JPH10289681A - Scanning electron microscope - Google Patents
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- JPH10289681A JPH10289681A JP9095570A JP9557097A JPH10289681A JP H10289681 A JPH10289681 A JP H10289681A JP 9095570 A JP9095570 A JP 9095570A JP 9557097 A JP9557097 A JP 9557097A JP H10289681 A JPH10289681 A JP H10289681A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、試料に電子線を照
射してカソードルミネッセンス像を観察する装置に係
り、特に電界放出形電子銃を搭載した走査電子顕微鏡に
用いるに好適な試料像観察装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for observing a cathodoluminescence image by irradiating a sample with an electron beam, and particularly to a sample image observation apparatus suitable for use in a scanning electron microscope equipped with a field emission electron gun. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子線の照射により、試料から発生する
光を信号として像観察する装置いわゆるカソードルミネ
ッセンス像装置は、従来より走査電子顕微鏡（Scanning
Electron Microscope ：以下、ＳＥＭと略す）に取付け
て、誘電体，イオン結晶，半導体などの研究に用いられ
ている。光（カソードルミネッセンス）検出手段は、通
常、観察しようとする試料の上方に配置される。１ｎＡ
程度の大きな照射電流を必要とし、照射電子線を細く絞
るのには限度があることから、実用観察倍率も数百倍か
ら数千倍程度が限度であった。2. Description of the Related Art A so-called cathodoluminescence imaging apparatus for observing an image of light generated from a sample by irradiation with an electron beam as a signal has been conventionally known as a scanning electron microscope.
An electron microscope (hereinafter abbreviated as SEM) is used to study dielectrics, ionic crystals, semiconductors, and the like. The light (cathodoluminescence) detecting means is usually arranged above the sample to be observed. 1 nA
Since a large irradiation current is required and there is a limit in narrowing the irradiation electron beam, the practical observation magnification is limited to several hundred to several thousand times.
【０００３】最近、倍率を数万倍程度の高い値まで観察
できるカソードルミネッセンス像観察装置を備えたＳＥ
Ｍのニーズが高まってきている。しかし従来の装置では
最終段電磁レンズ（対物レンズ）と試料との間にカソー
ドルミネッセンス検出手段が設置される形となる。この
ため、２次電子検出器に対して、試料からの２次電子を
遮る形となり、２次電子検出効率の低下による像質の劣
化や分解能の低下をきたし、観察倍率も上げられないと
いった難点があった。また、カソードルミネッセンス像
と２次電子像の同時観察が困難になるという問題点があ
った。Recently, a SE equipped with a cathodoluminescence image observation apparatus capable of observing a magnification up to a high value of about tens of thousands of times has been provided.
The needs of M are increasing. However, in the conventional apparatus, the cathode luminescence detecting means is provided between the final stage electromagnetic lens (objective lens) and the sample. For this reason, the secondary electron detector blocks the secondary electrons from the sample, resulting in deterioration of image quality and resolution due to reduction of the secondary electron detection efficiency, and the observation magnification cannot be increased. was there. In addition, there is a problem that it is difficult to simultaneously observe the cathode luminescence image and the secondary electron image.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の一つ
は、上記した従来技術の欠点を無くし、より高い倍率で
観察することのできるカソードルミネッセンス像観察装
置を備えたＳＥＭを提供することにある。また本発明の
他の目的の一つは、カソードルミネッセンス検出手段を
照射電子線の光軸からいちいち外さなくてもカソードル
ミネッセンス像と２次電子像をより高倍率で観察できる
装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an SEM provided with a cathodoluminescence image observing apparatus capable of observing at a higher magnification without obviating the above-mentioned disadvantages of the prior art. is there. Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of observing a cathodoluminescence image and a secondary electron image at higher magnification without removing the cathodoluminescence detection means from the optical axis of the irradiation electron beam. is there.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、対物レンズと試料との間に配置し
たカソードルミネッセンス検出手段の電子線通過孔に、
試料面に対向して電圧を印加する手段を設け、試料から
の２次電子が２次電子検出器側へ抜けるのを助長するよ
うにしたことを特徴とする。これにより、２次電子検出
効率を向上させるとともに、カソードルミネッセンス像
と２次電子像の同時観察または併用観察と、分解能の向
上，観察倍率の向上を可能としたものである。In order to achieve the above object, according to the present invention, an electron beam passing hole of a cathodoluminescence detecting means disposed between an objective lens and a sample is provided.
