JPH10256125A - Electron beam exposure device - Google Patents
Electron beam exposure deviceInfo
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- JPH10256125A JPH10256125A JP9057705A JP5770597A JPH10256125A JP H10256125 A JPH10256125 A JP H10256125A JP 9057705 A JP9057705 A JP 9057705A JP 5770597 A JP5770597 A JP 5770597A JP H10256125 A JPH10256125 A JP H10256125A
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- electron beam
- opening
- aperture
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光装置に
関し、特に半導体集積回路などのデバイスパターンを半
導体に直接描画する電子線露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to an electron beam exposure apparatus for directly drawing a device pattern of a semiconductor integrated circuit or the like on a semiconductor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の可変成形型電子線露光装置は図４
に示されるように、電子ビーム７を出射する電子銃１
と、電子ビーム７のビーム径を縮小させる電子レンズ２
と、電子レンズ２で縮小された電子ビーム７を矩形ビー
ムに整形させるアパーチャ１１，１２及び成形偏向器３
と、成形された矩形ビームをステージ６上のウェハ５の
任意の位置に偏向する位置偏向器４とが備えられてい
た。2. Description of the Related Art A conventional variable-shaped electron beam exposure apparatus is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, an electron gun 1 for emitting an electron beam 7
And the electron lens 2 for reducing the beam diameter of the electron beam 7
Apertures 11 and 12 for shaping the electron beam 7 reduced by the electron lens 2 into a rectangular beam, and a shaping deflector 3
And a position deflector 4 for deflecting the formed rectangular beam to an arbitrary position on the wafer 5 on the stage 6.
【０００３】従来の可変整形型電子線露光装置における
電子ビーム７の可変整形の方法について説明する。ま
ず、電子レンズ２を透過した電子ビーム７は、アパーチ
ャ１１の開口１１ａに照射され、アパーチャ１１の開口
１１ａを通過した電子ビーム７は、成形偏向器３によっ
てアパーチャ１２の開口１２ａ内に位置を変えて照射さ
れる。アパーチャ１２の開口１２ａを通過した電子ビー
ム７は、位置偏向器４によってウェハ５上の任意の位置
に転写される。電子ビーム７は、成形偏向器３に印加す
る電圧を変化させることによってビームの偏向量を変
え、任意の大きさに整形している。A method for variably shaping the electron beam 7 in a conventional variable shaping type electron beam exposure apparatus will be described. First, the electron beam 7 that has passed through the electron lens 2 is applied to the opening 11a of the aperture 11, and the electron beam 7 that has passed through the opening 11a of the aperture 11 is repositioned by the shaping deflector 3 into the opening 12a of the aperture 12. Irradiated. The electron beam 7 that has passed through the opening 12 a of the aperture 12 is transferred to an arbitrary position on the wafer 5 by the position deflector 4. The electron beam 7 is shaped into an arbitrary size by changing the amount of beam deflection by changing the voltage applied to the shaping deflector 3.
【０００４】また、成形偏向器３において、矩形電子ビ
ームの大きさ寸法にオフセットを繰り入れた場合の、従
来例を図５（ａ），（ｂ）に示す。オフセットは、電子
ビームのサイズの縦幅または横幅を微調整するためのも
のであり、メモリ等のデバイスパターンを描画する場合
に用いられることが多い。例えば、ホールパターンを描
画する場合、微小なパターンになるほど可変成形ビーム
寸法の縦幅と横幅のバランスが崩れやすい。すなわち、
縦幅又は横幅が設計値よりも、細る又は太る。このた
め、可変成形電子ビームの寸法にオフセットを繰り入
れ、バランスのとれた電子ビームの寸法に補正する。FIGS. 5 (a) and 5 (b) show a conventional example in which an offset is added to the size of a rectangular electron beam in the shaping deflector 3. FIG. The offset is for finely adjusting the vertical or horizontal width of the size of the electron beam, and is often used when drawing a device pattern such as a memory. For example, when drawing a hole pattern, the smaller the pattern, the more easily the balance between the vertical width and the horizontal width of the variable shaping beam dimension is lost. That is,
The vertical or horizontal width is thinner or thicker than the design value. For this reason, an offset is added to the dimension of the variable shaped electron beam to correct the dimension of the electron beam to be balanced.
