増幅領域 402 反射率３０％以上のコート 402 ’ 反射防止コート 403 光入射口 404 光出射口 405 選択埋め込み領域 406 狭いストライプ構造の光導波路
Claims (5)
- 【請求項１】 光入射口と、この光入射口から入射して
導波する光を閉じ込めるテーパ状部分を有し、活性媒体
において光を屈折率導波させる光増幅領域と、この領域
で増幅された光を出射させる光出射口とを備えてなる半
導体光増幅素子において、 前記テーパ状部分の光導波方向に沿った側端面に凹凸が
形成されていることを特徴とする半導体光増幅素子。 - 【請求項２】 前記活性媒体を挟む光導波層の外側に形
成されたクラッド層が、前記テーパ状部分とされている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体光増幅素子。 - 【請求項３】 前記活性媒体を挟む光導波層が前記テー
パ状部分とされていることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体光増幅素子。 - 【請求項４】 前記活性媒体そのものがテーパ状に形成
されて、前記テーパ状部分とされていることを特徴とす
る請求項１から３いずれか１項記載の半導体光増幅素
子。 - 【請求項５】 前記光入射口が形成されている素子端面
の反射率が３０％以上とされていることを特徴とする請
求項１から４いずれか１項記載の半導体光増幅素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094997A JPH10341061A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体光増幅素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15094997A JPH10341061A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体光増幅素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10341061A true JPH10341061A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15507950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15094997A Withdrawn JPH10341061A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 半導体光増幅素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10341061A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2003077383A1 (fr) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Nikon Corporation | Dispositif d'amplification lumineuse, son procede de fabrication, source de lumiere mettant ce dispositif en application, dispositif de traitement lumineux utilisant la source de lumiere et dispositif d'exposition utilisant cette source de lumiere |
| WO2011062181A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光増幅素子 |
| KR101368300B1 (ko) * | 2011-12-07 | 2014-02-27 | 한국전기연구원 | 테이퍼형 레이저 다이오드 소자 |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP15094997A patent/JPH10341061A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358405A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2003077383A1 (fr) * | 2002-03-13 | 2003-09-18 | Nikon Corporation | Dispositif d'amplification lumineuse, son procede de fabrication, source de lumiere mettant ce dispositif en application, dispositif de traitement lumineux utilisant la source de lumiere et dispositif d'exposition utilisant cette source de lumiere |
| WO2011062181A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光増幅素子 |
| JP2011108845A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体光増幅素子 |
| US8625194B2 (en) | 2009-11-17 | 2014-01-07 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical amplifier |
| KR101368300B1 (ko) * | 2011-12-07 | 2014-02-27 | 한국전기연구원 | 테이퍼형 레이저 다이오드 소자 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |