JPH10247645A - Semiconductor manufacturing method and device - Google Patents
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- JPH10247645A JPH10247645A JP5008197A JP5008197A JPH10247645A JP H10247645 A JPH10247645 A JP H10247645A JP 5008197 A JP5008197 A JP 5008197A JP 5008197 A JP5008197 A JP 5008197A JP H10247645 A JPH10247645 A JP H10247645A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板を所定
の速度で搬送させると共に被処理基板の表面に対してス
リット状のガス吹き出し口からガスを吹き付けて被処理
基板の表面処理を行う半導体製造方法および半導体製造
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor for transferring a substrate to be processed at a predetermined speed and spraying a gas from a slit-shaped gas outlet to a surface of the substrate to perform a surface treatment on the substrate. The present invention relates to a manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体メモリ等の半導体装置の製造工程
の一つとして基板上に薄膜を形成する成膜工程がある。
この薄膜の成膜方法としては、例えばＣＶＤ（Chemical
VaporDeposition : 化学的気相成長）法が利用されて
いる。ＣＶＤ法を応用した装置としては、常圧ＣＶＤ装
置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等があるが、
特に、常圧ＣＶＤ装置では、容易かつ高速に成膜を行う
ことができ、生産性に優れているため、半導体製造の量
産機等に数多く採用されている。2. Description of the Related Art As one of manufacturing processes of a semiconductor device such as a semiconductor memory, there is a film forming process of forming a thin film on a substrate.
As a method of forming this thin film, for example, CVD (Chemical
VaporDeposition (chemical vapor deposition) is used. As a device to which the CVD method is applied, there are a normal pressure CVD device, a reduced pressure CVD device, a plasma CVD device, and the like.
In particular, a normal pressure CVD apparatus can be easily and rapidly formed into a film, and has excellent productivity. Therefore, it is widely used in mass-production machines for manufacturing semiconductors.
【０００３】ところで、この常圧ＣＶＤ装置は、一般
に、被処理基板（半導体ウェハ）を所定の速度で搬送さ
せる搬送手段としてのベルトと、被処理基板を加熱する
ヒータと、ベルトにより搬送される被処理基板の表面に
ガスを吹き付けるガス吹き出し手段としてのインジェク
タ（ノズル）とを備えている。このインジェクタは装置
内に支持固定されており、そのガス吹き出し口はガスの
吹き出し圧力を大きくするためにスリット状に形成さ
れ、ベルト上の被処理基板と対向するようになってい
る。[0003] In general, the normal pressure CVD apparatus generally includes a belt as a conveying means for conveying a substrate to be processed (semiconductor wafer) at a predetermined speed, a heater for heating the substrate to be processed, and a substrate to be conveyed by the belt. An injector (nozzle) as a gas blowing means for blowing a gas onto the surface of the processing substrate is provided. The injector is supported and fixed in the apparatus, and a gas outlet thereof is formed in a slit shape to increase a gas blowing pressure, and is opposed to a substrate to be processed on a belt.