A means for applying a voltage is provided so as to face the sample surface, so that secondary electrons from the sample are facilitated to escape to the secondary electron detector side. Thereby, the secondary electron detection efficiency is improved, and the simultaneous observation or simultaneous observation of the cathode luminescence image and the secondary electron image, the improvement of the resolution, and the improvement of the observation magnification are enabled.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて詳述する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【０００７】図１は本発明の一実施例を示すブロック図
である。２次電子検出器１が対物レンズ２の上方に配置
され、試料３からの２次電子４を対物レンズ磁極孔５を
通して上方で検出するというＴ.Ｔ.Ｌ方式（Through Th
e Lens方式）のＳＥＭに、本発明の請求項１または２に
記載のカソードルミネッセンス検出手段６を設けた実施
例である。また、カソードルミネッセンス像を観察する
ためのＳＥＭとしては、従来よりＷ（タングステン）フ
ィラメントによる熱電子銃を搭載したＳＥＭが用いられ
る場合が多かったが、最近、高分解能化のニーズの高ま
りとともに電界放出形電子銃が注目されているので、本
実施例では、電界放出形電子銃を搭載したＳＥＭを例に
とり説明する。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. A secondary electron detector 1 is disposed above an objective lens 2 and detects secondary electrons 4 from a sample 3 through an objective lens magnetic pole hole 5 in a TTL (Through Th) method.
This is an embodiment in which the cathodoluminescence detecting means 6 according to claim 1 or 2 of the present invention is provided in an SEM of the (e-lens type). As an SEM for observing a cathodoluminescence image, an SEM equipped with a thermoelectron gun made of a W (tungsten) filament has been used in many cases. In the present embodiment, an SEM equipped with a field-emission electron gun will be described as an example because the electron gun has attracted attention.
【０００８】図１において、電子銃７（例えば、コール
ドまたはサーマルタイプの電界放出陰極７ａと静電レン
ズ７ｂなどとから成る電界放出形電子銃）から取出され
た電子ビーム８は、コンデンサレンズ９，対物レンズ２
により試料ホルダ１０（試料ステージ１１にセットされ
ている）上の試料３の面上で極めて細い電子プローブ１
２として収束される。電子プローブ１２は、偏向コイル
１３と走査電源１４により、試料面で走査される。電子
プローブ１２の走査により試料面から発生した２次電子
４は、対物レンズ磁場に捕らえられて、磁極孔５を通
り、２次電子検出器１に導かれる。In FIG. 1, an electron beam 8 taken out of an electron gun 7 (for example, a field emission type electron gun composed of a cold or thermal type field emission cathode 7a and an electrostatic lens 7b, etc.) passes through a condenser lens 9, Objective lens 2
A very thin electron probe 1 on the surface of the sample 3 on the sample holder 10 (set on the sample stage 11).
Converged as 2. The electron probe 12 is scanned on the sample surface by the deflection coil 13 and the scanning power supply 14. Secondary electrons 4 generated from the sample surface by the scanning of the electron probe 12 are captured by the magnetic field of the objective lens, passed through the magnetic pole hole 5, and guided to the secondary electron detector 1.
【０００９】２次電子検出器１により検出された信号
は、増幅器１５により映像信号選択回路１６を介して２
次電子の映像信号として陰極線管（Cathode Ray Tube：
以下、ＣＲＴと略す）１７に送られる。走査像の倍率変
化は、倍率制御回路１８により、倍率可変回路１９と走
査電源１４を制御することによって行われる。カソード
ルミネッセンス検出手段６は、対物レンズ１０と試料３
との間に配置され、電子プローブ１２の通過孔２０の中
心は、このＳＥＭの電子光学的軸と一致するように調整
されている。通過孔２０には、電子光学的軸と軸対象と
なるように、引出し電極２１が取付けられている。引出
し電極２１には真空外部より試料に対向して正のバイア
ス電圧（ＶB0）２２（例えば、２０〜３５０Ｖ）が印加
できるようになっている。試料３が試料ステージ１１と
同じアース電位（Ｅ）２３になっているとき、バイアス
電圧（ＶB0）２２が印加されると、試料３への電子プロ
ーブ１２の照射により発生した２次電子４は、積極的に
上方へ引上げられて対物レンズ磁極孔５を抜けて、２次
電子検出器１に達する。なお、上記試料ステージ１１は
必ずしもアース電位にする必要はなく、マイナス電位に
して更に積極的に試料３からの２次電子を追い出すよう
にしてあってもよい。これらの方法により、カソードル
