JPH10284460A - Steam bath device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably form a steam bath with no heater heated excessively, by employing such structure as a heater block directly contacts to the entire surface of inside bottom of a tab, so that bumping of an organic solvent which is reserved is hard to take place. SOLUTION: Relating to a steam bath part 1, a reservoir area 2 for an organic solvent is formed at a bottom part inside the tab. Here, the depth of the reservoir area 2 of organic solvent is preferable at, for example, 10-100 mm. With the steam bath device, a heater block 6 directly contacts to the entire bottom surface in side the tab of the steam bath part 1. The heater block 6 is embedded with a heater 9, so by heating the heater, the inside bottom surface of the tab is heated, and the organic solvent is evaporated to form a steam bath 3 within the tab. In order to allow the heater block to contact to the entire bottom surface in the tab, the side wall of the tab may be bonded to the periphery of upper surface of the heater block, or the steam bath part and the heater block part may be molded as one body.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸気浴槽装置、詳
しくはシリコンウエハやガラス基板、或いは各種金属部
品などを洗浄処理した後において、これらの物品を有機
溶剤の蒸気に曝して洗浄、或いは乾燥する際等に使用す
る蒸気浴槽装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a steam bath apparatus, and more particularly, to cleaning or drying a silicon wafer or a glass substrate or various metal parts by exposing these articles to the vapor of an organic solvent after cleaning. The present invention relates to a steam tub apparatus used when performing the operation.

【０００２】[0002]

【従来の技術】シリコンウエハ製造工程や半導体デバイ
ス製造工程等の半導体分野において、被洗浄物であるシ
リコンウエハ等を、各種薬液や超純水により洗浄やリン
スし、その後に乾燥することが行われている。現在主流
の乾燥方法としては、スピン乾燥、及びイソプロパノー
ル（以下、ＩＰＡと略記する）などの有機溶剤による蒸
気乾燥が行われている。2. Description of the Related Art In a semiconductor field such as a silicon wafer manufacturing process and a semiconductor device manufacturing process, a silicon wafer or the like to be cleaned is cleaned or rinsed with various chemicals or ultrapure water, and then dried. ing. Currently, as mainstream drying methods, spin drying and steam drying with an organic solvent such as isopropanol (hereinafter abbreviated as IPA) are performed.

【０００３】ここで、スピン乾燥は、ウエハを高速回転
させることによる遠心力により乾燥させるものである。
このスピン乾燥は、ウエハの大口径化に伴い、乾燥不良
等の原因によるウォーターマークの発生等が問題になり
易い。[0003] In the spin drying, the wafer is dried by centrifugal force generated by rotating the wafer at a high speed.
In the spin drying, as the diameter of the wafer increases, the generation of a watermark due to poor drying or the like easily causes a problem.

【０００４】また、もう一方の乾燥方法である有機溶剤
による蒸気乾燥は、前処理を行い、超純水等によるリン
スを行った後、非常に清浄な、親水性であるＩＰＡなど
の蒸気によって、付着している超純水等をＩＰＡの凝縮
により置換させて乾燥を行うものである。この方法は、
スピン乾燥に比べウォーターマークが発生し難いという
点で非常に有用である。[0004] In another method of drying, steam drying using an organic solvent is carried out by pretreatment, rinsing with ultrapure water or the like, and then using extremely clean steam such as IPA which is hydrophilic. The drying is performed by replacing the attached ultrapure water or the like by condensing IPA. This method
This is very useful in that a watermark is less likely to occur as compared with spin drying.

