JPH10284325A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
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- JPH10284325A JPH10284325A JP9093523A JP9352397A JPH10284325A JP H10284325 A JPH10284325 A JP H10284325A JP 9093523 A JP9093523 A JP 9093523A JP 9352397 A JP9352397 A JP 9352397A JP H10284325 A JPH10284325 A JP H10284325A
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- conductive film
- inductance element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高インピーダンス,高インダクタ
ンスをするインダクタンス素子を提供することを目的と
している。 【解決手段】 基台11の上に導電膜12を形成し、導
電膜12及び基台11に溝13を形成し、基台11に設
けられた溝13内に磁性を有する保護材14を入り込ま
せた。
ンスをするインダクタンス素子を提供することを目的と
している。 【解決手段】 基台11の上に導電膜12を形成し、導
電膜12及び基台11に溝13を形成し、基台11に設
けられた溝13内に磁性を有する保護材14を入り込ま
せた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、各種電子回路に
使用される部品に用いられるインダクタ素子に関するも
のである。
使用される部品に用いられるインダクタ素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、部品の小型化によって、各種の電
子部品がチップ化されてきている。
子部品がチップ化されてきている。
【0003】そのなかで、ノイズ部品として特開昭58
−79706号公報の様なものが提案されている。この
様な構成によってノイズ部品を小型化することができ
る。
−79706号公報の様なものが提案されている。この
様な構成によってノイズ部品を小型化することができ
る。
【0004】図16は従来のインダクタンス素子を示す
側面図である。図16において、1は四角柱状の基台、
2は基台の上に形成された導電膜、3は導電膜2に設け
られた溝、4は導電膜2の上に積層された保護材であ
る。このような電子部品は、溝の間隔などを調整するこ
とによって、所定の特性に調整する。
側面図である。図16において、1は四角柱状の基台、
2は基台の上に形成された導電膜、3は導電膜2に設け
られた溝、4は導電膜2の上に積層された保護材であ
る。このような電子部品は、溝の間隔などを調整するこ
とによって、所定の特性に調整する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、高インピーダンス及び高インダクタンスの
製品は作製しにくいという問題点があった。
の構成では、高インピーダンス及び高インダクタンスの
製品は作製しにくいという問題点があった。
【0006】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、高インピーダンス及び高インダクタンスを実現でき
るインダクタンス素子を提供することを目的とする。
で、高インピーダンス及び高インダクタンスを実現でき
るインダクタンス素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、基台の上に形
成された導電膜と、その導電膜及び基台に設けられた溝
と、その溝を覆うように設けられた保護材とを備え、保
護材に磁性をもたせるとともに基台に設けられた溝内に
保護材を設けた構成とした。
成された導電膜と、その導電膜及び基台に設けられた溝
と、その溝を覆うように設けられた保護材とを備え、保
護材に磁性をもたせるとともに基台に設けられた溝内に
保護材を設けた構成とした。
【0008】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、基台
と、前記基台の上に形成された導電膜と、前記導電膜及
び前記基台に設けられた溝と、前記溝を覆うように設け
られた保護材とを備えたインダクタンス素子であって、
保護材に磁性をもたせるとともに基台に設けられた溝内
に前記保護材を設けたことによって、磁性を有する保護
材をより多く素子に設けることができるので、高インピ
ーダンス,高インダクタンスの素子を実現できる。
と、前記基台の上に形成された導電膜と、前記導電膜及
び前記基台に設けられた溝と、前記溝を覆うように設け
られた保護材とを備えたインダクタンス素子であって、
保護材に磁性をもたせるとともに基台に設けられた溝内
に前記保護材を設けたことによって、磁性を有する保護
材をより多く素子に設けることができるので、高インピ
ーダンス,高インダクタンスの素子を実現できる。
【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、保護材の電気抵抗を107cmΩ以上とすることに
よって、保護材に流れる電流を低減させることができる
ので、低周波側の損失を抑えることができる。
て、保護材の電気抵抗を107cmΩ以上とすることに
よって、保護材に流れる電流を低減させることができる
ので、低周波側の損失を抑えることができる。
【0010】請求項3に記載の発明は、請求項1,2に
おいて、樹脂,ガラスの少なくとも1つからなる絶縁材
料と磁性材料を混合した保護材を用いたことによって、
保護材を形成する際の作業性を向上させることができ、
生産性を向上させることができるとともに、特性のばら
つきを抑えることができる。
おいて、樹脂,ガラスの少なくとも1つからなる絶縁材
料と磁性材料を混合した保護材を用いたことによって、
保護材を形成する際の作業性を向上させることができ、
生産性を向上させることができるとともに、特性のばら
つきを抑えることができる。
【0011】請求項4に記載の発明は、請求項3におい
て、磁性材料として酸化物磁性材料を用いたことによっ
て、絶縁性を容易に得ることができる。
て、磁性材料として酸化物磁性材料を用いたことによっ
て、絶縁性を容易に得ることができる。
【0012】請求項5に記載の発明は、請求項4におい
て、酸化物磁性材料としてフェライトを用いたことによ
って、コスト面で有利になり、粉体に加工しやすい。
て、酸化物磁性材料としてフェライトを用いたことによ
って、コスト面で有利になり、粉体に加工しやすい。
【0013】請求項6に記載の発明は請求項3〜5にお
いて、絶縁材料の割合を20重量%以下としたことによ
って、保護材中の磁性材料の密度を高くすることができ
るので、インピーダンス及びインダクタンスの低下を防
止することができる。
いて、絶縁材料の割合を20重量%以下としたことによ
って、保護材中の磁性材料の密度を高くすることができ
るので、インピーダンス及びインダクタンスの低下を防
止することができる。
【0014】請求項7に記載の発明は、請求項3〜6に
おいて、磁性材料の粉砕粒子の平均粒径を0.1〜10
μmとしたことによって、保護材を形成する際の作業性
を向上させることができ、更に、磁気的に飽和して十分
な特性を得ることができないことを防止でき、磁性材料
を溝内に入りやすくすることができる。
おいて、磁性材料の粉砕粒子の平均粒径を0.1〜10
μmとしたことによって、保護材を形成する際の作業性
を向上させることができ、更に、磁気的に飽和して十分
な特性を得ることができないことを防止でき、磁性材料
を溝内に入りやすくすることができる。
【0015】請求項8に記載の発明は、請求項1〜7に
おいて、保護材の内側よりも外側の方が絶縁材料の割合
が多いことによって、保護材の機械的強度を増すことが
できる。
おいて、保護材の内側よりも外側の方が絶縁材料の割合
が多いことによって、保護材の機械的強度を増すことが
できる。
【0016】請求項9に記載の発明は、請求項1〜8に
おいて、保護材の上に更に絶縁性材料層を設けたことに
よって、更に保護材の、特に表面部分の機械的強度を増
すことができる。
おいて、保護材の上に更に絶縁性材料層を設けたことに
よって、更に保護材の、特に表面部分の機械的強度を増
すことができる。
【0017】以下、本発明におけるインダクタンス素子
及び無線端末装置の実施の形態について説明する。
及び無線端末装置の実施の形態について説明する。
【0018】図1,図2は本発明の一実施の形態におけ
るインダクタンス素子を示す斜視図及び側面図である。
るインダクタンス素子を示す斜視図及び側面図である。
【0019】図1において、11は絶縁材料などをプレ
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。13は基台11及び導電膜
12に設けられた溝で、溝13は、レーザ光線等を導電
膜12に照射することによって形成したり、導電膜12
に砥石等を当てて機械的に形成されている。14は基台
11及び導電膜12の溝13を設けた部分に塗布され、
磁性を有した保護材で、保護材14は、基台11に設け
られた溝13内にも入り込んでいる。このように、保護
材14が基台11及び導電膜12それぞれに設けられた
溝13内に入り込む様な構成にしたことによって、磁性
を有する保護材14の塗布量等を多くすることができ、
高インピーダンス,高インダクタンスの素子を得ること
ができる。15,16はそれぞれ端子電極が形成された
端子部で、端子部15と端子部16の間には、溝13及
び保護材14が設けられている。なお、図2は、保護材
