JPH10320714A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH10320714A JPH10320714A JP9141105A JP14110597A JPH10320714A JP H10320714 A JPH10320714 A JP H10320714A JP 9141105 A JP9141105 A JP 9141105A JP 14110597 A JP14110597 A JP 14110597A JP H10320714 A JPH10320714 A JP H10320714A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録トラック幅が非常に狭い場合にも安定し
た記録性能を発揮できる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 記録ギャップ層と、この記録ギャップ層
を挟んで積層されており多結晶磁性体で形成された下部
磁極層及び上部磁極層とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘ
ッドであって、上部磁極層の少なくとも記録ギャップ層
近傍の結晶の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対して
Ｄ≦ｗ／２０と設定する。
た記録性能を発揮できる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 記録ギャップ層と、この記録ギャップ層
を挟んで積層されており多結晶磁性体で形成された下部
磁極層及び上部磁極層とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘ
ッドであって、上部磁極層の少なくとも記録ギャップ層
近傍の結晶の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対して
Ｄ≦ｗ／２０と設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等の
磁気媒体の高記録密度化に対応した記録トラック幅を有
する薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気媒体の高記録密度化に対応した記録トラック幅を有
する薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】磁気媒
体の高記録密度化に伴い、薄膜磁気記録ヘッドの記録ト
ラック幅は、ますます狭小化されてきている。非常に近
い将来には、薄膜磁気記録ヘッドとして、サブミクロン
（１μｍ未満）のオーダの記録トラック幅を有するもの
が要求される可能性が強い。
体の高記録密度化に伴い、薄膜磁気記録ヘッドの記録ト
ラック幅は、ますます狭小化されてきている。非常に近
い将来には、薄膜磁気記録ヘッドとして、サブミクロン
（１μｍ未満）のオーダの記録トラック幅を有するもの
が要求される可能性が強い。
【０００３】一般に、薄膜磁気記録ヘッドの磁極層は、
ＮｉＦｅ等の多結晶の磁性体材料で形成されている。こ
の多結晶体は、さまざまな結晶方位の微細な単結晶が集
合した組織であるため、記録トラック幅が各単結晶の大
きさに比して充分に大きな場合は、各単結晶の結晶方位
が記録ヘッドの磁気特性に影響することはほとんどな
い。
ＮｉＦｅ等の多結晶の磁性体材料で形成されている。こ
の多結晶体は、さまざまな結晶方位の微細な単結晶が集
合した組織であるため、記録トラック幅が各単結晶の大
きさに比して充分に大きな場合は、各単結晶の結晶方位
が記録ヘッドの磁気特性に影響することはほとんどな
い。
【０００４】しかしながら、記録トラック幅がサブミク
ロンのオーダとなると、各単結晶の大きさが無視できな
くなり、その各結晶の結晶方位に基づく磁化方向によっ
て記録ヘッドの磁気特性へ多大な影響が生じてヘッドの
記録能力にばらつきが発生してしまう。
ロンのオーダとなると、各単結晶の大きさが無視できな
くなり、その各結晶の結晶方位に基づく磁化方向によっ
て記録ヘッドの磁気特性へ多大な影響が生じてヘッドの
記録能力にばらつきが発生してしまう。
【０００５】従って本発明の目的は、記録トラック幅が
非常に狭い場合にも安定した記録性能を発揮できる薄膜
磁気ヘッドを提供することにある。
非常に狭い場合にも安定した記録性能を発揮できる薄膜
磁気ヘッドを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、記録ギ
ャップ層と、この記録ギャップ層を挟んで積層されてお
り多結晶磁性体で形成された下部磁極層及び上部磁極層
とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであって、上部磁
極層の少なくとも記録ギャップ層近傍の結晶の平均粒径
Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０とした薄
膜磁気ヘッドが提供される。
ャップ層と、この記録ギャップ層を挟んで積層されてお
り多結晶磁性体で形成された下部磁極層及び上部磁極層
とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであって、上部磁