【０００５】次にオフセットの繰り入れ方について説明
する。図５（ａ）は、可変成形電子ビームを示した図で
あり、通常は、アパーチャ１１の開口１１ａに照射され
た電子ビームの左下を原点としている。例えば図５
（ｂ）に示すように、ビームの横幅を大きくしたい場合
について説明する。この場合、開口１１ａを通過した電
子ビームを開口１２ａ内に照射するとき、成形偏向器３
によってオフセット分ずらして電子ビームを入射させ
る。そのため、電子ビームの原点は変わらず、原点から
見て右側のみが長くなった電子ビームとなり、可変成形
された電子ビームの描画中心位置がシフトして（図５
（ｂ）の＋からＸへ）描画される。[0005] Next, a description will be given of how to incorporate the offset. FIG. 5A is a diagram showing a variable shaped electron beam. Usually, the origin is located at the lower left of the electron beam applied to the opening 11 a of the aperture 11. For example, FIG.
A case where it is desired to increase the width of the beam as shown in FIG. In this case, when irradiating the electron beam passing through the opening 11a into the opening 12a, the shaping deflector 3
The electron beam is shifted by an offset to make the electron beam incident. Therefore, the origin of the electron beam does not change, and the electron beam becomes longer only on the right side when viewed from the origin, and the drawing center position of the variably shaped electron beam shifts (FIG. 5).
(From (b) + to X) is drawn.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来の電子線露光装置
におけるアパーチャ１１及び１２それぞれの開口１１
ａ，１２ａを通過した電子ビームを図５（ｃ）に示す。
アパーチャ１２の開口１２ａを通過した電子ビームにお
いて、ある程度大きなパターンの場合をに、微小なパ
ターンの場合をにそれぞれ示す。，それぞれの場
合において、アパーチャ１１の第１象現のコーナー部と
アパーチャ１２の第３象現のコーナー部の丸みが開口１
２ａを通過したビームに残り、そのままウェハ５上に転
写されてしまう。The openings 11 of the apertures 11 and 12 in the conventional electron beam exposure apparatus, respectively.
FIG. 5C shows the electron beam having passed through a and 12a.
In the electron beam that has passed through the opening 12a of the aperture 12, a pattern with a relatively large pattern and a pattern with a minute pattern are shown. In each case, the roundness of the corner of the first quadrant of the aperture 11 and the corner of the third quadrant of the aperture 12 is equal to the opening 1.
It remains on the beam that has passed through 2a and is transferred onto the wafer 5 as it is.
【０００７】図５（ｃ）ののような比較的大きいパタ
ーンの場合は、それ程影響はないが、のような微小パ
ターンでは、丸みが顕著に影響し、パターンの描画精度
を悪化させてしまう。In the case of a relatively large pattern as shown in FIG. 5C, there is not much effect. However, in a case of such a fine pattern, the roundness has a remarkable effect, and the drawing accuracy of the pattern is deteriorated.
【０００８】実際のパターンを描画する場合の課題を図
６を用いて説明する。例えば図６（ａ）のようなライン
パターン（０．２０μｍ，０．１８μｍ，０．１６μ
ｍ，０．１４μｍ）を描画する場合について説明する。
図６（ａ）に示すように電子線露光装置において、ライ
ンパターンを描画する場合には、可変成形された電子ビ
ームによるパターンを複数結合してラインパターンを形
成する。このとき、接続部のないパターンが理想的であ
るが、実際には接続部が必ず形成される。そのため、例
えばＹ方向に０．０２μｍ，０．０４μｍずれたとする
と、接続部においてパターンの細りが顕著に生じる。ま
た最悪の場合には、オープン不良の原因となってしま
う。The problem in drawing an actual pattern will be described with reference to FIG. For example, line patterns (0.20 μm, 0.18 μm, 0.16 μm) as shown in FIG.
(m, 0.14 μm) will be described.
As shown in FIG. 6A, when drawing a line pattern in an electron beam exposure apparatus, a plurality of variably shaped electron beam patterns are combined to form a line pattern. At this time, a pattern without a connection portion is ideal, but in practice, a connection portion is always formed. Therefore, for example, if the position is shifted by 0.02 μm or 0.04 μm in the Y direction, the pattern becomes significantly thin at the connection portion. In the worst case, it causes open failure.
