JPH10289870A - Semiconductor aligner and manufacture therefor - Google Patents
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- JPH10289870A JPH10289870A JP9111870A JP11187097A JPH10289870A JP H10289870 A JPH10289870 A JP H10289870A JP 9111870 A JP9111870 A JP 9111870A JP 11187097 A JP11187097 A JP 11187097A JP H10289870 A JPH10289870 A JP H10289870A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクメンブレン
上に描画された半導体集積回路の微細パターンをウエハ
等の基板上に露光転写する半導体露光装置、特に、マス
クメンブレンと基板を微小間隔に接近させて露光を行な
うプロキシミティ方式の半導体露光装置およびデバイス
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus for exposing and transferring a fine pattern of a semiconductor integrated circuit drawn on a mask membrane onto a substrate such as a wafer, and more particularly, to bringing a mask membrane and a substrate into close proximity with each other. The present invention relates to a proximity type semiconductor exposure apparatus for performing exposure by means of a semiconductor device and a device manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】マスクメンブレンとウエハ等の基板を微
小間隔に接近させて露光を行なうプロキシミティ方式の
露光装置の代表的なものとしてはＸ線露光装置があり、
例えばＳＲ光源を利用したＸ線露光装置が特開平２−１
００３１１号公報に記載されている。2. Description of the Related Art An X-ray exposure apparatus is a typical example of a proximity type exposure apparatus that performs exposure by bringing a mask membrane and a substrate such as a wafer into close proximity with each other.
For example, an X-ray exposure apparatus using an SR light source is disclosed in
No. 00311.
【０００３】この種のＸ線露光装置の一般的な構成を図
７に示す。図７において、吸収体パターンが描画された
マスクメンブレン１０３を有するマスク１０１は、マス
クチャックベース１０４に支持されたマスクチャック１
０２に吸着保持されて、Ｘ線光路に対して位置決めされ
る。そして、マスク１０１に対向して微小間隔に接近し
て配置される基板であるウエハ１０５はウエハチャック
１０６に保持され、ウエハチャック１０６はマスク１０
１に対するウエハ１０５の位置合わせに用いられる微動
ステージ１０７に搭載され、さらに、ウエハチャック１
０６および微動ステージ１０７は、ウエハ１０５の複数
の露光画角を順次Ｘ線の照射領域へステップ移動させる
べく各ショット間の移動に用いられる粗動ステージ１０
８に搭載されており、粗動ステージ１０８の案内はステ
ージベース１０９に固定されている。FIG. 7 shows a general structure of this type of X-ray exposure apparatus. In FIG. 7, a mask 101 having a mask membrane 103 on which an absorber pattern is drawn is a mask chuck 1 supported by a mask chuck base 104.
02 and is positioned with respect to the X-ray optical path. Then, a wafer 105, which is a substrate disposed close to the mask 101 at a minute interval, is held by a wafer chuck 106, and the wafer chuck 106
The wafer chuck 1 is mounted on a fine movement stage 107 used for positioning the wafer 105 with respect to the wafer chuck 1.
06 and fine movement stage 107 are coarse movement stages 10 used for movement between shots in order to sequentially move a plurality of exposure angles of view of wafer 105 to an X-ray irradiation area.
The guide of the coarse movement stage 108 is fixed to a stage base 109.
【０００４】そして、Ｘ線露光装置においては、一般的
に、マスクメンブレン１０３上のパターンをウエハ１０
５に複数回繰り返し露光するステップアンドリピート方
式で露光を行ない、マスクメンブレン１０３とウエハ１
０５を１０〜５０μｍの微小間隔で対向させて露光する
プロキシミティ方式で露光を行なっている。また、吸収
体パターンが形成されるマスクメンブレンは２μｍ程度
の厚さの薄膜になっている。In an X-ray exposure apparatus, a pattern on a mask membrane 103 is generally transferred to a wafer 10
Exposure is performed by a step-and-repeat method of repeatedly exposing the mask membrane 103 to the mask membrane 103 and the wafer 1.
Exposure is performed by a proximity method in which exposure is performed at a minute interval of 10 to 50 μm. The mask membrane on which the absorber pattern is formed is a thin film having a thickness of about 2 μm.
【０００５】このような従来のＸ線露光装置において、
ダイバイダイアライメントにて露光を行なう手順を説明
すると、 （１）ウエハ１０５の第ｎショット目を露光する部分が
マスクメンブレン１０３の下にくるように、粗動ステー
ジ１０８を駆動する。In such a conventional X-ray exposure apparatus,
The procedure for performing exposure by die-by-die alignment will be described. (1) The coarse movement stage 108 is driven so that the portion of the wafer 105 where the n-th shot is exposed is below the mask membrane 103.
【０００６】（２）微動ステージ１０７によってウエハ
１０５を露光を行なうギャップに駆動する。(2) The wafer 105 is driven by the fine movement stage 107 to a gap for exposure.
【０００７】（３）微動ステージ１０７によりマスク１
０１とウエハ１０５の位置合わせを行なった後、露光を
行なう。(3) Mask 1 by fine movement stage 107
After aligning the wafer 01 with the wafer 105, exposure is performed.
【０００８】（４）ステップ時のギャップに退避する。(4) Retreat to the gap at the time of the step.
【０００９】以下、（１）〜（４）の手順を繰り返し、
ウエハ１０５に所定のショット数の露光を行なってい
る。Hereinafter, the steps (1) to (4) are repeated,
The wafer 105 is exposed to a predetermined number of shots.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来のプロキシミティ方式の露光装置においては、マ
スクメンブレンは２μｍ程度の薄膜で薄く、またマスク
とウエハが微小間隔に接近しているためにギャップ設定
や露光ショット間のステップ移動などのステージ移動の
ときにマスクメンブレンが変形していることが想定さ
れ、そのため次のような問題点が懸念される。In the conventional proximity type exposure apparatus as described above, the mask membrane is a thin film of about 2 μm and thin, and the mask and the wafer are close to a minute space. It is assumed that the mask membrane is deformed at the time of stage movement such as gap setting or step movement between exposure shots. Therefore, the following problems are concerned.