極層の少なくとも記録ギャップ層近傍の結晶の平均粒径
Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０とした薄
膜磁気ヘッドが提供される。
【０００７】上部磁極層の少なくとも記録ギャップ層近
傍の結晶の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ
≦ｗ／２０と規定することにより、磁気記録に実質的に
関与する磁極部分の結晶の大きさが、記録トラック幅の
狭小化に相対して小さくなり、その記録トラック幅間に
存在する結晶数がさほど少なくならない。その結果、各
単結晶の結晶方位に基づく磁気特性のばらつきが分散す
るので、記録ヘッドの記録能力がばらつくような不都合
がなくなる。
傍の結晶の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ
≦ｗ／２０と規定することにより、磁気記録に実質的に
関与する磁極部分の結晶の大きさが、記録トラック幅の
狭小化に相対して小さくなり、その記録トラック幅間に
存在する結晶数がさほど少なくならない。その結果、各
単結晶の結晶方位に基づく磁気特性のばらつきが分散す
るので、記録ヘッドの記録能力がばらつくような不都合
がなくなる。
【０００８】下部磁極層の少なくとも記録ギャップ層近
傍の結晶の平均粒径Ｄも、記録トラック幅ｗに対してＤ
≦ｗ／２０としてもよい。
傍の結晶の平均粒径Ｄも、記録トラック幅ｗに対してＤ
≦ｗ／２０としてもよい。
【０００９】本発明の実施形態においては、上部磁極層
全体及び／又は下部磁極層全体の結晶の平均粒径Ｄを、
記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０とされる。
全体及び／又は下部磁極層全体の結晶の平均粒径Ｄを、
記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０とされる。
【００１０】多くの場合、記録トラック幅ｗが、ｗ≦
１．５μｍである。
１．５μｍである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
態を詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施形態における薄膜磁
気ヘッドの層構成を概略的に説明する図である。この実
施形態においては、薄膜磁気ヘッドが、インダクティブ
磁気記録ヘッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッドとを
一体化した複合型薄膜磁気ヘッドである。
気ヘッドの層構成を概略的に説明する図である。この実
施形態においては、薄膜磁気ヘッドが、インダクティブ
磁気記録ヘッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッドとを
一体化した複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００１３】同図において、１０は絶縁層１１に挟設さ
れているＭＲ素子、１２はＭＲ素子１０用の下部シール
ド層、１３はＭＲ素子１０用の上部シールド層と兼用さ
れるインダクティブヘッド用の下部磁極層、１４は記録
ギャップ層、１５は上部磁極層をそれぞれ示している。
複合型薄膜磁気ヘッドのこのような層構成は、周知であ
るため、各層の詳しい説明は省略する。
れているＭＲ素子、１２はＭＲ素子１０用の下部シール
ド層、１３はＭＲ素子１０用の上部シールド層と兼用さ
れるインダクティブヘッド用の下部磁極層、１４は記録
ギャップ層、１５は上部磁極層をそれぞれ示している。
複合型薄膜磁気ヘッドのこのような層構成は、周知であ
るため、各層の詳しい説明は省略する。
【００１４】下部シールド層１２、下部磁極層（上部シ
ールド層）１３及び上部磁極層１５は、本実施形態で
は、ＮｉＦｅによる多結晶の磁性体からなるめっき膜で
ある。
ールド層）１３及び上部磁極層１５は、本実施形態で
は、ＮｉＦｅによる多結晶の磁性体からなるめっき膜で
ある。
【００１５】ＮｉＦｅに代えて、これら下部シールド層
１２、下部磁極層（上部シールド層）１３及び上部磁極
層１５を、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｍ（Ｍ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ
等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（Ｍ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃ
ｏ系アモルファス、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ
−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｎ（Ｍ＝Ｂ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ
等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎによる多結晶磁性体のめっき膜で構成してもよい。
１２、下部磁極層（上部シールド層）１３及び上部磁極