【０００５】図２に一般的な蒸気乾燥装置の概略図を示
す。即ち、図２において、１は蒸気浴槽部であり、槽内
底部にＩＰＡ等の有機溶剤の貯留域２を有する。そし
て、この蒸気浴槽部に貯留される有機溶剤が加熱されて
槽内に、有機溶剤の蒸気浴３が形成される。また、この
溶剤蒸気は、槽内上部に設置された冷却器４により冷却
されて凝縮し、それより上方には流出しないようになっ
ている。かかる蒸気浴３内に被乾燥物５を設置した場
合、このものに付着する超純水等は溶剤蒸気の凝縮によ
り置換される。そして、被乾燥物が、溶剤蒸気と同じ温
度になると凝縮が終了し、その後該被洗浄物は清浄且つ
乾燥された状態で取り出される。FIG. 2 is a schematic view of a general steam drying apparatus. That is, in FIG. 2, reference numeral 1 denotes a steam bath, which has a storage area 2 for an organic solvent such as IPA at the bottom of the bath. Then, the organic solvent stored in the steam bath is heated to form an organic solvent steam bath 3 in the bath. The solvent vapor is cooled by the cooler 4 installed in the upper part of the tank, condenses, and does not flow upward. When the object 5 to be dried is placed in the steam bath 3, ultrapure water or the like adhering to the object 5 is replaced by condensation of the solvent vapor. Then, when the temperature of the object to be dried reaches the same temperature as the solvent vapor, the condensation ends, and then the object to be cleaned is taken out in a clean and dried state.

【０００６】こうした蒸気乾燥装置として使用される蒸
気浴槽装置において、有機溶剤の加熱は、使用されるＩ
ＰＡ等が可燃性であるので、ヒーター自体を直接該有機
溶剤中に浸けて加熱する方法は引火の危険性を伴う。そ
のため、ヒータが埋設された金属製のヒーターブロック
６を使用して、このものを上記蒸気浴槽部の下部に設置
して加熱する方法が一般的に採用されている。また、蒸
気浴槽部１においてその材質は、通常、石英やステンレ
ス鋼などが採用されている。[0006] In such a steam bath apparatus used as a steam drying apparatus, the heating of the organic solvent is performed by using the I
Since PA and the like are flammable, the method of heating by immersing the heater itself in the organic solvent involves a risk of ignition. Therefore, a method of using a metal heater block 6 in which a heater is embedded and installing the heater block 6 in a lower portion of the steam bath section to heat the heater block 6 is generally adopted. The material of the steam bath section 1 is usually quartz or stainless steel.

【０００７】ここで、石英を槽材質に用いた場合、上記
ヒーターブロック６の設置は、通常、このものの上に単
に該石英槽を乗せるだけで行われている。また、ステン
レス鋼を槽材質に用いた場合（以下、ＳＵＳ槽と略記す
る）、かかるヒーターブロック６の設置は、上記の態様
の他に、図２のようにヒーターブロックとＳＵＳ槽とを
ボルト等７で固定する方法も採用されている。Here, when quartz is used for the material of the tank, the heater block 6 is usually installed simply by placing the quartz tank on the heater block. When stainless steel is used for the tank material (hereinafter abbreviated as SUS tank), the heater block 6 may be installed by connecting the heater block and the SUS tank with bolts or the like as shown in FIG. A method of fixing at 7 is also employed.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】蒸気による洗浄及び乾
燥を行う装置において、従来の槽を加熱する構造では、
金属同士若しくは金属と石英の接触部で、お互いの表面
平滑度による伝熱抵抗のため伝熱効率が悪くなったり不
均一になる問題があった。その結果、所望される蒸気量
を確保するために必要以上にヒーター温度を高くする必
要があった。特に、熱伝導性に多少劣る石英槽の場合、
この傾向は一層激しかった。In an apparatus for cleaning and drying by steam, a conventional structure for heating a tank is as follows.
At the contact portion between metals or between metal and quartz, there is a problem that heat transfer efficiency is deteriorated or non-uniform due to heat transfer resistance due to the surface smoothness of each other. As a result, it has been necessary to increase the heater temperature more than necessary to secure a desired amount of steam. In particular, in the case of a quartz tank with somewhat poor thermal conductivity,
This trend was even more intense.

