JPH1032159A - 露光装置、反射マスク、およびデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストが安価で設計変更も容易にでき、
且つ露光面積の拡大を可能とする露光装置を提供する。 【解決手段】 露光に適した波長の光を適当な時間幅で
パルス照射可能な光源部１１と、光源部１１の真下に配
置された照明光学系１２と、照明光学系１２の真下に配
置された、複数の基本パターン図形が描かれた透過型マ
スク１３と、透過型マスク１３の透過光を結像するため
の結像光学系１４と、結像光学系１４を通してマスクパ
ターンが転写される感光基板としてのウエハ１５を移動
保持可能なウエハウテージ１８とを備える。また、照明
光学系１２は、透過型マスク上の所望の基本パターン図
形の位置のみを照明可能にするものであり、かつその照
明可能位置が照明光学系制御装置１７によって制御され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
マイクロデバイスなどのデバイスを製造する際の露光装
置、反射マスク及びデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１８は従来の露光装置及びそれを用い
た製造方法を示す概略図である。この図に示される従来
の露光装置は、光源部１０１と、光源部１０１の真下に
配置された結像光学系１０３と、結像光学系１０３の物
***置に配置可能な、回路などが描いてあるマスク１０
２と、結像光学系１０３の像面位置に配置可能なウエハ
１０４とを備える。さらに、この装置は光源部１０１
と、ウエハ１０４の搬送系１０７と、多数のマスクを保
持するマスクライブラリ１０８から前記光源部１０１及
び結像光学系１０３の間の位置にマスク１０２を搬送す
るためのマスク搬送系１０６とを制御するコントローラ
１０５を備える。

【０００３】このような従来の露光装置では、まずレジ
ストを塗布したウエハ１０４をウエハ搬送系１０７がウ
エハステージ１１０に搬送し、ウエハステージ１０が結
像光学系３の像面位置に移動されて露光位置が位置決め
される。次に、所望の回路が描いてあるマスク１０２が
結像光学系１０３の物***置に、マスクライブラリ１０
８より選び出されて搬送系１０７により搬送される。光
源部１０１からの光でマスク１０２が照明されて、マス
ク１０２に描いてある回路がウエハ１０４上に結像す
る。符号１０９はこのウエハ１０４上に投影されたマス
ク投影像を表している。ウエハ１０４の１箇所が露光さ
れた後、ウエハステージ１１０によりウエハが１露光面
積分移動され、位置決め後に再度露光が行なわれる。こ
れを繰り返してウエハ全面に同じ回路が多数露光された
後、ウエハ搬送系１０７が次のウエハを搬送する。

【０００４】全面に回路が転写されたウエハは、露光装
置から他のプロセス装置に受け渡され、現像工程などを
経る。１つのＩＣを製造する際には多数の回路パターン
を重ね合わせるため、上記のウエハはさまざまな工程を
経た後、再びレジストを塗布され、露光装置に受け渡さ
れる。

【０００５】露光装置内では、その都度その層に必要な
回路パターンが描画されたマスクがマスクライブラリよ
り選び出されて、ウエハに露光されたことになる。

【０００６】図１９は従来の露光装置及びマスクを用い
て露光されたウエハを示す。符号５１１はマスクで、符
号５１２はウエハ、符号５１３は露光されたデバイスパ
ターンを指している。このように従来の露光装置及びマ
スクを用いて露光した場合、一つのマスクは同じパター
ンしか露光できない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
露光装置では回路原版であるマスクの製作が高価であ
り、且つ１つのＩＣを製造するのに多数のマスクを必要
とするため、同じＩＣを多数量産する一部の量産メーカ
ーしかＩＣを製造できず、少数の特種ＩＣやデバイスを
製作するのは困難であった。また同様にマスクが高価な
ため、設計変更が容易にできないなどの問題もあった。

【０００８】また、マスクを交換するごとにマスクの保
持精度を高度に管理しなければならず、高度な位置合わ
せを繰り返し行うため、スループットの低下を招いてし
まう。

【０００９】さらに、マスクの交換の際に微細なゴミや
塵等が発生しやすいという問題もある。

【００１０】そこで本発明は、上記従来技術の問題点に
鑑み、製造コストが安価で設計変更も容易にでき、且つ
露光面積の拡大を可能とする露光装置、反射マスク及び
デバイス製造方法を提供することにある。すなわち、基
本パターン図形を有するマスクで多数の異なる回路パタ
ーンを露光することができる露光装置、反射マスク及び
デバイス製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第１発明は、照明光学系と、該照明光学系に対向配置
された結像光学系と、該結像光学系の物***置に配置さ
れ複数の基本パターン図形が描かれた透過型マスクと、
前記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保持し前記
結像光学系の光軸に対して垂直な第１の方向に移動する
ステージと、を有し、前記照明光学系は前記透過型マス
ク上の所望の基本パターン図形の位置のみを照明可能に
するように構成された露光装置である。より好ましく
は、前記ステージによって前記結像光学系の像面位置の
感光基板を前記第１の方向に移動し、前記感光基板上
の、所望の基本パターン図形を転写したい位置が、当該
所望の基本パターン図形の結像位置と一致したときに、
前記照明光学系は前記所望の基本パターン図形の位置の
みを照明可能にするように構成された露光装置である。

【００１２】この第１発明に係る露光装置においては、
前記透過型マスクは同じ基本パターン図形を複数有し、
当該同じ基本パターン図形は、前記透過型マスクを前記
結像光学系で結像したときの結像面で前記第１の方向と
は直交する第２の方向に並ぶように前記透過型マスク上
に配列されていることを特徴とする。

【００１３】また、上記目的を達成するための第２発明
は、照明光学系と、該照明光学系に対向配置され複数の
基本パターン図形が描かれた透過型マスクと、前記透過
型マスクに近接対向して感光基板を固定保持し該感光基
板の基板面に平行な第１の方向に移動するステージと、
を有し、前記照明光学系は前記透過型マスク上の所望の
基本パターン図形の位置を照明可能にするように構成さ
れた露光装置である。より好ましくは、前記ステージに
よって前記感光基板を前記第１の方向に移動し、前記感
光基板上の、所望の基本パターン図形を転写したい位置
が、当該所望の基本パターン図形の結像位置と一致した
ときに、前記照明光学系は前記所望の基本パターン図形
の位置のみを照明可能にするように構成された露光装置
である。

