JPH10298545A - Material for organoelectroluminescent element, and organoelectroluminescent element made thereof - Google Patents
Material for organoelectroluminescent element, and organoelectroluminescent element made thereofInfo
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- JPH10298545A JPH10298545A JP9112087A JP11208797A JPH10298545A JP H10298545 A JPH10298545 A JP H10298545A JP 9112087 A JP9112087 A JP 9112087A JP 11208797 A JP11208797 A JP 11208797A JP H10298545 A JPH10298545 A JP H10298545A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は平面光源や表示に使
用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に
関するものであり、高輝度の発光素子に関するものであ
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device used for a flat light source and a display, and to a high-luminance light-emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。2. Description of the Related Art An EL device using an organic substance is expected to be used as an inexpensive, large-area, full-color display device of a solid light emitting type, and many developments have been made. Generally EL
Is composed of a light-emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side. Further, the electrons are recombined with holes in the light emitting layer, and energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band.
【０００３】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は１０００
ｃｄ／ｍ 2 、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機ＥＬ素子は、構成の改善により発光強度
は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題がある。また、青色発光の材料に関しても充分な発
光輝度、発光効率を有する材料は少なく、これらの発光
材料の開発が望まれていた。[0003] Conventional organic EL elements are compared with inorganic EL elements.
In all, the driving voltage was high, and the light emission luminance and light emission efficiency were low.
In addition, the characteristic deterioration was remarkable, and it had not been put to practical use.
Recently, high fluorescence quantum efficiency that emits light at a low voltage of 10 V or less
EL layered with organic compound-containing thin film
Devices have been reported and are of interest (Applied Field
Zix Letters, 51, 913, 1987
reference). In this method, the metal chelate complex is converted into a phosphor layer,
Amine-based compounds are used for the hole injection layer to create
Light emission was obtained, and the luminance was 1000 at a DC voltage of 6 to 7 V.
cd / m Two, Achieves maximum luminous efficiency of 1.5lm / W
It has performance close to the practical range. However,
Organic EL devices up to now have improved emission
Has been improved, but does not yet have sufficient emission brightness.
No. In addition, it is inferior in stability when used repeatedly.
There's a problem. Also, sufficient emission of blue-emitting materials
There are few materials that have light luminance and luminous efficiency.
The development of materials was desired.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
輝度が高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機Ｅ
Ｌ素子の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、
一般式［１］で示される化合物の有機ＥＬ素子材料を少
なくとも一層に使用した有機ＥＬ素子の発光輝度が高
く、繰り返し使用時での安定性も優れていることを見い
だし本発明をなすに至った。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device having a high emission luminance and excellent stability when used repeatedly.
L element. As a result of intensive studies by the present inventors,
It has been found that an organic EL device using at least one layer of an organic EL device material of the compound represented by the general formula [1] has high emission luminance and excellent stability upon repeated use, and has led to the present invention. .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記一
般式［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス素
子材料に関する。That is, the present invention relates to an organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1].
【０００６】一般式［１］The general formula [1]
【化２】 ［式中、ＸはＳ、ＯもしくはＣＨを示し、Ｒ1 ないしＲ
17は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは
未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、モノ置換
もしくはジ置換のアミノ基、置換もしくは未置換の複素
環基を表し、ただし、隣接した置換基同士で置換もしく
は未置換の環を形成しても良い。Ｍは二価もしくは三価
の金属を示し、ｎは１もしくは２である。］Embedded image Wherein X represents S, O or CH, and R 1 to R
17 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a mono Represents a substituted or disubstituted amino group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that adjacent substituents may form a substituted or unsubstituted ring. M represents a divalent or trivalent metal, and n is 1 or 2. ]
【０００７】更に、本発明は、一対の電極間に発光層も
しくは発光層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が
上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する
層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。Further, the present invention provides an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or an organic compound thin film layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one layer is a layer containing the organic electroluminescence device material. The present invention relates to an electroluminescent device.
【０００８】更に、本発明は、一対の電極間に発光層も
しくは発光層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、請求項１記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層を発
光層と陰極の間に形成してなる有機エレクトロルミネッ
センス素子に関する。Further, the present invention relates to an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or an organic compound thin film layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the layer containing the organic electroluminescent device material according to claim 1 emits light. The present invention relates to an organic electroluminescence device formed between a layer and a cathode.
【０００９】更に、本発明は、一対の電極間に発光層も
しくは発光層を含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレ
クトロルミネッセンス素子において、発光層が請求項１
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有す
る層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関す
る。Further, according to the present invention, there is provided an organic electroluminescent device having a light emitting layer or an organic compound thin film layer including the light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer is a semiconductor device.
The present invention relates to an organic electroluminescence device which is a layer containing the organic electroluminescence device material described above.
【００１０】[0010]
【００１１】本発明の金属錯体はｎ型半導体としての性
質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成
時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の
金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料として
の蛍光量子効率も大きくなっている。The metal complex of the present invention has a strong property as an n-type semiconductor and has a large electron injection ability. Furthermore, since the energy generated during the formation of the complex is low, the bond between the metal and the ligand of the formed metal complex is strengthened, and the fluorescence quantum efficiency as a light emitting material is also increased.
