JPH10255693A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- JPH10255693A JPH10255693A JP9078983A JP7898397A JPH10255693A JP H10255693 A JPH10255693 A JP H10255693A JP 9078983 A JP9078983 A JP 9078983A JP 7898397 A JP7898397 A JP 7898397A JP H10255693 A JPH10255693 A JP H10255693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- panel
- ruthenium oxide
- ray tube
- oxide fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反射
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長546nmにおいて、肉厚10.1
6mmでの透過率が80%のパネルガラス(屈折率1.
536)10の外表面側には、酸化ルテニウム微粒子を
含み、透過率が60%で、150nmの薄膜を有する第
1の薄膜(屈折率1.75)11が形成され、その上に
100nmの薄膜を有するSiO2膜(屈折率1.4
6)12が形成されている。
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長546nmにおいて、肉厚10.1
6mmでの透過率が80%のパネルガラス(屈折率1.
536)10の外表面側には、酸化ルテニウム微粒子を
含み、透過率が60%で、150nmの薄膜を有する第
1の薄膜(屈折率1.75)11が形成され、その上に
100nmの薄膜を有するSiO2膜(屈折率1.4
6)12が形成されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽性、
反射防止性を有し、輝度とコンスラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
反射防止性を有し、輝度とコンスラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
【0003】また陰極線管は、ネック管内に装着した電
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞がある。
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞がある。
【0004】そこで従来よりパネルガラスの外表面に導
電性を有する酸化錫(SnO2 )等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
電性を有する酸化錫(SnO2 )等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
【0005】ただしSnO2 膜は、屈折率が2.0であ
り、パネルガラスの屈折率(1.536)に比べて高い
ため、パネルガラス上にSnO2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
り、パネルガラスの屈折率(1.536)に比べて高い
ため、パネルガラス上にSnO2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
【0006】表面反射を抑えるためには、パネルガラス
上にSnO2 膜を形成した後、その上にSnO2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にCVD法によりSnO2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりSiO
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
上にSnO2 膜を形成した後、その上にSnO2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にCVD法によりSnO2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりSiO
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うにSnO2 膜とSiO2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、SnO2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、SnO2 膜の厚みが20〜40nmと
薄く、その表面抵抗値(正方形当たりの抵抗値)が1×
106 Ω/□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
うにSnO2 膜とSiO2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、SnO2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、SnO2 膜の厚みが20〜40nmと
薄く、その表面抵抗値(正方形当たりの抵抗値)が1×
106 Ω/□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
【0008】本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、外表面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜が
形成されてなり、薄膜の膜厚が50nm以上、透過率が
90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以下であること
を特徴とする。
ルは、外表面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜が
形成されてなり、薄膜の膜厚が50nm以上、透過率が
90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以下であること
を特徴とする。
【0010】また本発明の陰極線管用パネルは、外表面
側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜が形成さ
れ、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜が
形成されてなり、第1の薄膜の膜厚が50nm以上、透
過率が90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以下であ
ることを特徴とする。
側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜が形成さ
れ、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜が
形成されてなり、第1の薄膜の膜厚が50nm以上、透
過率が90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以下であ
ることを特徴とする。
【0011】さらに本発明の陰極線管用パネルは、外表
面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜が形成
され、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜
が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第3の
薄膜が形成されてなり、第1の薄膜の膜厚が50nm以
上、透過率が90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以
下であることを特徴とする。
面側に、酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜が形成
され、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜
が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第3の
薄膜が形成されてなり、第1の薄膜の膜厚が50nm以
上、透過率が90%以下、表面抵抗値が104 Ω/□以
下であることを特徴とする。
【0012】また本発明の陰極線管用パネルは、酸化ル
テニウム微粒子を含む薄膜(第1の薄膜)には、重量比
でSiO2 /RuO2 が1/10未満となるようにシリ
ケートが混合されてなることを特徴とし、さらにパネル
ガラスとして、波長546nmにおいて、肉厚10.1
6mmでの透過率が60%以上のガラスが用いられてな
ることを特徴とする。
テニウム微粒子を含む薄膜(第1の薄膜)には、重量比
でSiO2 /RuO2 が1/10未満となるようにシリ
ケートが混合されてなることを特徴とし、さらにパネル
ガラスとして、波長546nmにおいて、肉厚10.1
6mmでの透過率が60%以上のガラスが用いられてな
ることを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明において使用する酸化ルテニウム(Ru
O2 )の微粒子は、高導電性酸化微粒子であり、これを
含む薄膜(第1の薄膜)は、導電膜として作用する。
O2 )の微粒子は、高導電性酸化微粒子であり、これを
含む薄膜(第1の薄膜)は、導電膜として作用する。
【0014】この酸化ルテニウム微粒子は黒体であり、
可視光を吸収する作用を有しているため、第1の薄膜の
透過光量は少なくなる。
可視光を吸収する作用を有しているため、第1の薄膜の
透過光量は少なくなる。
【0015】陰極線管用パネルの透過光量は、画像を写
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
【0016】従って酸化ルテニウム微粒子の含有量と、
パネルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、
様々な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
パネルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、
様々な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝
度とコントラストを調整することが可能となる。
【0017】ところで陰極線管用パネルガラスの肉厚
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長546nmにおいて、肉厚10.