14の一部を取り除いた図である。
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。13は基台11及び導電膜
12に設けられた溝で、溝13は、レーザ光線等を導電
膜12に照射することによって形成したり、導電膜12
に砥石等を当てて機械的に形成されている。14は基台
11及び導電膜12の溝13を設けた部分に塗布され、
磁性を有した保護材で、保護材14は、基台11に設け
られた溝13内にも入り込んでいる。このように、保護
材14が基台11及び導電膜12それぞれに設けられた
溝13内に入り込む様な構成にしたことによって、磁性
を有する保護材14の塗布量等を多くすることができ、
高インピーダンス,高インダクタンスの素子を得ること
ができる。15,16はそれぞれ端子電極が形成された
端子部で、端子部15と端子部16の間には、溝13及
び保護材14が設けられている。なお、図2は、保護材
14の一部を取り除いた図である。
【0020】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、インダクタンス素子の長さL1,幅L2,高さL3
は以下の通りとなっていることが好ましい。
は、インダクタンス素子の長さL1,幅L2,高さL3
は以下の通りとなっていることが好ましい。
【0021】L1=0.5〜2.1mm(好ましくは
0.6〜1.0mm) L2=0.2〜1.3mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L3=0.2〜1.3mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L1が0.5mm以下であると、自己共振周波数f0が
下がってしまうとともにQ値が低下してしまい、良好な
特性を得ることができない。また、L1が2.1mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、L2,L3それぞれが0.2mm以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、L2,L3が1.3mm以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。な
お、L4(段落ちの深さ)は5μm〜50μm程度が好
ましく、5μm以下であれば、保護材14の厚さ等を薄
くしなければならず、良好な保護特性等を得ることがで
きない。また、L4が50μmを超えると基台の機械的
強度が弱くなり、やはり素子折れ等が発生することがあ
る。
0.6〜1.0mm) L2=0.2〜1.3mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L3=0.2〜1.3mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L1が0.5mm以下であると、自己共振周波数f0が
下がってしまうとともにQ値が低下してしまい、良好な
特性を得ることができない。また、L1が2.1mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、L2,L3それぞれが0.2mm以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、L2,L3が1.3mm以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。な
お、L4(段落ちの深さ)は5μm〜50μm程度が好
ましく、5μm以下であれば、保護材14の厚さ等を薄
くしなければならず、良好な保護特性等を得ることがで
きない。また、L4が50μmを超えると基台の機械的
強度が弱くなり、やはり素子折れ等が発生することがあ
る。
【0022】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。図3は本発明
の一実施の形態におけるインダクタンス素子に用いられ
る導電膜を形成した基台の断面図、図4(a)、(b)
は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素子に
用いられる基台を示す図である。
について、以下各部の詳細な説明をする。図3は本発明
の一実施の形態におけるインダクタンス素子に用いられ
る導電膜を形成した基台の断面図、図4(a)、(b)
は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素子に
用いられる基台を示す図である。
【0023】まず、基台11の形状について説明する。
基台11は、図3及び図4に示す様に、回路基板等に実
装しやすいように断面が四角形状の中央部11aと中央
部11aの両端に一体に設けられ、しかも断面が四角形
状の端部11b,11cによって構成されている。な
お、端部11b,11c及び中央部11aは断面四角形
状としたが、五角形状や六角形状などの多角形状でも良
い。中央部11aは端部11b,11cから段落ちした
構成となっている。本実施の形態では、端部11b,1
1cの断面形状を略正四角状とすることによって、回路
基板等へのインダクタンス素子を装着性を良好にした。
また、本実施の形態では中央部11aに横向きに溝13
を形成することによって、どのように回路基板等に実装
しても方向性が無いために、取り扱いが容易になる。ま
た、中央部11aには素子部(溝13や保護材14)が
形成されることとなり、端部11b,11cには端子部
15,16が形成される。
基台11は、図3及び図4に示す様に、回路基板等に実
装しやすいように断面が四角形状の中央部11aと中央
部11aの両端に一体に設けられ、しかも断面が四角形
状の端部11b,11cによって構成されている。な
お、端部11b,11c及び中央部11aは断面四角形
状としたが、五角形状や六角形状などの多角形状でも良
い。中央部11aは端部11b,11cから段落ちした
構成となっている。本実施の形態では、端部11b,1
1cの断面形状を略正四角状とすることによって、回路
基板等へのインダクタンス素子を装着性を良好にした。
また、本実施の形態では中央部11aに横向きに溝13
を形成することによって、どのように回路基板等に実装
しても方向性が無いために、取り扱いが容易になる。ま
た、中央部11aには素子部(溝13や保護材14)が
形成されることとなり、端部11b,11cには端子部
15,16が形成される。
【0024】なお、本実施の形態では、中央部11a及
び端部11b,11cをともに略正四角形状としたが、
正五角形状等の正多角形状にしてもよい。さらに、本実
施の形態では、中央部11aと端部11c,11bそれ
ぞれの断面形状を正四角形というように同一にしたが、
異なっても良い。すなわち、端部11b、11cの断面
形状を正多角形状とし、中央部11aの断面形状を他の
多角形状としたり、円形状としても良い。中央部11a
の断面形状を円形とすることによって、良好に溝13を
形成することができる。
び端部11b,11cをともに略正四角形状としたが、
正五角形状等の正多角形状にしてもよい。さらに、本実
施の形態では、中央部11aと端部11c,11bそれ
ぞれの断面形状を正四角形というように同一にしたが、
異なっても良い。すなわち、端部11b、11cの断面
形状を正多角形状とし、中央部11aの断面形状を他の
多角形状としたり、円形状としても良い。中央部11a
の断面形状を円形とすることによって、良好に溝13を
形成することができる。
【0025】さらに、本実施の形態では、中央部11a
を端部11b,11cより段落ちさせることによって、
保護材14を塗布した際に、その保護材14と回路基板
等が接触することなどを防止していたが、特に保護材1
4の厚みや実装される回路基板等の状況(回路基板等の
実装される部分に溝が形成されていたり、回路基板等の
電極部が盛り上がっている等)によって、中央部11a
を段落ちさせなくてもよい。中央部11aを端部11
b,11cから段落ちさせないと、基台11の構造が簡
単になり、生産性が向上し、さらに中央部11aの機械
的強度も向上する。この様に段落ちさせない場合でも、
断面四角形状の四角柱形状としてもよいし、さらに断面
を多角形状とする角柱とすることもできる。
を端部11b,11cより段落ちさせることによって、
保護材14を塗布した際に、その保護材14と回路基板
等が接触することなどを防止していたが、特に保護材1
4の厚みや実装される回路基板等の状況(回路基板等の
実装される部分に溝が形成されていたり、回路基板等の
電極部が盛り上がっている等)によって、中央部11a
を段落ちさせなくてもよい。中央部11aを端部11
b,11cから段落ちさせないと、基台11の構造が簡
単になり、生産性が向上し、さらに中央部11aの機械
的強度も向上する。この様に段落ちさせない場合でも、
断面四角形状の四角柱形状としてもよいし、さらに断面
を多角形状とする角柱とすることもできる。
【0026】また、図4(a)に示す様に基台11の端
部の高さZ1及びZ2は下記の条件を満たすことが好ま
しい。
部の高さZ1及びZ2は下記の条件を満たすことが好ま
しい。
【0027】 |Z1−Z2|≦80μm(好ましくは50μm) Z1とZ2の高さの違いが80μm(好ましくは50μ
m以下)を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図5に示す。図5に示すよ
うに、基板200の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部15,16それぞれと基板200の間に半田20
1,202が設けられているが、リフローなどによって