層１５を、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｍ（Ｍ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ
等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（Ｍ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃ
ｏ系アモルファス、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ
−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｎ（Ｍ＝Ｂ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ
等）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ（Ｍ＝Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ又はＮｂ等）、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎによる多結晶磁性体のめっき膜で構成してもよい。
【００１６】本実施形態では、上部磁極層１５を構成す
る磁性体のうち、記録ギャップ層１４に接する部分及び
その近傍に位置する部分の多結晶の平均粒径Ｄを、この
磁気ヘッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に
設定している。
る磁性体のうち、記録ギャップ層１４に接する部分及び
その近傍に位置する部分の多結晶の平均粒径Ｄを、この
磁気ヘッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に
設定している。
【００１７】図２に示すように、ＮｉＦｅ等の多結晶磁
性体は、粒径の異なる多数の単結晶が結合して構成され
ている。記録トラック幅ｗがｗ＝１．０μｍの場合、こ
れら単結晶の平均粒径ＤをＤ≦１．０μｍ／２０＝０．
０５μｍ（５００Å）とすれば、記録トラック幅ｗの幅
方向に平均して２０個以上の単結晶が並ぶこととなる。
その結果、各単結晶の結晶方位に基づく磁気特性のばら
つきが分散し、記録ヘッドの記録能力がばらつくような
不都合がなくなる。
性体は、粒径の異なる多数の単結晶が結合して構成され
ている。記録トラック幅ｗがｗ＝１．０μｍの場合、こ
れら単結晶の平均粒径ＤをＤ≦１．０μｍ／２０＝０．
０５μｍ（５００Å）とすれば、記録トラック幅ｗの幅
方向に平均して２０個以上の単結晶が並ぶこととなる。
その結果、各単結晶の結晶方位に基づく磁気特性のばら
つきが分散し、記録ヘッドの記録能力がばらつくような
不都合がなくなる。
【００１８】図３は、記録トラック幅ｗをパラメータと
して、平均粒径に対する記録ヘッドの記録能力を実際に
測定した結果を示している。同図において、横軸は１０
００／Ｄ（平均粒径）を示しており、縦軸は記録ヘッド
のオーバーライト特性のばらつきを示している。オーバ
ーライト特性は、記録ヘッドの記録能力を表わす周知の
電磁変換特性であり、磁気媒体のトラック上にＬＦ（低
周波）のデータを書込み、これを直流消去することなく
ＨＦ（高周波）のデータを重ね書きしてＬＦ信号の減衰
分を測定することによって得られる。図３では、縦軸が
このオーバーライト特性のばらつきを表わしており、こ
れはヘッドの記録能力のばらつきを示していることとな
る。パラメータとしては、ｗ＝１．５μｍ、１．０μ
ｍ、０．８μｍの場合を測定している。
して、平均粒径に対する記録ヘッドの記録能力を実際に
測定した結果を示している。同図において、横軸は１０
００／Ｄ（平均粒径）を示しており、縦軸は記録ヘッド
のオーバーライト特性のばらつきを示している。オーバ
ーライト特性は、記録ヘッドの記録能力を表わす周知の
電磁変換特性であり、磁気媒体のトラック上にＬＦ（低
周波）のデータを書込み、これを直流消去することなく
ＨＦ（高周波）のデータを重ね書きしてＬＦ信号の減衰
分を測定することによって得られる。図３では、縦軸が
このオーバーライト特性のばらつきを表わしており、こ
れはヘッドの記録能力のばらつきを示していることとな
る。パラメータとしては、ｗ＝１．５μｍ、１．０μ
ｍ、０．８μｍの場合を測定している。
【００１９】めっき条件及び熱処理条件を変えてＮｉＦ
ｅめっき膜を形成することによって、平均粒径の異なる
磁極層を作成した。これら記録ヘッドについて、２５０
０Ｏｅ及び８０Ｇμの磁気媒体を用いてオーバーライト
特性を測定した。再生には、記録トラック幅ｗより狭い
０．５μｍのトラック幅を有するＭＲヘッドを用いた。
ｅめっき膜を形成することによって、平均粒径の異なる
磁極層を作成した。これら記録ヘッドについて、２５０
０Ｏｅ及び８０Ｇμの磁気媒体を用いてオーバーライト
特性を測定した。再生には、記録トラック幅ｗより狭い
０．５μｍのトラック幅を有するＭＲヘッドを用いた。
【００２０】図３から明らかのように、ｗ＝１．５μｍ
の場合は、１０００／Ｄが約１．３以上となると、オー
バーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これ
は平均粒径Ｄ≦０．０７５μｍ（＝１．５μｍ／２０）
