JPH10263871A - レーザー加工用誘電体マスクの製造方法 - Google Patents
レーザー加工用誘電体マスクの製造方法Info
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- JPH10263871A JPH10263871A JP9069805A JP6980597A JPH10263871A JP H10263871 A JPH10263871 A JP H10263871A JP 9069805 A JP9069805 A JP 9069805A JP 6980597 A JP6980597 A JP 6980597A JP H10263871 A JPH10263871 A JP H10263871A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造期間を短縮すると共に、製造コストを低
減すること。 【解決手段】 合成石英板１０の表面に、屈折率の異な
る誘電体膜を交互に積層して誘電体多層膜２０を形成
し、誘電体多層膜２０の表面に、金属薄膜３０を形成
し、金属薄膜３０の所要の部位にレーザー光３２を照射
することで、レーザー光３２が照射された部位の金属薄
膜３０とその下層の誘電体多層膜２０とを除去して金属
薄膜３０及び誘電体多層膜２０を所望のマスクパターン
に形成した後、誘電体多層膜２０の表面の金属薄膜３０
をエッチングによって除去する。
減すること。 【解決手段】 合成石英板１０の表面に、屈折率の異な
る誘電体膜を交互に積層して誘電体多層膜２０を形成
し、誘電体多層膜２０の表面に、金属薄膜３０を形成
し、金属薄膜３０の所要の部位にレーザー光３２を照射
することで、レーザー光３２が照射された部位の金属薄
膜３０とその下層の誘電体多層膜２０とを除去して金属
薄膜３０及び誘電体多層膜２０を所望のマスクパターン
に形成した後、誘電体多層膜２０の表面の金属薄膜３０
をエッチングによって除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー加工用誘電
体マスクの製造方法に関する。紫外線の波長域のレーザ
ー光（エキシマレーザー等）で、ポリイミドのシート材
等に微細なパターン加工を行う場合、基板面上に誘電体
多層膜から成るマスクパターンが形成されたレーザー加
工用誘電体マスクが用いられる。例えば、図４に示すよ
うに、レーザー加工用誘電体マスク５０に、エキシマレ
ーザー５２を照射し、その誘電体マスク５０によって得
られる像を、レンズ５４によって縮小してポリイミドの
シート材５６に転写する。このとき、所要のマスクパタ
ーンに形成された誘電体多層膜２０が、エキシマレーザ
ー５２の反射材として好適に作用する。これにより、ポ
リイミドのシート材５６は、エキシマレーザー５２の照
射された部分が除去され、所望のパターン（孔５７等）
が形成される。エキシマレーザー５２は、紫外線の波長
域のレーザー光であり、樹脂の結合を効率良く切断で
き、樹脂の微細な加工に好適に利用できる。なお、以上
の工程で孔等のパターンが形成されたポリイミドのシー
ト材５６は、配線パターンが形成され、半導体チップが
搭載されるパッケージを構成する回路基板などとして利
用される。
体マスクの製造方法に関する。紫外線の波長域のレーザ
ー光（エキシマレーザー等）で、ポリイミドのシート材
等に微細なパターン加工を行う場合、基板面上に誘電体
多層膜から成るマスクパターンが形成されたレーザー加
工用誘電体マスクが用いられる。例えば、図４に示すよ
うに、レーザー加工用誘電体マスク５０に、エキシマレ
ーザー５２を照射し、その誘電体マスク５０によって得
られる像を、レンズ５４によって縮小してポリイミドの
シート材５６に転写する。このとき、所要のマスクパタ
ーンに形成された誘電体多層膜２０が、エキシマレーザ
ー５２の反射材として好適に作用する。これにより、ポ
リイミドのシート材５６は、エキシマレーザー５２の照
射された部分が除去され、所望のパターン（孔５７等）
が形成される。エキシマレーザー５２は、紫外線の波長
域のレーザー光であり、樹脂の結合を効率良く切断で
き、樹脂の微細な加工に好適に利用できる。なお、以上
の工程で孔等のパターンが形成されたポリイミドのシー
ト材５６は、配線パターンが形成され、半導体チップが
搭載されるパッケージを構成する回路基板などとして利
用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体マスクは、リフトオフ法に
よって製造されていた。リフトオフ法とは、先ず、基板
である合成石英板の表面に所望のパターンとは反転した
パターンを持つリフトオフ層を形成し、次にそのリフト
オフ層が形成された合成石英板の表面全面に誘電体多層