【０００９】また、ＳＵＳ槽の場合、このものとヒータ
ーブロックとをボルト等で固定する態様においては、締
め付けによる金属のたわみが発生し、両者間にわずかな
隙間が出来て熱伝導性が悪化することがあった。そして
こうした熱伝導性の悪化は、装置によって該熱伝導性の
バラツキを生じさせ、装置の標準化という点でも問題を
生じていた。In the case of an SUS tank, in which the heater block and the SUS tank are fixed with bolts or the like, the metal is bent by tightening, and a slight gap is formed between the two to deteriorate the heat conductivity. There was something. Such deterioration of the thermal conductivity causes variations in the thermal conductivity depending on the device, and also causes a problem in standardization of the device.

【００１０】さらに、ボルトの締め付けを行った部分が
他の部分に比べ接触性が良いために、その部分のみ伝熱
効率が過度に良好となり、加熱面の不均一さがより顕著
になり易かった。その為、高温部分において突沸が生じ
ることがあった。このように加熱面が不均一になり突沸
が生じると、有機溶剤の飛沫と供に、このものに含まれ
る水分やゴミの粒子も蒸気中に漂い、それがウエハに付
着してウォーターマークやパーティクル等の発生の原因
となっていた。[0010] Further, since the bolted portion has better contact properties than other portions, the heat transfer efficiency is excessively good only in that portion, and the unevenness of the heated surface tends to be more remarkable. Therefore, bumping may occur in the high temperature portion. If the heating surface becomes uneven and bumping occurs, the water and dust particles contained in the liquid will also float in the vapor, along with the droplets of the organic solvent, which will adhere to the wafer and form watermarks and particles. And so on.

【００１１】こうした背景から、貯留される有機溶剤の
突沸が起こり難く、ヒーターを過度に加熱せずとも安定
的に蒸気浴が形成される蒸気浴槽装置の開発が望まれて
いた。[0011] From such a background, it has been desired to develop a steam bath apparatus in which the stored organic solvent is hardly bumped and a steam bath is stably formed without excessively heating the heater.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に鑑み鋭意研究を続けた結果、槽の内底面全面にヒー
ターブロックが直接接する構造とすることにより、上記
の課題が解決できることを見出し本発明を完成させるに
至った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies in view of the above-mentioned problems, and as a result, the above-mentioned problems can be solved by adopting a structure in which the heater block is in direct contact with the entire inner bottom surface of the tank. And completed the present invention.

【００１３】即ち、本発明は、槽内底部に有機溶剤が貯
留される蒸気浴槽部と該蒸気浴槽部の下部に位置するヒ
ーターブロック部とからなる蒸気浴槽装置において、槽
内底面の全面にヒーターブロックが直接接していること
を特徴とする蒸気浴槽装置である。That is, the present invention relates to a steam bath apparatus comprising a steam bath section in which an organic solvent is stored in the bottom of the tank and a heater block located below the steam bath section. A steam bath apparatus characterized in that blocks are in direct contact with each other.

【００１４】本発明の蒸気浴槽装置は、有機溶剤の蒸気
を用いて物品を洗浄若しくは乾燥する際に制限なく使用
される。例えば、シリコンウエハ製造工程や半導体デバ
イス工程、液晶パネル製造工程におけるウエハやガラス
基板の水切り乾燥や、一般金属洗浄における溶剤蒸気に
よる洗浄、乾燥工程等が挙げられる。好適にはその効果
の大きさより、シリコンウエハ製造工程、半導体デバイ
ス製造工程、液晶パネル製造工程等において使用するの
が効果的である。[0014] The steam bath apparatus of the present invention can be used without limitation when washing or drying articles using steam of an organic solvent. For example, draining and drying of a wafer or a glass substrate in a silicon wafer manufacturing process, a semiconductor device process, or a liquid crystal panel manufacturing process, and a washing and drying process with a solvent vapor in general metal washing are exemplified. Preferably, it is more effective to use it in a silicon wafer manufacturing process, a semiconductor device manufacturing process, a liquid crystal panel manufacturing process, etc. because of its effect.

