JPH10283771A - マイクロ磁気コアメモリー - Google Patents
マイクロ磁気コアメモリーInfo
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- JPH10283771A JPH10283771A JP9126204A JP12620497A JPH10283771A JP H10283771 A JPH10283771 A JP H10283771A JP 9126204 A JP9126204 A JP 9126204A JP 12620497 A JP12620497 A JP 12620497A JP H10283771 A JPH10283771 A JP H10283771A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- magnetic core
- reading
- sensor
- polarity
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06085—Multi-aperture structures or multi-magnetic closed circuits, each aperture storing a "bit", realised by rods, plates, grids, waffle-irons,(i.e. grooved plates) or similar devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メモリーの出入力が高速で、高集積化が容易
であり、大容量の記憶装置を安価に製造でき、電源の供
給が途切れてもメモリーを失うことがないマイクロ磁気
コアメモリーを提供することができる。 【解決手段】 磁気コア１の外周部にこれを磁化するコ
イル３を巻回する。磁気コア１に近接してその磁化の極
性を検知するセンサーを配置する。コイル３に書込み行
ライン３１および書込み列ライン３２を接続する。セン
サー２に読取り行ライン２１および読取り列ライン２２
を接続する。
であり、大容量の記憶装置を安価に製造でき、電源の供
給が途切れてもメモリーを失うことがないマイクロ磁気
コアメモリーを提供することができる。 【解決手段】 磁気コア１の外周部にこれを磁化するコ
イル３を巻回する。磁気コア１に近接してその磁化の極
性を検知するセンサーを配置する。コイル３に書込み行
ライン３１および書込み列ライン３２を接続する。セン
サー２に読取り行ライン２１および読取り列ライン２２
を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン等の半導
体基板上に形成するメモリーセルおよびメモリーの出入
力方法に関するものである。
体基板上に形成するメモリーセルおよびメモリーの出入
力方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、インターネットの爆発的な拡大に
ともなうコンピューター、特にパーソナルコンピュータ
ー（以下、「ＰＣ」と称す）の高需要により、関連技術
の発展は正に日進月歩である。そして市場はより高性
能、且つより安価なものを要求しており、この要求に応
えるべく供給側が凌ぎを削っている。コンピューターの
性能を決める上で、一つの大きな要因が記憶装置であ
り、その主流はシリコン等の半導体基板上にメモリーセ
ルを形成した半導体記憶装置である。この記憶装置が高
性能であるための主な要件は、「メモリー出入力の高速
性」、「メモリーの大容量化」および「メモリー保持の
安定性」である。コンピューターは市場のさまざまな要
求に応じた構成を取ることは可能であるが、高速性と大
容量化の両方を追求すると価格は高くなり、このいずれ
かを妥協することによりその価格を下げることができ
る。
ともなうコンピューター、特にパーソナルコンピュータ
ー（以下、「ＰＣ」と称す）の高需要により、関連技術
の発展は正に日進月歩である。そして市場はより高性
能、且つより安価なものを要求しており、この要求に応
えるべく供給側が凌ぎを削っている。コンピューターの
性能を決める上で、一つの大きな要因が記憶装置であ
り、その主流はシリコン等の半導体基板上にメモリーセ
ルを形成した半導体記憶装置である。この記憶装置が高
性能であるための主な要件は、「メモリー出入力の高速
性」、「メモリーの大容量化」および「メモリー保持の
安定性」である。コンピューターは市場のさまざまな要
求に応じた構成を取ることは可能であるが、高速性と大
容量化の両方を追求すると価格は高くなり、このいずれ
かを妥協することによりその価格を下げることができ
