JPH10258249A - Rotary substrate-treating apparatus - Google Patents

Rotary substrate-treating apparatus

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Publication number
JPH10258249A
JPH10258249A JP6584197A JP6584197A JPH10258249A JP H10258249 A JPH10258249 A JP H10258249A JP 6584197 A JP6584197 A JP 6584197A JP 6584197 A JP6584197 A JP 6584197A JP H10258249 A JPH10258249 A JP H10258249A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning
developer
processing liquid
guide inclined
Prior art date
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Pending
Application number
JP6584197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Yoshii
弘至 吉井
Shigeru Sasada
滋 笹田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable washing-removal of adhering treating solution in a short time and to improve operating efficiency of an apparatus by ultra- hydrophilization. SOLUTION: In a rotary substrate-treating apparatus provided with a spreading prevention cup 4 having a guide inclined face 4b2 surrounding the circumference of a substrate W supported by a spin chuck 1 and guiding developer spread around from the substrate W downward and a waste liquid zone 4a1 collecting the developer guided downward by the guide inclined face 4b2 , an ultra- hydrophilic layer S is formed on the guide inclined face 4b2 . Because the ultra- hydrophilic layer S has a smaller contact angle, the developer spreads filmily and adheres. Washing liquid can infiltrate very easily into the interface of the adhering developer and the guide inclined face 4b2 , allowing the developer to separate easily.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】半導体ウエハ、フォトマスク
用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディ
スク用の基板(以下、単に基板と称する)などに対して
現像液、フォトレジスト液、ポリイミド樹脂、シリカ系
被膜形成材とも呼ばれるSOG(Spin On Glass,)液などの
処理液を吐出して回転自在の基板に対して処理を施す技
術に係り、特に、飛散防止カップや待機ポットに付着し
た処理液を洗浄除去する技術に関する。
The present invention relates to a developing solution, a photoresist solution, a polyimide resin for a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate), and the like. The technology relates to the technology of processing a rotatable substrate by discharging a processing liquid such as SOG (Spin On Glass,) liquid, also called a silica-based film forming material, and in particular, processing attached to a scattering prevention cup or a standby pot. The present invention relates to a technique for washing and removing a liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の回転式基板処理装置とし
て、例えば、所定のパターンが露光されたフォトレジス
ト被膜を表面に有する基板を回転させ、その表面に現像
液を供給して現像処理を施す回転式基板現像装置が挙げ
られる。この装置の概略構成について図7を参照して以
下に説明する。
2. Description of the Related Art As a conventional rotary substrate processing apparatus of this type, for example, a substrate having a photoresist film on which a predetermined pattern is exposed is rotated, and a developing solution is supplied to the surface to perform a developing process. And a rotary type substrate developing apparatus. The schematic configuration of this device will be described below with reference to FIG.

【0003】スピンチャック1は、表面にフォトレジス
ト被膜が形成されている基板Wを水平姿勢で吸着支持す
るものであり、軸芯P回りで基板Wを回転駆動するもの
である。スピンチャック1によって吸着支持された基板
Wの表面には、処理液供給ノズル5の先端部から現像液
Dが供給される。スピンチャック1の周囲には、基板W
の表面に供給された現像液Dがその周囲に飛散すること
を防止するとともに、飛散した現像液Dを回収するため
の飛散防止カップ7が配備されている。
[0003] The spin chuck 1 adsorbs and supports a substrate W having a photoresist film formed on its surface in a horizontal posture, and rotates the substrate W about an axis P. The developing solution D is supplied from the tip of the processing liquid supply nozzle 5 to the surface of the substrate W that is suction-supported by the spin chuck 1. Around the spin chuck 1, a substrate W
A scattering prevention cup 7 for preventing the developing solution D supplied to the surface of the developing solution D from scattering around the surface of the developing solution D and collecting the scattering developing solution D is provided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、図8に示すように、飛散防止カップ7
の内面、特に基板Wの周縁部の側方にあたり、周囲に飛
散した現像液Dを飛散防止カップ7内の下方に案内する
案内傾斜面には大量の現像液Dが飛散してくるので、溶
解したフォトレジスト液を含む現像液Dが著しく付着す
る。この付着した現像液Dは、基板Wを順次に処理する
につれて次第に堆積してゆき、案内傾斜面を含む飛散防
止カップ7の内面に付着堆積することになる。このよう
に現像液Dが飛散防止カップ7の内面に付着すると、こ
れが乾燥してパーティクルとなり、飛散防止カップ7内
を浮遊して基板Wを汚染するという問題点がある。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, as shown in FIG.
Since a large amount of the developer D is scattered on the inner inclined surface, particularly on the side of the peripheral portion of the substrate W, and on the guide inclined surface for guiding the developer D scattered around to the lower part in the scattering prevention cup 7, The developing solution D containing the photoresist solution adheres remarkably. The attached developer D gradually accumulates as the substrate W is sequentially processed, and accumulates on the inner surface of the scattering prevention cup 7 including the inclined guide surface. When the developer D adheres to the inner surface of the scattering prevention cup 7 in this way, it is dried and becomes particles, and there is a problem that the substrate W is contaminated by floating in the scattering prevention cup 7.

【0005】したがって、このような問題が生じないよ
うに、飛散防止カップ7を定期的に洗浄する必要があ
る。特に、現像液Dが重金属類を含むものである場合に
は、その汚染による悪影響は深刻な問題である。付着し
ている現像液Dの具体的な洗浄除去の手法としては、飛
散防止カップ7を装置から取り外した後、溶剤などの洗
浄液によって洗浄除去したり、あるいは飛散防止カップ
7の内面に洗浄液を吐出する洗浄機構を配備しておい
て、これを用いて飛散防止カップ7を取り外すことな
く、付着堆積している現像液Dを洗浄除去するものがあ
る。
Therefore, it is necessary to periodically clean the scattering prevention cup 7 so that such a problem does not occur. In particular, when the developer D contains heavy metals, the adverse effect of the contamination is a serious problem. As a specific washing and removing method of the developing solution D attached, after removing the scattering prevention cup 7 from the apparatus, the developing solution D is washed and removed with a cleaning solution such as a solvent, or the cleaning solution is discharged onto the inner surface of the scattering prevention cup 7. There is a cleaning mechanism provided with a cleaning mechanism for cleaning and removing the developer D deposited and deposited without removing the scattering prevention cup 7 using the cleaning mechanism.

【0006】しかしながら、洗浄処理を定期的に行う関
係上、付着して一定期間を経過した現像液Dの、飛散防
止カップ7内面への付着力は強固なものとなっているの
で、パーティクルが生じない程度の清浄な状態にまで洗
浄するためには長時間を要する。その結果、現像処理を
停止した状態で行う洗浄処理によって、装置の稼働率が
大幅に低下することになる。
However, due to the periodicity of the cleaning process, the developer D that has adhered for a certain period of time and adhered to the inner surface of the scattering prevention cup 7 has a strong adhesive force, so that particles are generated. It takes a long time to clean to an unclean degree. As a result, the operation rate of the apparatus is greatly reduced by the cleaning processing performed with the development processing stopped.

【0007】また、未処理の基板Wを飛散防止カップ7
内に搬入したり、処理済みの基板Wを飛散防止カップ7
外に搬出したりする際には、処理液供給ノズル5が基板
Wおよび図示しない搬送機構と干渉しないように待機位
置にまで移動する。このときにはその先端部に貯留して
いる現像液の乾燥防止などのために、待機ポットにその
先端部を収納するようになっている。
Further, the unprocessed substrate W is scattered by the scatter prevention cup 7.
The substrate W which has been carried in or has been processed
When the processing liquid supply nozzle 5 is carried out, the processing liquid supply nozzle 5 moves to the standby position so as not to interfere with the substrate W and a transfer mechanism (not shown). At this time, the tip is stored in a standby pot to prevent the developer stored at the tip from drying out.