ミネッセンス検出手段６で覆われて検出しにくくなった
２次電子を効率よく２次電子検出器１側に導くことがで
きる。また、カソードルミネッセンス検出手段６を試料
上面からいちいち出し入れしなくても、２次電子像とカ
ソードルミネッセンス像を交互に併用して観察すること
ができる。なお、図１の例では、両者の像は、増幅器１
５ａ，１５ｂからの信号を、映像信号選択回路１６によ
り切替えられるようにしたが、ＣＲＴ１７を複数個設け
ることにより、同時に観察できるようにしてもよい。The signal detected by the secondary electron detector 1 is converted by the amplifier 15 through the video signal selection circuit 16 into
Cathode ray tube (Cathode Ray Tube:
(Hereinafter abbreviated as CRT) 17. The magnification change of the scanned image is performed by controlling the magnification variable circuit 19 and the scanning power supply 14 by the magnification control circuit 18. The cathodoluminescence detecting means 6 includes the objective lens 10 and the sample 3
And the center of the passage hole 20 of the electron probe 12 is adjusted to coincide with the electron optical axis of the SEM. An extraction electrode 21 is attached to the passage hole 20 so as to be axially symmetric with the electron optical axis. A positive bias voltage (V B0 ) 22 (for example, 20 to 350 V) can be applied to the extraction electrode 21 from the outside of the vacuum so as to face the sample. When the bias voltage (V B0 ) 22 is applied while the sample 3 is at the same ground potential (E) 23 as the sample stage 11, the secondary electrons 4 generated by the irradiation of the electron probe 12 to the sample 3 , Is positively pulled upward, passes through the objective lens magnetic pole hole 5, and reaches the secondary electron detector 1. The sample stage 11 does not necessarily need to be at the ground potential, but may be set at a negative potential to more positively drive out secondary electrons from the sample 3. By these methods, the secondary electrons covered with the cathode luminescence detecting means 6 and made difficult to detect can be efficiently guided to the secondary electron detector 1 side. In addition, the secondary electron image and the cathodoluminescence image can be alternately used for observation without having to put the cathodoluminescence detecting means 6 in and out of the upper surface of the sample. Note that, in the example of FIG.
Although the signals from 5a and 15b are switched by the video signal selection circuit 16, a plurality of CRTs 17 may be provided so that they can be observed simultaneously.
【００１０】図２は本発明の他の一実施例を示すブロッ
ク図である。以下、図１と同じ構成部材を意味するもの
は、同一付番でもって示すものとする。FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. Hereinafter, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００１１】図２では、前述したＴ.Ｔ.Ｌ方式のＳＥＭ
において、対物レンズの磁極孔５の空間に、試料３から
発生した２次電子４を引出し、これを２次電子検出器１
へ効率よく導くため、電界制御電極２４およびエネルギ
制御電極２５と、それぞれに真空外部より電圧を印加す
るための電界制御電圧（ＶB1：例えば、100〜350Ｖを印
加する）手段２６およびエネルギ制御電圧（ＶB2：例え
ば−２０〜＋４０Ｖ印加する）手段２７と、さらに対物
レンズ１０の下方に、第２の２次電子検出器２８が設け
られているＳＥＭに適用した場合の実施例である。カソ
ードルミネッセンス検出手段２９は、楕円形ミラー２９
ａ，オプティカルファイバ２９ｂ，分光計２９ｃなどか
ら構成され、信号増幅回路３０を介して映像信号選択回
路１６につながっている。また、通常、試料ステージ１
１には、図示されてはいないが、試料ホルダ１０と試料
３を液体窒素または液体ヘリウム温度近くまで冷却する
ことにより、試料３からの発光効率を上げ、微細構造を
もつスペクトルが得られるよう、極めて低い温度に保つ
冷却手段が設けられている。前記カソードルミネッセン
ス検出手段２９には、そのままでは２次電子検出効率を
低下させ、Ｓ／Ｎ（信号対ノイズの比）が悪くなり、分
解能や実用観察倍率の低下をきたしてしまうため、電子
プローブ１２の通過孔２０に引出し電極２１が取付けら
れている。そして、真空外部より試料面に対向して正の
バイアス電圧（ＶB0）２２が印加できるようになってい
る。これにより、図１の実施例と同様に対物レンズ上方
の２次電子検出器１側へ、効率よく２次電子が導かれる
ようになっている。FIG. 2 shows an SEM of the TTL system described above.