【００１５】また、用いられる有機溶剤は、その蒸気に
より物品を洗浄若しくは乾燥できるものであれば何ら問
題なく用いることが出来る。例えば、メタノール、エタ
ノール、プロパノール等の低級アルコール類；アセト
ン、メチルエチルケトン等の低級ケトン類；メチレンク
ロライド等の塩素系有機溶剤などが挙げられる。上記シ
リコンウエハ製造工程、半導体デバイス製造工程、液晶
パネル製造工程等への使用を勘案すれば、親水性で適度
な沸点であり、取り扱いの容易さという点と、非常に高
純度なものが得やすいという点から、ＩＰＡが最も好適
に用いられる。この場合のＩＰＡの純度は高純度のもの
ほど望ましく、一般的には純度９９．９９％以上のもの
が用いられる。The organic solvent used can be used without any problem as long as it can wash or dry the article by its vapor. For example, lower alcohols such as methanol, ethanol and propanol; lower ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; chlorinated organic solvents such as methylene chloride and the like can be mentioned. Considering the use in the above silicon wafer manufacturing process, semiconductor device manufacturing process, liquid crystal panel manufacturing process, etc., it is a hydrophilic and moderate boiling point, easy to handle, and it is easy to obtain very high purity products In this regard, IPA is most preferably used. In this case, the purity of the IPA is preferably as high as possible, and generally, a purity of 99.99% or more is used.

【００１６】本発明において蒸気浴槽部及びヒーターブ
ロック部の材質は、特に制限されるものではなく、石
英、アルミニウム、セラミック等であっても良いが、熱
伝導性や強度、さらには加工の容易性や金属イオンの溶
出の危険性等を勘案すると、通常はステンレス鋼である
のが一般的である。ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３４、ＳＵ
Ｓ４４４等フェライト系ステンレス；ＳＵＳ３０４、Ｓ
ＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等のオーステナイト系ステ
ンレスなどが挙げられる。一般的にはＳＵＳ３１６Ｌが
好適に用いられる。In the present invention, the material of the steam bath section and the heater block section is not particularly limited, and may be quartz, aluminum, ceramic, or the like. Considering the danger of dissolution of metal ions and metal ions, stainless steel is generally used. SUS430, SUS434, SU
Ferritic stainless steel such as S444; SUS304, S
Austenitic stainless steels such as US316 and SUS316L can be used. Generally, SUS316L is preferably used.

【００１７】以下、本発明の蒸気浴槽装置を、その代表
的態様の概略図である図１に従って説明する。即ち、図
１において蒸気浴槽部１には、槽内底部に有機溶剤の貯
留域２が形成されている。ここで、この有機溶剤の貯留
域は、１０〜１００ｍｍの深さで設けるのが好ましい。
また、通常、蒸気浴槽部１には、上記が装置外へ流出す
ることを防ぐために、槽内上部に冷却器４が設置されて
いるのが一般的である。その場合、冷却器は、槽材質と
同様の材質で形成されており、内部に水等の冷却溶媒が
流通する中空のパイプ状のものが好適に用いられる。パ
イプの外径は５〜５０ｍｍであり、内径が１〜４５ｍｍ
のものを使用するのが好ましい。冷却器の設置位置は、
槽内上部の壁面が一般的である。冷却器の設置段数は有
機溶剤の蒸気を槽外に放出することの無い段数であれば
特に制限されるものではないが、１〜２０段、好ましく
は５〜１０段設置するのが好ましい。その内部に流す冷
却水の温度は１０〜２５℃、好ましくは２０℃前後にす
るのが好ましい。The steam bath apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIG. 1 which is a schematic view of a typical embodiment. That is, in FIG. 1, a storage area 2 for an organic solvent is formed in the bottom portion of the steam bath 1. Here, the storage area of the organic solvent is preferably provided at a depth of 10 to 100 mm.
Generally, in the steam bath section 1, a cooler 4 is generally installed in an upper part of the tank in order to prevent the above from flowing out of the apparatus. In this case, the cooler is formed of the same material as the material of the tank, and a hollow pipe-shaped one in which a cooling solvent such as water flows is preferably used. The outer diameter of the pipe is 5-50mm and the inner diameter is 1-45mm
It is preferred to use The installation position of the cooler
The upper wall in the tank is common. The number of stages of the cooler is not particularly limited as long as the vapor of the organic solvent is not discharged to the outside of the tank, but it is preferably 1 to 20, preferably 5 to 10 stages. The temperature of the cooling water flowing into the inside is preferably set to 10 to 25 ° C, and preferably around 20 ° C.

