JPH10256476A - 柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法Info
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- JPH10256476A JPH10256476A JP5760797A JP5760797A JPH10256476A JP H10256476 A JPH10256476 A JP H10256476A JP 5760797 A JP5760797 A JP 5760797A JP 5760797 A JP5760797 A JP 5760797A JP H10256476 A JPH10256476 A JP H10256476A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光に好適な新規形状のデバイス及びこのデ
バイスへの露光に好適な露光装置及び製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 デバイスとして柱状面に回路パターンが
形成された柱状デバイスとすること及び柱状面を回転さ
せて回路パターンを露光すること。
バイスへの露光に好適な露光装置及び製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 デバイスとして柱状面に回路パターンが
形成された柱状デバイスとすること及び柱状面を回転さ
せて回路パターンを露光すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、柱状デバイス及び
その露光装置及びデバイス製造方法に関し、特に半導体
等のデバイスに好適な柱状デバイス及びその露光装置及
びデバイス製造方法に関するものである。
その露光装置及びデバイス製造方法に関し、特に半導体
等のデバイスに好適な柱状デバイス及びその露光装置及
びデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウエハとして平板状のも
のが知られるが、最近直径１ｍｍ程度のボール（球）状
シリコンを用いた球状半導体が提案されている。
のが知られるが、最近直径１ｍｍ程度のボール（球）状
シリコンを用いた球状半導体が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
に好適な新規形状のデバイス及びこのデバイスへの露光
に好適な露光装置及びデバイス製造方法を提供すること
にある。
に好適な新規形状のデバイス及びこのデバイスへの露光
に好適な露光装置及びデバイス製造方法を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の柱状デバイス
は、形状が柱状であり、柱状面に回路パターンが形成さ
れたことを特徴とする。
は、形状が柱状であり、柱状面に回路パターンが形成さ
れたことを特徴とする。
【０００５】また本発明の露光装置及びデバイス製造方
法は、柱状デバイス材料を変位させることにより、柱状
面に回路パターンを形成することを特徴とする。
法は、柱状デバイス材料を変位させることにより、柱状
面に回路パターンを形成することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の柱状デバイス及び
その露光装置及び柱状デバイス製造方法の実施例を示し
ている。
その露光装置及び柱状デバイス製造方法の実施例を示し
ている。
【０００７】図中、１は回路パターンが形成されたレク
チルである。レクチル１でスリット状に照明されたスリ
ット状領域１ａが縮小投影レンズ２を介して、円柱状デ
バイス材料として露光される面にレジスト膜が塗布され
た円柱状シリコン３の柱状面であるところの円筒表面に
スリット状に投影される。この時、レクチル１が図示さ
れる矢印方向に直進変位するのに同期して、円柱状シリ
コン３は図示される矢印方向に回転変位する。これによ
りレクチル１の回路パターンが円柱状シリコン３の円筒
表面に露光される。なお、図１で４ａ、４ｂは後述する
位置検出系である。
チルである。レクチル１でスリット状に照明されたスリ
