JPH10249164A - Device for making nitrogen trifluoride harmless - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To safely and efficiently treat a gas by providing a reducing gas generating device in a reactor for making NF3 harmless and allowing the gas containing NF3 to react with the reducing gas in the presence of a catalyst. SOLUTION: This device 1 for making NF3 harmless is constituted of an introducing port 2 of the gas containing NF3 , the generating device 3 of hydrogen, which is one of the reducing gas, by electrolysis and a pure water tank 4 belonging thereto and the reactor 5 for making NF3 harmless by allowing the gas containing NF3 to react with hydrogen of the reducing gas in the presence of the catalyst having spherical or tablet like shape and composed of a metal, an oxide, a fluoride or the like of Na, K, Cs or the like. A waste gas from a device 6 such as a super-LSI etching device using NF3 is discharged from a flow passage 7, flows-in to the gas introducing port 2 with the work of a switching valve 6 in the case of necessitating to make NF3 harmless and flows-in to a flow passage 9 in the case of unnecessitating and as a result, it becomes unnecessary that a bomb or a pipe line for the reducing gas is provided in the vicinity of a semiconductor equipment and efficient and safe operation is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＦ_３の除害装置
に関する。The present invention relates to an NF ₃ abatement apparatus.

【０００２】[0002]

【従来技術】現在、地球環境に悪影響をもたらすフロン
やＣＯ_２などに対して規制が行われていることは周知で
あり、ＮＦ_３も自然界ではなかなか分解しない物質であ
る。ＮＦ_３ガスは、近年、半導体製造に於いてクリーニ
ングガスとして多量に使用されている。しかし、毒性が
あることから、排ガス中に残存するＮＦ_３を除去する必
要がある。2. Description of the Related Art At present, it is well known that restrictions are imposed on chlorofluorocarbons and CO ₂ which have a bad influence on the global environment, and NF ₃ is also a substance which is not easily decomposed in nature. In recent years, a large amount of NF ₃ gas has been used as a cleaning gas in semiconductor manufacturing. However, since it is toxic, it is necessary to remove NF ₃ remaining in the exhaust gas.

【０００３】上記問題を解決する方法に、高温下で活性
炭を充填したカラムにＮＦ_３を含む排ガスを通気する方
法（特開昭６２−２３７９２９号公報）が知られてい
る。しかしながら、この方法では、地球温暖化の原因の
一つとも言われるＣＦ_４を放出する結果となる。As a method for solving the above problem, there is known a method in which an exhaust gas containing NF _{3 is} passed through a column filled with activated carbon at a high temperature (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-237929). However, in this method, resulting in the release of CF _4, also referred to as one of the causes of global warming.

【０００４】また、金属酸化物と反応させて除害する方
法（特開平３−１８１３１６号公報）も知られている
が、これも約５００℃の高温下で反応を行うことに加
え、ＮＯ _ｘを生成するという問題がある。さらに、金属
酸化物は反応によって金属フッ化物となりＮＦ_３除害能
力を失うので、定期的な金属フッ化物の取り出しと金属
酸化物の充填が必要となり、ランニングコストが高くな
るという欠点がある。[0004] Further, a method of reacting with a metal oxide to remove harm
(Japanese Patent Laid-Open No. 3-181316) is also known.
However, this also involves conducting the reaction at a high temperature of about 500 ° C.
Eh, NO _xThere is a problem that generates. In addition, metal
Oxide is converted to metal fluoride by reaction and NF₃Abatement ability
Losing power, so regular metal fluoride removal and metal
Oxide filling is required, increasing running costs
Disadvantage.

【０００５】さらに、高温下でガス状のフッ化物を生成
するような金属を充填したカラムにＮＦ_３を通気する方
法（特開昭６１−２０４０２５号公報）も知られている
が、これによって生成されるガス状のフッ化物の処理設
備が必要であり、装置が大型化する欠点がある。Further, a method is known in which NF _{3 is} passed through a column filled with a metal which generates gaseous fluoride at a high temperature (JP-A-61-204025). It requires a facility for treating gaseous fluorides, which is disadvantageous in that the apparatus becomes large.

