JPH10275884A - Semiconductor device and lead cutter thereof - Google Patents
Semiconductor device and lead cutter thereofInfo
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- JPH10275884A JPH10275884A JP9080842A JP8084297A JPH10275884A JP H10275884 A JPH10275884 A JP H10275884A JP 9080842 A JP9080842 A JP 9080842A JP 8084297 A JP8084297 A JP 8084297A JP H10275884 A JPH10275884 A JP H10275884A
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置にあら
かじめ外装メッキが施された外部接続用リードのリード
カット装置（以下、単にリードカット装置と記す）及び
この装置を用いて製造した半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead cut device (hereinafter simply referred to as "lead cut device") for externally connecting leads in which a semiconductor device is pre-coated with an exterior and a semiconductor device manufactured using the device. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のリードカット装置の一例が、特開
平３−２６４１４６号公報に開示されており、このリー
ドカット装置を図４（ａ），（ｂ）を参照して説明する
と、刃１を備えたダイ２と、これにかみ合う面が下方に
向かう傾斜面に形成された刃６を備え、上下方向に昇降
するパンチ７とから構成されている。2. Description of the Related Art An example of a conventional lead cutting device is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 3-264146. This lead cutting device will be described with reference to FIGS. And a punch 7 having a blade 6 formed on an inclined surface having a downwardly engaging surface, and vertically moving up and down.
【０００３】このダイ２に、リード３を備えた半導体装
置を載置し、リード３を上方から下方に向かって下降す
るパンチ７の刃６とダイ２の刃１によって切断すること
により、図４（ａ），（ｂ）に示したように、リード３
の切断面にその上面から切断下縁部に向かって、リード
厚が薄くなるようなリード切断面３Ａを形成する。この
とき、上方の半田層４は切断時の塑性変形を受けて、そ
の切断面３Ａに上方の半田層４が回り込み、広範囲な面
積のメッキだれ５を形成するようにしている。[0003] A semiconductor device having leads 3 is mounted on the die 2, and the leads 3 are cut by the blade 6 of the punch 7 and the blade 1 of the die 2, which descend from the top to the bottom, as shown in FIG. As shown in (a) and (b), the lead 3
The cut surface 3A is formed such that the lead thickness becomes thinner from its upper surface toward the lower cutting edge. At this time, the upper solder layer 4 undergoes plastic deformation at the time of cutting, and the upper solder layer 4 wraps around the cut surface 3A to form a plating dripping 5 having a wide area.
【０００４】また、リード切断面の断面形状が異なる半
導体装置を実装基板に実装した場合のリード近傍の半田
形状について、図５（ａ），（ｂ）を参照して説明す
る。[0004] Further, a description will be given of a solder shape near a lead when a semiconductor device having a different cross-sectional shape of a lead cut surface is mounted on a mounting board with reference to FIGS. 5 (a) and 5 (b).
【０００５】一般に、半田実装形状は半田溶融後の表面
張力の影響を受け、リードの形状及びリードと実装面と
の接触条件などにより変化するが、半田実装の良否を決
める条件としては、次の３点が挙げられる。 １）リード切断面の半田層が切断面全体を覆っているこ
と。 ２）リード切断面と実装基板の実装面との角度ができる
だけ鋭角であること。 ３）リード先端下部がだれていること。In general, the solder mounting shape is affected by the surface tension after melting of the solder and changes depending on the shape of the lead and the contact conditions between the lead and the mounting surface. The following conditions determine the quality of the solder mounting. There are three points. 1) The solder layer on the cut surface of the lead covers the entire cut surface. 2) The angle between the lead cut surface and the mounting surface of the mounting substrate is as acute as possible. 3) The lower end of the lead is drooped.
【０００６】１）は、半田層が切断面全体を覆っていな
いと実装工程において、先端部に半田が完全に付着しな
いため、 ・電気抵抗が増大する。 ・接合強度が低下する。 ・リード切断面が腐食する。 ・顕微鏡を用いて行う外観検査工程において、外観不良
が発生する。 など、品質上の信頼性が低下するという問題がある。In the case of 1), if the solder layer does not cover the entire cut surface, the solder does not completely adhere to the leading end in the mounting process.・ Joint strength decreases.・ The cut surface of the lead is corroded. -Appearance defects occur in the appearance inspection step performed using a microscope. For example, there is a problem that reliability in quality is reduced.