ット状領域１ａが縮小投影レンズ２を介して、円柱状デ
バイス材料として露光される面にレジスト膜が塗布され
た円柱状シリコン３の柱状面であるところの円筒表面に
スリット状に投影される。この時、レクチル１が図示さ
れる矢印方向に直進変位するのに同期して、円柱状シリ
コン３は図示される矢印方向に回転変位する。これによ
りレクチル１の回路パターンが円柱状シリコン３の円筒
表面に露光される。なお、図１で４ａ、４ｂは後述する
位置検出系である。
【０００８】円柱状シリコン３の直径はｍｍオーダーで
例えば１ｍｍである。また、円柱状シリコン３の長手方
向（中心軸方向）の長さもｍｍオーダーであって、直径
に対し長くなる。例えば円柱状シリコン３の円周方向長
さと略等しい場合、例えば直径１ｍｍに対し３．１４ｍ
ｍとなる。
例えば１ｍｍである。また、円柱状シリコン３の長手方
向（中心軸方向）の長さもｍｍオーダーであって、直径
に対し長くなる。例えば円柱状シリコン３の円周方向長
さと略等しい場合、例えば直径１ｍｍに対し３．１４ｍ
ｍとなる。
【０００９】円柱状シリコン３は、図２、図３に示され
るように、バンプ５を介して互いに電源ライン６に接続
された半導体デバイスとなる。図２はこの半導体デバイ
スを長手方向から見た図であり、図３は長手方向と直交
する図２における下方から見た図である。露光に際し、
円柱状シリコンは、６軸に位置合わせするため、図４、
図５に示したＸ、Ｙ、Ｚ方向、α、β、γ方向の位置検
出をする必要がある。
るように、バンプ５を介して互いに電源ライン６に接続
された半導体デバイスとなる。図２はこの半導体デバイ
スを長手方向から見た図であり、図３は長手方向と直交
する図２における下方から見た図である。露光に際し、
円柱状シリコンは、６軸に位置合わせするため、図４、
図５に示したＸ、Ｙ、Ｚ方向、α、β、γ方向の位置検
出をする必要がある。
【００１０】図６は柱状方向（Ｘ方向）に２箇所設けら
れた位置検出系４ａ、４ｂの配置を示す。なお、１０
ａ、１０ｂは円柱状シリコン３の左右端面を示してい
る。
れた位置検出系４ａ、４ｂの配置を示す。なお、１０
ａ、１０ｂは円柱状シリコン３の左右端面を示してい
る。
【００１１】位置検出系４ａは、円柱状シリコン３の柱
状面、特に円筒表面に設けられるＸ方向、Ｙ方向の位置
検出マークＸａ、Ｙａ（図７）の位置を検出する。同様
に位置検出系４ｂも不図示の位置検出マークＸｂ、Ｙｂ
の位置を検出する。
状面、特に円筒表面に設けられるＸ方向、Ｙ方向の位置
検出マークＸａ、Ｙａ（図７）の位置を検出する。同様
に位置検出系４ｂも不図示の位置検出マークＸｂ、Ｙｂ
の位置を検出する。
【００１２】図８はＺ方向の位置検出系が、ＸＹ方向の
位置検出系に対応して配置されることを示す。
位置検出系に対応して配置されることを示す。
【００１３】ＸＹ方向の位置検出系４ａに対応して、Ｚ
方向の位置検出系として、投光部、Ｚ１ａと受光部Ｚ２
ａが設けられる。同様に不図示のＸＹ方向の位置検出系
４ｂに対応して、不図示のＺ方向の位置検出系として、
投光部Ｚ１ｂと受光部Ｚ２ｂが設けられる。投光部Ｚ１
ａ、Ｚ１ｂからの照射ビームが被検出面のＺ方向位置に
対応して、受光部Ｚ２ａ、Ｚ２ｂの光位置検出素子の異
なる位置に入射することを利用してＺ方向の位置検出が
行なわれる。
方向の位置検出系として、投光部、Ｚ１ａと受光部Ｚ２
ａが設けられる。同様に不図示のＸＹ方向の位置検出系
４ｂに対応して、不図示のＺ方向の位置検出系として、
投光部Ｚ１ｂと受光部Ｚ２ｂが設けられる。投光部Ｚ１
ａ、Ｚ１ｂからの照射ビームが被検出面のＺ方向位置に
対応して、受光部Ｚ２ａ、Ｚ２ｂの光位置検出素子の異
なる位置に入射することを利用してＺ方向の位置検出が
行なわれる。
【００１４】図６乃至図８で示したＸＹＺ方向の検出を
２眼で行なうことにより、円柱状シリコン３に関して６
軸方向の位置検出が行なわれる。
２眼で行なうことにより、円柱状シリコン３に関して６
軸方向の位置検出が行なわれる。
【００１５】本実施例では、円柱状シリコン３は露光位
置の手前で、位置検出系によりずれ検出されて、露光位
置への搬入と共にずれ補正されるか、露光位置への搬入
前にずれ補正されて、その後露光位置へ搬入される。露
