JPH10261601A - Method and device of releasing work on polisher - Google Patents
Method and device of releasing work on polisherInfo
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- JPH10261601A JPH10261601A JP8571097A JP8571097A JPH10261601A JP H10261601 A JPH10261601 A JP H10261601A JP 8571097 A JP8571097 A JP 8571097A JP 8571097 A JP8571097 A JP 8571097A JP H10261601 A JPH10261601 A JP H10261601A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ワークと下定盤
との間に介在する洗浄液によって下定盤に吸着されたワ
ークを剥離するための研磨装置のワーク剥離方法及びワ
ーク剥離装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a work separating method and a work separating apparatus for a polishing apparatus for separating a work adsorbed on a lower surface plate by a cleaning liquid interposed between the work and the lower surface plate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】研磨装置、例えばウエハを化学的機械的
に研磨するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）
装置は、図８に示すように、ウエハ１００をヘッド２で
下定盤１の研磨パッド１ａ上に加圧し、研磨液を研磨パ
ッド１ａに供給しながら、下定盤１とヘッド２とを回転
させることで、ウエハ１００の表面（図８における下
面）を平坦に研磨するものである。そして、研磨作業を
終了した後、ウエハ１００を純水等の純水Ｗで洗浄し、
洗浄したウエハ１００をヘッド２で吸着した状態で持上
げ、所定の保管場所まで搬送するようになっている。と
ころで、ウエハ１００の洗浄作業終了後においては、図
９に示すように、純水Ｗがウエハ１００の表面と研磨パ
ッド１ａとの間に介在し、ウエハ１００が純水Ｗの表面
張力によって研磨パッド１ａ側に吸着された状態となる
ので、ウエハ１００を研磨パッド１ａから剥がすことは
困難である。このような状態で、ウエハ１００をヘッド
２で無理に研磨パッド１ａから剥がそうとすると、ウエ
ハ１００が割れるおそれがある。そこで、従来は、図１
０に示すように、ウエハ１００をオーバハングさせなが
らヘッド２で持ち上げるようにしていた。すなわち、ヘ
ッド２を下定盤１の外周縁側まで移動させ、ウエハ１０
０の一部分を下定盤１の外側に逃がして、ウエハ１００
と研磨パッド１ａとの接触面積、すなわち純水Ｗによる
表面張力を小さくしてから、ウエハ１００を研磨パッド
１ａから剥がすようにしていた。2. Description of the Related Art A polishing apparatus, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing) for chemically and mechanically polishing a wafer.
As shown in FIG. 8, the apparatus presses the wafer 100 on the polishing pad 1a of the lower platen 1 with the head 2 and rotates the lower platen 1 and the head 2 while supplying the polishing liquid to the polishing pad 1a. Then, the surface of the wafer 100 (the lower surface in FIG. 8) is polished flat. After finishing the polishing operation, the wafer 100 is washed with pure water W such as pure water,
The cleaned wafer 100 is lifted while being sucked by the head 2, and is transported to a predetermined storage location. By the way, after the cleaning operation of the wafer 100 is finished, as shown in FIG. 9, pure water W is interposed between the surface of the wafer 100 and the polishing pad 1a, and the wafer 100 is polished by the surface tension of the pure water W. Since the wafer 100 is attracted to the side 1a, it is difficult to peel off the wafer 100 from the polishing pad 1a. In such a state, if the wafer 2 is forcibly peeled off from the polishing pad 1a by the head 2, the wafer 100 may be broken. Therefore, conventionally, FIG.
As shown in FIG. 0, the wafer 100 is lifted by the head 2 while overhanging the wafer 100. That is, the head 2 is moved to the outer peripheral side of the lower platen 1 and the wafer 10 is moved.
0 is released to the outside of the lower platen 1 so that the wafer 100
The wafer 100 is peeled off from the polishing pad 1a after the contact area between the wafer 100 and the polishing pad 1a, that is, the surface tension due to the pure water W is reduced.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のウエハ剥離方法では、次のような問題があった。図１
０に示すように、ウエハ１００のオーバハング量Ｌは、
装置の構造的制約などからさほど大きくすることができ
ないので、ウエハ１００と研磨パッド１ａとの接触面積
をあまり小さくすることができない。このため、オーバ
ハング状態においても、ウエハ１００に対して純水Ｗの
表面張力による吸着力が相当働き、ウエハ１００を研磨
パッド１ａから剥がす際に、ウエハ１００や下定盤１に
大きな衝撃が加わったり、ウエハ１００を取り残す事態
が発生するおそれがあった。また、通常は、下定盤１が
回転している状態でウエハ１００を研磨パッド１ａから
剥がすので、回転する研磨パッド１ａのエッジ１ｂによ
ってウエハ１００の表面にスクラッチが発生し、ウエハ
１００の品質を劣化させるおそれがあった。However, the above-mentioned conventional wafer peeling method has the following problems. FIG.