【００１４】この第２発明に係る露光装置においても、
前記透過型マスクは同じ基本パターン図形を複数有し、
当該同じ基本パターン図形は、前記第１の方向とは直交
する第２の方向に並ぶように前記透過型マスク上に配列
されていることを特徴とする。

【００１５】また、以上の第１及び第２発明の露光装置
は、前記光源はパルス発光するものや、また、前記光源
が連続発光するものであって、該照明光学系は、前記透
過型マスク上の所望の基本パターン図形の位置を照明可
能にする状態がパルス的に制御されるものであることを
特徴とする。

【００１６】さらに、前記透過型マスクは交換可能であ
ることを特徴とする。

【００１７】また、上記目的を達成するための第３発明
は、変位制御可能な微小光偏向面がアレイ状に配設さ
れ、該偏向面にはデバイス露光の基本パターン図形が形
成された反射マスクである。

【００１８】この反射マスクにおいて、前記微小光偏向
面は光反射体で形成されて、前記基本パターン図形は光
吸収体によって形成されたものや、前記微小光偏向面は
光吸収体で形成されて、前記基本パターン図形は光反射
体によって形成されたものが考えられる。

【００１９】また、前記反射マスクは同じ基本パターン
図形を有する微小光偏向面を２つ以上有し、該同じパタ
ーンの基本パターン図形を有する微小光偏向面が前記反
射マスク上の第１の方向に並ぶように配列されているも
のであり、前記第１の方向に配列された第１の微小光偏
向面の列における微小光偏向面どうしの間隙の位置に対
応するように、第２の微小光偏向面の列が配列されてい
ることも特徴とする。

【００２０】さらに、上記目的を達成するために第４発
明は、光源部と、該光源部により照明される上記の構成
の反射マスクと、該反射マスクに対向配置された結像光
学系と、前記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保
持し、前記結像光学系の光軸に対して垂直で且つ前記第
１の方向と直交する第２の方向に移動するステージと、
を有し、前記反射マスクは当該マスク上の所望の微小光
偏向面のみを露光状態にするように構成された露光装置
である。より好ましくは、前記ステージによって前記結
像光学系の像面位置の感光基板を前記第２の方向に移動
し、前記感光基板上の、所望の基本パターン図形を転写
したい位置が、当該所望の基本パターン図形の結像位置
と一致したときに、前記反射マスクは前記所望の基本パ
ターン図形が形成された微小光偏向面のみを露光状態に
するように構成された露光装置である。

【００２１】このような第４の発明に係る露光装置は、
前記光源はパルス発光するするものであり、前記反射マ
スクが交換可能であるものも含む。

【００２２】そして、以上の構成の露光装置を用いてデ
バイスを製造するデバイスの製造方法も本発明に含まれ
る。

【００２３】（作用）上記のとおりに構成された発明で
は、基本パターン図形を配列したマスクを用い、マスク
と対向する感光基板を移動し、その感光基板上の、所望
の基本パターン図形を転写したい位置がその所望の基本
パターン図形の露光位置と一致したときに、その所望の
基本パターン図形を配したマスク上の位置のみが照明可
能又は露光状態になるように制御され、光源よりマスク
に向けて光を発することにより、感光基板上の所望に位
置に所望の基本パターン図形が次々と露光される。この
場合、マスクの一方向に同じ基本パターン図形を配列
し、マスクと感光基板を相対的に同パターンの配列方向
と垂直な方向に面内移動させながら露光することによ
り、露光面積の拡大も可能になる。

【００２４】このように、基本パターン図形を組み合せ
て複数の異なる回路パターンが露光できるので、高価な
マスクを多数必要とせず、且つ容易に設計変更が可能で
あり、露光面積を結像光学系の収差補正範囲に束縛され
ることなく拡大することが可能な露光装置を提供するこ
とができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明するが、本発明の技術的範囲を逸
脱しない限り、以下に挙げる実施の形態には限定されな
い。

【００２６】（第１の実施形態）図１は本発明の露光装
置の第１の実施形態の全体構成を示す模式図である。

【００２７】本形態の露光装置は図１に示すように、露
光に適した波長の光を適当な時間幅でパルス照射可能な
光源部１１と、光源部１１の真下に配置された照明光学
系１２と、照明光学系１２の真下に配置され複数の基本
パターン図形が描かれた透過型マスク１３（図３（ｂ）
参照）と、透過型マスク１３の透過光を結像するための
結像光学系１４と、結像光学系１４を通してマスクパタ
ーンが転写される感光基板としてのウエハ１５を移動保
持可能なウエハウテージ１８と、を備える。透過型マス
ク１３は結像光学系１４の物***置に設定され、ウエハ
１５は結像光学系１５の像面位置に設定される。また、
照明光学系１２は、透過型マスク上の所望の基本パター
ン図形の位置のみを照明可能にするものであり、かつそ
の照明可能位置が照明光学系制御装置１７によって制御
される。さらに、このような露光装置は、光源部１１、
ウエハステージ１８および照明光学系制御装置１７にそ
れぞれ所望の動作命令を与えるコントローラ１６を有す
る。

【００２８】上記の装置の動作について以下に説明する
と、まず、レジストを塗布したウエハ１５が不図示のウ
エハ搬送系によりウエハステージ１８上に載置された
後、ウエハステージ１８によりウエハ１５が結像光学系
１４の像面位置に移動されて露光開始位置に位置決めさ
れる。

【００２９】コントローラ１６によりウエハステージ１
８の等速移動が開始される。ウエハ１５が移動し、コン
トローラ１６からの命令により照明光学系制御装置１７
が、現在のウエハ位置に対応した、透過型マスク１３上
の所望の位置のみを照明できるように照明光学系１２を
制御する。同じくコントローラ１６の命令により光源部
１１がパルス光を発し、透過型マスク１３上の照明され
た位置にある基本パターン図形のみが結像光学系１４で
ウエハ１５上に結像され、回路パターンの一部としてウ
エハ１５上に転写される。ウエハ１５の等速移動がその
まま続けられ、ウエハ１５上の、所望の基本パターンを
転写したい位置が、その所望の基本パターンの結像位置
と一致しているときに、照明光学系制御装置１７によっ
てその所望の基本パターンの位置のみを照明できるよう
に照明光学系１２が制御され、光源部１１がパルス光を
発すると、結像光学系１４によって前記所望の基本パタ
ーンが結像される。

【００３０】この操作を繰り返すと、透過型マスクの結
像領域をウエハが通過し終わるとウエハ上には基本パタ
ーンによって構成されたパターンが露光され、１つの露
光が終了となる。