光は、不図示の露光光源例えばエキシマレーザ（ＫｒＦ
又はＡｒＦ）の照射により、回路パターンのスリット状
領域１ａが順次、円柱状シリコン３の円筒表面に形成さ
れることにより行なわれる。
置の手前で、位置検出系によりずれ検出されて、露光位
置への搬入と共にずれ補正されるか、露光位置への搬入
前にずれ補正されて、その後露光位置へ搬入される。露
光は、不図示の露光光源例えばエキシマレーザ（ＫｒＦ
又はＡｒＦ）の照射により、回路パターンのスリット状
領域１ａが順次、円柱状シリコン３の円筒表面に形成さ
れることにより行なわれる。
【００１６】図９、図１０は円柱状シリコン３を支持す
る支持部材１２ａ、１２ｂを示す。支持部材１２ａ、１
２ｂは円柱状シリコン３に別々に埋設されている。支持
部材１２ａ、１２ｂは一体化されて円柱状シリコン３の
中心軸を貫通するようにしても良い。
る支持部材１２ａ、１２ｂを示す。支持部材１２ａ、１
２ｂは円柱状シリコン３に別々に埋設されている。支持
部材１２ａ、１２ｂは一体化されて円柱状シリコン３の
中心軸を貫通するようにしても良い。
【００１７】支持部材１２ａ、１２ｂは、レクチル１の
直進変位に同期して円柱状シリコン３を一方向に回転さ
せるが、逆回転可能にして、レクチル１の往復動作に同
期して、レクチルの往動作の場合は順方向、レクチルの
復動作の場合は逆方向に回転させるようにしても良い。
直進変位に同期して円柱状シリコン３を一方向に回転さ
せるが、逆回転可能にして、レクチル１の往復動作に同
期して、レクチルの往動作の場合は順方向、レクチルの
復動作の場合は逆方向に回転させるようにしても良い。
【００１８】図１１は、ＸＹ方向の位置検出系４ａ、４
ｂが露光用の縮小投影レンズ２を介したいわゆるＴＴＬ
検出系として構成される実施例を示す。本実施例の場
合、Ｚ方向の位置検出系Ｚ１ａとＺ２ａ、Ｚ１ｂとＺ２
ｂは縮小投影レンズ２の比較的近傍に設けられることに
なる。
ｂが露光用の縮小投影レンズ２を介したいわゆるＴＴＬ
検出系として構成される実施例を示す。本実施例の場
合、Ｚ方向の位置検出系Ｚ１ａとＺ２ａ、Ｚ１ｂとＺ２
ｂは縮小投影レンズ２の比較的近傍に設けられることに
なる。
【００１９】図１２はＸＹ方向のみならずＺ方向につい
てもＴＴＬ検出系を構成する実施例を示す。図１２にお
いて、Ｌ１がＸＹ方向の位置検出光束、Ｌ２がＺ方向の
位置検出光束を示している。以下、図１３で詳細に述べ
る。
てもＴＴＬ検出系を構成する実施例を示す。図１２にお
いて、Ｌ１がＸＹ方向の位置検出光束、Ｌ２がＺ方向の
位置検出光束を示している。以下、図１３で詳細に述べ
る。
【００２０】図１３でＸＹ方向の位置検出は以下のよう
に行なう。ハロゲンランプ１１からの光及び反射鏡１２
を介した光は、波長選択フィルタ１３ａ（長波長側）、
１３ｂ（短波長側）を介して波長選択されファイバー１
４に入射する。ファイバー１４の射出端から出た光は、
コンデンサレンズ１５、開口絞り１６、視野絞り１７、
ダイクロイックミラー１８、照明系レンズ１９、光学ブ
ロック２０、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）、
縮小投影レンズ２を介して円柱状シリコン３の円筒表面
頂上に視野絞り１７の形状の光束を照射する。照射され
た位置検出マーク（図７参照）からの光は、縮小投影レ
ンズ２、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）を介
し、偏光状態が変わることで、光学ブロックの面２０
ａ、２０ｂで反射されて、リレーレンズ２２、エレクタ
（正立化）レンズ２３を介してＣＣＤ等の２次元撮像素
子２４に投影される。２次元撮像素子２４では投影され
た位置検出マークの像位置から、Ｘ方向、Ｙ方向の位置
ずれを検出する。このＸＹ方向の位置検出系は、図１３
の紙面垂直方向に同様のものが一対設けられる。
に行なう。ハロゲンランプ１１からの光及び反射鏡１２
を介した光は、波長選択フィルタ１３ａ（長波長側）、
１３ｂ（短波長側）を介して波長選択されファイバー１
４に入射する。ファイバー１４の射出端から出た光は、
コンデンサレンズ１５、開口絞り１６、視野絞り１７、
ダイクロイックミラー１８、照明系レンズ１９、光学ブ
