JPH10312978A - Method and system for plasma processing and fabrication of semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance uniformity of plasma processing by applying bias voltages, each having an intermittently variable voltage level, to a plurality of points on a sample and controlling the bias voltages independently. SOLUTION: A high frequency power supply comprises three pulse power supplies 50, 52 and 54 each outputting a rectangular pulse voltage. The pulse power supply 50, 52, 54 is earthed at one end thereof and connected through a capacitor 56, 58, 60 with a sample stage 32 at the other end thereof. The capacitors 56, 60 have a same capacitance C and the capacitor 58 has a capacitance C. Consequently, different high frequency bias voltages can be applied to a plurality of points on a silicon wafer 10 through the sample stage 32. Furthermore, the bias voltages being applied onto the silicon wafer 10 can be regulated independently. Since the bias voltages being applied onto the silicon wafer 10 are made uniform, uniformity can be enhanced in the processing of the silicon water 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や半導体
素子の製造プロセスにおいて被処理材料に対してエッチ
ングや薄膜形成等の処理をプラズマを利用して行うプラ
ズマ処理技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing technique for performing processing such as etching and thin film formation on a material to be processed in a manufacturing process of an electronic component or a semiconductor element by using plasma.

【０００２】[0002]

【従来の技術】プラズマ処理装置は、微量の反応ガスを
含む真空容器内にマイクロ波を導入し、当該真空容器内
でガス放電を励起してプラズマを生成する。そして、こ
のプラズマを試料基板の表面に照射することによって、
エッチングや薄膜形成等の処理を行なう。このようなプ
ラズマ処理装置は、高集積半導体素子の製造に欠かせな
いものとして、その研究が進められている。特に、プラ
ズマの励起に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electr
on Cyclotron Resonance）を利用したＥＣＲプラズマ処
理装置は、低ガス圧領域下で活性度の高いプラズマを生
成できる装置として有望視され、実用化が進んでいる。2. Description of the Related Art In a plasma processing apparatus, microwaves are introduced into a vacuum vessel containing a small amount of reaction gas, and a gas discharge is excited in the vacuum vessel to generate plasma. By irradiating the surface of the sample substrate with this plasma,
Perform processing such as etching and thin film formation. Such a plasma processing apparatus is being studied as being indispensable for manufacturing a highly integrated semiconductor device. In particular, electron cyclotron resonance (ECR: Electr
An ECR plasma processing apparatus using on cyclotron resonance is promising as an apparatus capable of generating highly active plasma under a low gas pressure region, and its practical use is progressing.

【０００３】ところで、プラズマ処理装置においては、
処理効率の向上が重要な課題の一つである。そのため、
試料を載置した試料台（陰極電極）に高周波（ＲＦ）バ
イアス電圧を印加する高周波電源を用いることがある。
すなわち、試料台を介して試料にバイアス電圧を印加す
ることにより、試料の表面近傍で生じる化学反応を促進
し、薄膜成膜速度の向上等、プラズマ処理の効率アップ
を図っている。従来、バイアス電圧の波形は正弦波状で
あるため、試料底面において電子シェーディングと呼ば
れるチャージアップ現象を生じる。このようなチャージ
アップ現象は、エッチング処理においては局所異常サイ
ドエッチング（ノッチング）を引き起こす等の不都合が
あった。そこで、現在では、試料に印加するバイアス電
圧として高速のパルス状電圧を使用したプラズマ処理装
置が提案されている。すなわち、間欠的な高周波電圧に
より、試料表面の電位差の調整が可能となるため、この
電位差を原因とするチャージアップを低減することがで
きる。[0003] In a plasma processing apparatus,
Improvement of processing efficiency is one of the important issues. for that reason,
A high-frequency power source that applies a high-frequency (RF) bias voltage to a sample stage (cathode electrode) on which a sample is placed may be used.
That is, by applying a bias voltage to the sample through the sample stage, a chemical reaction occurring near the surface of the sample is promoted, and the efficiency of plasma processing is improved, such as an increase in the rate of forming a thin film. Conventionally, since the waveform of the bias voltage is sinusoidal, a charge-up phenomenon called electron shading occurs on the bottom surface of the sample. Such a charge-up phenomenon has disadvantages such as causing local abnormal side etching (notching) in the etching process. Therefore, a plasma processing apparatus using a high-speed pulsed voltage as a bias voltage applied to a sample has been proposed at present. That is, the intermittent high-frequency voltage makes it possible to adjust the potential difference on the sample surface, so that the charge-up caused by this potential difference can be reduced.