【００１１】（１）ギャップ計測がマスクメンブレンに
生じる変形によって適切に精度良く行なうことができな
い。(1) The gap measurement cannot be performed properly and accurately due to the deformation of the mask membrane.
【００１２】（２）面外方向の変形に伴なう面内方向の
位置ずれにより、位置合わせ精度が劣化する。(2) The positional displacement in the in-plane direction accompanying the deformation in the out-of-plane direction deteriorates the positioning accuracy.
【００１３】（３）転写精度（像性能）が劣化する。(3) Transfer accuracy (image performance) is degraded.
【００１４】これらの問題点を解決するために、例え
ば、露光ギャップ設定後十分な時間をおいてからギャッ
プ計測や位置合わせをして露光を行なう方法、あるいは
マスクメンブレンが変形しないようにステージの駆動を
ゆっくりと行なう方法等が考えられるけれども、これら
の方法ではスループットの低下が起きてしまう。[0014] In order to solve these problems, for example, a method of performing exposure by measuring a gap or performing alignment after a sufficient time after setting an exposure gap, or driving a stage so that a mask membrane is not deformed. Although it is conceivable to employ a method of performing the processing slowly, in these methods, the throughput is reduced.
【００１５】また、マスクとウエハのギャップ情報によ
りマスクとウエハの間隔を調整しながらステップ移動さ
せて、ステップ移動時のマスクメンブレンの変形を抑え
るようにし、スループットを低下させることなく、位置
合わせ精度や露光精度を向上させようとする方法も本出
願人より提案されている。このように、マスクメンブレ
ンの変形を抑えるためにマスクとウエハのギャップを最
適に制御することが重要であるけれども、マスクの高さ
位置の計測に関しては、通常、露光装置内で計測するこ
となく、予め別個に測定した測定値をマスク毎のデータ
として用いるようにしており、このマスク毎のデータを
用いてマスクとウエハのギャップを算出しているため
に、ギャップ計測やギャップ制御において精度面および
信頼性においてやや問題があった。Further, the mask is moved in steps while adjusting the distance between the mask and the wafer based on the gap information between the mask and the wafer, so that the deformation of the mask membrane at the time of the step movement is suppressed. A method for improving the exposure accuracy has also been proposed by the present applicant. As described above, although it is important to optimally control the gap between the mask and the wafer in order to suppress the deformation of the mask membrane, the measurement of the height position of the mask is usually performed without measurement in the exposure apparatus. Measured values separately measured in advance are used as data for each mask, and the gap between the mask and the wafer is calculated using the data for each mask. There were some problems in gender.
【００１６】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、マスク
メンブレンおよびウエハ等の基板の高さ位置の情報を装
置上で高精度に計測することにより、ギャップ制御の精
度を向上させて、マスクメンブレンの変形を抑え、マス
クと基板の位置合わせ精度および転写精度をより向上さ
せるとともに、マスクメンブレンや基板の高さ位置を計
測する計測手段の比較・較正を装置上で行なうことによ
って、より信頼性の高い半導体露光装置を提供するとと
もに、より効率良く半導体デバイスを製造することがで
きるデバイス製造方法を提供することを目的とするもの
である。In view of the above, the present invention has been made in view of the above-mentioned unresolved problems of the related art, and measures information on the height position of a substrate such as a mask membrane and a wafer with high accuracy on an apparatus. By improving the gap control accuracy, suppressing the deformation of the mask membrane, further improving the alignment accuracy and transfer accuracy of the mask and the substrate, and measuring the height position of the mask membrane and the substrate. An object of the present invention is to provide a more reliable semiconductor exposure apparatus by performing comparison and calibration on an apparatus, and to provide a device manufacturing method capable of manufacturing a semiconductor device more efficiently.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体露光装置は、吸収体パターンをマス
クメンブレン上に有するマスクと基板を微小間隔に接近
させて露光する半導体露光装置において、マスクメンブ
レンの高さ位置を計測する第１の計測手段と、該第１の
計測手段による計測結果から前記マスクメンブレンの近
似面を求める第１の演算手段と、基板の高さ位置を計測
する第２の計測手段と、該第２の計測手段による計測結
果から前記基板の露光面の近似面を求める第２の演算手
段と、前記第１および第２の演算手段の演算結果に基づ
き前記マスクおよび前記基板の少なくとも一方を駆動す
ることにより前記マスクおよび前記基板の間隔を制御す
る制御手段を有することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor exposure apparatus which exposes a mask having an absorber pattern on a mask membrane and a substrate at a very small distance. First measuring means for measuring the height position of the mask membrane, first calculating means for obtaining an approximate surface of the mask membrane from the measurement result by the first measuring means, and measuring the height position of the substrate Second measuring means, second calculating means for obtaining an approximate surface of the exposure surface of the substrate from the measurement result by the second measuring means, and the mask based on the calculation results of the first and second calculating means. And a control means for controlling the distance between the mask and the substrate by driving at least one of the substrates.
【００１８】そして、本発明の半導体露光装置におい
て、第１の計測手段はマスクメンブレンと装置基準面と
の間隔を計測する間隔計測計であり、第２の計測手段は
装置に固定されて基板の高さを計測する微小変位計であ
ることが好ましい。In the semiconductor exposure apparatus according to the present invention, the first measuring means is an interval measuring instrument for measuring an interval between the mask membrane and the reference plane of the apparatus, and the second measuring means is fixed to the apparatus and measures the distance of the substrate. It is preferable to use a minute displacement meter for measuring the height.
【００１９】さらに、本発明の半導体露光装置におい
て、第２の計測手段は、マスクの周囲に配置されて装置
に固定された複数の微小変位計で構成することができ、
あるいは、装置に固定されて、基板全面の高さを計測可
能な一つの微小変位計で構成することもできる。Further, in the semiconductor exposure apparatus according to the present invention, the second measuring means may be constituted by a plurality of minute displacement meters arranged around the mask and fixed to the apparatus.