【０００９】次に従来例で示した可変成形の電子ビーム
にオフセットを加味した場合における課題について説明
する。例えば、図６（ｂ）に示すようなラインパターン
間にホールパターンをオフセットを加味して描画する場
合について説明する。このときの描画マージンは、ホー
ルパターンの両端にａの寸法だけあるものとする。可変
成形ビームにオフセットを加味した場合、ビームの原点
は変わらず、ビームの右側のみ長くなってしまうことを
従来例で述べた。このため、オフセットを加味したビー
ムで描画した場合、ラインパターンとの描画マージンａ
がオフセット分低下し（このときの描画マージン＝ａ−
オフセット値）、ショートの原因となり、重ね合わせ精
度の低下を引き起こしてしまう。このことは、メモリ等
のデバイスにおいて、歩留りを低下させる原因となる。Next, a problem when an offset is added to the variable shaped electron beam shown in the conventional example will be described. For example, a case where a hole pattern is drawn between line patterns as shown in FIG. At this time, it is assumed that the drawing margin has the size of a at both ends of the hole pattern. When the offset is added to the variable shaped beam, the origin of the beam does not change and only the right side of the beam becomes longer, as described in the conventional example. For this reason, when writing is performed with a beam that takes offset into account, the writing margin a with the line pattern
Decreases by the offset (drawing margin at this time = a−
Offset value), causing a short circuit and lowering the overlay accuracy. This causes a decrease in yield in a device such as a memory.
【００１０】本発明の目的は、可変成形型の電子線露光
装置において、微小パターンを描画する場合において
も、良好なパターンを形成することが可能な電子線露光
装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electron beam exposure apparatus capable of forming a good pattern even when drawing a fine pattern in a variable-shaped electron beam exposure apparatus.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る電子線露光装置は、ビーム整形部と、
位置偏向器とを有する電子線露光装置であって、ビーム
整形部は、電子銃から出射された電子ビームを整形する
ものであって、電子ビームの外形をなす辺とアパーチャ
開口の開口辺とを交差させて電子ビームをアパーチャの
開口に偏向させて照射し、ビームを整形するものであ
り、位置偏向器は、ビーム整形部で整形された電子ビー
ムをウェハの任意位置に向けて偏向するものである。To achieve the above object, an electron beam exposure apparatus according to the present invention comprises a beam shaping unit,
An electron beam exposure apparatus having a position deflector, wherein the beam shaping unit shapes the electron beam emitted from the electron gun, and defines a side forming an outer shape of the electron beam and an opening side of the aperture opening. The beam is shaped by deflecting and irradiating the electron beam to the aperture of the aperture by crossing, and the position deflector deflects the electron beam shaped by the beam shaping unit toward an arbitrary position on the wafer. is there.
【００１２】また前記ビーム整形部は、対をなすアパー
チャと、補助成形偏向器とを有し、対をなすアパーチャ
は、電子ビームを通過させる開口を有するものであり、
補助成形偏向器は、対をなす一方のアパーチャを通過し
た電子ビームの対をなす他方のアパーチャの開口に対す
る照射位置を偏向するものである。The beam shaping section has a pair of apertures and an auxiliary shaping deflector, and the pair of apertures has an opening through which an electron beam passes.
The auxiliary shaping deflector deflects the irradiation position of the electron beam passing through one of the paired apertures with respect to the opening of the other of the paired apertures.
【００１３】また成形偏向器を有し、該成形偏向器は、
前記ビーム整形部で成形された電子ビームのビーム寸法
にオフセットを繰り入れるものである。[0013] The apparatus further includes a shaping deflector, wherein the shaping deflector includes:
The offset is added to the beam size of the electron beam formed by the beam shaping unit.
【００１４】[0014]
【作用】アパーチャは、開口の形状により、電子ビーム
を所定の形状に成形する。ここで、アパーチャに設けた
開口のコーナー部は、孔加工上、丸みを帯びて加工さ
れ、この丸みの形状によって電子ビームの形状が劣化す
ることとなる。The aperture shapes the electron beam into a predetermined shape according to the shape of the opening. Here, the corner portion of the opening provided in the aperture is rounded due to the hole processing, and the shape of the electron beam is deteriorated by the round shape.
【００１５】そこで、本発明は、上下に配置したアパー
チャを利用し、その各開口の直線状の開口辺と電子ビー
ムの外郭辺とを交差させ、その交差部により電子ビーム
形状のコーナー部を直角に整形する。In view of the above, the present invention utilizes the apertures arranged vertically, intersects the linear opening side of each opening with the outer side of the electron beam, and makes the corner of the electron beam shape a right angle by the intersection. To be shaped.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図１は本発明の一実施形態を示す構成図で
ある。図において、本発明の一実施形態に係る電子線露
光装置は、電子銃１と、電子レンズ２と、ビーム整形部
２１と、位置偏向器４とを有している。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, an electron beam exposure apparatus according to one embodiment of the present invention includes an electron gun 1, an electron lens 2, a beam shaping unit 21, and a position deflector 4.
