JPH10335216A - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing methodInfo
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- JPH10335216A JPH10335216A JP14155797A JP14155797A JPH10335216A JP H10335216 A JPH10335216 A JP H10335216A JP 14155797 A JP14155797 A JP 14155797A JP 14155797 A JP14155797 A JP 14155797A JP H10335216 A JPH10335216 A JP H10335216A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板等の
基板（以下、単に「基板」という。）表面に形成された
化学増幅型レジストによるレジスト膜にパターンを形成
する処理を含む基板処理方法に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate processing method including a process of forming a pattern on a resist film of a chemically amplified resist formed on the surface of a substrate such as a glass substrate for a photomask and a glass substrate for a liquid crystal display (hereinafter, simply referred to as a “substrate”).
【０００２】[0002]
【従来の技術】基板に対する化学増幅型レジストによる
フォトリソグラフィ工程では、基板に塗布された化学増
幅型レジストの薄膜に所望のパターンを露光することで
そのレジスト膜中に酸触媒を発生させ、生成した酸触媒
をＰＥＢ処理による加熱によって拡散させて反応を進め
ることによって、高い感度を得ている。そして、その後
クールプレートにより冷却して反応を停止させ、さら
に、現像処理を行うことによって、微細なパターン形成
を行っている。2. Description of the Related Art In a photolithography process using a chemically amplified resist on a substrate, a thin film of the chemically amplified resist applied to the substrate is exposed to a desired pattern to generate an acid catalyst in the resist film. High sensitivity is obtained by promoting the reaction by diffusing the acid catalyst by heating by PEB treatment. After that, the reaction is stopped by cooling with a cool plate, and a developing process is performed to form a fine pattern.
【０００３】さらに、このようなフォトリソグラフィ工
程ではレジスト膜の形成された基板を搬送する際に、搬
送ロボットがその支持アームにより基板の外縁部分を把
持しながら搬送する場合の把持部分や、カセット等の収
納器に収納して搬送する際の基板とカセット内壁との接
触部分において摩擦によってレジストが剥がれることが
ある。このようなレジストの剥がれはパーティクルとな
って基板に付着して正しいパターン形成を阻害し、歩留
まりを低下させる原因となる。そのため、従来から、パ
ターン形成のための露光工程とは別にそのパターン露光
工程から現像工程の間に上記のような基板におけるレジ
スト膜のパターン形成領域より外側のエッジ部のみを露
光するエッジ露光工程を設けて基板周辺部の不要レジス
トを除去している。Furthermore, in such a photolithography process, when a substrate on which a resist film is formed is transported, the transport robot grips the outer edge portion of the substrate with its support arm while transporting the substrate, a cassette, or the like. The resist may be peeled off at the contact portion between the substrate and the inner wall of the cassette when the substrate is stored in the container and transported. Such peeling of the resist becomes particles and adheres to the substrate, hindering correct pattern formation and causing a reduction in yield. Therefore, conventionally, apart from the exposure step for pattern formation, an edge exposure step of exposing only an edge portion outside the pattern formation region of the resist film on the substrate between the pattern exposure step and the development step as described above. It is provided to remove unnecessary resist around the substrate.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型
レジストは、上記したように露光によってレジスト内部
に酸を発生させ、ＰＥＢ処理という加熱処理によって酸
の触媒作用によるレジストの化学反応を促進させるもの
である。このため雰囲気中にアルカリ物質が存在すると
レジスト内部に発生した酸が中和され、酸の触媒作用が
失活してレジストの化学反応が阻害されることとなる。
そこで、レジスト中の酸とアルカリ物質との中和反応を
極力抑えるために、パターン露光工程から現像工程ま
で、より重要なのは露光工程から冷却工程による反応停
止までの時間を短くかつ正確に管理する必要があるが、
上記のフォトリソグラフィ工程のようにパターン露光工
程から現像工程までの間にエッジ露光を行うとパターン
露光工程と現像工程との間の時間が長くなるとともに、
エッジ露光工程が原因である時間変動も加わり正確な時
間管理が困難であった。As described above, a chemically amplified resist generates an acid inside the resist by exposure as described above, and promotes a chemical reaction of the resist by a catalytic action of the acid by a heat treatment called PEB treatment. It is. Therefore, when an alkaline substance is present in the atmosphere, the acid generated inside the resist is neutralized, the catalytic action of the acid is deactivated, and the chemical reaction of the resist is inhibited.