【0008】しかしながら、その待機ポット内におい
て、処理液供給ノズル5の先端部から現像液が漏れ出た
場合には、待機ポットの内面にその漏れ出た現像液が付
着堆積することになる。このように待機ポットの内面に
現像液が付着堆積すると、やはり乾燥した際にパーティ
クルを生じ、パーティクルが処理液供給ノズル5の先端
部に付着して処理液供給ノズル5を供給位置に移動した
際に基板Wを汚染するという問題がある。したがって、
このような不都合を回避するために、定期的に待機ポッ
トを取り外してその内面を洗浄液で洗浄する必要がある
が、上述したように付着力が強くなっているので、洗浄
に長時間を要して装置の稼働率低下を招く。
However, when the developing solution leaks from the tip of the processing liquid supply nozzle 5 in the standby pot, the leaked developer is deposited on the inner surface of the standby pot. When the developer adheres and accumulates on the inner surface of the standby pot, particles are generated when the developer is dried, and the particles adhere to the tip of the processing liquid supply nozzle 5 and move the processing liquid supply nozzle 5 to the supply position. There is a problem that the substrate W is contaminated. Therefore,
In order to avoid such inconveniences, it is necessary to periodically remove the standby pot and clean the inner surface thereof with a cleaning solution. However, as described above, the adhesive force is strong, so that cleaning requires a long time. As a result, the operation rate of the device is reduced.

【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、飛散防止カップを超親水化することに
よって、その内面に付着した処理液を短時間で洗浄除去
することができ、装置の稼働率を向上させることができ
る回転式基板処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and by making a scattering prevention cup super-hydrophilic, a processing solution attached to its inner surface can be washed and removed in a short time. An object of the present invention is to provide a rotary substrate processing apparatus capable of improving the operation rate of the apparatus.

【0010】また、本発明のもう一つの目的は、待機ポ
ットを超親水化することによって、その内面に付着した
処理液を短時間で洗浄除去することができ、装置の稼働
率を向上させることができる回転式基板処理装置を提供
することにある。
Another object of the present invention is to improve the operation rate of the apparatus by making the standby pot super-hydrophilic so that the processing liquid adhered to its inner surface can be washed and removed in a short time. It is an object of the present invention to provide a rotary substrate processing apparatus capable of performing the above-mentioned.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の回転式基板処理装置は、回転支持
手段により支持された基板の周囲を囲い、基板から周囲
に飛散した処理液を下方に案内する案内傾斜面と、案内
傾斜面により下方に案内された処理液を回収する排液ゾ
ーンとを有する飛散防止カップを備えた回転式基板処理
装置において、前記飛散防止カップのうち少なくとも前
記案内傾斜面を超親水性材料で形成したことを特徴とす
るものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. In other words, the rotary substrate processing apparatus according to claim 1 surrounds the periphery of the substrate supported by the rotation support means, and includes a guide inclined surface for guiding the processing liquid scattered from the substrate to the periphery downward, and a guide inclined surface. In a rotary substrate processing apparatus having a scattering prevention cup having a drainage zone for collecting a processing liquid guided downward, at least the guide inclined surface of the scattering prevention cup is formed of a superhydrophilic material. It is a feature.

【0012】また、請求項2に記載の回転式基板処理装
置は、請求項1に記載の回転式基板処理装置において、
さらに前記排液ゾーンを超親水性材料で形成したことを
特徴とするものである。
Further, the rotary substrate processing apparatus according to the second aspect is the rotary substrate processing apparatus according to the first aspect,
Further, the drainage zone is formed of a superhydrophilic material.

【0013】また、請求項3に記載の回転式基板処理装
置は、請求項1または請求項2に記載の回転式基板処理
装置において、前記飛散防止カップと前記回転支持手段
との間に介在して基板の周囲の気流の流れを整える整流
部材をさらに備えるとともに、この整流部材を超親水性
材料で形成したことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a rotary substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the rotary substrate processing apparatus is interposed between the scattering prevention cup and the rotation support means. And a rectifying member for regulating the flow of airflow around the substrate, and the rectifying member is formed of a superhydrophilic material.

【0014】また、請求項4に記載の回転式基板処理装
置は、回転支持手段により支持された基板の上方にあた
る処理液の供給位置と、基板から側方に離れた待機位置
とにわたって移動自在の処理液供給手段と、前記待機位
置にて前記処理液供給手段の先端部を受け入れる待機ポ
ットとを備えた回転式基板処理装置において、前記待機
ポットの少なくとも内面を超親水性材料で形成したこと
を特徴とするものである。
Further, the rotary substrate processing apparatus according to the present invention is movable between a supply position of the processing liquid above the substrate supported by the rotary support means and a standby position laterally separated from the substrate. In a rotary substrate processing apparatus including a processing liquid supply unit and a standby pot that receives a distal end of the processing liquid supply unit at the standby position, at least an inner surface of the standby pot is formed of a superhydrophilic material. It is a feature.

【0015】また、請求項5に記載の回転式基板処理装
置は、請求項1または請求項4に記載の回転式基板処理
装置において、前記超親水性材料は、接触角が10°以
下のものであることを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the rotary substrate processing apparatus according to the first or fourth aspect, the superhydrophilic material has a contact angle of 10 ° or less. It is characterized by being.

【0016】[0016]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、回転支持手段により支持された基板から
周囲に飛散した処理液は、飛散防止カップの案内傾斜面
で最も多く受け止められて下方に案内され、排液ゾーン
で回収される。つまり、飛散防止カップのうち最も多く
の処理液が付着堆積しやすく、かつ強固に付着する部分
が案内傾斜面であるが、その部分を超親水性材料で形成
しておくことにより、案内傾斜面は接触角が極めて小さ
くなり、付着した処理液が極めて馴染みやすい状態とな
っている。したがって、案内傾斜面に付着した処理液は
特定部位に集中することなく拡がって薄膜状になる。さ
らに、親水化によって案内傾斜面が処理液よりも水溶液
に極めて馴染みやすくなっているので、飛散防止カップ
の洗浄時に、処理液と案内傾斜面との界面に洗浄液が入
り込みやすくなる。したがって、案内傾斜面に付着した
処理液を容易に離脱させることができる。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. That is, the processing liquid scattered to the surroundings from the substrate supported by the rotation support means is received most by the guide inclined surface of the scattering prevention cup, guided downward, and collected in the drainage zone. In other words, the portion of the scattering prevention cup to which the most processing liquid is likely to adhere and deposit, and to which the treatment liquid adheres strongly is the guide inclined surface, but by forming that portion with a superhydrophilic material, the guide inclined surface is formed. The contact angle is extremely small, and the attached processing liquid is in a state of being easily adapted. Therefore, the processing liquid attached to the inclined guide surface spreads without concentrating on a specific portion and becomes a thin film. Furthermore, since the guide inclined surface is much more easily adapted to the aqueous solution than the treatment liquid due to the hydrophilicity, the cleaning liquid easily enters the interface between the treatment liquid and the guide inclined surface when cleaning the scattering prevention cup. Therefore, the processing liquid adhered to the inclined guide surface can be easily separated.

【0017】また、請求項2に記載の発明によれば、案
内傾斜面で下方に案内された処理液は排液ゾーンに滞留
するが、排液ゾーンが超親水性材料で形成されているの
で、排液ゾーンは接触角が極めて小さくなり、付着した
処理液が極めて馴染みやすい状態となっている。したが
って、案内傾斜面により排液ゾーンに案内されて滞留し
ている処理液は特定部位に集中することなく拡がって薄
膜状になる。さらに、親水化によって排液ゾーンが処理
液よりも水溶液に極めて馴染みやすくなっているので、
飛散防止カップの洗浄時に、処理液と排液ゾーンとの界
面にも洗浄液が入り込みやすくなる。したがって、排液
ゾーンに滞留した処理液を容易に離脱させることができ
る。
According to the second aspect of the present invention, the processing liquid guided downward on the guide inclined surface stays in the drainage zone, but since the drainage zone is formed of a superhydrophilic material. In addition, the contact angle of the drainage zone is extremely small, and the attached processing liquid is in a state of being easily adapted. Therefore, the processing liquid guided by the guide inclined surface to the drainage zone and staying there spreads without concentrating on a specific portion and becomes a thin film. Furthermore, since the drainage zone is much easier to adjust to the aqueous solution than the treatment liquid due to hydrophilicity,
When the scattering prevention cup is washed, the washing liquid easily enters the interface between the processing liquid and the drainage zone. Therefore, the processing liquid staying in the drainage zone can be easily separated.