【０００４】この常圧ＣＶＤ装置では、被処理基板はベ
ルトによって搬送されると共にベルトを介してヒータに
より摂氏数百度に加熱される。この被処理基板がインジ
ェクタに対向する位置を通過するとき、その表面に対し
てインジェクタのガス吹き出し口から成膜原料ガスが吹
き付けられる。加熱された被処理基板の表面に吹き付け
られた成膜原料ガスは、化学反応を起こし、所望の反応
生成物を生成する。その反応生成物が被処理基板の表面
上で成長することにより成膜が行われる。In this atmospheric pressure CVD apparatus, a substrate to be processed is conveyed by a belt and heated to several hundred degrees Celsius by a heater via the belt. When the substrate to be processed passes through a position facing the injector, a film-forming source gas is blown from the gas outlet of the injector to the surface thereof. The film-forming source gas blown onto the heated surface of the substrate to be processed causes a chemical reaction to generate a desired reaction product. The film is formed by the reaction product growing on the surface of the substrate to be processed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
常圧ＣＶＤ装置では、搬送中の被処理基板に対して成膜
原料ガスを吹き付けるためのインジェクタが、装置内で
支持固定されているため、ガス吹き出し口から吹き出す
成膜原料ガスは、成膜中、常に一定の位置から吹き出し
ていた。そのため、常圧において粘性流となるガスの流
れは、成膜原料ガスの種類、ガス吹き出し口の寸法、更
に被処理基板の寸法等の条件に影響されやすく、被処理
基板上に成膜原料ガスを均一に吹き付けることが困難で
あった。すなわち、従来の常圧ＣＶＤ装置においては、
基板周辺部の膜厚が極端に厚くなる等、膜厚分布の均一
性が悪いといった問題があり、均一性の良い成膜の実現
が困難であった。However, in a conventional atmospheric pressure CVD apparatus, an injector for spraying a film-forming material gas to a substrate to be processed being conveyed is supported and fixed in the apparatus. The film-forming raw material gas blown out from the blow-out port always blows out from a fixed position during film formation. Therefore, the flow of a gas that becomes a viscous flow at normal pressure is easily affected by conditions such as the type of the film forming material gas, the size of the gas outlet, and the size of the substrate to be processed. Was difficult to spray uniformly. That is, in the conventional atmospheric pressure CVD apparatus,
There is a problem that the uniformity of the film thickness distribution is poor, for example, the film thickness at the peripheral portion of the substrate becomes extremely large, and it has been difficult to realize a film with good uniformity.
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、被処理基板の表面に対してガスを均
一に吹き付けて、均一性の良い表面処理を行うことを可
能とした生産性に優れた半導体製造方法および半導体製
造装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to produce a gas which is capable of uniformly spraying a gas onto the surface of a substrate to be processed to perform a uniform surface treatment. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing method and a semiconductor manufacturing apparatus having excellent performance.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
方法は、被処理基板を搬送手段によって所定の速度で搬
送させると共に被処理基板の表面に対してスリット状の
ガス吹き出し口からガスを吹き付けて被処理基板の表面
処理を行う際に、スリット状のガス吹き出し口を回転駆
動させながら被処理基板の表面に対して均一にガスを吹
き付けるものである。In a semiconductor manufacturing method according to the present invention, a substrate to be processed is conveyed at a predetermined speed by a conveying means, and gas is blown from a slit-shaped gas outlet to the surface of the substrate to be processed. When the surface treatment of the substrate to be processed is performed, the gas is uniformly blown to the surface of the substrate to be processed while the slit-shaped gas outlet is rotationally driven.
【０００８】本発明に係る半導体製造装置は、被処理基
板を所定の速度で搬送させる搬送手段と、スリット状の
ガス吹き出し口およびこのガス吹き出し口を回転駆動さ
せる機構を有し、搬送手段により搬送される被処理基板
の表面に対して均一にガスを吹き付けるガス吹き出し手
段とを備えている。A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has a transport means for transporting a substrate to be processed at a predetermined speed, a slit-shaped gas outlet and a mechanism for rotating the gas outlet, and the transport means transfers the substrate. Gas blowing means for uniformly blowing gas to the surface of the substrate to be processed.
【０００９】本発明に係る半導体製造方法では、スリッ
ト状のガス吹き出し口が回転駆動しながら被処理基板の
表面に対してガスを吹き付ける。これにより被処理基板
の表面全面にわたって均一な処理がなされる。In the method of manufacturing a semiconductor according to the present invention, the gas is blown onto the surface of the substrate to be processed while the slit-shaped gas blowing port is rotationally driven. Thus, uniform processing is performed over the entire surface of the substrate to be processed.
【００１０】本発明に係る半導体製造装置では、被処理
基板は搬送手段により所定の速度で搬送される。搬送さ
れる被処理基板の表面に対して、スリット状のガス吹き
出し口が回転駆動しながら均一にガスを吹き付ける。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the substrate to be processed is carried at a predetermined speed by the carrying means. The slit-shaped gas outlet blows gas uniformly to the surface of the substrate to be conveyed while rotating.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。なお、本発明の半導体製造
方法については以下の常圧ＣＶＤ装置の作用に具現化さ
れているのでその中で合わせて説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Since the semiconductor manufacturing method of the present invention is embodied in the operation of the normal pressure CVD apparatus described below, it will be described together therewith.