半田201,202を溶かすと、半田201,202の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田201,202の表面
張力が端子部15と端子部16で異なり、その結果、図
5に示すように一方の端子部(図5の場合は端子部1
5)を中心に回転し、インダクタンス素子が立ち上がっ
てしまう。Z1とZ2の高さの違いが80μm(好まし
くは50μm以下)を超えると、素子が傾いた状態で基
板200に配置されることとなり、素子立ちを促進す
る。また、マンハッタン現象は特に小型軽量のチップ型
の電子部品(チップ型インダクタンス素子を含む)にお
いて顕著に発生し、しかもこのマンハッタン現象の発生
要因の一つとして、端子部15,16の高さの違いによ
って素子が傾いて基板200に配置されることを着目し
た。この結果、Z1とZ2の高さの差を80μm以下
(好ましくは50μm以下)となるように、基台11を
成形などで加工することによって、このマンハッタン現
象の発生を大幅に抑えることができた。Z1とZ2の高
さの差を50μm以下とすることによって、ほぼ、マン
ハッタン現象の発生を抑えることができる。
m以下)を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図5に示す。図5に示すよ
うに、基板200の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部15,16それぞれと基板200の間に半田20
1,202が設けられているが、リフローなどによって
半田201,202を溶かすと、半田201,202の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田201,202の表面
張力が端子部15と端子部16で異なり、その結果、図
5に示すように一方の端子部(図5の場合は端子部1
5)を中心に回転し、インダクタンス素子が立ち上がっ
てしまう。Z1とZ2の高さの違いが80μm(好まし
くは50μm以下)を超えると、素子が傾いた状態で基
板200に配置されることとなり、素子立ちを促進す
る。また、マンハッタン現象は特に小型軽量のチップ型
の電子部品(チップ型インダクタンス素子を含む)にお
いて顕著に発生し、しかもこのマンハッタン現象の発生
要因の一つとして、端子部15,16の高さの違いによ
って素子が傾いて基板200に配置されることを着目し
た。この結果、Z1とZ2の高さの差を80μm以下
(好ましくは50μm以下)となるように、基台11を
成形などで加工することによって、このマンハッタン現
象の発生を大幅に抑えることができた。Z1とZ2の高
さの差を50μm以下とすることによって、ほぼ、マン
ハッタン現象の発生を抑えることができる。
【0028】次に基台11の面取りについて説明する。
図6は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素
子に用いられる基台の斜視図である。図6に示されるよ
うに、基台11の端部11b,11cそれぞれの角部1
1e,11dには面取りが施されており、その面取りし
た角部11e,11dのそれぞれの曲率半径R1及び中
央部11aの角部11fの曲率半径R2は以下の通りに
形成されることが好ましい。
図6は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素
子に用いられる基台の斜視図である。図6に示されるよ
うに、基台11の端部11b,11cそれぞれの角部1
1e,11dには面取りが施されており、その面取りし
た角部11e,11dのそれぞれの曲率半径R1及び中
央部11aの角部11fの曲率半径R2は以下の通りに
形成されることが好ましい。
【0029】0.03<R1<0.15(mm) 0.01<R2(mm) R1が0.03mm以下であると、角部11e,11d
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11e,11dに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
e,11dが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.
01mm以下であると、角部11fにバリなどが発生し
やすく、中央部11a上に形成され、しかも素子の特性
を大きく左右する導電膜12の厚みが角部11fと平坦
な部分で大きく異なることがあり、素子特性のばらつき
が大きくなる。
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11e,11dに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
e,11dが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.
01mm以下であると、角部11fにバリなどが発生し
やすく、中央部11a上に形成され、しかも素子の特性
を大きく左右する導電膜12の厚みが角部11fと平坦
な部分で大きく異なることがあり、素子特性のばらつき
が大きくなる。
【0030】次に基台11の構成材料について説明す
る。基台11の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。
る。基台11の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。
【0031】 体積固有抵抗:1013以上(好ましくは1014以上) 熱膨張係数:5×10-4以下(好ましくは2×10-5以
下)[20℃〜500℃における熱膨張係数] 誘電率:1MHzにおいて12以下(好ましくは10以
下) 曲げ強度:1300kg/cm2以上(好ましくは20
00kg/cm2以上) 密度:2〜5g/cm3(好ましくは3〜4g/cm3) 基台11の構成材料が体積固有抵抗が1013以下である
と、導電膜12とともに基台11にも所定に電流が流れ
始めるので、並列回路が形成された状態となり、自己共
振周波数f0及びQ値が低くなってしまい、高周波用の
素子としては不向きである。
下)[20℃〜500℃における熱膨張係数] 誘電率:1MHzにおいて12以下(好ましくは10以
下) 曲げ強度:1300kg/cm2以上(好ましくは20
00kg/cm2以上) 密度:2〜5g/cm3(好ましくは3〜4g/cm3) 基台11の構成材料が体積固有抵抗が1013以下である
と、導電膜12とともに基台11にも所定に電流が流れ
始めるので、並列回路が形成された状態となり、自己共
振周波数f0及びQ値が低くなってしまい、高周波用の
素子としては不向きである。
【0032】また熱膨張係数が5×10-4以上である
と、基台11にヒートショック等でクラックなどが入る
ことがある。すなわち熱膨張係数が5×10-4以上であ
ると、上述の様に溝13を形成する際にレーザ光線や砥
石等を用いるので、基台11が局部的に高温になり、基
台11にクラックなどが生じることあるが、上述の様な
熱膨張係数を有することによって、大幅にクラック等の
発生を抑止できる。
と、基台11にヒートショック等でクラックなどが入る
ことがある。すなわち熱膨張係数が5×10-4以上であ
ると、上述の様に溝13を形成する際にレーザ光線や砥
石等を用いるので、基台11が局部的に高温になり、基
台11にクラックなどが生じることあるが、上述の様な
熱膨張係数を有することによって、大幅にクラック等の
発生を抑止できる。
【0033】また、誘電率が1MHzにおいて12以上
であると、自己共振周波数f0及びQ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。
であると、自己共振周波数f0及びQ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。
【0034】曲げ強度が1300kg/cm2以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。
【0035】密度が2g/cm3以下であると、基台1
1の吸水率が高くなり、基台11の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が5g/c
m3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上記範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台11への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。
1の吸水率が高くなり、基台11の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が5g/c
m3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上記範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台11への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。
【0036】この様に基台11の体積固有抵抗,熱膨張
係数,誘電率,曲げ強度,密度を規定することによっ
て、自己共振周波数f0及びQ値が低下しないので、高
周波用の素子として用いることができ、ヒートショック
等で基台11にクラック等が発生することを抑制できる
ので、不良率を低減することができ、更には、機械的強
度を向上させることができるので、実装装置などを用い
て回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の
優れた効果を得ることができる。
係数,誘電率,曲げ強度,密度を規定することによっ