【０００７】２）は、リード切断面と実装基板の実装面
との角度が鋭角でないと半導体装置が実装基板から浮い
た状態となり、最近の薄型化の要求を満足できないとい
う問題がある。The problem 2) is that if the angle between the cut surface of the lead and the mounting surface of the mounting substrate is not an acute angle, the semiconductor device floats from the mounting substrate and cannot meet the recent demand for thinning.
【０００８】３）は、リード先端部がだれていると、リ
ードと半田及び実装基板との密着性が良く、リード切断
面と実装基板の実装面との角度が鋭角でない場合にも、
半田の密着性が良好である。[0008] 3) If the tip of the lead is drooped, the adhesion between the lead and the solder and the mounting substrate is good, and even if the angle between the cut surface of the lead and the mounting surface of the mounting substrate is not acute,
Good solder adhesion.
【０００９】図４に示す従来のリードカット装置で製造
した半導体装置は、リード先端のメッキ層が薄く、かつ
切断面形状がフラットなため、図５（ａ）の斜線部で示
したように、リード先端部に付着する半田形状が垂直と
なり、半田付け外観検査工程で反射光による自動検査に
は不適であり、外観不良と判定されてしまう。In the semiconductor device manufactured by the conventional lead cutting device shown in FIG. 4, the plating layer at the tip of the lead is thin and the cut surface is flat. Therefore, as shown by the hatched portion in FIG. The shape of the solder adhering to the tip of the lead becomes vertical, which is not suitable for automatic inspection by reflected light in the soldering appearance inspection step, and is judged to be defective in appearance.
【００１０】なお、このような不良に対しては図５
（ｂ）に示すように、リード先端角度θを大きくすれば
斜線部で示すように半田付着性は改善されるが、このま
まだと接合強度が弱いという問題がある。It should be noted that FIG.
As shown in (b), when the lead tip angle θ is increased, the solder adhesion is improved as shown by the shaded portion, but there is a problem that the bonding strength is weak if the solder adhesion is not changed.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】前記公報で開示された
従来技術においては、パンチ７に形成されている刃６が
ダイ２の刃先よりも内側に位置するように配置されてい
るため、切断時にパンチ７は横方向に強い力を受ける。
このため、 ・複数の切断されたリードの長さが不揃いとなる。 ・複数の切断されたリードのコプラナリティが増大す
る。 ・パンチの寿命が短縮する。 ・半田層がリード切断面の先端部で薄くなる。 ・リード先端部のだれが少なく、このため半田実装工程
でリード先端面に付着する半田形状が垂直となり、自動
外観検査工程で不良となる。 という問題がある。In the prior art disclosed in the above-mentioned publication, the blade 6 formed on the punch 7 is disposed so as to be located inside the cutting edge of the die 2, so that the cutting is performed at the time of cutting. The punch 7 receives a strong force in the lateral direction.
Therefore, the lengths of the plurality of cut leads are not uniform. -Coplanarity of multiple cut leads is increased.・ Punch life is shortened. -The solder layer becomes thinner at the tip of the lead cut surface. -There is little dripping at the tip of the lead, so that the shape of the solder adhering to the tip of the lead in the solder mounting process becomes vertical, resulting in a defect in the automatic appearance inspection process. There is a problem.
【００１２】このため、本発明の目的は、 ・電気抵抗の増大を防止し、 ・接合強度の低下を防止し、 ・リード切断面の腐食を防止し、 ・外観不良の発生を防止するとともに、 ・複数の切断されたリードの長さが不揃いとなるのを防
止し、 ・複数の切断されたリードのコプラナリティが増大する
のを防止することができるリードカット装置を提供する
とともに、このリードカット装置を用いてリード切断面
全体に渡ってメッキ層を厚く形成し、リード切断面の形
状を円弧状にする半導体装置を提供することにある。Therefore, the object of the present invention is to prevent: an increase in electric resistance; a prevention of a decrease in bonding strength; a prevention of corrosion of a cut section of a lead; A lead cut device that prevents the lengths of the plurality of cut leads from becoming uneven; and that prevents the coplanarity of the plurality of cut leads from increasing, and the lead cut device. An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which a plating layer is formed to be thick over the entire lead cut surface by using the method, and the shape of the lead cut surface is formed in an arc shape.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】そのため、本発明による
半導体装置のリードカット装置は、ダイと底面部の両端
にリードを切断するための刃を設けたパンチとを備えた
半導体装置のリードカット装置において、前記刃は前記
パンチの内側に向かって下がる勾配を有することを特徴
としている。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, a lead cutting device for a semiconductor device according to the present invention comprises a die and a punch having blades provided at both ends of a bottom portion for cutting leads. In the above, the blade has a slope that decreases toward the inside of the punch.