16mmでの透過率が60%以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第1の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長546nmにおいて、肉厚10.
16mmでの透過率が60%以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第1の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
【0018】本発明において第1の薄膜の透過率が90
%以下となるように酸化ルテニウム微粒子を含有させ、
且つ、その膜厚を50nm以上にすると、その表面抵抗
値は104 Ω/□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得
られる。ただし第1の薄膜中の酸化ルテニウム微粒子の
含有量を増加させ、その透過率が50%以下になると、
陰極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため好まし
くない。
%以下となるように酸化ルテニウム微粒子を含有させ、
且つ、その膜厚を50nm以上にすると、その表面抵抗
値は104 Ω/□以下となり、優れた電磁波遮蔽性が得
られる。ただし第1の薄膜中の酸化ルテニウム微粒子の
含有量を増加させ、その透過率が50%以下になると、
陰極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため好まし
くない。
【0019】パネルガラスの外表面側に第1の薄膜を形
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に酸化ルテ
ニウム微粒子を均一に分散させた溶剤をパネルガラスに
塗布した後、所定温度で焼成する方法が採られる。酸化
ルテニウム微粒子の平均粒径は、50nm以下が適当で
ある。
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に酸化ルテ
ニウム微粒子を均一に分散させた溶剤をパネルガラスに
塗布した後、所定温度で焼成する方法が採られる。酸化
ルテニウム微粒子の平均粒径は、50nm以下が適当で
ある。
【0020】さらに本発明においては、酸化ルテニウム
微粒子と共に、シリケートを添加させることによって、
膜強度を向上させることが可能である。しかしながらシ
リケートの添加量が多くなるほど、表面抵抗値が高くな
るため、重量比でSiO2 /RuO2 が1/10未満と
なるようにすることが好ましい。
微粒子と共に、シリケートを添加させることによって、
膜強度を向上させることが可能である。しかしながらシ
リケートの添加量が多くなるほど、表面抵抗値が高くな
るため、重量比でSiO2 /RuO2 が1/10未満と
なるようにすることが好ましい。
【0021】本発明においてパネルガラス上に有機溶剤
中に酸化ルテニウムの微粒子を分散させた溶剤を塗布す
る方法としては、スピンコート法、ディップコート法、
スプレー法等が採用できるが、均一な膜厚を得るために
は、スピンコート法が最も適している。
中に酸化ルテニウムの微粒子を分散させた溶剤を塗布す
る方法としては、スピンコート法、ディップコート法、
スプレー法等が採用できるが、均一な膜厚を得るために
は、スピンコート法が最も適している。
【0022】また酸化ルテニウムの微粒子を含む第1の
薄膜の屈折率は1.6〜1.8であり、パネルガラスの
屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくなり、画像
が見づらくなる。そのため第1の薄膜の上に、第1の薄
膜より屈折率の低い第2の薄膜(反射防止膜)を形成す
ることによって、表面反射を抑えることが望ましい。
薄膜の屈折率は1.6〜1.8であり、パネルガラスの
屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくなり、画像
が見づらくなる。そのため第1の薄膜の上に、第1の薄
膜より屈折率の低い第2の薄膜(反射防止膜)を形成す
ることによって、表面反射を抑えることが望ましい。
【0023】この第2の薄膜の構成材料としては、第1
の薄膜より屈折率の低いSiO2 、MgF2 、CaF
2 、Al2 O3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、SiO2 (屈折率1.46)が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
の薄膜より屈折率の低いSiO2 、MgF2 、CaF
2 、Al2 O3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、SiO2 (屈折率1.46)が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
【0024】さらにこの第2の薄膜上に、微細な凹凸を
有する第3の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第3の薄膜
としては、Siアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するSiO2 膜を形成したもの
が好適である。
有する第3の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第3の薄膜
としては、Siアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するSiO2 膜を形成したもの
が好適である。
【0025】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例及
び比較例に基づいて詳細に説明する。
び比較例に基づいて詳細に説明する。
【0026】(実施例1)図1は、本発明の陰極線管用
パネルの概略縦断面図である。
パネルの概略縦断面図である。
【0027】図中、波長546nmにおいて、肉厚1
0.16mmでの透過率が80%のパネルガラス(屈折
率1.536)10の外表面側には、酸化ルテニウム微
粒子を含み、透過率が60%で、150nmの膜厚を有
する第1の薄膜(屈折率1.75)11が形成され、そ
の上に100nmの膜厚を有するSiO2 膜(屈折率
1.46)12が形成されている。
0.16mmでの透過率が80%のパネルガラス(屈折
率1.536)10の外表面側には、酸化ルテニウム微
粒子を含み、透過率が60%で、150nmの膜厚を有
する第1の薄膜(屈折率1.75)11が形成され、そ
の上に100nmの膜厚を有するSiO2 膜(屈折率
1.46)12が形成されている。
【0028】この陰極線管用パネルの作製方法は、次の
とおりである。
とおりである。
【0029】まずパネルガラス10を洗浄、乾燥してか
ら予熱した状態で回転させ、その上に有機溶剤中に酸化
ルテニウム微粒子とシリケートを、重量比でRuO2
20:SiO2 1の割合で分散させた溶剤を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって第1の
薄膜11を形成した。
ら予熱した状態で回転させ、その上に有機溶剤中に酸化
ルテニウム微粒子とシリケートを、重量比でRuO2
20:SiO2 1の割合で分散させた溶剤を滴下した
後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって第1の
薄膜11を形成した。
【0030】次に再度このパネルガラス10を予熱した
状態で回転させ、第1の薄膜11上に、SiO2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第2の薄膜を形成した。
状態で回転させ、第1の薄膜11上に、SiO2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第2の薄膜を形成した。
【0031】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、6×102 Ω/□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、6×102 Ω/□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【0032】(実施例2)図2は、本発明の他の陰極線