Alternatively, it may be constituted by one minute displacement meter fixed to the apparatus and capable of measuring the height of the entire surface of the substrate.
【００２０】また、本発明の半導体露光装置において、
第２の計測手段を基板高さと同様に装置基準面を計測可
能な構成とし、第１の計測手段と第２の計測手段によっ
て装置基準面を計測した結果を比較・較正する第３の演
算手段を有することが好ましい。In the semiconductor exposure apparatus of the present invention,
A third measuring means configured to measure the device reference plane in the same manner as the substrate height, and to compare and calibrate a result of measuring the device reference plane by the first measuring means and the second measuring means; It is preferable to have
【００２１】さらに、本発明のデバイス製造方法は、請
求項１ないし５のいずれか１項記載の半導体露光装置を
用いてデバイスを製造することを特徴とする。Further, a device manufacturing method according to the present invention is characterized in that a device is manufactured using the semiconductor exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5.
【００２２】[0022]
【作用】Ｘ線露光装置において、マスクメンブレンの高
さ位置をマスクメンブレンと装置に設けた基準面との間
隔から直接計測し、そして、基板の高さ位置を装置に固
定された変位計で、マスクメンブレンの変形に影響を受
けることなく、基板露光面を計測しうるようにするとと
もに、それらの計測結果に基づいてマスクメンブレンと
基板の近似面を求め、それをもとにマスクあるいは基板
の少なくとも一方を駆動して両者のギャップを最適に制
御するようになし、マスクメンブレンと基板の高さ位置
を装置に設置された状態で高精度に計測することがで
き、ステージ駆動時のマスクメンブレンの変形を所定の
値以下に抑えることが可能となり、また、マスクと基板
の接触や破損を防止し、さらにマスクと基板の位置合わ
せ時あるいは露光時の精度向上を図ることができる。In the X-ray exposure apparatus, the height position of the mask membrane is directly measured from the distance between the mask membrane and the reference plane provided on the apparatus, and the height position of the substrate is measured by a displacement meter fixed to the apparatus. The substrate exposure surface can be measured without being affected by the deformation of the mask membrane, and the approximate surface of the mask membrane and the substrate is obtained based on the measurement results. One is driven to control the gap between the two optimally, and the height position of the mask membrane and the substrate can be measured with high accuracy while installed in the apparatus, and the deformation of the mask membrane when the stage is driven Can be suppressed to a predetermined value or less, and the contact and breakage of the mask and the substrate can be prevented. It is possible to improve the accuracy.
【００２３】さらに、基板高さ計測は、マスク回りに固
定された複数の変位計でリアルタイムに行なうことがで
き、また、一つの変位計によって予め基板全面をマッピ
ング計測を行ないうるような配置とすることもできる。Further, the height of the substrate can be measured in real time by a plurality of displacement meters fixed around the mask, and the arrangement is such that mapping measurement can be performed in advance on the entire surface of the substrate by one displacement meter. You can also.
【００２４】そして、マスクメンブレンや基板の高さ位
置をそれぞれ計測する計測手段の比較・較正を装置上で
行ないうるようにし、Ｘ線露光装置を経時変化に強く信
頼性の高いものとすることができる。In addition, it is possible to compare and calibrate the measuring means for measuring the height position of the mask membrane and the substrate on the apparatus, and to make the X-ray exposure apparatus resistant to aging and highly reliable. it can.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２６】図１は、本発明の第１の実施例のＸ線露光
装置の構成を模式的に示す部分断面図である。以下、図
１を用いて本発明の第１の実施例のＸ線露光装置につい
て説明する。FIG. 1 is a partial sectional view schematically showing the structure of an X-ray exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, an X-ray exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００２７】吸収体パターンが形成されたマスクメンブ
レン２を有するマスク１は、マスクチャック３により吸
着保持されて、マスクステージ４に搭載されている。マ
スクステージ４は、マスクステージベース５に取り付け
られ、マスク１のＺチルト方向の位置決めを行なうこと
ができるように構成されている。また、マスク１に対向
して配置される基板であるウエハ６はウエハチャック７
に吸着保持され、ウエハチャック７はマスク１とウエハ
６の６軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向およびそれぞれの軸に対
する回転方向）の位置合わせに用いられる微動ステージ
８に搭載され、さらに、ウエハチャック７および微動ス
テージ８は、粗動ステージベース１０に対してＸ軸およ
びＹ軸方向に移動可能に保持された粗動ステージ９に搭
載されている。このように、微動ステージ８は、ウエハ
６を吸着保持するウエハチャック７を支持し、そして、
粗動ステージ９上で６軸方向にそれぞれ移動自在に設け
られており、微動ステージ８を移動させることによって
マスク１に対するウエハ６の最終位置決めを行なうこと
ができるとともに、Ｚ軸方向に移動させることによって
マスク１とウエハ６の間隔を調整することができる。粗
動ステージ９は各ショット間のウエハ６の移動を行な
い、粗動ステージ９の案内を固定する粗動ステージベー
ス１０はマスクステージベース５に機械的に連結されて
いる。A mask 1 having a mask membrane 2 on which an absorber pattern is formed is suction-held by a mask chuck 3 and mounted on a mask stage 4. The mask stage 4 is attached to the mask stage base 5 and is configured to be able to position the mask 1 in the Z tilt direction. Further, a wafer 6 which is a substrate disposed to face the mask 1 is a wafer chuck 7.
