JPH10326565A - Surface treatment device for cathode-ray tube - Google Patents
Surface treatment device for cathode-ray tubeInfo
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- JPH10326565A JPH10326565A JP13465197A JP13465197A JPH10326565A JP H10326565 A JPH10326565 A JP H10326565A JP 13465197 A JP13465197 A JP 13465197A JP 13465197 A JP13465197 A JP 13465197A JP H10326565 A JPH10326565 A JP H10326565A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスガスを用
いたスパッタリング法により陰極線管(CRT)の面上
にカーボンの薄膜を形成するための陰極線管の表面処理
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube surface treatment apparatus for forming a carbon thin film on the surface of a cathode ray tube (CRT) by a sputtering method using a process gas.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3は一般的な陰極線管の外観構造の一
例を示す斜視図である。図3において、陰極線管1は、
フリットガラス(不図示)で互いに接合されているパネ
ル部2及びファンネル部3と、その接合部分の外側を周
回して取り付けられているテンションバンド4と、ファ
ンネル部3の後部に形成されたネック部5と、このネッ
ク部5に設けられた電子銃6及びベース7と、ファンネ
ル部3に設けられたアノードボタン8及び外部導電被膜
9等で構成されている。また、一般に、ファンネル部3
に設けられる外部導電被膜9としてはカーボンが使用さ
れている。このカーボンを使用してファンネル部3の表
面に外部導電被膜9を形成する表面処理方法としては、
例えば図4に示すインライン形の真空スパッタリング装
置が使用されている。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a perspective view showing an example of the appearance of a general cathode ray tube. In FIG. 3, the cathode ray tube 1 is
Panel portion 2 and funnel portion 3 joined to each other by frit glass (not shown), tension band 4 attached around the outside of the joined portion, and neck portion formed at the rear of funnel portion 3 5, an electron gun 6 and a base 7 provided on the neck portion 5, an anode button 8 provided on the funnel portion 3, an external conductive film 9, and the like. Generally, the funnel section 3
Carbon is used as the external conductive film 9 provided on the substrate. As a surface treatment method for forming the external conductive film 9 on the surface of the funnel portion 3 using this carbon,
For example, an in-line type vacuum sputtering apparatus shown in FIG. 4 is used.
【0003】図4に示す真空スパッタリング装置は、エ
ントリーロックチャンバー11、真空ヒーターゾーン1
2、エントリーバッファー13、コーティングゾーン1
4、エグジットバッファー15、エグジットロックチャ
ンバー16が連続して配設されている。また、エントリ
ーロックチャンバー11の入り口と、エントリーロック
チャンバー11と真空ヒーターゾーン12との間と、真
空ヒーターゾーン12とエントリーバッファー13との
間、エグジットバッファー15とエグジットロックチャ
ンバー16との間、及びエグジットロックチャンバー1
6の出口側には、ゲートバルブ17a,17b,17
c,17d,17eがそれぞれ設けられている。そし
て、この真空スパッタリング装置では、外部導電被膜9
がコーティング処理される前の陰極線管、すなわちカー
ボン(以下、外部導電被膜9として形成される前のカー
ボンを「カーボン9a」と言う)が塗布されているだけ
の陰極線管(以下、外部導電被膜9が形成される前の陰
極線管を「陰極線管1a」と言う)は搬入側から投入さ
れ排出側より排出される。[0003] The vacuum sputtering apparatus shown in FIG.
2, entry buffer 13, coating zone 1
4. An exit buffer 15 and an exit lock chamber 16 are continuously provided. Also, the entrance of the entry lock chamber 11, between the entry lock chamber 11 and the vacuum heater zone 12, between the vacuum heater zone 12 and the entry buffer 13, between the exit buffer 15 and the exit lock chamber 16, and between the exit lock chamber 16 and the exit lock chamber 16. Lock chamber 1
6 are provided with gate valves 17a, 17b, 17
c, 17d and 17e are provided respectively. In this vacuum sputtering apparatus, the external conductive film 9
The cathode ray tube before coating is coated, that is, the cathode ray tube (hereinafter, the external conductive coating 9 is only coated with carbon (hereinafter, carbon before being formed as the external conductive coating 9 is referred to as “carbon 9a”)). The cathode ray tube before the is formed is referred to as a “cathode ray tube 1a”) is input from the loading side and discharged from the discharging side.