As shown in FIG. 0, the overhang amount L of the wafer 100 is
The contact area between the wafer 100 and the polishing pad 1a cannot be reduced too much because the contact area between the wafer 100 and the polishing pad 1a cannot be increased so much due to structural restrictions of the apparatus. For this reason, even in the overhang state, the suction force due to the surface tension of the pure water W acts considerably on the wafer 100, and when the wafer 100 is peeled off from the polishing pad 1a, a large impact is applied to the wafer 100 or the lower platen 1, There is a possibility that the wafer 100 may be left behind. Further, since the wafer 100 is usually peeled off from the polishing pad 1a while the lower platen 1 is rotating, scratches are generated on the surface of the wafer 100 by the edge 1b of the rotating polishing pad 1a, and the quality of the wafer 100 is deteriorated. There was a risk of doing so.
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、洗浄後のワークをオーバハングさせる
ことなく下定盤から容易に剥離することができる研磨装
置のワーク剥離方法及びワーク剥離装置を提供すること
を目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a workpiece peeling method and a workpiece peeling apparatus for a polishing apparatus which can easily peel off a cleaned workpiece from a lower surface plate without overhanging the workpiece. It is intended to do so.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、研磨装置の下定盤に載置された
状態で洗浄液により洗浄されたワークを下定盤から剥離
する研磨装置のワーク剥離方法において、ワークを変質
させないガスを、洗浄液の中に気泡状態で混入させる構
成とした。かかる構成により、ワークと下定盤との間に
介在する洗浄液にガスが気泡状態で混入するので、ワー
クに対する洗浄液の接触面積が気泡の存在によって小さ
くなり、ワークに対する表面張力が減少する。In order to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to provide a polishing apparatus for peeling a workpiece cleaned by a cleaning liquid from a lower surface plate while being mounted on the lower surface plate of the polishing device. In the method of separating a work, a gas that does not deteriorate the work is mixed in the cleaning liquid in a bubble state. With this configuration, the gas is mixed in a bubble state into the cleaning liquid interposed between the work and the lower platen, so that the contact area of the cleaning liquid with the work is reduced by the presence of the bubbles, and the surface tension on the work is reduced.
【０００６】また、上記ワーク剥離方法において、ガス
を、ワークと下定盤の間に吹き付ける構成とした。ま
た、上記ワーク剥離方法において、ガスを、洗浄液の中
に予め混入しておく構成とした。また、上記ワーク剥離
方法において、洗浄液は、純水である構成とした。さら
に、上記ワーク剥離方法において、ガスは、炭酸ガスで
ある構成とした。Further, in the above-described method of stripping a workpiece, a gas is blown between the workpiece and the lower platen. Further, in the above-described method of stripping a workpiece, the gas is mixed in the cleaning liquid in advance. Further, in the above-described method of stripping the workpiece, the cleaning liquid is configured to be pure water. Further, in the above-described method for stripping a workpiece, the gas is carbon dioxide.
【０００７】請求項６の発明は、ワークを回転する下定
盤に加圧体で加圧しながら研磨する研磨装置に適用され
るワーク剥離装置であって、ワークを変質させないガス
を洗浄液に気泡状態で混入させるガス混入手段と、ワー
クを下定盤から持ち上げるワーク持上手段とを具備する
構成とした。かかる構成により、ガス混入手段によって
ガスを洗浄液中に気泡状態で混入させることができるの
で、ワークに対する洗浄液の接触面積が気泡の存在によ
って小さくなり、ワークに対する表面張力が減少する。
この状態でワーク持上手段によりワークを持ち上げれ
ば、ワークが下定盤から剥離される。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a workpiece peeling apparatus which is applied to a polishing apparatus for polishing a workpiece while rotating the lower platen while pressing the workpiece with a pressing body, wherein a gas which does not deteriorate the workpiece is bubbled into the cleaning liquid. The structure is provided with a gas mixing means for mixing and a work lifting means for lifting the work from the lower surface plate. With this configuration, the gas can be mixed into the cleaning liquid in a bubble state by the gas mixing means, so that the contact area of the cleaning liquid with the work is reduced by the presence of the bubbles, and the surface tension on the work is reduced.
If the work is lifted by the work lifting means in this state, the work is separated from the lower surface plate.
