JPH10321587A - Method for drying substrate - Google Patents
Method for drying substrateInfo
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- JPH10321587A JPH10321587A JP14448897A JP14448897A JPH10321587A JP H10321587 A JPH10321587 A JP H10321587A JP 14448897 A JP14448897 A JP 14448897A JP 14448897 A JP14448897 A JP 14448897A JP H10321587 A JPH10321587 A JP H10321587A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ基板や半導
体ウェーハなどの平板状の基板の洗浄工程において用い
られる基板の乾燥方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for drying a substrate used in a step of cleaning a flat substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３に、従来の乾燥方法を示す。図にお
いて、１は洗浄とすすぎの終わったＬＣＤ基板や半導体
ウェーハなどの平板状の基板、２は平板状の基板１を搬
送するローラ、３は基板１の表面に向けて乾燥用のエア
を吹き付けるためのエアナイフノズルであって、ローラ
２に載せて送られてくる洗浄とすすぎの終わった基板１
の表面に向けてエアナイフノズル３から乾燥用のエアを
吹き付けることにより、基板表面に付着している水滴Ｗ
を蒸発乾燥させるものである。2. Description of the Related Art FIG. 3 shows a conventional drying method. In the figure, 1 is a flat substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer after cleaning and rinsing, 2 is a roller for transporting the flat substrate 1, and 3 is a blowing air for drying toward the surface of the substrate 1. Knife for cleaning the substrate 1 that has been washed and rinsed and sent on the roller 2
Spraying drying air from the air knife nozzle 3 toward the surface of the substrate, the water droplet W adhering to the substrate surface is sprayed.
Is evaporated and dried.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の乾燥方法の場合、エアナイフノズル３から噴き
出される乾燥用のエアが基板表面に付着している水滴Ｗ
を吹き飛ばした時のミストが基板表面に再び付着し、基
板表面に水滴痕となって残ってしまうことがあった。ま
た、大量のエアを必要とする欠点もある。However, in the case of the above-mentioned conventional drying method, the drying air blown out from the air knife nozzle 3 causes the water droplet W adhering to the substrate surface.
When the mist was blown off, the mist sometimes adhered to the substrate surface again and remained on the substrate surface as waterdrop marks. There is also a disadvantage that a large amount of air is required.
【０００４】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、水の表面張力によるメニスカスと
水に溶け易い溶剤を含んだ不活性ガスによるマランゴニ
効果を利用して、ＬＣＤ基板や半導体ウェーハなどの平
板状の基板をその表面に水滴痕を生じさせることなく完
全に乾燥させることができる基板の乾燥方法を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an LCD substrate utilizing a meniscus due to the surface tension of water and a Marangoni effect due to an inert gas containing a solvent which is easily soluble in water. It is an object of the present invention to provide a method for drying a substrate which can completely dry a flat substrate such as a semiconductor wafer or a semiconductor wafer without causing water droplets on its surface.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板表面との間に毛細管現象が発生する
程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブロック
を基板の搬送経路上に位置して基板表面に向けて対向配
置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬送機構によって
搬送しながら前記水切りブロック部分を通過させること
により、基板表面に付着した水滴を基板表面に一様に拡
散せしめて水切りブロックの出口側端面と基板表面との
間にメニスカスを形成し、該メニスカス部分を水に溶け
て表面張力を小さくするように作用する溶剤ガスを混合
した不活性ガスに接触させながらマランゴニ効果により
水分を蒸発乾燥させるようにしたものである。なお、前
記水切りブロックの前方側に位置して、基板に付着して
いる水滴を掻き落として除去するための支切り板を基板
表面に向けて所定の間隙をおいて対向配置することが望
ましい。さらに、前記水切りブロックと支切り板は基板
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置することが望ましい。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a drain block on a transfer path of a substrate so that a slight gap is formed between the substrate and the surface of the substrate so that a capillary phenomenon occurs. At a position facing the substrate surface, and by passing the substrate after washing and rinsing through the draining block portion while being transported by the transport mechanism, water droplets adhering to the substrate surface are uniformly distributed on the substrate surface. A meniscus is formed between the outlet side end surface of the drain block and the substrate surface by diffusing, and the meniscus portion is dissolved in water while contacting with an inert gas mixed with a solvent gas that acts to reduce the surface tension. The water is evaporated and dried by the Marangoni effect. It is preferable that a partition plate, which is located on the front side of the drain block and scrapes off water drops adhering to the substrate, is opposed to the substrate surface with a predetermined gap facing the substrate surface. Further, it is desirable that the drain block and the partition plate are inclined at a predetermined angle in the front-rear direction from a direction perpendicular to the traveling direction of the substrate.