て、自己共振周波数f0及びQ値が低下しないので、高
周波用の素子として用いることができ、ヒートショック
等で基台11にクラック等が発生することを抑制できる
ので、不良率を低減することができ、更には、機械的強
度を向上させることができるので、実装装置などを用い
て回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の
優れた効果を得ることができる。
【0037】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台11を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台11の加工時のプレス圧力を2〜5t,焼成温
度を1500〜1600℃,焼成時間1〜3時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Al2O3が92重量%以上,SiO2が6重量
%以下,MgOが1.5重量%以下,Fe2O3が0.1
%以下,Na2Oが0.3重量%以下等が挙げられる。
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台11を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台11の加工時のプレス圧力を2〜5t,焼成温
度を1500〜1600℃,焼成時間1〜3時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Al2O3が92重量%以上,SiO2が6重量
%以下,MgOが1.5重量%以下,Fe2O3が0.1
%以下,Na2Oが0.3重量%以下等が挙げられる。
【0038】なお、ノイズ部品として、インダクタンス
素子を用いる場合には、基台11は磁性材料であること
が好ましい。磁性材料の中でも、特に加工のしやすさ
や、コスト面から考慮すると、フェライト材料が好まし
い。また、磁性材料であって、絶縁性を有する材料が最
も好ましい。これら具体的材料としては、Mn−Znフ
ェライト,Ni−Znフェライトなどの軟質強磁性の少
なくとも1で構成された材料が好ましい。
素子を用いる場合には、基台11は磁性材料であること
が好ましい。磁性材料の中でも、特に加工のしやすさ
や、コスト面から考慮すると、フェライト材料が好まし
い。また、磁性材料であって、絶縁性を有する材料が最
も好ましい。これら具体的材料としては、Mn−Znフ
ェライト,Ni−Znフェライトなどの軟質強磁性の少
なくとも1で構成された材料が好ましい。
【0039】次に基台11の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜12の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜12の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。
【0040】基台11の表面粗さは0.15〜0.5μ
m程度、好ましくは0.2〜0.3μm程度がよい。図
7は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素子
に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示したグ
ラフである。図7は下記に示すような実験の結果であ
る。基台11及び導電膜12はそれぞれアルミナ,銅で
構成し、基台11の表面粗さをいろいろ変えたサンプル
を作製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜12
を形成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、
その後に導電膜12の表面を観察して、導電膜12の剥
がれの有無を測定した。基台11の表面粗さは、表面粗
さ測定器(東京精密サーフコム社製 574A)を用い
て、先端Rが5μmのものを用いた。この結果から判る
ように平均表面粗さが0.15μm以下であると、基台
11の上に形成された導電膜12の剥がれの発生率が5
%程度であり、良好な基台11と導電膜12の接合強度
を得ることができる。更に、表面粗さが0.2μm以上
であれば導電膜12の剥がれがほとんど発生していない
ので、できれば、基台11の表面粗さは0.2μm以上
が好ましい。導電膜12の剥がれは、素子の特性劣化の
大きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は5
%以下が好ましい。
m程度、好ましくは0.2〜0.3μm程度がよい。図
7は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素子
に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示したグ
ラフである。図7は下記に示すような実験の結果であ
る。基台11及び導電膜12はそれぞれアルミナ,銅で
構成し、基台11の表面粗さをいろいろ変えたサンプル
を作製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜12
を形成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、
その後に導電膜12の表面を観察して、導電膜12の剥
がれの有無を測定した。基台11の表面粗さは、表面粗
さ測定器(東京精密サーフコム社製 574A)を用い
て、先端Rが5μmのものを用いた。この結果から判る
ように平均表面粗さが0.15μm以下であると、基台
11の上に形成された導電膜12の剥がれの発生率が5
%程度であり、良好な基台11と導電膜12の接合強度
を得ることができる。更に、表面粗さが0.2μm以上
であれば導電膜12の剥がれがほとんど発生していない
ので、できれば、基台11の表面粗さは0.2μm以上
が好ましい。導電膜12の剥がれは、素子の特性劣化の
大きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は5
%以下が好ましい。
【0041】図8は本発明の一実施の形態におけるイン
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とQ値の関係を示すグラフである。図8は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが0.1μm以
下の基台11と、表面粗さが0.2〜0.3μmの基台
11と、表面粗さが0.5μm以上の基台11のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
(銅)で同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サン
プルにおいて、所定の周波数FにおけるQ値を測定し
た。図8から判るように基台11の表面粗さが0.5μ
m以上であると、導電膜12の膜構造が悪くなることが
原因と考えられるQ値の低下が見られる。特に高周波領
域で顕著にQ値の劣化が見られる。また、自己共振周波
数f0(各線の極大値)も基台11の表面粗さが0.5
μmのものは、低周波側にシフトしている。従ってQ値
の面及び自己共振周波数f0の面から見れば基台11の
表面粗さは0.5μm以下とすることが好ましい。
ダクタンス素子に用いられる基台の表面粗さに対する周
波数とQ値の関係を示すグラフである。図8は以下のよ
うな実験の結果である。まず、表面粗さが0.1μm以
下の基台11と、表面粗さが0.2〜0.3μmの基台
11と、表面粗さが0.5μm以上の基台11のそれぞ
れのサンプルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料
(銅)で同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サン
プルにおいて、所定の周波数FにおけるQ値を測定し
た。図8から判るように基台11の表面粗さが0.5μ
m以上であると、導電膜12の膜構造が悪くなることが
原因と考えられるQ値の低下が見られる。特に高周波領
域で顕著にQ値の劣化が見られる。また、自己共振周波
数f0(各線の極大値)も基台11の表面粗さが0.5
μmのものは、低周波側にシフトしている。従ってQ値
の面及び自己共振周波数f0の面から見れば基台11の
表面粗さは0.5μm以下とすることが好ましい。
【0042】以上の様に、導電膜12と基台11との密
着強度,導電膜のQ値及び自己共振周波数f0の双方の
結果から判断すると、基台11の表面粗さは、0.15
μm〜0.5μmが好ましく、さらに好ましくは0.2
〜0.3μmが良い。
着強度,導電膜のQ値及び自己共振周波数f0の双方の
結果から判断すると、基台11の表面粗さは、0.15
μm〜0.5μmが好ましく、さらに好ましくは0.2
〜0.3μmが良い。
【0043】また、表面粗さは、端部11b,11cと
中央部11aでは、平均表面粗さを異ならせた方が好ま
しい。すなわち、平均表面粗さ0.15〜0.5μmの
範囲内で端部11b,11cの平均表面粗さを中央部1
1aの平均表面粗さよりも小さくすることが好ましい。
端部11b,11cは導電膜12を積層することによっ
て上述の様に端子部15,16が構成されるので、端部
11b,11cの表面粗さを中央部11aより小さくす
ることによって、端部11b,11c上に形成される導
電膜12の表面粗さを小さくできるので、回路基板等の
電極との密着性を向上させることができ、確実な回路基
板等とインダクタンス素子の接合をおこなうことができ
る。また、中央部11aには導電膜12を積層し溝13
を形成するので、溝13をレーザ等で形成する際に導電