る。
【０００３】現在、最も普及しているＰＣの本体メモリ
ーは、キャシュメモリーやメインメモリーがＲＡＭ（Ｒ
ａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）により構成
され、これらに使用されているものにＤＲＡＭ（Ｄｙｎ
ａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Λｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒ
ｙ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃ
ｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）がある。
ーは、キャシュメモリーやメインメモリーがＲＡＭ（Ｒ
ａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）により構成
され、これらに使用されているものにＤＲＡＭ（Ｄｙｎ
ａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Λｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒ
ｙ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃ
ｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）がある。
【０００４】ＤＲＡＭは、ＳＲＡＭに比較するとその単
位面積当たりの容量が大きく、しかも安価に製造できる
が、その反面メモリーの取り出しが電荷の排出であるた
めメモリーの出力に時間がかかる上、常に電荷を供給
（リフレッシュ）しなくてはならないという欠点があ
る。一方、ＳＲＡＭはメモリーの取り出しがマルチバイ
ブレーターの状態を判別するものであるため、リフレッ
シュの必要がなく、読み取りが高速である反面、その複
雑な構造上ＤＲＡＭに比較すると単位面積当たりの容量
が小さく、しかも高価である。
位面積当たりの容量が大きく、しかも安価に製造できる
が、その反面メモリーの取り出しが電荷の排出であるた
めメモリーの出力に時間がかかる上、常に電荷を供給
（リフレッシュ）しなくてはならないという欠点があ
る。一方、ＳＲＡＭはメモリーの取り出しがマルチバイ
ブレーターの状態を判別するものであるため、リフレッ
シュの必要がなく、読み取りが高速である反面、その複
雑な構造上ＤＲＡＭに比較すると単位面積当たりの容量
が小さく、しかも高価である。
【０００５】したがって、一般的なＰＣのメモリーの構
成としてはキャシュメモリーとしてＳＲＡＭを使用し、
メインメモリーにはＤＲＡＭを使用することにより、価
格を抑えている。また、このＤＲＡＭおよびＳＲＡＭ
は、電源が切れるとそのメモリーは消失するため、必要
なメモリーはディスクなどの他の記憶装置に保存する必
要がある。電源を切断しても、メモリーを失わないもの
としてはフラシュメモリーがあるが、これは入力におけ
る高電圧の必要やその容量の制限および価格において、
現時点における市場の上記したような要求を満たすこと
は難しい。
成としてはキャシュメモリーとしてＳＲＡＭを使用し、
メインメモリーにはＤＲＡＭを使用することにより、価
格を抑えている。また、このＤＲＡＭおよびＳＲＡＭ
は、電源が切れるとそのメモリーは消失するため、必要
なメモリーはディスクなどの他の記憶装置に保存する必
要がある。電源を切断しても、メモリーを失わないもの
としてはフラシュメモリーがあるが、これは入力におけ
る高電圧の必要やその容量の制限および価格において、
現時点における市場の上記したような要求を満たすこと
は難しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コンピュー
ターの本体ＲＡＭに要求される次の要件を満たすことが
できる記憶装置を構成するメモリーセルとしてのマイク
ロ磁気コアメモリーおよびそのメモリーの出入力方法を
提供することを目的とするものである。 （１）メモリーの出入力が高速である。 （２）高集積化が容易であり、大容量な記憶装置を安価
に製造できる。 （３）電源の供給が途切れてもメモリーを失うことがな
く、メモリーが安定して保持される。
ターの本体ＲＡＭに要求される次の要件を満たすことが
できる記憶装置を構成するメモリーセルとしてのマイク
ロ磁気コアメモリーおよびそのメモリーの出入力方法を
提供することを目的とするものである。 （１）メモリーの出入力が高速である。 （２）高集積化が容易であり、大容量な記憶装置を安価