【００３１】光源部１１は、制御されたパルス発振する
光源からなるものでも、連続発振する光源の前にシャッ
ターを設置して所定の時間間隔で発振を制御するもので
も構わない。また上記の装置ではウエハステージ１８が
等速移動するとしたが、ステップ移動でも、加速を含む
移動でも可能である。

【００３２】また本発明の目的を実現するためには結像
光学系は屈折光学系でも反射光学系でも反射屈折光学系
でも構わない。

【００３３】次に、上述の照明光学系１２の構成につい
て詳しく説明する。

【００３４】図２は本発明の第１の実施形態で用いる照
明光学系を示す。この図に示すように照明光学系１２
は、光源部１１から透過型マスク１３までの間にホモジ
ナイザー２２、リレーレンズ２３、透過型シャッター２
４、リレーレンズ２５およびリレーレンズ２６をこの順
に組み合せた構成である。

【００３５】透過型シャッター２４はリレーレンズ２
３，２５の瞳によって制限される光束の範囲で、リレー
レンズ２５，２６によって透過型マスク１３と共役な位
置に配置してあり、例えば液晶シャッターのように光を
通す部分と通さない部分を２次元的に制御できるもので
ある。

【００３６】光源１１からの光はホモジナイザー２２で
無数の点光源となって、リレーレンズ２３を始めとする
レンズ群に入射する。この無数の点光源はリレーレンズ
２３、２５により矢印ａの位置で結像される。リレーレ
ンズ２６は、その結像された各点光源から均一に透過型
マスク１３に対して照射する効果を持つ。また、リレー
レンズ２５、２６で透過型シャッター２４の透過光が透
過型マスク１３に結像されるので、シャッター２４で遮
光された光は透過型マスク１３に到達せず、透過型マス
ク１３には、透過型シャッター２４で透過される形状の
光束が露光される。従って、透過型マスク１３の任意の
基本パターンを照射することが可能である。

【００３７】ここでは透過型シャッターを示したが２次
元的に制御可能であれば、反射型シャッターも可能であ
る。

【００３８】次に、上述の露光装置で使用する透過型マ
スク１３について説明する。図３は本発明の第１の実施
形態で使用する透過型マスクの概要図である。この図３
の（ａ）は１つの回路構成要素となる基本パターン図形
のサイズを表したもので、露光する回路によって数ｍｍ
角から数十μｍ角の大きさが可能である。図３の（ｂ）
は９×６個の基本パターン図形からなる透過型マスク
で、符号３１〜３６に示すようなデバイスの基本パター
ンとなる図形が枡目状に配置されている。また図３の
（ｂ）で横方向には同じ基本パターンを複数並べてあ
る。ここでは図面に表す便宜上、枡目の数、即ち基本パ
ターン図形は９×６個しかないが、実際には基本パター
ンのサイズによって透過型マスク上に数千×数千個の基
本パターン図形を描画することが可能である。図３の
（ｃ）は符号３１〜３７の基本パターン図形によって構
成されている回路である。

【００３９】次に、図４及び図５を参照し、上述の露光
装置による露光の手順を詳細に説明する。

【００４０】図４は上述の結像光学系１４の像面位置を
示す図である。この図において、符号４１は透過型マス
ク全体を露光したときの結像光学系１４の像面位置での
露光領域と露光パターンを示す。透過型マスク上には長
手方向に同じ基本パターンが並べてあるので、矢印４６
に示すとおり、露光領域の長手方向に同じ基本パターン
の結像位置が並ぶ。符号４２はこれから露光するウエハ
の領域を示し、符号４３は露光が終了した領域であっ
て、回路を示す。ウエハは矢印４４、４５の方向に露光
領域４１を通るようにしてウエハステージで移動する。

【００４１】図５は、露光により図３（ｃ）及び図４で
示した回路を構成する様子を示したものである。この図
面左端の（イ）から右端の（リ）まで図の下方向に移動
する９ステップで露光が終了する。黒塗りのパターンは
すでに露光されたパターンを示し、点々のパターンはそ
のステップで露光しているパターンを示す。符号４７，
４８，４９，４１０，４１１，４１２は各ステップで露
光される基本パターンを示し、２点鎖線は各基本パター
ンが露光される領域を示す。

【００４２】まず、ウエハが図中（イ）の位置まで進む
と、ウエハ上に基本パターン４７を転写したい位置があ
るので、透過型マスク上の基本パターン４７を有する枡
目のうち所望の横位置にある枡目のみを照射しそれ以外
の枡目は照射しないように照明光学系１２が制御され、
光源部がパルス発光する。これにより、パターンの一部
４１３が露光される。

【００４３】さらに、ウエハが図中（ロ）の位置まで進
むと、再び基本パターン４７を転写したい位置があるの
で、透過型マスク上の所望の枡目が照射状態になるよう
制御され、光源部のパルス発光によりパターンの一部４
１４が露光される。

【００４４】次に、ウエハが図中（ハ）の位置まで進む
と、基本パターンの結像位置に、基本パターンを転写し
たい位置がないため、透過型マスクが全く照射されない
ように照明光学系１２が制御される。

【００４５】さらにウエハが進み、図中（ニ）の位置で
は基本パターン４８，４９の結像位置と、それぞれの基
本パターン４８，４９を転写したい位置とが一致するの
で、透過型マスク上の所望の枡目が照射状態になるよう
制御され、光源のパルス発光によりパターンの一部４１
５，４１６が露光される。

【００４６】このように、ウエハを逐次進めると、ウエ
ハがすべての基本パターンの露光領域を通過するので、
図４に示した露光領域４１を通過し終わった時は、図中
（リ）のように回路の露光が完了する。

【００４７】光源の発光パルスの時間幅はウエハが等速
または等加速度移動中に露光する場合、露光パターンの
微細さにより決まる、ウエハが時間的にほぼ静止してい
ると見なせる時間幅をパルス幅とする。ステップ移動で
露光する場合はウエハをステップし、静止している時間
より短い時間幅をパルス幅とする。

【００４８】同じ回路の量産を目的として本形態の露光
装置を使用する場合は、１つの回路露光後、次の露光位
置までウエハステージによってウエハを移動、位置決め
の後、同じ回路が転写される。