【０００８】また、上記ワーク剥離装置において、ガス
混入手段は、噴射口がワークと下定盤との間を向くガス
噴射部と、ガスをガス噴射部に所定圧力で供給するガス
供給部とを具備する構成とした。また、上記ワーク剥離
装置において、ガス混入手段は、加圧体に取り付けら
れ、下定盤表面を掃くブラシ体と、噴射口が下定盤表面
側を向くように、ブラシ体に取り付けられたガス噴射部
と、ガスをガス噴射部に所定圧力で供給するガス供給部
とを具備する構成とした。また、上記ワーク剥離装置に
おいて、ガス混入手段は、下定盤に載置されたワークを
洗浄する洗浄液中に、ガスを予め混入するものである構
成とした。さらに、上記ワーク剥離装置において、ガス
は、炭酸ガスである構成とした。[0008] In the above-mentioned work stripping apparatus, the gas mixing means includes a gas injection section whose injection port is directed between the work and the lower platen, and a gas supply section which supplies gas to the gas injection section at a predetermined pressure. Configuration. In the above-described workpiece peeling apparatus, the gas mixing means is attached to the pressurizing body, and a brush body for sweeping the lower surface of the platen, and a gas injection unit attached to the brush body so that the injection port faces the surface of the lower surface plate. And a gas supply unit for supplying gas to the gas injection unit at a predetermined pressure. Further, in the above-described work peeling apparatus, the gas mixing means is configured to mix a gas in advance into a cleaning liquid for cleaning the work placed on the lower platen. Furthermore, in the above-described workpiece peeling device, the gas is configured to be a carbon dioxide gas.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るワーク剥離装置が適用されているＣＭＰ装置を一
部破断して示す正面図である。このＣＭＰ装置は、研磨
パッド１ａが表面に貼り付けられた下定盤１と、ウエハ
１００（ワーク）を保持して下定盤１上に加圧するヘッ
ド２（加圧体）とを具備している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a CMP apparatus to which a workpiece peeling apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied. The CMP apparatus includes a lower platen 1 on which a polishing pad 1a is attached on the surface, and a head 2 (pressing body) that holds the wafer 100 (work) and presses the lower platen 1 onto the lower platen 1.
【００１０】下定盤１はモータ１０によって駆動される
ようになっている。すなわち、モータ１０の回転軸に取
り付けられたプーリ１１と下定盤１の中心軸に連結され
た変速器１４のプーリ１３とがベルト１２で連結されて
いる。これにより、モータ１０の駆動力が、プーリ１
１，ベルト１２，プーリ１３を介して変速器１４に伝達
され、変速器１４で変速された後下定盤１に伝達され
る。一方、ヘッド２は、シリンダー２０のピストンロッ
ド２１の下端に取り付けられており、シリンダー２０に
よって昇降される。また、ヘッド２は、ギア２２，２３
を介してモータ２４に連結されており、モータ２４の駆
動力によってピストンロッド２１の周りで回転する。こ
のようなヘッド２の内部には、図２に示すように、ヘッ
ド２の下面に開口した空気室３０が形成されており、こ
の空気室３０に、エアポンプ３１から延出されたチュー
ブ３２が挿入されている。すなわち、ギア２２に連結さ
れたインナーロッド２５内にチューブ３２が挿入され、
チューブ３２の先端部が空気室３０に気密に連結されて
いる。The lower platen 1 is driven by a motor 10. That is, the pulley 11 attached to the rotating shaft of the motor 10 and the pulley 13 of the transmission 14 connected to the center shaft of the lower stool 1 are connected by the belt 12. As a result, the driving force of the motor 10 is
The transmission is transmitted to the transmission 14 via the belt 1, the belt 12, and the pulley 13, and is transmitted to the lower platen 1 after being shifted by the transmission 14. On the other hand, the head 2 is attached to the lower end of the piston rod 21 of the cylinder 20 and is moved up and down by the cylinder 20. The head 2 is provided with gears 22 and 23.
, And is rotated around the piston rod 21 by the driving force of the motor 24. As shown in FIG. 2, an air chamber 30 opened on the lower surface of the head 2 is formed inside the head 2, and a tube 32 extended from an air pump 31 is inserted into the air chamber 30. Have been. That is, the tube 32 is inserted into the inner rod 25 connected to the gear 22,
The distal end of the tube 32 is airtightly connected to the air chamber 30.