【００１２】図１は本発明の一実施の形態に係る半導体
製造装置例えば常圧ＣＶＤ装置の外観構成を表すもので
ある。この常圧ＣＶＤ装置は、例えば６〜８インチ程度
のシリコン等の被処理基板（半導体ウェハ）１の表面に
例えば絶縁膜を形成するものであり、被処理基板１を載
せて所定の速度で搬送させる搬送手段としてのベルト３
と、このベルト３を介して被処理基板１を加熱するため
のヒータ４と、ベルト３により搬送される被処理基板１
と対向する位置に配設されたガス吹き出し手段としての
インジェクタ５と、このインジェクタ５を覆うように設
置され、成膜時に生じる残留ガスを排気するための排気
具６とを備えている。ベルト３の搬送速度は調整可能で
あり、例えば一分間に被処理基板１の直径寸法（例えば
８インチ）と同じ程度の距離を搬送させるよう調整され
る（例えば８インチ／分）。インジェクタ５は、ベルト
３により搬送されている被処理基板１の表面上に、成膜
原料ガスを均一に吹き付けるための機構を有する。この
インジェクタ５は、成膜レートもしくは膜の均一性を向
上させるために複数個（例えば３個）配設されている。FIG. 1 shows an external configuration of a semiconductor manufacturing apparatus, for example, a normal pressure CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. This atmospheric pressure CVD apparatus forms, for example, an insulating film on the surface of a substrate (semiconductor wafer) 1 made of silicon or the like of about 6 to 8 inches. The substrate 1 is placed and transported at a predetermined speed. Belt 3 as conveying means
A heater 4 for heating the substrate 1 to be processed via the belt 3;
An injector 5 is provided as a gas blowing means disposed at a position opposite to the above, and an exhaust device 6 is installed so as to cover the injector 5 and exhausts residual gas generated during film formation. The transport speed of the belt 3 is adjustable, and is adjusted, for example, so that the belt 3 is transported by a distance approximately equal to the diameter of the substrate 1 (for example, 8 inches) per minute (for example, 8 inches / minute). The injector 5 has a mechanism for uniformly spraying a film forming material gas onto the surface of the substrate 1 being conveyed by the belt 3. A plurality (for example, three) of the injectors 5 are provided in order to improve a film forming rate or film uniformity.
【００１３】図２は、図１に示した複数個のインジェク
タ５のうちの一つのインジェクタ５およびその近傍部分
の断面構成を表すものである。インジェクタ５は、複数
種のガスを混合して成膜原料ガスを放出するためのガス
混合部７と、このガス混合部７を覆い囲むステンレス等
の金属製のカバー８と、このカバー８を回転駆動させる
ためのモータ９とを備えている。カバー８の内部は空洞
で、その外観形状は円柱形をなすものである。また、カ
バー８の上面には後述するガス導入フランジ７ｃを挿入
するための円形の穴が設けられている。FIG. 2 shows a cross-sectional configuration of one of the injectors 5 shown in FIG. 1 and the vicinity thereof. The injector 5 includes a gas mixing unit 7 for mixing a plurality of types of gases to release a film forming material gas, a metal cover 8 such as stainless steel surrounding the gas mixing unit 7, and rotating the cover 8. And a motor 9 for driving. The inside of the cover 8 is hollow, and its external shape is cylindrical. In addition, a circular hole for inserting a gas introduction flange 7c described later is provided on the upper surface of the cover 8.