The wafer chuck 7 is mounted on a fine movement stage 8 used for aligning the mask 1 and the wafer 6 in six axial directions (X, Y, Z directions and rotation directions with respect to each axis). The coarse movement stage 7 and the fine movement stage 8 are mounted on a coarse movement stage 9 held movably in the X-axis and Y-axis directions with respect to the coarse movement stage base 10. As described above, the fine movement stage 8 supports the wafer chuck 7 that holds the wafer 6 by suction, and
It is provided on the coarse movement stage 9 so as to be movable in six axial directions. By moving the fine movement stage 8, final positioning of the wafer 6 with respect to the mask 1 can be performed, and by moving the fine movement stage 8 in the Z-axis direction. The distance between the mask 1 and the wafer 6 can be adjusted. The coarse movement stage 9 moves the wafer 6 between shots, and a coarse movement stage base 10 for fixing the guide of the coarse movement stage 9 is mechanically connected to the mask stage base 5.
【００２８】粗動ステージ９上に設置されたターゲット
（装置基準面）１１は、粗動ステージ９を走査させるこ
とにより粗動ステージ９とともに移動して、粗動ステー
ジ走行面と平行な本露光装置の仮想基準面を形成する。The target (apparatus reference plane) 11 set on the coarse movement stage 9 is moved together with the coarse movement stage 9 by scanning the coarse movement stage 9 to form a main exposure apparatus parallel to the coarse movement stage travel surface. Is formed.
【００２９】ウエハ面の高さを非接触で計測する複数の
微小変位計１２がマスクステージ４の周囲に配置されて
マスクステージベース５に固定され、ウエハの面情報を
得るために少なくとも３個設けられている（なお、図に
は２個のみを図示する。）。そして、非接触微小変位計
１２としては、例えば、レーザをウエハに当て反射光に
より計測するものや静電容量により計測するもの等の非
接触でウエハの高さを計測することができるものを用い
る。A plurality of minute displacement meters 12 for measuring the height of the wafer surface in a non-contact manner are arranged around the mask stage 4 and fixed to the mask stage base 5, and provided at least three in order to obtain wafer surface information. (Only two are shown in the figure). As the non-contact minute displacement meter 12, for example, a non-contact micro-displacement meter that can measure the height of the wafer in a non-contact manner, such as one that measures a laser beam on a wafer by reflected light or one that measures by a capacitance, is used. .
【００３０】また、マスクステージベース５上には公知
の複数のアライメントスコープ１３が搭載され、アライ
メントスコープ１３は、マスクメンブレン２とウエハ６
の露光面にそれぞれ設けられたアライメントマーク（図
示しない）の位置ずれを計測し、そして、マスクメンブ
レン２とターゲット１１あるいはウエハ６の露光面の間
隔を計測するものであって、マスク１やウエハ６の面情
報を得るために少なくとも３個設けられている（なお、
図には２個のみを図示する。）。A plurality of well-known alignment scopes 13 are mounted on the mask stage base 5, and the alignment scope 13 includes the mask membrane 2 and the wafer 6.
And a gap between the mask membrane 2 and the exposure surface of the target 11 or the wafer 6 is measured, and the distance between the mask 1 and the wafer 6 is measured. Are provided to obtain the surface information of
Only two are shown in the figure. ).
【００３１】そして、１４は少なくとも３個のアライメ
ントスコープ１３の計測結果に基づいてマスクメンブレ
ン２の近似面を求める第１の演算手段であり、１５は少
なくとも３個の非接触変位計１２の計測結果からウエハ
６の露光面の近似面を求める第２の演算手段であり、１
６は第１の演算手段１４あるいは第２の演算手段１５の
演算結果からマスクステージ４あるいは微動ステージ８
の制御を行なう制御手段である。Reference numeral 14 denotes first calculating means for obtaining an approximate surface of the mask membrane 2 based on the measurement results of at least three alignment scopes 13, and 15 denotes the measurement results of at least three non-contact displacement meters 12. Is a second calculating means for calculating an approximate surface of the exposure surface of the wafer 6 from
Reference numeral 6 denotes a mask stage 4 or a fine movement stage 8 based on a calculation result of the first calculation means 14 or the second calculation means 15.
Control means for performing the control of
【００３２】以上のように構成された本実施例のＸ線露
光装置におけるマスクメンブレン２とウエハ６の露光面
の間隔（ギャップ）の制御方法について、図２に基づい
て、露光装置の動作にしたがって説明する。A method of controlling the gap (gap) between the mask membrane 2 and the exposure surface of the wafer 6 in the X-ray exposure apparatus of the present embodiment having the above-described configuration will be described with reference to FIG. explain.
【００３３】（１）先ず、図２の（ａ）に示すように、
マスク１をマスクチャック３にチャッキングした後に、
粗動ステージ９によりターゲット１１を第１のアライメ
ントスコープ１３ａの下に移動させ、ターゲット１１と
マスクメンブレン２との間隔を計測する（この間隔をＧ
ａとする）。続いて、ターゲット１１を移動させて、第
２および第３のアライメントスコープ１３ｂ、１３ｃ
（なお、１３ｃは図示しない）においても同様に計測を
行なう（それぞれの間隔をＧｂ、Ｇｃとする）。(1) First, as shown in FIG.
After chucking the mask 1 on the mask chuck 3,
The target 11 is moved below the first alignment scope 13a by the coarse movement stage 9 to measure an interval between the target 11 and the mask membrane 2 (this interval is defined as G
a). Subsequently, the target 11 is moved, and the second and third alignment scopes 13b and 13c are moved.
The measurement is performed in the same manner (note that 13c is not shown) (the respective intervals are Gb and Gc).
【００３４】（２）そして、これらのアライメントスコ
ープ１３の計測結果は第１の演算手段１４に送られ、第
１の演算手段１４は、これらの計測結果に基づいて、タ
ーゲット１１の表面により形成される仮想基準面に対す
るマスクメンブレン２の近似面を求め、この近似面が仮
想基準面に対して所定の高さに設置されるように、制御
手段１６を介して、マスクステージ４を適宜駆動する。
かくして、マスクメンブレン２は、図２の（ｂ）に示す
ように仮想基準面に対し所定の高さに設置される。(2) Then, the measurement results of the alignment scope 13 are sent to the first calculation means 14, and the first calculation means 14 is formed by the surface of the target 11 based on the measurement results. An approximate plane of the mask membrane 2 with respect to the virtual reference plane is determined, and the mask stage 4 is appropriately driven via the control means 16 so that the approximate plane is set at a predetermined height with respect to the virtual reference plane.