【０００４】また、プラズマ処理においては、処理効率
の向上に加えて、プラズマ処理品質の向上が重要であ
る。プラズマ処理品質の向上のためには、プラズマが試
料の全範囲にわたって均等な密度を有することが必要で
ある。特に、近年開発の進んでいる直径３００ｍｍの半
導体ウエハのように試料の処理面積が大きくなると、そ
の試料上におけるプラズマ（特にイオン）の強度分布を
均一に保つことが今まで以上に重要となる。In plasma processing, it is important to improve the plasma processing quality in addition to the processing efficiency. In order to improve the plasma processing quality, it is necessary that the plasma has a uniform density over the entire range of the sample. In particular, when the processing area of a sample becomes large, such as a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm, which has been developed in recent years, it is more important than ever to maintain a uniform plasma (particularly, ion) intensity distribution on the sample.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の方法においては、十分に均一なプラズマ処
理を行うことができなかった。すなわち、試料上におけ
るバイアス電圧分布が必ずしも均一にはならず、試料の
均一な処理の妨げとなっていた。However, in the conventional method as described above, a sufficiently uniform plasma treatment cannot be performed. That is, the bias voltage distribution on the sample is not always uniform, which hinders uniform processing of the sample.

【０００６】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであり、プラズマ処理の均一性の向上を図り得る
プラズマ処理方法を提供することを第１の目的とする。The present invention has been made in view of the above situation, and a first object of the present invention is to provide a plasma processing method capable of improving the uniformity of plasma processing.

【０００７】また、プラズマ処理の均一性の向上を図り
得るプラズマ処理装置を提供することを本発明の第２の
目的とする。It is a second object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of improving the uniformity of the plasma processing.

【０００８】更に、均一なプラズマ処理を行うことで、
高品質な半導体装置の製造に寄与する半導体装置の製造
方法を提供することを本発明の第３の目的とする。Further, by performing uniform plasma processing,
A third object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device which contributes to manufacturing a high quality semiconductor device.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様にかかるプラズマ処理方法にお
いては、電圧値が断続的に変化するバイアス電圧を試料
（１０）の複数ヶ所に印加する。そして、これらのバイ
アス電圧を各々独立に制御する。In order to solve the above-mentioned problems, in the plasma processing method according to the first aspect of the present invention, a bias voltage whose voltage value changes intermittently is applied to a plurality of points on a sample (10). Is applied. Then, these bias voltages are controlled independently.

【００１０】本発明の第２の態様にかかるプラズマ処理
装置は、真空容器（１２，１４）内において試料（１
０）を載置するとともに、バイアス電極として機能する
試料台（３２）とを備える。また、電圧値が断続的に変
化するバイアス電圧を供給する高周波電源（５０，５
２，５４）と、高周波電源（５０，５２，５４）と試料
台（３２）との間に接続され、それぞれ容量調整がなさ
れた複数のコンデンサ（５６，５８，６０）とを備え
る。そして、高周波電源（５０，５２，５４）によって
供給されたバイアス電圧を複数のコンデンサ（５６，５
８，６０）を介して試料台（３２）に印加する。[0010] A plasma processing apparatus according to a second aspect of the present invention comprises a sample (1) in a vacuum vessel (12, 14).
0), and a sample stage (32) functioning as a bias electrode. Further, a high frequency power supply (50, 5) for supplying a bias voltage whose voltage value changes intermittently is provided.
2, 54) and a plurality of capacitors (56, 58, 60) connected between the high-frequency power supply (50, 52, 54) and the sample stage (32), and each of which has a capacitance adjusted. Then, the bias voltage supplied by the high frequency power supply (50, 52, 54) is converted into a plurality of capacitors (56, 5).
8, 60) to the sample stage (32).

【００１１】更に、本発明の第３の態様にかかる半導体
装置の製造方法においては、電圧値が断続的に変化する
バイアス電圧を半導体基板（１０）の複数ヶ所に印加す
る。そして、これらのバイアス電圧を各々独立に制御す
る。Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the third aspect of the present invention, a bias voltage whose voltage value changes intermittently is applied to a plurality of locations on the semiconductor substrate (10). Then, these bias voltages are controlled independently.