Therefore, in order to minimize the neutralization reaction between the acid and the alkali substance in the resist, it is necessary to shorten and accurately control the time from the pattern exposure step to the development step, and more importantly, the time from the exposure step to the stop of the reaction by the cooling step. There is,
When performing edge exposure between the pattern exposure step and the development step as in the above photolithography step, the time between the pattern exposure step and the development step becomes longer,
Accurate time management is difficult due to the time variation caused by the edge exposure process.
【０００５】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、露光工程から現像工程までの時
間を短くし、かつ正確に管理することができる基板処理
方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and to provide a substrate processing method capable of shortening the time from the exposure step to the development step and accurately controlling the time. And
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の方法は、基板表面に形成され
た化学増幅型レジストによるレジスト膜にパターンを形
成する処理を含む基板処理方法において、a) レジスト
膜においてパターンを形成すべき領域より外側の領域を
露光するエッジ露光工程と、b) エッジ露光工程より後
にレジスト膜にパターンを露光するパターン露光工程
と、e) パターン露光工程より後にレジスト膜を現像す
る現像工程と、を備える。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising: forming a pattern on a resist film of a chemically amplified resist formed on a surface of a substrate. In the method, a) an edge exposure step of exposing a region outside a region where a pattern is to be formed in the resist film; b) a pattern exposure step of exposing the resist film to a pattern after the edge exposure step; e) a pattern exposure step And a developing step of developing the resist film later.
【０００７】また、この発明の請求項２の方法は、請求
項１の基板処理方法であって、パターン露光工程と現像
工程との間に、さらに、c) レジスト膜を備えた基板を
加熱する加熱工程と、d) レジスト膜を備えた基板を冷
却する冷却工程と、を備える。According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to the first aspect, further comprising: c) heating the substrate provided with the resist film between the pattern exposing step and the developing step. A heating step; and d) a cooling step of cooling the substrate provided with the resist film.
【０００８】さらに、この発明の請求項３の方法は、請
求項１または請求項２の基板処理方法であって、少なく
ともレジスト塗布手段、エッジ露光手段、パターン露光
手段および現像手段を組み込んだ基板処理装置を用い、
エッジ露光工程をエッジ露光手段で、パターン露光工程
をパターン露光手段で、現像工程を現像手段でそれぞれ
行うことを特徴とする。A third aspect of the present invention is a substrate processing method according to the first or second aspect, wherein at least a resist coating unit, an edge exposure unit, a pattern exposure unit, and a development unit are incorporated. Using the device,
The edge exposure step is performed by an edge exposure unit, the pattern exposure step is performed by a pattern exposure unit, and the development step is performed by a development unit.
【０００９】[0009]
【００１０】[0010]
【１．実施の形態の装置構成】図１はこの発明の実施の
形態である基板処理装置１の斜視図である。同図におい
ては、床面に平行な水平面をＸ−Ｙ面とし、鉛直方向を
Ｚ軸方向とする３次元座標系Ｘ−Ｙ−Ｚが定義されてい
る。また、図２はこの発明の実施の形態である基板処理
装置１の平面視的な全体構成図である。以下、これらの
図を用いてこの基板処理装置１について説明していく。[1. FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. In the figure, a three-dimensional coordinate system XYZ is defined, in which a horizontal plane parallel to the floor is an XY plane and a vertical direction is a Z-axis direction. FIG. 2 is a plan view of the overall configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment of the present invention. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to these drawings.