【0018】また、請求項3に記載の発明によれば、基
板が回転支持手段により回転駆動された場合にその周囲
の気流が乱れることに起因して処理が不均一になること
があるが、飛散防止カップと回転支持手段との間に整流
部材を備えることによりこのような不都合を抑制するこ
とができる。その一方で、飛散した処理液やその霧状の
ミストが整流部材に付着すると、それらが乾燥してパー
ティクルとなって浮遊し、基板を汚染する恐れがある。
そこで、この整流部材を超親水性材料で形成することに
より、気流の乱れに起因する処理不均一を抑制しつつ
も、飛散した処理液やミストが整流部材に付着しても、
飛散防止カップの洗浄時に、処理液と整流部材との界面
に洗浄液が入り込みやすくなる。したがって、整流部材
に付着した処理液やミストを容易に離脱させることがで
きる。
According to the third aspect of the present invention, when the substrate is rotationally driven by the rotation support means, the processing may be uneven due to disturbance of the airflow around the substrate. By providing a rectifying member between the scattering prevention cup and the rotation support means, such inconvenience can be suppressed. On the other hand, if the scattered processing liquid or the mist in the form of mist adheres to the flow regulating member, they may be dried and become particles and float, thereby contaminating the substrate.
Therefore, by forming this rectifying member from a superhydrophilic material, while suppressing the processing non-uniformity due to the turbulence of the air flow, even if the scattered processing liquid or mist adheres to the rectifying member,
At the time of cleaning the scattering prevention cup, the cleaning liquid easily enters the interface between the processing liquid and the flow regulating member. Therefore, the processing liquid and the mist adhering to the rectifying member can be easily separated.

【0019】また、請求項4に記載の発明の作用は次の
とおりである。すなわち、処理液供給手段は処理液を供
給する際には基板の上方にあたる供給位置にその先端部
を移動し、基板の搬送時には待機位置に配設された待機
ポットにその先端部を移動する。その先端部が待機ポッ
トに受け入れられている際に処理液が漏れ出たとして
も、少なくとも待機ポットの内面は超親水性材料で形成
されているので、待機ポットの洗浄時に、付着している
処理液と待機ポット内面との界面に洗浄液が入り込みや
すくなる。したがって、待機ポット内面に付着した処理
液を容易に離脱させることができる。
The operation of the invention described in claim 4 is as follows. That is, the processing liquid supply means moves its tip to a supply position above the substrate when supplying the processing liquid, and moves the tip to a standby pot disposed at the standby position when transporting the substrate. Even if the processing liquid leaks while its tip is being received in the standby pot, at least the inner surface of the standby pot is formed of a superhydrophilic material, so that the processing liquid adhering when cleaning the standby pot is removed. The cleaning liquid easily enters the interface between the liquid and the inner surface of the standby pot. Therefore, the processing liquid attached to the inner surface of the standby pot can be easily separated.

【0020】また、請求項5に記載の発明によれば、先
端部を形成する材料として一般的に使用されているPTFE
(ポリテトラフルオロエチレン)や PTCFE(ポリクロロ
トリフルオロエチレン)などのフッ素樹脂は、その接触
角が約110°と非常に大きく親水性の低いものであ
る。接触角が10°以下になると水が全く弾かなくなる
ので、超親水性材料として接触角が10°以下のものを
採用することにより、親水性を極めて高くすることがで
きる。よって、付着した処理液が非常に薄い膜状に拡が
るとともに、処理液と各部材の表面との界面に非常に洗
浄液が入り込みやすくなる。
According to the fifth aspect of the present invention, PTFE generally used as a material for forming the tip portion is used.
Fluororesins such as (polytetrafluoroethylene) and PTCFE (polychlorotrifluoroethylene) have a very large contact angle of about 110 ° and low hydrophilicity. When the contact angle is 10 ° or less, water does not repel at all. Therefore, by using a superhydrophilic material having a contact angle of 10 ° or less, the hydrophilicity can be extremely increased. Therefore, the attached processing liquid spreads in a very thin film shape, and the cleaning liquid easily enters the interface between the processing liquid and the surface of each member.

【0021】なお、このように接触角が10°以下の超
親水性材料としては、酸化チタン(TiO2)光触媒に特殊な
組成を組み合わせた薄膜(以下、単に酸化チタン光触媒
薄膜と称する)が例示され、この被膜を部材表面に被着
した後に、紫外線を照射すると上記のような極めて小さ
な接触角を有する先端部を得ることができる。
As the superhydrophilic material having a contact angle of 10 ° or less, a thin film obtained by combining a titanium oxide (TiO 2 ) photocatalyst with a special composition (hereinafter, simply referred to as a titanium oxide photocatalyst thin film) is exemplified. Then, when this coating is applied to the surface of the member and then irradiated with ultraviolet rays, the tip having an extremely small contact angle as described above can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図1は、本発明の回転式基板処理装
置の一例である回転式基板現像装置の概略構成を示す縦
断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a rotary substrate developing device which is an example of the rotary substrate processing device of the present invention.

【0023】図中、符号1は、基板Wを水平姿勢で吸着
支持するスピンチャックであり、基板Wの表面に被着さ
れているフォトレジスト被膜には所定のパターンが露光
されている。このスピンチャック1は、図示しない駆動
手段の回転軸に連動連結されており、軸芯P周りで回転
される。なお、スピンチャック1が本発明における回転
支持手段に相当する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a spin chuck for attracting and supporting a substrate W in a horizontal posture, and a predetermined pattern is exposed on a photoresist film applied on the surface of the substrate W. The spin chuck 1 is linked to a rotating shaft of a driving unit (not shown), and is rotated around an axis P. Note that the spin chuck 1 corresponds to the rotation support means in the present invention.

【0024】上記のスピンチャック1の周囲には、基板
Wに対して供給される現像液などが飛散することを防止
するための飛散防止カップ4が配設されている。この飛
散防止カップ4は、下カップ4aと、上部に開口4b1
を有し、下カップ4aの上部内周面に着脱自在に嵌め込
まれた上カップ4bと、回転中心から周縁に向かう下向
きの傾斜面4c1 を有する整流部材4cとから構成され
ている。なお、整流部材4cは、下カップ4aの中心側
底面に着脱自在に嵌め込まれている。
A scattering prevention cup 4 for preventing the developer and the like supplied to the substrate W from scattering around the spin chuck 1 is provided. This scattering prevention cup 4 has a lower cup 4a and an upper opening 4b 1.
It has, and a rectifying member 4c having a cup 4b upper fitted detachably to the upper inner peripheral surface of the lower cup 4a, a downward inclined surface 4c 1 toward the periphery from the center of rotation. The rectifying member 4c is detachably fitted to the bottom surface on the center side of the lower cup 4a.

【0025】下カップ4aは、底面周辺部に環状の排液
ゾーン4a1 が形成されており、上カップ4bの下部内
周面に形成された案内傾斜面4b2 によって下方に案内
された、溶解したフォトレジスト被膜を含む現像液など
を一旦受け止める。この排液ゾーン4a1 に滞留してい
る現像液などは、排液ゾーン4a1 の一部位に形成され
た排液口を通して回収され、廃液として処理されるよう
になっている。さらに、整流部材4cの下面と下カップ
4aの底面中心側の間には、環状の排気ゾーン4a2
形成されている。開口4b1 を通って基板Wの周縁を流
下した気流は、現像液などのミストを乗せて、整流部材
4cによって整流された後、この排気ゾーン4a2 の一
部位に形成された排気口を通して排気されるようになっ
ている。なお、この装置では、整流部材4cにより基板
Wの周縁を流下する気流を整流するので、気流の乱れに
起因する処理不均一が防止でき、基板Wの全面にわたっ
て均一に現像処理を施すことができる。
The lower cup 4a are drainage zone 4a 1 of the annular are formed on the bottom periphery, by the guide inclined surfaces 4b 2 formed on the lower inner surface of the upper cup 4b is guided downward, dissolution The developer containing the photoresist film is temporarily received. The like drainage developer remaining in the zone 4a 1 is recovered through drainage mouth formed in a part position of the drainage zone 4a 1, is adapted to be treated as waste. Further, between the bottom center of the lower surface and the lower cup 4a of the rectifying member 4c, the exhaust zone 4a 2 of the annular is formed. Through the opening 4b 1 and flows down the peripheral edge of the substrate W airflow, topped with mist, such as developer, after being rectified by the rectifier member 4c, exhaust through a single-site to form an exhaust port of the exhaust zone 4a 2 It is supposed to be. In this apparatus, since the airflow flowing down the peripheral edge of the substrate W is rectified by the rectifying member 4c, the processing unevenness due to the turbulence of the airflow can be prevented, and the development processing can be performed uniformly over the entire surface of the substrate W. .