【００４９】同じ回路の量産を目的とせず、例えば異な
る回路を多数製造したい場合は、次の露光位置までウエ
ハステージによってウエハを移動、位置決めの後、コン
トローラが照明光学系制御装置に命令を送り、別の回路
パターンに合わせた照明光学系の制御を行う。こうして
１番目とは異なる回路が２番目の露光位置に転写され
る。このように繰り返し、異なる回路をウエハに転写す
ることで、１枚のウエハ上に異なる回路が多数転写され
る。

【００５０】また本方式はマスクによる露光面積の制約
がないため、１チップのサイズに関わらず、マスクの幅
と結像光学系の倍率とで決定される露光幅で、ウエハの
続く限り一方向に走査露光が可能である。

【００５１】同一回路量産の場合も異種回路多種生産の
場合も、１ウエハ露光後は、ウエハ搬送系によりその露
光済みのウエハが次のプロセス装置へ受け渡され、新し
いウエハがウエハステージに運ばれる。

【００５２】一般的には１つのＩＣを製造するためには
多数の回路原版を用いて何層も露光を行うが、本形態に
よれば、その都度照明光学系の制御ルーチンを変えるだ
けで多数の層の露光にも対応できる。

【００５３】（第２の実施形態）図６は本発明の露光装
置の第２の実施形態の全体構成を示す模式図である。

【００５４】本形態の露光装置は図６に示すように、露
光に適した波長の光を適当な時間幅でパルス照射可能な
光源部５１と、光源部５１の真下に配置された照明光学
系５２と、照明光学系５２の真下に配置され複数の基本
パターン図形を有する透過型マスク５３（図３（ｂ）参
照）と、感光基板としてのウエハ５５を移動保持すると
共に、透過型マスク５３に対してウエハ５５を数十μｍ
の間隔を置いて配置可能なウエハウテージ５８と、を備
えた、プロキシミティ露光に適用できるものである。ま
た、前記の照明光学系５２は、透過型マスク上の所望の
基本パターン図形の位置のみを照明可能にするものであ
り、かつその照明可能位置が照明光学系制御装置５７に
よって制御される。さらに、このような露光装置は、光
源部５１、ウエハステージ５８および照明光学系制御装
置５７にそれぞれ所望の動作命令を与えるコントローラ
１６を有する。

【００５５】上記の装置の動作について以下に説明する
と、まず、レジストを塗布したウエハ５５が、不図示の
ウエハ搬送系によりウエハステージ５８上に載置された
後、ウエハステージ５８により透過型マスク５３に対し
て近接した位置に移動されて、露光開始位置に位置決め
される。

【００５６】コントローラ５６によりウエハステージ５
８の等速移動が開始される。ウエハ５５が移動し、コン
トローラ５６からの命令により照明光学系制御装置５７
が、現在のウエハ位置に対応した、透過型マスク上の所
望の位置のみを照明できるように照明光学系５２を制御
する。同じくコントローラ５６の命令により光源部５１
がパルス光を発し、透過型マスク５５上の照明された位
置にある基本パターン図形のみが結像光学系５４によっ
てウエハ上に結像され、回路パターンの一部としてウエ
ハ上に転写される。ウエハ５５の等速移動がそのまま続
けられ、ウエハ５５上の、所望の基本パターンを転写し
たい位置が、その所望の基本パターンの結像位置と一致
しているときに、照明光学系制御装置５７によってその
所望の基本パターンの位置のみを照明できるように照明
光学系５２が制御され、光源部５１がパルス光を発する
と、前記所望の基本パターンが結像される。

【００５７】この操作を繰り返すと、透過型マスクの結
像領域をウエハが通過し終わるとウエハ上には基本パタ
ーンによって構成されたパターンが露光され、１つの露
光が終了となる。

【００５８】光源部５１は、制御されたパルス発振する
光源からなるものでも、連続発振する光源の前にシャッ
ターを設置して所定の時間間隔で発振を制御するもので
も構わない。また上記の装置ではウエハステージ５８が
等速移動するとしたが、ステップ移動でも、加速を含む
移動でも可能である。

【００５９】以上のような形態の露光装置における照明
光学系５２は第１の実施形態で図２を参照して説明した
ものと同じである。また、上記の透過型マスク５３とし
て図３に示した透過型マスクを用いて、本形態の露光装
置により露光する場合の手順についても、第１の実施形
態で図４及び図５を参照して説明した場合と同じであ
る。

【００６０】また本形態では光を用いたが感光性のレジ
スト材料を感光できればＸ線や電子線等の電磁波を用い
ることも可能である。

【００６１】（第３の実施形態）この形態の露光装置
は、第１及び第２の実施形態で説明したようなパルス発
振の光源部に替えて、連続発光光源を用い、照明光学系
のパルス制御で露光を行うものである。このような装置
では、透過型マスク上の所望の基本パターンの結像位置
と、ウエハ上の、前記所望の基本パターンを転写したい
位置とが一致した時に、前記所望の基本パターンのみを
ある時間幅の間でパルス的に照射できるように照明光学
系を制御することでその基本パターン図形の露光が可能
となる。透過型マスク上の所望の基本パターンの結像位
置と、ウエハ上の、前記所望の基本パターンを転写した
い位置とが一致していない時は、照明光学系のシャッタ
ー全体を遮光状態に保っている。

【００６２】照明光学系制御のパルス時間は、ウエハが
等速または等加速度移動中に露光する場合、露光パター
ンの微細さから決まる、ウエハが時間的にほぼ静止して
いると見なせる時間幅をパルス幅とする。ステップ移動
で露光する場合はステップ間のウエハ静止時間より短い
時間幅をパルス幅とする。

【００６３】本形態の露光装置により露光する場合の手
順についても、第１の実施形態で図４及び図５を参照し
て説明した場合と同じである。

【００６４】（第４の実施形態）上述の第１乃至３の実
施形態においては、複数の基本パターンを有するマスク
で多数の異なる回路パターンを露光することができる露
光装置を示したが、本発明の露光装置は多種のマスクを
交換可能とするものであってもよい。このような露光装
置にすれば、ＩＣの製造プロセスの段階に応じて異なる
基本パターンを使用するように基本パターンを交換可能
にすることで、更に多数の異なるＩＣに対応することが
できる。