【００１８】なお、冷却器の下部には冷却器により凝縮
された有機溶剤を回収する樋８を設けるのが好ましい。
その際、樋の大きさは、凝縮して滴下してくる有機溶剤
を漏らさず回収できる大きさであれば何ら問題はない。
その凝縮した有機溶剤は、配管１０を通して有機溶剤の
貯留域２へと戻すのが一般的である。Preferably, a gutter 8 for collecting the organic solvent condensed by the cooler is provided below the cooler.
At this time, the size of the gutter has no problem as long as the organic solvent that is condensed and dropped can be collected without leaking.
The condensed organic solvent is generally returned to the organic solvent storage area 2 through the pipe 10.

【００１９】そして本発明の蒸気浴槽装置では、蒸気浴
槽部１の槽内底面の全面にヒーターブロック６が直接接
している。このヒーターブロックは、内部にヒーター９
が埋設されているため、本発明の装置では、該ヒーター
を発熱させることにより、槽の内底面が加熱され、有機
溶剤が蒸発して槽内に蒸気浴３が形成される。この際、
本発明の蒸気浴槽装置では、上記の如く槽内底面の全面
にヒーターブロックが直接する構造であるため、ヒータ
ーの熱が均一に効率よく槽内底面に達し、より少ない熱
量で突沸を生じることなく安定的に有機溶剤を加熱する
ことが可能になる。In the steam bath apparatus according to the present invention, the heater block 6 is in direct contact with the entire bottom surface of the steam bath section 1. This heater block has a heater 9 inside.
In the apparatus of the present invention, the heater is heated to heat the inner bottom surface of the tank, and the organic solvent evaporates to form the steam bath 3 in the tank. On this occasion,
In the steam bath apparatus of the present invention, since the heater block has a structure in which the heater block is directly over the entire bottom surface of the tank as described above, the heat of the heater reaches the bottom surface of the tank uniformly and efficiently, without generating bumping with a smaller amount of heat. The organic solvent can be stably heated.

【００２０】ここで、ヒーターブロックを槽内底面の全
面に接触させる方法は、該ヒーターブロックを槽の底壁
とすることで達成することができる。具体的には、ヒー
ターブロックの上面周囲に槽の側壁を接着させて蒸気浴
槽部を形成する方法の他、本発明では、該蒸気浴槽部と
ヒーターブロック部とを一体成形する方法により実施す
るのが好ましい。Here, the method of bringing the heater block into contact with the entire bottom surface in the tank can be achieved by using the heater block as the bottom wall of the tank. Specifically, in addition to a method of forming a steam bath portion by adhering a side wall of the bath around the upper surface of the heater block, the present invention employs a method of integrally forming the steam bath portion and the heater block portion. Is preferred.