膜を蒸着により形成し、そしてリフトオフ層を除去する
ことによって、リフトオフ層の表面に形成された誘電体
多層膜をも除去し、所望のマスクパターンを有する誘電
体マスクを得る方法である。
よって製造されていた。リフトオフ法とは、先ず、基板
である合成石英板の表面に所望のパターンとは反転した
パターンを持つリフトオフ層を形成し、次にそのリフト
オフ層が形成された合成石英板の表面全面に誘電体多層
膜を蒸着により形成し、そしてリフトオフ層を除去する
ことによって、リフトオフ層の表面に形成された誘電体
多層膜をも除去し、所望のマスクパターンを有する誘電
体マスクを得る方法である。
【０００３】リフトオフ法の従来例を、図５に基づいて
以下に説明する。先ず、合成石英板１０の表面に銀等の
金属膜層６０を蒸着により形成し（図５（ｂ））、その
上にフォトレジスト６２を塗布し（図５（ｃ））、フォ
トレジスト用のマスクを使用して露光する。次に現像し
てパターンを形成し（図５（ｄ））、そしてレジストの
開口部の金属膜のみを化学エッチングして金属膜のパタ
ーン６０ａを成形する（図５（ｅ））。次に、金属膜の
パターン６０ａが形成された合成石英板１０の表面全面
に、真空蒸着或いはスパッタリングによって、誘電体多
層膜６４を形成する（図５（ｆ））。例えば、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の膜
層を交互に複数層積層することで、誘電体多層膜６４を
形成する。そして、金属膜のパターン６０ａを化学エッ
チングで除去することによって、金属膜のパターン６０
ａの表面に形成された誘電体多層膜６４をも除去し、そ
れにより、誘電体多層膜６４による所望のパターン６４
ａを合成石英板１０の表面に形成し（図５（ｇ））、所
望の誘電体マスクを得ることができる。なお、誘電体膜
はポーラス状に形成されるため、エッチング液はその誘
電体膜へ浸透して金属膜のパターン６０ａまで達し、そ
の金属膜のパターン６０ａを好適に化学エッチングでき
る。
以下に説明する。先ず、合成石英板１０の表面に銀等の
金属膜層６０を蒸着により形成し（図５（ｂ））、その
上にフォトレジスト６２を塗布し（図５（ｃ））、フォ
トレジスト用のマスクを使用して露光する。次に現像し
てパターンを形成し（図５（ｄ））、そしてレジストの
開口部の金属膜のみを化学エッチングして金属膜のパタ
ーン６０ａを成形する（図５（ｅ））。次に、金属膜の
パターン６０ａが形成された合成石英板１０の表面全面
に、真空蒸着或いはスパッタリングによって、誘電体多
層膜６４を形成する（図５（ｆ））。例えば、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2 ）、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の膜
層を交互に複数層積層することで、誘電体多層膜６４を
形成する。そして、金属膜のパターン６０ａを化学エッ
チングで除去することによって、金属膜のパターン６０
ａの表面に形成された誘電体多層膜６４をも除去し、そ
れにより、誘電体多層膜６４による所望のパターン６４
ａを合成石英板１０の表面に形成し（図５（ｇ））、所
望の誘電体マスクを得ることができる。なお、誘電体膜
はポーラス状に形成されるため、エッチング液はその誘
電体膜へ浸透して金属膜のパターン６０ａまで達し、そ
の金属膜のパターン６０ａを好適に化学エッチングでき
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リフトオフ法では、フォトレジスト用のマスクを作製す
る工程、金属膜のパターンを形成するための化学エッチ
ング、金属膜のパターンを化学エッチングして誘電体多
層膜による所望のパターンを形成する工程（リフトオフ
工程）等、製造工程が複雑である。従って、製造に時間
がかかって納期を短縮できないと共に、製造コストを低
減できないという課題があった。ところで、エネルギー
密度が高いレーザー光を利用すれば、誘電体膜を直接加
工でき、所望のパターンを形成できる。しかし、誘電体
膜はレーザー光を反射するものであるから、その誘電体
膜をレーザー光によって直接加工することは、効率的で
はないという課題がある。
リフトオフ法では、フォトレジスト用のマスクを作製す
る工程、金属膜のパターンを形成するための化学エッチ
ング、金属膜のパターンを化学エッチングして誘電体多
層膜による所望のパターンを形成する工程（リフトオフ
工程）等、製造工程が複雑である。従って、製造に時間
がかかって納期を短縮できないと共に、製造コストを低
減できないという課題があった。ところで、エネルギー
密度が高いレーザー光を利用すれば、誘電体膜を直接加