【００６５】（第５の実施形態）図７は本発明の露光装
置の第５の実施形態の全体構成を示す模式図である。

【００６６】本形態の露光装置は図７に示すように、露
光に適した波長の光を適当な時間幅で照射可能な光源部
６１と、変位制御可能な微小光偏向面が多数配設され
た、光源部６１から照射される反射マスク６２（図８参
照）と、反射マスク６２の反射光を結像するための結像
光学系６３と、結像光学系６３を通してマスクパターン
が転写される感光基板としてのウエハ６４を移動保持可
能なウエハステージ６９と、ウエハステージ６９上にウ
エハを搬送するためのウエハ搬送系６７とを備える。前
記反射マスク６２は、反射マスク制御装置６６によって
反射マスクの微小光偏向面（図８参照）の変位が制御さ
れるものである。そして、この装置は、光源部６１、ウ
エハステージ６９、ウエハ搬送系６７および反射マスク
制御装置６６にそれぞれ所望の動作命令を与えるコント
ローラ６５を有する。

【００６７】上記の装置の動作について以下に説明する
と、まず、レジストを塗布したウエハ６４が不図示のウ
エハ搬送系によりウエハステージ６９上に載置された
後、ウエハステージ６９によりウエハ６４が結像光学系
６３の像面位置に移動されて露光開始位置に位置決めさ
れる。

【００６８】コントローラ６５によりウエハステージ６
９の等速移動が開始される。ウエハ６４が移動し、コン
トローラ６５からの命令により光源部６１がパルス光を
発し、反射マスクの露光状態の微小光偏向面によって反
射された基本パターン図面が結像光学系６３で結像さ
れ、回路パターンの一部としてウエハ上に転写される。
ウエハ６４の等速移動がそのまま続けられ、ウエハ６４
上の、所望の微小光偏向面の基本パターンを転写したい
位置が、その所望の微小光偏向面の基本パターンの結像
位置と一致しているときに、反射マスク制御装置６６に
よってその所望の微小光偏向面のみが露光状態に制御さ
れ、光源部６１がパルス光を発すると、結像光学系６３
によって前記所望の微小光偏向面の基本パターンが結像
される。

【００６９】この操作を繰り返すと、反射マスクの結像
領域をウエハが通過し終わるとウエハ上には基本パター
ンによって構成されたパターンが露光され、１つの露光
が終了となる。

【００７０】光源部６１は、制御されたパルス発振する
光源からなるものでも、連続発振する光源の前にシャッ
ターを設置して所定の時間間隔で発振を制御するもので
も構わない。また上記の装置ではウエハステージ６９が
等速移動するとしたが、ステップ移動でも、加速を含む
移動でも可能である。

【００７１】また本発明の目的を実現するためには結像
光学系６３は屈折光学系でも反射光学系でも反射屈折光
学系でも構わない。

【００７２】次に、上述の反射マスク６２の構成につい
て詳しく説明する。

【００７３】図８は上述した露光装置に使用した反射マ
スク６２の一部分を表す斜視図である。この図に示され
るように反射マスク６２は、デバイス露光の基本パター
ン図形からなる複数個の微小光偏向面７２を複数列に配
設した基板であり、各列ごとに、同じパターンを持つ微
小光偏向面７２が図中矢印７３の方向に配設されてい
る。

【００７４】図９は反射マスク６２の、１つの微小光偏
向面７２を拡大した斜視図である。この図に示されるよ
うに微小光偏向面７２は、その中心を通るようにして捩
じれ棒７４により支持されている。そして、微小光偏向
面７２の下には電極（不図示）が設置されており、この
偏向面７２の片側が電極の側に静電的に引きつけられる
と、偏向面７２は捩じれ棒７４を中心軸として微小角度
で回転する。この偏向面７２を変位制御することによ
り、偏向面７２が光源部からの光に対して露光状態、又
は非露光状態になる。このような微小光偏向機構は、例
えば特開平２−８８１２号等に詳しく解説されている。

【００７５】図１０及び図１１は、上述の微小光偏向面
７２における構成部材の例を説明するための断面図であ
る。これらの図において、符号８１は微小光偏向面の偏
向層を示し、この偏向層８１は捩じれ棒や片持ち梁で基
板につながっており、電極の静電力で傾いたり変位する
部分である。また、偏向層８１の下の電極層、変位のた
めのスペーサー層は省略してある。

【００７６】図１０に示す微小光偏向面では、偏向層８
１の上に露光時に使用する波長を反射する反射部材によ
る反射層８２が形成される。反射部材としては波長に応
じて偏向層８１の部材そのものや、金属、誘電体多層膜
等を用いる。この反射層８２の上に露光時に使用する波
長を吸収する吸収部材による吸収層８３が形成される。
この吸収層８３としては波長に応じて、金属や、誘電体
多層膜等を用いる。基本パターンは、吸収層８３に光リ
ソグラフィなどで所望の基本パターンを形成するように
パターニングして下の反射層８２を露出させることで、
形成されている。このように露出された反射部８４によ
って基本パターン図形が構成される。また、図１１に示
す微小光偏向面では、偏向層８１の上に露光時に使用す
る波長を吸収する吸収部材による吸収層８５が形成され
る。この吸収部材としては波長に応じて偏向層８１の部
材そのものや、金属、誘電体多層膜等を用いる。この吸
収層８５の上に露光時に使用する波長を反射する反射部
材による反射層８６が形成される。この反射層８６とし
ては波長に応じて、金属や、誘電体多層膜等を用いる。
基本パターンは、反射層８６に光リソグラフィなどで所
望の基本パターンを形成するようにパターニングして下
の吸収層８５を露出させることで、形成されている。こ
のように露出された吸収部８７によって基本パターン図
形が構成される。

【００７７】図１２（ａ）は反射マスク６１を上方から
みた図を示し、図１２（ｂ）は露光されるパターンの例
を示す。図１２（ａ）において、Ａ列には縦縞の基本パ
ターンが形成されている。微小光偏向面の製作上、隣り
合う微小光偏向面７２ａと７２ｂの間には間隙がある。
Ｂ列には同じく縦縞の基本パターンが形成されており、
ちょうどＡ列の間隙に対応する位置に配置される。この
ように配置することで、同パターン配列方向７３に直交
する方向にマスクとウエハを相対的に移動しながらＡ列
とＢ列の微小光偏向面を時間をずらして露光状態に制御
すると、図１２（ｂ）に示すように間隙のない縦縞パタ
ーンが露光される。

【００７８】この実施形態では図９に示したように捩じ
れ棒型の微小光偏向面を用いたが、微小光偏向面を上述
のように配列し、微小光偏向面に基本パターンを形成す
れば、微小光偏向面の構成としては片持ち梁型、膜変形
型などの、他の形状も可能である。