【0026】上述した下カップ4aの排液ゾーン4a1
を含む内面と、上カップ4bの案内傾斜面4b2 を含む
内面と、整流部材4cの傾斜面4c1 には、図中に点線
で示すように超親水性層Sが形成されている。この実施
例では、超親水性層Sを形成するために上記各部の表面
に超親水性材料を薄膜状に被着してある。なお、接触角
が10°以下になると水が全く弾かなくなるので、上記
の超親水性材料としては接触角が10°以下のものが好
ましい。このような材料としては、例えば、酸化チタン
(TiO2)光触媒薄膜があり、この被膜を上記各部の表面に
被着した後に、紫外線を照射することによって超親水化
を図ることができ、接触角がほぼ0°の超親水性層Sを
得ることができる。
The above-described drainage zone 4a 1 of the lower cup 4a.
An inner surface comprising, an inner surface including a guide inclined surfaces 4b 2 of the upper cup 4b, the inclined surface 4c 1 of the rectifying member 4c is super hydrophilic layer S, as shown by dotted lines are formed in FIG. In this embodiment, in order to form the superhydrophilic layer S, a superhydrophilic material is applied in the form of a thin film on the surface of each part. When the contact angle is 10 ° or less, water does not repel at all. Therefore, the above-mentioned superhydrophilic material preferably has a contact angle of 10 ° or less. As such a material, for example, titanium oxide
(TiO 2 ) There is a photocatalytic thin film, and after applying this coating on the surface of each of the above parts, it is possible to achieve superhydrophilicity by irradiating ultraviolet rays, and to form a superhydrophilic layer S having a contact angle of almost 0 °. Obtainable.

【0027】なお、超親水性層Sに対して紫外線を照射
した時刻は図示しない入力手段を介してオペレータによ
り入力されており、その時刻が『照射時刻』として制御
部20に記憶されている。
The time at which the superhydrophilic layer S is irradiated with ultraviolet rays is input by an operator via input means (not shown), and the time is stored in the control unit 20 as "irradiation time".

【0028】処理液供給ノズル5は、その先端部が軸芯
Pの上方にあたる『供給位置』と、図中に二点鎖線で示
す基板Wの側方にあたる『待機位置』との間を移動機構
6によって移動可能に構成されている。この処理液供給
ノズル5は供給配管を介して供給ポンプ7に連通接続さ
れており、供給ポンプ7によって処理液タンク8に貯留
されている現像液が処理液として送り込まれる。なお、
上記の処理液供給ノズル5と、供給ポンプ7と、処理液
タンク8とは本発明の処理液供給手段に相当するもので
ある。
The processing liquid supply nozzle 5 has a moving mechanism between a “supply position” where the tip thereof is above the axis P and a “standby position” which is on the side of the substrate W indicated by a two-dot chain line in the figure. 6 is configured to be movable. The processing liquid supply nozzle 5 is connected to a supply pump 7 via a supply pipe, and the supply pump 7 feeds a developing solution stored in a processing liquid tank 8 as a processing liquid. In addition,
The processing liquid supply nozzle 5, the supply pump 7, and the processing liquid tank 8 correspond to a processing liquid supply unit of the present invention.

【0029】上述した上カップ4bには、主としてその
内周面に形成された案内傾斜面4b 2 に対して洗浄液を
流下させるための洗浄液貯留部10が形成されている。
この洗浄液貯留部10は、平面視環状に形成されている
とともに、案内傾斜面4b2に開口した多数の供給孔1
0aを有する。上カップ4bの外側面の一部位には洗浄
液貯留部10に連通した供給管10bが突設されてお
り、この供給管10bから、洗浄液タンク12に貯留さ
れている洗浄液が供給ポンプ13によって洗浄液貯留部
10に圧送されるようになっている。なお、供給ポンプ
13の送り出し側には、後述する制御部20によって切
り換え動作される三方弁14が配設されており、洗浄液
貯留部10または『待機位置』に配設された待機ポット
15のいずれか一方に洗浄液が供給されるようになって
いる。
The above upper cup 4b mainly has
Guide inclined surface 4b formed on inner peripheral surface TwoCleaning solution
A cleaning liquid storage section 10 for flowing down is formed.
The cleaning liquid storage section 10 is formed in an annular shape in plan view.
Together with the guide slope 4bTwoSupply holes 1 opened in
0a. Washing one part of the outer surface of the upper cup 4b
A supply pipe 10 b communicating with the liquid storage unit 10 is
From the supply pipe 10b and stored in the cleaning liquid tank 12.
The cleaning liquid stored in the cleaning liquid storage section is supplied by the supply pump 13.
10. In addition, supply pump
13 is controlled by the control unit 20 described later.
A three-way valve 14 is provided which is operated to change the cleaning liquid.
Waiting pot placed in storage unit 10 or "standby position"
The cleaning liquid is supplied to one of the 15
I have.

【0030】待機ポット15は、処理液供給ノズル5の
先端部を収納して、その内部に貯留している現像液の固
化を防止したり、先端部の外周面などに付着している現
像液を洗浄除去するためのものである。その上面には、
処理液供給ノズル5の先端部を受け入れ可能な大きさを
有する挿抜孔15aが形成されているとともに、挿抜孔
15aの直下付近には、排液口15bに向かって傾斜し
た傾斜面15cが形成されている。さらに、挿抜孔15
aから待機ポット15内部に突出した処理液供給ノズル
5の先端部付近の側壁には、洗浄液タンク12からの洗
浄液をその先端部に向けて噴射するための洗浄ノズル1
6が配設されている。なお、待機ポット15の排液口1
5bを含む内面には、飛散防止カップ4と同様に超親水
性層Sが形成されている。
The standby pot 15 accommodates the front end of the processing liquid supply nozzle 5 to prevent solidification of the developer stored inside the processing liquid supply nozzle 5 or to prevent the developer from adhering to the outer peripheral surface of the front end. For cleaning and removal. On its top surface,
An insertion / extraction hole 15a having a size capable of receiving the tip of the processing liquid supply nozzle 5 is formed, and an inclined surface 15c inclined toward the liquid discharge port 15b is formed immediately below the insertion / extraction hole 15a. ing. In addition, the insertion hole 15
a cleaning nozzle 1 for injecting the cleaning liquid from the cleaning liquid tank 12 toward the distal end of the processing liquid supply nozzle 5 protruding into the standby pot 15 from the inner side of the processing liquid supply nozzle 5.
6 are provided. The drain port 1 of the standby pot 15
A superhydrophilic layer S is formed on the inner surface including 5b, similarly to the scattering prevention cup 4.

【0031】上述したスピンチャック1の回転数および
回転時間と、移動機構6による処理液供給ノズル5の移
動と、供給ポンプ7による現像液の供給量および供給時
間と、洗浄液を圧送する供給ポンプ13による洗浄液の
供給量および供給時間と、三方弁14による洗浄液の供
給先切り換えなどは、CPUやメモリを内蔵した制御部
20によって統括制御される。
The number of rotations and the rotation time of the spin chuck 1, the movement of the processing liquid supply nozzle 5 by the moving mechanism 6, the supply amount and the supply time of the developer by the supply pump 7, and the supply pump 13 for pressure-feeding the cleaning liquid The supply amount and the supply time of the cleaning liquid by the CPU 3 and the switching of the supply destination of the cleaning liquid by the three-way valve 14 are controlled by the control unit 20 including a CPU and a memory.

【0032】また、制御部20は、上述した超親水性層
Sに紫外線を照射して超親水化を図った時点(上述した
照射時刻)からの経過時間をタイマ21により参照でき
るようになっている。そして、予め制御部20に記憶さ
れている『再親水化処理時間』と経過時間とが一致した
場合には、レシピーの内容などを表示するモニタ22に
その旨を出力してオペレータに対して報知するととも
に、装置の動作を一時的に停止するようになっている。
経過時間が再親水化処理時間に達した場合には、後述す
る『紫外線照射処理』を行うようになっている。なお、
上記の再親水化処理時間は、超親水性層Sを構成してい
る材料により異なるが、例えば、数十時間程度である。
Further, the control unit 20 can refer to the timer 21 for the elapsed time from the time when the superhydrophilic layer S is irradiated with ultraviolet rays to achieve superhydrophilicity (the above irradiation time). I have. If the “re-hydrophilicity processing time” stored in the control unit 20 in advance matches the elapsed time, the fact is output to the monitor 22 that displays the contents of the recipe, etc., and the operator is notified. In addition, the operation of the apparatus is temporarily stopped.
When the elapsed time reaches the re-hydrophilization treatment time, an "ultraviolet irradiation treatment" described later is performed. In addition,
The re-hydrophilicity treatment time varies depending on the material constituting the superhydrophilic layer S, but is, for example, about several tens of hours.