【００１１】上記のようなＣＭＰ装置に適用されるワー
ク剥離装置は、ウエハ１００を剥離するための装置であ
り、図１に示すように、ガス混入手段Ｂとウエハ持上手
段Ｃとでなる。ガス混入手段Ｂは、ノズル４（ガス噴射
部）とガスボンベ５（ガス供給部）とで構成されてい
る。ノズル４は、装置筺体１５の上面に設けられた支持
片４０に固定されており、その噴射口はウエハ１００と
研磨パッド１ａとの間に向いている。ガスボンベ５は、
炭酸ガスＧを収容しており、炭酸ガスＧをチューブ５０
を介してノズル４に供給する。一方、ウエハ持上手段Ｃ
は、ヘッド２とシリンダー２０とエアポンプ３１で兼用
されている。すなわち、図２に示したように、エアポン
プ３１を駆動させて、チューブ３２によってヘッド２の
空気室３０（図２参照）内の空気を吸引し、空気室３０
内を負圧にすることで、ウエハ１００をヘッド２の下面
に吸着する。そして、この状態でシリンダー２０を駆動
させ、ヘッド２を上昇させることで、ウエハ１００を持
上げることができるようになっている。The workpiece peeling device applied to the above-described CMP device is a device for peeling the wafer 100, and comprises a gas mixing means B and a wafer lifting means C as shown in FIG. The gas mixing means B includes a nozzle 4 (gas injection unit) and a gas cylinder 5 (gas supply unit). The nozzle 4 is fixed to a support piece 40 provided on the upper surface of the apparatus housing 15, and its ejection port faces between the wafer 100 and the polishing pad 1 a. Gas cylinder 5
Carbon dioxide G is stored in the tube 50.
Through the nozzle 4. On the other hand, wafer lifting means C
Is shared by the head 2, the cylinder 20, and the air pump 31. That is, as shown in FIG. 2, the air pump 31 is driven to suck the air in the air chamber 30 (see FIG. 2) of the head 2 by the tube 32,
By setting the inside to a negative pressure, the wafer 100 is attracted to the lower surface of the head 2. Then, by driving the cylinder 20 in this state and raising the head 2, the wafer 100 can be lifted.
【００１２】次に、この実施形態のワーク剥離装置が示
す動作について説明する。なお、このワーク剥離装置
は、その動作時において、請求項１ないし請求項５の発
明に係る研磨装置のワーク剥離方法を具体的に達成する
ものでもある。図１において、ヘッド２をシリンダー２
０によって下降させ、ウエハ１００を研磨パッド１ａ上
に加圧した状態で、研磨液Ｐを研磨パッド１ａ上に供給
しながら、下定盤１とヘッド２とをモータ１０，２４に
より逆方向に回転させることで、ウエハ１００の表面が
研磨パッド１ａによって平坦に研磨される。このとき、
矢印Ａで示すように、ヘッド２を下定盤１の径方向に揺
動させることで、研磨パッド１ａの偏摩耗を防止する。
ウエハ１００の研磨終了後は、純水Ｗ（洗浄液）を研磨
パッド１ａ上に噴射して研磨液Ｐや研磨粉等を洗い流す
ことにより、ウエハ１００を洗浄する。ウエハ１００の
洗浄後は、図９に示したと同様に、研磨パッド１ａ表面
全体に純水Ｗが溜まり、ウエハ１００の表面と研磨パッ
ド１ａとの間に純水Ｗが介在することとなる。このた
め、ウエハ１００は、ウエハ１００表面全体に接触した
純水Ｗの表面張力によって、研磨パッド１ａに吸着され
た状態となっており、この状態でウエハ１００を無理に
持ち上げると割れるおそれがある。Next, the operation of the workpiece peeling device of this embodiment will be described. In addition, this work peeling apparatus also specifically achieves the work peeling method of the polishing apparatus according to the first to fifth aspects of the present invention during operation. In FIG. 1, the head 2 is connected to the cylinder 2
0, the lower platen 1 and the head 2 are rotated in opposite directions by the motors 10 and 24 while the polishing liquid P is supplied onto the polishing pad 1a while the wafer 100 is pressed onto the polishing pad 1a. Thus, the surface of the wafer 100 is polished flat by the polishing pad 1a. At this time,
As shown by arrow A, the head 2 is swung in the radial direction of the lower platen 1 to prevent uneven wear of the polishing pad 1a.
After the polishing of the wafer 100 is completed, the wafer 100 is cleaned by injecting pure water W (cleaning liquid) onto the polishing pad 1a to wash away the polishing liquid P, polishing powder, and the like. After the cleaning of the wafer 100, the pure water W accumulates on the entire surface of the polishing pad 1a as shown in FIG. 9, and the pure water W is interposed between the surface of the wafer 100 and the polishing pad 1a. Therefore, the wafer 100 is in a state of being attracted to the polishing pad 1a by the surface tension of the pure water W in contact with the entire surface of the wafer 100. If the wafer 100 is forcibly lifted in this state, the wafer 100 may be broken.