【００２１】本発明において、槽内底面に接触されるヒ
ーターブロックの厚みは、１０〜１００ｍｍが好適であ
る。このヒーターブロックへのヒーターの埋設は、図１
の如くヒーター全体がヒーターブロック中に埋め込まれ
た構造が好ましいが、図３の如くヒーター上面のみが埋
め込まれ、ヒーター下面はヒーターブロック下面から露
出した構造でも良い。こうした場合、このヒーター下面
が露出したヒーターブロック下面には、形状が対応する
ヒーター下面側ブロック１５を嵌合させ、両者をボルト
等により固定するのが一般的である。その際、このヒー
ター下面側ブロックの材質は、耐熱性があり、装置本体
の重量に耐えることが可能な材質であれば、前記蒸気浴
槽部やヒーターブロック部の材質と異なる材質であって
も良いが、一般には、これらと同じ材質が望ましい。In the present invention, the thickness of the heater block that is in contact with the bottom surface in the tank is preferably 10 to 100 mm. The embedding of the heater in this heater block is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a structure in which the entire heater is embedded in the heater block is preferable, but a structure in which only the upper surface of the heater is embedded and the lower surface of the heater is exposed from the lower surface of the heater block as shown in FIG. In such a case, the heater lower surface side block 15 having a corresponding shape is generally fitted to the heater block lower surface where the heater lower surface is exposed, and both are fixed by bolts or the like. At this time, the material of the heater lower surface side block may be a material different from the material of the steam bath section and the heater block as long as the material has heat resistance and can withstand the weight of the apparatus body. However, generally, the same material as these is desirable.

【００２２】本発明においてヒーターは、発熱体であれ
ば如何なるものであっても制限を受けずに使用できる。
例えばカートリッジ型ヒーター、パイプ型ヒーター、バ
ンド型ヒーター、リング型ヒーター、ベルト型ヒーター
等が挙げられる。これらのヒーターのヒーターブロック
における埋設位置は、特に制限されるものではないが、
槽内底面からヒーターの上面までの間隔が１〜５０ｍｍ
であるようにするのが好ましい。また、ヒーターは複数
埋設しても良く、特に、槽底面の長さに対して埋設する
ヒーターの大きさが小さい場合は、複数のヒーターを横
方向に並べて埋設させるのが一般的である。なお、上記
ヒーターのヒーターブロックへの埋設は、該ヒーターの
形状と嵌合する穴や窪みを該ヒーターブロックに形成
し、これにヒーターを挿入する方法で行えばよい。In the present invention, the heater can be used without any limitation as long as it is a heating element.
For example, a cartridge type heater, a pipe type heater, a band type heater, a ring type heater, a belt type heater and the like can be mentioned. The embedding position of these heaters in the heater block is not particularly limited,
The distance from the bottom inside the tank to the top of the heater is 1-50mm
It is preferred that In addition, a plurality of heaters may be embedded. In particular, when the size of the heater to be embedded is small relative to the length of the bottom of the tank, it is general that a plurality of heaters are arranged side by side in the horizontal direction. The heater may be buried in the heater block by a method in which a hole or a depression that fits the shape of the heater is formed in the heater block, and the heater is inserted into the hole or recess.

【００２３】[0023]

【発明の効果】以上の説明により理解されるように、本
発明の蒸気浴槽装置は、有機溶剤の加熱においてヒータ
ーの熱の伝熱効率が極めて良い。従って、ヒーターの加
熱温度をより小さく抑えることができる。そして、突沸
の危険性もなく、被洗浄物の汚染が防止できる。従っ
て、溶剤蒸気により被洗浄物の洗浄及び乾燥を行う装置
として、極めて有用に使用できる。As will be understood from the above description, the steam bath apparatus of the present invention has a very good heat transfer efficiency of the heater in heating the organic solvent. Therefore, the heating temperature of the heater can be kept lower. And there is no danger of bumping, and contamination of the object to be cleaned can be prevented. Therefore, it can be used very effectively as an apparatus for cleaning and drying an object to be cleaned with a solvent vapor.

【００２４】[0024]

【実施例】以下に本発明を詳細に説明するために実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。EXAMPLES Examples and comparative examples will be shown below to explain the present invention in detail, but the present invention is not limited to these examples.