【００１２】一般式［１］の置換基Ｒ1 ないしＲ17の具
体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハ
ロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル
基、トリクロロメチル基等の置換もしくは未置換のアル
キル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル
基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル
基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオ
ロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換も
しくは未置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、ト
リフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、
２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ
基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の
置換もしくは未置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ
−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキ
シ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェ
ニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換
もしくは未置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エ
チルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ
基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、
ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフル
オロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニル
チオ基等の置換もしくは未置換のアリールチオ基、シア
ノ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、
エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノま
たはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ
基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキ
シプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミ
ノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル
基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、
エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロ
イピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニ
ルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、
スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロ
ヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル
基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリ
ジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニ
ル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル
基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル
基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニ
ル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、
チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル
基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾ
リル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダ
ゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素
環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさら
なる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。Specific examples of the substituents R 1 to R 17 in the general formula [1] include chlorine, bromine, iodine and fluorine halogen atoms, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, sec- Substituted or unsubstituted alkyl groups such as butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, trichloromethyl group, phenyl group, naphthyl group, 3-methylphenyl group, 3- Substituted or unsubstituted aryl groups such as methoxyphenyl group, 3-fluorophenyl group, 3-trichloromethylphenyl group, 3-trifluoromethylphenyl group, 3-nitrophenyl group, methoxy group, n-butoxy group, tert- Butoxy group, trichloromethoxy group, trifluoroethoxy group, pentafluoropropoxy group,
2,2,3,3-tetrafluoropropoxy group, 1,
A substituted or unsubstituted alkoxy group such as 1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propoxy group, 6- (perfluoroethyl) hexyloxy group, phenoxy group, p
A substituted or unsubstituted aryloxy group such as -nitrophenoxy group, p-tert-butylphenoxy group, 3-fluorophenoxy group, pentafluorophenyl group, 3-trifluoromethylphenoxy group, methylthio group, ethylthio group, tert- A substituted or unsubstituted alkylthio group such as a butylthio group, a hexylthio group, an octylthio group, a trifluoromethylthio group, a phenylthio group,
a substituted or unsubstituted arylthio group such as a p-nitrophenylthio group, a p-tert-butylphenylthio group, a 3-fluorophenylthio group, a pentafluorophenylthio group, a 3-trifluoromethylphenylthio group, a cyano group, Amino group, methylamino group, diethylamino group,
Mono- or di-substituted amino groups such as ethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group, diphenylamino group, bis (acetoxymethyl) amino group, bis (acetoxyethyl) amino group, bisacetoxypropyl) amino group , An acylamino group such as a bis (acetoxybutyl) amino group, a hydroxyl group, a siloxy group, an acyl group, a methylcarbamoyl group, a dimethylcarbamoyl group,
Carbamoyl group such as ethylcarbamoyl group, diethylcarbamoyl group, propylcarbamoyl group, butylcarbamoyl group, phenylcarbamoyl group, carboxylic acid group,
Sulfonic acid group, imide group, cyclopentane group, cycloalkyl group such as cyclohexyl group, phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthranyl group, phenanthryl group, fluorenyl group, aryl group such as pyrenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, Pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, indolinyl group, quinolinyl group, acridinyl group, pyrrolidinyl group, dioxanyl group, piperidinyl group, morpholidinyl group, piperazinyl group, triazinyl group, carbazolyl group, furanyl group,
Heterocyclic groups such as thiophenyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, benzooxazolyl group, thiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, triazolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, and praniyl group. Further, the above substituents may be combined with each other to form a further 6-membered aryl ring or hetero ring.
【００１３】また、前記一般式［１］において、Ｍは、
ベリリウム、亜鉛、カドニウム、アルミニウム、ガリウ
ム、インジウム、イットリウム、スカンジウム、マグネ
シウム、カルシイウム、ストロンチウム、コバルト、
鉄、銅、またはニッケルを示すが、これらに限られるも
のではない。その中でも特にアルミニウム、ガリウム等
のIII 族の金属が好ましい。ｎは金属原子の価数によっ
て異なり、２価の金属原子の場合は１であり、３価の金
属原子の場合は２である。In the general formula [1], M is
Beryllium, zinc, cadmium, aluminum, gallium, indium, yttrium, scandium, magnesium, calcium, strontium, cobalt,
Indicates, but is not limited to, iron, copper, or nickel. Among them, Group III metals such as aluminum and gallium are particularly preferred. n differs depending on the valence of the metal atom, and is 1 for a divalent metal atom and 2 for a trivalent metal atom.
【００１４】本発明の金属錯体化合物を有機ＥＬ素子に
使用した場合、高性能の有機ＥＬ素子を作製することが
可能になった。本発明の材料を発光材料として使用した
場合、素子は青色〜緑色までの広い発光領域で高い発光
効率を示し、電子注入層もしくは電子注入型発光層等の
直接陰極と接した層に使用した場合、素子は高い電子輸
送性、陰極からの高い電子注入性を有するので極めて有
利な有機ＥＬ素子材料であることがわかる。さらには、
本発明の有機ＥＬ素子材料は３００℃以上の融点を有す
るものが多く、発光輝度が高く長寿命の素子を作製する
際にも極めて有利である。When the metal complex compound of the present invention is used in an organic EL device, a high-performance organic EL device can be manufactured. When the material of the present invention is used as a light-emitting material, the device exhibits high luminous efficiency in a wide light-emitting region from blue to green, and is used in a layer in direct contact with a cathode such as an electron injection layer or an electron injection type light-emitting layer. It can be seen that the device is a very advantageous organic EL device material because it has a high electron-transporting property and a high electron-injecting property from the cathode. Moreover,
Many of the organic EL element materials of the present invention have a melting point of 300 ° C. or higher, which is extremely advantageous when producing an element having high emission luminance and long life.
【００１５】本発明の一般式［１］で示される化合物の
合成方法の例を以下に示す。前記一般式［１］で示され
る金属錯体は、対応する金属化合物と以下の一般式
［２］で示される化合物との間の錯体形成反応により合
成される。 一般式［２］An example of a method for synthesizing the compound represented by the general formula [1] of the present invention is shown below. The metal complex represented by the general formula [1] is synthesized by a complex forming reaction between a corresponding metal compound and a compound represented by the following general formula [2]. General formula [2]
【化３】 Embedded image
【００１６】前記一般式［１］で示される化合物と錯体
を形成する金属化合物としては、塩化物、臭化物、等の
ハロゲン化塩、硫酸塩、硝酸塩、エトキシ金属、イソプ
ロポキシド金属などの金属アルコキシド、または一部が
アセチルアセテートで置換された金属化合物であっても
良い。合成は反応性、安全面などから、金属アルコキシ
ドが好ましいがこれらに限られるものではない。Examples of the metal compound which forms a complex with the compound represented by the general formula [1] include halides such as chlorides and bromides, metal alkoxides such as sulfates, nitrates, ethoxy metals and isopropoxide metals. Alternatively, a metal compound partially substituted with acetyl acetate may be used. In the synthesis, metal alkoxides are preferred from the viewpoints of reactivity, safety and the like, but are not limited thereto.
【００１７】合成に使用する溶剤は、メタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、アセト
ニトリル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ベンゼン、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、ジメチ
ルホルアミド、キノリン、スルホラン、水などから選択
される。反応温度は、配位子の金属錯体形成速度により
決定される。０℃〜２５０℃の間、さらには２０℃〜８
０℃か好ましい。反応は１０分〜２４時間で行われる。
合成条件は、金属化合物、配位子、溶剤、触媒などの条
件により決定されるものであり、これらに限定されるも
のではない。Solvents used in the synthesis include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, acetonitrile, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran,
It is selected from benzene, toluene, xylene, n-hexane, dimethylformamide, quinoline, sulfolane, water and the like. The reaction temperature is determined by the metal complex formation rate of the ligand. Between 0 ° C and 250 ° C, and even between 20 ° C and 8 ° C.
0 ° C. is preferred. The reaction is performed for 10 minutes to 24 hours.
The synthesis conditions are determined by conditions such as a metal compound, a ligand, a solvent, and a catalyst, and are not limited thereto.
【００１８】本発明の一般式［１］の化合物の代表例を
表１に具体的に例示するが、これらに限られるものでは
ない。Representative examples of the compound represented by the general formula [1] of the present invention are specifically shown in Table 1, but are not limited thereto.
【００１９】[0019]
【表１】 [Table 1]
【００２０】 [0020]
【００２１】 [0021]
【００２２】 [0022]
【００２３】 [0023]
【００２４】 [0024]
【００２５】上記金属錯体は、水、有機溶剤による洗
浄、適切な溶剤からの再結晶、昇華精製法など、もしく
はそれらを組み合わせることにより必要な純度を得るこ
とができる。The above-mentioned metal complex can be obtained in a required purity by washing with water or an organic solvent, recrystallization from an appropriate solvent, a sublimation purification method, or a combination thereof.