【0004】次に、その真空スパッタリング装置の動作
を陰極線管1aが搬送されて行く工程順(1)〜(4)
に説明する。 (1)エントリーロックチャンバー11では、この内部
を真空状態にすることができ、陰極線管1aが搬入され
るときにはゲートバルブ17bが閉じられた状態でゲー
トバルブ17aが開放され、このエントリーロックチャ
ンバー11内に陰極線管1aが搬入される。また、陰極
線管1aの搬入が完了するとゲートバルブ17aも閉じ
られ、陰極線管1aの内部と共にエントリーロックチャ
ンバー11内が真空に導かれる。次いで、ゲートバルブ
17a及びゲートバルブ17cが閉じられた状態でゲー
トバルブ17bが開放され、陰極線管1aがエントリー
ロックチャンバー11からヒーターゾーン12に搬送さ
れる。搬送が終了するとゲートバルブ17bは閉じら
れ、ヒーターゾーン12はエントリーロックチャンバー
11と隔離される。 (2)ヒーターゾーン12は真空雰囲気にある。そし
て、このファンネルヒーターゾーン12では、陰極線管
1aのパネル部2の表面を100〜150℃程度になる
まで温める。次いで、エントリーバッファー13を経て
真空コーティングゾーン14へと搬送する。 (3)真空コーティングゾーン14では、ヒーターゾー
ン12で温められているパネル部2の表面からのプラズ
マの熱輻射等で陰極線管1aの全体が温められ、この熱
とプロセスガスとによるスパッタリングでコーティング
を行い、次いでエグジットバッファー15に搬送し、そ
の後、ゲートバルブ17dが開けられてエグジットロッ
クチャンバー16に搬送される。また、陰極線管1aが
エグジットロックチャンバー16内に搬送されたら、ゲ
ートバルブ17dは閉じられる。 (4)そして、ゲートバルブ17dが完全に閉じられた
らゲートバルブ17eが開けられて陰極線管1aがエグ
ジットロックチャンバー16内より排出され、次の工程
へと搬送されて行く。これで1サイクルが終了し、以後
同じ動作が繰り返され、次々と外部導電被膜9を持つ陰
極線管1が作られる。Next, the operation of the vacuum sputtering apparatus is performed in the order of steps (1) to (4) in which the cathode ray tube 1a is transported.
Will be described. (1) The interior of the entry lock chamber 11 can be evacuated, and when the cathode ray tube 1a is carried in, the gate valve 17a is opened while the gate valve 17b is closed. The cathode ray tube 1a is carried in. Further, when the loading of the cathode ray tube 1a is completed, the gate valve 17a is also closed, and the inside of the entry lock chamber 11 is guided to a vacuum together with the inside of the cathode ray tube 1a. Next, the gate valve 17b is opened with the gate valves 17a and 17c closed, and the cathode ray tube 1a is transported from the entry lock chamber 11 to the heater zone 12. When the transfer is completed, the gate valve 17b is closed, and the heater zone 12 is isolated from the entry lock chamber 11. (2) The heater zone 12 is in a vacuum atmosphere. Then, in the funnel heater zone 12, the surface of the panel section 2 of the cathode ray tube 1a is warmed to about 100 to 150C. Next, it is conveyed to the vacuum coating zone 14 via the entry buffer 13. (3) In the vacuum coating zone 14, the entire cathode ray tube 1 a is heated by heat radiation of plasma from the surface of the panel section 2 heated in the heater zone 12, and the coating is performed by sputtering using the heat and the process gas. Then, the wafer is transported to the exit buffer 15 and then transported to the exit lock chamber 16 with the gate valve 17d opened. When the cathode ray tube 1a is transported into the exit lock chamber 16, the gate valve 17d is closed. (4) When the gate valve 17d is completely closed, the gate valve 17e is opened and the cathode ray tube 1a is discharged from the inside of the exit lock chamber 16, and is transported to the next step. This completes one cycle, and the same operation is repeated thereafter, whereby the cathode ray tube 1 having the external conductive film 9 is formed one after another.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
表面処理方法では、ヒーターゾーン12内ではパネル部
2の表面だけが温められ、これが真空コーティングゾー
ン14に入れられると、プラズマの熱輻射等で陰極線管
1aの全体が温められ、この熱とプロセスガスとで所定
のコーティング処理が施されるものである。したがっ
て、陰極線管1aに予め塗布されているカーボン9a
は、真空コーティングゾーン14内で陰極線管1aの全
体が温められることによって初めて温められることにな
り、この温められたときにカーボン9aの中に吸着され
ていたガスが、プロセス中に加えられる熱によって離脱
し、これがプロセスガス中の不純物となる汚染を引き起
こす。さらに、カーボン9aは、多孔性物質であるた
め、表面積が大きく、吸着ガス量も多い。そこで、プロ
セスガス中の不純物である放出ガスが増加すると、スパ
ッタレートが変動したり、コーティング膜そのものの品
質が変化する。また、パネル部2の表面のみを昇温させ
ただけでは、パネル部2とファンネル部3の温度差が大
きくなり、接合部であるフリットガラスでシールしたフ
リットシール部分にクラックが発生し易い、等の問題点
があった。As described above, in the conventional surface treatment method, only the surface of the panel section 2 is heated in the heater zone 12, and when the panel section 2 is put in the vacuum coating zone 14, thermal radiation of plasma or the like occurs. Then, the entire cathode ray tube 1a is heated, and a predetermined coating process is performed with the heat and the process gas. Therefore, the carbon 9a previously applied to the cathode ray tube 1a