工でき、所望のパターンを形成できる。しかし、誘電体
膜はレーザー光を反射するものであるから、その誘電体
膜をレーザー光によって直接加工することは、効率的で
はないという課題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、製造期間を短縮
できると共に、製造コストを低減できるレーザー加工用
誘電体マスクの製造方法を提供することにある。
できると共に、製造コストを低減できるレーザー加工用
誘電体マスクの製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次の構成を備える。すなわち、本発明は、
基板の表面に、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層し
て誘電体多層膜を形成し、該誘電体多層膜の表面に、金
属薄膜を形成し、該金属薄膜の所要の部位にレーザー光
を照射することで、レーザー光が照射された部位の金属
薄膜とその下層の誘電体多層膜とを除去して前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のマスクパターンに形成
した後、前記誘電体多層膜の表面の金属薄膜をエッチン
グによって除去することを特徴とする。
成するために次の構成を備える。すなわち、本発明は、
基板の表面に、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層し
て誘電体多層膜を形成し、該誘電体多層膜の表面に、金
属薄膜を形成し、該金属薄膜の所要の部位にレーザー光
を照射することで、レーザー光が照射された部位の金属
薄膜とその下層の誘電体多層膜とを除去して前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のマスクパターンに形成
した後、前記誘電体多層膜の表面の金属薄膜をエッチン
グによって除去することを特徴とする。
【０００７】また、前記基板は、合成石英を光学研磨し
て形成されたことで、紫外線の波長域のレーザーに好適
に対応できる。
て形成されたことで、紫外線の波長域のレーザーに好適
に対応できる。
【０００８】また、前記誘電体多層膜は、二酸化ケイ素
の膜と二酸化ハフニウムの膜とを交互に積層して形成さ
れることで、紫外線の波長域のレーザーを好適に反射す
るレーザー加工用誘電体マスクを提供できる。
の膜と二酸化ハフニウムの膜とを交互に積層して形成さ
れることで、紫外線の波長域のレーザーを好適に反射す
るレーザー加工用誘電体マスクを提供できる。
【０００９】また、前記金属薄膜が鉄から成ることで、
レーザー光を効率良く吸収することができ、前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のパターン形状に対応さ
せて効率良く除去できる。
レーザー光を効率良く吸収することができ、前記金属薄
膜及び前記誘電体多層膜を所望のパターン形状に対応さ
せて効率良く除去できる。
【００１０】また、前記誘電体膜及び／又は前記金属薄
膜が、真空蒸着法、或いはスパッタリング法によって形
成されることで、従来の膜の形成方法を利用でき、従来
の製造設備で誘電体マスクを容易に製造できる。
膜が、真空蒸着法、或いはスパッタリング法によって形
成されることで、従来の膜の形成方法を利用でき、従来
の製造設備で誘電体マスクを容易に製造できる。
【００１１】また、前記レーザー光は、レンズによって
細く絞られたレーザービームであり、該レーザービーム
を走査することで、微細なパターンの加工を容易に行う
ことができる。
細く絞られたレーザービームであり、該レーザービーム
を走査することで、微細なパターンの加工を容易に行う
ことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる好適な実施
の形態例を添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発
明によるレーザー加工用誘電体マスクの製造方法の一例
を示す断面図である。先ず、基板である合成石英板１０
に、誘電体膜を、真空蒸着法などのＰＶＤ法、或いはス
パッタリングなどのＣＶＤ法によって、屈折率の異なる
誘電体膜を交互に積層し、これによって誘電体多層膜２
０を形成する（図１（ｂ））。具体的な実施例は後述す
る。次に、誘電体多層膜２０の上に、真空蒸着法、或い
はＣＶＤ法によって、金属薄膜３０を形成する（図１
（ｃ））。次に、金属薄膜３０へ部分的にレーザー光
（エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を照射するこ
とで、所要の部位の誘電体多層膜２０を除去する。金属