【００１４】ガス混合部７は、ガスを混合するための混
合部本体７ａと、この混合部本体７ａにガスを導入する
ためのガス配管７ｂと、このガス配管７ｂを混合部本体
７ａに導くためのガス導入フランジ７ｃと、混合部本体
７ａにより混合したガスを放出するために混合部本体７
ａの底面に設けられた混合ガス出口７ｄとを有する。混
合部本体７ａにはその内部に図示しないガス導入路が形
成されている。また、ガス配管７ｂはカバー８の上面に
設けられた円形の穴に取り付けられる円板型のガス導入
フランジ７ｃを貫通して混合部本体７ａに接続されてい
る。更に、このガス配管７ｂは、装置本体の可動しない
部分に支持固定され、図示しないマスフローコントロー
ラによりガス流量の制御が可能な構造になっている。ま
た、ガス導入フランジ７ｃの側面中央部には、Ｏリング
溝が周状に設けられている。このＯリング溝にバイトン
等ゴム製のＯリング７ｅが、潤滑性グリースを塗られた
状態で装着されている。このようにＯリング７ｅが装着
されたガス導入フランジ７ｃは、カバー８の上面に設け
られた穴を密閉するように取り付けられている。すなわ
ち、Ｏリング７ｅは、カバー８の上面に設けられた円形
の穴にガス導入フランジ７ｃを挿入したときにできる隙
間を塞ぐようになっている。また、グリースを塗られて
潤滑性をもつＯリング７ｅは、モータ９によりカバー８
が回転駆動していても混合ガス出口７ｄから放出された
ガスをカバー８の上面から漏らさないように封止する構
造になっている。The gas mixing section 7 has a mixing section main body 7a for mixing gas, a gas pipe 7b for introducing gas into the mixing section main body 7a, and a gas pipe 7b for guiding the gas pipe 7b to the mixing section main body 7a. To release the gas mixed by the gas introducing flange 7c and the mixing section main body 7a.
and a mixed gas outlet 7d provided on the bottom surface of FIG. A gas introduction passage (not shown) is formed in the mixing section main body 7a. The gas pipe 7b is connected to the mixing section main body 7a through a disk-shaped gas introduction flange 7c attached to a circular hole provided on the upper surface of the cover 8. Further, the gas pipe 7b is supported and fixed to an immovable portion of the apparatus main body, and has a structure in which a gas flow rate can be controlled by a mass flow controller (not shown). Further, an O-ring groove is provided circumferentially at the center of the side surface of the gas introduction flange 7c. An O-ring 7e made of rubber such as Viton is mounted in the O-ring groove in a state where lubricating grease is applied. The gas introduction flange 7c to which the O-ring 7e is attached is attached so as to seal a hole provided on the upper surface of the cover 8. That is, the O-ring 7e closes a gap formed when the gas introduction flange 7c is inserted into a circular hole provided on the upper surface of the cover 8. The O-ring 7e, which is coated with grease and has lubricity, is covered with a cover 8 by a motor 9.
Is sealed so that the gas released from the mixed gas outlet 7d does not leak from the upper surface of the cover 8 even if the rotary drive is performed.
【００１５】カバー８の上面にはその外周に沿って、内
周面に歯面を有する円周歯車８ａが取り付けられてい
る。一方、カバー８の底面には図３に示したように任意
の直径方向に開口されたスリット形状のガス吹き出し口
８ｂが形成されている。このガス吹き出し口８ｂは成膜
原料ガスを被処理基板１に吹き付けるようベルト３に対
向する位置に設けらている。ガス吹き出し口８ｂとベル
ト３との距離は、例えば１０ｍｍ以下になるよう調整さ
れている。吹き出すガスの圧力は、ガス吹き出し口８ｂ
の寸法によって調整可能な構造になっている。A circumferential gear 8a having a tooth surface on the inner peripheral surface is attached to the upper surface of the cover 8 along the outer periphery. On the other hand, on the bottom surface of the cover 8, as shown in FIG. 3, a slit-shaped gas outlet 8b opened in an arbitrary diameter direction is formed. The gas outlet 8 b is provided at a position facing the belt 3 so as to blow the film forming material gas onto the substrate 1. The distance between the gas outlet 8b and the belt 3 is adjusted to be, for example, 10 mm or less. The pressure of the gas to be blown is
The structure is adjustable by the size of
【００１６】カバー８を回転駆動させるためのモータ９
は、装置本体の可動しない部分に支持固定されている。
モータ９の回転軸には歯車９ａが取り付けられている。
この歯車９ａがカバー８の円周歯車８ａと噛み合ってお
り、歯車９ａの回転駆動に伴ってカバー８がその中心軸
を中心にして所定の速度で回転するようになっている。
すなわち、このカバー８に設けられたガス吹き出し口８
ｂが、成膜原料ガスを吹き出しながら、ベルト３で搬送
される被処理基板１に対向した位置で回転するようにな
っている。A motor 9 for rotating the cover 8
Is supported and fixed to a non-movable portion of the apparatus main body.