【００１２】[0012]

【作用】上記のように構成された本発明によれば、コン
デンサ（５６，５８，６０）の容量を調整する等の手段
により、試料（１０）の複数ヶ所に異なる高周波電圧の
バイアスを印加することが可能となり、試料（１０）上
におけるバイアス電圧を均一にすることができる。その
結果、試料（１０）の処理均一性が向上することにな
る。According to the present invention having the above-described structure, different high-frequency voltage biases are applied to a plurality of portions of the sample (10) by means such as adjusting the capacitance of the capacitors (56, 58, 60). It is possible to make the bias voltage on the sample (10) uniform. As a result, the processing uniformity of the sample (10) is improved.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て実施例を用いて説明する。以下に示す実施例は、半導
体装置の製造工程の一部であるシリコンウエハのプラズ
マ処理に本発明の技術的思想を適用したものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to examples. In the embodiments described below, the technical idea of the present invention is applied to plasma processing of a silicon wafer, which is a part of a manufacturing process of a semiconductor device.

【００１４】[0014]

【実施例】図１は、本発明の実施例にかかるプラズマ処
理装置の構成を示す。本実施例のプラズマ処理装置は、
直径３００ｍｍのシリコンウエハ１０に対してエッチン
グ等の所定のプラズマ処理を行うものであり、プラズマ
を生成する中空円筒形状のプラズマ生成室１２と、この
プラズマ生成室１２に連通した反応室１４とを備えてい
る。本装置で処理される試料としては、直径３００ｍｍ
のシリコンウエハ１０以外に、直径２００ｍｍのウエハ
やＬＣＤ用ガラス基板等、均一なプラズマ処理が要求さ
れる各種の試料を対象とすることが出来る。プラズマ生
成室１２の上部には、マグネトロン等のマイクロ波発振
器（図示せず）に接続された円形導波管１６が連結され
ており、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を円形導波管１
６を介してプラズマ生成室１２に導くようになってい
る。FIG. 1 shows a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The plasma processing apparatus of the present embodiment includes:
A predetermined plasma process such as etching is performed on a silicon wafer 10 having a diameter of 300 mm. The silicon wafer 10 includes a hollow cylindrical plasma generation chamber 12 for generating plasma, and a reaction chamber 14 communicating with the plasma generation chamber 12. ing. The sample processed by this device has a diameter of 300 mm
In addition to the silicon wafer 10 described above, various samples requiring uniform plasma processing, such as a 200 mm diameter wafer and an LCD glass substrate, can be used. A circular waveguide 16 connected to a microwave oscillator (not shown) such as a magnetron is connected to the upper part of the plasma generation chamber 12 so that microwaves (2.45 GHz) are transmitted to the circular waveguide 1.
6 to the plasma generation chamber 12.

【００１５】円形導波管１６とプラズマ生成室１２との
間には、マイクロ波導入窓２０が配置されている。マイ
クロ波導入窓２０は、石英ガラス等のマイクロ波透過物
質からなり、プラズマ生成室１２を気密に封止するよう
に設計されている。プラズマ生成室１２の外側には、円
形導波管１６の接続部を含み、これらを同心円状に囲む
３段のメインコイル２２，２４，２６が配置されてい
る。メインコイル２２，２４，２６の下方には、１段の
サブコイル２８が配置されている。これらのメインコイ
ル２２，２４，２６とサブコイル２８は、電流供給部４
０から必要な電流の供給を受けて、プラズマ生成室１２
内にＥＣＲ条件を満たす磁束密度８７５ガウスの領域を
形成する。A microwave introduction window 20 is arranged between the circular waveguide 16 and the plasma generation chamber 12. The microwave introduction window 20 is made of a microwave transmitting material such as quartz glass, and is designed to hermetically seal the plasma generation chamber 12. Outside the plasma generation chamber 12, three-stage main coils 22, 24, 26 including a connection part of the circular waveguide 16 and surrounding them concentrically are arranged. Below the main coils 22, 24, 26, a one-stage sub coil 28 is arranged. The main coils 22, 24, 26 and the sub coil 28 are connected to the current supply unit 4
0, the required current is supplied from the plasma generation chamber 12
A region having a magnetic flux density of 875 gauss satisfying the ECR condition is formed therein.