【０００６】[0006]
【作用】洗浄とすすぎが終わって表面に大量の水滴が付
着したままの基板は、まず支切り板の下を通過すること
によってその表面に付着している水滴の大部分が掻き落
とされて除去された後、水切りブロックへ搬送される。
基板が水切りブロックの下に入っていくと、基板の表面
に残存している水滴は毛細管現象によって水切りブロッ
クと基板表面との間に形成されたすきま全体に一様に拡
散し、水膜を形成する。そして、この水膜は水切りブロ
ックの出口側端面と基板表面との間にその表面張力によ
って山の裾野のようなメニスカスを形成する。このメニ
スカスの先端部分は、基板が移動されていくに従って基
板表面によって引っ張られ、水膜の厚さがだんだんと薄
くなっていく。[Function] After cleaning and rinsing are finished, a large amount of water droplets adhere to the surface of the substrate. Most of the water droplets adhering to the surface of the substrate are scraped off by passing under the partition plate. After that, it is transported to the draining block.
When the substrate enters under the drain block, the water droplets remaining on the surface of the substrate are uniformly diffused through the gap formed between the drain block and the substrate surface by capillary action, forming a water film. I do. Then, the water film forms a meniscus like a foot of a mountain by the surface tension between the end face on the outlet side of the drain block and the substrate surface. The tip of the meniscus is pulled by the surface of the substrate as the substrate is moved, and the thickness of the water film is gradually reduced.
【０００７】このような状態において、該メニスカス部
分を水に溶けて表面張力を小さくするように作用する溶
剤ガスを混合した不活性ガスに接触させると、基板が搬
送されて行くに従って溶剤ガスがメニスカス部分に溶け
込んでいくため、メニスカスの先端部分の溶剤濃度が最
も高くなり、メニスカス先端側から水切りブロックの出
口側端面に向かって溶剤濃度が小さくなる濃度勾配を生
じる。この結果、各部の表面張力と粘性は逆に水切りブ
ロックの出口側端面からメニスカス先端側に向かって小
さくなっていき、メニスカス先端部分の水には水切りブ
ロックの出口側端面に引き戻されるような引力が作用す
る（これをマランゴニ効果という）と同時に、蒸発乾燥
する。In such a state, when the meniscus portion is brought into contact with an inert gas mixed with a solvent gas which acts to reduce the surface tension by dissolving in water, the solvent gas is reduced as the substrate is transported. Since the solvent penetrates into the portion, the concentration of the solvent at the tip of the meniscus becomes highest, and a concentration gradient occurs in which the solvent concentration decreases from the tip of the meniscus to the end face of the drain block. As a result, the surface tension and the viscosity of each part, on the contrary, decrease from the outlet end face of the drain block to the meniscus tip side, and the water at the meniscus tip portion has an attractive force that is drawn back to the outlet end face of the drain block. It acts (this is called the Marangoni effect) and evaporates and dries.