【０００６】以上の除害方法では除害装置に充填した除
害剤の交換または補充が必要で、そのためにランニング
コストが高くなるという共通の欠点がある。これに対
し、ＮＦ_３を触媒の存在下還元性ガスと反応させて除害
する方法が知られており、触媒交換の頻度は前記除害剤
の交換頻度に比べてはるかに低いという利点がある。還
元性ガスとしては水素（特開平２−３０３５２４号公
報）あるいは炭化水素（特開平８−１３１７７４号公
報）が知られている。しかし、ＮＦ_３の主用途である半
導体製造のための設備からの排ガス除害を想定した場
合、除害設備はできる限りコンパクトなことが要請され
ており、還元ガスのための専用配管を設けたり除害装置
のそばに還元性ガスのボンベを置くことは好ましくな
い。The above-mentioned abatement method has a common drawback that the abatement agent charged in the abatement apparatus needs to be replaced or replenished, which increases the running cost. On the other hand, a method of removing NF ₃ by reacting it with a reducing gas in the presence of a catalyst is known, and has the advantage that the frequency of catalyst replacement is much lower than the frequency of replacement of the harm removing agent. . As the reducing gas, hydrogen (JP-A-2-303524) or hydrocarbon (JP-A-8-131774) is known. However, assuming the exhaust gas detoxification from equipment for semiconductor production which is the main purpose of NF _3, abatement is that a compact is requested as possible, or a dedicated pipe for the reducing gas It is not desirable to place a cylinder of reducing gas near the abatement device.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＮＦ_３を安
全、かつ効率的に処理する装置を提供することを目的と
したものである。[0008] The present invention is intended to provide an apparatus for processing a NF ₃ safe, and efficient.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来技術
の欠点を改良し工業的実施の可能な方法について鋭意検
討した結果、還元性ガス発生装置をＮＦ_３除害装置本体
の中に組み込む方法に到達し、本発明を完成したもので
ある。Means for Solving the Problems The present inventors have intensively studied a method which can improve the disadvantages of the prior art and can be implemented industrially. As a result, the reducing gas generator is installed in the NF ₃ abatement apparatus main body. The method of incorporation has been reached and the present invention has been completed.

【０００９】即ち、本発明はＮＦ_３を含むガスの導入口
と還元性ガス発生装置、およびＮＦ _３を含むガスと還元
性ガスを触媒の存在下に反応させＮＦ_３を除害するため
の反応器からなることを特徴とするＮＦ_３の除害装置に
関する。That is, the present invention relates to NF₃Gas inlet containing
And reducing gas generator, and NF ₃Containing gas and reduction
NF by reacting a reactive gas in the presence of a catalyst₃To harm
NF characterized by comprising a reactor of₃Abatement equipment
Related.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の除害装置は超ＬＳＩエッチング装置からの
排ガス、ＣＶＤクリーニングガスの排ガス、ＮＦ_３容器
からの漏洩ガスなど、ＮＦ_３を含むガスの除害に適用さ
れる。ＮＦ_３を含むガスは還元性ガス発生装置で発生し
た還元性ガスと触媒の存在下に反応し除害される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below in more detail. Abatement device of the present invention is an exhaust gas from an ultra LSI etching apparatus, the exhaust gas of CVD cleaning gas, such as leakage gases from NF ₃ container, applied to the abatement of gas containing NF _3. The gas containing NF ₃ reacts with the reducing gas generated by the reducing gas generator in the presence of the catalyst to be harmed.

【００１１】本発明の還元性ガスとは水素、アンモニ
ア、炭化水素、塩化水素等、反応によりＮＦ_３を還元・
分解することができるガスである。本発明を限定するも
のではないが、これらの還元剤とＮＦ_３との主反応は次
の式で表現される。[0011] The reducing gas of the present invention refers to a gas such as hydrogen, ammonia, hydrocarbon, hydrogen chloride or the like which reduces NF ₃ by a reaction.
It is a gas that can be decomposed. Although not limiting the invention, the main reaction between these reducing agents and NF ₃ is represented by the following formula:

【００１２】 ２ＮＦ_３ ＋ ３Ｈ_２ → Ｎ_２ ＋ ６ＨＦ ＮＦ_３ ＋ ＮＨ_３ → Ｎ_２ ＋ ３ＨＦ （（４ｍ＋ｎ）／３）ＮＦ_３＋ＣｍＨｎ→ｍＣＦ_４＋
（（４ｍ＋ｎ）／６）Ｎ _２＋ｎＨＦ ２ＮＦ_３ ＋ ６ＨＣｌ → Ｎ_２ ＋ ６ＨＦ ＋
３Ｃｌ_２ [0012] 2NF₃+ 3H₂→ N₂+ 6HF NF₃+ NH₃→ N₂ + 3HF ((4m + n) / 3) NF₃+ CmHn → mCF₄+
((4m + n) / 6) N ₂+ NHF 2NF₃+ 6 HCl → N₂+ 6HF +
3Cl₂

【００１３】なかでも水素とアンモニアは反応の主生成
物がＮ_２とＨＦのみで後処理が容易なので、好ましい還
元ガスである。反応に用いられる触媒に特に制限はない
が、例えばＮａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔ
ｃ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｏｓ等の金属、酸
化物、炭酸塩、硫酸塩、フッ化物等が挙げられる。これ
らのうち、酸化物等や炭酸塩を用いた場合にはＮＦ_３の
還元・分解反応で生成するフッ素化合物によって触媒が
フッ素化されるため、触媒性能が経時的に変化する。金
属フッ化物はフッ素化による触媒性能の経時変化がない
ので、好ましい触媒である。[0013] Since Among them hydrogen and ammonia easily only by postprocessing major product N ₂ and HF in the reaction, it is preferred reducing gas. There is no particular limitation on the catalyst used for the reaction, for example, Na, K, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba,
Al, Ga, In, Sn, Pb, Sb, Bi, Cu, Z
n, Cd, Sc, Y, La, Hf, V, Cr, Mn, T
Examples include metals such as c, Fe, Co, Ni, Zr, Pd, and Os, oxides, carbonates, sulfates, and fluorides. Among these, when an oxide or the like or a carbonate is used, the catalyst is fluorinated by a fluorine compound generated by a reduction / decomposition reaction of NF ₃ , so that the catalyst performance changes with time. Metal fluorides are preferred catalysts because they do not change over time in catalytic performance due to fluorination.

【００１４】触媒の形状は球状、タブレット状、リング
状、破砕品（不定型）等、任意の形状を用いることがで
きる。また、活性成分をアルミナ、チタニア等の担体に
担持することも本願発明の範囲に含まれる。本発明の特
徴は還元性ガスをボンベあるいは配管から得るのではな
く、除害装置の中で還元性ガスを発生させるところにあ
る。これにより還元性ガスのボンベや配管を高価な半導
体製造設備の近くに設置する必要がなくなり、安全性が
向上する。The catalyst may have any shape such as a sphere, a tablet, a ring, and a crushed product (irregular type). Supporting the active ingredient on a carrier such as alumina or titania is also included in the scope of the present invention. A feature of the present invention lies in that the reducing gas is generated in the abatement apparatus instead of obtaining the reducing gas from a cylinder or a pipe. This eliminates the need to install a reducing gas cylinder or pipe near expensive semiconductor manufacturing equipment, and improves safety.

【００１５】本発明において、水の電気分解により水素
を発生させることができる。除害装置にＮＦ_３を含むガ
スを通気するのに合わせて電気分解装置を運転し、陰極
で発生した水素をＮＦ_３の除害に利用する。陽極で発生
する酸素は窒素等で希釈、排出する。水の電気分解は既
に確立された技術であり、公知の方法が適用できる。In the present invention, hydrogen can be generated by electrolysis of water. The electrolyzer is operated in accordance with the passage of the gas containing NF ₃ into the abatement apparatus, and the hydrogen generated at the cathode is used for the abatement of NF ₃ . Oxygen generated at the anode is diluted and discharged with nitrogen or the like. Electrolysis of water is a well-established technique, and known methods can be applied.