【００１６】反応室１４の側壁には、プラズマ生成室１
２及び反応室１４のガスを排気する排気管３４が設けら
れており、当該排気管３４からの真空排気によりプラズ
マ生成室１２と反応室１４を高真空状態に維持するよう
になっている。反応室１４には、プラズマ生成に必要な
反応ガスを供給するためのガス供給管３６が設けられて
いる。また、図示しないが、プラズマ生成室１２の周囲
にはクーラントパスが形成され、このクーラントパスを
循環する冷却水（クーラント）によってプラズマ生成室
１２を冷却するようになっている。On the side wall of the reaction chamber 14, the plasma generation chamber 1
An exhaust pipe 34 for exhausting the gas in the reaction chamber 14 and the reaction chamber 14 is provided, and the plasma generation chamber 12 and the reaction chamber 14 are maintained in a high vacuum state by evacuation from the exhaust pipe 34. The reaction chamber 14 is provided with a gas supply pipe 36 for supplying a reaction gas required for plasma generation. Although not shown, a coolant path is formed around the plasma generation chamber 12, and the plasma generation chamber 12 is cooled by cooling water (coolant) circulating through the coolant path.

【００１７】反応室１４内には、シリコンウエハ１０を
静電吸着等の固定手段によって保持する試料台３２が設
置されている。試料台３２には、一端がアースされた高
周波電源４８が接続されており、当該試料台３２にＲＦ
バイアス電圧を印加することによって、シリコンウエハ
１０の表面近傍で生じる化学反応を促進できるように構
成されている。これにより、薄膜成膜速度の向上等、プ
ラズマ処理の効率を向上させることが可能となる。In the reaction chamber 14, a sample table 32 for holding the silicon wafer 10 by a fixing means such as electrostatic attraction is provided. A high frequency power supply 48 having one end grounded is connected to the sample stage 32.
By applying a bias voltage, a chemical reaction occurring near the surface of the silicon wafer 10 can be promoted. As a result, it is possible to improve the efficiency of the plasma processing, such as an improvement in the thin film deposition rate.

【００１８】図２は、試料台３２近傍の回路構成を示
す。図１に示す高周波電源４８は、３つのパルス電源５
０，５２，５４から構成され、各々図３に示す矩形のパ
ルス電圧を出力するようになっている。パルス電源５
０，５２，５４の一端はアースされ、他端はコンデンサ
５６，５８，６０を介して試料台３２に接続されてい
る。コンデンサ５６と６０は同一の容量Ｃ₁を有し、コ
ンデンサ５８は容量Ｃ₂を有するように設定されてい
る。このような構成により、試料台３２を介してシリコ
ンウエハ１０の複数ヶ所に異なる高周波電圧のバイアス
を印加することが可能となる。また、コンデンサ５６，
５８，６０の容量を調整することにより、シリコンウエ
ハ１０上のバイアス電圧を独立に調整することができ、
当該シリコンウエハ１０上におけるバイアス電圧を均一
にすることができる。その結果、シリコンウエハ１０の
処理均一性が向上することになる。FIG. 2 shows a circuit configuration near the sample stage 32. The high-frequency power supply 48 shown in FIG.
0, 52, and 54, each of which outputs a rectangular pulse voltage shown in FIG. Pulse power supply 5
One end of each of 0, 52, 54 is grounded, and the other end is connected to the sample stage 32 via capacitors 56, 58, 60. Capacitors 56 and 60 have the same capacitance C _1, the capacitor 58 is set to have a capacitance C _2. With such a configuration, it is possible to apply different high-frequency voltage biases to a plurality of locations on the silicon wafer 10 via the sample stage 32. The capacitors 56,
By adjusting the capacitance of 58 and 60, the bias voltage on the silicon wafer 10 can be adjusted independently,
The bias voltage on the silicon wafer 10 can be made uniform. As a result, processing uniformity of the silicon wafer 10 is improved.

【００１９】本実施例においては、電圧値が断続的に変
化するパルス電圧をＲＦバイアスとして採用しているた
め、シリコンウエハ１０の表面の電位差の調整が可能と
なるり、電子シェーディングによるチャージアップを低
減することができる。すなわち、従来のように正弦波の
バイアス電圧を試料台３２に印加した場合には、シリコ
ンウエハ１０の底面において電子シェーディングと呼ば
れるチャージアップ現象を生じ、エッチング処理におい
てノッチングを引き起こす恐れがあったが、そのような
不都合が低減される。In the present embodiment, a pulse voltage whose voltage value changes intermittently is used as the RF bias, so that the potential difference on the surface of the silicon wafer 10 can be adjusted, and charge-up due to electron shading can be performed. Can be reduced. That is, when a sine-wave bias voltage is applied to the sample stage 32 as in the related art, a charge-up phenomenon called electron shading occurs on the bottom surface of the silicon wafer 10, which may cause notching in the etching process. Such disadvantages are reduced.