膜12が基台11からはがれ落ちないように導電膜12
と基台11の密着強度を向上させなければないので、端
部11b,11cよりも中央部11aの表面粗さを大き
くした方が好ましい。特にレーザで溝13を形成する場
合、レーザが照射された部分は他の部分よりも急激に温
度が上昇し、ヒートショック等で導電膜12が剥がれる
ことがある。従って、レーザで溝13を形成する場合に
は導電膜12と基台11の接合密度を他の部分よりも向
上させることが必要である。
中央部11aでは、平均表面粗さを異ならせた方が好ま
しい。すなわち、平均表面粗さ0.15〜0.5μmの
範囲内で端部11b,11cの平均表面粗さを中央部1
1aの平均表面粗さよりも小さくすることが好ましい。
端部11b,11cは導電膜12を積層することによっ
て上述の様に端子部15,16が構成されるので、端部
11b,11cの表面粗さを中央部11aより小さくす
ることによって、端部11b,11c上に形成される導
電膜12の表面粗さを小さくできるので、回路基板等の
電極との密着性を向上させることができ、確実な回路基
板等とインダクタンス素子の接合をおこなうことができ
る。また、中央部11aには導電膜12を積層し溝13
を形成するので、溝13をレーザ等で形成する際に導電
膜12が基台11からはがれ落ちないように導電膜12
と基台11の密着強度を向上させなければないので、端
部11b,11cよりも中央部11aの表面粗さを大き
くした方が好ましい。特にレーザで溝13を形成する場
合、レーザが照射された部分は他の部分よりも急激に温
度が上昇し、ヒートショック等で導電膜12が剥がれる
ことがある。従って、レーザで溝13を形成する場合に
は導電膜12と基台11の接合密度を他の部分よりも向
上させることが必要である。
【0044】この様に中央部11aと端部11b,11
cとの表面粗さを異ならせることによって、回路基板等
との密着性及び溝13の加工の際の導電膜12のはがれ
を防止することができる。
cとの表面粗さを異ならせることによって、回路基板等
との密着性及び溝13の加工の際の導電膜12のはがれ
を防止することができる。
【0045】なお、本実施の形態では、導電膜12と基
台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台11と導電膜1
2の間にCr単体またはCrと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜12と基台11の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台11の表面粗
さを調整し、その上その基台11の上に中間層及び導電
膜12を積層する場合では、より強力な導電膜12と基
台11の密着強度を得ることができる。
台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台11と導電膜1
2の間にCr単体またはCrと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜12と基台11の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台11の表面粗
さを調整し、その上その基台11の上に中間層及び導電
膜12を積層する場合では、より強力な導電膜12と基
台11の密着強度を得ることができる。
【0046】次に導電膜12について説明する。導電膜
12としては、50nH以下の微少インダクタンスを有
し、しかも800MHz以上の高周波信号に対してQ値
が30以上のものが好ましい。この様な特性の導電膜1
2を得るためには、材料及び製法等を選択しなければな
らない。
12としては、50nH以下の微少インダクタンスを有
し、しかも800MHz以上の高周波信号に対してQ値
が30以上のものが好ましい。この様な特性の導電膜1
2を得るためには、材料及び製法等を選択しなければな
らない。
【0047】以下具体的に導電膜12について説明す
る。導電膜12の構成材料としては、銅,銀,金,ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,銀,金,ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜12の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台11上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜12が形成される。更に、合金等で導電
膜12を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。また、構成材料に銅及びそ
の合金を用いた場合導電膜12の形成厚みは15μm以
上が好ましい。厚みが15μmより薄いと、導電膜12
のQ値が小さくなり所定の特性を得ることができにく
い。図9は本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の膜圧と、Q値の関係を示す
グラフである。導電膜12の構成材料としては銅を用
い、基台11の材料及び表面粗さ等は、同じ条件にし、
その基台11の上に形成する導電膜12の厚さを変化さ
せ、それぞれの場合におけるQ値を測定した。図9から
判るように導電膜12の厚さが15μm以上であると、
Q値は30を超えている。また、導電膜12の膜厚は1
5μm以上の領域では、Q値はあまり向上せず、又、コ
スト面や不良率の低減のために導電膜12の膜厚は35
μm以下とすることが好ましい。なお、導電膜12の膜
厚は21μm以上が更に好ましい。
る。導電膜12の構成材料としては、銅,銀,金,ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,銀,金,ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜12の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台11上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜12が形成される。更に、合金等で導電
膜12を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。また、構成材料に銅及びそ
の合金を用いた場合導電膜12の形成厚みは15μm以
上が好ましい。厚みが15μmより薄いと、導電膜12
のQ値が小さくなり所定の特性を得ることができにく
い。図9は本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の膜圧と、Q値の関係を示す
グラフである。導電膜12の構成材料としては銅を用
い、基台11の材料及び表面粗さ等は、同じ条件にし、
その基台11の上に形成する導電膜12の厚さを変化さ
せ、それぞれの場合におけるQ値を測定した。図9から
判るように導電膜12の厚さが15μm以上であると、
Q値は30を超えている。また、導電膜12の膜厚は1
5μm以上の領域では、Q値はあまり向上せず、又、コ
スト面や不良率の低減のために導電膜12の膜厚は35
μm以下とすることが好ましい。なお、導電膜12の膜
厚は21μm以上が更に好ましい。
【0048】導電膜12は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台11の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台11の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。
【0049】導電膜12の形成方法としては、メッキ法
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
【0050】導電膜12の表面粗さは1μm以下が好ま
しく、更に好ましくは0.2μm以下が好ましい。導電
膜12の表面粗さが1μmを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのQ値が低下する。図10は本発明の一実施
の形態におけるインダクタンス素子に用いられる導電膜
の表面粗さに対する周波数とQ値の関係を示すグラフで
ある。図10は下記の様な実験を通して導き出された。
まず、同じ大きさ同じ材料同じ表面粗さで構成された基
台11の上に銅を構成材料とする導電膜12の表面粗さ
を変えて形成し、それぞれのサンプルにて各周波数にお
けるQ値を測定した。図10から判るように、導電膜1
2の表面粗さが1μm以上であれば高周波領域における
Q値が低くなっていることが判る。更に導電膜12の表
面粗さが0.2μm以下であれば特に高周波領域におけ
るQ値が、非常に高くなっていることがわかる。
しく、更に好ましくは0.2μm以下が好ましい。導電
膜12の表面粗さが1μmを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのQ値が低下する。図10は本発明の一実施
の形態におけるインダクタンス素子に用いられる導電膜
の表面粗さに対する周波数とQ値の関係を示すグラフで
ある。図10は下記の様な実験を通して導き出された。
まず、同じ大きさ同じ材料同じ表面粗さで構成された基
台11の上に銅を構成材料とする導電膜12の表面粗さ
を変えて形成し、それぞれのサンプルにて各周波数にお
けるQ値を測定した。図10から判るように、導電膜1
2の表面粗さが1μm以上であれば高周波領域における
Q値が低くなっていることが判る。更に導電膜12の表
面粗さが0.2μm以下であれば特に高周波領域におけ
るQ値が、非常に高くなっていることがわかる。
【0051】以上の様に導電膜12の表面粗さは、1.