【００１６】また、本発明においてはメタノールのスチ
ームリフォーミング反応で発生した水素をＮＦ_３の除害
に利用することもできる。メタノールのスチームリフォ
ーミング反応は１５０〜３００℃の範囲で銅、亜鉛等の
化合物を触媒として容易に進行し、 ＣＨ_３ＯＨ ＋ Ｈ_２Ｏ → ＣＯ_２ ＋ ３Ｈ_２ によって水素を生成する。生成した水素はＣＯ_２を含ん
だままでＮＦ_３と反応させても良いが、共存するＣＯ_２
とＮＦ_３との反応によってＣＦ_４、ＣＯＦ_２、ＮＯ_ｘ等
が生成するので、後処理との関係でこれらの化合物を嫌
う場合にはあらかじめＣＯ_２を水素から分離しておく。
ＣＯ_２と水素の分離には膜分離法等、公知の方法が使用
できる。Further, in the present invention, hydrogen generated by a steam reforming reaction of methanol can be used for removing NF ₃ . The steam reforming reaction of methanol easily proceeds in the range of 150 to 300 ° C. using a compound such as copper or zinc as a catalyst, and generates hydrogen by CH ₃ OH + H ₂ O → CO ₂ + 3H ₂ . Produced hydrogen may be reacted with NF ₃ while containing CO _2, but coexisting CO ₂
And NF ₃ produce CF ₄ , COF ₂ , NO _x, etc., so if these compounds are disliked due to post-treatment, CO ₂ is separated from hydrogen in advance.
A known method such as a membrane separation method can be used for separating CO ₂ and hydrogen.

【００１７】さらに、本発明においてはアンモニアの分
解反応で発生した水素をＮＦ_３の除害に利用することも
できる。アンモニアの分解反応は２００〜６００℃の範
囲でＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の貴金属触媒、あるいは
Ｂｉ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｐｂ等を含有す
る複合酸化物触媒の存在下で進行し、 ２ＮＨ_３ → Ｎ_２ ＋ ３Ｈ_２ によって水素を生成する。アンモニアそれ自体もＮＦ_３
の還元剤として使用できるが、液体アンモニアの形で保
管し、必要に応じて水素に転換してＮＦ_３の還元反応を
行うこともできる。Further, in the present invention, hydrogen generated by the decomposition reaction of ammonia can be used for removing NF ₃ . The decomposition reaction of ammonia is carried out in the range of 200 to 600 ° C. in the presence of a noble metal catalyst such as Pt, Rh, Ru, Ir, or a composite oxide catalyst containing Bi, Mo, Fe, Co, Ni, Sb, Pb, etc. Proceeds to produce hydrogen by 2NH ₃ → N ₂ + 3H ₂ . Ammonia itself is NF ₃
Although it can be used as a reducing agent for NF ₃ , it can be stored in the form of liquid ammonia, and if necessary, converted to hydrogen to perform a reduction reaction of NF ₃ .

【００１８】還元性ガスとＮＦ_３との反応温度は還元性
ガスの種類や触媒によって異なるが、通常室温から６０
０℃の範囲で適宜選択される。なかでも２００〜６００
℃、好ましくは３００〜５５０℃で反応させるのが良
い。反応温度が低すぎると工業的に許容される速度で反
応を進めることができず、反応温度が高すぎると装置の
耐熱性、耐食性に問題が生じ、設備費が高くなるので好
ましくない。The reaction temperature between the reducing gas and NF ₃ varies depending on the type of the reducing gas and the catalyst, but is usually from room temperature to 60 ° C.
It is appropriately selected within the range of 0 ° C. Above all, 200-600
C., preferably at 300 to 550.degree. If the reaction temperature is too low, the reaction cannot proceed at an industrially acceptable rate, and if the reaction temperature is too high, problems arise in the heat resistance and corrosion resistance of the apparatus, and equipment costs increase, which is not preferable.

【００１９】還元剤として水素を用いる場合、添加され
る水素のＮＦ_３に対するモル比は１．５〜１０、好まし
くは１．５〜３である。モル比が１．５未満ではＮＦ_３
の分解率が低くなり好ましくない。また、モル比が１０
を超えてもＮＦ_３の分解率は上昇せず、可燃性ガスであ
る水素が多量に残留し好ましくない。還元剤としてアン
モニアを用いる場合、添加されるアンモニアの量はＮＦ
_３に対するモル比で１〜１０、好ましくは１〜４であ
る。モル比が１未満ではＮＦ_３の分解率が低くなり好ま
しくない。また、モル比が１０を超えてもＮＦ_３の分解
率は上昇せず、かえって残留アンモニアの処理対策が必
要となるので好ましくない。When hydrogen is used as the reducing agent, the molar ratio of the added hydrogen to NF ₃ is 1.5 to 10, preferably 1.5 to ₃ . If the molar ratio is less than 1.5, NF ₃
Is undesirably low. When the molar ratio is 10
Is exceeded, the decomposition rate of NF ₃ does not increase, and a large amount of hydrogen, which is a flammable gas, remains undesirably. When ammonia is used as the reducing agent, the amount of added ammonia is NF
_The molar ratio with respect to ₃ is 1 to 10, preferably 1 to 4. When the molar ratio is less than 1, the decomposition rate of NF ₃ becomes low, which is not preferable. Further, if the molar ratio exceeds 10, the decomposition rate of NF ₃ does not increase, and it is necessary to take measures for treating residual ammonia, which is not preferable.