薄膜３０は、レーザー光を吸収し、そのレーザー光が照
射された部分が発熱（加熱）する。そして、その金属薄
膜３０加熱された部分の下層に位置する誘電体多層膜２
０も加熱される。誘電体膜は、熱に弱く、発熱した金属
薄膜３０の部位に対応する部分が破壊されて、その金属
薄膜３０の部位と共に除去される（図１（ｄ））。これ
により、金属薄膜３０及び誘電体多層膜２０を所望のマ
スクパターンに形成できる。なお、レーザー光を細く絞
って、所望のパターン形状に対応させて走査（スキャ
ン）することで、微細なパターン加工を好適且つ容易に
行うことができる。そして、多層誘電体膜２０の表面に
形成されている金属薄膜３０をエッチングして完全に除
去する（図１（ｅ））ことで、レーザー加工用誘電体マ
スクが完成する。
の形態例を添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発
明によるレーザー加工用誘電体マスクの製造方法の一例
を示す断面図である。先ず、基板である合成石英板１０
に、誘電体膜を、真空蒸着法などのＰＶＤ法、或いはス
パッタリングなどのＣＶＤ法によって、屈折率の異なる
誘電体膜を交互に積層し、これによって誘電体多層膜２
０を形成する（図１（ｂ））。具体的な実施例は後述す
る。次に、誘電体多層膜２０の上に、真空蒸着法、或い
はＣＶＤ法によって、金属薄膜３０を形成する（図１
（ｃ））。次に、金属薄膜３０へ部分的にレーザー光
（エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を照射するこ
とで、所要の部位の誘電体多層膜２０を除去する。金属
薄膜３０は、レーザー光を吸収し、そのレーザー光が照
射された部分が発熱（加熱）する。そして、その金属薄
膜３０加熱された部分の下層に位置する誘電体多層膜２
０も加熱される。誘電体膜は、熱に弱く、発熱した金属
薄膜３０の部位に対応する部分が破壊されて、その金属
薄膜３０の部位と共に除去される（図１（ｄ））。これ
により、金属薄膜３０及び誘電体多層膜２０を所望のマ
スクパターンに形成できる。なお、レーザー光を細く絞
って、所望のパターン形状に対応させて走査（スキャ
ン）することで、微細なパターン加工を好適且つ容易に
行うことができる。そして、多層誘電体膜２０の表面に
形成されている金属薄膜３０をエッチングして完全に除
去する（図１（ｅ））ことで、レーザー加工用誘電体マ
スクが完成する。
【００１３】
【実施例】次に、レーザー加工用誘電体マスクの製造方
法にかかる好適な実施例を、図１に基づいて詳細に説明
する。先ず、基板、例えば、板厚５ｍｍ、大きさ４〜６
インチの合成石英板１０を用意する（図１（ａ））。こ
の合成石英板１０の板上に誘電体多層膜２０を形成する
（図１（ｂ））。本実施例では、誘電体膜である二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2 ）と二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の
膜層を交互に複数層積層する。各膜層の厚さは、数百Å
程度であり、その膜層を２０〜５０層に積層する。従っ
て、全体の膜厚は１〜３μｍ程度になる。誘電体膜を形
成するには、真空蒸着や、スパッタリング法等を利用で
きる。
法にかかる好適な実施例を、図１に基づいて詳細に説明
する。先ず、基板、例えば、板厚５ｍｍ、大きさ４〜６
インチの合成石英板１０を用意する（図１（ａ））。こ
の合成石英板１０の板上に誘電体多層膜２０を形成する
（図１（ｂ））。本実施例では、誘電体膜である二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2 ）と二酸化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）の
膜層を交互に複数層積層する。各膜層の厚さは、数百Å
程度であり、その膜層を２０〜５０層に積層する。従っ
て、全体の膜厚は１〜３μｍ程度になる。誘電体膜を形
成するには、真空蒸着や、スパッタリング法等を利用で
きる。
【００１４】なお、誘電体多層膜２０は、原理的に、高
屈折率誘電体膜と低屈折率誘電体膜とを、光学的膜厚が
レーザー波長の１／４になる厚さで交互に積層すること
で形成できる。従って、反射させるレーザー光の波長、
或いは必要な反射率によって、誘電体多層膜２０の層
数、高屈折率材と低屈折率材の組み合せは選択的に設定
され、全体の膜厚は、一般的には、紫外線域のレーザー
光において０．５μｍ〜３μｍ程度になる。また、この
誘電体材料としては、紫外線域の波長域で透過性の性質
を持つものに限られ、一般に弗化物（例えば、ＬｉＦ、
ＮａＦ、ＭｇＦ2 ）や、酸化物（例えば、ＳｉＯ2 、Ｈ
ｆＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 ）が用いられる。このよ
うに形成された誘電体多層膜２０は、レーザー光を反射
させる干渉フィルタとして好適に作用し、レーザー耐圧
が非常に高く、レーザー加工膜として非常に有効に用い
ることができる。
屈折率誘電体膜と低屈折率誘電体膜とを、光学的膜厚が
レーザー波長の１／４になる厚さで交互に積層すること
で形成できる。従って、反射させるレーザー光の波長、
或いは必要な反射率によって、誘電体多層膜２０の層
数、高屈折率材と低屈折率材の組み合せは選択的に設定
され、全体の膜厚は、一般的には、紫外線域のレーザー
光において０．５μｍ〜３μｍ程度になる。また、この
誘電体材料としては、紫外線域の波長域で透過性の性質
を持つものに限られ、一般に弗化物（例えば、ＬｉＦ、
ＮａＦ、ＭｇＦ2 ）や、酸化物（例えば、ＳｉＯ2 、Ｈ
ｆＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 ）が用いられる。このよ
うに形成された誘電体多層膜２０は、レーザー光を反射
させる干渉フィルタとして好適に作用し、レーザー耐圧
が非常に高く、レーザー加工膜として非常に有効に用い
ることができる。
【００１５】次に、金属薄膜３０を形成する（図１
（ｃ））。例えば、鉄（Ｆｅ）の薄膜を蒸着法またはス
パッタリング法で０．５〜１μｍの厚さに形成する。鉄
は、エキシマレーザー光を吸収し易く、そのエキシマレ
ーザー光によって加熱され易い。なお、レーザー光（エ
キシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を吸収する性質の
ものであれば、金属の材質は、特に限定されない。例え
ば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等を選択的
に利用できる。
（ｃ））。例えば、鉄（Ｆｅ）の薄膜を蒸着法またはス
パッタリング法で０．５〜１μｍの厚さに形成する。鉄
は、エキシマレーザー光を吸収し易く、そのエキシマレ
ーザー光によって加熱され易い。なお、レーザー光（エ
キシマレーザー、ＹＡＧレーザー等）を吸収する性質の
ものであれば、金属の材質は、特に限定されない。例え
ば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等を選択的
に利用できる。
【００１６】次に、レーザー光を細く絞り、そのレーザ
ービームをスキャンすることによってパターン加工する
（図１（ｄ））。金属薄膜と誘電体膜（多層）が、アブ
レーションによって除去される。例えば、金属薄膜３０
と誘電体多層膜２０とからなる膜層に、直径３０μｍ程
度の孔を形成するには、図２に示すようにレーザー光３
２をレンズ３４で直径１〜１０μｍに絞り、そのレーザ
ービーム３６を図３に示すように一筆書きのようにをス
キャンすればよい。レーザービーム３６を発生させるレ
ーザー光としては、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの３倍波（３
５５ｎｍ）、または４倍波（２６６ｎｍ）等の紫外線域
のレーザー光を好適に利用できる。なお、エネルギー密
度は、種々の条件によるが、１Ｊ／ｃｍ2 以上程度でよ
い。誘電体多層膜２０が金属薄膜３０と共に除去される
のは、金属薄膜３０がレーザー光を吸収して、熱を発生
し、その熱によって誘電体膜にダメージを与えるためで
ある。通常、金属薄膜３０がないと、誘電体多層膜２０
は、レーザー光の反射率が高いため、１Ｊ／ｃｍ2 程度
のエネルギーではダメージを受けない。
ービームをスキャンすることによってパターン加工する
（図１（ｄ））。金属薄膜と誘電体膜（多層）が、アブ
レーションによって除去される。例えば、金属薄膜３０
と誘電体多層膜２０とからなる膜層に、直径３０μｍ程
度の孔を形成するには、図２に示すようにレーザー光３
２をレンズ３４で直径１〜１０μｍに絞り、そのレーザ
ービーム３６を図３に示すように一筆書きのようにをス
キャンすればよい。レーザービーム３６を発生させるレ
ーザー光としては、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの３倍波（３
５５ｎｍ）、または４倍波（２６６ｎｍ）等の紫外線域
のレーザー光を好適に利用できる。なお、エネルギー密
度は、種々の条件によるが、１Ｊ／ｃｍ2 以上程度でよ
い。誘電体多層膜２０が金属薄膜３０と共に除去される
のは、金属薄膜３０がレーザー光を吸収して、熱を発生
し、その熱によって誘電体膜にダメージを与えるためで
ある。通常、金属薄膜３０がないと、誘電体多層膜２０
は、レーザー光の反射率が高いため、１Ｊ／ｃｍ2 程度