A gear 9 a is attached to the rotation shaft of the motor 9.
The gear 9a meshes with the circumferential gear 8a of the cover 8, and the cover 8 rotates at a predetermined speed about its central axis with the rotation of the gear 9a.
That is, the gas outlet 8 provided in the cover 8
b rotates at a position facing the substrate 1 to be processed conveyed by the belt 3 while blowing out the film forming material gas.
【００１７】カバー８の回転速度は調整可能な構造にな
っており、例えば被処理基板１の搬送速度（８インチ／
分）に同期して１ｒｐｍに設定される。The rotation speed of the cover 8 is adjustable. For example, the transfer speed of the substrate 1 (8 inches /
Minute) and set to 1 rpm.
【００１８】次に、本実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置
の作用について説明する。この常圧ＣＶＤ装置におい
て、被処理基板１は、ベルト３によって所定の速度で搬
送される。また、被処理基板１はベルト３を介してヒー
タ４により摂氏数百度に加熱される。Next, the operation of the atmospheric pressure CVD apparatus according to this embodiment will be described. In this normal pressure CVD apparatus, the substrate 1 to be processed is transported by the belt 3 at a predetermined speed. The substrate 1 is heated to several hundred degrees Celsius by a heater 4 via a belt 3.
【００１９】ベルト３により搬送される被処理基板１に
対して複数個のインジェクタ５によって成膜原料ガスの
吹き付けが行われる。インジェクタ５では、ガス配管７
ｂおよびガス導入フランジ７ｃを介してガス混合部７に
導入された複数種のガスが混合部本体７ａで混合され
る。このときガス流量は図示しないマスフローコントロ
ーラによって正確に制御される。こうして混合された成
膜原料ガスは混合ガス出口７ｄからカバー８の内部に放
出され、ガス吹き出し口８ｂから吹き出される。その
際、モータ９の回転駆動に伴ってカバー８が所定の速度
で回転し、ガス吹き出し口８ｂは被処理基板１の搬送速
度に同期して回転しながら成膜原料ガスを被処理基板１
の表面に対して均一に吹き付ける。吹き付けられた成膜
原料ガスは、加熱された被処理基板１の表面上で、化学
反応を起こし、所望の反応生成物を生成する。その反応
生成物が被処理基板１の表面上で成長して成膜が行われ
る。A plurality of injectors 5 spray a film forming material gas onto the substrate 1 to be processed conveyed by the belt 3. In the injector 5, the gas pipe 7
A plurality of gases introduced into the gas mixing section 7 via the gas mixing flange 7c and the gas mixing flange 7c are mixed in the mixing section main body 7a. At this time, the gas flow rate is accurately controlled by a mass flow controller (not shown). The film forming source gas thus mixed is released from the mixed gas outlet 7d into the inside of the cover 8, and is blown out from the gas blowing port 8b. At this time, the cover 8 rotates at a predetermined speed in accordance with the rotation of the motor 9, and the gas outlet 8 b rotates the film-forming raw material gas while rotating in synchronization with the transport speed of the substrate 1.
Spray evenly on the surface of The sprayed film-forming source gas causes a chemical reaction on the heated surface of the target substrate 1 to generate a desired reaction product. The reaction product grows on the surface of the substrate 1 to be processed to form a film.
【００２０】成膜時に生じる残留ガスは、装置外部に漏
れないように排気具６によって図示しない除害処理装置
に排出される。The residual gas generated at the time of film formation is exhausted by an exhauster 6 to a not-shown detoxification apparatus so as not to leak outside the apparatus.