に製造できる。 （３）電源の供給が途切れてもメモリーを失うことがな
く、メモリーが安定して保持される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、メ
モリーセルとしてのマイクロ磁気コアメモリーを、記憶
媒体としての磁気コアと、該磁気コアに近接して配置さ
れ、それを磁化するコイルと、前記磁気コアに近接して
配置され、その磁化の極性を検知するセンサーとからな
るようにしたものである。
モリーセルとしてのマイクロ磁気コアメモリーを、記憶
媒体としての磁気コアと、該磁気コアに近接して配置さ
れ、それを磁化するコイルと、前記磁気コアに近接して
配置され、その磁化の極性を検知するセンサーとからな
るようにしたものである。
【０００８】また、メモリーの出入力方法を、記憶媒体
として磁性体である磁気コアを使用し、１つの該磁気コ
アについて、それを磁化させるためのコイルを少なくと
も１つ配置し、該コイルより前記磁気コアを磁化させて
メモリーを書き込み、１つの前記磁気コアについて、そ
の磁化の極性を検知するセンサーを少なくとも１つ配置
し、該センサーにより前記磁気コアの磁化の極性を検知
してメモリーを読み取るようにしたものである。
として磁性体である磁気コアを使用し、１つの該磁気コ
アについて、それを磁化させるためのコイルを少なくと
も１つ配置し、該コイルより前記磁気コアを磁化させて
メモリーを書き込み、１つの前記磁気コアについて、そ
の磁化の極性を検知するセンサーを少なくとも１つ配置
し、該センサーにより前記磁気コアの磁化の極性を検知
してメモリーを読み取るようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、主としてＤＲＡＭやＳ
ＲＡＭ等と同様のＲＡＭとしての記憶装置を構成するた
めのメモリーセルに関するものであり、ＤＲＡＭおよび
ＳＲＡＭの持つ長所を兼ね備え、しかもフラッシュメモ
リーなどのように電源を遮断してもメモリーを消失する
ことがないマイクロ磁気コアメモリーである。
ＲＡＭ等と同様のＲＡＭとしての記憶装置を構成するた
めのメモリーセルに関するものであり、ＤＲＡＭおよび
ＳＲＡＭの持つ長所を兼ね備え、しかもフラッシュメモ
リーなどのように電源を遮断してもメモリーを消失する
ことがないマイクロ磁気コアメモリーである。
【００１０】したがって、本発明のメモリーの出入力方
法は、記憶媒体として磁気コアを使用し、１つの磁気コ
アについて１つのコイルを配置して、このコイルにより
磁気コアを磁化させてメモリーを書き込み、さらに１つ
の磁気コアについてセンサーを１つ配置して、このセン
サーにより磁気コアの磁化の極性を検知してメモリーを
読み取るものである。
法は、記憶媒体として磁気コアを使用し、１つの磁気コ
アについて１つのコイルを配置して、このコイルにより
磁気コアを磁化させてメモリーを書き込み、さらに１つ
の磁気コアについてセンサーを１つ配置して、このセン
サーにより磁気コアの磁化の極性を検知してメモリーを
読み取るものである。
【００１１】また、メモリーセルの基本的な構成として
は、磁気コアと、この磁気コアの周囲にコイルを巻回
し、センサーを磁気コアに近接して配置したものであ
り、このセンサーとしては、その加工が容易で、解像度
の高いＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓ
ｉｓｔｏｒ）またはＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｉ
ｓｔｏｒ）などの薄膜センサーを使用したものである。
は、磁気コアと、この磁気コアの周囲にコイルを巻回
し、センサーを磁気コアに近接して配置したものであ
り、このセンサーとしては、その加工が容易で、解像度
の高いＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓ
ｉｓｔｏｒ）またはＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｉ
ｓｔｏｒ）などの薄膜センサーを使用したものである。
【００１２】したがって、本案のマイクロ磁気コアメモ
リーはその構造が簡単で、トレンチやスタックといった
複雑な構造を必要としないことから、高集積化が容易で
あり、大容量のＲＡＭ装置を安価で構成することができ
る。
リーはその構造が簡単で、トレンチやスタックといった
複雑な構造を必要としないことから、高集積化が容易で
あり、大容量のＲＡＭ装置を安価で構成することができ
る。
【００１３】尚、本発明のマイクロ磁気コアメモリーを
集積化して記憶装置を製造するに当たっては、例えば磁