【０００８】したがって、基板の移動に伴ってメニスカ
スの先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっても、
引き延ばされていくメニスカス先端付近の水膜がその表
面張力によって引きちぎられて水滴化するというような
ことがなくなり、メニスカス先端部は薄い水膜となった
状態のままで蒸発乾燥していく。このため、基板表面に
付着した水滴が水滴痕となって残存するようなことがな
くなる。また、基板表面に残った水滴痕に空気中に漂う
異物やゴミなどの微粒子が付着して基板が再汚染されて
しまうというようなこともなくなり、基板の表面は極め
て清澄な状態で乾燥される。Therefore, even if the water film on the tip side of the meniscus is pulled and thinned with the movement of the substrate,
The water film near the tip of the meniscus being extended is not torn off due to its surface tension to form water droplets, and the tip of the meniscus evaporates and dries in a state of a thin water film. For this reason, there is no possibility that water droplets adhering to the substrate surface remain as water droplet marks. In addition, there is no case where fine particles such as foreign matter and dust floating in the air adhere to the waterdrop marks remaining on the substrate surface, thereby recontaminating the substrate, and the substrate surface is dried in an extremely clear state. .
【０００９】また、前記水切りブロックを基板の進行方
向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜さ
せて配置した場合には、水切りブロックのすきまに入り
きらない余分な水については水切りブロックの前縁の傾
斜に沿って押し流されていき、最終的に基板の端縁から
押し出されて排水される。したがって、水切りブロック
部分に送り込まれる水滴Ｗの水量を少なくすることがで
き、水滴の乾燥速度を高速化することができる。When the drain block is inclined at a predetermined angle in the front-rear direction from a direction perpendicular to the direction of travel of the substrate, excess water that does not fit in the clearance of the drain block is removed from the drain block. It is washed down along the slope of the leading edge, and is finally pushed out from the edge of the substrate and drained. Therefore, the amount of water of the water droplet W sent to the drain block can be reduced, and the drying speed of the water droplet can be increased.
【００１０】また、前記支切り板を基板の進行方向と直
交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜させて配
置した場合には、支切り板の隙間に入りきらない余分な
水については、支切り板の前縁の傾斜に沿って押し流さ
れていき、最終的に基板の端縁から押し出されて排水さ
れる。したがって、水切りブロックへ送り込まれる水滴
Ｗの水量をさらに少なくすることができ、水滴の乾燥速
度をさらに高速化することができる。[0010] Further, when the partition plate is arranged to be inclined in the front-rear direction by a predetermined angle from a direction perpendicular to the direction of travel of the substrate, excess water that cannot enter the gap between the partition plates is It is flushed down along the slope of the front edge of the partition plate, and is finally pushed out from the edge of the substrate and drained. Therefore, the amount of water of the water droplet W sent to the drain block can be further reduced, and the drying speed of the water droplet can be further increased.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１および図２に本発明の
一実施形態を示す。図において、１は洗浄とすすぎの終
わったＬＣＤ基板や半導体ウェーハなどの平板状の基
板、２は基板１を搬送する基板搬送機構としてのローラ
であって、このローラ２による基板１の搬送経路の途中
に、基板表面との間に毛細管現象の発生する程度の僅か
のすきま（例えば、０．５〜１ｍｍ程度）をおいて水切
りブロック４が基板表面に向けて対向配置されていると
ともに、この水切りブロック４の前方側に、基板上に付
着している水滴Ｗの大半を事前に除去するための支切り
板２０が基板表面に向けて所定の間隔（同じく０．５〜
１ｍｍ程度）をおいて対向配置されている。また、この
水切りブロック４の出口側端面９の近傍には、メニスカ
ス部分を後述するＩＰＡガスと不活性ガスの混合ガスで
囲むためのカバー１２がメニスカス全面を覆うように配
設されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show one embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 1 denotes a flat substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer which has been cleaned and rinsed, and 2 denotes a roller as a substrate transport mechanism for transporting the substrate 1. The draining block 4 is disposed facing the substrate surface with a slight clearance (for example, about 0.5 to 1 mm) between the substrate and the substrate surface so that a capillary phenomenon occurs. On the front side of the block 4, a partition plate 20 for previously removing most of the water droplets W adhering on the substrate is provided at a predetermined distance (also 0.5 to 0.5) toward the substrate surface.