【００２１】以上説明したように、本実施の形態に係る
常圧ＣＶＤ装置および常圧ＣＶＤ方法によれば、被処理
基板１をヒータ４により加熱し、ベルト３により所定の
速度で搬送させて、スリット状のガス吹き出し口８ｂが
回転しながら成膜原料ガスを被処理基板１の表面上に対
して均一に吹き付けるようにしたので、被処理基板１へ
のガス吹き付けがガスの種類、ガス吹き出し口の寸法、
もしくは、被処理基板１の寸法等の条件に影響されにく
くなり、均一性の良い成膜を容易に実現することができ
る。As described above, according to the normal pressure CVD apparatus and the normal pressure CVD method according to the present embodiment, the substrate 1 to be processed is heated by the heater 4 and transported by the belt 3 at a predetermined speed. As the slit-shaped gas outlet 8b rotates, the film-forming raw material gas is uniformly blown onto the surface of the substrate 1 while rotating, so that the gas spraying on the substrate 1 depends on the type of gas and the gas outlet. The dimensions of the
Alternatively, the film is hardly affected by conditions such as the dimensions of the substrate 1 to be processed, and a film with good uniformity can be easily realized.
【００２２】更に、被処理基板１の搬送速度にガス吹き
出し口８ｂの回転速度を同期させてガス吹き出し口８ｂ
から成膜原料ガスを被処理基板１の表面上に吹き付ける
ようにしたので、被処理基板１へのガス吹き付けを均一
に行うことができ、より均一性の良い成膜が実現でき
る。Further, the rotation speed of the gas outlet 8b is synchronized with the transfer speed of the substrate 1 to be processed so that the gas outlet 8b
Since the film forming source gas is blown onto the surface of the substrate 1 to be processed, the gas can be sprayed uniformly on the substrate 1 to be processed, and a film with better uniformity can be realized.
【００２３】この常圧ＣＶＤ装置を用いて、８インチの
シリコン基板を約３８０℃に加熱し、層間絶縁膜等に用
いられるＰＳＧ膜（リン・シリケート・ガラス）を成膜
した結果、膜厚の面内均一性は５％以内であり、均一性
の良い表面処理を達成することができた。Using this atmospheric pressure CVD apparatus, an 8-inch silicon substrate was heated to about 380 ° C. to form a PSG film (phosphorus silicate glass) used for an interlayer insulating film and the like. The in-plane uniformity was within 5%, and a surface treatment with good uniformity could be achieved.
【００２４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものでなく、例えばガス吹き出し口８ｂの回転機構に
ついては他の構成のものを用いてもよい。また、他の半
導体製造工程、例えばエッチングもしくはアッシング等
において、被処理物へのガス吹き付けの不均一さが原因
で表面処理が不均一になってしまう場合にも適用可能で
ある。また、減圧して行われる成膜もしくはエッチング
もしくはアッシング等の工程においてガスの流れが分子
流領域でなく、被処理物へのガス吹き付けが不均一にな
り、結果として表面処理も不均一になってしまう場合、
本発明の半導体製造装置を密閉して、真空ポンプで排気
し、上記実施の形態と同様の方法で表面処理を行えば、
均一性の良い表面処理が実現できる。The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the rotation mechanism of the gas outlet 8b may have another configuration. Further, the present invention can be applied to a case where the surface treatment becomes non-uniform due to non-uniformity of gas spraying on an object to be processed in another semiconductor manufacturing process, for example, etching or ashing. In addition, in a process such as film formation or etching or ashing performed under reduced pressure, the gas flow is not in the molecular flow region, and the gas spray on the object to be processed becomes uneven, and as a result, the surface treatment becomes uneven. If
If the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is sealed, evacuated by a vacuum pump, and subjected to surface treatment in the same manner as in the above embodiment,
Surface treatment with good uniformity can be realized.
【００２５】また、本発明は上記実施の形態で使用され
る材質において限定されるものでなく、ガス配管７ｂお
よびガス導入フランジ７ｃおよびカバー８等の材質は金
属に限らず、セラミック、石英等の耐熱性もしくは耐食
性に優れた材料を使用してもよい。また、Ｏリング７ｅ
の材質もバイトンゴムに限らず耐熱性もしくは耐食性に
優れた他の材料を使用してもよい。The present invention is not limited to the materials used in the above embodiment, and the materials of the gas pipe 7b, the gas introduction flange 7c, the cover 8, and the like are not limited to metals, but may be ceramics, quartz, or the like. A material having excellent heat resistance or corrosion resistance may be used. Also, O-ring 7e
Is not limited to Viton rubber, and other materials having excellent heat resistance or corrosion resistance may be used.