【００２６】有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、（陽極／正孔注入層／発光層／
陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極
／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）の多層構成
で積層した有機ＥＬ素子がある。一般式［１］の化合物
は、正孔もしくは電子等のキャリアを輸送することがで
きるが、電子輸送性がより優れているので有機ＥＬ素子
の電子注入層に使用することが出来る。また、この化合
物を発光材料として発光層に使用した有機ＥＬ素子は、
電界を印加した際に強い青色から緑色の蛍光を発するの
で、発光材料として使用することも可能であり、高い発
光特性を持つ有機ＥＬ素子を作製することが可能になっ
た。An organic EL device is a device in which a single or multilayer organic thin film is formed between an anode and a cathode. In the case of a single layer type, a light emitting layer is provided between an anode and a cathode. The light-emitting layer contains a light-emitting material and may further contain a hole-injection material or an electron-injection material for transporting holes injected from an anode or electrons injected from a cathode to the light-emitting material. The multilayer type is (anode / hole injection layer / light emitting layer /
There is an organic EL device having a multilayer structure of (cathode), (anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode), and (anode / hole injection layer / light-emitting layer / electron injection layer / cathode). The compound of the general formula [1] can transport carriers such as holes or electrons, but can be used for an electron injection layer of an organic EL device because it has better electron transportability. Further, an organic EL device using this compound as a light emitting material in a light emitting layer,
Since strong blue to green fluorescence is emitted when an electric field is applied, it can be used as a light emitting material, and an organic EL device having high light emitting characteristics can be manufactured.
【００２７】有機ＥＬ素子は、多層構造にすることによ
りクエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことがで
きる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア輸送を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。The organic EL element has a multi-layer structure, so that a decrease in luminance and life due to quenching can be prevented. If necessary, a combination of two or more kinds of light emitting materials, doping materials, hole injection materials for transporting carriers, and electron injection materials can be used. Also,
The hole injection layer, the light-emitting layer, and the electron injection layer may each be formed in a layer structure of two or more layers, and an element structure in which holes or electrons are efficiently injected from the electrode and transported in the layer is selected. You.
【００２８】本発明の金属錯体化合物を電子注入材料と
して使用した場合に、使用することが可能である公知の
発光材料またはドーピング材料としては、ナフタレン、
アントラセン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、
コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタ
ロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリ
ノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テト
ラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、
アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ジ
アミン、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯
体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセ
ン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリ
メチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシ
ノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およびそれら
の誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
発光材料として特に適した化合物としては、金属錯体化
合物、ビススチリル化合物、共役系重合体、アリールア
ミン誘導体がある。When the metal complex compound of the present invention is used as an electron injecting material, examples of known light emitting materials or doping materials that can be used include naphthalene,
Anthracene, phenanthrene, pyrene, tetracene,
Coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole,
Aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, diamine, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, imidazole Examples include, but are not limited to, chelated oxinoid compounds, quinacridone, rubrene, and derivatives thereof.
Compounds particularly suitable as a light emitting material include metal complex compounds, bisstyryl compounds, conjugated polymers, and arylamine derivatives.
【００２９】金属錯体化合物としては、（８−ヒドロキ
シキノリノナト）リチウム、ビス（８−ヒドロキシキノ
リノナト）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリノナト）
マンガン、ビス（８−ヒドロキシキノリノナト）銅、ト
リス（８−ヒドロキシキノリノナト）アルミニウム、ト
リス（８−ヒドロキシキノリノナト）ガリウム、ビス
（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウ
ム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）
亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナ
ト）マグネシウム、トリス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリナト）アルミニウム、ビス（２−メチル−
８−キノリナト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−
８−キノリナト）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス
（２−メチル−８−キノリナト）（１−フェノラート）
アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナト）
（１−フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８
−キノリナト）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビ
ス（２−メチル−８−キノリナト）（１−ナフトラー
ト）ガリウム、ビス（２−［２−ベンゾオキサゾリナ
ト］フェノラート）亜鉛、ビス（２−［２−ベンゾチア
ゾリナト］フェノラート）亜鉛等がある。これらの化合
物は、単独で使用しても良く、２種類以上を混合して使
用しても良い。Examples of the metal complex compound include (8-hydroxyquinolinonato) lithium, bis (8-hydroxyquinolinonato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinonato)
Manganese, bis (8-hydroxyquinolinonato) copper, tris (8-hydroxyquinolinonato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinonato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium, bis ( 10-hydroxybenzo [h] quinolinato)
Zinc, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) magnesium, tris (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) aluminum, bis (2-methyl-
8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-
8-quinolinato) (o-cresolate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-phenolate)
Aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato)
(1-Phenolate) gallium, bis (2-methyl-8)
-Quinolinato) (1-naphtholate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholate) gallium, bis (2- [2-benzoxazolinato] phenolate) zinc, bis (2- [2- [Benzothiazolinato] phenolate) zinc. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.
【００３０】ビススチリル化合物としては、連結基とし
て置換基を有しても良いフェニレン基、ナフチレン基、
ビフェニレン基、アントラニレン基、ピレニレン基、チ
オフェニレン基、トリフェニルアミンやＮ−エチルカル
バゾールの２価の残基等であるビススチリル化合物が挙
げられる。具体的には、ジフェニルアミノ−１，４−ビ
ススチリルベンゼン、ジトリルアミノ−１，４−ビスス
チリルベンゼン、ジフェニルアミノ−４，４’−ビスス
チリルビフェニル、３−（Ｎ−エチルカルバゾール）−
４，４’−ビススチリルビフェニル、ビス（４，４’−
［２，２−ジフェニルビニル］）ビフェニル等がある。
これらの化合物は、単独で使用しても良く、２種類以上
を混合して使用しても良い。Examples of the bisstyryl compound include a phenylene group, a naphthylene group and a phenylene group which may have a substituent as a linking group.
Bisstyryl compounds such as biphenylene group, anthranylene group, pyrenylene group, thiophenylene group, and divalent residue of triphenylamine and N-ethylcarbazole are exemplified. Specifically, diphenylamino-1,4-bisstyrylbenzene, ditolylamino-1,4-bisstyrylbenzene, diphenylamino-4,4′-bisstyrylbiphenyl, 3- (N-ethylcarbazole)-
4,4′-bisstyrylbiphenyl, bis (4,4′-
[2,2-diphenylvinyl]) biphenyl and the like.
These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.