Thus, the mask membrane 2 is set at a predetermined height with respect to the virtual reference plane as shown in FIG.
【００３５】次に、ダイバイダイアライメントによる露
光およびギャップ制御について説明する。Next, exposure and gap control by die-by-die alignment will be described.
【００３６】（１）ウエハ６をウエハチャック７にチャ
ッキングする。(1) The wafer 6 is chucked on the wafer chuck 7.
【００３７】（２）そして、ウエハ６を粗動ステージ９
によってその第１ショットの位置に移動させて、複数
（本実施例においては３個）の非接触変位計１２（１２
ａ、１２ｂおよび図示しない１２ｃ）によりそれぞれの
ウエハ６の面の高さを計測し、それらの計測結果は第２
の演算手段１５へ送られる。第２の演算手段１５は、そ
れらの計測結果に基づいてウエハ６の近似面を求める。
そして、制御手段１６は、このウエハ６の近似面と先に
求められているマスクメンブレン２の近似面と対比し
て、微動ステージ８をＺ方向に駆動することにより、マ
スクメンブレン２とウエハ６の間隔（ギャップ）を所定
の露光ギャップに設定する（図２の（ｃ）参照）。(2) Then, the wafer 6 is moved to the coarse movement stage 9
Is moved to the position of the first shot, and a plurality (three in this embodiment) of non-contact displacement meters 12 (12
a, 12b and 12c) (not shown), the height of the surface of each wafer 6 is measured.
Is sent to the calculating means 15. The second calculation means 15 obtains an approximate surface of the wafer 6 based on the measurement results.
Then, the control means 16 compares the approximate surface of the wafer 6 with the previously determined approximate surface of the mask membrane 2 and drives the fine movement stage 8 in the Z direction to thereby control the movement of the mask membrane 2 and the wafer 6. The interval (gap) is set to a predetermined exposure gap (see FIG. 2C).
【００３８】（３）その後に、アライメンスコープ１３
を用いてマスクメンブレン２とウエハ６の位置合わせを
行ない、露光を行なう。(3) After that, the alignment scope 13
Is used to align the mask membrane 2 and the wafer 6, and exposure is performed.
【００３９】（４）そして、露光終了後に、マスク１と
ウエハ６のギャップを変えずに第２ショットの位置へ粗
動ステージ９によりウエハ６を移動させる。このとき、
３個の非接触変位計１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）に
よりウエハ６の面を計測して、それらの計測結果により
第２の演算手段１５でウエハ６の近似面を求め、マスク
メンブレン２の近似面とウエハ６の近似面とのギャップ
が所定の値になるよう制御手段１６により微動ステージ
８を制御しながら粗動ステージ９を駆動して、ウエハ６
を第２ショットの位置へ移動させる。(4) After the exposure, the wafer 6 is moved by the coarse movement stage 9 to the position of the second shot without changing the gap between the mask 1 and the wafer 6. At this time,
The surface of the wafer 6 is measured by the three non-contact displacement gauges 12 (12a, 12b, 12c), and an approximate surface of the wafer 6 is obtained by the second calculation means 15 based on the measurement results, and the approximate of the mask membrane 2 is obtained. The coarse movement stage 9 is driven while controlling the fine movement stage 8 by the control means 16 so that the gap between the surface and the approximate surface of the wafer 6 becomes a predetermined value.
Is moved to the position of the second shot.
【００４０】なお、このステップ移動時において、少な
くとも３個の非接触変位計１２により求めるウエハ６の
近似面において、ウエハステージのチルト量が大きくウ
エハ６の変形量が大きい場合には、ウエハ６がマスク１
に衝突する可能性があるために、一旦マスク１とウエハ
６のギャップを広げて、ウエハを次のショット位置へ移
動させ、その位置で前記と同様のシーケンスでギャップ
を調整して露光を開始するようにすることもできる。In this step movement, if the tilt amount of the wafer stage is large and the deformation amount of the wafer 6 is large on the approximate surface of the wafer 6 obtained by at least three non-contact displacement meters 12, the wafer 6 Mask 1
Therefore, once the gap between the mask 1 and the wafer 6 is widened, the wafer is moved to the next shot position, and at that position the gap is adjusted in the same sequence as above to start exposure. You can also do so.
【００４１】（５）そして、ウエハ６が第２ショットの
位置に移動した後に、アライメントスコープで位置合わ
せをし、続いて露光する。(5) Then, after the wafer 6 has moved to the position of the second shot, the wafer is aligned with an alignment scope and subsequently exposed.
【００４２】以上の操作を繰り返し行なうことによって
ウエハ６に所定のショット数の露光を行なうことができ
る。By repeating the above operation, the wafer 6 can be exposed to a predetermined number of shots.
【００４３】以上のように、本実施例においては、マス
クメンブレンとウエハの高さ位置を露光装置に設置され
た状態で高精度に計測することが可能であって、ステー
ジ駆動時のマスクメンブレンの変形を所定の値以下に抑
えることが可能となり、マスクとウエハの接触や破損を
防止し、さらにマスクとウエハの位置合わせ時あるいは
露光時の精度を向上させることができる。さらに、ウエ
ハの高さ計測およびギャップ制御をリアルタイムに行な
うことができ、処理速度の優れた露光装置を実現するこ
とができる。As described above, in the present embodiment, the height positions of the mask membrane and the wafer can be measured with high accuracy in a state where the mask membrane and the wafer are installed in the exposure apparatus. Deformation can be suppressed to a predetermined value or less, contact and breakage of the mask and the wafer can be prevented, and the accuracy of alignment between the mask and the wafer or exposure can be improved. Further, the height measurement and the gap control of the wafer can be performed in real time, and an exposure apparatus with an excellent processing speed can be realized.