【００１４】さらに本発明による半導体装置は、リード
先端面形状が円弧状になっていることを特徴としてい
る。Further, the semiconductor device according to the present invention is characterized in that the tip end surface of the lead has an arc shape.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１６】図１は、本発明のリードカット装置の実施
の形態を示す模式的断面図であり、同図（ａ）は、断面
で表したリードを載置した一部のリードカット装置の側
面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のリードカット装置に
よって切断されたリードの側面断面図、同図（ｃ）は同
図（ａ）のリードカット装置によって切断されたリード
の切断面の正面図である。なお、従来例と対応する部分
には同一符号を付している。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a lead cutting device according to the present invention. FIG. 1A is a side view of a part of a lead cutting device on which a lead represented by a cross section is mounted. FIG. 2B is a side sectional view of the lead cut by the lead cutting device of FIG. 2A, and FIG. 2C is a cut of the lead cut by the lead cutting device of FIG. It is a front view of a surface. Parts corresponding to those of the conventional example are denoted by the same reference numerals.
【００１７】本実施の形態では、図１（ａ）に示すよう
にパンチ７０の底面の両端に水平方向に対して、角度α
をなす刃９，９’を形成している。また、パンチ７０の
幅Ｗは約１ｍｍであり、刃９，９’の幅ｄは０．１５ｍ
ｍである。ここで角度αは、９０度近くにするとリード
が押しつぶされる以前にせん断されてしまうため、円弧
状の切断面が得られない。実験の結果、角度αとして４
５度のとき、切断面が円弧に最も近くなることがわかっ
た。したがって、角度αとして４５度とするのが切断面
を円弧とし、半田層を切断面に対して広範囲な面積割合
で形成するのに有利である。In this embodiment, as shown in FIG. 1A, both ends of the bottom surface of the punch 70 have an angle α with respect to the horizontal direction.
Are formed. The width W of the punch 70 is about 1 mm, and the width d of the blades 9, 9 'is 0.15 m.
m. Here, if the angle α is close to 90 degrees, the lead is sheared before the lead is crushed, so that an arc-shaped cut surface cannot be obtained. As a result of the experiment, the angle α was 4
At 5 degrees, the cut surface was found to be closest to the arc. Therefore, setting the angle α to 45 degrees is advantageous for forming the cut surface into a circular arc and forming the solder layer in a wide area ratio with respect to the cut surface.
【００１８】次に、図２を参照して本発明のリードカッ
ト装置を用いたリード３の切断方法について説明する。Next, a method of cutting the lead 3 using the lead cutting device of the present invention will be described with reference to FIG.
【００１９】図２（ａ）で、あらかじめメッキ処理して
半田層４を形成したリード３’を固定板８によりダイ２
の上に固定し、パンチ７０を上方から下方に向かって垂
直に下降させる。パンチ７０の底面に設けてある水平方
向に対して４５度の角度をなす刃９，９’によって、刃
９，９’の直下のリード１０，１１は矢印で示すように
刃９，９’と平行な力を受けながらリードが伸びる。し
たがって、リード３’の表面に形成されている半田層４
もリード３’の表面に平行に伸びることになる。In FIG. 2A, a lead 3 ′ on which a solder layer 4 has been formed by plating in advance is fixed to a die 2 by a fixing plate 8.
, And lower the punch 70 vertically from above to below. The blades 9, 9 'provided at the bottom of the punch 70 at an angle of 45 degrees with respect to the horizontal direction cause the leads 10, 11 immediately below the blades 9, 9' to move together with the blades 9, 9 'as shown by arrows. The lead expands while receiving a parallel force. Therefore, the solder layer 4 formed on the surface of the lead 3 ′
Also extend parallel to the surface of the lead 3 '.