に相当している。また、ｗ＝１．０μｍの場合は、１０
００／Ｄが約２．０以上となると、オーバーライト特性
のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦
０．０５μｍ（＝１．０μｍ／２０）に相当している。
ｗ＝０．８μｍの場合は、１０００／Ｄが約２．５以上
となると、オーバーライト特性のばらつきが低い値にほ
ぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦０．０４μｍ（＝０．８
μｍ／２０）に相当している。
の場合は、１０００／Ｄが約１．３以上となると、オー
バーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これ
は平均粒径Ｄ≦０．０７５μｍ（＝１．５μｍ／２０）
に相当している。また、ｗ＝１．０μｍの場合は、１０
００／Ｄが約２．０以上となると、オーバーライト特性
のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦
０．０５μｍ（＝１．０μｍ／２０）に相当している。
ｗ＝０．８μｍの場合は、１０００／Ｄが約２．５以上
となると、オーバーライト特性のばらつきが低い値にほ
ぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦０．０４μｍ（＝０．８
μｍ／２０）に相当している。
【００２１】このように、多結晶の平均粒径Ｄを磁気ヘ
ッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定す
れば、記録トラック幅が非常に狭くなり、それがたとえ
サブミクロンのオーダであっても、オーバーライト特性
のばらつき、従って記録能力のばらつきが少なくなり、
安定した記録性能を得ることができる。
ッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定す
れば、記録トラック幅が非常に狭くなり、それがたとえ
サブミクロンのオーダであっても、オーバーライト特性
のばらつき、従って記録能力のばらつきが少なくなり、
安定した記録性能を得ることができる。
【００２２】以上述べた実施形態においては、上部磁極
層１５を構成する磁性体のうち、記録ギャップ層１４に
接する部分及びその近傍に位置する部分の多結晶の平均
粒径Ｄを、この磁気ヘッドの記録トラック幅ｗに対して
Ｄ≦ｗ／２０に設定しているが、上部磁極層１５を構成
する全ての磁性体の多結晶の平均粒径Ｄを、この磁気ヘ
ッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定し
てしてもよい。このように、本実施形態では、上部磁極
層１５側の磁性体の多結晶の平均粒径Ｄについてのみ考
慮しているが、その理由は、磁気媒体上に作成される記
録パターンはこの上部磁極層１５側の特性によって主に
決まるため、及び特に複合型磁気ヘッドでは下部磁極層
１３側の幅が広いのでその磁性体の粒径が大きくてもオ
ーバーライト特性のばらつきにさほど影響しないためで
ある。
層１５を構成する磁性体のうち、記録ギャップ層１４に
接する部分及びその近傍に位置する部分の多結晶の平均
粒径Ｄを、この磁気ヘッドの記録トラック幅ｗに対して
Ｄ≦ｗ／２０に設定しているが、上部磁極層１５を構成
する全ての磁性体の多結晶の平均粒径Ｄを、この磁気ヘ
ッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定し
てしてもよい。このように、本実施形態では、上部磁極
層１５側の磁性体の多結晶の平均粒径Ｄについてのみ考
慮しているが、その理由は、磁気媒体上に作成される記
録パターンはこの上部磁極層１５側の特性によって主に
決まるため、及び特に複合型磁気ヘッドでは下部磁極層
１３側の幅が広いのでその磁性体の粒径が大きくてもオ
ーバーライト特性のばらつきにさほど影響しないためで
ある。
【００２３】しかしながら、下部磁極層１３を構成する
磁性体のうち、記録ギャップ層１４に接する部分及びそ
の近傍に位置する部分の多結晶の平均粒径Ｄも、この磁
気ヘッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設
定してもよいし、下部磁極層１２を構成する全ての磁性
体の多結晶の平均粒径Ｄを、この磁気ヘッドの記録トラ
ック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定してよいことは明
らかである。
磁性体のうち、記録ギャップ層１４に接する部分及びそ
の近傍に位置する部分の多結晶の平均粒径Ｄも、この磁
気ヘッドの記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設
定してもよいし、下部磁極層１２を構成する全ての磁性
体の多結晶の平均粒径Ｄを、この磁気ヘッドの記録トラ
ック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０に設定してよいことは明
らかである。
【００２４】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、記録ギャップ層と、この記録ギャップ層を挟んで積
層されており多結晶磁性体で形成された下部磁極層及び