【００１１】この基板処理装置１は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板
等の基板Ｗに対して化学増幅型レジストによるフォトレ
ジスト液を塗布して形成された、そのレジスト膜に対し
てパターン露光ならびに現像処理を行うための装置であ
り、大きく分けて、インデクサーユニット１０、基板搬
送ユニット２０、第１処理ユニット３０、第２処理ユニ
ット４０、インターフェイス５０、露光ユニット６０を
備えている。そして、この基板処理装置１は、そのＹ軸
の負側端にインデクサーユニット１０が設けられ、その
インデクサーユニット１０に一端が連結するとともにそ
の長手方向がＹ軸方向となっている基板搬送ユニット２
０が設けられ、さらにその基板搬送ユニット２０を挟ん
でＸ軸方向の正側および負側にそれぞれ第１処理ユニッ
ト３０および第２処理ユニット４０が設けられ、基板搬
送ユニット２０、第１および第２処理ユニット３０，４
０のＹ軸方向の正側端にはインターフェイス５０が設け
られ、さらに、インターフェイス５０のＹ軸方向の正側
に隣接して露光ユニット６０が設けられた配列となって
いる。The substrate processing apparatus 1 is formed by applying a photoresist solution of a chemically amplified resist to a substrate W such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, or a glass substrate for a photomask. This is an apparatus for performing pattern exposure and development processing on a resist film, and is roughly divided into an indexer unit 10, a substrate transport unit 20, a first processing unit 30, a second processing unit 40, an interface 50, and an exposure unit 60. It has. The substrate processing apparatus 1 is provided with an indexer unit 10 at a negative side end of the Y axis, a substrate transport unit having one end connected to the indexer unit 10 and having a longitudinal direction corresponding to the Y axis direction. 2
0, and a first processing unit 30 and a second processing unit 40 are respectively provided on the positive side and the negative side in the X-axis direction with the substrate transport unit 20 interposed therebetween. Processing units 30, 4
An interface 50 is provided at the positive end of the Y direction in the Y-axis direction, and an exposure unit 60 is provided adjacent to the positive side of the interface 50 in the Y-axis direction.
【００１２】インデクサーユニット１０は、基板Ｗを収
納するカセットＣを一列状態に載置する固定の基台１１
と、カセットＣに対して基板Ｗを出し入れするとともに
後述する基板搬送ユニット２０との基板受渡し位置Ｐと
各カセットＣとの間で基板Ｗを運ぶインデクサー搬送ロ
ボット１２から構成されており、基台１１上に保持され
た各カセットＣは、その内部に基板Ｗを多段に収納でき
るようになっており、未処理基板Ｗや処理済み基板Ｗを
保管する。The indexer unit 10 includes a fixed base 11 on which the cassettes C accommodating the substrates W are placed in a line.
And an indexer transfer robot 12 for transferring the substrate W between the cassette C and a substrate transfer position P with respect to a substrate transfer unit 20 to be described later. Each of the cassettes C held above can store the substrates W in multiple stages, and stores unprocessed substrates W and processed substrates W.
【００１３】基板搬送ユニット２０はＹ軸方向に伸びた
基板搬送路２１に沿って基板搬送ロボット２２が移動自
在に設けられている。この基板搬送ロボット２２は、基
板Ｗを支持する２本の支持アーム２２ａ，２２ａを２段
に重なるように備えた移動体２２ｂを有しており、基板
搬送ロボット２２内部の図示しないアーム駆動機構によ
り支持アーム２２ａ，２２ａがそれぞれ独立して進退移
動可能に構成されている。また、図示を省略している
が、この移動体２２ｂには、基板搬送路２１に沿ったＹ
軸方向の駆動のための並進駆動機構と、昇降（Ｚ方向）
駆動する昇降駆動機構と、Ｚ軸方向を回転軸としてＸ−
Ｙ面内において支持アーム２２ａ，２２ａを旋回駆動す
る回動機構とが連結されており、それらの駆動機構を後
述する制御部が制御することにより、移動体２２ｂをイ
ンデクサーユニット１０、後述する第１および第２処理
ユニット３０，４０、インターフェイス５０のそれぞれ
の前に移動させて、それぞれのユニットとの間で基板Ｗ
の受渡しを可能としている。The substrate transfer unit 20 is provided with a substrate transfer robot 22 movably along a substrate transfer path 21 extending in the Y-axis direction. The substrate transfer robot 22 has a moving body 22b provided with two support arms 22a, 22a that support the substrate W so as to overlap in two stages, and is provided by an arm driving mechanism (not shown) inside the substrate transfer robot 22. The support arms 22a, 22a are configured to be independently movable forward and backward. Although not shown, the moving body 22b is provided with a Y along the substrate transfer path 21.