Is heated only when the whole of the cathode ray tube 1a is heated in the vacuum coating zone 14, and the gas adsorbed in the carbon 9a at the time of this heating is heated by the heat added during the process. Desorption, which causes contamination that becomes an impurity in the process gas. Further, since the carbon 9a is a porous substance, the carbon 9a has a large surface area and a large amount of adsorbed gas. Therefore, when the amount of released gas, which is an impurity in the process gas, increases, the sputter rate fluctuates and the quality of the coating film itself changes. Further, if the temperature of only the surface of the panel portion 2 is increased, the temperature difference between the panel portion 2 and the funnel portion 3 becomes large, and cracks are easily generated in the frit seal portion sealed with the frit glass as the joint portion. There was a problem.
【0006】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はコーティング膜の品質を向上させ
ることができるとともに、フリットシール部分でのクラ
ックを防止することができるようにした陰極線管の表面
処理装置を提供することにある。さらに、他の目的は、
以下に説明する内容の中で順次明らかにして行く。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the quality of a coating film and to prevent a crack at a frit seal portion from being generated. An object of the present invention is to provide a tube surface treatment device. In addition, other purposes are:
It will be clarified sequentially in the contents described below.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、プロセスガスを用いたスパッタリング法によ
り陰極線管の面上にカーボンの薄膜を形成する表面処理
装置において、前記プロセスガスを用いてスパッタリン
グする前の工程に、前記陰極線管の面上に塗布されてい
るカーボンを加熱し、前記カーボン内のガスを予め放出
させる手段を設けてなる構成としたものである。Means for Solving the Problems The present invention is characterized by taking the following technical means in order to achieve the above object.
That is, in a surface treatment apparatus for forming a thin film of carbon on the surface of the cathode ray tube by a sputtering method using a process gas, in the step before sputtering using the process gas, it is applied on the surface of the cathode ray tube And a means for heating the carbon and releasing the gas in the carbon in advance.
【0008】本発明の陰極線管の表面処理装置の好まし
い態様においては、カーボンを加熱する手段として温度
調整が可能なセラミックス遠赤外線ヒータでなるパネル
ヒータを用いる。さらに、本発明の陰極線管の表面処理
装置の好ましい態様としては、パネルヒータは陰極線管
のネック部に直接熱が加わらないように斜めに向けて配
置する。In a preferred embodiment of the surface treatment apparatus for a cathode ray tube according to the present invention, a panel heater which is a ceramic far-infrared heater whose temperature can be adjusted is used as a means for heating carbon. In a preferred embodiment of the surface treatment apparatus for a cathode ray tube according to the present invention, the panel heater is disposed obliquely so that heat is not directly applied to the neck of the cathode ray tube.
【0009】本発明の陰極線管の表面処理装置の構造で
は、プロセスガスを用いてスパッタリング処理をする前
にカーボンの吸着ガスを昇温離脱させ、その後スパッタ
リングを行ってカーボンの薄膜をコーティング処理する
ので、処理中での放出ガスを低く抑えることができる。
これにより、コーティングする薄膜そのものの品質を向
上させることができる。In the structure of the surface treatment apparatus for a cathode ray tube according to the present invention, the carbon adsorbed gas is heated and desorbed before performing the sputtering treatment using the process gas, and then the sputtering is performed to coat the carbon thin film. In addition, the amount of gas emitted during processing can be kept low.
Thereby, the quality of the thin film itself to be coated can be improved.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の形態を添付図面に
基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる形態は、
本発明の好適な具体例であるから技術的に好ましい種々
の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明
において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、こ
れらの形態に限られるものではないものである。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the form described below is
Although the present invention is a preferred specific example of the present invention, various technically preferable limits are given. However, the scope of the present invention is not limited to these embodiments unless otherwise specified in the following description. It is not limited to.