管用パネルの概略縦断面図である。
管用パネルの概略縦断面図である。
【0033】図中、パネルガラス10の外表面側には、
酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜11が形成さ
れ、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜1
2が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第3
の薄膜13が形成されている。
酸化ルテニウム微粒子を含む第1の薄膜11が形成さ
れ、その上に第1の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜1
2が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第3
の薄膜13が形成されている。
【0034】この陰極線管用パネルは、実施例1と同様
にパネルガラス10上に、第1の薄膜11と第2の薄膜
12を形成した後、さらにその上にSiO2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第3の薄膜13を形成することによって作製した。
にパネルガラス10上に、第1の薄膜11と第2の薄膜
12を形成した後、さらにその上にSiO2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第3の薄膜13を形成することによって作製した。
【0035】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、6×102 Ω/□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、6×102 Ω/□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【0036】(比較例)パネルガラスの外表面側に、C
VD法によって27nmの膜厚を有するSnO2 膜を形
成し、その上にスピンコート法によって100nmの膜
厚を有するSiO2 膜を形成することによって陰極線管
用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗値
を測定したところ、5×105 Ω/□であり、実施例
1、2に比べて高かった。
VD法によって27nmの膜厚を有するSnO2 膜を形
成し、その上にスピンコート法によって100nmの膜
厚を有するSiO2 膜を形成することによって陰極線管
用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗値
を測定したところ、5×105 Ω/□であり、実施例
1、2に比べて高かった。
【0037】また実施例1、2の陰極線管用パネルの波
長400〜700nmにおける反射率を測定したとこ
ろ、図3のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図4のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約50%であった。
長400〜700nmにおける反射率を測定したとこ
ろ、図3のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図4のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約50%であった。
【0038】尚、上記の表面抵抗値は、東亜電波株式会
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製MCPD1000 15゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
U−4000分光光度計によって測定したものである。
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製MCPD1000 15゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
U−4000分光光度計によって測定したものである。
【0039】
【発明の効果】以上のように本発明の陰極線管用パネル
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
【図1】本発明の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。
である。
【図2】本発明の他の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図3】実施例1、2の陰極線管用パネルの波長400
〜700nmにおける反射率曲線を示すグラフである。
〜700nmにおける反射率曲線を示すグラフである。
【図4】実施例1、2の陰極線管用パネルの波長400
〜700nmにおける透過率曲線を示すグラフである。
〜700nmにおける透過率曲線を示すグラフである。
10 パネルガラス 11 第1の薄膜 12 第2の薄膜 13 第3の薄膜
Claims (5)
- 【請求項1】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む薄膜が形成されてなり、薄膜の膜厚が
50nm以上、透過率が90%以下であり、表面抵抗値
が104 Ω/□以下であることを特徴とする陰極線管用
パネル。 - 【請求項2】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む第1の薄膜が形成され、その上に第1
の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜が形成されてなり、
第1の薄膜の膜厚が50nm以上、透過率が90%以下
であり、表面抵抗値が104 Ω/□以下であることを特
徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項3】 パネルガラスの外表面側に、酸化ルテニ
ウム微粒子を含む第1の薄膜が形成され、その上に第1
の薄膜より屈折率の低い第2の薄膜が形成され、さらに
その上に微細な凹凸を有する第3の薄膜が形成されてな
り、第1の薄膜の膜厚が50nm以上、透過率が90%
以下であり、表面抵抗値が104 Ω/□以下であること
を特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項4】 酸化ルテニウム微粒子を含む薄膜には、
重量比でSiO2 /RuO2 が1/10未満となるよう
にシリケートが含有されてなることを特徴とする請求項
1、2、3記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項5】 パネルガラスとして、波長546nmに
おいて、肉厚10.16mmでの透過率が60%以上の
ガラスが用いられてなることを特徴とする請求項1、
2、3、4記載の陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9078983A JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9078983A JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10255693A true JPH10255693A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13677136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9078983A Pending JPH10255693A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10255693A (ja) |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP9078983A patent/JPH10255693A/ja active Pending
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