気コアの材料としてはガーネットといったシリコン結晶
体の磁性体などが好適である。また、読み取り用の薄膜
センサーとしては、ＧＭＲやＭＲが好適である。したが
って、記憶装置の量産にあたっては従来のＬＳＩ等の製
造工程と略同様の工程で行うことが可能である。
集積化して記憶装置を製造するに当たっては、例えば磁
気コアの材料としてはガーネットといったシリコン結晶
体の磁性体などが好適である。また、読み取り用の薄膜
センサーとしては、ＧＭＲやＭＲが好適である。したが
って、記憶装置の量産にあたっては従来のＬＳＩ等の製
造工程と略同様の工程で行うことが可能である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係るマイクロ磁気コアメモリーを
示す拡大斜視図、図２はマイクロ磁気コアメモリーを使
用した記憶装置の構成を示す模式図である。図１に示す
ように、本実施例のマイクロ磁気コアメモリーは、略円
柱状の磁気コア１と、磁気コア１の外周部に巻回され、
これを磁化させるコイル３と、コイル３にそれぞれ接続
された書込み行ライン３１および書込み列ライン３２
と、磁気コア１の側部に近接して配置され、その磁化の
極性を検知するセンサー２と、センサー２にそれぞれ接
続された読取り行ライン２１および読取り列ライン２２
とから構成されている。
する。図１は本発明に係るマイクロ磁気コアメモリーを
示す拡大斜視図、図２はマイクロ磁気コアメモリーを使
用した記憶装置の構成を示す模式図である。図１に示す
ように、本実施例のマイクロ磁気コアメモリーは、略円
柱状の磁気コア１と、磁気コア１の外周部に巻回され、
これを磁化させるコイル３と、コイル３にそれぞれ接続
された書込み行ライン３１および書込み列ライン３２
と、磁気コア１の側部に近接して配置され、その磁化の
極性を検知するセンサー２と、センサー２にそれぞれ接
続された読取り行ライン２１および読取り列ライン２２
とから構成されている。
【００１５】センサー２は、読取り行ライン２１および
読取り列ライン２２を介してそれぞれ読取りドライバ２
３および読取りセンスアンプ２４に連結され（図２参
照）、これらからの指示により磁気コア１の磁化の極性
を検知する。このセンサー２は磁気抵抗素子である薄膜
センサーを使用することにより、集積回路の形成が容易
になることから、その材質としてはＧＭＲやＭＲが好適
である。
読取り列ライン２２を介してそれぞれ読取りドライバ２
３および読取りセンスアンプ２４に連結され（図２参
照）、これらからの指示により磁気コア１の磁化の極性
を検知する。このセンサー２は磁気抵抗素子である薄膜
センサーを使用することにより、集積回路の形成が容易
になることから、その材質としてはＧＭＲやＭＲが好適
である。
【００１６】コイル３は、書込み行ライン３１および書
込み列ライン３２を介してそれぞれ書込みドライバ３３
および書込みコントロールアンプ３４に連結され（図２
参照）、これらからの指示により磁気コア１を磁化させ
ることにより磁化の極性が入れ代わる。
込み列ライン３２を介してそれぞれ書込みドライバ３３
および書込みコントロールアンプ３４に連結され（図２
参照）、これらからの指示により磁気コア１を磁化させ
ることにより磁化の極性が入れ代わる。
【００１７】このようにセンサーとして磁気抵抗素子に
より磁化の極性を検知してメモリーを読み取る方法は、
ＤＲＡＭのように電荷の受取によるものとは異なり、そ
の磁化の極性を検知するだけである。したがって、この
メモリーセルによる記憶装置ではそのメモリーの出力を
１０ナノ秒程度と非常に高速化できる。
より磁化の極性を検知してメモリーを読み取る方法は、
ＤＲＡＭのように電荷の受取によるものとは異なり、そ
の磁化の極性を検知するだけである。したがって、この
メモリーセルによる記憶装置ではそのメモリーの出力を
１０ナノ秒程度と非常に高速化できる。
【００１８】図２に示すように、本発明のマイクロ磁気
コアメモリーを使用した記憶装置においては、半導体基
板４の上に複数の磁気コア１ａ〜１ｎを載置し、それぞ
れの磁気コアについでセンサー２ａ〜２ｎおよびコイル
３ａ〜３ｎを設けている。さらに、それぞれのセンサー
については読取り行ライン２１ａ〜２１ｎおよび読取り
列ライン２２ａ〜２２ｎを介して、読取りドライバ２３
およびセンスアンプ２４に連結されている。また、それ
ぞれのコイルについては書込み行ライン３１ａ〜３１ｎ
および書込み列ライン３２ａ〜３２ｎを介して、書込み
ドライバ３３および書込みコントロールアンプ３４に連
結されている。
コアメモリーを使用した記憶装置においては、半導体基
板４の上に複数の磁気コア１ａ〜１ｎを載置し、それぞ
れの磁気コアについでセンサー２ａ〜２ｎおよびコイル