【００１８】電子銃１は、電子ビーム７を出射するもの
であり、電子レンズ２は、電子銃１から出射された電子
ビーム７の口径を縮小させるようになっている。The electron gun 1 emits an electron beam 7, and the electron lens 2 reduces the aperture of the electron beam 7 emitted from the electron gun 1.
【００１９】ビーム整形部２１は、アパーチャ２２，２
３，２４，２５の対と、補助成形偏向器３１，３２，３
３，３４とを有している。The beam shaping section 21 includes apertures 22 and 2
3, 24, 25 pairs and auxiliary forming deflectors 31, 32, 3
3, 34.
【００２０】各アパーチャ２２，２３，２４，２５に
は、中央部の同一位置に開口面積が等しい開口２２ａ，
２３ａ，２４ａ，２５ａがそれぞれ穿設されている。Each of the apertures 22, 23, 24 and 25 has an opening 22a having the same opening area at the same position in the center.
23a, 24a and 25a are respectively formed.
【００２１】補助成形偏向器３１，３２，３３は、対を
なすアパーチャ２２，２３，２４，２５間の開口２２
ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａを避けた位置にそれぞれ設
置され、補助成形偏向器３４は、最終端のアパーチャ２
５の背面側の開口２５ａを避けた位置に設置されてい
る。The auxiliary forming deflectors 31, 32, 33 are provided with openings 22 between a pair of apertures 22, 23, 24, 25.
a, 23a, 24a, and 25a, respectively, and the auxiliary molding deflector 34 is provided with the aperture 2 at the final end.
5 is located at a position avoiding the opening 25a on the back side.
【００２２】補助成形偏向器３１は、対をなす一方のア
パーチャ２２の開口２２ａを通過した電子ビーム７の、
対をなす他方のアパーチャ２３の開口２３ａに対する照
射位置を偏向するようになっており、補助成形偏向器３
２は、対をなす一方のアパーチャ２３の開口２３ａを通
過した電子ビーム７の、対をなす他方のアパーチャ２３
の開口２４ａに対する照射位置を偏向するようになって
おり、補助成形偏向器３３は、対をなす一方のアパーチ
ャ２４の開口２４ａを通過した電子ビーム７の、対をな
す他方のアパーチャ２５の開口２５ａに対する照射位置
を偏向するようになっている。さらに最終段の補助成形
偏向器３４は、最終段のアパーチャ２５の開口２５ａを
通過した電子ビーム７の矩形の各辺にオフセットのデー
タを繰り入れて電子ビーム７を偏向させるようになって
いる。The auxiliary shaping deflector 31 converts the electron beam 7 having passed through the opening 22a of one of the apertures 22 into a pair.
The irradiation position of the other aperture 23 of the pair with respect to the opening 23a is deflected.
Reference numeral 2 denotes an electron beam 7 that has passed through the opening 23a of one of the paired apertures 23 and the other of the paired apertures 23.
The auxiliary forming deflector 33 deflects the irradiation position of the electron beam 7 passing through the opening 24a of one of the apertures 24 of the pair of apertures 25a of the other of the apertures 25. Is deflected. Further, the final stage auxiliary shaping deflector 34 deflects the electron beam 7 by incorporating offset data into each rectangular side of the electron beam 7 passing through the opening 25a of the final stage aperture 25.
【００２３】実施形態において、電子銃１から出射した
電子ビーム７は、電子レンズ２により口径が絞られ、か
つビーム整形部２１にて整形され、位置偏向器４により
ステージ６のウェハ５の所望位置に照射され、ウェハ５
上に所望パターンが描画される。In the embodiment, the electron beam 7 emitted from the electron gun 1 is narrowed in diameter by the electron lens 2 and shaped by the beam shaping unit 21, and the desired position of the wafer 5 on the stage 6 by the position deflector 4. Is irradiated to the wafer 5
A desired pattern is drawn thereon.