In the above, the secondary electrons 4 generated from the sample 3 are extracted into the space of the magnetic pole hole 5 of the objective lens, and this is
In order to efficiently guide the voltage to the electric field control electrode 24 and the energy control electrode 25, an electric field control voltage (V B1 : for example, 100 to 350 V is applied) means 26 for applying a voltage from outside the vacuum, and an energy control voltage This is an embodiment in which the present invention is applied to an SEM in which a second secondary electron detector 28 is provided below the means 27 (V B2 : applying −20 to +40 V, for example) and the objective lens 10. The cathodoluminescence detecting means 29 includes an elliptical mirror 29.
a, an optical fiber 29b, a spectrometer 29c, and the like, and are connected to the video signal selection circuit 16 via a signal amplification circuit 30. Also, usually, the sample stage 1
Although not shown in FIG. 1, by cooling the sample holder 10 and the sample 3 to near the temperature of liquid nitrogen or liquid helium, the luminous efficiency from the sample 3 is increased, and a spectrum having a fine structure is obtained. Cooling means are provided to keep the temperature very low. The cathodoluminescence detecting means 29 may reduce the secondary electron detection efficiency, deteriorate the S / N (signal-to-noise ratio), and decrease the resolution and the practical observation magnification. The extraction electrode 21 is attached to the passage hole 20 of the first embodiment. Then, a positive bias voltage (V B0 ) 22 can be applied from outside the vacuum to the sample surface. Thereby, similarly to the embodiment of FIG. 1, the secondary electrons are efficiently guided to the secondary electron detector 1 above the objective lens.
【００１２】なお、本実施例では、前記電界制御電極２
４とエネルギ制御電極２５を備えたＳＥＭに適用した例
について示したが、これらの制御電極によって生じる電
子プローブ１２の光軸ずれを補正するための補正用電磁
コイルをさらに加えたＳＥＭに適用しても同様の効果を
奏する。In this embodiment, the electric field control electrode 2
4 and an example in which the present invention is applied to an SEM provided with the energy control electrode 25. However, the present invention is applied to an SEM in which a correction electromagnetic coil for correcting the optical axis shift of the electron probe 12 caused by these control electrodes is further added. Has the same effect.
【００１３】図３は本発明の他の一実施例を示すブロッ
ク図である。FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the present invention.
【００１４】本実施例では、カソードルミネッセンス検
出手段３１は、対物レンズ１０のポールピースギャップ
３２の中に挿入されている。カソードルミネッセンス検
出手段３１は、対物ポールピースギャップ内に固定して
配置してあってもかまわないが、光軸周辺の汚れをクリ
ーニングしやすいように、随時対物ポールピースギャッ
プ内から取外せるようになっていることが望ましい。カ
ソードルミネッセンス検出手段３１の電子プローブ通過
孔２０には、引出し電極２１が設けられ、真空外部より
試料面に対向して正のバイアス電圧（ＶB0）２２が印加
できるようになっている。さらに、カソードルミネッセ
ンス検出手段３１の上方には、図２の実施例と同様の機
能を持つエネルギ制御電極３３が設けられ、真空外部よ
りエネルギ制御電圧（ＶB2：例えば−２０〜＋４０Ｖ印
加する）手段３４によって、試料からの２次電子４が２
次電子検出器１側に効率よく検出できるようになってい
る。本実施例では、対物レンズ下面と試料との間の距離
(ワーキングディスタンス)をできるだけ短くして観察す
ることができるので、非常に効果的に試料像の分解能を
向上させることができる。In this embodiment, the cathodoluminescence detecting means 31 is inserted into the pole piece gap 32 of the objective lens 10. The cathodoluminescence detecting means 31 may be fixedly arranged in the objective pole piece gap, but can be removed from the objective pole piece gap at any time so that dirt around the optical axis can be easily cleaned. Is desirable. An extraction electrode 21 is provided in the electron probe passage hole 20 of the cathodoluminescence detecting means 31 so that a positive bias voltage (V B0 ) 22 can be applied from outside the vacuum to the sample surface. Further, an energy control electrode 33 having a function similar to that of the embodiment of FIG. 2 is provided above the cathode luminescence detecting means 31, and an energy control voltage (V B2 : for example, -20 to +40 V is applied) from outside the vacuum. 34, the secondary electrons 4 from the sample are 2
The detection can be efficiently performed on the secondary electron detector 1 side. In this embodiment, the distance between the lower surface of the objective lens and the sample
(Working distance) can be observed as short as possible, so that the resolution of the sample image can be improved very effectively.