【００２６】また、本発明は上記実施の形態で処理され
る被処理基板１の種類もしくは寸法等においても限定さ
れるものでなく、被処理基板１として、シリコン基板に
限らず、ガリウム砒素基板もしくはガラス基板等を処理
することも可能であり、またガス吹き出し口８ｂの寸法
等を調整すれば、被処理基板１の大面積化にも対応可能
である。The present invention is not limited by the type or size of the substrate 1 to be processed in the above embodiment, and the substrate 1 to be processed is not limited to a silicon substrate, but may be a gallium arsenide substrate or a gallium arsenide substrate. It is also possible to process a glass substrate or the like, and it is possible to cope with an increase in the area of the substrate 1 to be processed by adjusting the dimensions and the like of the gas outlet 8b.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の半導
体製造方法によれば、スリット状のガス吹き出し口を回
転駆動させながら被処理基板の表面に対してガスを吹き
付けるようにしたので、基板の表面処理が、ガスの種類
もしくはガス吹き出し口の寸法もしくは被処理基板の寸
法等の条件に影響されにくくなり、均一性の良い表面処
理が容易に実現でき、生産性が向上する。As described above, according to the semiconductor manufacturing method of the first aspect, the gas is blown onto the surface of the substrate to be processed while the slit-shaped gas blowing port is rotationally driven. Is hardly affected by conditions such as the type of gas, the size of the gas outlet or the size of the substrate to be processed, and surface treatment with good uniformity can be easily realized, and the productivity is improved.
【００２８】また、請求項２または請求項３記載の半導
体製造装置によれば、被処理基板を所定の速度で搬送さ
せる搬送手段と、スリット状のガス吹き出し口およびこ
のガス吹き出し口を回転駆動させる機構を有し、搬送手
段により搬送される被処理基板の表面に対して均一にガ
スを吹き付けるガス吹き出し手段とを備えるようにした
ので、基板の表面処理が、ガスの種類、ガス吹き出し口
の寸法、もしくは、被処理基板の寸法等の条件に影響さ
れにくくなり、均一性の良い表面処理が容易に実現で
き、生産性が向上する。According to the second or third aspect of the present invention, the transport means for transporting the substrate to be processed at a predetermined speed, the slit-shaped gas outlet, and the gas outlet are driven to rotate. A gas blowing means for uniformly blowing a gas to the surface of the substrate to be processed conveyed by the conveying means, so that the surface treatment of the substrate is performed by the type of gas and the size of the gas blowing port. Alternatively, it is hard to be affected by the conditions such as the dimensions of the substrate to be processed, and surface treatment with good uniformity can be easily realized, and the productivity is improved.
【００２９】特に、請求項３記載の半導体製造装置によ
れば、搬送手段により被処理基板をその直径寸法と同じ
距離だけ搬送させる間に、ガス吹き出し口が半回転もし
くは半回転の正数倍の回転数で回転するよう被処理基板
の搬送速度にガス吹き出し口の回転速度を同期させるよ
うにしたので、請求項２記載の半導体製造装置の効果に
加え、より均一性の良い表面処理が実現でき、更に生産
性が向上する。In particular, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the third aspect, while the substrate to be processed is transported by the transporting unit by the same distance as the diameter thereof, the gas outlet is rotated by half a rotation or a positive multiple of the half rotation. Since the rotation speed of the gas outlet is synchronized with the transfer speed of the substrate to be rotated so as to rotate at the rotation speed, in addition to the effect of the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, more uniform surface treatment can be realized. And the productivity is further improved.
【図１】本発明の一実施の形態に係る常圧ＣＶＤ装置の
外観構成を表す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an external configuration of an atmospheric pressure CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した複数個のインジェクタのうちの一
つのインジェクタおよびその近傍部分の構成を表す断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of one of a plurality of injectors illustrated in FIG. 1 and a portion near the injector.