【００２０】次に、図２（ｂ）でリード３”の伸びは限
界点に達する。このときのリード３”の形状は、リード
３”のＡ部、Ｂ部とも刃９，９’が水平方向に対して４
５度を保ってリードを下方に押し続けるため、なめらか
な円弧に近い形状となる。また、半田層４は刃９，９’
全体に渡って刃９，９’に沿ってこするような方向で均
等な力を受けるため、半田層４もリードの切断面に沿っ
て均等に伸びる。Next, in FIG. 2B, the elongation of the lead 3 "reaches the limit point. At this time, the shape of the lead 3" is such that the blades 9 and 9 'of the portions A and B of the lead 3 "are horizontal. 4 for direction
Since the lead is kept pressed downward while keeping the angle of 5 degrees, the shape becomes almost smooth. Further, the solder layer 4 has blades 9, 9 '.
Since a uniform force is applied in the direction of rubbing along the blades 9 and 9 ′ throughout, the solder layer 4 also extends uniformly along the cut surface of the lead.
【００２１】さらに、パンチ７０でリード３”を下方に
押すと図２（ｃ）に示すようにリード３０はリード３１
と切断される。このときのリードの形状は図１（ｂ）、
（ｃ）のようになるが、本発明によるリードカット装置
がパンチ７０の底面の両端に設けた水平方向に対して４
５度をなす刃９，９’によってリードをこするように切
断するため、図１（ｂ）に示すように切断面は滑らかな
円弧に近く、半田層４もリード３０の切断面に沿って厚
く伸ばされた形状となる。また、図１（ｃ）に示すよう
に半田層４はリード切断面３０Ａをほぼ覆うように形成
される。Further, when the lead 3 ″ is pressed downward by the punch 70, the lead 30 becomes the lead 31, as shown in FIG.
Is cut off. The shape of the lead at this time is shown in FIG.
As shown in (c), the lead cutting device according to the present invention is positioned at four ends with respect to the horizontal direction provided at both ends of the bottom surface of the punch 70.
Since the lead is cut by rubbing with the blades 9 and 9 'forming 5 degrees, the cut surface is close to a smooth arc as shown in FIG. 1B, and the solder layer 4 is also formed along the cut surface of the lead 30. It has a thickened shape. Further, as shown in FIG. 1C, the solder layer 4 is formed so as to substantially cover the lead cut surface 30A.
【００２２】次に、本発明のリードカット装置における
クリアランスとリード断面積のだれ割合及びリード切断
面の半田層割合について、表１及び表２に示す実験デー
タを参照して説明する。ここで、クリアランスは、（パ
ンチ７０とダイ２との間隔）／（リード３の厚さ＋半田
層４の厚さ）を％で表したものであり、リード切断面の
だれ割合は図１（ｂ）に示す（だれの長さｈ）／（リー
ドの厚さ＋半田層の厚さ：Ｈ）を％表示で表したもので
あり、だれ割合が大きいほど円弧に近くなり、半導体装
置を実装基板に実装する際に良好に半田付けすることが
可能である。Next, with reference to the experimental data shown in Tables 1 and 2, a description will be given of the clearance ratio of the clearance and the lead cross-sectional area and the ratio of the solder layer on the cut surface of the lead in the lead cutting apparatus of the present invention. Here, the clearance is expressed by% of (the distance between the punch 70 and the die 2) / (the thickness of the lead 3 + the thickness of the solder layer 4), and the dripping ratio of the cut surface of the lead is shown in FIG. (b) shows (whose length h) / (lead thickness + solder layer thickness: H) expressed in%. The larger the whopping ratio, the closer to an arc, the semiconductor device is mounted. It is possible to solder well when mounting on a board.
【００２３】また、リード切断面の半田層割合は、（リ
ード切断面に付着している半田層の面積）／（リード切
断面の面積）を％表示で表したものであり、この割合が
大きいほど実装時に良好な半田付けが可能となり信頼性
上望ましい。The ratio of the solder layer on the cut section of the lead is represented by (area of the solder layer adhering to the cut section of the lead) / (area of the cut section of the lead) in%, and this ratio is large. The better the soldering becomes at the time of mounting, the more desirable in reliability.