上部磁極層とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであっ
て、上部磁極層の少なくとも記録ギャップ層近傍の結晶
の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２
０としているので、磁気記録に実質的に関与する磁極部
分の結晶の大きさが、記録トラック幅の狭小化に相対し
て小さくなり、その記録トラック幅間に存在する結晶数
がさほど少なくならない。その結果、各単結晶の結晶方
位に基づく磁気特性のばらつきが分散するので、記録ヘ
ッドの記録能力がばらつくような不都合がなくなる。そ
の結果、記録トラック幅が非常に狭い場合にも安定した
記録性能を発揮することができる。
ば、記録ギャップ層と、この記録ギャップ層を挟んで積
層されており多結晶磁性体で形成された下部磁極層及び
上部磁極層とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドであっ
て、上部磁極層の少なくとも記録ギャップ層近傍の結晶
の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２
０としているので、磁気記録に実質的に関与する磁極部
分の結晶の大きさが、記録トラック幅の狭小化に相対し
て小さくなり、その記録トラック幅間に存在する結晶数
がさほど少なくならない。その結果、各単結晶の結晶方
位に基づく磁気特性のばらつきが分散するので、記録ヘ
ッドの記録能力がばらつくような不都合がなくなる。そ
の結果、記録トラック幅が非常に狭い場合にも安定した
記録性能を発揮することができる。
【図１】本発明の一実施形態における薄膜磁気ヘッドの
層構成を概略的に説明する図である。
層構成を概略的に説明する図である。
【図２】多結晶磁性体の各単結晶の粒径と記録トラック
幅ｗとの関係を説明するための図である。
幅ｗとの関係を説明するための図である。
【図３】記録トラック幅ｗをパラメータとして平均粒径
に対する記録ヘッドの記録能力を実際に測定した結果を
示す特性図である。
に対する記録ヘッドの記録能力を実際に測定した結果を
示す特性図である。
１０ ＭＲ素子 １１ 絶縁層 １２ 下部シールド層 １３ 上部シールド層、下部磁極層 １４ 記録ギャップ層 １５ 上部磁極層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年４月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】図３は、記録トラック幅ｗをパラメータと
して、平均粒径に対する記録ヘッドの記録能力を実際に
測定した結果を示している。同図において、横軸は０．
１／Ｄ（平均粒径［μｍ］）を示しており、縦軸は記録
ヘッドのオーバーライト特性のばらつきを示している。
オーバーライト特性は、記録ヘッドの記録能力を表わす
周知の電磁変換特性であり、磁気媒体のトラック上にＬ
Ｆ（低周波）のデータを書込み、これを直流消去するこ
となくＨＦ（高周波）のデータを重ね書きしてＬＦ信号
の減衰分を測定することによって得られる。図３では、
縦軸がこのオーバーライト特性のばらつきを表わしてお
り、これはヘッドの記録能力のばらつきを示しているこ
ととなる。パラメータとしては、ｗ＝１．５μｍ、１．
０μｍ、０．８μｍの場合を測定している。
して、平均粒径に対する記録ヘッドの記録能力を実際に
測定した結果を示している。同図において、横軸は０．
１／Ｄ（平均粒径［μｍ］）を示しており、縦軸は記録
ヘッドのオーバーライト特性のばらつきを示している。
オーバーライト特性は、記録ヘッドの記録能力を表わす
周知の電磁変換特性であり、磁気媒体のトラック上にＬ
Ｆ（低周波）のデータを書込み、これを直流消去するこ
となくＨＦ（高周波）のデータを重ね書きしてＬＦ信号
の減衰分を測定することによって得られる。図３では、
縦軸がこのオーバーライト特性のばらつきを表わしてお
り、これはヘッドの記録能力のばらつきを示しているこ
ととなる。パラメータとしては、ｗ＝１．５μｍ、１．
０μｍ、０．８μｍの場合を測定している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】図３から明らかのように、ｗ＝１．５μｍ
の場合は、０．１／Ｄが約１．３以上となると、オーバ
ーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これは
平均粒径Ｄ≦０．０７５μｍ（＝１．５μｍ／２０）に
相当している。また、ｗ＝１．０μｍの場合は、０．１
／Ｄが約２．０以上となると、オーバーライト特性のば
らつきが低い値にほぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦０．
０５μｍ（＝１．０μｍ／２０）に相当している。ｗ＝
０．８μｍの場合は、０．１／Ｄが約２．５以上となる
と、オーバーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和
し、これは平均粒径Ｄ≦０．０４μｍ（＝０．８μｍ／
２０）に相当している。
の場合は、０．１／Ｄが約１．３以上となると、オーバ
ーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和し、これは