Translation drive mechanism for axial drive and lifting (Z direction)
An elevating drive mechanism for driving, and X-
A pivoting mechanism for pivotally driving the support arms 22a, 22a is connected in the Y plane, and the driving mechanism is controlled by a control unit described later, so that the moving body 22b is moved to the indexer unit 10 and a rotation mechanism described later. The first and second processing units 30 and 40 and the interface 50 are moved in front of each other, and the substrate W is moved between each unit.
Delivery is possible.
【００１４】そして、その基板搬送ロボット２２が基板
Ｗを保持した状態で基板搬送路２１に沿って移動するこ
とによって、基板受渡し位置Ｐと後述する第１処理ユニ
ット３０、第２処理ユニット４０の各処理部およびイン
ターフェイス５０との間で基板Ｗの搬送を行う。また、
インデクサーユニット１０に設けられたインデクサー搬
送ロボット１２により、基板Ｗを基台１１上のカセット
Ｃから取り出し、基板搬送ロボット２２に送り出した
り、逆に一連の処理が施された処理済み基板Ｗを基板搬
送ロボット２２から受け取り、カセットＣに戻すのであ
る。When the substrate transfer robot 22 moves along the substrate transfer path 21 while holding the substrate W, the substrate transfer position P and the first processing unit 30 and the second processing unit The substrate W is transferred between the processing unit and the interface 50. Also,
The substrate W is taken out of the cassette C on the base 11 by the indexer transfer robot 12 provided in the indexer unit 10 and sent out to the substrate transfer robot 22 or, on the contrary, the processed substrate W that has been subjected to a series of processes is processed. It is received from the transfer robot 22 and returned to the cassette C.
【００１５】第１処理ユニット３０は、基板Ｗを水平に
保持して回転しつつ、その表面に化学増幅型レジストに
よるフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する
スピンコータ３１（「レジスト塗布手段」に相当）と、
パターン露光後の基板Ｗにおける上記レジスト膜を現像
処理する第１および第２スピンデベロッパ３２，３３
（「現像手段」に相当）とを順にＹ軸の正方向に並んだ
状態で備えている。The first processing unit 30 is a spin coater 31 (“resist coating means”) that forms a resist film by applying a photoresist solution of a chemically amplified resist to the surface of the substrate W while rotating while holding the substrate W horizontally. ), And
First and second spin developers 32 and 33 for developing the resist film on the substrate W after pattern exposure
(Corresponding to “developing means”) are sequentially arranged in the positive direction of the Y-axis.
【００１６】第２処理ユニット４０は、（図２において
は、分かりやすくするためにＺ軸方向の配列を平面的に
表わしている。）Ｙ軸正方向に順に下から第１段には基
板Ｗを冷却する第１〜第３クールプレート４１ａ〜４１
ｃを、第２段には基板Ｗの表面に対して密着強化処理を
行うための密着強化処理部４２、ならびに第４および第
５クールプレート４１ｄ，４１ｅを、第３段には各処理
段階での基板Ｗを加熱する第１および第２ホットプレー
ト４３ａ，４３ｂ、露光後の上記レジスト膜の反応促進
のために基板Ｗを加熱するＰＥＢ処理部４４を、最上段
には中央に第３ホットプレート４３ｃを備えており、さ
らに第２処理ユニット４０のＹ軸正側端には基板Ｗのレ
ジスト膜におけるパターンを形成する領域の外側のエッ
ジ部分を露光するエッジ露光部４５が設けられている。The second processing unit 40 (in FIG. 2, the arrangement in the Z-axis direction is shown in a plane for easy understanding). First to third cool plates 41a to 41 for cooling
c, the second stage is provided with an adhesion strengthening processing unit 42 for performing the adhesion strengthening process on the surface of the substrate W, and the fourth and fifth cool plates 41d and 41e are arranged in the third stage. First and second hot plates 43a and 43b for heating the substrate W, a PEB processing unit 44 for heating the substrate W to promote the reaction of the resist film after exposure, and a third hot plate at the center at the top. An edge exposure unit 45 is provided at the Y-axis positive side end of the second processing unit 40 for exposing an edge portion of the resist film on the substrate W outside a region where a pattern is to be formed.