【００４４】なお、以上説明した本実施例の手法はグロ
ーバルアライメントの露光においても有効である。ま
た、本実施例においては、マスクの設置時にマスクの高
さを調整しているが、例えば、ウエハ側の微動ステージ
のストロークに充分余裕がある場合は、計測されたマス
クメンブレンおよびウエハの位置情報に基づきギャップ
調整をすべてウエハ側で行なうようにしてもよい。ま
た、ターゲット１１はウエハチャック７上に設置されて
いてもよく、この場合の計測は微動ステージ８を常に一
定の位置にしておけばよい。The method of the present embodiment described above is also effective in global alignment exposure. In the present embodiment, the height of the mask is adjusted when the mask is installed. For example, when there is a sufficient margin for the stroke of the fine movement stage on the wafer side, the measured positional information of the mask membrane and the wafer is used. , The gap adjustment may be entirely performed on the wafer side. Further, the target 11 may be set on the wafer chuck 7, and in this case, the measurement may be performed by keeping the fine movement stage 8 at a constant position.
【００４５】さらに、非接触変位計１２を、ウエハ６の
露光面の計測だけでなく、ターゲット１１の高さも計測
可能な構成にしておけば、装置上においてアライメント
スコープ１３による計測値と非接触変位計１２の計測値
の比較・較正を行なうことができる（図３参照）。以
下、その手順を説明する。Furthermore, if the non-contact displacement meter 12 is configured not only to measure the exposure surface of the wafer 6 but also to measure the height of the target 11, the measured value of the alignment scope 13 and the non-contact displacement Comparison and calibration of the measured values of the total 12 can be performed (see FIG. 3). Hereinafter, the procedure will be described.
【００４６】（１）粗動ステージ９によりターゲット１
１を第１のアライメントスコープ１３ａの下に移動し、
ターゲット１１とマスクメンブレン２の間隔Ｇａを計測
する。さらに、第２および第３のアライメントスコープ
１３ｂ、１３ｃにおいても同様にそれぞれの間隔Ｇｂ、
Ｇｃの計測を行なう。(1) Target 1 by coarse movement stage 9
1 is moved below the first alignment scope 13a,
The distance Ga between the target 11 and the mask membrane 2 is measured. Further, in the second and third alignment scopes 13b and 13c, the respective intervals Gb,
Gc is measured.
【００４７】（２）そして、粗動ステージ９によりター
ゲット１１を１つの非接触変位計１２ａの下に移動し、
ターゲット１１の高さＤａを計測する。他の非接触変位
計１２ｂ、１２ｃにおいても同様にそれぞれのターゲッ
ト１１の高さＤｂ、Ｄｃの計測を行なう。(2) Then, the target 11 is moved under one non-contact displacement meter 12a by the coarse movement stage 9, and
The height Da of the target 11 is measured. The other non-contact displacement meters 12b and 12c also measure the heights Db and Dc of the respective targets 11 in the same manner.
【００４８】（３）第３の演算手段１７において、アラ
イメントスコープ１３の計測結果（Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ）
と非接触変位計１２の計測結果（Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ）を
対比することによって、ターゲット１１が形成する仮想
基準面を介して非接触変位計１２（１２ａ、１２ｂ、１
２ｃ）およびアライメントスコープ１３（１３ａ、１３
ｂ、１３ｃ）の計測値の比較・較正が可能となる。(3) Measurement results (Ga, Gb, Gc) of the alignment scope 13 by the third calculating means 17
By comparing the measurement results (Da, Db, Dc) of the non-contact displacement meter 12 with the non-contact displacement meter 12 (12a, 12b, 1c) via the virtual reference plane formed by the target 11.
2c) and the alignment scope 13 (13a, 13
Comparison and calibration of the measured values of b and 13c) can be performed.
【００４９】なお、この較正は必要に応じて行なえばよ
く、例えば、装置の立ち上げ毎に行なうようにすること
ができる。The calibration may be performed as needed, and may be performed, for example, every time the apparatus is started.
【００５０】このようにアライメントスコープと非接触
変位計の比較・較正が装置上で可能であるために、経時
変化に強く信頼性の高いＸ線露光装置を得ることができ
る。As described above, since the comparison and calibration of the alignment scope and the non-contact displacement meter can be performed on the apparatus, it is possible to obtain an X-ray exposure apparatus which is resistant to aging and has high reliability.
【００５１】次に、本発明の第２の実施例のＸ線露光装
置について説明する。図４は、本発明の第２の実施例の
Ｘ線露光装置の構成を模式的に示す部分断面図であり、
本実施例においては、非接触変位計の配置構成が第１の
実施例のものと異なり、１個の非接触変位計２２がマス
クステージベース５に固定され、粗動ステージ９を走査
することにより、ウエハ６の全面およびターゲット１１
の高さを計測しうるように構成されている。その他の構
成は第１の実施例のものと同様であり、同様の部材には
同一符号を付し、詳細な説明は省略する。Next, an X-ray exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of an X-ray exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
In this embodiment, the arrangement of the non-contact displacement meter is different from that of the first embodiment, and one non-contact displacement meter 22 is fixed to the mask stage base 5 and scans the coarse movement stage 9. , The entire surface of the wafer 6 and the target 11
Is configured to be able to measure the height of the object. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and the same reference numerals are given to the same members, and the detailed description is omitted.