【００２４】ここで、図２（ａ）に示すように、初段の
アパーチャ２２の開口２２ａを通過した電子ビーム７の
形状は、各コーナー部に丸みを帯びた矩形状を呈してお
り、このコーナー部の丸みが電子ビームの整形に影響を
与えてしまうという課題があった。Here, as shown in FIG. 2A, the shape of the electron beam 7 that has passed through the opening 22a of the first-stage aperture 22 has a rectangular shape with rounded corners. There is a problem that the roundness of the part affects the shaping of the electron beam.
【００２５】そこで、本発明では、各コーナー部の丸み
を消失させて電子ビーム７の形状を、各コーナー部が直
角の矩形状に整形することを意図したものである。すな
わち、初段のアパーチャ２２の開口２２ａを通過した電
子ビーム７の下段アパーチャ２３の開口２３ａに対する
照射位置を補助成形偏向器３１により偏向させる。この
偏向位置は、図２（ｂ）に示す矩形状の電子ビーム７の
外郭辺７2，７3を下段アパーチャ２３の開口２３ａをな
す開口辺２３ａ1，２３ａ4に交差させるように開口２３
ａの右上のコーナー側に偏寄させた領域に設定する。し
たがって、電子ビーム７の形状は図２（ｂ）に示すよう
に、外郭辺７2，７3が開口辺２３ａ1，２３ａ4に交差す
るコーナー部が直角として整形される。Therefore, the present invention intends to eliminate the roundness of each corner and to shape the electron beam 7 into a rectangular shape in which each corner is a right angle. That is, the irradiation position of the electron beam 7 passing through the opening 22 a of the first-stage aperture 22 to the opening 23 a of the lower-stage aperture 23 is deflected by the auxiliary shaping deflector 31. The deflection position, FIG outer sides 7 2 of the rectangular electron beam 7 shown in (b), 7 3 opening sides 23a 1, aperture 23 so as to intersect 23a 4 forming the opening 23a of the lower aperture 23
It is set to the area deviated to the upper right corner side of a. Therefore, as shown in FIG. 2B, the shape of the electron beam 7 is shaped such that the corners where the outer sides 7 2 and 7 3 intersect the opening sides 23a 1 and 23a 4 are at right angles.
【００２６】アパーチャ２３の開口２３ａを通過した電
子ビーム７は、下段アパーチャ２４の開口２４ａに対す
る照射位置を補助成形偏向器３２により偏向させる。こ
の偏向位置は、図２（ｃ）に示す矩形状の電子ビーム７
の外郭辺７1，７2を下段アパーチャ２４の開口２４ａを
なす開口辺２４ａ3，２４ａ4に交差させるように開口２
４ａの右下のコーナ側に偏寄させた領域に設置する。し
たがって、電子ビーム７の形状は図２（ｃ）に示すよう
に、外郭辺７1，７2が開口辺２４ａ3，２４ａ4に交差す
るコーナー部が直角に整形される。The electron beam 7 having passed through the opening 23a of the aperture 23 deflects the irradiation position on the opening 24a of the lower aperture 24 by the auxiliary shaping deflector 32. This deflection position is determined by the rectangular electron beam 7 shown in FIG.
Of the opening 2 so that the outer sides 7 1 and 7 2 of the opening 2 intersect with the opening sides 24 a 3 and 24 a 4 forming the opening 24 a of the lower aperture 24.
4a is located in the area deviated to the lower right corner side. Therefore, as shown in FIG. 2C, the shape of the electron beam 7 is such that the corners where the outer sides 7 1 and 7 2 intersect the opening sides 24a 3 and 24a 4 are formed at a right angle.
【００２７】アパーチャ２４の開口２４ａを通過した電
子ビーム７は、下段アパーチャ２５の開口２５ａに対す
る照射位置を補助成形偏向器３３により偏向させる。こ
の偏向位置は、図２（ｄ）に示す矩形状の電子ビーム７
の外郭辺７2，７4を下段アパーチャ２５の開口２５ａを
なす開口辺２５ａ3に交差させるように開口２４ａの開
口辺２４ａ3側に偏寄させた領域に設置する。したがっ
て、電子ビーム７の形状は図２（ｄ）に示すように、外
郭辺７2，７4が開口辺２５ａ3に交差するコーナー部が
直角に整形される。The electron beam 7 that has passed through the opening 24a of the aperture 24 deflects the irradiation position on the opening 25a of the lower aperture 25 by the auxiliary shaping deflector 33. This deflection position corresponds to the rectangular electron beam 7 shown in FIG.