(Approximately 1 mm). A cover 12 for surrounding the meniscus portion with a mixed gas of an IPA gas and an inert gas, which will be described later, is provided near the outlet end surface 9 of the drain block 4 so as to cover the entire meniscus.
【００１２】前記水切りブロック４は、親水性と保水性
を備えた材料（例えば、酸洗いしたステンレス材など）
から構成されており、基板１の進行方向と直交する向き
に対して所定の角度αだけ前後方向に傾斜させた状態で
基板１の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛
け渡されている。この傾斜角αを与えることにより、基
板１の始端面と終端面における水切りを良好にするとと
もに、余分な水を水切りブロック４の前縁に沿って矢印
（イ）方向に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水
するものである。なお、この傾斜角αは、基板１の搬送
速度や基板表面に付着する水滴Ｗの量に応じて０〜４５
°の範囲内で最適な値に調整されるものである。The drain block 4 is made of a material having hydrophilicity and water retention (for example, pickled stainless steel).
And is laid so as to cover the entire width in the direction perpendicular to the direction of travel of the substrate 1 in a state where it is inclined forward and backward by a predetermined angle α with respect to the direction perpendicular to the direction of travel of the substrate 1. I have. By providing this inclination angle α, draining at the start end face and the end face of the substrate 1 is improved, and excess water is guided in the direction of the arrow (a) along the front edge of the drain block 4, and It is extruded from the edge and drained. Note that the inclination angle α is 0 to 45 in accordance with the transport speed of the substrate 1 and the amount of water droplets W adhering to the substrate surface.
It is adjusted to an optimum value within the range of °.
【００１３】また、前記支切り板２０は、前記水切りブ
ロック４と同様に、基板１の進行方向と直交する向きに
対して所定の角度βだけ前後方向に傾斜させた状態で基
板１の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛け
渡されている。この傾斜角βを与えることにより、基板
１の始端面と終端面における水切りを良好にするととも
に、余分な水を支切り板２０の前縁に沿って矢印（ロ）
方向に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水するも
のである。なお、この傾斜角βは、基板１の搬送速度や
基板表面に付着する水滴Ｗの量に応じて０〜４５°の範
囲内で最適な値に調整されるものである。Further, similarly to the draining block 4, the partition plate 20 is tilted in the front-rear direction by a predetermined angle β with respect to the direction perpendicular to the direction of travel of the substrate 1 in the forward direction of the substrate 1. It is stretched so as to cover the entire width in the direction perpendicular to the direction. By giving the inclination angle β, draining at the start end face and the end face of the substrate 1 is improved, and excess water is removed along the front edge of the partition plate 20 by an arrow (b).
It is guided in the direction, extruded from the edge of the substrate 1, and drained. The inclination angle β is adjusted to an optimal value within the range of 0 to 45 ° according to the transport speed of the substrate 1 and the amount of the water droplet W attached to the substrate surface.
【００１４】カバー１２は、図示例においては断面鉤形
に形成されており、その適宜位置に１個または複数個の
ガス供給孔１３が形成されている。そして、このガス供
給孔１３には、ガス供給パイプ１４を通じて、水に溶け
て表面張力を小さくするように作用する溶剤ガス（例え
ば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ガス）を混合し
た不活性ガス（例えば、Ｎ2 （窒素）ガス）が所定圧力
で送給され、この混合ガスによってカバー１２内を満た
すことにより、メニスカス１０が混合ガスと接するよう
に構成されている。The cover 12 has a hook shape in the illustrated example, and one or a plurality of gas supply holes 13 are formed at appropriate positions. An inert gas (for example, IPA (isopropyl alcohol) gas) mixed with a solvent gas (for example, IPA (isopropyl alcohol) gas) that dissolves in water and acts to reduce the surface tension is supplied to the gas supply hole 13 through a gas supply pipe 14. N 2 (nitrogen) gas is supplied at a predetermined pressure, and the meniscus 10 is configured to contact the mixed gas by filling the inside of the cover 12 with the mixed gas.