【００５２】本実施例におけるマスクメンブレン２とウ
エハ６の露光面の間隔（ギャップ）の制御方法につい
て、その動作にしたがって説明するに、マスクの設置
は、前述の第１の実施例と同様に、複数のアライメント
スコープ１３によりマスクチャック３にチャッキングし
たマスク１のマスクメンブレン２と粗動ステージ９に設
けられたターゲット１１との間隔を計測し、第１の演算
手段１４がそれらの計測結果に基づいてマスクメンブレ
ン２の近似面を求め、この近似面が仮想基準面に対し所
定の高さに設置されるように、制御手段１６を介して、
マスクステージ４を駆動し、マスクメンブレン２を仮想
基準面に対し所定の高さに設置する。The method of controlling the distance (gap) between the mask membrane 2 and the exposure surface of the wafer 6 in this embodiment will be described according to the operation. The mask is installed in the same manner as in the first embodiment. The distance between the mask membrane 2 of the mask 1 chucked on the mask chuck 3 and the target 11 provided on the coarse movement stage 9 is measured by a plurality of alignment scopes 13, and the first calculation means 14 is based on the measurement results. Through the control means 16 so that the approximate surface of the mask membrane 2 is obtained at a predetermined height with respect to the virtual reference surface.
The mask stage 4 is driven to set the mask membrane 2 at a predetermined height with respect to the virtual reference plane.
【００５３】次に、露光およびギャップ制御について説
明する。Next, the exposure and gap control will be described.
【００５４】（１）ウエハ６をウエハチャック７にチャ
ッキングする。(1) The wafer 6 is chucked on the wafer chuck 7.
【００５５】（２）その後に、粗動ステージ９を走査し
て、ウエハ６の全面がマスクステージベース５に固定さ
れた１個の非接触変位計２２に対して対向するように移
動させる。非接触変位計２２によりウエハ６の全面の高
さを計測し、その計測結果に基づいて、第２の演算手段
１５は、ウエハ全体の高さをマッピングして近似面を求
める。そして、制御手段１６は、ウエハ６のマッピング
した近似面と先に求められているマスクメンブレン２の
近似面と対比して、ステージ走行面を基準としてマスク
メンブレン２とウエハ６の近似面やギャップを求める。(2) Thereafter, the coarse movement stage 9 is scanned to move the entire surface of the wafer 6 so as to face one non-contact displacement meter 22 fixed to the mask stage base 5. The height of the entire surface of the wafer 6 is measured by the non-contact displacement meter 22, and based on the measurement result, the second calculation means 15 maps the height of the entire wafer to obtain an approximate surface. Then, the control means 16 compares the approximated surface of the wafer 6 with the previously determined approximated surface of the mask membrane 2, and determines the approximated surface or gap between the mask membrane 2 and the wafer 6 based on the stage traveling surface. Ask.
【００５６】（３）その後、マスクメンブレン２とウエ
ハ６の間隔を所定のギャップになるように、制御手段１
６により、微動ステージ８を制御しながら、粗動ステー
ジ９を駆動し、露光あるいはグローバル計測を行なう。(3) Thereafter, the control means 1 controls the distance between the mask membrane 2 and the wafer 6 to a predetermined gap.
6, the coarse movement stage 9 is driven while controlling the fine movement stage 8, and exposure or global measurement is performed.
【００５７】以上のように、本実施例においては、非接
触変位計２２によりウエハ６の全面の高さを計測してウ
エハ全体の高さを予めマッピングすることにより、ステ
ージの駆動経路やマスクメンブレンとウエハのギャップ
調整を予め設定しておくことができ、各ショット位置で
のギャップの調整をする必要がなく、スループットの向
上を図ることができ、さらに、ウエハ高さをウエハ全面
にわたり細かく計測することができ、ウエハ高さ計測お
よびギャップ制御の精度を向上させることができる。As described above, in this embodiment, the height of the entire surface of the wafer 6 is measured by the non-contact displacement meter 22 and the height of the entire wafer is mapped in advance. The gap adjustment between the wafer and the wafer can be set in advance, so that it is not necessary to adjust the gap at each shot position, the throughput can be improved, and the wafer height can be finely measured over the entire wafer. Therefore, the accuracy of wafer height measurement and gap control can be improved.
【００５８】また、本実施例においても、第１の実施例
と同様に、ウエハ側の微動ステージのストロークに充分
余裕がある場合には、計測されたマスクの位置情報に基
づきギャップ調整をすべてウエハ側で行なってもよい。
また、ターゲット１１はウエハチャック７上に設置され
ていてもよく、この場合の計測は微動ステージ８を常に
一定の位置にしておけばよい。Also, in this embodiment, as in the first embodiment, if the stroke of the fine movement stage on the wafer side has a sufficient margin, all the gap adjustments are performed based on the measured mask position information. It may be performed on the side.
Further, the target 11 may be set on the wafer chuck 7, and in this case, the measurement may be performed by keeping the fine movement stage 8 at a constant position.
【００５９】そして、第２の実施例における計測手段の
較正も第１の実施例と同様に行なうことができる。The calibration of the measuring means in the second embodiment can be performed in the same manner as in the first embodiment.
【００６０】次に上述した露光装置を利用したデバイス
の製造方法の実施例を説明する。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described.
【００６１】図５は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。FIG. 5 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head,
2 shows a flow of manufacturing a micromachine or the like. Step 1
In (Circuit Design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. Step 3 (wafer manufacturing)
Then, a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００６２】図６は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置
を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。FIG. 6 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus having the above-described alignment apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. Step 19
In (resist removal), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００６３】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated device, which has been conventionally difficult to manufacture, at low cost.
【００６４】[0064]
【発明の効果】本発明は、上述したように構成されてい
るので、マスクメンブレンと基板の高さ位置を装置に設
置された状態で高精度に計測することが可能となり、ス
テージ駆動時のマスクメンブレンの変形を所定の値以下
に抑えることが可能になり、マスクと基板の接触や破損
を防止し、さらにマスクと基板の位置合わせ時あるいは
露光時の精度向上を図ることができる。According to the present invention, as described above, the height position of the mask membrane and the substrate can be measured with high accuracy in a state where the mask membrane and the substrate are installed in the apparatus. Deformation of the membrane can be suppressed to a predetermined value or less, contact and breakage between the mask and the substrate can be prevented, and furthermore, accuracy in alignment between the mask and the substrate or during exposure can be improved.