【００１３】そこで、上記したワーク剥離装置のガス混
入手段Ｂを動作させる。すなわち、図１に示すガスボン
ベ５を開き、チューブ５０を介してノズル４に炭酸ガス
Ｇを送り、炭酸ガスＧをノズル４の噴射口からウエハ１
００と研磨パッド１ａとの間に向けて噴射する。炭酸ガ
スＧは、水に非常に溶け易く且つ常圧で容易に気化する
性質を有している。したがって、図３に示すように、炭
酸ガスＧがウエハ１００と研磨パッド１ａとの間に介在
する純水Ｗに溶け込んだ後、気泡化して、気泡Ｇ´が純
水Ｗに混入した状態となり、ウエハ１００の表面１００
ａ側に移動する。そして、炭酸ガスＧの噴射を一定時間
続けると、多数の気泡Ｇ´がウエハ１００の表面１００
ａと純水Ｗとの間に介在することとなり、表面１００ａ
に対する純水Ｗの接触面積が非常に小さくなる。この結
果、純水Ｗによるウエハ１００への表面張力が非常に小
さくなり、その吸着力は著しく減少する。ワーク剥離装
置のウエハ持上手段Ｃは、上記のようなガス混入手段Ｂ
の動作直後に行う。すなわち、図２において、エアポン
プ３１でヘッド２の空気室３０内の空気を吸引し、ウエ
ハ１００をヘッド２に吸着した状態で、ヘッド２をシリ
ンダー２０により上昇させ、ウエハ１００を持ち上げる
ようにする。図３に示したように、多数の気泡Ｇ´がウ
エハ１００の表面１００ａ側に移動し、表面１００ａと
純水Ｗとの間に介在すると、その分純粋Ｗの接触面積が
減少して、純水Ｗによる表面張力が著しく減少するの
で、上記のようにヘッド２に吸着されたウエハ１００は
ヘッド２によって軽く持ち上げられ、下定盤１から容易
に剥離される。なお、ウエハ持上手段Ｃは、純水Ｗの表
面が気泡Ｇ´で満たされた時点を見計らって動作させる
ようにしても良い。図３の二点鎖線で示すように、気泡
Ｇ´が表面１００ａ下側全体に介在すると、この気泡Ｇ
´によってウエハ１００が自然に剥離された状態にな
り、ウエハ１００の持ち上げ時における純水Ｗの抵抗は
ほとんど皆無である。Therefore, the gas mixing means B of the above-described workpiece peeling device is operated. That is, the gas cylinder 5 shown in FIG. 1 is opened, the carbon dioxide gas G is sent to the nozzle 4 through the tube 50, and the carbon dioxide gas G is supplied from the ejection port of the nozzle 4 to the wafer 1.
The liquid is sprayed between 00 and the polishing pad 1a. Carbon dioxide gas G is very soluble in water and has the property of being easily vaporized at normal pressure. Therefore, as shown in FIG. 3, after the carbon dioxide gas G is dissolved in the pure water W interposed between the wafer 100 and the polishing pad 1a, the carbon dioxide gas G is bubbled, and the bubble G 'is mixed with the pure water W. Surface 100 of wafer 100
Move to a side. When the injection of the carbon dioxide gas G is continued for a certain period of time, a large number of bubbles G ′ are generated on the surface 100 of the wafer 100.
a between the pure water W and the surface 100a
The contact area of the pure water W with respect to is very small. As a result, the surface tension of the pure water W on the wafer 100 becomes very small, and the attraction force thereof is significantly reduced. The wafer lifting means C of the workpiece peeling device is provided with the gas mixing means B as described above.
Perform immediately after the operation of. That is, in FIG. 2, the air in the air chamber 30 of the head 2 is sucked by the air pump 31, and the head 2 is lifted by the cylinder 20 in a state where the wafer 100 is attracted to the head 2 so that the wafer 100 is lifted. As shown in FIG. 3, when a large number of bubbles G ′ move toward the surface 100 a of the wafer 100 and intervene between the surface 100 a and the pure water W, the contact area of the pure W decreases accordingly, and Since the surface tension due to the water W is significantly reduced, the wafer 100 adsorbed to the head 2 as described above is lifted lightly by the head 2 and easily separated from the lower platen 1. Note that the wafer lifting means C may be operated at the time when the surface of the pure water W is filled with the bubbles G '. As shown by the two-dot chain line in FIG. 3, when the bubble G 'is interposed on the entire lower side of the surface 100a, the bubble G'
', The wafer 100 is naturally peeled off, and the resistance of the pure water W when the wafer 100 is lifted is almost nil.