Placing the outer sides 7 2, 7 4 in the area obtained by biasing the opening edge 24a 3 side of the opening 24a so as to cross the opening sides 25a 3 which forms the opening 25a of the lower aperture 25. Thus, the shape of the electron beam 7 as shown in FIG. 2 (d), corners outer sides 7 2, 7 4 intersects the opening edge 25a 3 is shaped at a right angle.
【００２８】以上のように数回の整形処理を経て、電子
ビーム７の全てのコーナー部が直角に整形されることと
なる。したがって、電子ビーム７は図２（ｄ）に示すよ
うに、各コーナー部が直角となった矩形状に整形され、
コーナー部の丸みによる影響がなくなる。After several shaping processes as described above, all corners of the electron beam 7 are shaped at right angles. Therefore, as shown in FIG. 2D, the electron beam 7 is shaped into a rectangular shape in which each corner is a right angle.
The influence of the corner roundness is eliminated.
【００２９】次に電子ビーム７のビーム寸法にオフセッ
トを繰り入れる方法について、図３（ｄ）に基づき説明
する。従来法では、ビーム寸法にオフセットを繰り入れ
ると、原点から見て例えば、右側のみにパターンがずれ
て描画されるという課題があった。Next, a method for introducing an offset into the beam size of the electron beam 7 will be described with reference to FIG. In the conventional method, there is a problem that when an offset is added to the beam size, the pattern is shifted only on the right side when viewed from the origin, for example.
【００３０】本発明では、最下段のアパーチャ２５の下
面側に成形偏向器３４を開口２５ａを避けた位置に設置
し、成形偏向器３４をもって、矩形状電子ビーム７の４
辺の外郭辺７1，７2，７3，７4のいずれかの方向に電子
ビーム７を偏向させることにより、オフセットの寸法を
繰り入れるようにしている。In the present invention, the shaping deflector 34 is installed on the lower surface side of the lowermost aperture 25 at a position avoiding the opening 25a.
By deflecting the electron beam 7 in any direction of the outer sides 7 1 , 7 2 , 7 3 , 7 4 of the sides, the offset dimension is incorporated.
【００３１】したがって、図３（ｄ）に示すように本発
明では、電子ビーム７の対向する外郭辺７2，７4（又は
７1，７3）の２辺側にオフセットを繰り入れることが可
能となり、描画中心位置が移動してしまうことがない。
そのため、メモリ等のデバイスパターンでオフセットを
繰り入れて描画する場合においても、常に描画位置が一
定となり、描画マージンの低下を小さく抑えることがで
き、オフセットを繰り入れることによる重ね合わせ精度
の低下を低減することができる。Therefore, as shown in FIG. 3 (d), in the present invention, it is possible to offset the two sides of the opposite outer sides 7 2 , 7 4 (or 7 1 , 7 3 ) of the electron beam 7. Thus, the drawing center position does not move.
Therefore, even in the case of drawing by offsetting with a device pattern such as a memory, the drawing position is always constant, and a decrease in the drawing margin can be suppressed to a small extent, and a decrease in overlay accuracy due to the offset is reduced. Can be.
【００３２】図３に本発明における効果を説明する。図
３（ａ）は、ラインパターンを描画したときの実際のパ
ターンの図を示している。従来の電子線露光方法では、
ビームのコーナー形状に丸みがあり（（ｃ）の下段）、
パターンの接続部においてショットずれの許容範囲が狭
く、描画不良の原因となってしまう。一方、本発明で
は、電子ビームのコーナー形状が良好な直角であるため
（（ｃ）の上段）、描画不良を低減することが可能であ
る。FIG. 3 illustrates the effect of the present invention. FIG. 3A shows a diagram of an actual pattern when a line pattern is drawn. In the conventional electron beam exposure method,
The corner shape of the beam is round (lower part of (c)),
The allowable range of the shot shift is narrow at the connection portion of the pattern, which causes a drawing failure. On the other hand, in the present invention, since the corner shape of the electron beam is a good right angle (the upper part of (c)), it is possible to reduce drawing defects.