【００３１】共役系重合体としては、窒素原子、酸素原
子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基単独も
しくは、ビニル基等の共役基とともに重合した繰り返し
単位２以上１００００以下の重合体がある。具体的に
は、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−チオフェ
ン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５
−ジペンチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，
５−ジペンチル−ｍ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−ジオクチル−ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｍ−フェニレ
ンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルチオ−ｐ−フ
ェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシルオキシ−
ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−
ヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ
（２，５−チエニレンビニレン）、ポリ（３−ｎ−オク
チル−２，５−チエニレンビニレン）、ポリ（１，４−
ナフタレンビニレン）、ポリ（９，１０−アントラセン
ビニレン）等およびそれらの共重合体がある。これらの
化合物は、単独で使用しても良く、２種類以上を混合し
て使用しても良い。Examples of the conjugated polymer include an arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom alone, or a polymer having a repeating unit of 2 or more and 10,000 or less polymerized with a conjugate group such as a vinyl group. Specifically, poly (p-phenylene), poly (p-thiophene), poly (p-phenylenevinylene), poly (2,5
-Dipentyl-p-phenylenevinylene), poly (2,
5-dipentyl-m-phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyloxy-m-) Phenylenevinylene), poly (2,5-dihexylthio-p-phenylenevinylene), poly (2,5-didecyloxy-
p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5-
Hexyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-thienylenevinylene), poly (3-n-octyl-2,5-thienylenevinylene), poly (1,4-
Naphthalenevinylene), poly (9,10-anthracenevinylene), and the like, and copolymers thereof. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.
【００３２】アリールアミン誘導体としては、窒素原
子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレ
ン基に、置換ジアミノ基を置換した化合物がある。具体
的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）
−１，４−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，３−フェニ
ル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（４−メチルフェニ
ル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナ
ントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフ
ェニル）−１，４−ナフチル−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−ｎ−オクチルフェニル）−
９，１０−アントラニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−［４−（α，α’−ジメチルベンジ
ル）フェニル］−アントラニル−９，１０−ジアミン等
がある。これらの化合物は単独で使用しても良く、２種
類以上を混合して使用しても良い。As the arylamine derivative, there is a compound in which a substituted diamino group is substituted for an arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom. Specifically, N, N, N ', N'-(4-methylphenyl)
-1,4-phenyl-4,4′-diamine, N, N,
N ′, N ′-(4-methylphenyl) -1,3-phenyl-4,4′-diamine, N, N′-diphenyl-N,
N '-(3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-(4-methylphenyl) -N, N '-(4-n-butylphenyl)- Phenanthrene-9,10-diamine, N, N′-diphenyl-N, N′-dinaphthyl-1,1′-biphenyl-4,
4′-diamine, N, N, N ′, N ′-(4-methylphenyl) -1,4-naphthyl-4,4′-diamine,
N, N, N ', N'-(4-n-octylphenyl)-
9,10-anthranyl-4,4′-diamine, N,
N, N ′, N ′-[4- (α, α′-dimethylbenzyl) phenyl] -anthranyl-9,10-diamine and the like. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.
【００３３】正孔注入材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を
防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。
具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン
誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサジアゾール、トリ
アゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾール
チオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダ
ゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾ
ン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチル
ベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、
スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリ
フェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニ
ルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子
材料等があるが、これらに限定されるものではない。The hole injecting material has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode, and has an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material. Compounds that prevent excitons from migrating to the electron injection layer or the electron injection material and have excellent thin film forming ability are exemplified.
Specifically, phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acylhydrazone, polyarylalkane, Stilbene, butadiene, benzidine-type triphenylamine,
Examples include, but are not limited to, styrylamine-type triphenylamine, diamine-type triphenylamine, and derivatives thereof, and polymer materials such as polyvinyl carbazole, polysilane, and conductive polymers.
【００３４】本発明の金属錯体化合物を発光材料として
使用した場合に、使用することが可能である電子注入材
料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電
子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子
注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層
または正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能
の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、
アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジ
オキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリア
ゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フ
レオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アント
ロン、金属錯体等とそれらの誘導体があるが、これらに
限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受
容材料を、電子注入材料に電子供与性材料を添加して増
感させることもできる。また、正孔注入材料としては、
上記記載の正孔注入材料を使用することができる。When the metal complex compound of the present invention is used as a light emitting material, the electron injecting material which can be used has an electron transporting ability, an electron injecting effect from a cathode, a light emitting layer or a light emitting material. Compounds that have an excellent electron injecting effect on the material, prevent excitons generated in the light emitting layer from migrating to the hole injecting layer or the hole injecting material, and have excellent thin film forming ability. For example, fluorenone,
There are anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyrandioxide, oxadiazole, thiadiazole, triazole, tetrazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane, anthrone, metal complexes, and derivatives thereof, It is not limited to these. Alternatively, an electron accepting material may be added to the hole injecting material and an electron donating material may be added to the electron injecting material to sensitize the material. Also, as a hole injection material,
The hole injection materials described above can be used.
【００３５】本発明の一般式［１］の化合物は、発光材
料として発光層内での使用することができ、発光材料、
ドーピング材料、正孔注入材料および電子注入材料の少
なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、一般
式［１］の化合物は、陰極である金属電極からの高い電
子注入能力および電子輸送能力を持っているので、発光
層と陰極との間の電子注入層に使用することも可能であ
る。The compound of the general formula [1] of the present invention can be used in a light emitting layer as a light emitting material.
At least one of a doping material, a hole injection material, and an electron injection material may be contained in the same layer. Further, since the compound of the general formula [1] has a high electron injecting ability and an electron transporting ability from a metal electrode serving as a cathode, it can be used for an electron injecting layer between the light emitting layer and the cathode. is there.
【００３６】有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材
料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、
さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性
樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性材料として
は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適してお
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アル
ミニウム等およびそれらの合金が用いられるが、これら
に限定されるものではない。合金としては、マグネシウ
ム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミ
ニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。合金の比率は、加熱源の温度、雰囲
気、真空度等により制御され、適切な比率が選択され
る。陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成
により形成されていても良い。As the conductive material used for the anode of the organic EL device, those having a work function of more than 4 eV are suitable, and include carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, and platinum. , Palladium and their alloys, tin oxide used for ITO substrate, NESA substrate, metal oxide such as indium oxide,
Further, an organic conductive resin such as polythiophene or polypyrrole is used. As the conductive material used for the cathode, those having a work function smaller than 4 eV are suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium,
Yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum and the like and alloys thereof are used, but not limited thereto. Representative examples of the alloy include magnesium / silver, magnesium / indium, and lithium / aluminum, but are not limited thereto. The ratio of the alloy is controlled by the temperature, atmosphere, degree of vacuum, etc. of the heating source, and an appropriate ratio is selected. The anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary.
【００３７】有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明性を有するものであれば限定される
ものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレ
ン板、ポリエチレンテレフタレート板、ポリエーテルサ
ルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂があげら
れる。In the organic EL device, it is desirable that at least one of the organic EL devices is sufficiently transparent in an emission wavelength region of the device in order to emit light efficiently. Further, it is desirable that the substrate is also transparent. The transparent electrode is set so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering using the above conductive material. The electrode on the light emitting surface desirably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and has transparency, but examples thereof include a glass substrate, a polyethylene plate, a polyethylene terephthalate plate, a polyether sulfone plate, and a polypropylene plate. And the like.