【００１７】インターフェイス５０は基板搬送ユニット
２０と後述の露光ユニット６０との間の基板Ｗの受け渡
し領域である。The interface 50 is an area for transferring a substrate W between the substrate transport unit 20 and an exposure unit 60 described later.
【００１８】露光ユニット６０は「パターン露光手段」
に相当し、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜にパタ
ーンを露光する。The exposure unit 60 is a "pattern exposure means".
The pattern is exposed on the resist film formed on the surface of the substrate W.
【００１９】さらに、この基板処理装置１の内部には演
算部やメモリを備えた制御部がもうけられており、基板
処理装置１の本体側面に設けられたタッチパネル等の入
力手段を備えたコンソール１０ａに接続されるととも
に、各ユニットとの間で通信可能となっており、コンソ
ール１０ａを用いて作業者により与えられるデータ等に
基づき各ユニットを制御する。Further, the substrate processing apparatus 1 is provided with a control section having a computing section and a memory inside the substrate processing apparatus 1, and a console 10a provided with input means such as a touch panel provided on a side surface of the main body of the substrate processing apparatus 1. And is communicable with each unit, and controls each unit based on data or the like given by an operator using the console 10a.
【００２０】[0020]
【２．実施の形態の特徴および処理手順】この発明の実
施の形態である基板処理装置１では、パターン露光工程
の前にエッジ露光工程を行うものとしている。[2. Features and Processing Procedure of Embodiment In substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, an edge exposure step is performed before a pattern exposure step.
【００２１】図３は実施の形態である基板処理装置１の
処理手順を示す図である。以下、基板処理装置１による
一連の処理動作を、図３を用いて説明する。FIG. 3 is a diagram showing a processing procedure of the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. Hereinafter, a series of processing operations by the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG.
【００２２】以下の処理に当り、インデクサーユニット
１０には予め洗浄処理を施された未処理基板Ｗを収納し
た複数のカセットＣがインデクサーユニット１０の基台
１１上に投入されている。In the following processing, a plurality of cassettes C containing unprocessed substrates W which have been subjected to a cleaning process are loaded into the indexer unit 10 on the base 11 of the indexer unit 10.
【００２３】まず、インデクサーユニット１０（図２お
よび図３中、ＩＮＤと表示）において、インデクサー搬
送ロボット１２がカセットＣから未処理基板Ｗを取り出
して基板受渡し位置Ｐに搬送し、基板搬送ロボット２２
の一方の支持アーム２２ａに渡す。また、もし基板搬送
ロボット２２の他方の支持アーム２２ａに処理済み基板
Ｗがあれば、それを受け取って搬送してカセットＣに収
納する。First, in the indexer unit 10 (shown as IND in FIGS. 2 and 3), the indexer transfer robot 12 takes out the unprocessed substrate W from the cassette C and transfers it to the substrate transfer position P.
To one of the support arms 22a. If there is a processed substrate W on the other support arm 22a of the substrate transport robot 22, the substrate W is received, transported, and stored in the cassette C.
【００２４】つぎに、基板搬送ロボット２２により、基
板受渡し位置Ｐから第２処理ユニット４０の密着強化処
理部４２（図２および図３中、ＡＨと表示）に基板Ｗを
搬送して密着強化処理を行う。Next, the substrate W is transferred by the substrate transfer robot 22 from the substrate transfer position P to the adhesion strengthening processing section 42 (indicated by AH in FIGS. 2 and 3) of the second processing unit 40 to perform the adhesion strengthening processing. I do.