0μm以下が良く、更に好ましくは、0.2μm以下と
することによって、導電膜12の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるQ値を向上させる事が
できる。
0μm以下が良く、更に好ましくは、0.2μm以下と
することによって、導電膜12の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるQ値を向上させる事が
できる。
【0052】更に導電膜12と基台11の密着強度は、
導電膜12を形成した基台11を400℃の温度下に数
秒間放置した後に基台11から導電膜12がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に200℃以上の温度が加わること
がある。従って、400℃で基台11からの導電膜12
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。
導電膜12を形成した基台11を400℃の温度下に数
秒間放置した後に基台11から導電膜12がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に200℃以上の温度が加わること
がある。従って、400℃で基台11からの導電膜12
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。
【0053】次に保護材14について説明する。保護材
14としては、耐候性に優れ、絶縁性を示す有機材料、
例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料が用いられ
る。また、保護材14としては、溝13の状況等が観測
できるような透明度を有する事が好ましい。保護材14
に透明度のある材質を用いると、保護材14を形成した
後でも、溝13の形状や、溝13の巻数及び溝13周辺
の導電膜12の剥がれ等を観測することができ、不良品
の発見に大きく寄与する。特に、溝13周辺の導電膜1
2の剥がれは、時間の経過とともに特性劣化を引き起こ
す原因となることがあり、この導電膜の剥がれを出荷前
に判ることは非常に有用である。更に保護材14には透
明度を有したまま、所定の色を有することが好ましい。
保護材14に赤,青,緑などの、導電膜12や端子部1
5,16等と異なる色を着色する事によって、素子各部
の区別(端子部と溝が形成してある部分)をする事がで
き、素子各部の検査などが容易に行える。特に端子部1
5,16に不具合な部分(電極膜などの剥がれ)が発生
していると、リフローなどの処理の際に、うまく基板に
素子が付かないことが生じたりすることがある。また、
素子の大きさ,溝13の幅,導電膜12の種類及び厚
さ,基台11の材質の内少なくとも一つで保護材14の
色を変えることによって、特性や品番等の異なる素子を
誤った部分に取り付けるなどのミスを低減させることが
できる。また、完成品の選別を容易に行うことができる
ので、生産性が向上する。また、保護材14の色を電子
機器の種類等によって、異ならせることによって、同一
の電子機器において、保護材14が同じ色のインダクタ
ンス素子を用いるようにすることによって、誤った部品
が基板に実装されることなどを防止することができる。
14としては、耐候性に優れ、絶縁性を示す有機材料、
例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料が用いられ
る。また、保護材14としては、溝13の状況等が観測
できるような透明度を有する事が好ましい。保護材14
に透明度のある材質を用いると、保護材14を形成した
後でも、溝13の形状や、溝13の巻数及び溝13周辺
の導電膜12の剥がれ等を観測することができ、不良品
の発見に大きく寄与する。特に、溝13周辺の導電膜1
2の剥がれは、時間の経過とともに特性劣化を引き起こ
す原因となることがあり、この導電膜の剥がれを出荷前
に判ることは非常に有用である。更に保護材14には透
明度を有したまま、所定の色を有することが好ましい。
保護材14に赤,青,緑などの、導電膜12や端子部1
5,16等と異なる色を着色する事によって、素子各部
の区別(端子部と溝が形成してある部分)をする事がで
き、素子各部の検査などが容易に行える。特に端子部1
5,16に不具合な部分(電極膜などの剥がれ)が発生
していると、リフローなどの処理の際に、うまく基板に
素子が付かないことが生じたりすることがある。また、
素子の大きさ,溝13の幅,導電膜12の種類及び厚
さ,基台11の材質の内少なくとも一つで保護材14の
色を変えることによって、特性や品番等の異なる素子を
誤った部分に取り付けるなどのミスを低減させることが
できる。また、完成品の選別を容易に行うことができる
ので、生産性が向上する。また、保護材14の色を電子
機器の種類等によって、異ならせることによって、同一
の電子機器において、保護材14が同じ色のインダクタ
ンス素子を用いるようにすることによって、誤った部品
が基板に実装されることなどを防止することができる。
【0054】従って、保護材14は、端子部15,16
が露出するように設け、特性などに応じて色を付けて、
しかも透明度を持たせることによって、インダクタンス
素子の種類の判定が容易に行え、しかも端子部15,1
6を容易に検査することができ(溝13が形成されてい
る部分を保護材で覆っているから)しかも溝13の状態
なども容易に観測することができるので、工程管理が非
常に簡単になり、生産性が向上する。一方従来の抵抗器
のように、素子全体を覆う様に不透明な樹脂を等を設け
る構成では、不透明な樹脂を塗布した後、端子部は露出
しておらず、端子部の観測はできないので、不良品の発
見はできず、しかもレーザや砥石等で形成された溝13
の周辺部の導電膜の剥がれ等も発見できないので、不良
品の発見は非常に困難である。
が露出するように設け、特性などに応じて色を付けて、
しかも透明度を持たせることによって、インダクタンス
素子の種類の判定が容易に行え、しかも端子部15,1
6を容易に検査することができ(溝13が形成されてい
る部分を保護材で覆っているから)しかも溝13の状態
なども容易に観測することができるので、工程管理が非
常に簡単になり、生産性が向上する。一方従来の抵抗器
のように、素子全体を覆う様に不透明な樹脂を等を設け
る構成では、不透明な樹脂を塗布した後、端子部は露出
しておらず、端子部の観測はできないので、不良品の発
見はできず、しかもレーザや砥石等で形成された溝13
の周辺部の導電膜の剥がれ等も発見できないので、不良
品の発見は非常に困難である。
【0055】また、保護材14は、図11に示すように
溝13の角部13aと保護材14の表面までの長さZ1
が5μm以上となるように塗布することが好ましい。Z
1が5μmより小さいと特性劣化や放電などが発生し易
くなり素子の特性が大幅に劣化することが考えられる。
また、溝13の角部13aは特に放電などが発生しやす
い部分であり、この角部13a上に厚さ5μm以上の保
護材14が形成されることが非常に好ましい。また、保
護材14を形成した後に再びメッキを施して電極膜等を
形成することがあるが、角部13a上に5μm以上の保
護材14が形成されていないと、電極膜等が付着すると
不具合が生じる保護材14上に電極膜等が形成されるこ
とになり、特性の劣化が生じる。
溝13の角部13aと保護材14の表面までの長さZ1
が5μm以上となるように塗布することが好ましい。Z
1が5μmより小さいと特性劣化や放電などが発生し易
くなり素子の特性が大幅に劣化することが考えられる。
また、溝13の角部13aは特に放電などが発生しやす
い部分であり、この角部13a上に厚さ5μm以上の保
護材14が形成されることが非常に好ましい。また、保
護材14を形成した後に再びメッキを施して電極膜等を
形成することがあるが、角部13a上に5μm以上の保
護材14が形成されていないと、電極膜等が付着すると
不具合が生じる保護材14上に電極膜等が形成されるこ
とになり、特性の劣化が生じる。
【0056】更に、保護材14に磁性をもたせることに
よって、ノイズ部品として特に有用に機能させることが
できる。なお、この時保護材14の電気抵抗は107c
mΩ以上とする事によって、保護材14に流れる電流を
低減でき、特性劣化を防止することができる。また、保
護材14の構成材料としては、エポキシ樹脂,液晶ポリ
マー,プラスチック等の樹脂材料や、ガラス材料等から
構成される絶縁材料と、磁性材料の粉体とを混合したも
のが用いられる。磁性材料としては、粉体に加工しやす
く、絶縁性が高い酸化物磁性材料が好適に用いられ、特
にMn−Znフェライト,Ni−Znフェライトなどの
軟質強磁性の材料を用いることが好ましい。この時、絶
縁材料と磁性材料の混合割合は、絶縁材料を20重量%
以下で、磁性材料は80重量%以上が好ましい。更に、
磁性材料の粉砕粒子の平均粒径は0.1〜10μmとし
た方が好ましい。平均粒径が0.1μm以下であると、
磁性材料が飽和してしまい所望の特性を得ることができ
ず、平均粒径が10μm以上であると、基台11に設け
られた溝13内に入り込みにくい。
よって、ノイズ部品として特に有用に機能させることが
できる。なお、この時保護材14の電気抵抗は107c
mΩ以上とする事によって、保護材14に流れる電流を
低減でき、特性劣化を防止することができる。また、保
護材14の構成材料としては、エポキシ樹脂,液晶ポリ
マー,プラスチック等の樹脂材料や、ガラス材料等から
構成される絶縁材料と、磁性材料の粉体とを混合したも
のが用いられる。磁性材料としては、粉体に加工しやす
く、絶縁性が高い酸化物磁性材料が好適に用いられ、特
にMn−Znフェライト,Ni−Znフェライトなどの
軟質強磁性の材料を用いることが好ましい。この時、絶
縁材料と磁性材料の混合割合は、絶縁材料を20重量%
以下で、磁性材料は80重量%以上が好ましい。更に、
磁性材料の粉砕粒子の平均粒径は0.1〜10μmとし
た方が好ましい。平均粒径が0.1μm以下であると、
磁性材料が飽和してしまい所望の特性を得ることができ
ず、平均粒径が10μm以上であると、基台11に設け
られた溝13内に入り込みにくい。
【0057】図12は本発明の一実施の形態におけるイ
ンダクタンス素子に用いられる保護材が溝にある時とな
い時の周波数とインピーダンスの関係を示すグラフであ
る。
ンダクタンス素子に用いられる保護材が溝にある時とな
い時の周波数とインピーダンスの関係を示すグラフであ
る。
【0058】図12のグラフからわかるように、溝13
内に保護材14を設けた方が設けないときと比べてイン
ピーダンスが高いことがわかる。この様に、本実施の形
態では、導電膜12に設けた溝13に加えて、基台11
に設けられた溝13内に磁性を有する保護材14を設け
る構成としたことによって、高インピーダンスの素子を