【００２０】還元剤として炭化水素を用いる場合、添加
される炭化水素の量はＮＦ_３との反応の量論比からその
１０倍の範囲である。還元剤として塩化水素を用いる場
合、添加される塩化水素の量はＮＦ_３に対するモル比で
３〜３０、好ましくは３〜１０である。還元性ガスの種
類によらず反応は大きな発熱反応なので、ＮＦ_３をあら
かじめ窒素等のガスで希釈しておくことが望ましい。希
釈後のＮＦ_３濃度は０．１〜１０容量％、好ましくは
０．５〜３容量％が好適である。反応の空間速度は１０
０〜１００，０００ｈｒ^−１、好ましくは１，０００〜
５０、０００ｈｒ^−１である。When a hydrocarbon is used as the reducing agent, the amount of the added hydrocarbon is in the range of 10 times the stoichiometric ratio of the reaction with NF ₃ . When hydrogen chloride is used as the reducing agent, the amount of hydrogen chloride to be added is ₃ to 30, preferably 3 to 10, in terms of a molar ratio to NF3. Since the reaction is a large exothermic reaction regardless of the type of reducing gas, it is desirable to dilute NF ₃ in advance with a gas such as nitrogen. NF ₃ concentration after dilution is from 0.1 to 10% by volume, preferably suitably 0.5-3% by volume. Space velocity of reaction is 10
0 to 100,000 hr ^-1 , preferably 1,000 to
50,000 hr ^-1 .

【００２１】ＮＦ_３と還元性ガスとの反応により、フッ
化水素が生成する。このフッ化水素はアルカリ土類酸化
物やソーダライムのような塩基性酸化物で容易に吸着除
去することができる。これらの吸着剤は安価であり、結
果としてＮＦ_３除害プロセスのランニングコストが低減
される。The reaction between NF ₃ and the reducing gas produces hydrogen fluoride. This hydrogen fluoride can be easily adsorbed and removed by a basic oxide such as an alkaline earth oxide or soda lime. These adsorbents are inexpensive and result in reduced running costs for the NF ₃ abatement process.

【００２２】あるいは、フッ化水素をアルカリ性水溶液
で洗浄して除去することもできる。半導体製造プロセス
排ガスの処理ラインにはスクラバーが設置されているこ
とが多く、その場合には既設スクラバーを利用してフッ
化水素を除去するのが有利である。Alternatively, the hydrogen fluoride can be removed by washing with an alkaline aqueous solution. In many cases, a scrubber is installed in a treatment line for exhaust gas from a semiconductor manufacturing process, and in that case, it is advantageous to remove hydrogen fluoride using an existing scrubber.

【００２３】本発明における装置の例を図１に示す。Ｎ
Ｆ_３除害装置１はＮＦ_３を含むガスの導入口２、電気分
解による水素発生装置３、水素発生装置３に付随する純
水タンク４、およびＮＦ_３を含むガスと水素を触媒の存
在下に反応させてＮＦ_３を除害するための反応器５から
構成される。超ＬＳＩエッチング装置等のＮＦ_３を使用
する装置６からの排ガスは流路７より排出され、切替バ
ルブ８によりＮＦ_３の除害が必要な場合にはＮＦ_３除害
装置のガス導入口２へ、必要でない場合には流路９へと
流される。FIG. 1 shows an example of the apparatus according to the present invention. N
The F ₃ abatement apparatus 1 includes an inlet 2 for a gas containing NF ₃ , a hydrogen generator 3 by electrolysis, a pure water tank 4 attached to the hydrogen generator 3, and a gas and hydrogen containing NF ₃ in the presence of a catalyst. And a reactor 5 for removing NF ₃ by reacting with NF ₃ . Exhaust gas from the device 6 that uses the NF ₃ an ultra LSI etching apparatus is discharged from the flow path 7, in the case abatement of NF ₃ is required by the switching valve 8 to the gas inlet 2 of the NF ₃ abatement device If it is not necessary, it flows to the flow path 9.