【００３８】本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレ
ーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれ
の方法を適用することができる。膜厚は特に限定される
ものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜
厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加
電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピ
ンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝
度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範
囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさ
らに好ましい。Each layer of the organic EL device according to the present invention can be formed by any of dry film forming methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet film forming methods such as spin coating, dipping, and flow coating. Can be applied. The film thickness is not particularly limited, but needs to be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too large, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too small, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but is more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.
【００３９】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜
を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜の
ピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用して
も良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等
の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチ
オフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることが
できる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、可塑剤等を挙げることができる。In the case of the wet film forming method, the material forming each layer is made of ethanol, chloroform, tetrahydrofuran,
The thin film is formed by dissolving or dispersing in a suitable solvent such as dioxane, and any solvent may be used. In any of the organic thin film layers, a suitable resin or additive may be used for improving film forming properties, preventing pinholes in the film, and the like. Examples of usable resins include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and copolymers thereof, and poly-N-vinyl. Examples thereof include photoconductive resins such as carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole. Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
【００４０】本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入
して素子全体を保護することも可能である。In order to improve the stability of the organic EL device obtained according to the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer is provided on the surface of the device or silicon oil is sealed to protect the entire device. It is also possible.
【００４１】以上のように、本発明では、有機ＥＬ素子
の発光層もしくは電子注入層に一般式［１］の化合物を
用いたため、発光輝度や発光効率等の有機ＥＬ素子特性
を向上させることができた。また、この素子は熱や電流
に対して非常に安定であり、さらには低電圧で実用的に
使用可能な発光輝度が得られるので、従来まで大きな問
題であった経時での劣化も大幅に低下させることができ
た。As described above, in the present invention, since the compound represented by the general formula [1] is used in the light emitting layer or the electron injection layer of the organic EL element, it is possible to improve the organic EL element characteristics such as light emission luminance and light emission efficiency. did it. In addition, this device is extremely stable against heat and current, and furthermore, it can emit light that can be practically used at a low voltage. I was able to.
【００４２】本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。The organic EL device of the present invention can be used as a flat panel display such as a wall-mounted television, or as a flat luminous body.
It can be applied to light sources such as copiers and printers, light sources such as liquid crystal displays and instruments, display boards, and sign lamps, and its industrial value is extremely large.
【００４３】[0043]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。本実施例では表面抵抗値１０（Ω／□）の
ＩＴＯ電極付きガラス板を使用して有機ＥＬ素子を作製
した。The present invention will be described below in more detail with reference to examples. In this example, an organic EL element was manufactured using a glass plate with an ITO electrode having a surface resistance value of 10 (Ω / □).
【００４４】（合成例１）フラスコ中にトリイソプロポ
キシアルミニウム４．０８ｇ、２−プロピルアルコール
１５０ｍｌ、２−（ｏ−ヒドロキシフェニル）ベンゾオ
キサゾール８．４４ｇを入れて、８０−８５℃にて１０
時間攪拌する。反応終了後、析出した白色固体をろ過し
て、エタノールで洗浄し、真空乾燥して８．１ｇの白色
粉末を得た。この白色粉末の元素分析、質量分析、赤外
線吸収スペクトル、ＮＭＲスペクトルを測定した結果、
化合物（１）であることがわかった。(Synthesis Example 1) 4.08 g of triisopropoxyaluminum, 150 ml of 2-propyl alcohol and 8.44 g of 2- (o-hydroxyphenyl) benzoxazole were placed in a flask, and the mixture was heated at 80-85 ° C for 10 minutes.
Stir for hours. After the reaction was completed, the precipitated white solid was filtered, washed with ethanol, and dried under vacuum to obtain 8.1 g of a white powder. Elemental analysis, mass spectrometry, infrared absorption spectrum and NMR spectrum of this white powder were measured.
It was found to be compound (1).
【００４５】（合成例２）フラスコ中にトリメトキシガ
リウム５．０ｇ、２−プロピルアルコール２００ｍｌ、
２−（ｏ−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾール１
２．９６ｇを入れて、８０−８５℃にて１０時間攪拌す
る。反応終了後、析出した白色固体をろ過して、エタノ
ールで洗浄し、真空乾燥して１１．２ｇの白色粉末を得
た。この白色粉末の元素分析、質量分析、赤外線吸収ス
ペクトル、ＮＭＲスペクトルを測定した結果、化合物
（２）であることがわかった。(Synthesis Example 2) In a flask, 5.0 g of trimethoxygallium, 200 ml of 2-propyl alcohol,
2- (o-hydroxyphenyl) benzoxazole 1
Add 2.96 g and stir at 80-85 ° C. for 10 hours. After completion of the reaction, the precipitated white solid was filtered, washed with ethanol, and dried under vacuum to obtain 11.2 g of a white powder. Elemental analysis, mass spectrometry, infrared absorption spectrum and NMR spectrum of this white powder were measured, and it was found that the powder was Compound (2).
【００４６】（合成例３）フラスコ中にトリイソプロポ
キシアルミニウム４．０８ｇ、２−プロピルアルコール
１５０ｍｌ、２−（ｏ−ヒドロキシフェニル）ベンゾチ
アゾール９．０８ｇを入れて、８０−８５℃にて１０時
間攪拌する。反応終了後、析出した黄白色固体をろ過し
て、エタノールで洗浄し、真空乾燥して８．８ｇの黄白
色粉末を得た。この黄白色粉末の元素分析、質量分析、
赤外線吸収スペクトル、ＮＭＲスペクトルを測定した結
果、化合物（３）であることがわかった。(Synthesis Example 3) 4.08 g of triisopropoxyaluminum, 150 ml of 2-propyl alcohol, and 9.08 g of 2- (o-hydroxyphenyl) benzothiazole were placed in a flask, and the mixture was heated at 80 to 85 ° C for 10 hours. Stir. After the completion of the reaction, the deposited yellow-white solid was filtered, washed with ethanol, and dried under vacuum to obtain 8.8 g of a yellow-white powder. Elemental analysis, mass spectrometry,
As a result of measuring an infrared absorption spectrum and an NMR spectrum, it was found that the compound was Compound (3).