ロック２０、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）、
縮小投影レンズ２を介して円柱状シリコン３の円筒表面
頂上に視野絞り１７の形状の光束を照射する。照射され
た位置検出マーク（図７参照）からの光は、縮小投影レ
ンズ２、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）を介
し、偏光状態が変わることで、光学ブロックの面２０
ａ、２０ｂで反射されて、リレーレンズ２２、エレクタ
（正立化）レンズ２３を介してＣＣＤ等の２次元撮像素
子２４に投影される。２次元撮像素子２４では投影され
た位置検出マークの像位置から、Ｘ方向、Ｙ方向の位置
ずれを検出する。このＸＹ方向の位置検出系は、図１３
の紙面垂直方向に同様のものが一対設けられる。
【００２１】次に図１３でＺ方向の位置検出を説明す
る。なお、当然ながらＺ方向の位置検出系は、図１３の
紙面垂直方向に同様のものが一対設けられることにな
る。Ｚ方向検出ユニット２５から出た光はダイクロイッ
クミラー１８で反射され、照明系レンズ１９、光学ブロ
ック２０、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）、縮
小投影レンズ２を介して円柱状シリコン３の円筒表面頂
上に至り、ここで反射されて光路を戻りダイクロイック
ミラー１８で反射されて、Ｚ方向検出ユニット２５に入
射して位置検出される。
る。なお、当然ながらＺ方向の位置検出系は、図１３の
紙面垂直方向に同様のものが一対設けられることにな
る。Ｚ方向検出ユニット２５から出た光はダイクロイッ
クミラー１８で反射され、照明系レンズ１９、光学ブロ
ック２０、１／４波長板（２１ａと２１ｂで構成）、縮
小投影レンズ２を介して円柱状シリコン３の円筒表面頂
上に至り、ここで反射されて光路を戻りダイクロイック
ミラー１８で反射されて、Ｚ方向検出ユニット２５に入
射して位置検出される。
【００２２】ここでダイクロイックミラー１８は、ＸＹ
方向位置検出光束を透過、Ｚ方向位置検出光束を反射す
る機能を有する。又、光学ブロック２０（面２０ｂ）は
ＸＹ方向位置検出光束に対しては、偏光ビームスプリッ
タとして機能し、Ｚ方向位置検出光束に対してはダイク
ロイックミラーとして機能する。
方向位置検出光束を透過、Ｚ方向位置検出光束を反射す
る機能を有する。又、光学ブロック２０（面２０ｂ）は
ＸＹ方向位置検出光束に対しては、偏光ビームスプリッ
タとして機能し、Ｚ方向位置検出光束に対してはダイク
ロイックミラーとして機能する。
【００２３】次に位置検出マークを円柱状シリコン３の
端面に設けた実施例を図１４乃至図１６で述べる。
端面に設けた実施例を図１４乃至図１６で述べる。
【００２４】図１４で位置検出系Ｍａ、Ｍｂは、円柱状
シリコン３の左右端面に設けられた位置検出マークを用
いて、共にＸＹＺ方向の位置を検出して、円柱状シリコ
ン３に関して６軸の位置検出を行なう。
シリコン３の左右端面に設けられた位置検出マークを用
いて、共にＸＹＺ方向の位置を検出して、円柱状シリコ
ン３に関して６軸の位置検出を行なう。
【００２５】図１５は位置検出系Ｍａの詳細を示す。図
１５で示される位置検出系は図１３で説明した位置検出
系と同様の作用をし、構成上光学ブロック２０が３０に
変わり、縮小投影レンズ２が投光受光兼用レンズ２９に
変わるだけで他の部材は同一である。
１５で示される位置検出系は図１３で説明した位置検出
系と同様の作用をし、構成上光学ブロック２０が３０に
変わり、縮小投影レンズ２が投光受光兼用レンズ２９に
変わるだけで他の部材は同一である。
【００２６】図１６は位置検出系Ｍａ、Ｍｂが円柱状シ
リコン３の左右端面１０ａ、１０ｂに設けられる位置検
出マークを検出する全体システムを示す。
リコン３の左右端面１０ａ、１０ｂに設けられる位置検
出マークを検出する全体システムを示す。
【００２７】（変形例）なお柱状面として、円筒表面に
パターン形成する実施例を述べたが、真円に限らず楕
円、多角形（正方形、長方形含む）等の円に近似される
筒状表面にパターン形成されるものであっても良い。
パターン形成する実施例を述べたが、真円に限らず楕