【００１５】次に、前記図１および図２を参照して本発
明方法による基板１の乾燥処理を説明する。洗浄とすす
ぎの終わった基板１は、基板表面に水滴Ｗが付着した状
態でローラ２によって搬送され、上下に配置した支切り
板２０の間を通ることによって表面に付着している水滴
Ｗの大半が掻き落とされて除去される。そして、基板１
は、支切り板２０で除去されなかった水滴Ｗを載せた状
態で水切りブロック４の間を通過していく。このとき、
上下の水切りブロック４は、それぞれ基板１の表面との
間に毛細管現象が発生する程度の小さなすきまが形成さ
れるように配置されているため、この水切りブロック４
の間に基板１が入っていくと、図２に示すように、基板
表面に付着している水滴Ｗは毛細管現象により薄い水膜
となって水切りブロック４との間のすきまに一様に拡散
するとともに、水切りブロック４の出口側端面９におい
てその表面張力により山の裾野のような形をしたメニス
カス１０を形成する。さらに、カバー１２のガス供給孔
１３からは、ＩＰＡガスなどの溶剤ガスを混合された不
活性ガスが所定圧力で送給され、カバー１２の内部を混
合ガスで満たしている。Next, the drying process of the substrate 1 according to the method of the present invention will be described with reference to FIGS. After washing and rinsing, the substrate 1 is conveyed by the roller 2 in a state where the water droplets W adhere to the substrate surface, and most of the water droplets W adhered to the surface by passing between the partition plates 20 arranged vertically. Is scraped off and removed. And the substrate 1
Passes between the draining blocks 4 with the water droplets W not removed by the partition plate 20 placed thereon. At this time,
Since the upper and lower draining blocks 4 are arranged so as to form a small gap between them and the surface of the substrate 1 such that a capillary phenomenon occurs, the draining blocks 4 are formed.
When the substrate 1 enters between them, as shown in FIG. 2, the water droplets W adhering to the substrate surface become a thin water film due to the capillary phenomenon and are uniformly diffused in the gap between the drain block 4. At the same time, a meniscus 10 shaped like a foot of a mountain is formed on the outlet side end face 9 of the draining block 4 by the surface tension. Further, an inert gas mixed with a solvent gas such as an IPA gas is supplied at a predetermined pressure from a gas supply hole 13 of the cover 12 to fill the inside of the cover 12 with the mixed gas.
【００１６】上記のような状態で基板１が右方（図にお
いて）に搬送されていくと、混合ガス中の溶剤ガスがメ
ニスカス１０の表面から徐々に溶け込んでいくが、最も
長く溶剤ガスに晒されるメニスカス１０の先端部分
Ｐ1 ；Ｐ3 の溶け込み濃度が最も大きくなり、溶剤濃度
はＰ1 ；Ｐ3 →Ｐ2 の順に小さくなって行くような濃度
勾配を生じる。基板１の移動に伴ってメニスカス１０は
さらに右方へ引っ張られていくが、水切りブロック４は
親水性の良いものを用いているので、Ｐ3 部分にはこの
水切りブロック４の下部側から新しい水分が補充され、
前記メニスカス１０は山の裾野のような形状を維持され
る。このメニスカス１０部分の表面張力と粘性は溶剤濃
度の濃いＰ1 ，Ｐ3 部分がＰ2 部分よりも小さいが、前
述のようにＰ3 部には新しい水分が補充されるので、最
終的にはＰ1 部分が最も表面張力と粘性が小さくなる。When the substrate 1 is transported to the right (in the figure) in the above-mentioned state, the solvent gas in the mixed gas gradually dissolves from the surface of the meniscus 10, but the solvent gas is most exposed to the solvent gas. In this case, a concentration gradient is generated such that the dissolution concentration of the tip portion P 1 ; P 3 of the meniscus 10 becomes highest and the solvent concentration decreases in the order of P 1 ; P 3 → P 2 . Meniscus 10 with the movement of the substrate 1 is gradually pulled further to the right, but because drainage block 4 uses a good hydrophilicity, new water from the lower side of the P 3 in part the drainage block 4 Is replenished,
The meniscus 10 is maintained in a shape like a foot of a mountain. Although surface tension and viscosity dark P 1, P 3 portions of solvent concentration of the meniscus 10 parts is smaller than P 2 portions, a new water is replenished to the P 3 parts as described above, eventually P 1 moiety is most surface tension and the viscosity decreases.