【００４７】（合成例４）フラスコ中にトリメトキシガ
リウム５．０ｇ、２−プロピルアルコール１５０ｍｌ、
２−（ｏ−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール１
３．９５ｇを入れて、８０−８５℃にて１０時間攪拌す
る。反応終了後、析出した黄白色固体をろ過して、エタ
ノールで洗浄し、真空乾燥して１４．２ｇの黄白色粉末
を得た。この黄白色粉末の元素分析、質量分析、赤外線
吸収スペクトル、ＮＭＲスペクトルを測定した結果、化
合物（４）であることがわかった。Synthesis Example 4 5.0 g of trimethoxygallium, 150 ml of 2-propyl alcohol,
2- (o-hydroxyphenyl) benzothiazole 1
Add 3.95 g and stir at 80-85 ° C for 10 hours. After completion of the reaction, the precipitated yellow-white solid was filtered, washed with ethanol, and dried under vacuum to obtain 14.2 g of a yellow-white powder. Elemental analysis, mass spectrometry, infrared absorption spectrum and NMR spectrum of this yellowish white powder were measured, and it was found that the powder was Compound (4).
【００４８】本発明の化合物を発光材料として発光層に
使用した例を以下に述べる。 実施例１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルを真空蒸着して、膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、化合物（１）を発光材料として真空蒸着し
て膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、その上に、マグネシ
ウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
膜厚の電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入
層、発光層および陰極は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電
圧１２Ｖで発光輝度５８００（ｃｄ／ｍ2 ）の青色発光
が得られ、発光効率は０．６２（ｌｍ／Ｗ）であり、色
度はｘ＝０．２８０、ｙ＝０．４２０であった。An example in which the compound of the present invention is used in a light emitting layer as a light emitting material will be described below. Example 1 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 50 nm. Was. Then, the compound (1) is vacuum-deposited as a light-emitting material to form a light-emitting layer with a thickness of 50 nm, and an electrode with a film thickness of 150 nm is formed on the light-emitting layer with a 10: 1 mixture of magnesium and silver. Thus, an organic EL device was obtained. The hole injection layer, the light emitting layer, and the cathode are formed in a vacuum of 10 -6 Torr,
The deposition was performed at a substrate temperature of room temperature. This device can emit blue light with a luminance of 5800 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 12 V, a luminous efficiency of 0.62 (lm / W), a chromaticity of x = 0.280, and y = 0. .420.
【００４９】実施例２〜１６ 発光材料として表２の化合物を使用する以外は、実施例
１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作成して、直流電圧１２
Ｖ発光輝度、発光効率を測定した。結果を表２に示す。Examples 2 to 16 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 2 were used as the luminescent material.
V emission luminance and luminous efficiency were measured. Table 2 shows the results.
【００５０】[0050]
【表２】 [Table 2]
【００５１】実施例１７ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１）、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを３：５の比率でクロロ
ホルムに溶解分散させ、スピンコーティング法により膜
厚１００ｎｍの発光層を得た。その上に、マグネシウム
と銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極
を形成して有機ＥＬ素子を得た。発光層および陰極は、
１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は、直流電圧１２Ｖで１２００（ｃｄ
／ｍ2 ）の青色発光が得られ、発光効率は０．２４（ｌ
ｍ／Ｗ）であった。Example 17 Compound (1) was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
Poly-N-vinylcarbazole was dissolved and dispersed in chloroform at a ratio of 3: 5, and a light-emitting layer having a thickness of 100 nm was obtained by spin coating. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The light emitting layer and the cathode
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This element has a DC voltage of 12 V and 1200 (cd)
/ M 2 ) and a luminous efficiency of 0.24 (l)
m / W).
【００５２】実施例１８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（７）、
２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェ
ニル）−１，３，４−オキサジアゾール、下記化学構造
で示される化合物（２５）、ポリカーボネート樹脂を
３：２：３：２の比率でクロロホルムに溶解分散させ、
スピンコーティング法により膜厚１００ｎｍの発光層を
得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合し
た合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子
を得た。陰極は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度
室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧１２Ｖ
で１５５０（ｃｄ／ｍ2 ）の青緑色発光が得られ、発光
効率は０．３２（ｌｍ／Ｗ）であった。 化合物（２５）Example 18 Compound (7) was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
2- (4-tert-butylphenyl) -5- (biphenyl) -1,3,4-oxadiazole, a compound (25) represented by the following chemical structure, and a polycarbonate resin in a ratio of 3: 2: 3: 2. Dissolve and disperse in chloroform with
A light emitting layer having a thickness of 100 nm was obtained by spin coating. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The cathode was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This element has a DC voltage of 12 V
In this manner, blue-green light emission of 1550 (cd / m 2 ) was obtained, and the light emission efficiency was 0.32 (lm / W). Compound (25)
【００５３】[0053]
【化４】 Embedded image
【００５４】実施例１９ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルをクロロホルムに溶解分散させ、スピンコーティン
グにより膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化
合物（１６）を蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
し、さらに真空蒸着法により２−（４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−５−（ビフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾールの膜厚２０ｎｍの電子注入層を得た。その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。発
光層、電子注入層および陰極は、１０-6Ｔｏｒｒの真空
中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、
直流電圧１２Ｖで５５００（ｃｄ／ｍ2 ）の青緑色の発
光が得られ、発光効率は０．５５（ｌｍ／Ｗ）であっ
た。Example 19 4,4′-Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl was dissolved and dispersed in chloroform on a washed glass plate with an ITO electrode, and the film thickness was 30 nm by spin coating. Was obtained. Next, the compound (16) is vapor-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 50 nm, and further, 2- (4-tert-butylphenyl) -5- (biphenyl) -1,3,4-oxadiene is formed by a vacuum vapor deposition method. An azole electron injection layer having a thickness of 20 nm was obtained. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The light emitting layer, the electron injection layer, and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This element
Blue-green light emission of 5500 (cd / m 2 ) was obtained at a DC voltage of 12 V, and the light emission efficiency was 0.55 (lm / W).
【００５５】実施例２０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４、４’、４”
−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚３０ｎｍ
の正孔注入層を得た。次いで、化合物（７）を蒸着し
て、膜厚３０ｎｍの発光層を作成し、さらに真空蒸着法
により化合物（１５）の膜厚２０ｎｍの電子注入層を得
た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した
合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を
得た。正孔注入層、発光層、電子注入層および陰極は、
１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は、直流電圧１２Ｖで６５００（ｃｄ
／ｍ2 ）の青色の発光が得られ、発光効率は０．６８
（ｌｍ／Ｗ）であった。Example 20 4, 4 ′, 4 ″ was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
-Tris [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] triphenylamine was vacuum-deposited to a thickness of 30 nm.
Was obtained. Next, the compound (7) was vapor-deposited to form a 30-nm-thick light-emitting layer, and a 20-nm-thick electron injection layer of the compound (15) was obtained by a vacuum vapor deposition method. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode are
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This device has a DC voltage of 12 V and 6500 (cd)
/ M 2 ), and a luminous efficiency of 0.68
(Lm / W).
【００５６】実施例２１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚３０
ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（７）を蒸着
して、膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、さらに真空蒸着
法により化合物（１７）の膜厚２０ｎｍの電子注入層を
得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合し
た合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子
を得た。正孔注入層、発光層、電子注入層および陰極
は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下
で蒸着した。この素子は、直流電圧８Ｖで１２０００
（ｃｄ／ｍ2 ）の青色の発光が得られ、発光効率は１．
５４（ｌｍ／Ｗ）であった。Example 21 4,4 ′, 4 ″ was placed on a washed glass plate with ITO electrodes.
-Tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine was vacuum-deposited to a film thickness of 30.
As a result, a hole injection layer having a thickness of nm was obtained. Next, the compound (7) was vapor-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and a 20 nm-thick electron injection layer of the compound (17) was obtained by a vacuum vapor deposition method. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a DC voltage of 8V and 12000
(Cd / m 2 ) blue light emission was obtained, and the luminous efficiency was 1.
54 (lm / W).
【００５７】次に、本発明の化合物を電子注入材料とし
て電子注入層に使用した例を以下に述べる。Next, an example in which the compound of the present invention is used in an electron injection layer as an electron injection material will be described below.
【００５８】実施例２２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して、膜
厚３０ｎｍの正孔注入層を得た。さらに、トリス（８−
ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体を真空蒸着し
て膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、さらに真空蒸着法に
より化合物（９）の膜厚２０ｎｍの電子注入層を得た。
その上に、アルミニウムとリチウムを１００：３で混合
した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素
子を得た。正孔注入層、発光層、電子注入層および陰極
は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下
で蒸着した。この素子は、直流電圧８Ｖで１２５００
（ｃｄ／ｍ2 ）の黄緑色の発光が得られた。Example 22 N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,1' was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
-Biphenyl-4,4'-diamine was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Furthermore, Tris (8-
A hydroxyquinolinato) aluminum complex was vacuum-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and an electron injection layer of compound (9) having a thickness of 20 nm was obtained by a vacuum deposition method.
An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of aluminum and lithium mixed at a ratio of 100: 3 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This element has a DC voltage of 8 V and has a resistance of 12,500.
A yellow-green emission of (cd / m 2 ) was obtained.
【００５９】実施例２３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して、膜
厚３０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、下記化学構造
で示される化合物（２６）を蒸着して膜厚４０ｎｍの発
光層を作成し、さらに真空蒸着法により化合物（９）の
膜厚２０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、アルミニ
ウムとリチウムを１００：３で混合した合金で膜厚１５
０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入
層、発光層、電子注入層および陰極は、１０-6Ｔｏｒｒ
の真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素
子は、直流電圧８Ｖで１２０００（ｃｄ／ｍ2 ）の青色
の発光が得られた。 化合物（２６）Example 23 N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,1' was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
-Biphenyl-4,4'-diamine was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, a compound (26) represented by the following chemical structure was vapor-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and an electron injection layer of compound (9) having a film thickness of 20 nm was obtained by a vacuum vapor deposition method. On top of this, an alloy of aluminum and lithium mixed at a ratio of 100: 3 to a film thickness of 15
An 0 nm electrode was formed to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer, and the cathode are each composed of 10 -6 Torr.
Vacuum was deposited in a vacuum at a substrate temperature of room temperature. This device emitted blue light of 12000 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 8 V. Compound (26)
【００６０】[0060]
【化５】 Embedded image
【００６１】実施例２４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して膜厚
３０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、数平均分子量２
５，０００のポリ（２，５−ヘキシルチオ−ｐ−フェニ
レンビニレン）をクロロホルムに溶解させた液を正孔注
入層の上にスピンコーティングして、膜厚４０ｎｍの発
光層を作成し、さらに真空蒸着法により化合物（９）の
膜厚２０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシ
ウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入層、電子
注入層および陰極は、１０ -6Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧８
Ｖで１０５００（ｃｄ／ｍ2 ）の緑黄色の発光が得られ
た。Example 24 N, N'-diff was placed on a washed glass plate with ITO electrodes.
Enyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,1'
-Biphenyl-4,4'-diamine is vacuum-deposited to a film thickness
A 30 nm hole injection layer was obtained. Then, the number average molecular weight 2
5,000 poly (2,5-hexylthio-p-phenyl)
(Lenvinylene) dissolved in chloroform
Spin coating on top of the layer
An optical layer is formed, and the compound (9) is
An electron injection layer having a thickness of 20 nm was obtained. On top of that, Magneshi
Alloy with a 10: 1 mixture of aluminum and silver
Electrodes were formed to obtain an organic EL device. Hole injection layer, electron
The injection layer and cathode are 10 -6Substrate in Torr vacuum
The deposition was carried out at a temperature of room temperature. This element has a DC voltage of 8
10500 (cd / mTwo) Green-yellow emission
Was.
【００６２】実施例２５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して膜厚
３０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（２５）
を蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、さらに真空
蒸着法により化合物（７）の膜厚２０ｎｍの電子注入層
を得た。その上に、アルミニウムとリチウムを１００：
３で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有
機ＥＬ素子を得た。正孔注入層、発光層、電子注入層お
よび陰極は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温
の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧８Ｖで１５
０００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．３５（ｌｍ／Ｗ）
の青緑色の発光が得られた。Example 25 N, N′-diphenyl-N, N ′-(3-methylphenyl) -1,1 ′ was placed on a washed glass plate with an ITO electrode.
-Biphenyl-4,4'-diamine was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Then, compound (25)
Was deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and an electron injection layer of compound (7) having a thickness of 20 nm was obtained by a vacuum evaporation method. On top of that, 100 aluminum and lithium:
An electrode having a thickness of 150 nm was formed from the alloy mixed in Step 3 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This element has 15
000 (cd / m 2 ), luminous efficiency 2.35 (lm / W)
Blue-green light emission was obtained.
【００６３】実施例２６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚１５
０ｎｍの第一正孔注入層を得た。ついで、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して
膜厚３０ｎｍの第二正孔注入層を得た。次いで、化合物
（２５）を蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、さ
らに真空蒸着法により化合物（４）の膜厚２０ｎｍの電
子注入層を得た。その上に、アルミニウムとリチウムを
１００：３で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形
成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入層、発光層、電子
注入層および陰極は、１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧８
Ｖで２１０００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．９５（ｌ
ｍ／Ｗ）の青緑色の発光が得られた。Example 26 4,4 ′, 4 ″ was placed on a washed glass plate with ITO electrodes.
-Tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine was vacuum-deposited to a film thickness of 15
A first hole injection layer of 0 nm was obtained. Then, N, N'-diphenyl-N, N '-(3-methylphenyl) -1,
1'-biphenyl-4,4'-diamine was vacuum-deposited to obtain a 30-nm-thick second hole injection layer. Next, the compound (25) was vapor-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and a 20-nm-thick electron injection layer of the compound (4) was obtained by a vacuum vapor deposition method. An electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon with an alloy of aluminum and lithium mixed at a ratio of 100: 3 to obtain an organic EL device. The hole injection layer, the light emitting layer, the electron injection layer and the cathode were deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This element has a DC voltage of 8
V at 21000 (cd / m 2 ), luminous efficiency 2.95 (l
m / W).