【００２５】実施例１ ＳＵＳ３１６Ｌにより成形された、図１に示すような上
部が開放式の角槽からなる蒸気浴槽部１とヒーターブロ
ック部６とからなる蒸気浴槽装置を用い、その蒸気浴槽
部の槽内底部に、半導体向け高純度ＩＰＡ（トクソーＩ
ＰＡ ＳＥ、（株）トクヤマ製：純度９９．９９％以
上）２を１８Ｌキャニスター缶１１にて供給した。ここ
で、蒸気浴槽部は、槽内上部に、２０℃の冷却水を流し
たコンデンサ（ＳＵＳ３１６Ｌ製）４が設けられ、ま
た、その下に、かかるコンデンサにより凝縮されたＩＰ
Ａが回収されるように樋８が設置されていた。さらに、
この樋により回収されたＩＰＡが、配管１０を通り、槽
底部のＩＰＡ貯留域へ戻る構造であった。ここで、蒸気
浴槽部の大きさは、たて６２０ｍｍ、よこ４３０ｍｍ、
高さ６５０ｍｍである。Example 1 A steam bath apparatus having a steam bath apparatus 1 formed of SUS316L and having a square bath having an open top as shown in FIG. 1 and a heater block 6 was used. A high-purity IPA for semiconductors (TOXOH I
PASE, manufactured by Tokuyama Corporation: purity: 99.99% or more) 2 was supplied in an 18 L canister can 11. Here, in the steam bath section, a condenser (made of SUS316L) 4 in which cooling water at 20 ° C. is provided is provided at an upper part in the tank, and under the condenser, an IP condensed by the condenser is provided.
The gutter 8 was installed so that A could be collected. further,
The IPA collected by the gutter passed through the pipe 10 and returned to the IPA storage area at the bottom of the tank. Here, the size of the steam bath section is 620 mm long, 430 mm wide,
The height is 650 mm.

【００２６】上記蒸気浴槽装置では、蒸気浴槽部１とヒ
ーターブロック部６とが一体成形されており、槽内底面
の全面がヒーターブロックの上面で構成される構造であ
った。ここで、ヒーターブロックの厚みは２５ｍｍであ
った。そして、このヒーターブロック部には、横方向に
均等の間隔で貫通穴が５本穿たれており、この各貫通穴
にはカートリッジヒーター９が嵌入されていた。このカ
ートリッジヒーターの上面と槽内底面までの間隔は、６
ｍｍであった。また、この際用いたカートリッジヒータ
ーは、直径１２．６ｍｍで１．４ｋｗのものを使用し
た。In the above-described steam bath apparatus, the steam bath section 1 and the heater block 6 are integrally formed, and the entire bottom surface of the bath is constituted by the upper surface of the heater block. Here, the thickness of the heater block was 25 mm. The heater block had five through holes at equal intervals in the horizontal direction, and the cartridge heater 9 was fitted into each of the through holes. The distance between the top of this cartridge heater and the bottom inside the tank is 6
mm. The cartridge heater used here had a diameter of 12.6 mm and a capacity of 1.4 kW.

【００２７】以上の構造からなるＩＰＡ蒸気浴槽装置を
クラス１０のクリーンルーム内に設置し、カートリッジ
ヒーターを加熱することで槽内に蒸気浴を形成させ、ウ
エハの蒸気乾燥を行った。ウエハは、薬液洗浄によりウ
エハ上のコンタミネーションを除去した後、超純水によ
りウエハに薬液が残存しないよう十分にすすぎ洗浄を行
ったものを用いた。The IPA steam bath apparatus having the above structure was installed in a class 10 clean room, and a steam heater was formed in the bath by heating the cartridge heater, and the wafer was steam-dried. The wafer used was a wafer that had been subjected to chemical cleaning to remove contamination on the wafer, and then rinsed sufficiently with ultrapure water so that no chemical remained on the wafer.