【００７９】次に、図１３及び図１４を参照し、上述の
露光装置による露光の手順を詳細に説明する。

【００８０】図１３は上述の結像光学系６３の像面位置
を示す図である。この図において、符号３１１は反射マ
スク全体を露光状態にときの結像光学系６３の像面位置
での露光領域と露光パターンを示す。反射マスク上には
長手方向に同じ基本パターンが並べてあるので、矢印７
３に示すとおり、露光領域の長手方向に同じ基本パター
ンの結像位置が並ぶ。符号３１０はこれから露光するウ
エハの領域を示し、符号３１２は露光が終了した領域で
あって、回路を示す。点線３１５と３１６は露光を行な
う幅を示している。ウエハは矢印３１３、３１４で示す
方向に露光領域３１１を通るようにしてウエハステージ
で移動する。

【００８１】図１４は、露光により図１３で示した回路
を構成する様子を示したものである。この図面左端の
（イ）から右端の（ヘ）まで図の下方向に移動する６ス
テップで露光が終了する。黒塗りのパターンはすでに露
光されたパターンを示し、点々のパターンはそのステッ
プで露光しているパターンを示す。１点鎖線は基本パタ
ーンが露光される領域を示す。

【００８２】まず、ウエハが図中（イ）の位置まで進む
と、ウエハ上に縦縞基本パターンを転写したい位置があ
るので、反射マスク上の基本パターンを有する微小光偏
向面のうち所望の横位置にある微小光偏向面のみが露光
状態で、それ以外の微小光偏向面は露光状態にならない
ように反射マスクが制御され、光源部がパルス発光す
る。これにより、パターンの一部３１５、３１６、３１
７がウエハに露光される。

【００８３】さらに、ウエハが図中（ロ）の位置まで進
むと、縦縞基本パターンを転写したい位置、即ち（イ）
の位置では露光できなかった隙間の部分が、２列目の微
小光偏向面の縦縞基本パターンの結像位置と一致するの
で、その縦縞基本パターンが形成された微小光偏向面が
露光状態になるように反射マスクが制御され、光源部の
パルス発光によりパターンの一部３１８、３１９が露光
される。

【００８４】次に、ウエハが図中（ハ）の位置まで進む
と、基本パターンの結像位置に、その基本パターンを転
写したい部分がないため、全ての微小光偏向面が非露光
状態になるように反射マスクが制御される。

【００８５】さらにウエハが進み、図中（ニ）の位置で
は、縦縞基本パターンおよび横縞基本パターンを転写し
たい位置が、それぞれの基本パターンの結像位置と一致
するので、それぞれの基本パターンが形成された微小光
偏向面が露光状態になるように反射マスクが制御され、
光源部のパルス発光によりパターンの一部３２０、３２
１が露光される。

【００８６】このように、ウエハを逐次進めると、ウエ
ハがすべての基本パターンの露光領域を通過するので、
図１３に示した露光領域３１１を通過し終わった時は、
図中（ヘ）のように回路の露光が完了する。

【００８７】同じ回路の量産を目的として本形態の露光
装置を使用する場合は、１つの回路露光後、次の露光位
置までウエハステージによってウエハを移動、位置決め
の後、同じ反射マスク制御によって同じ回路が転写され
る。

【００８８】同じ回路の量産を目的とせず、例えば異な
る回路を多数製造したい場合は、次の露光位置までウエ
ハステージによってウエハを移動、位置決めの後、コン
トローラが反射マスク制御装置に命令を送り、別の回路
パターンに合わせた反射マスクの制御を行う。こうして
１番目とは異なる回路が２番目の露光位置に転写され
る。このように繰り返し、異なる回路をウエハに転写す
ることで、１枚のウエハ上に異なる回路が多数転写され
る。

【００８９】また本方式はマスクによる露光面積の制約
がないため、１チップのサイズに関わらず、マスクの幅
と結像光学系の倍率とで決定される露光幅で、ウエハの
続く限り一方向に走査露光が可能である。

【００９０】同一回路量産の場合も異種回路多種生産の
場合も、１ウエハ露光後は、ウエハ搬送系によりその露
光済みのウエハが次のプロセス装置へ受け渡され、新し
いウエハがウエハステージに運ばれる。

【００９１】一般的には１つのＩＣを製造するためには
多数の回路原版を用いて何層も露光を行うが、本形態に
よれば、その都度反射マスクの制御ルーチンを変えるだ
けで多数の層の露光にも対応できる。

【００９２】（第６の実施形態）次に、上記説明した各
例のマスクの別の形態を説明する。図１５において、符
号１５１は基本パターンを形成する微小ミラーデバイス
部、符号１５２は配線等の周辺部、符号１５３はデバイ
ス幅、符号１５４はデバイスとデバイスの間隙、符号１
５５は全露光幅、符号１５６は同パターン配列方向、符
号１５７は露光走査の方向である。本実施形態は反射マ
スクであるミラーデバイスを用いると共に、露光面積を
更に拡大することを特徴とするものである。微小変形ミ
ラーデバイスは約１０ｍｍ角の大きさであり、デバイス
幅１５３が約１０ｍｍである。これを縮小結像した露光
領域は更に小さいものとなるが、本実施形態では微小変
形デバイスを複数個並べ、露光領域を拡大したものであ
る。実際の微小変形ミラーデバイスは多数の微小ミラー
の制御を行う配線等が周りを囲んでいるため、デバイス
を複数並べてもデバイス間隔１５４ができる。本実施形
態では第５の実施形態と同じ微小変形ミラーデバイスを
同パターン配列方向に複数個並べ、更に露光走査方向に
２列以上並べ、デバイス間の隙間を埋めるよう隣り合う
列に対して微小変形ミラーデバイスをその配列方向にず
らして並べたものである。デバイス間隔１５４がデバイ
ス幅１５３より広い場合は３列以上並べ、列ごとに順に
デバイス幅分ずらして配列して露光幅１５５の範囲のす
べてをデバイスが占めているように配列する。

【００９３】露光の手順は上記説明した実施形態とほぼ
同じである。像面位置ではウエハを露光走査の方向に走
査し、ウエハ上の所望の位置が所望の基本パターンの露
光位置に到達したときに所望のデバイスの所望の微小ミ
ラーを露光状態に制御する。複数の微小変形ミラーデバ
イスが露光幅全域を占めているので同じ基本パターンが
露光幅全域に並んでおり、何れかの列のデバイスに存在
することになる。但し、同じ基本パターンを露光する際
に露光幅方向の位置によってデバイスの列が異なる。