【図３】図２に示したカバーの底面図である。FIG. 3 is a bottom view of the cover shown in FIG. 2;
１…被処理基板、３…ベルト、４…ヒータ、５…インジ
ェクタ、６…排気具、７…ガス混合部、７ａ…混合部本
体、７ｂ…ガス配管、７ｃ…ガス導入フランジ、７ｄ…
混合ガス出口、７ｅ…Ｏリング、８…カバー、８ａ…円
周歯車、８ｂ…ガス吹き出し口、９…モータ、９ａ…歯
車DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate to be processed, 3 ... Belt, 4 ... Heater, 5 ... Injector, 6 ... Exhaust tool, 7 ... Gas mixing part, 7a ... Mixing part main body, 7b ... Gas piping, 7c ... Gas introduction flange, 7d ...
Mixed gas outlet, 7e O-ring, 8 cover, 8a circumferential gear, 8b gas outlet, 9 motor, 9a gear
Claims (3)
度で搬送させると共に被処理基板の表面に対してスリッ
ト状のガス吹き出し口からガスを吹き付けて被処理基板
の表面処理を行う半導体製造方法において、 前記スリット状のガス吹き出し口を回転駆動させながら
被処理基板の表面に対して均一にガスを吹き付けること
を特徴とする半導体製造方法。1. A semiconductor manufacturing method in which a substrate to be processed is transported at a predetermined speed by a transporting means and a surface of the substrate is processed by blowing a gas from a slit-shaped gas outlet to the surface of the substrate. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein a gas is uniformly blown to the surface of a substrate to be processed while rotating the slit-shaped gas blowing port.
送手段と、 スリット状のガス吹き出し口およびこのガス吹き出し口
を回転駆動させる機構を有し、前記搬送手段により搬送
される被処理基板の表面に対して均一にガスを吹き付け
るガス吹き出し手段とを備えたことを特徴とする半導体
製造装置。2. A transport means for transporting a substrate to be processed at a predetermined speed, a slit-shaped gas outlet and a mechanism for rotating the gas outlet, and a mechanism for rotating the substrate to be transported by the transport means. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: gas blowing means for blowing gas uniformly to a surface.
径寸法と同じ距離だけ搬送させる間に、前記ガス吹き出
し口が半回転もしくは半回転の正数倍の回転数で回転す
るように、前記被処理基板の搬送速度に前記ガス吹き出
し口の回転速度を同期させることを特徴とする請求項２
記載の半導体製造装置。3. A process for transporting a substrate to be processed by a distance equal to the diameter of the substrate by the transporting means so that the gas outlet is rotated at a half rotation or at a positive multiple of a half rotation. 3. The method according to claim 2, wherein a rotation speed of the gas outlet is synchronized with a transfer speed of the processing substrate.
The semiconductor manufacturing apparatus according to the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008197A JPH10247645A (en) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Semiconductor manufacturing method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5008197A JPH10247645A (en) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Semiconductor manufacturing method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247645A true JPH10247645A (en) | 1998-09-14 |
Family
ID=12849076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5008197A Pending JPH10247645A (en) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Semiconductor manufacturing method and device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247645A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000020719A (en) * | 1998-09-23 | 2000-04-15 | 이형도 | Method for performing real-time renewal of digital satellite information to internet document |
| US6706647B1 (en) * | 1999-04-16 | 2004-03-16 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for manufacturing semiconductors |
| KR100452525B1 (en) * | 2001-12-26 | 2004-10-12 | 주성엔지니어링(주) | Gas injector suitable for ALD process |
| JP2007019068A (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | Normal pressure cvd method and its device |
| JP2011153333A (en) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus, and method for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP5008197A patent/JPH10247645A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20000020719A (en) * | 1998-09-23 | 2000-04-15 | 이형도 | Method for performing real-time renewal of digital satellite information to internet document |
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| KR100452525B1 (en) * | 2001-12-26 | 2004-10-12 | 주성엔지니어링(주) | Gas injector suitable for ALD process |
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