【００１７】メニスカス１０の先端部分Ｐ1 は、基板１
の移動に合わせて右方に引っ張られていき、その水膜は
段々と薄くなっていくが、メニスカス１０の先端部分Ｐ
1 付近の水にはＰ2 より濃い溶剤が作用するので、引き
延ばされていく水膜の先端が表面張力によって引きちぎ
られて水滴化するというようなことがなくなり、そのま
まの状態で蒸発乾燥される。このため、メニスカス１０
の先端部分がちぎれて水滴化し、基板表面に水滴痕とな
って残るというようなことがなくなる。したがって、基
板表面に発生した水滴痕に空気中に漂う異物やゴミなど
の微粒子が付着して基板が再汚染されてしまうというよ
うなこともなくなり、基板１の表面は極めて清澄な状態
で乾燥される。The tip portion P 1 of the meniscus 10 is
The water film is gradually pulled to the right in accordance with the movement of the water, and the water film gradually becomes thinner.
Since the water in the vicinity of 1 acts darker solvent than P 2, prevents such that the tip of the go elongated water film is water droplets of being torn off by the surface tension, is evaporated to dryness as it is You. Therefore, the meniscus 10
This prevents the tip portion of the substrate from being torn off to form water droplets and remaining as water droplet marks on the substrate surface. Therefore, it is possible to prevent the fine particles such as foreign matters and dust floating in the air from adhering to the traces of water droplets generated on the surface of the substrate, thereby recontaminating the substrate. The surface of the substrate 1 is dried in an extremely clear state. You.
【００１８】また、前記水切りブロック４は、角度αだ
け前後方向に傾斜して配置されているので、水切りブロ
ック４のすきまに入りきらない余分な水については水切
りブロック４の前縁の傾斜に沿って矢印（イ）の方向に
押し流されていき、基板１の端縁から外部へ押し出され
て排出されるので、水切りブロック４に送り込まれる水
滴Ｗの水量をそれだけ少なくすることができる。このた
め、溶剤ガス＋不活性ガスを用いたマランゴニ効果によ
る水分の乾燥速度を高速化することができ、基板の乾燥
時間をより短縮することができる。Further, since the drain block 4 is arranged to be inclined in the front-rear direction by the angle α, excess water which cannot be filled in the clearance of the drain block 4 is formed along the inclination of the front edge of the drain block 4. As a result, the water is pushed out in the direction of the arrow (a) and pushed out from the edge of the substrate 1 to the outside, and is discharged. Therefore, the amount of water of the water droplet W sent to the draining block 4 can be reduced accordingly. For this reason, the drying speed of moisture by the Marangoni effect using the solvent gas and the inert gas can be increased, and the drying time of the substrate can be further reduced.