３ａ〜３ｎを設けている。さらに、それぞれのセンサー
については読取り行ライン２１ａ〜２１ｎおよび読取り
列ライン２２ａ〜２２ｎを介して、読取りドライバ２３
およびセンスアンプ２４に連結されている。また、それ
ぞれのコイルについては書込み行ライン３１ａ〜３１ｎ
および書込み列ライン３２ａ〜３２ｎを介して、書込み
ドライバ３３および書込みコントロールアンプ３４に連
結されている。
【００１９】したがって、メモリーの書き込みにおいて
は、書込みドライバ３３および書込みコントロールアン
プ３４によるそれぞれの行及び列ラインの選択により、
選択された磁気コアに書き込まれ、メモリーの読み取り
においては、読取りドライバ２３およびセンスアンプ２
４によるそれぞれの行及び列ラインの選択により、選択
された磁気コアのメモリーを読み取ることができる。例
えば書き込みにおいては、書込みドライバ３３により読
取り行ライン２１ａが選択され、書込みコントロールア
ンプ３４により読取り列ライン２２ａが選択されると、
コイル３ａにより磁気コア１ａの極性が入れ代わりメモ
リーがなされる。また、読み取りにおいては、読取りド
ライバ２３ｅおよびセンスアンプ２４ｅによりそれぞれ
読取り行ライン２１ｅおよび読取り列ライン２２ｅが選
択され、センサー２ｅにより磁気コア１ｅの極性を読み
取ることができる。
は、書込みドライバ３３および書込みコントロールアン
プ３４によるそれぞれの行及び列ラインの選択により、
選択された磁気コアに書き込まれ、メモリーの読み取り
においては、読取りドライバ２３およびセンスアンプ２
４によるそれぞれの行及び列ラインの選択により、選択
された磁気コアのメモリーを読み取ることができる。例
えば書き込みにおいては、書込みドライバ３３により読
取り行ライン２１ａが選択され、書込みコントロールア
ンプ３４により読取り列ライン２２ａが選択されると、
コイル３ａにより磁気コア１ａの極性が入れ代わりメモ
リーがなされる。また、読み取りにおいては、読取りド
ライバ２３ｅおよびセンスアンプ２４ｅによりそれぞれ
読取り行ライン２１ｅおよび読取り列ライン２２ｅが選
択され、センサー２ｅにより磁気コア１ｅの極性を読み
取ることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
下記の性能を備えた記憶装置を構成することができると
いう優れた効果がある。 （１）メモリーの出入力が高速である。 （２）高集積化が容易であり、大容量な記憶装置を安価
に製造できる。 （３）電源の供給が途切れてもメモリーを失うことがな
い。 また、この記憶装置の適用としては、従来のＤＲＡＭや
ＳＲＡＭなどのＲＡＭに替わるものだけでなく、その特
性を活かして各種マイクロチップとしてのアップリケー
ションも期待できる。
下記の性能を備えた記憶装置を構成することができると
いう優れた効果がある。 （１）メモリーの出入力が高速である。 （２）高集積化が容易であり、大容量な記憶装置を安価
に製造できる。 （３）電源の供給が途切れてもメモリーを失うことがな
い。 また、この記憶装置の適用としては、従来のＤＲＡＭや
ＳＲＡＭなどのＲＡＭに替わるものだけでなく、その特
性を活かして各種マイクロチップとしてのアップリケー
ションも期待できる。
【図１】本発明に係るマイクロ磁気コアメモリーセルを
示す拡大斜視図である。
示す拡大斜視図である。
【図２】マイクロ磁気コアメモリーを使用した記憶装置
の構成を示す模式図である。
の構成を示す模式図である。
１‥‥‥磁気コア １０‥‥半導体基板 ２‥‥‥センサー ２１‥‥読取り行ライン ２２‥‥読取り列ライン ２３‥‥読取りドライバ ２４‥‥読取りセンスアンプ ２５‥‥ビアホール ３‥‥‥コイル ３１‥‥書込み行ライン ３２‥‥書込み列ライン ３３‥‥書込みドライバ ３４‥‥書込みコントロールアンプ ３５‥‥ビアホール
Claims (3)
- 【請求項１】 記憶媒体としての磁気コアと、該磁気コ
アに近接して配置され、それを磁化するコイルと、前記
磁気コアに近接して配置され、その磁化の極性を検知す
るセンサーとからなることを特徴とするマイクロ磁気コ
アメモリー。 - 【請求項２】 センサーが薄膜センサーであることを特
徴とする請求項１記載のマイクロ磁気コアメモリー。 - 【請求項３】 記憶媒体として磁性体である磁気コアを
使用し、１つの該磁気コアについて、それを磁化させる
ためのコイルを少なくとも１つ配置し、該コイルより前
記磁気コアを磁化させてメモリーを書き込み、１つの前
記磁気コアについて、その磁化の極性を検知するセンサ
ーを少なくとも１つ配置し、該センサーにより前記磁気
コアの磁化の極性を検知してメモリーを読み取るように