【００１５】なお、本発明の各実施例では、電界放出形
電子銃を搭載したＳＥＭについて説明したが、Ｗ（タン
グステン）熱電子銃やＬａＢ６熱電子銃を搭載したＳＥ
Ｍにも適用して同様の効果を奏することは勿論である。In each of the embodiments of the present invention, the SEM having the field emission type electron gun has been described, but the SE having the W (tungsten) thermoelectron gun or the LaB6 thermoelectron gun has been described.
It is needless to say that the same effect can be obtained by applying to M.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カソードルミネッセンス像観察装置を備えたＳＥＭでの
２次電子検出効率を向上させることができ、試料像の高
分解能観察，高倍率観察が可能となる。また、カソード
ルミネッセンス像と２次電子像の同時または併用観察が
可能となる。As described above, according to the present invention,
Secondary electron detection efficiency in an SEM equipped with a cathodoluminescence image observation device can be improved, and high-resolution observation and high-magnification observation of a sample image can be performed. Further, simultaneous or combined observation of the cathodoluminescence image and the secondary electron image can be performed.
【図１】本発明の一実施例である走査電子顕微鏡のブロ
ック図。FIG. 1 is a block diagram of a scanning electron microscope according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の一実施例である走査電子顕微鏡の
ブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a scanning electron microscope according to another embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の一実施例である走査電子顕微鏡の
ブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a scanning electron microscope according to another embodiment of the present invention.
１…２次電子検出器、２…対物レンズ、３…試料、４…
２次電子、５…対物レンズ磁極孔、６，３１…カソード
ルミネッセンス検出手段、７…電子銃、７ａ…電界放出
陰極、７ｂ…静電レンズ、８…電子ビーム、９…コンデ
ンサレンズ、１０…試料ホルダ、１１…試料ステージ、
１２…電子プローブ、１３…偏向コイル、１４…走査電
源、１５ａ，１５ｂ…増幅器、１６…映像信号選択回
路、１７…陰極線管、１８…倍率制御回路、１９…倍率
可変回路、２０…電子プローブの通過孔、２１…引出し
電極、２２…バイアス電圧、２４…電界制御電極、２５
…エネルギ制御電極、２６…電界制御電圧印加手段、２
７，３４…エネルギ制御電圧印加手段、２８…２次電子
検出器、２９…カソードルミネッセンス検出手段、２９
ａ…楕円形ミラー、２９ｂ…オプティカルファイバ、２
９ｃ…分光計、３０…信号増幅回路、３２…対物レンズ
のポールピースギャップ、３３…エネルギ制御電極。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Secondary electron detector, 2 ... Objective lens, 3 ... Sample, 4 ...
Secondary electron, 5: Objective lens magnetic pole hole, 6, 31: Cathodoluminescence detecting means, 7: Electron gun, 7a: Field emission cathode, 7b: Electrostatic lens, 8: Electron beam, 9: Condenser lens, 10: Sample Holder, 11 ... sample stage,
Reference Signs List 12: electronic probe, 13: deflection coil, 14: scanning power supply, 15a, 15b: amplifier, 16: video signal selection circuit, 17: cathode ray tube, 18: magnification control circuit, 19: magnification variable circuit, 20: electronic probe Passing hole, 21: extraction electrode, 22: bias voltage, 24: electric field control electrode, 25
... Energy control electrode, 26 ... Electric field control voltage applying means, 2
7, 34: energy control voltage applying means, 28: secondary electron detector, 29: cathodoluminescence detecting means, 29
a: elliptical mirror, 29b: optical fiber, 2
9c: spectrometer, 30: signal amplification circuit, 32: pole piece gap of objective lens, 33: energy control electrode
フロントページの続き (72)発明者 古屋 寿宏 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 宮本 亮一 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 永瀬 昭仁 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 富澤 淳一郎 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 伊東 祐博 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内Continuing on the front page (72) Inventor Toshihiro Furuya 1040 Ma, Ichiki, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Science Systems Co., Ltd. (72) Inventor Akihito Nagase 1040 Ichimo, Hitachinaka-shi, Ibaraki Pref.Hitachi Science Systems Co., Ltd. (72) Inventor Junichiro Tomizawa 1040 Ichimo-Ichimo, Hitachinaka-shi Ibaraki Pref. Person Yuhiro Ito 1040 Ichimo, Hitachinaka City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Science Systems Co., Ltd.