【００１９】なお、上記の例では、溶剤ガスとしてＩＰ
Ａガスを挙げたが、これに限定されるものではなく、水
に溶け込むことができ、かつ、水に溶け込むことによっ
て水の表面張力を小さくするように作用する溶剤ガスで
あればよい。また、不活性ガスについても、Ｎ2 ガスに
限らず、ヘリウムガス、アルゴンガスなどの他の不活性
ガスを用いることができるものである。In the above example, the solvent gas is IP
Although the gas A has been described, the gas is not limited thereto, and any solvent gas that can be dissolved in water and acts to reduce the surface tension of water by being dissolved in water may be used. Also, the inert gas is not limited to the N 2 gas, and other inert gases such as helium gas and argon gas can be used.
【００２０】また、上記の例では、基板１を水平方向へ
搬送しながら乾燥する場合を例示したが、基板１の搬送
方向は水平方向に限られるものではなく、垂直上向き、
垂直下向きあるいは斜め方向など、洗浄装置の仕様に応
じてあらゆる方向に設定できるものである。また、上記
の例では、基板１の表裏両面に支切り板２０と、水切り
ブロック４と、溶剤ガスと不活性ガスの混合ガスを充満
させるためのカバー１２を配置したが、基板１の片面だ
けを洗浄乾燥するような場合には、当該片面側だけに支
切り板２０、水切りブロック４およびカバー１２を配置
すればよい。Further, in the above example, the case where the substrate 1 is dried while being transported in the horizontal direction has been described. However, the transport direction of the substrate 1 is not limited to the horizontal direction, but may be vertically upward.
It can be set in any direction according to the specifications of the cleaning device, such as vertically downward or oblique. Further, in the above example, the partition plate 20, the drain block 4, and the cover 12 for filling the mixed gas of the solvent gas and the inert gas are arranged on both the front and back surfaces of the substrate 1, but only one surface of the substrate 1 is provided. When washing and drying is performed, the partition plate 20, the drain block 4 and the cover 12 may be arranged only on the one side.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水切りブロックの出口側端面に形成されるメニスカス部
分を水に溶けて表面張力を小さくするように作用する溶
剤ガスを混合した不活性ガスに接触させながらマランゴ
ニ効果を利用して基板表面に付着している水滴を蒸発乾
燥させるようにしたので、従来のエアを用いた乾燥方法
のように水滴が飛散して基板の表面に再付着し、水滴痕
となって残ってしまうというようなことがなくなり、基
板表面を極めて清澄な状態で乾燥させることができる。As described above, according to the present invention,
Using the Marangoni effect, the meniscus formed at the outlet end face of the draining block adheres to the substrate surface using the Marangoni effect while contacting an inert gas mixed with a solvent gas that acts to dissolve the water and reduce the surface tension. Since the water droplets are evaporated and dried, the water droplets do not scatter and re-attach to the surface of the substrate as in the conventional drying method using air, and they do not remain as water droplet marks, The substrate surface can be dried in a very clear state.
【００２２】また、水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴のを掻き落として除去する
ための支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて
対向配置したので、基板表面に付着している水滴の大半
を事前に除去することができ、水切りブロックへ送り込
まれる水滴の水量を少なくすることが可能となり、基板
の送り速度を高速化して乾燥時間を短縮することができ
る。Further, since a partition plate for scraping off and removing water droplets adhering to the substrate is positioned at the front side of the draining block and is opposed to the substrate surface with a predetermined gap therebetween. In addition, most of the water droplets adhering to the substrate surface can be removed in advance, the amount of water droplets sent to the drain block can be reduced, and the substrate feeding speed can be increased to shorten the drying time. Can be.
【００２３】さらに、支切り板と水切りブロックを基板
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置したので、支切り板と水切りブロック
の前縁に沿って余分な水を押し流しながら効率よく外部
へ排除することができ、基板の乾燥時間をさらに短縮す
ることができる。Furthermore, since the partition plate and the draining block are arranged at a predetermined angle from the direction perpendicular to the direction of movement of the substrate in the front-rear direction, excess water is provided along the front edges of the partition plate and the drain block. Can be efficiently removed to the outside while flushing, and the drying time of the substrate can be further reduced.