【0033】上記のような紫外線照射処理を必要とする
理由は、次のとおりである。上述したように本実施例に
おける超親水性層Sは、酸化チタン光触媒薄膜に紫外線
を照射して形成されているが、時間が経過するにつれて
次第に接触角が大きくなって親水性が劣化してゆく。そ
こで、例えば、数十時間ごとに定期的に超親水性層Sに
対して一定量の紫外線を照射し、接触角を再びほぼ0°
にして超親水化を図るためである。なお、当然のことな
がら、超親水性層Sを形成する超親水性材料の接触角が
経時的に劣化しない場合には、上記の紫外線照射処理を
考慮する必要はない。
The reason why the above-mentioned ultraviolet irradiation treatment is required is as follows. As described above, the superhydrophilic layer S in the present embodiment is formed by irradiating the titanium oxide photocatalytic thin film with ultraviolet rays, but as the time elapses, the contact angle gradually increases and the hydrophilicity deteriorates. . Therefore, for example, a constant amount of ultraviolet light is irradiated to the superhydrophilic layer S periodically every several tens of hours, and the contact angle is reduced to almost 0 ° again.
This is for achieving superhydrophilization. Needless to say, when the contact angle of the superhydrophilic material forming the superhydrophilic layer S does not deteriorate with time, it is not necessary to consider the above-described ultraviolet irradiation treatment.

【0034】次に、図2および図3を参照して上記のよ
うに構成された装置の動作について説明する。なお、図
2は基板Wの現像処理を示し、図3は飛散防止カップ4
の洗浄処理を示す図である。
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows a developing process of the substrate W, and FIG.
It is a figure which shows the cleaning process of FIG.

【0035】「現像処理」まず、スピンチャック1と飛
散防止カップ4とを相対昇降し、図1中に二点鎖線で示
すようにスピンチャック1を開口4b1 から上方に突出
させる。この状態で、図示しない搬送機構が未処理の基
板Wをスピンチャック1に載置する。なお、このとき処
理液供給ノズル5は待機位置にある。
At first "development process", the spin chuck 1 and the scatter prevention cup 4 relative elevation to protrude upwardly spin chuck 1 from the opening 4b 1 as shown by two-dot chain line in FIG. 1. In this state, a transport mechanism (not shown) places the unprocessed substrate W on the spin chuck 1. At this time, the processing liquid supply nozzle 5 is at the standby position.

【0036】スピンチャック1が基板Wを吸着支持する
とともに、処理液供給ノズル5が移動機構6によって移
動され、その先端部が軸芯Pの上方にあたる供給位置に
移動される。次に、スピンチャック1の回転を開始する
ことにより基板Wを水平面内で回転駆動し、その回転数
が一定の低速回転に到達した時点で、供給ポンプ7を駆
動して現像液Dの供給を開始する。
While the spin chuck 1 sucks and supports the substrate W, the processing liquid supply nozzle 5 is moved by the moving mechanism 6 and its tip is moved to a supply position above the axis P. Next, by starting the rotation of the spin chuck 1, the substrate W is driven to rotate in a horizontal plane, and when the number of rotations reaches a constant low-speed rotation, the supply pump 7 is driven to supply the developer D. Start.

【0037】このように現像液Dが基板Wに供給される
と、現像液Dはフォトレジスト被膜の一部を溶解しつつ
基板Wの回転中心付近から周縁部に向けて次第に拡がっ
てゆく。そして、周縁部に達した現像液Dは飛散し、飛
散防止カップ4の案内傾斜面4b2 によってその大部分
が受け止められるとともに、その一部が排液ゾーン4a
1 に案内され、また飛散して霧状になった現像液D(ミ
スト)の一部が気流とともに流下する際に傾斜面4c1
に付着する。案内傾斜面4b2 と、排液ゾーン4a
1 と、傾斜面4c1 を含む飛散防止カップ4の内面は超
親水性層Sによって接触角がほぼ0°となっており、そ
れらの表面が現像液Dと極めて馴染みやすくなっている
ので、現像液Dは各部材の特定部位に集中的に付着堆積
することがなく薄い膜状になって拡がって付着する。
As described above, when the developing solution D is supplied to the substrate W, the developing solution D gradually disperses from the vicinity of the rotation center of the substrate W toward the peripheral portion while dissolving a part of the photoresist film. Then, the developer D having reached the peripheral portion scattered, with most of which is received by the guide inclined surfaces 4b 2 shatterproof cup 4, a part of the drainage zone 4a
When a part of the developer D (mist) which has been guided to 1 and scattered to form a mist flows down along with the airflow, the inclined surface 4c 1
Adheres to Guide inclined surface 4b 2 and drainage zone 4a
1 and the inner surface of the anti-scattering cup 4 including the inclined surface 4c 1 have a contact angle of almost 0 ° due to the superhydrophilic layer S, and these surfaces are extremely easily compatible with the developer D. The liquid D spreads and adheres in a thin film form without being intensively adhered and deposited on a specific portion of each member.

【0038】このようにして現像液Dの供給を開始して
一定時間が経過した後に、その供給を停止する。そし
て、リンス処理を経て、スピンチャック1を高速回転に
切り換えて所定時間だけこれを保持することにより基板
Wの乾燥を行う。基板Wの乾燥後、回転を停止して基板
Wに対する現像処理が完了する。これにより基板W表面
のフォトレジスト被膜には、凹凸を有する所定のパター
ンが形成される。
After the supply of the developing solution D has started for a certain period of time, the supply is stopped. After the rinsing process, the substrate W is dried by switching the spin chuck 1 to high-speed rotation and holding it for a predetermined time. After the drying of the substrate W, the rotation is stopped and the development processing on the substrate W is completed. As a result, a predetermined pattern having irregularities is formed on the photoresist film on the surface of the substrate W.

【0039】なお、上記のようにして一枚の基板Wに対
する現像処理が行われ、順次に基板Wが処理されてゆ
く。しかし、上述したように飛散防止カップ4内には、
飛散した現像液Dが薄膜状に付着して堆積してゆくの
で、定期的に飛散防止カップ4を洗浄処理する必要があ
る。
The development process is performed on one substrate W as described above, and the substrates W are sequentially processed. However, as described above, in the scattering prevention cup 4,
Since the scattered developer D adheres and deposits in the form of a thin film, it is necessary to periodically clean the scatter prevention cup 4.

【0040】「洗浄処理」図示しない入力手段を介して
オペレータが洗浄処理を指示すると、制御部20は飛散
防止カップ4内から基板Wを搬出した後、図3に示すよ
うにスピンチャック1を飛散防止カップ4内に収容した
状態にする。そして、三方弁14を洗浄液貯留部10側
に切り換えるとともに、供給ポンプ13を駆動して洗浄
液タンク12内の洗浄液を低い圧力で送り込む。すると
案内傾斜面4b2 に形成された多数の供給孔10aから
洗浄液Cが滲み出して案内傾斜面4b2 を流下する。流
下する洗浄液Cは超親水性層Sの作用により、付着して
いる現像液Dと案内傾斜面4b2 との界面に極めて容易
に入り込む。したがって、付着している現像液Dは容易
に付着面から浮いて離脱し、洗浄液Cとともに排液ゾー
ン4a1 に流下する。この排液ゾーン4a1 にも現像液
Dが付着しているが、やはり洗浄液Cがその界面に容易
に入り込んで離脱する。
"Cleaning process" When an operator instructs a cleaning process via input means (not shown), the control unit 20 unloads the substrate W from the inside of the scattering prevention cup 4, and then scatters the spin chuck 1 as shown in FIG. The state is accommodated in the prevention cup 4. Then, the three-way valve 14 is switched to the cleaning liquid storage unit 10 side, and the supply pump 13 is driven to feed the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 12 at a low pressure. Then cleaning liquid C from a number of supply holes 10a formed in the guide inclined surfaces 4b 2 flows down the inclined guide surface 4b 2 and oozing. Cleaning solution C flowing down by the action of ultra-hydrophilic layer S, it enters very easily on the interface between the developer D and the guide inclined surfaces 4b 2 adhering. Thus, the developer D adhering disengages floated from readily attachment surface, it flows down the drainage zone 4a 1 together with the cleaning liquid C. While this drainage adheres developer D in zone 4a 1, also the cleaning liquid C is disengaged enters easily at the interface.