【００２５】密着強化処理後には、基板Ｗを第２処理ユ
ニット４０の第１クールプレート４１ａ（図２および図
３中、ＣＰ１と表示）に搬送して冷却し、常温程度にま
で戻してから第１処理ユニット３０のスピンコータ３１
（図２および図３中、ＳＣと表示）に基板Ｗを搬送し、
基板Ｗ表面にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を
形成する。After the adhesion strengthening process, the substrate W is transported to the first cool plate 41a (denoted as CP1 in FIGS. 2 and 3) of the second processing unit 40, cooled, returned to room temperature, and then cooled. Spin coater 31 of one processing unit 30
(Indicated by SC in FIGS. 2 and 3),
A photoresist solution is applied to the surface of the substrate W to form a resist film.
【００２６】その後、レジスト塗布処理を終えた基板Ｗ
を第１ホットプレート４３ａ（図２および図３中、ＨＰ
１と表示）に搬送して加熱し、次いで、基板搬送ロボッ
ト２２により、加熱処理後の基板Ｗを第２クールプレー
ト４１ｂ（図２および図３中、ＣＰ２と表示）に搬送し
て冷却し、常温程度にまで戻す。Thereafter, the substrate W after the resist coating process is completed.
To the first hot plate 43a (in FIGS. 2 and 3, HP
1) and heated, and then the substrate W after the heat treatment is transferred to the second cool plate 41b (denoted as CP2 in FIGS. 2 and 3) by the substrate transfer robot 22 and cooled. Return to room temperature.
【００２７】冷却処理後において、基板搬送ロボット２
２により基板Ｗを第２クールプレート４１ｂから取り出
し、エッジ露光部４５（図２および図３中、ＥＥＷと表
示）に基板Ｗを搬送して基板Ｗのエッジ部に対するエッ
ジ露光処理を行い（エッジ露光工程）、しかる後に、イ
ンターフェイス５０（図２および図３中、ＩＦと表示）
を介して、露光ユニット６０（図２および図３中、ＳＴ
と表示）に基板Ｗを搬送してレジスト膜にパターン露光
を行って（パターン露光工程）から再びインターフェイ
ス５０を介して、ＰＥＢ処理部４４（図２および図３
中、ＰＥＢと表示）に基板Ｗを搬送して加熱する（ＰＥ
Ｂ処理工程：加熱工程に相当する）。After the cooling process, the substrate transfer robot 2
2, the substrate W is taken out of the second cool plate 41b, and the substrate W is transported to the edge exposure unit 45 (denoted by EEW in FIGS. 2 and 3) to perform edge exposure processing on the edge of the substrate W (edge exposure). Step), and thereafter, the interface 50 (shown as IF in FIGS. 2 and 3)
Through the exposure unit 60 (ST in FIGS. 2 and 3).
2 and 3), the substrate W is transferred to the resist film, pattern exposure is performed on the resist film (pattern exposure step), and the PEB processing unit 44 (FIGS.
The substrate W is transported to and heated (PEB).
B processing step: corresponds to a heating step).
【００２８】そのＰＥＢ処理後の基板Ｗを第３クールプ
レート４１ｃ（図２および図３中、ＣＰ３と表示）に搬
送して冷却し（冷却工程）、常温程度にまで戻してから
第１および第２スピンデベロッパ３２，３３（図２およ
び図３中、それぞれＳＤ１、ＳＤ２と表示）のうちのい
ずれか空いている方に基板Ｗを搬送し、現像処理を行う
（現像工程）。The substrate W after the PEB processing is conveyed to a third cool plate 41c (denoted as CP3 in FIGS. 2 and 3) and cooled (cooling step). The substrate W is transported to the vacant one of the two spin developers 32 and 33 (indicated as SD1 and SD2 in FIGS. 2 and 3, respectively), and the developing process is performed (developing process).
【００２９】現像処理後において、第２および第３ホッ
トプレート４３ｂ，４３ｃ（図２および図３中、それぞ
れＨＰ２、ＨＰ３と表示）のうちのいずれか空いている
方に基板Ｗを搬送して加熱し、しかる後、加熱処理後の
基板Ｗを基板搬送ロボット２２が取り出して第４および
第５クールプレート４１ｄ，４１ｅ（図２および図３
中、それぞれＣＰ４、ＣＰ５と表示）のうちのいずれか
空いている方に搬送して冷却し、常温程度にまで戻して
から、基板搬送ロボット２２にて搬出してインデクサー
ユニット１０の基板受渡し位置Ｐに搬送し、インデクサ
ー搬送ロボット１２に処理済みの基板Ｗを渡し、インデ
クサー搬送ロボット１２はその処理済み基板Ｗを基台１
１に支持された収納可能なカセットＣに収納する。After the development process, the substrate W is transported to the vacant one of the second and third hot plates 43b and 43c (indicated as HP2 and HP3 in FIGS. 2 and 3, respectively) and heated. Thereafter, the substrate transfer robot 22 takes out the substrate W after the heat treatment, and removes the fourth and fifth cool plates 41d and 41e (FIGS. 2 and 3).