【００２４】 [0024]
【００２５】 [0025]
【００２６】表１からわかるように、本発明のリードカ
ット装置の場合、クリアランスが１０％以下ではリード
切断面のだれ割合が３３％と小さくリード切断面の形状
が円弧とならず、一方クリアランスが３０％を越えると
リード３が切断ができなくなることから、クリアランス
が１５〜２５％が最適であることがわかる。As can be seen from Table 1, in the case of the lead cutting device of the present invention, when the clearance is 10% or less, the sagging ratio of the cut section of the lead is as small as 33% and the shape of the cut section of the lead does not become an arc. If it exceeds 30%, the lead 3 cannot be cut, so it can be seen that the optimum clearance is 15 to 25%.
【００２７】一方、これに対しパンチ７０の底面に設け
た刃９のみが水平方向に対して４５度の角度をなし、他
方の刃９’が水平方向に対して直角の場合、本発明のリ
ードカット装置に比して極端にリード切断面のだれ割合
が少ない。これは、刃が直角の方にあるリードに対して
力が局所的に集中するためリードが先に切断され、これ
に連動して左右の刃から切断されるリード部分の受ける
力のバランスが崩れ、水平方向に対して鋭角の刃が設け
てある方のリードの伸張も止まってしまうため、だれが
少なくなるためである。On the other hand, when only the blade 9 provided on the bottom surface of the punch 70 forms an angle of 45 degrees with the horizontal direction and the other blade 9 'is at a right angle to the horizontal direction, the lead of the present invention is used. The dripping rate of the lead cut surface is extremely small compared to the cutting device. This is because the lead is cut first because the force concentrates locally on the lead with the blade at the right angle, and the balance of the force received by the lead part cut from the left and right blades in conjunction with this is broken This is because the extension of the lead provided with the blade having an acute angle with respect to the horizontal direction also stops, so that nobody is reduced.
【００２８】また、表２からわかるように、本発明のリ
ードカット装置の場合、クリアランスが１０％以下では
リード切断面の半田層割合が６０％と小さく、一方クリ
アランスが３０％を越えるとリード３０が切断ができな
くなることから、クリアランスが１５〜２５％がリード
切断面に半田層を広範囲に形成する上で最適であること
がわかる。このときのリード切断面積に対する半田層割
合が８５％となり、リード切断面積に対して広範囲に半
田層が覆うという特徴がある。As can be seen from Table 2, in the case of the lead cutting apparatus of the present invention, when the clearance is 10% or less, the solder layer ratio on the cut section of the lead is as small as 60%, while when the clearance exceeds 30%, the lead 30 is not formed. Can not be cut, it can be seen that a clearance of 15 to 25% is optimal for forming a solder layer over a wide range of the cut lead surface. At this time, the ratio of the solder layer to the lead cutting area is 85%, and the solder layer covers a wide area with respect to the lead cutting area.
【００２９】一方、これに対しパンチ７０の底面に設け
た刃９のみが水平方向に対して４５度の角度をなし、他
方の刃９’が水平方向に対して直角の場合、クリアラン
スが１５〜２５％の場合でもリード切断面に対する半田
層割合が７０％と本発明によるリードカット装置に比べ
劣る結果になった。これは、上記に述べたように、刃が
直角の方にあるリードが先に切断され、水平方向に対し
て鋭角の刃が設けてある方のリードの伸縮も止まってし
まうため、だれが少なくなるとともに半田層の伸びも止
まってしまうためである。On the other hand, when only the blade 9 provided on the bottom surface of the punch 70 forms an angle of 45 degrees with the horizontal direction and the other blade 9 'is at a right angle to the horizontal direction, the clearance becomes 15 to Even in the case of 25%, the ratio of the solder layer to the cut lead surface was 70%, which was inferior to that of the lead cutting device according to the present invention. This is because, as described above, the lead with the blade at the right angle is cut first, and the expansion and contraction of the lead with the blade with the acute angle with respect to the horizontal direction also stops, This is because the expansion of the solder layer stops at the same time.