【0041】次いで、供給ポンプ13を駆動して洗浄液
タンク12内の洗浄液を「高い圧力」で洗浄液貯留部1
0に送り込む。すると多数の供給孔10aから洗浄液C
が勢い良く噴出し(図3中の点線矢印)、整流部材4c
の傾斜面4c1 に達する。すると超親水性層Sの作用に
より、傾斜面4c1 に付着している現像液Dが容易に離
脱して排液ゾーン4a1 に流入する。
Next, the supply pump 13 is driven to supply the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 12 at a "high pressure".
Send to 0. Then, the cleaning liquid C is supplied from the many supply holes 10a.
Squirt vigorously (dotted arrow in FIG. 3), rectifying member 4c
Reach the inclined surface 4c 1. Then by the action of the super-hydrophilic layer S, the developer D adhering easily flows to the drainage zone 4a 1 withdrawal on the inclined surface 4c 1.

【0042】上記のようにして飛散防止カップ4の洗浄
処理が行われるが、洗浄液Cは超親水性層Sの作用によ
り付着している現像液Dの界面に極めて容易に入り込む
ので、付着してから時間が経過している現像液Dをも容
易に離脱させることができる。また、付着している現像
液Dは超親水性層Sの作用で薄膜状になっているので、
短時間の洗浄によりパーティクルの生じることのない清
浄な状態にすることができる。よって、定期的に行われ
る「洗浄処理」に要する時間を短縮化することができ、
装置の稼働率を向上させることができる。また、現像液
Dは薄膜状に付着するので、洗浄効率が高められ、定期
的に行う洗浄処理の回数を少なくすることも可能であ
る。
The cleaning treatment of the scattering prevention cup 4 is performed as described above. However, the cleaning liquid C enters the interface of the developing liquid D adhered by the action of the superhydrophilic layer S very easily. The developer D whose time has elapsed since can be easily removed. Further, since the developing solution D attached thereto is formed into a thin film by the action of the superhydrophilic layer S,
By a short-time cleaning, a clean state without particles can be obtained. Therefore, it is possible to reduce the time required for the “cleaning process” performed periodically,
The operation rate of the device can be improved. Further, since the developer D adheres in a thin film form, the cleaning efficiency is improved, and the number of times of the cleaning process performed periodically can be reduced.

【0043】なお、洗浄液タンク12と、供給ポンプ1
3と、三方弁14と、洗浄液貯留部10とにより飛散防
止カップ4を洗浄するようにしたが、飛散防止カップ4
を装置から取り外して洗浄液に浸漬するなどして洗浄す
るようにしてもよい。この場合でも、洗浄液が容易に付
着面に入り込むので洗浄時間を短縮化できる。
The cleaning liquid tank 12 and the supply pump 1
3, the three-way valve 14 and the cleaning liquid storage unit 10 wash the anti-scattering cup 4.
May be removed from the apparatus and immersed in a cleaning solution to perform cleaning. Also in this case, the cleaning time can be shortened because the cleaning liquid easily enters the adhesion surface.

【0044】また、上述した「現像処理」を順次に行う
際には、基板Wに対する現像液の供給が完了した時点で
処理液供給ノズル5が待機位置に移動する。この状態で
は、図4に示すように、その先端部が待機ポット15の
挿抜孔15aに挿入された状態である。このとき、先端
部の内部に貯留している現像液D(図中の二点鎖線)が
待機ポット15内に落下することがある。落下した現像
液Dは、先端部直下の傾斜面15cに付着するが、超親
水性層Sの作用により薄膜状に拡がって付着する。この
ように現像液Dが待機ポット15内に付着堆積して乾燥
するとパーティクルを生じる原因となるので、上述した
飛散防止カップ4と同様に定期的に洗浄する必要があ
る。なお、定期的に待機ポット15を洗浄するのではな
く、供給位置で現像液を供給し終えた処理液供給ノズル
5が待機位置に戻る度に、以下のように洗浄処理を行う
ようにしてもよい。
When the above-mentioned "development processing" is sequentially performed, the processing liquid supply nozzle 5 moves to the standby position when the supply of the developer to the substrate W is completed. In this state, as shown in FIG. 4, the tip is inserted into the insertion hole 15 a of the standby pot 15. At this time, the developer D (two-dot chain line in the drawing) stored inside the front end may fall into the standby pot 15. The dropped developer D adheres to the inclined surface 15c immediately below the tip, but spreads and adheres to a thin film by the action of the superhydrophilic layer S. When the developer D adheres and accumulates in the standby pot 15 and dries as described above, particles may be generated. Therefore, it is necessary to periodically wash the developer D in the same manner as the scattering prevention cup 4 described above. Instead of periodically cleaning the standby pot 15, the cleaning process may be performed as follows each time the processing liquid supply nozzle 5 that has finished supplying the developer at the supply position returns to the standby position. Good.

【0045】「待機ポットの洗浄処理」オペレータが図
示しない入力手段を介して待機ポット15の洗浄処理を
指示すると、制御部20は三方弁14を洗浄ノズル16
側に切り換えるとともに、供給ポンプ13を駆動して洗
浄液タンク12内の洗浄液を圧送する。すると、図5に
示すように洗浄ノズル16から洗浄液Cが噴出し、処理
液供給ノズル5の先端部外周面に付着している恐れのあ
る現像液を洗浄除去するとともに、多量の洗浄液Cが傾
斜面15cに降り注ぐ。傾斜面15cを流下する洗浄液
Cは超親水性層Sの作用により、付着している現像液D
と傾斜面15cとの界面に極めて容易に入り込む。した
がって、付着している現像液Dは容易に傾斜面15cか
ら浮いて離脱し、洗浄液Cとともに排液口15bに流れ
込む。この排液口15bにも現像液Dが付着している
が、やはり洗浄液Cがその界面に容易に入り込むことに
より離脱する。
"Washing Process of Standby Pot" When the operator instructs the washing process of the waiting pot 15 via input means (not shown), the control unit 20 sets the three-way valve 14 to the washing nozzle 16
And the supply pump 13 is driven to pump the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 12. Then, as shown in FIG. 5, the cleaning liquid C is ejected from the cleaning nozzle 16 to clean and remove the developing liquid that may be attached to the outer peripheral surface of the tip of the processing liquid supply nozzle 5, and a large amount of the cleaning liquid C is inclined. It falls on surface 15c. The cleaning liquid C flowing down the inclined surface 15c is applied to the developer D by the action of the superhydrophilic layer S.
Very easily enters the interface between the fin and the inclined surface 15c. Therefore, the attached developer D easily floats off the inclined surface 15c, separates, and flows into the drainage port 15b together with the cleaning liquid C. The developing solution D also adheres to the drainage port 15b, but the developing solution D also comes off because the cleaning solution C easily enters the interface.

【0046】上記のようにして待機ポット15の洗浄処
理が行われるが、洗浄液Cが現像液Dの界面に極めて容
易に入り込むので、付着してから時間が経過し、強固に
付着している現像液Dをも容易に離脱させることができ
る。また、現像液Dは薄膜状になっているので、短時間
の洗浄により清浄な状態にすることができる。よって、
定期的に行われる「待機ポットの洗浄処理」に要する時
間を短縮化することができ、装置の稼働率を向上させる
ことができる。
The washing process of the standby pot 15 is performed as described above. However, since the cleaning solution C enters the interface of the developing solution D very easily, a certain time has passed since the cleaning solution C was adhered, and the developing solution strongly adhered. The liquid D can also be easily separated. Further, since the developer D is in the form of a thin film, it can be brought into a clean state by washing for a short time. Therefore,
The time required for the “standby pot cleaning process” that is periodically performed can be reduced, and the operation rate of the apparatus can be improved.