(Indicated as CP4 and CP5, respectively)), which is transported to a vacant one, cooled and returned to about room temperature, and then carried out by the substrate transport robot 22 to transfer the substrate to and from the indexer unit 10. P, and transfers the processed substrate W to the indexer transfer robot 12, and the indexer transfer robot 12 transfers the processed substrate W to the base 1.
The cassette is stored in a cassette C supported by the storage unit 1.
【００３０】これで、１枚の基板Ｗについての一連の処
理は終了するが、この装置ではインデクサーユニット１
０の基台１１上の各カセットＣ内の未処理基板Ｗに対し
て上記と同様の処理を並行して行う。そのため、基板搬
送ロボット２２は支持アーム２２ａ，２２ａの一方に基
板Ｗを支持して各処理部間を移動し、他方の支持アーム
２２ａでその処理部から基板Ｗを受け取って搬出すると
ともに、一方の支持アーム２２ａにより、支持していた
基板Ｗをその処理部へ搬入する動作を繰り返すことによ
って、上記の一連の動作を複数の基板Ｗに対して並行し
て行うことができるのである。This completes a series of processes for one substrate W. In this apparatus, the indexer unit 1
The same processing as described above is performed in parallel on the unprocessed substrates W in the respective cassettes C on the 0 base 11. Therefore, the substrate transfer robot 22 supports the substrate W on one of the support arms 22a and 22a, moves between the processing units, receives the substrate W from the processing unit with the other support arm 22a, and unloads the substrate W. The above-described series of operations can be performed in parallel on a plurality of substrates W by repeating the operation of loading the substrate W supported by the support arm 22a into the processing unit.
【００３１】以上説明したようにこの発明の実施の形態
によれば、エッジ露光工程（図３中、ＥＥＷと表示）の
後にパターン露光工程（図３中、ＳＴと表示）を行い、
さらにその後に現像工程（図３中、ＳＤ１またはＳＤ２
と表示）を行うので、基板Ｗに形成された化学増幅型レ
ジストによるレジスト膜にパターンを形成する際に重要
なパターン露光工程から現像工程までの時間を短くする
ことができ、かつ正確に管理することができる。As described above, according to the embodiment of the present invention, after the edge exposure step (shown as EEW in FIG. 3), the pattern exposure step (shown as ST in FIG. 3) is performed.
Further, a developing step (SD1 or SD2 in FIG. 3)
), It is possible to shorten the time from the pattern exposure step to the development step, which is important when forming a pattern on the resist film of the chemically amplified resist formed on the substrate W, and to perform accurate management. be able to.
【００３２】とりわけ、化学増幅型レジストによるレジ
スト膜において反応を促進するために特に重要なパター
ン露光工程からＰＥＢ処理工程を経て冷却工程までの時
間を短くすることができ、かつ正確に管理することがで
きるので、より高感度で良質のパターン形成を行うこと
ができる。In particular, it is possible to shorten the time from the pattern exposure step, which is particularly important for promoting the reaction in the resist film of the chemically amplified resist, to the cooling step through the PEB processing step, and to accurately control the time. Therefore, a high-sensitivity, high-quality pattern can be formed.