【００３０】本発明によるリードカット装置により製造
した半導体装置を実装基板１３に搭載した場合、図３に
示すように、半導体装置のリード３０の先端部形状が円
弧になっており、かつリード切断面に対する半田層割合
が大きいためリード３０を実装基板１３に対してほぼ水
平方向に搭載したとしても、半田リフロー処理時にリー
ド３０と実装基板１３との間の表面張力が大きくなるた
め、広い範囲に半田層１２が浸透する。このため、リー
ド３０と実装基板１３との電気抵抗は小さく、かつ機械
的強度が強いという特徴がある。When the semiconductor device manufactured by the lead cutting device according to the present invention is mounted on the mounting substrate 13, the tip of the lead 30 of the semiconductor device has an arc shape as shown in FIG. Therefore, even if the lead 30 is mounted in a substantially horizontal direction with respect to the mounting substrate 13 due to a large ratio of the solder layer to the mounting substrate 13, the surface tension between the lead 30 and the mounting substrate 13 increases during the solder reflow process, so that the solder Layer 12 penetrates. For this reason, the electric resistance between the lead 30 and the mounting substrate 13 is small, and the mechanical strength is strong.
【００３１】以上説明したように、本発明のリードカッ
ト装置は、押しつぶしながらリードを切断するため、切
断面の半田層は外装メッキそのままの状態で形成され
る。したがって従来のリードカット装置を用いた場合、
パンチの降下方向に沿って半田層は薄くなっているが、
本発明品によるリードカット装置を用いた場合は、一様
な半田層を得ることができる。As described above, since the lead cutting device of the present invention cuts the lead while crushing, the solder layer on the cut surface is formed as it is with the outer plating. Therefore, when using the conventional lead cutting device,
The solder layer is thinner along the punch down direction,
When the lead cutting device according to the present invention is used, a uniform solder layer can be obtained.
【００３２】上記リードカット装置でリードカットされ
た外部リードの切断面は、実装時の切断面の半田実装形
状を良好にする条件である （１）リード切断面に広範囲に半田層を形成すること。 （２）切断面と実装面の角度が半導体装置の実装基板に
対する高さを小さくするためにできるだけ鋭角であるこ
と。 （３）リード先端下部がだれていること。 の３点を満足し、その結果、良好な実装半田形状が得ら
れる。The cut surface of the external lead cut by the lead cutting device is a condition for improving the solder mounting shape of the cut surface at the time of mounting. (1) Forming a solder layer over a wide range on the cut surface of the lead . (2) The angle between the cut surface and the mounting surface is as acute as possible to reduce the height of the semiconductor device with respect to the mounting substrate. (3) The lower part of the lead tip is drooped. The above three points are satisfied, and as a result, a good mounting solder shape can be obtained.
【００３３】なお、ここでリードの半田実装面は上記で
得られたリード切断面を裏返してリード曲げ成形を行う
ことにより得られる。Here, the solder mounting surface of the lead can be obtained by turning over the lead cut surface obtained above and performing lead bending.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるリー
ドカット装置は、リードカット後のリード切断面の形状
が円弧状であり、かつリード切断面に対して広い面積割
合で半田層を形成する。したがって、本発明によるリー
ドカット装置でリードカットされた外部リードの切断面
は、半導体装置を実装基板上に半田付けする際の必要な
条件である、リードと実装基板がほぼ平行に近い角度を
保ちながら、リード切断面に対する半田層の面積割合が
大きいこと、リード先端下部がだれていることにより実
装時の良好な半田形状が得られる。As described above, in the lead cutting device according to the present invention, the shape of the lead cut surface after the lead cut is arc-shaped, and the solder layer is formed in a wide area ratio with respect to the lead cut surface. . Therefore, the cut surface of the external lead cut by the lead cutting device according to the present invention keeps an angle between the lead and the mounting board that is almost parallel, which is a necessary condition when soldering the semiconductor device onto the mounting board. However, since the area ratio of the solder layer to the cut surface of the lead is large and the lower end of the lead is drooped, a good solder shape at the time of mounting can be obtained.
【００３５】したがって、 ・半導体装置と実装基板の電気抵抗が少なく、 ・半導体装置と実装基板との接合強度が大きく、 ・リード切断面の腐食を防止することができ、 ・外観不良の発生が防止することができ、 ・複数の切断されたリードの長さが不揃いとなるのを防
止し、 ・複数の切断されたリードのコプラナリティが増大する
のを防止することができる高い実装信頼性を有する半導
体装置を提供することが可能となる。Therefore, the electric resistance between the semiconductor device and the mounting substrate is small, the bonding strength between the semiconductor device and the mounting substrate is large, the corrosion of the cut lead surface can be prevented, and the appearance defect is prevented. A semiconductor having high mounting reliability that can prevent uneven lengths of the plurality of cut leads and prevent an increase in coplanarity of the plurality of cut leads. A device can be provided.