円、多角形（正方形、長方形含む）等の円に近似される
筒状表面にパターン形成されるものであっても良い。
【００２８】なお円柱状デバイスは中が中空部であって
も良い。
も良い。
【００２９】又、半導体について上記実施例を述べたが
デバイスとして液晶等であっても良い。
デバイスとして液晶等であっても良い。
【００３０】
【発明の効果】以上、本発明によれば半導体等のデバイ
スとしても好適な柱状デバイス及びその露光装置及び製
造方法を提供できる。
スとしても好適な柱状デバイス及びその露光装置及び製
造方法を提供できる。
【図１】本発明の円柱状デバイス及びその露光装置の第
１の実施例を示す図。
１の実施例を示す図。
【図２】円柱状シリコンが接続された半導体デバイスを
示す図。
示す図。
【図３】円柱状シリコンが接続された半導体デバイスを
示す図。
示す図。
【図４】円柱状シリコンのＸＹＺ方向位置検出を示す
図。
図。
【図５】円柱状シリコンのαβγ方向位置検出を示す
図。
図。
【図６】位置検出系のＸ方向の配置を示す図。
【図７】円柱状シリコンの円筒表面の位置検出マークの
図。
図。
【図８】Ｚ方向の位置検出を示す図。
【図９】円柱状シリコンの支持に関する図。
【図１０】円柱状シリコンの支持に関する図。
【図１１】ＸＹ方向の位置検出系がＴＴＬ検出系である
第２の実施例の図。
第２の実施例の図。
【図１２】ＸＹＺ方向の位置検出系がＴＴＬ検出系であ
る第３の実施例の図。
る第３の実施例の図。
【図１３】第３の実施例の詳細説明図。
【図１４】位置検出マークを円柱状シリコンの端面に備
える第４の実施例の図。
える第４の実施例の図。
【図１５】第４の実施例の詳細説明図。
【図１６】第４の実施例の詳細説明図。
１ レクチル １ａ スリット状領域 ２ 縮小投影レンズ ３ 円柱状シリコン ４ａ 位置検出系（ＸＹ方向） ４ｂ 位置検出系（ＸＹ方向） ５ バンプ ６ 電源ライン Ｘａ 位置検出マーク Ｙａ 位置検出マーク Ｚ１ａ 位置検出系投光部（Ｚ方向） Ｚ２ａ 位置検出系受光部（Ｚ方向） １２ａ 支持部材 １２ｂ 支持部材
Claims (22)
- 【請求項１】 形状が柱状であり、柱状面に回路パター
ンが形成されたことを特徴とする柱状デバイス。 - 【請求項２】 前記柱状面に位置検出マークを備えた請
求項１記載の柱状デバイス。 - 【請求項３】 前記位置検出マークが柱状方向に２箇所
設けられた請求項１記載の柱状デバイス。 - 【請求項４】 前記柱状デバイスは複数箇結合されたも
のである請求項１記載の柱状デバイス。 - 【請求項５】 形状が円柱状であり、円柱面に回路パタ
ーンが形成された請求項１記載の柱状デバイス。 - 【請求項６】 前記デバイスは半導体である請求項１記
載の柱状デバイス。 - 【請求項７】 前記柱状デバイスの柱状端面に支持部を
備えた請求項１記載の柱状デバイス。 - 【請求項８】 前記支持部が貫通された請求項７記載の
柱状デバイス。 - 【請求項９】 柱状デバイス材料を変位させることによ
り、柱状面に回路パターンを形成させることを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項１０】 前記柱状デバイス材料を中心軸の周り
に回転させる請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記柱状が円柱状である請求項９記載
の露光装置。 - 【請求項１２】 回路パターンを備えたレクチルを備
え、該レチクルを介して前記柱状面に回路パターンを形
成させる請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１３】 投影用の縮小レンズを介して露光を行
う請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１４】 前記レクチルと前記柱状デバイス材料
を同期して変位させながらスリット露光を行う請求項９
記載の露光装置。 - 【請求項１５】 前記レチクルを直進変位させ、前記柱
状デバイス材料を回転変位させる請求項９記載の露光装
置。 - 【請求項１６】 前記レクチルを往復変位させ、前記柱
状デバイス材料の順方向逆方向に回転変位させる請求項