【００６４】比較例１ 発光層を化合物（７）に代えて化合物（２７）を使用す
る以外は実施例２１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製
して発光輝度を測定した。この素子は、直流電圧８Ｖで
１１０００（ｃｄ／ｍ2 ）の黄緑色発光が得られ、発光
効率は０．８１（ｌｍ／Ｗ）であった。この発光は化合
物（２７）からの発光であることを確認した。 化合物（２７）Comparative Example 1 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 21 except that the compound (27) was used in place of the compound (7) for the light emitting layer, and the light emission luminance was measured. This device emitted 11,000 (cd / m 2 ) yellow-green light at a DC voltage of 8 V, and had a luminous efficiency of 0.81 (lm / W). This emission was confirmed to be emission from the compound (27). Compound (27)
【００６５】[0065]
【化６】 Embedded image
【００６６】比較例２〜３ 電子注入層を化合物（７）に代えて表３の化合物を使用
する以外は実施例２５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作
製して発光輝度を測定した。Comparative Examples 2 and 3 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 25 except that the compound shown in Table 3 was used instead of the compound (7) for the electron injection layer, and emission luminance was measured.
【００６７】[0067]
【表３】 [Table 3]
【００６８】本実施例で示された有機ＥＬ素子は、二層
型以上の素子構成において青色から青緑色の発光色、お
よび５０００（ｃｄ／ｍ2 ）以上の発光輝度があり、高
い発光効率を得ることができた。さらに、本実施例で示
された全ての有機ＥＬ素子について、３（ｍＡ／ｃ
ｍ2 ）で連続発光させたところ、１０，０００時間以上
の間、初期発光輝度の半分以上の輝度を観測することが
できた。実施例２５の有機ＥＬ素子が１０，０００時間
以上安定な発光輝度を有し、ダークスポットもほとんど
観察されなかったのに対して、同条件で作製した比較例
２および３の有機ＥＬ素子は、５００時間以下の発光時
間で初期の発光輝度の半分以下になり、ダークスポット
の数が多く、寿命時間の測定とともに、その数が増加し
て、更に大きくなった。これは、本発明の化合物と比較
して、発光層と陰極層との密着性、成膜性が悪いこと、
発光層と陰極との仕事関数の差異が大きいことが考えら
れる。以上の結果から、発光層、もしくは発光層と陰極
の間の層に本発明の有機ＥＬ素子材料を使用した有機Ｅ
Ｌ素子は、高い発光効率および発光素子の長寿命化を達
成することができた。The organic EL device shown in this embodiment has a light emission color of blue to blue-green and a light emission luminance of 5000 (cd / m 2 ) or more in a device structure of two layers or more, and has a high light emission efficiency. I got it. Furthermore, for all the organic EL elements shown in this example, 3 (mA / c
m 2 ), continuous emission of more than half of the initial emission luminance could be observed for 10,000 hours or more. While the organic EL device of Example 25 had stable emission luminance for 10,000 hours or more and almost no dark spots were observed, the organic EL devices of Comparative Examples 2 and 3 manufactured under the same conditions When the light emission time was 500 hours or less, the luminance was less than half of the initial light emission luminance, the number of dark spots was large, and the number increased as the life time was measured. This is because, compared to the compound of the present invention, the adhesion between the light-emitting layer and the cathode layer, poor film formability,
It is considered that the difference in work function between the light emitting layer and the cathode is large. From the above results, it was found that the organic EL device using the organic EL device material of the present invention for the light emitting layer or the layer between the light emitting layer and the cathode
The L element was able to achieve high luminous efficiency and long life of the light emitting element.
【００６９】本発明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝
度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使用
される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子
注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方
法を限定するものではない。The organic EL device of the present invention achieves improvement in luminous efficiency, luminous brightness and long life, and is used together with a luminescent material, a doping material, a hole injection material, an electron injection material, and a sensitizer. It does not limit the agent, resin, electrode material and the like, and the element manufacturing method.
【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子材料を発光材料と
して発光層に、もしくは発光層と陰極の間の層に本発明
の化合物を使用した有機ＥＬ素子は、従来に比べて高い
発光効率を示し、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることがで
きた。以上により、本発明で示した化合物を、有機ＥＬ
素子の少なくとも一層に使用することにより、高い発光
輝度、高い発光効率、長寿命の有機ＥＬ素子を容易に作
製することが可能になった。The organic EL device using the compound of the present invention in the light emitting layer or the layer between the light emitting layer and the cathode using the organic EL device material of the present invention as a light emitting material has higher luminous efficiency than the conventional one. As shown, a long-life organic EL device was obtained. As described above, the compound shown in the present invention was converted to an organic EL
By using at least one of the devices, it has become possible to easily produce an organic EL device having high emission luminance, high luminous efficiency, and long life.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Toshio Enoda 2-3-13-1 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo Inside Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd.
Claims (4)
トロルミネッセンス素子材料。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、ＸはＳ、ＯもしくはＣＨを示し、Ｒ1 ないしＲ
17は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは
未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、モノ置換
もしくはジ置換のアミノ基、置換もしくは未置換の複素
環基を表し、ただし、隣接した置換基同士で置換もしく
は未置換の環を形成しても良い。Ｍは二価もしくは三価
の金属原子を示し、ｎは１もしくは２である。］1. An organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1]. General formula [1] Wherein X represents S, O or CH, and R 1 to R
17 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a mono Represents a substituted or disubstituted amino group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that adjacent substituents may form a substituted or unsubstituted ring. M represents a divalent or trivalent metal atom, and n is 1 or 2. ]
含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッ
センス素子において、少なくとも一層が請求項１記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層で
ある有機エレクトロルミネッセンス素子。2. An organic electroluminescent device comprising a light emitting layer or an organic compound thin film layer containing a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one layer is a layer containing the organic electroluminescent device material according to claim 1. Electroluminescence element.
薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて、発光層と陰極の間に請求項１記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子材料を含有する層を形成してなる
有機エレクトロルミネッセンス素子。3. An organic electroluminescent device comprising an organic compound thin film layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein a layer containing the organic electroluminescent device material according to claim 1 is formed between the light emitting layer and a cathode. An organic electroluminescent element.
含む有機化合物薄膜層を備えた有機エレクトロルミネッ
センス素子において、発光層が請求項１記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機
エレクトロルミネッセンス素子。4. An organic electroluminescence device comprising a light-emitting layer or an organic compound thin film layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, wherein the light-emitting layer is a layer containing the organic electroluminescence device material according to claim 1. Electroluminescence element.
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| JP11208797A JP3832018B2 (en) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2004162002A (en) * | 2002-06-13 | 2004-06-10 | Qinghua Univ | Organic el material and its application |
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1997
- 1997-04-30 JP JP11208797A patent/JP3832018B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002528633A (en) * | 1998-11-02 | 2002-09-03 | サウス バンク ユニバーシティ エンタープライゼス リミテッド | Electroluminescent materials |
| JP2004162002A (en) * | 2002-06-13 | 2004-06-10 | Qinghua Univ | Organic el material and its application |
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