【００３３】（ｂ）は、ビームサイズのリニアリティを
示した図である。従来法ではビームサイズを小さくする
と、図６に示すようにコーナー形状が顕著に影響するた
め、リニアリティが悪い。本発明においてはビームサイ
ズを小さくしても良好な描画が可能である。また、
（ｃ）では、アパーチャの最下段に成形偏向器を配置す
ることで、どの矩形ビームの辺においても、オフセット
を乗せられる。そのため、デバイスパターンを描画する
場合、パターンのバランスを崩すことなく描画すること
が可能である。FIG. 4B is a diagram showing the linearity of the beam size. In the conventional method, when the beam size is reduced, the corner shape is significantly affected as shown in FIG. In the present invention, good writing is possible even if the beam size is reduced. Also,
In (c), by arranging the shaping deflector at the lowest stage of the aperture, an offset can be applied to any rectangular beam side. Therefore, when drawing a device pattern, it is possible to draw without breaking the balance of the pattern.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
パーチャの開口コーナー部の形状が電子ビームの形状に
悪影響を及ぼすことはなく、電子ビーム形状の劣化の原
因を消失させて描画精度を向上させることができる。As described above, according to the present invention, the shape of the opening corner of the aperture does not adversely affect the shape of the electron beam. Can be improved.
【００３５】さらに、成形された電子ビームの寸法に成
形偏向器を用いてオフセット寸法を繰り入れるため、描
画位置が移動することを防止して、重ね合わせ精度を向
上させることができる。Further, since the offset dimension is added to the dimension of the shaped electron beam by using a shaping deflector, it is possible to prevent the drawing position from moving and improve the overlay accuracy.
【図１】本発明の一実施形態を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明における電子ビームの整形過程を示す図
である。FIG. 2 is a diagram illustrating a process of shaping an electron beam according to the present invention.
【図３】本発明における効果を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an effect in the present invention.
【図４】従来例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a conventional example.
【図５】従来例の問題点を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a problem of a conventional example.
【図６】従来例の問題点を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a problem of a conventional example.
４ 位置偏向器 ２１ ビーム整形部 ２２，２３，２４，２５ アパーチャ ２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ アパーチャの開口 ３１，３２，３３ 補助成形偏向器 ３４ 成形偏向器 4 Position Deflector 21 Beam Shaping Unit 22, 23, 24, 25 Aperture 22a, 23a, 24a, 25a Aperture Opening 31, 32, 33 Auxiliary Shaping Deflector 34 Shaping Deflector
Claims (3)
電子線露光装置であって、 ビーム整形部は、電子銃から出射された電子ビームを整
形するものであって、電子ビームの外形をなす辺とアパ
ーチャ開口の開口辺とを交差させて電子ビームをアパー
チャの開口に偏向させて照射し、ビームを整形するもの
であり、 位置偏向器は、ビーム整形部で整形された電子ビームを
ウェハの任意位置に向けて偏向するものであることを特
徴とする電子線露光装置。1. An electron beam exposure apparatus having a beam shaping unit and a position deflector, wherein the beam shaping unit shapes an electron beam emitted from an electron gun, and adjusts an outer shape of the electron beam. The electron beam is shaped by deflecting and irradiating the electron beam to the aperture opening by crossing the side of the aperture and the opening side of the aperture opening.The position deflector converts the electron beam shaped by the beam shaping unit into a wafer. An electron beam exposure apparatus which deflects the light toward an arbitrary position.
ャと、補助成形偏向器とを有し、 対をなすアパーチャは、電子ビームを通過させる開口を
有するものであり、 補助成形偏向器は、対をなす一方のアパーチャを通過し
た電子ビームの対をなす他方のアパーチャの開口に対す
る照射位置を偏向するものであることを特徴とする請求
項１に記載の電子線露光装置。2. The beam shaping unit has a pair of apertures and an auxiliary shaping deflector, wherein the pair of apertures has an opening through which an electron beam passes. 2. The electron beam exposure apparatus according to claim 1, wherein an irradiation position of an electron beam having passed through one of the paired apertures with respect to an opening of the other of the paired apertures is deflected.
ームのビーム寸法にオフセットを繰り入れるものである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子線露光装
置。3. The shaping deflector having a shaping deflector, wherein the shaping deflector introduces an offset into a beam size of the electron beam shaped by the beam shaping unit. Electron beam exposure equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9057705A JPH10256125A (en) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Electron beam exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9057705A JPH10256125A (en) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Electron beam exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256125A true JPH10256125A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=13063368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9057705A Pending JPH10256125A (en) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Electron beam exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256125A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524864A (en) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | ヴィステック・リソグラフィー・リミテッド | Dual mode electron beam column |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP9057705A patent/JPH10256125A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524864A (en) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | ヴィステック・リソグラフィー・リミテッド | Dual mode electron beam column |
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