【0047】なお、洗浄液タンク12と、供給ポンプ1
3と、三方弁14と、洗浄ノズル16とにより待機ポッ
ト15を洗浄するようにしたが、待機ポット15を装置
から取り外して洗浄液に浸漬するなどしても短時間の洗
浄で清浄化することが可能である。
The cleaning liquid tank 12 and the supply pump 1
3, the three-way valve 14, and the cleaning nozzle 16 are used to clean the standby pot 15. However, even if the standby pot 15 is removed from the apparatus and immersed in a cleaning solution, the cleaning can be performed in a short time by cleaning. It is possible.

【0048】「紫外線照射処理」なお、上述した「現像
処理」を繰り返し、定期的に「洗浄処理」および「待機
ポットの洗浄処理」を行ってゆくうちに『照射時刻』か
らの経過時間が『再親水化処理時間』に達した場合に
は、制御部20がオペレータにその旨を報知する。これ
とともに処理液供給ノズル5を、待機ポット15から側
方に離れた位置にまで移動した状態で装置を停止させ
る。
[Ultraviolet Irradiation Treatment] The above-mentioned “development treatment” is repeated, and while the “cleaning treatment” and “standby pot cleaning treatment” are periodically performed, the elapsed time from the “irradiation time” is changed. When the “re-hydrophilization treatment time” has been reached, the control unit 20 notifies the operator of this. At the same time, the apparatus is stopped with the processing liquid supply nozzle 5 moved to a position away from the standby pot 15 to the side.

【0049】オペレータは、装置から飛散防止カップ4
を取り外すとともに、その下カップ4aから整流部材4
cを取り外す。さらに、待機ポット15を取り外す。そ
して、各部材に形成されている超親水性層Sに十分な量
の紫外線を照射する。例えば、水銀ランプを含む紫外線
照射装置により強力な紫外線を短時間照射したり、また
は蛍光灯によって照らされているクリーンルーム内に数
日間放置して、微弱な紫外線を長時間照射する。
The operator operates the apparatus to move the shatterproof cup 4
Rectifying member 4 from lower cup 4a.
Remove c. Further, the standby pot 15 is removed. Then, a sufficient amount of ultraviolet light is applied to the superhydrophilic layer S formed on each member. For example, strong ultraviolet light is irradiated for a short time by an ultraviolet irradiation device including a mercury lamp, or is left in a clean room illuminated by a fluorescent lamp for a few days to emit weak ultraviolet light for a long time.

【0050】この処理により、経時変化により次第に接
触角が大きくなって親水性が低下してきた超親水性層S
を再び超親水化する。この処理を定期的に行うことによ
り、上述した洗浄時の効果を長期間にわたって維持する
ことができ、装置の稼働率を同様に維持することが可能
である。
By this treatment, the super-hydrophilic layer S, whose contact angle gradually increases due to aging and the hydrophilicity decreases,
Is made superhydrophilic again. By performing this process periodically, the above-described effect at the time of cleaning can be maintained for a long period of time, and the operation rate of the apparatus can be similarly maintained.

【0051】なお、上述した実施例では、「紫外線照射
処理」を手動にて行うようにしたが、制御部20が再親
水化処理時間を検出するとともに自動的にその処理を行
うようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the "ultraviolet irradiation process" is manually performed. However, the control unit 20 may detect the re-hydrophilization process time and automatically perform the process. Good.

【0052】例えば、水銀ランプを含む紫外線照射部か
らの紫外線を光ファイバーで導き、処理液供給ノズル5
と同様の形状を有して、その先端部から周囲に紫外線を
放射する構造の紫外線照射用ノズルを配備し、移動機構
6を介して紫外線照射用ノズルを待機ポット15の挿抜
口15aに一定時間だけ挿入して十分な量の紫外線を超
親水性層Sに照射するようにしてもよい。さらに、上記
光ファイバーからの紫外線を下方および側方に向けて照
射する紫外線照射部材を配備し、移動機構6によりスピ
ンチャック1にその部材を取り付けて回転駆動し、飛散
防止カップ4内の超親水性層Sにムラなく紫外線を照射
するようにしてもよい。このように「紫外線照射処理」
を自動化することにより、人為的なミスが介在して親水
性が劣化したまま現像処理を行ってしまうような事態を
回避することができる。よって、洗浄効果を低下させ、
稼働率を低下させるような不都合が防止でき、長期間に
わたって洗浄効果を維持しつつ稼働率を維持できる。
For example, ultraviolet rays from an ultraviolet irradiation section including a mercury lamp are guided by an optical fiber,
An ultraviolet irradiation nozzle having the same shape as that of the above and having a structure for emitting ultraviolet light from the tip to the periphery is provided, and the ultraviolet irradiation nozzle is inserted into the insertion port 15a of the standby pot 15 through the moving mechanism 6 for a predetermined time. And a sufficient amount of ultraviolet rays may be applied to the superhydrophilic layer S. Further, an ultraviolet irradiating member for irradiating the ultraviolet light from the optical fiber downward and to the side is provided, and the member is attached to the spin chuck 1 by the moving mechanism 6 and driven to rotate. The layer S may be irradiated with ultraviolet light without unevenness. Thus, "ultraviolet irradiation treatment"
By automating, it is possible to avoid a situation in which development processing is performed while the hydrophilicity is degraded due to human error. Therefore, the cleaning effect is reduced,
Inconvenience such as lowering the operation rate can be prevented, and the operation rate can be maintained while maintaining the cleaning effect for a long time.

【0053】なお、上述した超親水性層Sの形成箇所の
他に、図6に示す箇所に超親水性層Sを形成するように
してもよい。すなわち、飛散防止カップ4は、排気ゾー
ン4a2 を形成する整流部材4cの裏面および下カップ
4aの底面中心側にも超親水性層Sを形成する。これに
より霧状の現像液D(ミスト)が付着しやすい箇所の洗
浄時間をも短縮化できる。
The superhydrophilic layer S may be formed at a location shown in FIG. 6 in addition to the location where the superhydrophilic layer S is formed. That is, shatterproof cup 4 also form a super-hydrophilic layer S on the bottom center of the rear surface and the lower cup 4a rectifying member 4c which forms an exhaust zone 4a 2. As a result, it is possible to shorten the cleaning time of a portion where the mist developer D (mist) is likely to adhere.

【0054】また、待機カップ15は、その上面にも超
親水性層Sを形成する。これにより、処理液供給ノズル
5が待機位置に移動する際に、その先端部から現像液が
落下して付着しても容易に除去することができる。
The standby cup 15 also has a superhydrophilic layer S formed on its upper surface. Thereby, when the processing liquid supply nozzle 5 moves to the standby position, even if the developer falls from and adheres to the front end thereof, it can be easily removed.

【0055】なお、本発明は、排液ゾーン4a1 と整流
部材4cに超親水性層Sを形成しなくても、飛散した現
像液が最も顕著に付着する飛散防止カップ4の案内傾斜
面4b2 にさえ超親水性層Sを形成しておけば、従来に
比較して洗浄効率を高めて洗浄時間を短縮化することが
できる。
[0055] The present invention is drainage even without forming a superhydrophilic layer S in zone 4a 1 and the rectifying member 4c, the guide inclined surfaces 4b of the scatter prevention cup 4 scattered developer is most pronounced adhesion If the superhydrophilic layer S is formed even on 2 , the cleaning efficiency can be increased and the cleaning time can be shortened as compared with the related art.

【0056】また、超親水性層Sを形成することなく、
各々の部材を超親水性材料で一体的に形成するようにし
てもよい。
Further, without forming the superhydrophilic layer S,
Each member may be integrally formed of a superhydrophilic material.