【0011】図1及び図2は本発明の一形態例を示すも
ので、図1はその形態例構造の側面図、図2は図1とは
略90度位置を変えて示すその形態例構造の側面図であ
る。図1及び図2において図3及び図4と同一符号を付
したものは図3及び図4と同一のものを示している。そ
して、本発明装置の基本構成は、図4に示した従来装置
におけるヒーターゾーン12内の構造と図1及び図2に
示す構造とが若干異なる他は同じであって差し支えない
ものである。したがって、図1及び図2に示す構造以外
は、図3に示した構造と同じ場合として説明する。1 and 2 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a side view of the structure of the embodiment, and FIG. 2 is a structure of the embodiment shown by changing the position by approximately 90 degrees from FIG. FIG. In FIGS. 1 and 2, the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 denote the same components as those in FIGS. 3 and 4. The basic configuration of the apparatus of the present invention may be the same as that of the conventional apparatus shown in FIG. 4 except that the structure in the heater zone 12 and the structure shown in FIGS. 1 and 2 are slightly different. Therefore, description will be made assuming that the structure is the same as the structure shown in FIG. 3 except for the structure shown in FIGS.
【0012】図1及び図2に示すヒータゾーン12内の
構造に付いて説明すると、このヒーターゾーン12内の
構造は、従来の構造にパネルヒーター21を加えたもの
である。このパネルヒーター21はセラミックス遠赤外
線ヒーターを用い、またカーボンに与える温度を自由に
調整できる構造になっている。そして、そのパネルヒー
タ21は、ネック部5を挟んで対向する位置において、
カーボン9の部分だけに直接熱が向けられ、ネック部4
に直接向けられないように図1及び図2に示すように斜
めに配置されている。すなわち、このヒーターゾーン1
2内では、従来のパネル部2の表面を温めている図示せ
ぬヒーターに加えて、このパネルヒータ21の二つの手
段で加熱することになる。The structure in the heater zone 12 shown in FIGS. 1 and 2 will be described. The structure in the heater zone 12 is obtained by adding a panel heater 21 to a conventional structure. The panel heater 21 uses a ceramic far-infrared heater and has a structure in which the temperature given to carbon can be freely adjusted. Then, the panel heater 21 is located at a position opposed to the neck portion 5 with the neck portion 5 interposed therebetween.
Heat is directly directed to only the carbon 9 and the neck 4
As shown in FIG. 1 and FIG. That is, this heater zone 1
The inside of the panel 2 is heated by two means of the panel heater 21 in addition to a heater (not shown) for heating the surface of the conventional panel section 2.
【0013】したがって、このヒータゾーン12では、
陰極線管1aの外面に塗布されているカーボン9をパネ
ルヒータ21により予め温めてカーボン中に吸着されて
いたガスを離脱させることができる。そして、真空コー
ティングゾーン14には、そのカーボン中のガスを離脱
させた後で搬送することになるので、真空コーティング
14内での放出ガスを低く抑えることができる。すなわ
ち、真空コーティングゾーン14内で放出されるとプロ
セスガス中の不純物となる放出ガスを抑えることができ
るので、コーティング膜そのものの品質を向上させるこ
とができる。また、ネック部4を直接温めてしまうこと
がないように、パネルヒーター21を斜めに配置してい
るので、電子銃6の昇温を抑えることができる。さら
に、パネル部2とファンネル部3の両方を温め、このパ
ネル部2とファンネル部3の両方に熱源を持たせている
ので、パネル部2とファンネル部3との温度差を小さく
することができ、フリットガラスで接合されているフリ
ットシール部でのクラックを防止することができる。ま
た、パネルヒータ21をチャンバーベーキング熱源に流
用することにより、排気時間を短縮することができる。Therefore, in the heater zone 12,
By heating the carbon 9 applied on the outer surface of the cathode ray tube 1a by the panel heater 21 in advance, the gas adsorbed in the carbon can be released. Then, since the gas in the carbon is transported to the vacuum coating zone 14 after being desorbed, the gas released in the vacuum coating 14 can be kept low. That is, it is possible to reduce the amount of gas released as impurities in the process gas when released in the vacuum coating zone 14, so that the quality of the coating film itself can be improved. Further, since the panel heater 21 is arranged obliquely so as not to directly heat the neck portion 4, the temperature rise of the electron gun 6 can be suppressed. Further, since both the panel section 2 and the funnel section 3 are heated and both the panel section 2 and the funnel section 3 have a heat source, the temperature difference between the panel section 2 and the funnel section 3 can be reduced. In addition, it is possible to prevent cracks at the frit seal portion joined by the frit glass. In addition, by diverting the panel heater 21 to a chamber baking heat source, the evacuation time can be reduced.