【００２８】蒸気乾燥は、該ウエハ５が設置されたウエ
ハ用キャリア１３を、昇降リフター１４によってＩＰＡ
蒸気浴３中へ降下させ、キャリア１３及びウエハ５にＩ
ＰＡを凝縮させ、付着している水滴をＩＰＡに完全に置
換するまで滞在させ、その後、リフター１４を上昇させ
てキャリア及びウエハを取り出すことで行った。また、
加熱は、ヒーターブロック部において、カートリッジヒ
ーターの上方に設置されている温度センサー１２によ
り、該部分の温度が９０℃に保たれるように調整しなが
ら実施した。In the steam drying, the wafer carrier 13 on which the wafer 5 is set is lifted by
The carrier 13 and the wafer 5 are dropped into the steam bath 3 and
The PA was condensed and allowed to stay until the attached water droplets were completely replaced with IPA, and then the lifter 14 was raised to take out the carrier and the wafer. Also,
The heating was performed while adjusting the temperature of the heater block by the temperature sensor 12 installed above the cartridge heater so that the temperature of the portion was maintained at 90 ° C.

【００２９】５０枚のウエハを蒸気乾燥させた後、各々
の表面状態を表面検査装置にて確認し、乾燥前後でのウ
エハ一枚あたりのパーティクル付着数の増加量の平均値
を求めた。結果を表１に示した。After fifty wafers were vapor-dried, the surface condition of each was confirmed by a surface inspection device, and the average value of the increase in the number of particles adhered per wafer before and after drying was determined. The results are shown in Table 1.

【００３０】比較例１ 実施例１においてＩＰＡ蒸気浴槽装置として、図２に示
すよう蒸気浴槽部１ヒーターブロック部６とが一体成形
されておらず、蒸気浴槽部下部に、カートリッジヒータ
ー９が埋設されたアルミニウム製のヒーターブロック６
がボルト７により固着された構造のものを使用する以外
は、該実施例１と同様にしてウエハの蒸気乾燥を実施し
た。結果を表１に示した。Comparative Example 1 In Example 1, as the IPA steam bath apparatus, the steam bath section 1 and the heater block section 6 were not integrally formed as shown in FIG. 2, and a cartridge heater 9 was embedded in the lower portion of the steam bath section. Aluminum heater block 6
Was dried in the same manner as in Example 1 except that a wafer having a structure fixed by bolts 7 was used. The results are shown in Table 1.

【００３１】[0031]

【表１】 [Table 1]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１は、本発明の蒸気浴槽装置の代表的態様を
示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a typical embodiment of the steam bath apparatus of the present invention.

【図２】図２は、従来の蒸気浴槽装置の代表的態様を示
す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing a typical embodiment of a conventional steam bath apparatus.

【図３】図３は、本発明の蒸気浴槽装置の別の態様を示
す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing another embodiment of the steam bath apparatus of the present invention.

【符号の説明】 １；蒸気浴槽部 ２；有機溶剤の貯留域 ３；有機溶剤の蒸気浴 ４；冷却器 ５；被乾燥物 ６；ヒーターブロック ７；ボルト ８；樋 ９；ヒーター １０；回収凝縮液配管 １１；有機溶剤キャニスタ缶 １２；温度センサー １３；ウエハキャリア １４；昇降リフター １５；ヒーター下面側ブロック[Description of Signs] 1; steam bath section 2; storage area for organic solvent 3; steam bath for organic solvent 4; cooler 5; object to be dried 6; heater block 7; Liquid piping 11; Organic solvent canister 12; Temperature sensor 13; Wafer carrier 14; Lifting lifter 15;

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】槽内底部に有機溶剤が貯留される蒸気浴槽
部と該蒸気浴槽部の下部に位置するヒーターブロック部
とからなる蒸気浴槽装置において、槽内底面の全面にヒ
ーターブロックが直接接していることを特徴とする蒸気
浴槽装置。1. A steam bath apparatus comprising a steam bath section in which an organic solvent is stored in a bottom portion of a bath and a heater block portion located below the steam bath portion, wherein the heater block is in direct contact with the entire bottom surface of the bath. A steam bath apparatus characterized by the following. 【請求項２】蒸気浴槽部とヒーターブロック部とが一体
成形されてなる請求項１記載の蒸気浴槽装置。2. The steam bath apparatus according to claim 1, wherein the steam bath section and the heater block are integrally formed.