【００９４】なお、別の変形例として、連続発光光源を
用い、微小ミラーのパルス制御で露光を行うようにして
も良い。この場合、ウエハ上に露光したい基本パターン
と、微小変形ミラーの所望の基本パターンの結像位置が
一致した時に所望の微小ミラーをある時間幅の間のみパ
ルス的にオン状態に制御することでその基本パターン図
形の露光が可能となる。露光状態にある微小ミラー以外
は常時オフ状態を保っている。

【００９５】微小ミラー制御のパルス時間は、ウエハが
等速または等加速度移動中に露光する場合、露光パター
ンの微細さから決まる、ウエハが時間的にほぼ静止して
いると見なせる時間幅をパルス幅とする。ステップ移動
で露光する場合はステップし、静止している時間より短
い時間幅をパルス幅とする。

【００９６】（第７の実施形態）次に、上記第１乃至第
６の実施形態で説明したマスクや露光装置を利用したデ
バイスの製造方法について説明する。

【００９７】図１６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造工程を示すフローチャートで
ある。この図において、ステップＳ７１（回路設計）で
は半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップＳ７２
（マスク製作）では、上述したような複数の基本パター
ン図形を持つマスクを製作する。このマスクは透過型マ
スクまたは反射マスクであって、上述したような特徴を
有する。一方、ステップＳ７３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ７
４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウ
エハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ７５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ７４によっ
て作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップＳ７６（検査）ではステップＳ７５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップＳ７７）される。

【００９８】図１７は上記ウエハプロセスの詳細な工程
を示すフローチャートである。ステップＳ８１（酸化）
ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ８２（ＣＶ
Ｄ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ８
３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成
する。ステップＳ８４（イオン打込み）ではウエハにイ
オンを打ち込む。ステップＳ８５（レジスト処理）では
ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ８６（露光）で
は上記説明したマスクと露光装置によってマスクの回路
パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ８７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップＳ８８
（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を
削り取る。ステップＳ８９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰返し行なうことによって、ウエハ上に多
重に回路パターンが形成される。このような製造方法を
用いれば、従来は製造が難しかった高集積回路の半導体
デバイスを製造することができる。

【００９９】

【発明の効果】以上説明した本発明は、基本パターン図
形を配列したマスクを用い、マスクと対向する感光基板
を移動し、その感光基板上の、所望の基本パターン図形
を転写したい位置がその所望の基本パターン図形の露光
位置と一致したときに、その所望の基本パターン図形を
配したマスク上の位置のみが照明可能又は露光状態にな
るように制御する構成の露光装置とした事により、複数
のマスクを必要とせず、多数の異なる回路パターンを転
写することが可能となる。即ち設計変更が容易で多種少
数生産も可能となる。また、マスク上の一方向に同じ基
本パターンを配列し、ウエハを同パターン配列方向と垂
直な方向に面内移動しながら露光することで露光面積の
拡大も可能となる。

【０１００】また、本発明に係る反射マスク及びこれを
用いた露光装置は、一つの微小光変更面に１つの基本パ
ターンを形成することで、１つの微小光偏向面に含まれ
る情報量が多くなり、面内の情報集積率は高まる。ブロ
ック露光にすることでスループットも高まることにな
る。さらに、第１の方向に配列された微小光偏向面の第
１の方向の間隙の位置に第２の列の微小光偏向面を配列
することで切れ目のないパターンを露光できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置の第１の実施形態の全体構成
を示す模式図である。

【図２】本発明の露光装置の第１の実施形態で用いる照
明光学系を示す図である。

【図３】本発明の露光装置の第１の実施形態で使用する
マスクの概要図である。

【図４】本発明の露光装置の第１の実施形態における結
像光学系の像面位置を示す図である。

【図５】本発明の露光装置の第１の実施形態によって図
３（ｃ）及び図４で示した回路を構成する様子を示した
図である。

【図６】本発明の露光装置の第２の実施形態の全体構成
を示す模式図である。

【図７】本発明の露光装置の第５の実施形態の全体構成
を示す模式図である。

【図８】本発明の露光装置の第５の実施形態に使用した
反射マスクの一部分を表す斜視図である。

【図９】図８に示した反射マスクの、１つの微小光偏向
面を拡大した斜視図である。

【図１０】図９に示した微小光偏向面における構成部材
の例を説明するための断面図である。

【図１１】図９に示した微小光偏向面における構成部材
の例を説明するための断面図である。

【図１２】図８に示した反射マスクを上方からみた図
と、その反射マスクで露光されるパターンの例を示した
図である。

【図１３】本発明の露光装置の第５の実施形態における
結像光学系の像面位置を示す図である。

【図１４】本発明の露光装置の第５の実施形態によって
図１３で示した回路を構成する様子を示した図である。

【図１５】本発明の露光装置の第６の実施形態の反射マ
スクの構造を示した図である。

【図１６】本発明の露光装置を用いた微小デバイスの製
造工程の一例を示すフローチャートである。

【図１７】本発明の露光装置を用いたウエハプロセスの
詳細な工程の一例を示すフローチャートである。

【図１８】従来の露光装置及びそれを用いた製造方法を
示す概略図である。

【図１９】従来の露光装置及びマスクを用いて露光され
たウエハを示す図である。

【符号の説明】

１１、５１、６１ 光源部 １２、５２ 照明光学系 １３、５３ 透過型マスク １４、６３ 結像光学系 １５、５５、６４ ウエハ １６、５６、６５ コントローラ １７、５７ 照明光学系制御装置 １８、５８、６９ ウエハステージ １９、５９、１５７ 露光走査の方向 ２２ ホモジナイザー ２３、２５、２６ リレーレンズ ２４ 透過型シャッター ３１〜３６ 基本パターン図形 ４１、３１１ 露光領域 ４２、３１０ これから露光する領域 ４３、３１２ 露光終了後の領域 ４４、４５、３１３、３１４ ウエハ搬送方向 ４６、７３、１５６ 同パターン配列方向 ４７、４８、４９、４１０、４１１、４１２ 基本パ
ターン図形 ３１５〜３２１、４１３〜４１６ 露光中の基本パタ
ーン ６２ 反射マスク ６６ 反射マスク制御装置 ６７ ウエハ搬送系 ７２、７２ａ、７２ｂ 微小光偏向面 ７４ 捩じれ棒 ８１ 偏向層 ８２、８６ 反射層 ８３、８５ 吸収層 ８４ 露出された反射部 ８７ 露出された吸収部 ３１５、３１６ 露光を行なう幅を示す線 １５１ 微小ミラーデバイス部 １５２ 配線等の周辺部 １５３ デバイス幅 １５４ デバイス間隙 １５５ 露光幅