【００２４】水素発生装置３では純水タンク４から流路
１０を経由して供給される純水を電気分解して水素と酸
素を発生させる。酸素は有効利用あるいは廃棄のため、
流路１１を経てＮＦ_３除害装置１から排出される。水素
は流路１２を通り、途中でガス導入口２から入ってくる
ＮＦ_３含有排ガスと混合され、流路１３を経て反応器５
に供給される。反応器５ではＮＦ_３と水素が反応してフ
ッ化水素と窒素が生成する。フッ化水素を含むガスは次
工程での吸着、ないし吸収処理のため、流路１４を経て
排出される。The hydrogen generator 3 generates hydrogen and oxygen by electrolyzing pure water supplied from the pure water tank 4 via the flow path 10. Oxygen for effective use or disposal
It is discharged from the NF ₃ abatement apparatus 1 through the flow path 11. The hydrogen passes through the flow path 12, is mixed with the NF ₃ -containing exhaust gas entering from the gas inlet 2 on the way, and passes through the flow path 13 into the reactor 5.
Supplied to In the reactor 5, NF ₃ reacts with hydrogen to produce hydrogen fluoride and nitrogen. The gas containing hydrogen fluoride is discharged through the flow path 14 for adsorption or absorption in the next step.

【００２５】[0025]

【発明の効果】本発明のＮＦ_３除害設備を用いることに
より、還元性ガスのボンベや配管を高価な半導体製造設
備等の近くに設置する必要がなくなり、除害設備設置に
伴う付帯工事が減ると共に、安全性が向上する。By using the NF ₃ abatement equipment of the present invention, it is not necessary to install reducing gas cylinders and pipes near expensive semiconductor manufacturing equipment and the like. At the same time, safety is improved.

【００２６】[0026]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の除害装置の一例を示す構成図FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of an abatement apparatus of the present invention.

【符号の説明】 １ ＮＦ_３除害装置 ２ ＮＦ_３を含むガスの導入口 ３ 水素発生装置 ４ 純水タンク ５ 反応器 ６ ＬＳＩエッチング装置等のＮＦ_３を使用する装置 ７ 流路 ８ 切替バルブ ９ 流路 １０ 流路 １１ 流路 １２ 流路 １３ 流路 １４ 流路[Description of Signs] 1 NF ₃ abatement device 2 Inlet for gas containing NF ₃ 3 Hydrogen generator 4 Pure water tank 5 Reactor 6 Device using NF ₃ such as LSI etching device 7 Flow path 8 Switching valve 9 Channel 10 Channel 11 Channel 12 Channel 13 Channel 14 Channel

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ＮＦ_３を含むガスの導入口と還元性ガ
ス発生装置、およびＮＦ_３を含むガスと還元性ガスを触
媒の存在下に反応させＮＦ_３を除害するための反応器か
らなることを特徴とするＮＦ_３の除害装置。1. An inlet for a gas containing NF ₃ and a reducing gas generator, and a reactor for removing the NF ₃ by reacting the gas containing NF ₃ and the reducing gas in the presence of a catalyst. An NF ₃ abatement apparatus characterized by the above-mentioned. 【請求項２】 還元性ガスが水素である請求項１記載
のＮＦ_３の除害装置。2. The NF ₃ abatement apparatus according to claim 1, wherein the reducing gas is hydrogen. 【請求項３】 還元性ガス発生装置が水の電気分解装
置である請求項１記載のＮＦ_３の除害装置。 _3. The NF ₃ abatement apparatus according to claim 1, wherein the reducing gas generator is an electrolyzer for water. 【請求項４】 還元性ガス発生装置がメタノールのス
チームリフォーミング反応器と水素分離装置からなる請
求項１記載のＮＦ_３の除害装置。4. The NF ₃ abatement apparatus according to claim 1, wherein the reducing gas generator comprises a methanol steam reforming reactor and a hydrogen separator. 【請求項５】 還元性ガス発生装置がアンモニアの分
解反応器である請求項１記載のＮＦ_３の除害装置。5. The NF ₃ abatement apparatus according to claim 1, wherein the reducing gas generator is an ammonia decomposition reactor.