【００６５】さらに、第１の計測手段と第２の計測手段
の比較・較正が装置上で可能であるために、経時変化に
強く信頼性の高い露光装置を得ることができる。Further, since the first measuring means and the second measuring means can be compared and calibrated on the apparatus, it is possible to obtain an exposure apparatus which is resistant to aging and has high reliability.
【図１】本発明の第１の実施例のＸ線露光装置の構成を
模式的に示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial sectional view schematically showing a configuration of an X-ray exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例のＸ線露光装置のギャッ
プ制御の手順を工程順に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a gap control procedure of the X-ray exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention in the order of steps.
【図３】本発明の第１の実施例のＸ線露光装置における
計測手段の比較・較正手法を説明する部分断面図であ
る。FIG. 3 is a partial cross-sectional view illustrating a comparison / calibration technique of measuring means in the X-ray exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施例のＸ線露光装置の構成を
模式的に示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a configuration of an X-ray exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。FIG. 5 is a flowchart showing a semiconductor device manufacturing process.
【図６】ウエハプロセスの詳細を示すフローチャートで
ある。FIG. 6 is a flowchart showing details of a wafer process.
【図７】従来のＸ線露光装置の構成を模式的に示す部分
断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional X-ray exposure apparatus.
１ マスク ２ マスクメンブレン ３ マスクチャック ４ マスクステージ ５ マスクステージベース ６ ウエハ（基板） ７ ウエハチャック７ ８ 微動ステージ ９ 粗動ステージ １１ ターゲット １２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ） 非接触（微小）変
位計 １３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ） アライメントスコ
ープ １４ 第１の演算手段 １５ 第２の演算手段 １６ 制御手段 １７ 第３の演算手段 ２２ 非接触変位計Reference Signs List 1 mask 2 mask membrane 3 mask chuck 4 mask stage 5 mask stage base 6 wafer (substrate) 7 wafer chuck 7 8 fine movement stage 9 coarse movement stage 11 target 12 (12a, 12b, 12c) non-contact (micro) displacement meter 13 ( 13a, 13b, 13c) Alignment scope 14 First calculating means 15 Second calculating means 16 Control means 17 Third calculating means 22 Non-contact displacement meter
Claims (6)
有するマスクと基板を微小間隔に接近させて露光する半
導体露光装置において、マスクメンブレンの高さ位置を
計測する第１の計測手段と、該第１の計測手段による計
測結果から前記マスクメンブレンの近似面を求める第１
の演算手段と、基板の高さ位置を計測する第２の計測手
段と、該第２の計測手段による計測結果から前記基板の
露光面の近似面を求める第２の演算手段と、前記第１お
よび第２の演算手段の演算結果に基づき前記マスクおよ
び前記基板の少なくとも一方を駆動することにより前記
マスクおよび前記基板の間隔を制御する制御手段を有す
ることを特徴とする半導体露光装置。In a semiconductor exposure apparatus for exposing a mask and a substrate having an absorber pattern on a mask membrane at a very small distance, a first measuring means for measuring a height position of the mask membrane; A first method for obtaining an approximate surface of the mask membrane from a measurement result by the measuring means
Calculating means, a second measuring means for measuring a height position of the substrate, a second calculating means for obtaining an approximate surface of the exposure surface of the substrate from a measurement result by the second measuring means, And a control means for controlling at least one of the mask and the substrate based on a calculation result of the second calculation means to control an interval between the mask and the substrate.
置基準面との間隔を計測する間隔計測計であり、第２の
計測手段は装置に固定されて基板の高さを計測する微小
変位計であることを特徴とする請求項１記載の半導体露
光装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the first measuring means is an interval measuring instrument for measuring an interval between the mask membrane and the reference plane of the apparatus, and the second measuring means is a minute displacement meter fixed to the apparatus for measuring the height of the substrate. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein
れて装置に固定された複数の微小変位計であることを特
徴とする請求項１または２記載の半導体露光装置。3. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the second measuring means is a plurality of minute displacement meters arranged around the mask and fixed to the apparatus.
板全面の高さを計測可能な一つの微小変位計であること
を特徴とする請求項１または２記載の半導体露光装置。4. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, wherein the second measurement means is a single minute displacement meter fixed to the apparatus and capable of measuring the height of the entire surface of the substrate.
置基準面を計測可能な構成とし、第１の計測手段と第２
の計測手段によって装置基準面を計測した結果を比較・
較正する第３の演算手段を有することを特徴とする請求
項１ないし４のいずれか１項記載の半導体露光装置。5. The second measuring means has a configuration capable of measuring an apparatus reference plane in the same manner as the substrate height, and comprises a first measuring means and a second measuring means.
Compare the results of measuring the device reference plane with
5. The semiconductor exposure apparatus according to claim 1, further comprising a third calculation unit for performing calibration.
半導体露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴
とするデバイス製造方法。6. A device manufacturing method, comprising manufacturing a device using the semiconductor exposure apparatus according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11187097A JP3526174B2 (en) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method |
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|---|---|---|---|
| JP11187097A JP3526174B2 (en) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | Semiconductor exposure apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289870A true JPH10289870A (en) | 1998-10-27 |
| JP3526174B2 JP3526174B2 (en) | 2004-05-10 |
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ID=14572232
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP3526174B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002349569A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Canon Inc | Static pressure bearing device and stage device using it |
| JP2004272139A (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Exposure apparatus |
| JP2007013159A (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | Suppression of damage of lithographic device by immersion |
| JP2008053453A (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Aligner and exposure method |
-
1997
- 1997-04-14 JP JP11187097A patent/JP3526174B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002349569A (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Canon Inc | Static pressure bearing device and stage device using it |
| JP2004272139A (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Exposure apparatus |
| JP4488685B2 (en) * | 2003-03-12 | 2010-06-23 | 大日本印刷株式会社 | Exposure equipment |
| JP2007013159A (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | Suppression of damage of lithographic device by immersion |
| JP2008053453A (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Aligner and exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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