【００２０】次に、本実施例の全体的な動作について説
明する。本実施例の装置を用いてシリコンウエハ１０上
に形成されたポリシリコン膜のエッチングを行う場合に
は、まず、処理対象となるシリコンウエハ１０を試料台
３２上に固定し、排気管３４からの真空排気により、プ
ラズマ生成室１２及び反応室１４の内圧を所定圧にまで
減圧する。次に、ガス供給管３６からプラズマ生成室１
２及び反応室１４内に反応ガス（Ｃｌ₂）を導入し、プ
ラズマ生成室１２及び反応室１４の内圧を１×１０^-3To
rr 前後に保つ。Next, the overall operation of this embodiment will be described. When etching the polysilicon film formed on the silicon wafer 10 using the apparatus of the present embodiment, first, the silicon wafer 10 to be processed is fixed on the sample stage 32, By evacuation, the internal pressures of the plasma generation chamber 12 and the reaction chamber 14 are reduced to a predetermined pressure. Next, the plasma generation chamber 1 is connected to the gas supply pipe 36.
2 and a reaction gas (Cl ₂ ) are introduced into the reaction chamber 14, and the internal pressure of the plasma generation chamber 12 and the reaction chamber 14 is reduced to 1 × 10 ⁻³ To
rr Keep around.

【００２１】その後、メインコイル２２，２４，２６及
びサブコイル２８の通電によりプラズマ生成室１２内に
磁界を形成すると共に、円形導波管１６からマイクロ波
導入窓２０を経てプラズマ生成室１２内にマイクロ波を
導入する。このマイクロ波は、周波数ｆ=２．４５ＧＨ
ｚ（波長λ=約１２．２ｃｍ）、パワー１５００Ｗ程度
に設定されている。Thereafter, a magnetic field is formed in the plasma generation chamber 12 by energizing the main coils 22, 24, 26 and the sub-coil 28, and a micro wave is introduced into the plasma generation chamber 12 from the circular waveguide 16 through the microwave introduction window 20. Introduce the waves. This microwave has a frequency f = 2.45 GH
z (wavelength λ = about 12.2 cm) and power of about 1500 W.

【００２２】プラズマ生成室１２内にマイクロ波が導入
されると、ＥＣＲ面１００において反応ガスを共鳴励起
し、プラズマを生成する。プラズマ生成室１２で生成さ
れたプラズマは、メインコイル２２，２４，２６及びサ
ブコイル２８により形成される発散磁界の作用により反
応室１４に引き出され、試料台３２上のシリコンウエハ
１０表面に照射されて、エッチングが行われる。When a microwave is introduced into the plasma generation chamber 12, the reaction gas is resonantly excited on the ECR surface 100 to generate plasma. The plasma generated in the plasma generation chamber 12 is drawn out to the reaction chamber 14 by the action of the divergent magnetic field formed by the main coils 22, 24, 26 and the sub-coils 28, and is irradiated on the surface of the silicon wafer 10 on the sample stage 32. , Etching is performed.

【００２３】一方、本実施例の装置を用いてシリコンウ
エハ１０への薄膜形成を行う場合には、以上の各手順に
加え、ガス供給管３６を経て所定の原料ガスを導入し、
当該ガスにより生成されたプラズマをシリコンウエハ１
０に照射する。これによりシリコンウエハ１０の表面に
は、原料ガスの反応により生成される物質の薄膜が形成
される。On the other hand, when a thin film is formed on the silicon wafer 10 using the apparatus of the present embodiment, a predetermined source gas is introduced through the gas supply pipe 36 in addition to the above procedures.
The plasma generated by the gas is applied to the silicon wafer 1
Irradiate to zero. As a result, a thin film of a substance generated by the reaction of the source gas is formed on the surface of the silicon wafer 10.

【００２４】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、試料台３２を介してシリコンウエハ１０に印加
されるバイアス電圧の波形として、図３に示す矩形パル
ス波形に代えて図４に示すノコギリ状の波形を有するパ
ルス電源を使用することもできる。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments and does not depart from the gist of the technical idea of the present invention shown in the claims. Various changes are possible within the scope.
For example, as the waveform of the bias voltage applied to the silicon wafer 10 via the sample stage 32, a pulse power supply having a sawtooth waveform shown in FIG. 4 may be used instead of the rectangular pulse waveform shown in FIG.