【0014】なお、上記形態の構造では、パネルヒータ
21を2つ設けた構造を開示したが、これはカーボン9
の略全体を温めることができるものであれば、その数は
幾つでも差し支えないものである。また、セラミックス
遠赤外線ヒーターを用いた場合で説明したが、これ以外
のヒータであっても差し支えないものである。さらに、
陰極線管1の表面に外部導電被膜9を形成する場合につ
いて説明したが、外部導電被膜9を形成する場合に限ら
ず、陰極線管1の表面に低反射膜を形成する等、陰極線
管1の表面を処理する場合に広く適用できるものであ
る。In the structure of the above embodiment, a structure in which two panel heaters 21 are provided is disclosed.
Any number can be used as long as it can warm almost the entirety of the. In addition, although the description has been given of the case where the ceramic far-infrared heater is used, other heaters may be used. further,
The case where the external conductive coating 9 is formed on the surface of the cathode ray tube 1 has been described. However, the present invention is not limited to the case where the external conductive coating 9 is formed. Can be widely applied when processing is performed.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
プロセスガスを用いてスパッタリング処理をする前にカ
ーボンの吸着ガスを昇温離脱させ、その後スパッタリン
グを行ってカーボンの薄膜をコーティング処理するの
で、処理中での放出ガスを低く抑えることができ、コー
ティングする薄膜そのものの品質を向上させることがで
きる等の効果が期待できる。As described above, according to the present invention,
Before performing the sputtering process using the process gas, the adsorption gas of carbon is heated and desorbed, and then the sputtering is performed to coat the carbon thin film, so that the emission gas during the process can be suppressed low, and the coating is performed. Effects such as the quality of the thin film itself can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の一形態例構造を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a structure of one embodiment of the present invention.
【図2】発明の一形態例構造を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the structure of one embodiment of the present invention.
【図3】一般的な陰極線管の外観構造を示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view showing an appearance structure of a general cathode ray tube.
【図4】一般的な真空スパッタリング装置の構成ブロッ
ク図である。FIG. 4 is a configuration block diagram of a general vacuum sputtering apparatus.
1 陰極線管 2 パネル部 3 ファンネル部 5 ネック部 6 電子銃 9 外部導電被膜(カーボン) 21 パネルヒーター DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cathode ray tube 2 Panel part 3 Funnel part 5 Neck part 6 Electron gun 9 External conductive film (carbon) 21 Panel heater
Claims (3)
により陰極線管の面上にカーボンの薄膜を形成する表面
処理装置において、 前記プロセスガスを用いてスパッタリングする前の工程
に、前記陰極線管の面上に塗布されているカーボンを加
熱し、前記カーボン内のガスを予め放出させる手段を設
けた、 ことを特徴とする陰極線管の表面処理装置。1. A surface treatment apparatus for forming a carbon thin film on the surface of a cathode ray tube by a sputtering method using a process gas, wherein a step before sputtering using the process gas is performed on the surface of the cathode ray tube. A surface treatment apparatus for a cathode ray tube, comprising: means for heating the applied carbon to release gas in the carbon in advance.
度調整が可能なセラミックス遠赤外線ヒータでなるパネ
ルヒータを用いた請求項1に記載の陰極線管の表面処理
装置。2. A cathode ray tube surface treatment apparatus according to claim 1, wherein a panel heater comprising a ceramic far-infrared heater whose temperature can be adjusted is used as the means for heating the carbon.
ク部に直接熱が加わらないように斜めに向けて配置して
なる請求項2に記載の陰極線管の表面処理装置。3. The cathode ray tube surface treatment apparatus according to claim 2, wherein the panel heater is disposed obliquely so that heat is not directly applied to a neck portion of the cathode ray tube.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13465197A JPH10326565A (en) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | Surface treatment device for cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13465197A JPH10326565A (en) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | Surface treatment device for cathode-ray tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10326565A true JPH10326565A (en) | 1998-12-08 |
Family
ID=15133364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13465197A Pending JPH10326565A (en) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | Surface treatment device for cathode-ray tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10326565A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135503A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Production process of led unit |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13465197A patent/JPH10326565A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135503A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Production process of led unit |
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