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 照明光学系と、該照明光学系に対向配置
   された結像光学系と、該結像光学系の物***置に配置さ
   れ複数の基本パターン図形が描かれた透過型マスクと、
   前記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保持し前記
   結像光学系の光軸に対して垂直な第１の方向に移動する
   ステージと、を有し、 前記照明光学系は前記透過型マスク上の所望の基本パタ
   ーン図形の位置を照明可能にするように構成された露光
   装置。
2. 【請求項２】 照明光学系と、該照明光学系に対向配置
   された結像光学系と、該結像光学系の物***置に配置さ
   れ複数の基本パターン図形が描かれた透過型マスクと、
   前記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保持し前記
   結像光学系の光軸に対して垂直な第１の方向に移動する
   ステージと、を有し、 前記ステージによって前記結像光学系の像面位置の感光
   基板を前記第１の方向に移動し、前記感光基板上の、所
   望の基本パターン図形を転写したい位置が、当該所望の
   基本パターン図形の結像位置と一致したときに、前記照
   明光学系は前記所望の基本パターン図形の位置のみを照
   明可能にするように構成された露光装置。
3. 【請求項３】 前記透過型マスクは同じ基本パターン図
   形を複数有し、当該同じ基本パターン図形は、前記透過
   型マスクを前記結像光学系で結像したときの結像面で前
   記第１の方向とは直交する第２の方向に並ぶように前記
   透過型マスク上に配列されていることを特徴とする請求
   項１又は請求項２に記載の露光装置。
4. 【請求項４】 照明光学系と、該照明光学系に対向配置
   され複数の基本パターン図形が描かれた透過型マスク
   と、前記透過型マスクに近接対向して感光基板を固定保
   持し該感光基板の基板面に平行な第１の方向に移動する
   ステージと、を有し、 前記照明光学系は前記透過型マスク上の所望の基本パタ
   ーン図形の位置を照明可能にするように構成された露光
   装置。
5. 【請求項５】 照明光学系と、該照明光学系に対向配置
   され複数の基本パターン図形が描かれた透過型マスク
   と、該透過型マスクに近接対向して感光基板を固定保持
   し該感光基板の基板面に平行な第１の方向に移動するス
   テージと、を有し、 前記ステージによって前記感光基板を前記第１の方向に
   移動し、前記感光基板上の、所望の基本パターン図形を
   転写したい位置が、当該所望の基本パターン図形の結像
   位置と一致したときに、前記照明光学系は前記所望の基
   本パターン図形の位置のみを照明可能にするように構成
   された露光装置。
6. 【請求項６】 前記透過型マスクは同じ基本パターン図
   形を複数有し、当該同じ基本パターン図形は、前記第１
   の方向とは直交する第２の方向に並ぶように前記透過型
   マスク上に配列されていることを特徴とする請求項４又
   は請求項５に記載の露光装置。
7. 【請求項７】 前記光源はパルス発光することを特徴と
   する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
8. 【請求項８】 前記光源は連続発光するものであり、該
   照明光学系は、前記透過型マスク上の所望の基本パター
   ン図形の位置を照明可能にする状態がパルス的に制御さ
   れるものであることを特徴とする請求項１乃至６のいず
   れか１項に記載の露光装置。
9. 【請求項９】 前記透過型マスクは交換可能であること
   を特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露
   光装置。
10. 【請求項１０】 変位制御可能な微小光偏向面がアレイ
    状に配設され、該偏向面にはデバイス露光の基本パター
    ン図形が形成された反射マスク。
11. 【請求項１１】 前記微小光偏向面は光反射体で形成さ
    れており、前記基本パターン図形は光吸収体によって形
    成された請求項１０に記載の反射マスク。
12. 【請求項１２】 前記微小光偏向面は光吸収体で形成さ
    れており、前記基本パターン図形は光反射体によって形
    成された請求項１０に記載の反射マスク。
13. 【請求項１３】 前記反射マスクは同じ基本パターン図
    形を有する微小光偏向面を２つ以上有し、該同じパター
    ンの基本パターン図形を有する微小光偏向面が前記反射
    マスク上の第１の方向に並ぶように配列されている請求
    項１０乃至１２のいずれか１項に記載の反射マスク。
14. 【請求項１４】 前記第１の方向に配列された第１の微
    小光偏向面の列における微小光偏向面どうしの間隙の位
    置に対応するように、第２の微小光偏向面の列が配列さ
    れている請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の反
    射マスク。
15. 【請求項１５】 光源部と、該光源部により照明され
    る請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の反射マス
    クと、該反射マスクに対向配置された結像光学系と、前
    記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保持し、前記
    結像光学系の光軸に対して垂直で且つ前記第１の方向と
    直交する第２の方向に移動するステージと、を有し、 前記反射マスクは当該マスク上の所望の微小光偏向面の
    みを露光状態にするように構成された露光装置。
16. 【請求項１６】 光源部と、該光源部により照明され
    る請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の反射マス
    クと、該反射マスクに対向配置された結像光学系と、前
    記結像光学系の像面位置に感光基板を固定保持し、前記
    結像光学系の光軸に対して垂直でかつ前記第１の方向と
    直交する第２の方向に移動するステージと、を有し、 前記ステージによって前記結像光学系の像面位置の感光
    基板を前記第２の方向に移動し、前記感光基板上の、所
    望の基本パターン図形を転写したい位置が、当該所望の
    基本パターン図形の結像位置と一致したときに、前記反
    射マスクは前記所望の基本パターン図形が形成された微
    小光偏向面のみを露光状態にするように構成された露光
    装置。
17. 【請求項１７】 前記光源はパルス発光するものである
    請求項１５又は請求項１６に記載の露光装置。
18. 【請求項１８】 前記光源は連続発光するものであり、
    前記反射マスクの微小光偏向面がパルス的に制御される
    ものである請求項１５又は請求項１６に記載の露光装
    置。
19. 【請求項１９】 前記反射マスクは交換可能である請求
    項１５乃至１８のいずれか１項に記載の露光装置。
20. 【請求項２０】 請求項１乃至１０、請求項１５乃至１
    ９のいずれか１項に記載の露光装置を用いてデバイスを
    製造する、デバイスの製造方法。