平均粒径Ｄ≦０．０７５μｍ（＝１．５μｍ／２０）に
相当している。また、ｗ＝１．０μｍの場合は、０．１
／Ｄが約２．０以上となると、オーバーライト特性のば
らつきが低い値にほぼ飽和し、これは平均粒径Ｄ≦０．
０５μｍ（＝１．０μｍ／２０）に相当している。ｗ＝
０．８μｍの場合は、０．１／Ｄが約２．５以上となる
と、オーバーライト特性のばらつきが低い値にほぼ飽和
し、これは平均粒径Ｄ≦０．０４μｍ（＝０．８μｍ／
２０）に相当している。
フロントページの続き (72)発明者 松熊 浩司 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 記録ギャップ層と、該記録ギャップ層を
挟んで積層されており多結晶磁性体で形成された下部磁
極層及び上部磁極層とを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記上部磁極層の少なくとも前記記録ギャ
ップ層近傍の結晶の平均粒径Ｄを、記録トラック幅ｗに
対してＤ≦ｗ／２０としたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 前記下部磁極層の少なくとも前記記録ギ
ャップ層近傍の結晶の平均粒径Ｄも、記録トラック幅ｗ
に対してＤ≦ｗ／２０としたことを特徴とする請求項１
に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記上部磁極層全体の結晶の平均粒径Ｄ
を、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０としたこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記下部磁極層全体の結晶の平均粒径Ｄ
も、記録トラック幅ｗに対してＤ≦ｗ／２０としたこと
を特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記記録トラック幅ｗが、ｗ≦１．５μ
ｍであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP9141105A JPH10320714A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
| SG1998000775A SG77173A1 (en) | 1997-05-16 | 1998-04-21 | Thin film magnetic head |
| US09/063,791 US6188543B1 (en) | 1997-05-16 | 1998-04-22 | Thin film magnetic head |
| DE19820327A DE19820327C2 (de) | 1997-05-16 | 1998-05-07 | Dünnschicht-Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141105A JPH10320714A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10320714A true JPH10320714A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15284303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9141105A Pending JPH10320714A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
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| JP (1) | JPH10320714A (ja) |
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| JP3260969B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | インクジェット捺染用布帛、インクジェット捺染方法および捺染物 |
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-
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- 1998-04-22 US US09/063,791 patent/US6188543B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-07 DE DE19820327A patent/DE19820327C2/de not_active Expired - Fee Related
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| DE19820327A1 (de) | 1998-11-19 |
| SG77173A1 (en) | 2000-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021112 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040707 |