【００１４】このように、この実施形態のワーク剥離装
置によれば、純水Ｗで洗浄したウエハ１００をオーバハ
ングさせることなく下定盤１から容易に剥離することが
できるので、ウエハ１００の剥離時にウエハ１００を損
傷させたり、スクラッチなどによる品質劣化を招くとい
う事態の発生を防止することができる。また、使用する
ガスが炭酸ガスＧであるので、高精度に平坦化されたウ
エハ１００が炭酸ガスＧによって変質されるという事態
も生じない。As described above, according to the workpiece peeling apparatus of this embodiment, the wafer 100 cleaned with pure water W can be easily peeled from the lower platen 1 without overhanging. It is possible to prevent the occurrence of a situation in which the quality 100 is damaged or the quality is deteriorated due to scratches or the like. Further, since the gas to be used is carbon dioxide gas G, the situation where the wafer 100 flattened with high precision is deteriorated by the carbon dioxide gas G does not occur.
【００１５】（第２の実施形態）図４は、この発明の第
２実施形態に係るワーク剥離装置の要部を示す断面図で
あり、図５はその平面図である。この実施形態は、ガス
混入手段Ｂのノズル４をブラシ体６に取り付けた点が上
記第１の実施形態と異なる。(Second Embodiment) FIG. 4 is a sectional view showing a main part of a workpiece peeling apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view thereof. This embodiment is different from the first embodiment in that the nozzle 4 of the gas mixing means B is attached to the brush body 6.
【００１６】ブラシ体６は、ヘッド２の直径と略同長の
長尺体であり、ヘッド２の外周面に取り付けられてい
る。このブラシ体６は、研磨パッド１ａ上を掃く植毛６
０をその下面に有し、その中央孔６１内には、噴射口を
下に向けたノズル４が挿入固着されている。これによ
り、ヘッド２を矢印Ａ方向に揺動させながら、ノズル４
から炭酸ガスＧを噴射すると、ブラシ体６の植毛６０に
よって研磨パッド１ａ上の純水Ｗが撹拌され、炭酸ガス
Ｇが純水Ｗ内に溶け込み易くなる。その他の構成，作用
効果は上記第１の実施形態と同様であるので、その記載
は省略する。The brush body 6 is a long body having substantially the same length as the diameter of the head 2, and is attached to the outer peripheral surface of the head 2. The brush body 6 is used for flocking 6 that sweeps over the polishing pad 1a.
No. 0 is provided on the lower surface, and the nozzle 4 with the injection port directed downward is inserted and fixed in the central hole 61. Thus, while the head 2 is swung in the direction of arrow A, the nozzle 4
When the carbon dioxide gas G is injected from the above, the pure water W on the polishing pad 1a is stirred by the flocking 60 of the brush body 6, and the carbon dioxide gas G is easily dissolved into the pure water W. The other configuration, operation, and effect are the same as those of the first embodiment, and the description thereof is omitted.
【００１７】（第３の実施形態）図６は、この発明の第
３実施形態に係るワーク剥離装置の要部を示す断面図で
あり、図７はその平面図である。この実施形態は、リン
グ状のブラシ体６´をヘッド２の外側に嵌め、複数のノ
ズル４をブラシ体６´の周に沿って取り付けた点が上記
第２の実施形態と異なる。これにより、炭酸ガスＧの純
水Ｗへの混入速度が速くなり、剥離作業時間を短縮化す
ることができる。その他の構成，作用効果は上記第２の
実施形態と同様であるので、その記載は省略する。(Third Embodiment) FIG. 6 is a sectional view showing a main part of a workpiece peeling apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view thereof. This embodiment is different from the second embodiment in that a ring-shaped brush body 6 'is fitted on the outside of the head 2 and a plurality of nozzles 4 are attached along the circumference of the brush body 6'. Thereby, the mixing speed of the carbon dioxide gas G into the pure water W increases, and the stripping operation time can be shortened. The other configuration, operation, and effect are the same as those of the second embodiment, and the description is omitted.
【００１８】（第４の実施形態）最後に、この発明の第
４の実施形態に係るワーク剥離装置について説明する。
上記実施形態では、炭酸ガスＧを純水Ｗに吹き付けて混
入させる構成となっていたが、この実施形態では、炭酸
ガスＧを予め純水Ｗに溶け込ませておく構成とした。す
なわち、炭酸ガスＧに圧力をかけて噴射前の純水Ｗ内に
溶け込ませておき、この純水Ｗを常圧下の研磨パッド１
ａ上に噴射すると、圧力減少によって、純水Ｗ内に気泡
Ｇ´が発生する。かかる構成により、剥離作業時間の更
なる短時間化を図ることができる。その他の構成，作用
効果は上記第１ないし第３の実施形態と同様であるの
で、その記載は省略する。(Fourth Embodiment) Finally, a workpiece peeling apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
In the above-described embodiment, the configuration is such that the carbon dioxide gas G is sprayed and mixed into the pure water W, but in this embodiment, the carbon dioxide gas G is previously dissolved in the pure water W. That is, a pressure is applied to the carbon dioxide gas G to dissolve it in the pure water W before spraying, and the pure water W is supplied to the polishing pad 1 under normal pressure.