【００２５】[0025]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
圧値が断続的に変化するバイアス電圧を試料（１０）の
複数ヶ所に印加するとともに、これらのバイアス電圧を
各々独立に制御しているため、試料（１０）上のバイア
ス電圧分布の均一化を図ることができ、試料（１０）の
処理均一性を向上させることができる。その結果、最終
的に製造される半導体装置の品質、性能が向上する。こ
こで、半導体装置としては、トランジスタのような半導
体素子自体や、ＲＡＭ等の完成された半導体ディバイス
等を含むものとする。As described above, according to the present invention, a bias voltage whose voltage value changes intermittently is applied to a plurality of portions of the sample (10), and these bias voltages are controlled independently of each other. Therefore, the bias voltage distribution on the sample (10) can be made uniform, and the processing uniformity of the sample (10) can be improved. As a result, the quality and performance of the finally manufactured semiconductor device are improved. Here, the semiconductor device includes a semiconductor element itself such as a transistor and a completed semiconductor device such as a RAM.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１は、本発明の実施例にかかるプラズマ処理
装置の概略構成を示す概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図２は、図１に示すプラズマ処理装置における
試料台近傍の構成を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration near a sample stage in the plasma processing apparatus shown in FIG.

【図３】図３は、実施例において試料に印加されるバイ
アス電圧の波形（矩形）を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a waveform (rectangle) of a bias voltage applied to a sample in the example.

【図４】図４は、本発明の他の実施例において試料に印
加されるバイアス電圧の波形（ノコギリ状）を示す説明
図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a waveform (sawtooth shape) of a bias voltage applied to a sample in another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０・・・シリコンウエハ（試料） １２・・・プラズマ生成室 １４・・・反応室 ４８・・・高周波電源 ５０，５２，５４・・・パルス電源 ５６，５８，６０・・・コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Silicon wafer (sample) 12 ... Plasma generation chamber 14 ... Reaction chamber 48 ... High frequency power supply 50, 52, 54 ... Pulse power supply 56, 58, 60 ... Condenser

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】真空容器内に配置された試料に対してプラ
ズマを照射することによって所定のプラズマ処理を行う
プラズマ処理方法において、 電圧値が断続的に変化するバイアス電圧を前記試料の複
数ヶ所に印加する工程と；前記試料の複数ヶ所に印加さ
れる前記バイアス電圧を独立に制御する工程とを含むこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。In a plasma processing method for performing a predetermined plasma processing by irradiating a sample placed in a vacuum container with plasma, a bias voltage whose voltage value changes intermittently is applied to a plurality of positions of the sample. A plasma processing method comprising the steps of: independently applying; and independently controlling the bias voltages applied to a plurality of locations on the sample. 【請求項２】真空容器内に配置された試料に対してプラ
ズマを照射することによって所定のプラズマ処理を行う
プラズマ処理装置において、 前記真空容器内において前記試料を載置するとともに、
バイアス電極として機能する試料台と；電圧値が断続的
に変化するバイアス電圧を供給する高周波電源と；前記
高周波電源と前記試料台との間に接続され、それぞれ容
量調整がなされた複数のコンデンサとを備え、 前記高周波電源によって供給された前記バイアス電圧を
前記複数のコンデンサを介して前記試料台に印加するこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。2. A plasma processing apparatus for performing a predetermined plasma process by irradiating a sample placed in a vacuum container with plasma, wherein the sample is placed in the vacuum container,
A sample stage that functions as a bias electrode; a high-frequency power supply that supplies a bias voltage whose voltage value changes intermittently; a plurality of capacitors that are connected between the high-frequency power source and the sample stage and that have respective capacitances adjusted; A plasma processing apparatus, comprising: applying the bias voltage supplied by the high-frequency power supply to the sample stage via the plurality of capacitors. 【請求項３】真空容器内に配置された半導体基板に対し
てプラズマを照射することによって所定の処理を行うプ
ラズマ処理工程を含む半導体装置の製造方法において、 電圧値が断続的に変化するバイアス電圧を前記半導体基
板の複数ヶ所に印加する工程と；前記半導体基板の複数
ヶ所に印加される前記バイアス電圧を独立に制御する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。3. A method of manufacturing a semiconductor device including a plasma processing step of performing a predetermined processing by irradiating a semiconductor substrate disposed in a vacuum container with plasma, wherein a bias voltage whose voltage value changes intermittently is provided. Applying a voltage to a plurality of locations on the semiconductor substrate; and independently controlling the bias voltages applied to the plurality of locations on the semiconductor substrate.