形成できる。また、保護材14が基台11に設けられた
溝13内に入り込む構成となるので、基台11と保護材
14の接合強度を向上させることもできる。また、溝1
3の深さを調整することによって、溝13内に入り込む
保護材14の量を調整できるので、インピーダンスのあ
る程度の調整も行うことができる。また、溝13内に入
り込む保護材14には気泡などが入り込まないようにす
ることが好ましい。
内に保護材14を設けた方が設けないときと比べてイン
ピーダンスが高いことがわかる。この様に、本実施の形
態では、導電膜12に設けた溝13に加えて、基台11
に設けられた溝13内に磁性を有する保護材14を設け
る構成としたことによって、高インピーダンスの素子を
形成できる。また、保護材14が基台11に設けられた
溝13内に入り込む構成となるので、基台11と保護材
14の接合強度を向上させることもできる。また、溝1
3の深さを調整することによって、溝13内に入り込む
保護材14の量を調整できるので、インピーダンスのあ
る程度の調整も行うことができる。また、溝13内に入
り込む保護材14には気泡などが入り込まないようにす
ることが好ましい。
【0059】更に、保護材14の機械的強度(特に他の
部品などと接触したりする表面部分の機械的強度)を向
上させるために、保護材14の表面部分には、他の部分
よりも絶縁材料の含有割合を多くすることが好ましい。
更に、保護材14の機械的強度を向上させるためには、
保護材14の上に更にガラスや樹脂等の保護部材を設け
ることもできる。
部品などと接触したりする表面部分の機械的強度)を向
上させるために、保護材14の表面部分には、他の部分
よりも絶縁材料の含有割合を多くすることが好ましい。
更に、保護材14の機械的強度を向上させるためには、
保護材14の上に更にガラスや樹脂等の保護部材を設け
ることもできる。
【0060】次に端子部15,16について説明する。
端子部15,16は、導電膜12のみでも十分に機能す
るが、様々な環境条件等に順応させるために、多層構造
とすることが好ましい。
端子部15,16は、導電膜12のみでも十分に機能す
るが、様々な環境条件等に順応させるために、多層構造
とすることが好ましい。
【0061】図13は本発明の一実施の形態におけるイ
ンダクタンス素子の端子部の断面図である。図13にお
いて、基台11の端部11bの上に導電膜12が形成さ
れており、しかも導電膜12の上には耐候性を有するニ
ッケル,チタン等の材料で構成される保護層300が形
成されており、更に保護層300の上には半田等で構成
された接合層301が形成されている。保護層300は
接合層と導電膜12の接合強度を向上させるとともに、
導電膜の耐候性を向上させることができる。本実施の形
態では、保護層300の構成材料として、ニッケルかニ
ッケル合金の少なくとも一方とし、接合層301の構成
材料としては半田を用いた。保護層300(ニッケル)
の厚みは2〜7μmが好ましく、2μmを下回ると耐候
性が悪くなり、7μmを上回ると保護層300(ニッケ
ル)自体の電気抵抗が高くなり、素子特性が大きく劣化
する。また、接合層301(半田)の厚みは5μm〜1
0μm程度が好ましく、5μmを下回ると半田食われ現
象が発生して素子と回路基板等との良好な接合が期待で
きず、10μmを上回るとマンハッタン現象が発生し易
くなり、実装性が非常に悪くなる。
ンダクタンス素子の端子部の断面図である。図13にお
いて、基台11の端部11bの上に導電膜12が形成さ
れており、しかも導電膜12の上には耐候性を有するニ
ッケル,チタン等の材料で構成される保護層300が形
成されており、更に保護層300の上には半田等で構成
された接合層301が形成されている。保護層300は
接合層と導電膜12の接合強度を向上させるとともに、
導電膜の耐候性を向上させることができる。本実施の形
態では、保護層300の構成材料として、ニッケルかニ
ッケル合金の少なくとも一方とし、接合層301の構成
材料としては半田を用いた。保護層300(ニッケル)
の厚みは2〜7μmが好ましく、2μmを下回ると耐候
性が悪くなり、7μmを上回ると保護層300(ニッケ
ル)自体の電気抵抗が高くなり、素子特性が大きく劣化
する。また、接合層301(半田)の厚みは5μm〜1
0μm程度が好ましく、5μmを下回ると半田食われ現
象が発生して素子と回路基板等との良好な接合が期待で
きず、10μmを上回るとマンハッタン現象が発生し易
くなり、実装性が非常に悪くなる。
【0062】以上の様に構成されたインダクタンス素子
は、特性劣化が無く、しかも,実装性及び生産性が非常
によい。
は、特性劣化が無く、しかも,実装性及び生産性が非常
によい。
【0063】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。
について、以下その製造方法について説明する。
【0064】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台11を作製する。次にその
基台11全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜12を形成する。次に導電膜12を形成した基
台11にスパイラル状の溝13を形成する。溝13はレ
ーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台11を回転装置に取り付け、基台
11を回転させ、そして基台11の中央部11aにレー
ザを照射して導電膜12及び基台11の双方を取り除
き、スパイラル状の溝を形成する。このときのレーザ
は、エキシマレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いること
ができ、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによっ
て、基台11の中央部11aに照射する。更に、溝13
の深さ等は、レーザのパワーを調整し、溝13の幅等
は、レーザ光を絞り込む際のレンズを交換することによ
って行える。また、導電膜12の構成材料等によって、
レーザの吸収率が異なるので、レーザの種類(レーザの
波長)は、導電膜12の構成材料によって、適宜選択す
ることが好ましい。
や押し出し法によって、基台11を作製する。次にその
基台11全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜12を形成する。次に導電膜12を形成した基
台11にスパイラル状の溝13を形成する。溝13はレ
ーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台11を回転装置に取り付け、基台
11を回転させ、そして基台11の中央部11aにレー
ザを照射して導電膜12及び基台11の双方を取り除
き、スパイラル状の溝を形成する。このときのレーザ
は、エキシマレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いること
ができ、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによっ
て、基台11の中央部11aに照射する。更に、溝13
の深さ等は、レーザのパワーを調整し、溝13の幅等
は、レーザ光を絞り込む際のレンズを交換することによ
って行える。また、導電膜12の構成材料等によって、
レーザの吸収率が異なるので、レーザの種類(レーザの
波長)は、導電膜12の構成材料によって、適宜選択す
ることが好ましい。
【0065】溝13を形成した後に、溝13を形成した
部分(中央部11a)に保護材14を塗布し、乾燥させ
る。この時、保護材14には素子のインダクタンス値,
素子の対応周波数,素子の大きさ,溝の幅,導電膜の種
類及び厚さ,基台の材質の内少なくとも一つの違いによ
って、その色を異ならせることによって、上述で説明し
たように、素子選別などの管理が非常にし易くなり、生
産性が向上する。
部分(中央部11a)に保護材14を塗布し、乾燥させ
る。この時、保護材14には素子のインダクタンス値,
素子の対応周波数,素子の大きさ,溝の幅,導電膜の種
類及び厚さ,基台の材質の内少なくとも一つの違いによ
って、その色を異ならせることによって、上述で説明し
たように、素子選別などの管理が非常にし易くなり、生
産性が向上する。
【0066】この時点でも、製品は完成するが、特に端
子部15,16にニッケル層や半田層を積層して、耐候
性や接合性を向上させることもある。ニッケル層や半田
層は、メッキ法等によって保護材14を形成した半完成
品に形成する。
子部15,16にニッケル層や半田層を積層して、耐候
性や接合性を向上させることもある。ニッケル層や半田
層は、メッキ法等によって保護材14を形成した半完成
品に形成する。
【0067】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。
【0068】図14及び図15は本発明の一実施の形態
における無線端末装置を示す斜視図及びブロック図であ
る。図14及び図15において、29は音声を音声信号
に変換するマイク、30は音声信号を音声に変換するス
ピーカー、31はダイヤルボタン等から構成される操作
部、32は着信等を表示する表示部、33はアンテナ、
34はマイク29からの音声信号を復調して送信信号に
変換する送信部で、送信部34で作製された送信信号
は、アンテナを通して外部に放出される。35はアンテ
ナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信部で、
受信部35で作成された音声信号はスピーカ30にて音
声に変換される。36は送信部34,受信部35,操作
部31,表示部32を制御する制御部である。
における無線端末装置を示す斜視図及びブロック図であ
る。図14及び図15において、29は音声を音声信号
に変換するマイク、30は音声信号を音声に変換するス
ピーカー、31はダイヤルボタン等から構成される操作
部、32は着信等を表示する表示部、33はアンテナ、
34はマイク29からの音声信号を復調して送信信号に
変換する送信部で、送信部34で作製された送信信号
は、アンテナを通して外部に放出される。35はアンテ
ナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信部で、
受信部35で作成された音声信号はスピーカ30にて音
声に変換される。36は送信部34,受信部35,操作
部31,表示部32を制御する制御部である。
【0069】以下その動作の一例について説明する。先
ず、着信があった場合には、受信部35から制御部36
に着信信号を送出し、制御部36は、その着信信号に基