１５記載の露光装置。 - 【請求項１７】 前記柱状デバイス材料はシリコンであ
る請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１８】 前記柱状方向にＸＹＺ位置検出系を複
数備えた請求項９記載の露光装置。 - 【請求項１９】 位置検出マークが前記柱状面に備わる
請求項９記載の露光装置。 - 【請求項２０】 位置検出マークが前記柱状デバイス材
料の端面に備わる請求項９記載の露光装置。 - 【請求項２１】 前記位置検出系の少なくとも一部は投
影用レンズを介する光路を備える請求項１８記載の露光
装置。 - 【請求項２２】 柱状デバイス材料を位置決めする段階
と、該柱状デバイス材料を変位させて柱状面に回路パタ
ーンを形成する段階を有することを特徴とする柱状デバ
イス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5760797A JPH10256476A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5760797A JPH10256476A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256476A true JPH10256476A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13060553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5760797A Withdrawn JPH10256476A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 柱状デバイス及び露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256476A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002001933A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-08 | Canon Inc | インクジェット記録方法、インクジェット記録ヘッド、およびインクジェット記録装置 |
| US6710435B2 (en) | 2001-08-09 | 2004-03-23 | Denso Corporation | Semiconductor device arrangement and method of fabricating the same |
| US7298452B2 (en) | 2003-12-16 | 2007-11-20 | Lg Electronics Inc. | Patterning apparatus and method for fabricating continuous pattern using the same |
| JP2009528561A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 基材を処理し、解析する、プラットフォーム、装置、システム、及び方法 |
| JP2011527883A (ja) * | 2008-07-04 | 2011-11-04 | コリア エレクトロテクノロジー リサーチ インスティテュート | 円筒状の磁気浮上ステージ |
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| JP2018077507A (ja) * | 2013-06-14 | 2018-05-17 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法及び露光方法 |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP5760797A patent/JPH10256476A/ja not_active Withdrawn
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