【0057】また、上記の実施例では、回転式基板現像
装置を例に採って説明したが、本発明はこの装置に限定
されるものではなく、例えば、塗布液を処理液として基
板に供給してフォトレジスト被膜を形成する回転式基板
塗布装置であっても適用可能である。
In the above embodiment, the description has been made by taking the rotary substrate developing apparatus as an example. However, the present invention is not limited to this apparatus. For example, a coating liquid is supplied to the substrate as a processing liquid. The present invention is also applicable to a rotary type substrate coating apparatus for forming a photoresist film by using the method.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、最も多くの処理液が付着堆積
しやすく、かつ強固に付着する飛散防止カップの案内傾
斜面を超親水性材料で形成しておくことにより、処理液
が極めて馴染みやすい状態にすることができ、案内傾斜
面に付着する処理液を薄膜状に拡げることができる。さ
らに、処理液と案内傾斜面との界面に洗浄液が入り込み
やすく、案内傾斜面に付着した処理液を容易に離脱させ
ることができて洗浄効率を大きく向上させることができ
る。したがって、付着した処理液を短時間の洗浄処理で
除去することができ、装置の稼働率を向上させることが
できる。
As is clear from the above description, according to the first aspect of the present invention, the most inclined processing liquid is easily deposited and deposited, and the guide inclined surface of the scattering prevention cup to which the processing liquid is strongly adhered is superposed. By forming the treatment liquid with a hydrophilic material, the treatment liquid can be made to be in a state in which the treatment liquid can be easily conformed, and the treatment liquid adhered to the inclined guide surface can be spread in a thin film shape. Furthermore, the cleaning liquid easily enters the interface between the processing liquid and the guide inclined surface, and the processing liquid attached to the guide inclined surface can be easily separated, thereby greatly improving the cleaning efficiency. Therefore, the attached processing solution can be removed by a short-time cleaning process, and the operation rate of the apparatus can be improved.

【0059】また、処理液の付着状態が飛散防止カップ
内面で薄膜状にほぼ均一になるので、定期的な洗浄回数
を少なくしても短時間の洗浄で清浄な状態にすることが
できる。
Further, since the adhesion state of the treatment liquid becomes almost uniform in a thin film on the inner surface of the scattering prevention cup, a clean state can be obtained by short-time washing even if the number of regular washings is reduced.

【0060】また、請求項2に記載の発明によれば、案
内傾斜面で下方に案内されて排液ゾーンに滞留した処理
液をも容易に離脱させることができ、洗浄効率をさらに
向上させることができる。したがって、付着した処理液
をより短時間の洗浄処理で除去することができ、装置の
稼働率をさらに高めることができる。
According to the second aspect of the present invention, the processing liquid guided downward by the guide inclined surface and retained in the drainage zone can be easily released, and the cleaning efficiency can be further improved. Can be. Therefore, the attached processing liquid can be removed by a shorter cleaning process, and the operation rate of the apparatus can be further increased.

【0061】また、請求項3に記載の発明によれば、整
流部材に付着した処理液やミストを容易に離脱させるこ
とができる。したがって、気流の乱れに起因する処理不
均一を防止しつつも、洗浄効率を高めて装置の稼働率を
より向上させることができる。
According to the third aspect of the present invention, the processing liquid or mist adhering to the flow regulating member can be easily separated. Therefore, the cleaning efficiency can be increased and the operation rate of the apparatus can be further improved while preventing the processing unevenness due to the turbulence of the air flow.

【0062】また、請求項4に記載の発明によれば、待
機ポットの内面に付着した処理液を容易に離脱させるこ
とができるので、待機ポットの洗浄を短時間で行うこと
ができ、装置の稼働率を向上させることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the processing liquid adhered to the inner surface of the standby pot can be easily removed, so that the standby pot can be cleaned in a short time and the apparatus can be cleaned. The operation rate can be improved.

【0063】また、請求項5に記載の発明によれば、接
触角が10°以下の超親水性材料を採用することで各部
材の親水性を極めて高くできるので、付着した処理液と
各部材との界面に洗浄液が極めて入りやすくなる。した
がって、より効果的に洗浄効率を向上させることができ
て、さらに短時間の洗浄で残渣を生じることなく付着し
た処理液をほぼ完全に除去することができる。その結
果、装置の稼働率をさらに高めることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the hydrophilicity of each member can be made extremely high by employing a superhydrophilic material having a contact angle of 10 ° or less, the treatment liquid adhering to each member and It becomes extremely easy for the cleaning liquid to enter the interface with the substrate. Therefore, the cleaning efficiency can be more effectively improved, and the processing solution that has adhered can be almost completely removed without any residue by a shorter cleaning time. As a result, the operation rate of the device can be further increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例に係る回転式基板現像装置の概略構成を
示す縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of a rotary substrate developing device according to an embodiment.

【図2】現像処理の説明に供する図である。FIG. 2 is a diagram provided for explanation of a developing process.

【図3】洗浄処理の説明に供する図である。FIG. 3 is a diagram provided for explanation of a cleaning process.

【図4】処理液供給ノズルが待機中にある状態を説明す
る図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which a processing liquid supply nozzle is on standby.

【図5】待機ポットの洗浄処理の説明に供する図であ
る。
FIG. 5 is a diagram provided for describing a cleaning process of a standby pot;

【図6】変形例を示す縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a modification.

【図7】従来装置の概略構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional device.

【図8】従来装置に生じる問題の説明に供する図であ
る。
FIG. 8 is a diagram for explaining a problem that occurs in the conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W … 基板 S … 超親水性層 D … 現像液 C … 洗浄液 1 … スピンチャック(回転支持手段) 4 … 飛散防止カップ 4a … 下カップ 4a1 … 排液ゾーン 4b … 上カップ 4b2 … 案内傾斜面 4c … 整流部材 4c1 … 傾斜面 5 … 処理液供給ノズル(処理液供給手段) 7 … 供給ポンプ(処理液供給手段) 8 … 処理液タンク(処理液供給手段) 10 … 洗浄液貯留部 15 … 待機ポット 16 … 洗浄ノズルW ... Substrate S ... Superhydrophilic layer D ... Developer C ... Cleaning liquid 1 ... Spin chuck (rotation support means) 4 ... Scatter prevention cup 4a ... Lower cup 4a 1 ... Drain zone 4b ... Upper cup 4b 2 ... Guide slope 4c: Rectifying member 4c 1 : Inclined surface 5: Processing liquid supply nozzle (processing liquid supply means) 7: Supply pump (processing liquid supply means) 8: Processing liquid tank (processing liquid supply means) 10: Cleaning liquid storage unit 15: Standby Pot 16: Cleaning nozzle

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転支持手段により支持された基板の周
囲を囲い、基板から周囲に飛散した処理液を下方に案内
する案内傾斜面と、案内傾斜面により下方に案内された
処理液を回収する排液ゾーンとを有する飛散防止カップ
を備えた回転式基板処理装置において、 前記飛散防止カップのうち少なくとも前記案内傾斜面を
超親水性材料で形成したことを特徴とする回転式基板処
理装置。
A guide inclined surface which surrounds a periphery of the substrate supported by the rotary support means and guides the processing liquid scattered from the substrate to the periphery downward, and collects the processing liquid guided downward by the guide inclined surface. A rotary substrate processing apparatus provided with a scattering prevention cup having a drainage zone, wherein at least the guide inclined surface of the scattering prevention cup is formed of a superhydrophilic material.
【請求項2】 請求項1に記載の回転式基板処理装置に
おいて、さらに前記排液ゾーンを超親水性材料で形成し
たことを特徴とする回転式基板処理装置。
2. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said drainage zone is further formed of a superhydrophilic material.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の回転式
基板処理装置において、前記飛散防止カップと前記回転
支持手段との間に介在して基板の周囲の気流の流れを整
える整流部材をさらに備えるとともに、この整流部材を
超親水性材料で形成したことを特徴とする回転式基板処
理装置。
3. The rectifying member according to claim 1 or 2, further comprising a rectifying member interposed between the scattering prevention cup and the rotation support means to regulate an airflow around the substrate. A rotary substrate processing apparatus, further comprising: a rectifying member formed of a superhydrophilic material.
【請求項4】 回転支持手段により支持された基板の上
方にあたる処理液の供給位置と、基板から側方に離れた
待機位置とにわたって移動自在の処理液供給手段と、前
記待機位置にて前記処理液供給手段の先端部を受け入れ
る待機ポットとを備えた回転式基板処理装置において、 前記待機ポットの少なくとも内面を超親水性材料で形成
したことを特徴とする回転式基板処理装置。
4. A processing liquid supply means movable over a processing liquid supply position above the substrate supported by the rotation support means and a standby position laterally separated from the substrate, and the processing liquid at the standby position. A rotary substrate processing apparatus comprising: a standby pot for receiving a leading end of a liquid supply unit; wherein at least an inner surface of the standby pot is formed of a superhydrophilic material.
【請求項5】 請求項1または請求項4に記載の回転式
基板処理装置において、前記超親水性材料は、接触角が
10°以下のものであることを特徴とする回転式基板処
理装置。
5. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the superhydrophilic material has a contact angle of 10 ° or less.
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