のエネルギーではダメージを受けない。
【００１７】そして、金属薄膜３０をエッチングして完
全に金属を除去することで、レーザー加工用誘電体マス
クが完成する。エッチング液としては、塩化第２鉄の水
溶液や、過硫酸アンモニウム水溶液（１０％）を用いる
ことができる。
全に金属を除去することで、レーザー加工用誘電体マス
クが完成する。エッチング液としては、塩化第２鉄の水
溶液や、過硫酸アンモニウム水溶液（１０％）を用いる
ことができる。
【００１８】本発明によれば、誘電体多層膜２０上に、
レーザー光を吸収する金属薄膜３０を形成し、レーザー
光を照射された金属薄膜３０が加熱されることを利用
し、所望の誘電体多層膜２０のマスクパターン２０ａを
得ることができる。このため、リフトオフ法におけるよ
うなフォトレジストの露光工程で使用されるフォトレジ
スト用のマスクを必要としない。従って、そのようなフ
ォトレジスト用のマスクを作製する工程も必要としな
い。また、金属膜のパターンを形成する際の化学エッチ
ング、及び化学エッチングによるリフトオフ工程も必要
ない。このため、製造工程が複雑化せず、製造期間を短
縮でき、コストを低減できる。また、上記のようにウェ
ット工程を省くことができ、レーザー光によるドライ工
程でマスクパターン２０ａを得ることができるから簡単
な装置で対応でき、その保守管理も容易にできる。
レーザー光を吸収する金属薄膜３０を形成し、レーザー
光を照射された金属薄膜３０が加熱されることを利用
し、所望の誘電体多層膜２０のマスクパターン２０ａを
得ることができる。このため、リフトオフ法におけるよ
うなフォトレジストの露光工程で使用されるフォトレジ
スト用のマスクを必要としない。従って、そのようなフ
ォトレジスト用のマスクを作製する工程も必要としな
い。また、金属膜のパターンを形成する際の化学エッチ
ング、及び化学エッチングによるリフトオフ工程も必要
ない。このため、製造工程が複雑化せず、製造期間を短
縮でき、コストを低減できる。また、上記のようにウェ
ット工程を省くことができ、レーザー光によるドライ工
程でマスクパターン２０ａを得ることができるから簡単
な装置で対応でき、その保守管理も容易にできる。
【００１９】また、図２に示すように、レンズ３４によ
って細く絞られたレーザー光のレーザービーム３６を、
走査して金属薄膜３０へ照射し、それによって金属薄膜
３０及び誘電体多層膜２０を所望のパターン形状に対応
させてを除去することで、微細なマスクパターン２０ａ
の加工を容易に行うことができる。このレーザービーム
３６を走査する工程は、レーザービーム３６の走査を制
御する加工データを作成するだけで変更することが可能
である。従って、種類の異なるレーザー加工用誘電体マ
スクの製造に好適に対応できる。これに対し、従来のリ
フトオフ法では、異なるレーザー加工用誘電体マスクの
それぞれに対応して、フォトレジスト用のマスクを作製
することになり、時間がかかる。
って細く絞られたレーザー光のレーザービーム３６を、
走査して金属薄膜３０へ照射し、それによって金属薄膜
３０及び誘電体多層膜２０を所望のパターン形状に対応
させてを除去することで、微細なマスクパターン２０ａ
の加工を容易に行うことができる。このレーザービーム
３６を走査する工程は、レーザービーム３６の走査を制
御する加工データを作成するだけで変更することが可能
である。従って、種類の異なるレーザー加工用誘電体マ
スクの製造に好適に対応できる。これに対し、従来のリ
フトオフ法では、異なるレーザー加工用誘電体マスクの
それぞれに対応して、フォトレジスト用のマスクを作製
することになり、時間がかかる。
【００２０】なお、レーザービーム３６は、金属薄膜３
０に対して相対的に走査すればよい。図２の実施例で
は、レーザービーム３６が固定され、ワークが載せられ
たステージ３８が数値制御によって移動するが、相対的
には金属薄膜３０に対してレーザービーム３６を走査す
る加工装置になっている。また、前記のようにレーザー
光３２をレンズ３４によって集光すれば、エネルギー密
度の低いレーザー光を用いて加工に必要なエネルギー密
度を得ることができる。従って、大型のレーザー装置を
要しない。以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明してきたが、本発明はこの実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改
変を施し得るのは勿論のことである。
０に対して相対的に走査すればよい。図２の実施例で
は、レーザービーム３６が固定され、ワークが載せられ
たステージ３８が数値制御によって移動するが、相対的
には金属薄膜３０に対してレーザービーム３６を走査す
る加工装置になっている。また、前記のようにレーザー