When sprayed onto the space a, bubbles G ′ are generated in the pure water W due to the pressure decrease. With such a configuration, it is possible to further shorten the peeling operation time. The other configuration, operation, and effect are the same as those of the first to third embodiments, and thus description thereof is omitted.
【００１９】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
純水Ｗに混入させるガスとして炭酸ガスＧを用いたが、
ウエハ１００を変質させず且つ純水Ｗ中に気泡状態で混
入し得るガスであれば良く、炭酸ガスＧに限定するもの
ではない。また、上記実施形態では、ワーク剥離装置及
びワーク剥離方法をＣＭＰ装置に適用したが、片面及び
両面グラインダ，片面及び両面ラッピング装置，片面及
び両面ポリッシング装置などにも適用することができる
ことは勿論である。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made within the scope of the present invention. For example, in the above embodiment,
Carbon dioxide gas G was used as the gas to be mixed into the pure water W,
Any gas that does not alter the quality of the wafer 100 and can be mixed in the pure water W in a bubble state may be used, and is not limited to the carbon dioxide gas G. Further, in the above embodiment, the workpiece peeling device and the workpiece peeling method are applied to the CMP device, but it is needless to say that the workpiece peeling device and the workpiece peeling method can be applied to a single-sided and double-sided grinder, a single-sided and double-sided lapping device, a single-sided and double-sided polishing device, and the like. .
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、ワークと下定盤との間に介在する洗浄液のワー
クに対する表面張力を気泡によって減少させることがで
きるので、ワークをオーバハングさせることなく、下定
盤から容易に剥離することができるので、この結果、剥
離時におけるワークの損傷やスクラッチの発生を防止す
ることができるという優れた効果がある。As described above in detail, according to the present invention, the surface tension of the cleaning liquid interposed between the work and the lower platen with respect to the work can be reduced by air bubbles, so that the work is not overhanged. Since it can be easily peeled off from the lower platen, as a result, there is an excellent effect that it is possible to prevent damage to the work and generation of scratches at the time of peeling.
【図１】この発明の第１の実施形態に係るワーク剥離装
置が適用されているＣＭＰ装置を一部破断して示す正面
図である。FIG. 1 is a partially cutaway front view showing a CMP apparatus to which a workpiece peeling apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied.
【図２】ヘッド側の構造を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a structure on a head side.
【図３】気泡の発生状態を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which bubbles are generated.
【図４】この発明の第２実施形態に係るワーク剥離装置
の要部を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a main part of a workpiece peeling device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】この発明の第２実施形態に係るワーク剥離装置
の要部を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a main part of a workpiece peeling device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】この発明の第３実施形態に係るワーク剥離装置
の要部を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a main part of a workpiece peeling device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】この発明の第３実施形態に係るワーク剥離装置
の要部を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a main part of a workpiece peeling device according to a third embodiment of the present invention.
【図８】ＣＭＰ装置を一部破断して示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a CMP apparatus with a part cut away.
【図９】純粋の介在状態を示す一部破断断面図である。FIG. 9 is a partially cutaway sectional view showing a pure intervening state.
【図１０】ウエハのオーバハング状態を示す一部破断断
面図である。FIG. 10 is a partially broken sectional view showing an overhang state of the wafer.
１・・・下定盤、 ｌａ・・・研磨パッド、 ２・・・
ヘッド、 ４・・・ノズル、 ５・・・ガスボンベ、
１００・・・ウエハ、 Ｂ・・・ガス混入手段、 Ｃ・
・・ウエハ持上手段、 Ｇ・・・炭酸ガス、 Ｗ・・・
純水液。1 ... lower surface plate, la ... polishing pad, 2 ...
Head, 4 ... Nozzle, 5 ... Gas cylinder,
100: wafer, B: gas mixing means, C.
..Wafer lifting means, G: carbon dioxide gas, W:
Pure water liquid.
Claims (10)
浄液により洗浄されたワークを上記下定盤から剥離する
研磨装置のワーク剥離方法において、 上記ワークを変質させないガスを、上記洗浄液の中に気
泡状態で混入させる、 ことを特徴とする研磨装置のワーク剥離方法。In a method of removing a workpiece of a polishing apparatus, wherein a workpiece cleaned by a cleaning liquid is removed from the lower surface plate while being mounted on a lower surface plate of the polishing apparatus, a gas that does not alter the work is removed from the cleaning liquid. A method for removing a workpiece from a polishing apparatus, comprising mixing the workpiece in a bubble state.