【００３３】[0033]
【３．変形例】この発明の実施の形態では、基板処理装
置１として図２に示すような装置配列のものを用いた
が、この発明はこれに限られず、スピンコータがないも
のや、第１処理ユニット３０と第２処理ユニット４０を
Ｙ軸方向に直線状に併置する等のその他の構成および配
列のものとしてもよい。[3. Modification In the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus 1 having the arrangement as shown in FIG. 2 was used. However, the present invention is not limited to this, and there is no spin coater or the first processing unit 30. The second processing unit 40 and the second processing unit 40 may have another configuration and arrangement such as juxtaposing them linearly in the Y-axis direction.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜請求項
３の発明によれば、エッジ露光工程の後にパターン露光
工程を行い、さらにその後に現像工程を行うので、基板
に形成された化学増幅型レジストによるレジスト膜にパ
ターンを形成する際に重要なパターン露光工程から現像
工程までの時間を短くすることができ、かつ正確に管理
することができる。As described above, according to the first to third aspects of the present invention, the pattern exposure step is performed after the edge exposure step, and the development step is performed after that. The time from the pattern exposure step to the development step, which is important when a pattern is formed on a resist film of an amplification type resist, can be shortened and can be accurately controlled.
【図１】本発明の実施の形態である基板処理装置の斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】実施の形態である基板処理装置の全体構成図で
ある。FIG. 2 is an overall configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
【図３】実施の形態である基板処理装置の処理手順を示
す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a processing procedure of the substrate processing apparatus according to the embodiment;
１ 基板処理装置 ３１ スピンコータ（レジスト塗布手段） ３２，３３ 第１，第２スピンデベロッパ（現像手段） ４１ａ〜４１ｅ 第１〜第５クールプレート ４３ａ〜４３ｃ 第１〜第３ホットプレート ４４ ＰＥＢ処理部 ４５ エッジ露光部 ６０ 露光ユニット（パターン露光手段） Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 31 Spin coater (resist coating means) 32, 33 1st, 2nd spin developer (developing means) 41a-41e 1st-5th cool plate 43a-43c 1st-3rd hot plate 44 PEB processing part 45 Edge exposure unit 60 Exposure unit (pattern exposure means) W substrate
Claims (3)
トによるレジスト膜にパターンを形成する処理を含む基
板処理方法において、 a) 前記レジスト膜においてパターンを形成すべき領域
より外側の領域を露光するエッジ露光工程と、 b) 前記エッジ露光工程より後に前記レジスト膜に前記
パターンを露光するパターン露光工程と、 e) 前記パターン露光工程より後に前記レジスト膜を現
像する現像工程と、を備えることを特徴とする基板処理
方法。1. A substrate processing method including a process of forming a pattern on a resist film using a chemically amplified resist formed on a substrate surface, wherein: a) exposing a region of the resist film outside a region where a pattern is to be formed; An edge exposure step, b) a pattern exposure step of exposing the pattern on the resist film after the edge exposure step, and e) a development step of developing the resist film after the pattern exposure step. Substrate processing method.
パターン露光工程と前記現像工程との間に、さらに、 c) 前記レジスト膜を備えた基板を加熱する加熱工程
と、 d) 前記レジスト膜を備えた基板を冷却する冷却工程
と、を備えることを特徴とする基板処理方法。2. The substrate processing method according to claim 1, further comprising: c) a heating step of heating the substrate provided with the resist film, between the pattern exposure step and the development step; A cooling step of cooling the substrate provided with the resist film.
であって、 少なくともレジスト塗布手段、エッジ露光手段、パター
ン露光手段および現像手段を組み込んだ基板処理装置を
用い、 前記エッジ露光工程を前記エッジ露光手段で、前記パタ
ーン露光工程を前記パターン露光手段で、前記現像工程
を前記現像手段でそれぞれ行うことを特徴とする基板処
理方法。3. The substrate processing method according to claim 1, wherein at least a resist coating unit, an edge exposure unit, a pattern exposure unit, and a development unit are incorporated in the substrate processing apparatus. A substrate processing method, wherein the pattern exposing step is performed by the pattern exposing means, and the developing step is performed by the developing means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14155797A JPH10335216A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14155797A JPH10335216A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Wafer processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335216A true JPH10335216A (en) | 1998-12-18 |
Family
ID=15294745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14155797A Pending JPH10335216A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Wafer processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335216A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9741594B2 (en) | 2011-12-05 | 2017-08-22 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing heat treatment on substrate |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP14155797A patent/JPH10335216A/en active Pending
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