【図１】本発明方法の一実施形態を示すもので、（Ａ）
は本発明方法で用いる乾燥装置の平面図、（Ｂ）は正面
図、（Ｃ）は右側面図である。FIG. 1 shows one embodiment of the method of the present invention, wherein (A)
1 is a plan view of a drying apparatus used in the method of the present invention, (B) is a front view, and (C) is a right side view.
【図２】前記乾燥装置の遠赤外線ヒータとその周辺部分
の部分拡大側面図である。FIG. 2 is a partially enlarged side view of a far-infrared heater of the drying device and a peripheral portion thereof.
【図３】従来方法の説明図であって、（Ａ）は従来方法
で用いる乾燥装置の正面図、（Ｂ）は右側面図である。3A and 3B are explanatory views of a conventional method, in which FIG. 3A is a front view of a drying apparatus used in the conventional method, and FIG. 3B is a right side view.
１ 基板 ２ ローラ ４ 水切りブロック ９ 水切りブロックの出口側端面 １０ メニスカス １２ カバー １３ ガス供給孔 １４ ガス供給パイプ ２０ 支切り板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Roller 4 Drain block 9 Exit side end face of drain block 10 Meniscus 12 Cover 13 Gas supply hole 14 Gas supply pipe 20 Branch plate
Claims (3)
状の基板の乾燥方法であって、基板表面との間に毛細管
現象が発生する程度の僅かのすきまが形成されるように
水切りブロックを基板の搬送経路上に位置して基板表面
に向けて対向配置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬
送機構によって搬送しながら前記水切りブロック部分を
通過させることにより、基板表面に付着した水滴を基板
表面に一様に拡散せしめて水切りブロックの出口側端面
と基板表面との間にメニスカスを形成し、該メニスカス
部分を水に溶けて表面張力を小さくするように作用する
溶剤ガスを混合した不活性ガスに接触させながらマラン
ゴニ効果により水分を蒸発乾燥させることを特徴とする
基板の乾燥方法。1. A method for drying a flat substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer, wherein a drain block is formed on the substrate such that a slight gap is formed between the substrate and the surface of the substrate such that a capillary phenomenon occurs. It is located on the transport path, facing the substrate surface, and by passing the drained block portion while transporting the washed and rinsed substrate by the transport mechanism, water droplets adhered to the substrate surface are deposited on the substrate surface. A meniscus is formed between the outlet side end surface of the drain block and the substrate surface by uniformly dispersing, and the meniscus portion is dissolved in water and mixed with an inert gas mixed with a solvent gas that acts to reduce the surface tension. A method for drying a substrate, characterized in that moisture is evaporated and dried by the Marangoni effect while contacting the substrate.
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置したことを特徴とする請求項１記載の基板の乾燥
方法。2. A partition plate, which is located in front of the draining block and is used to scrape and remove water droplets adhering to a substrate, is disposed facing the substrate surface with a predetermined gap therebetween. The method for drying a substrate according to claim 1, wherein:
進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ
傾斜させて配置したことを特徴とする請求項２記載の基
板の乾燥方法。3. The method for drying a substrate according to claim 2, wherein the drain block and the partition plate are arranged so as to be inclined at a predetermined angle in the front-rear direction from a direction perpendicular to the direction of travel of the substrate.
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|---|---|---|---|
| JP9144488A JP2983495B2 (en) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | Substrate drying method |
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| JP9144488A JP2983495B2 (en) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | Substrate drying method |
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| JPH10321587A true JPH10321587A (en) | 1998-12-04 |
| JP2983495B2 JP2983495B2 (en) | 1999-11-29 |
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| JP (1) | JP2983495B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003151947A (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | Apparatus and method of treating surface |
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| KR101074957B1 (en) * | 2003-06-27 | 2011-10-18 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | Apparatus and method for drying substrate |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP9144488A patent/JP2983495B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP4641964B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8857449B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-10-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2983495B2 (en) | 1999-11-29 |
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