したことを特徴とするメモリーの出入力方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126204A JPH10283771A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | マイクロ磁気コアメモリー |
| US09/056,812 US6236586B1 (en) | 1997-04-09 | 1998-04-08 | Micro magnetic core memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126204A JPH10283771A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | マイクロ磁気コアメモリー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10283771A true JPH10283771A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14929297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9126204A Pending JPH10283771A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | マイクロ磁気コアメモリー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6236586B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10283771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507805A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-13 | ユニバーシティー オブ トロント | 調整可能な磁気スイッチ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7275135B2 (en) * | 2001-08-31 | 2007-09-25 | Intel Corporation | Hardware updated metadata for non-volatile mass storage cache |
| US9177122B1 (en) * | 2013-06-26 | 2015-11-03 | Amazon Technologies, Inc. | Managing secure firmware updates |
| US9830099B1 (en) | 2015-09-17 | 2017-11-28 | Amazon Technologies, Inc. | Secure erase of storage devices |
| US10338845B1 (en) | 2016-09-01 | 2019-07-02 | Amazon Technologies, Inc. | Self-erasing portable storage devices |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US2814793A (en) * | 1955-04-05 | 1957-11-26 | Sperry Rand Corp | Variable delay line |
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-
1997
- 1997-04-09 JP JP9126204A patent/JPH10283771A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-08 US US09/056,812 patent/US6236586B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507805A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-13 | ユニバーシティー オブ トロント | 調整可能な磁気スイッチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6236586B1 (en) | 2001-05-22 |
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