づいて、表示部32に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部31から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部36に送出されて、制御部36は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ33で受信
した信号は、受信部35で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー30から音声として出力されると共に、
マイク29から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部34を介し、アンテナ33を通して外部に送
出される。
ず、着信があった場合には、受信部35から制御部36
に着信信号を送出し、制御部36は、その着信信号に基
づいて、表示部32に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部31から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部36に送出されて、制御部36は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ33で受信
した信号は、受信部35で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー30から音声として出力されると共に、
マイク29から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部34を介し、アンテナ33を通して外部に送
出される。
【0070】次に、発信する場合について説明する。ま
ず、発信する場合には、操作部31から発信する旨の信
号が、制御部36に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部31から制御部36に送られてくる
と、制御部36は送信部34を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ33から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ33を介し受信部35を通して制御部36に
送られると、制御部36は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ33で受信した信号は、受信部35で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー30から音
声として出力されると共に、マイク29から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部34を介し、アン
テナ33を通して外部に送出される。
ず、発信する場合には、操作部31から発信する旨の信
号が、制御部36に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部31から制御部36に送られてくる
と、制御部36は送信部34を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ33から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ33を介し受信部35を通して制御部36に
送られると、制御部36は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ33で受信した信号は、受信部35で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー30から音
声として出力されると共に、マイク29から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部34を介し、アン
テナ33を通して外部に送出される。
【0071】上記で説明したインダクタンス素子(図1
〜図13に示すもの)は、送信部34や受信部35の中
のフィルタ回路やマッチング回路などに用いられてお
り、その数は、一つの無線端末装置に数個〜40個程度
用いられている。上述の様な構成のインダクタンス素子
を用いることによって、良好なノイズ除去特性を得るこ
とができるので、装置の誤動作の防止等の発生を抑制で
きる。
〜図13に示すもの)は、送信部34や受信部35の中
のフィルタ回路やマッチング回路などに用いられてお
り、その数は、一つの無線端末装置に数個〜40個程度
用いられている。上述の様な構成のインダクタンス素子
を用いることによって、良好なノイズ除去特性を得るこ
とができるので、装置の誤動作の防止等の発生を抑制で
きる。
【0072】なお、ノイズ部品としてインダクタンス素
子を用いた場合は、パーソナルコンピュータ、ワープ
ロ、通信機器、デジタルTV、VTR等の機器のクロッ
クラインや高速バスラインや高速アナログラインなどの
ノイズ対策部品として使用される。さらに、電源回路の
ノイズ対策部品としても使用される。
子を用いた場合は、パーソナルコンピュータ、ワープ
ロ、通信機器、デジタルTV、VTR等の機器のクロッ
クラインや高速バスラインや高速アナログラインなどの
ノイズ対策部品として使用される。さらに、電源回路の
ノイズ対策部品としても使用される。
【0073】
【発明の効果】本発明は、基台に設けられた溝内に磁性
を有する保護材を設けたことによって、保護材の塗布量
を多くすることができるので、高インピーダンス,高イ
ンダクタンスの素子を得ることができる。
を有する保護材を設けたことによって、保護材の塗布量
を多くすることができるので、高インピーダンス,高イ
ンダクタンスの素子を得ることができる。
【図1】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す斜視図
素子を示す斜視図
【図2】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図
素子を示す側面図
【図3】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜を形成した基台の断面図
素子に用いられる導電膜を形成した基台の断面図
【図4】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台を示す図
素子に用いられる基台を示す図
【図5】マンハッタン現象を示す側面図
【図6】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の斜視図
素子に用いられる基台の斜視図
【図7】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示し
たグラフ
素子に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示し
たグラフ
【図8】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とQ値
の関係を示すグラフ
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とQ値
の関係を示すグラフ
【図9】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜の膜圧と、Q値の関係を示すグ
ラフ
素子に用いられる導電膜の膜圧と、Q値の関係を示すグ
ラフ
【図10】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数と
Q値の関係を示すグラフ
ス素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数と
Q値の関係を示すグラフ
【図11】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の保護材を設けた部分の側面図
ス素子の保護材を設けた部分の側面図
【図12】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる保護材が溝にある時とない時の周波
数とインピーダンスの関係を示すグラフ
ス素子に用いられる保護材が溝にある時とない時の周波
数とインピーダンスの関係を示すグラフ
【図13】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の端子部の断面図
ス素子の端子部の断面図
【図14】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図
を示す斜視図
【図15】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図
を示すブロック図
【図16】従来のインダクタンス素子を示す側面図
11 基台 11a 中央部 11b,11c 端部 11d,11e,11f 角部 12 導電膜 13 溝 14 保護材 15,16 端子部 30 スピーカー 31 操作部 32 表示部 33 アンテナ 34 送信部 35 受信部 36 制御部
Claims (9)
- 【請求項1】基台と、前記基台の上に形成された導電膜
と、前記導電膜及び前記基台に設けられた溝と、前記溝
を覆うように設けられた保護材とを備えたインダクタン
ス素子であって、保護材に磁性をもたせるとともに基台
に設けられた溝内に前記保護材を設けたことを特徴とす
るインダクタンス素子。 - 【請求項2】保護材の電気抵抗を107cmΩ以上とし
たことを特徴とする請求項1記載のインダクタンス素
子。 - 【請求項3】樹脂,ガラスの少なくとも1つからなる絶
縁材料と磁性材料を混合した保護材を用いたことを特徴
とする請求項1,2いずれか1記載のインダクタンス素
子。 - 【請求項4】磁性材料として酸化物磁性材料を用いたこ
とを特徴とする請求項3記載のインダクタンス素子。 - 【請求項5】酸化物磁性材料としてフェライトを用いた
ことを特徴とする請求項4記載のインダクタンス素子。 - 【請求項6】絶縁材料の割合を20重量%以下としたこ
とを特徴とする請求項3〜5いずれか1記載のインダク
タンス素子。 - 【請求項7】磁性材料の粉砕粒子の平均粒径を0.1〜
10μmとしたことを特徴とする請求項3〜6いずれか
1記載のインダクタンス素子。 - 【請求項8】保護材の内側よりも外側の方が絶縁材料の
割合が多いことを特徴とする請求項1〜7いずれか1記
載のインダクタンス素子。 - 【請求項9】保護材の上に更に絶縁性材料層を設けたこ
とを特徴とする請求項1〜8記載のインダクタンス素
子。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
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