光３２をレンズ３４によって集光すれば、エネルギー密
度の低いレーザー光を用いて加工に必要なエネルギー密
度を得ることができる。従って、大型のレーザー装置を
要しない。以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明してきたが、本発明はこの実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改
変を施し得るのは勿論のことである。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、基板の表面に形成した
誘電体多層膜の表面に金属薄膜を形成し、その金属薄膜
の所要の部位にレーザー光を照射して加熱することで、
その金属薄膜及びその下層の誘電体多層膜を除去でき、
これによってレーザー加工用誘電体マスクを好適に製造
することができる。従って、従来のリフトオフ法におけ
るような、フォトレジスト用のマスクを作製する工程及
びウェット工程が必要なく、製造期間を短縮できる。こ
れにより、レーザー加工用誘電体マスクにかかる製造コ
ストを低減でき、納期を短縮できるという著効を奏す
る。
誘電体多層膜の表面に金属薄膜を形成し、その金属薄膜
の所要の部位にレーザー光を照射して加熱することで、
その金属薄膜及びその下層の誘電体多層膜を除去でき、
これによってレーザー加工用誘電体マスクを好適に製造
することができる。従って、従来のリフトオフ法におけ
るような、フォトレジスト用のマスクを作製する工程及
びウェット工程が必要なく、製造期間を短縮できる。こ
れにより、レーザー加工用誘電体マスクにかかる製造コ
ストを低減でき、納期を短縮できるという著効を奏す
る。
【図１】本発明にかかる製造方法の一実施例を示す工程
図である。
図である。
【図２】本発明にかかるレーザービームの照射工程を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図３】本発明にかかるレーザービームの走査方法を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図４】背景技術を説明する説明図である。
【図５】従来技術の製造方法の一実施例を示す工程図で
ある。
ある。
１０ 合成石英板 ２０ 誘電体多層膜 ３０ 金属薄膜 ３２ レーザー光 ３４ レンズ ３６ レーザービーム
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の表面に、屈折率の異なる誘電体膜
を交互に積層して誘電体多層膜を形成し、 該誘電体多層膜の表面に、金属薄膜を形成し、 該金属薄膜の所要の部位にレーザー光を照射すること
で、レーザー光が照射された部位の金属薄膜とその下層
の誘電体多層膜とを除去して前記金属薄膜及び前記誘電
体多層膜を所望のマスクパターンに形成した後、 前記誘電体多層膜の表面の金属薄膜をエッチングによっ
て除去することを特徴とするレーザー加工用誘電体マス
クの製造方法。 - 【請求項２】 前記基板は、合成石英を光学研磨して形
成されたことを特徴とする請求項１記載のレーザー加工
用誘電体マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記誘電体多層膜は、二酸化ケイ素の膜
と二酸化ハフニウムの膜とを交互に積層して形成される
ことを特徴とする請求項１記載のレーザー加工用誘電体
マスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記金属薄膜が鉄から成ることを特徴と
する請求項１記載のレーザー加工用誘電体マスクの製造
方法。 - 【請求項５】 前記誘電体膜及び／又は前記金属薄膜
が、真空蒸着法、或いはスパッタリング法によって形成
されることを特徴とする請求項１、３または４記載のレ
ーザー加工用誘電体マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記レーザー光は、レンズによって細く
絞られたレーザービームであり、該レーザービームを走
査することを特徴とする請求項１記載のレーザー加工用