Claims (4)
子線照射手段と、前記電子線の焦点位置を調整する磁気
対物レンズ手段と、前記電子線の照射によって前記試料
表面から発生する２次電子，反射電子などの電子信号を
検出して、前記試料表面の像を表示する電子信号検出表
示手段と、前記電子線の照射によって前記試料表面から
発生する光を検出する手段と、前記検出した光を前記試
料表面のカソードルミネッセンス像として表示する表示
手段と、該光検出手段の電子線通過孔に、試料面に対向
して電圧を印加する手段を有することを特徴とする走査
電子顕微鏡。An electron beam irradiating means for converging and irradiating an electron beam onto a surface of a sample, a magnetic objective lens means for adjusting a focus position of the electron beam, and an electron beam generated from the surface of the sample by irradiation of the electron beam. Electronic signal detection and display means for detecting an electronic signal such as secondary electrons and reflected electrons and displaying an image of the sample surface; means for detecting light generated from the sample surface by irradiation of the electron beam; A scanning electron microscope comprising: display means for displaying detected light as a cathode luminescence image of the sample surface; and means for applying a voltage to an electron beam passage hole of the light detection means so as to face the sample surface. .
段の下方に配置されている請求項１に記載の走査電子顕
微鏡。2. The scanning electron microscope according to claim 1, wherein said light detecting means is disposed below said magnetic objective lens means.
段のポールピースギャップ内に配置されている請求項１
に記載の走査電子顕微鏡。3. The light detecting means is disposed in a pole piece gap of the magnetic objective lens means.
The scanning electron microscope according to 1.
子線照射手段と、前記電子線の焦点位置を調整する磁気
対物レンズ手段と、前記電子線の照射によって前記試料
表面から発生する２次電子，反射電子などの電子信号を
検出して、前記試料表面の像を表示する電子信号検出表
示手段と、前記電子線の照射によって前記試料表面から
発生する光を検出する手段と、前記検出した光を前記試
料表面のカソードルミネッセンス像として表示する表示
手段と、該光検出手段の電子線通過孔に、試料面に対向
して電圧を印加する手段とを有し、前記試料面に対向し
て電圧を印加する手段に正のバイアス電圧を印加するこ
とにより、カソードルミネッセンス像観察装置を備えた
走査電子顕微鏡における試料像の分解能および観察倍率
を向上させる方法。4. An electron beam irradiating means for converging and irradiating an electron beam on a surface of a sample, a magnetic objective lens means for adjusting a focal position of the electron beam, and an electron beam generated from the sample surface by the irradiation of the electron beam. Electronic signal detection and display means for detecting an electronic signal such as secondary electrons and reflected electrons and displaying an image of the sample surface; means for detecting light generated from the sample surface by irradiation of the electron beam; Display means for displaying the detected light as a cathodoluminescence image of the sample surface; and means for applying a voltage to the electron beam passage hole of the light detection means so as to face the sample surface and face the sample surface. To improve the resolution and observation magnification of a sample image in a scanning electron microscope equipped with a cathodoluminescence image observation device by applying a positive bias voltage to a voltage applying means
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9095570A JPH10289681A (en) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9095570A JPH10289681A (en) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | Scanning electron microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289681A true JPH10289681A (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=14141261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9095570A Pending JPH10289681A (en) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | Scanning electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10289681A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294365A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Jeol Ltd | Test piece inspection method, test piece support body, and test piece inspection device as well as test piece inspection system |
| WO2017094721A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 松定プレシジョン株式会社 | Charged particle beam device and scanning electron microscope |
| US10438770B2 (en) | 2015-01-30 | 2019-10-08 | Matsusada Precision, Inc. | Charged particle beam device and scanning electron microscope |
| WO2021255886A1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-23 | 株式会社日立ハイテク | Charged particle beam device |
-
1997
- 1997-04-14 JP JP9095570A patent/JPH10289681A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294365A (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Jeol Ltd | Test piece inspection method, test piece support body, and test piece inspection device as well as test piece inspection system |
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| US10541106B2 (en) | 2015-01-30 | 2020-01-21 | Matsusada Precision, Inc. | Charged particle beam device and scanning electron microscope |
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| CN108292580A (en) * | 2015-12-03 | 2018-07-17 | 松定精度株式会社 | Charged particle line apparatus and scanning electron microscope |
| CN108292580B (en) * | 2015-12-03 | 2019-06-11 | 松定精度株式会社 | Charged particle line apparatus and scanning electron microscope |
| US10497535B2 (en) | 2015-12-03 | 2019-12-03 | Matsusada Precision, Inc. | Charged particle beam device and scanning electron microscope |
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