方法において、 上記ガスを、上記ワークと下定盤の間に吹き付ける、 ことを特徴とする研磨装置のワーク剥離方法。2. The method according to claim 1, wherein the gas is blown between the work and a lower platen.
方法において、 上記ガスを、上記洗浄液の中に予め混入しておく、 ことを特徴とする研磨装置のワーク剥離方法。3. The method according to claim 1, wherein the gas is previously mixed into the cleaning liquid.
載の研磨装置のワーク剥離方法において、 上記洗浄液は、純水である、 ことを特徴とする研磨装置のワーク剥離方法。4. The method for stripping a workpiece of a polishing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid is pure water.
載の研磨装置のワーク剥離方法において、 上記ガスは、炭酸ガスである、 ことを特徴とする研磨装置のワーク剥離方法。5. The method according to claim 1, wherein the gas is carbon dioxide gas. 6. The method according to claim 1, wherein the gas is carbon dioxide.
しながら研磨する研磨装置に適用されるワーク剥離装置
であって、 上記ワークを変質させないガスを洗浄液に気泡状態で混
入させるガス混入手段と、 上記ワークを上記下定盤から持ち上げるワーク持上手段
と、 を具備することを特徴とするワーク剥離装置。6. A workpiece peeling apparatus applied to a polishing apparatus for polishing a workpiece while rotating a lower platen while pressing the workpiece with a pressure body, wherein a gas that does not alter the workpiece is mixed in a cleaning liquid in a bubble state. And a work lifting means for lifting the work from the lower platen.
て、 上記ガス混入手段は、 噴射口が上記ワークと下定盤との間を向くガス噴射部
と、 上記ガスをガス噴射部に所定圧力で供給するガス供給部
と、 を具備することを特徴とするワーク剥離装置。7. The workpiece peeling device according to claim 6, wherein the gas mixing means includes: a gas injection unit having an injection port directed between the work and a lower surface plate; And a gas supply unit for supplying the work.
て、 上記ガス混入手段は、 上記加圧体に取り付けられ、上記下定盤表面を掃くブラ
シ体と、 噴射口が上記下定盤表面側を向くように、上記ブラシ体
に取り付けられたガス噴射部と、 上記ガスをガス噴射部に所定圧力で供給するガス供給部
と、 を具備することを特徴とするワーク剥離装置。8. The workpiece peeling device according to claim 6, wherein the gas mixing means is attached to the pressurizing body, and a brush body that sweeps the surface of the lower platen, and an injection port faces the surface side of the lower platen. A workpiece peeling device comprising: a gas injection unit attached to the brush body; and a gas supply unit that supplies the gas to the gas injection unit at a predetermined pressure.
て、 上記ガス混入手段は、 上記下定盤に載置されたワークを洗浄する洗浄液中に、
上記ガスを予め混入するものである、 ことを特徴とするワーク剥離装置。9. The workpiece peeling device according to claim 6, wherein the gas mixing means includes: a cleaning liquid for cleaning the workpiece placed on the lower platen;
A workpiece peeling device, wherein the gas is mixed in advance.
記載のワーク剥離装置において、 上記ガスは、炭酸ガスである、 ことを特徴とするワーク剥離装置。10. The workpiece peeling device according to claim 6, wherein the gas is a carbon dioxide gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8571097A JPH10261601A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Method and device of releasing work on polisher |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8571097A JPH10261601A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Method and device of releasing work on polisher |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261601A true JPH10261601A (en) | 1998-09-29 |
Family
ID=13866395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8571097A Pending JPH10261601A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Method and device of releasing work on polisher |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261601A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563843B1 (en) * | 1998-11-02 | 2006-03-23 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Processing apparatus and processing method |
| JP2009049431A (en) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and device for chemomechanical polishing |
| JP2009178800A (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Ebara Corp | Polishing method and polishing device |
| CN103962937A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | Polishing apparatus |
| JP2021122860A (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 株式会社荏原製作所 | Substrate processing device and substrate processing method |
-
1997
- 1997-03-20 JP JP8571097A patent/JPH10261601A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563843B1 (en) * | 1998-11-02 | 2006-03-23 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Processing apparatus and processing method |
| JP2009178800A (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Ebara Corp | Polishing method and polishing device |
| JP2009049431A (en) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and device for chemomechanical polishing |
| CN103962937A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | Polishing apparatus |
| JP2014151372A (en) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Ebara Corp | Polishing device |
| TWI629138B (en) * | 2013-02-05 | 2018-07-11 | 荏原製作所股份有限公司 | Grinding device |
| JP2021122860A (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 株式会社荏原製作所 | Substrate processing device and substrate processing method |
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