誘電体マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069805A JPH10263871A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | レーザー加工用誘電体マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069805A JPH10263871A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | レーザー加工用誘電体マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10263871A true JPH10263871A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13413343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069805A Pending JPH10263871A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | レーザー加工用誘電体マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10263871A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129126A2 (en) | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| EP2463928A2 (en) | 2005-06-01 | 2012-06-13 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| JP2016007612A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社エツミ光学 | 多層蒸着体のマーキング法及び多層蒸着体 |
| CN105789031A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-20 | 中国建筑材料科学研究总院 | 激光直写用掩膜及其刻蚀方法 |
| RU2722539C1 (ru) * | 2019-10-15 | 2020-06-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления кварцевых чувствительных элементов датчиков |
| JP2020134577A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 大日本印刷株式会社 | レーザ露光用フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP9069805A patent/JPH10263871A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129126A2 (en) | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| EP2463928A2 (en) | 2005-06-01 | 2012-06-13 | Plastic Logic Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| US9209400B2 (en) | 2005-06-01 | 2015-12-08 | Flexenable Limited | Layer-selective laser ablation patterning |
| USRE45885E1 (en) | 2005-06-01 | 2016-02-09 | Flexenable Limited | Laser ablation of electronic devices |
| JP2016007612A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社エツミ光学 | 多層蒸着体のマーキング法及び多層蒸着体 |
| CN105789031A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-07-20 | 中国建筑材料科学研究总院 | 激光直写用掩膜及其刻蚀方法 |
| JP2020134577A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 大日本印刷株式会社 | レーザ露光用フォトマスク及びフォトマスクブランクス |
| RU2722539C1 (ru) * | 2019-10-15 | 2020-06-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления кварцевых чувствительных элементов датчиков |
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