【図１】本発明のリードカット装置の実施の形態を示す
図面であり、図１（ａ）は断面で表したリードを載置し
た一部のリードカット装置の側面図、図１（ｂ），
（ｃ）は本発明のリードカット装置の実施の形態によっ
て得られるリードの切断面を示す図である。FIG. 1 is a view showing an embodiment of a lead cutting device of the present invention, and FIG. 1 (a) is a side view of a part of a lead cutting device on which a lead represented by a cross section is mounted, and FIG. 1 (b). ,
(C) is a diagram showing a cut surface of a lead obtained by an embodiment of the lead cutting device of the present invention.
【図２】本発明のリードカット装置の実施の形態による
リード切断を説明する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating lead cutting according to an embodiment of the lead cutting device of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置を実装基板に
半田付けしたときの、リードと実装基板の間の半田形状
を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a solder shape between a lead and a mounting board when the semiconductor device according to the embodiment of the present invention is soldered to a mounting board.
【図４】従来のリードカット装置とこの装置によって切
断されたリードの切断面を示す図であり、図４（ａ）は
従来のリードカット装置の側面図、図４（ｂ）は従来の
リードカット装置によって得られるリードの断面図であ
る。4A and 4B are views showing a conventional lead cutting device and a cut surface of a lead cut by the device, wherein FIG. 4A is a side view of the conventional lead cutting device, and FIG. It is sectional drawing of the lead obtained by a cutting device.
【図５】従来のリードカット装置によって得られる半導
体装置を実装基板に半田付けしたときの、リードと実装
基板の間の半田形状を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a solder shape between a lead and a mounting board when a semiconductor device obtained by a conventional lead cut device is soldered to a mounting board.
１，６，９，９’ 刃 ２ ダイ ３，３’，３”，３０，３１ リード ３Ａ，３０Ａ リード切断面 ４，１２ 半田層 ５ メッキだれ ７，７０ パンチ ８ 固定板 １０，１１ 刃９，９’直下に位置するリード部分 １３ 実装基板 1, 6, 9, 9 'blade 2 Die 3, 3', 3 ", 30, 31 Lead 3A, 30A Lead cut surface 4, 12 Solder layer 5 Plating droop 7, 70 Punch 8 Fixing plate 10, 11 Blade 9, Lead part located immediately below 9 '13 Mounting board
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ２３Ｄ 15/00 Ｂ２３Ｄ 15/00 Ｂ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI B23D 15/00 B23D 15/00 B
Claims (4)
ための刃を設けたパンチとを備えた半導体装置のリード
カット装置において、前記刃は前記パンチの内側に向か
って下がる勾配を有することを特徴とする半導体装置の
リードカット装置。1. A lead cutting device for a semiconductor device comprising a die and a punch provided with blades for cutting leads at both ends of a bottom surface portion, wherein the blade has a gradient that falls toward the inside of the punch. A lead cutting device for a semiconductor device, comprising:
度に設定したことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置のリードカット装置。2. The method according to claim 1, wherein the angle of the gradient is 45 degrees with respect to the horizontal direction.
2. The lead cutting device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the lead cutting device is set at a predetermined temperature.
をリードとその上下の半田層との全厚の１５〜２５％に
設定したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
リードカット装置。3. The lead cutting device for a semiconductor device according to claim 1, wherein a clearance between the punch and the die is set to 15 to 25% of a total thickness of the lead and solder layers above and below the lead.
状が円弧状になっていることを特徴とした半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the lead tip surface in the lead extension direction is an arc.
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9080842A JP2957512B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Lead cutting equipment for semiconductor devices |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP9080842A JP2957512B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Lead cutting equipment for semiconductor devices |
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| JP2957512B2 JP2957512B2 (en) | 1999-10-04 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9080842A Expired - Fee Related JP2957512B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Lead cutting equipment for semiconductor devices |
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| KR (1) | KR19980081206A (en) |
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1997
- 1997-03-31 JP JP9080842A patent/JP2957512B2/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-31 KR KR1019980012492A patent/KR19980081206A/en not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2957512B2 (en) | 1999-10-04 |
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