JPH10247463A - ディスプレイ用電子供給源 - Google Patents
ディスプレイ用電子供給源Info
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- JPH10247463A JPH10247463A JP10032586A JP3258698A JPH10247463A JP H10247463 A JPH10247463 A JP H10247463A JP 10032586 A JP10032586 A JP 10032586A JP 3258698 A JP3258698 A JP 3258698A JP H10247463 A JPH10247463 A JP H10247463A
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- cathode
- electrons
- electron source
- electron
- grid
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/029—Schematic arrangements for beam forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01J3/02—Electron guns
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自己安定性のあるディスプレイ用電子供給源
を提供する。 【解決手段】 仮想リモート陰極の位置が、固定絶縁プ
レート902の形状によって一定にされた空間電荷雲と
関連付けられる。プレートは、正確な寸法に作成するこ
とができ、それにより、陰極510から制御グリッド5
02までの距離を正確に制御することができ、構造物の
機械的、電気的または物理的変化の影響を受けない。固
定絶縁プレートは、制御グリッドにおける陰極と反対の
面に配置される。
を提供する。 【解決手段】 仮想リモート陰極の位置が、固定絶縁プ
レート902の形状によって一定にされた空間電荷雲と
関連付けられる。プレートは、正確な寸法に作成するこ
とができ、それにより、陰極510から制御グリッド5
02までの距離を正確に制御することができ、構造物の
機械的、電気的または物理的変化の影響を受けない。固
定絶縁プレートは、制御グリッドにおける陰極と反対の
面に配置される。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリックス・ア
ドレス指定式電子ビーム・ディスプレイに関し、より詳
細には、マトリックス・アドレス指定式電子ビーム・デ
ィスプレイに使用される自己安定陰極に関する。
ドレス指定式電子ビーム・ディスプレイに関し、より詳
細には、マトリックス・アドレス指定式電子ビーム・デ
ィスプレイに使用される自己安定陰極に関する。
【0002】
【従来の技術】フラット・パネル電子ビーム・ディスプ
レイは、減圧された外囲器に収容された陰極および陽極
を含む。動作に際して、陰極が陽極に対して負の電位に
保持される。電子は陰極から放出される。陰極と陽極の
間の電位差によって、陰極から放出された電子が陽極に
向かって加速される。放出電子は、ディスプレイ内で電
子ビームに成形される。これにより、陽極と陰極の間に
ビーム電流が流れる。フラット・パネル電子ビーム・デ
ィスプレイでは、陰極と陽極の間にマトリックス装置が
配置される。マトリックス装置は、互いに直角に配置さ
れた1対の「コーム」から形成される。これらのコーム
は、一般に行および列と呼ばれる。各ピクセルまたはサ
ブピクセルは、行と列の交わる点に位置する。各コーム
は、多数の個別の素子(行または列)を有する。動作の
際には、各コームの各素子に制御電圧が印加される。各
素子に印加される制御電圧は、その素子に関連する電子
ビームに静電気力を加える。制御電圧を調節することに
よって、その素子に関連する電子ビーム電流を調節する
ことができる。
レイは、減圧された外囲器に収容された陰極および陽極
を含む。動作に際して、陰極が陽極に対して負の電位に
保持される。電子は陰極から放出される。陰極と陽極の
間の電位差によって、陰極から放出された電子が陽極に
向かって加速される。放出電子は、ディスプレイ内で電
子ビームに成形される。これにより、陽極と陰極の間に
ビーム電流が流れる。フラット・パネル電子ビーム・デ
ィスプレイでは、陰極と陽極の間にマトリックス装置が
配置される。マトリックス装置は、互いに直角に配置さ
れた1対の「コーム」から形成される。これらのコーム
は、一般に行および列と呼ばれる。各ピクセルまたはサ
ブピクセルは、行と列の交わる点に位置する。各コーム
は、多数の個別の素子(行または列)を有する。動作の
際には、各コームの各素子に制御電圧が印加される。各
素子に印加される制御電圧は、その素子に関連する電子
ビームに静電気力を加える。制御電圧を調節することに
よって、その素子に関連する電子ビーム電流を調節する
ことができる。
【0003】マトリックス駆動型フラットCRTディス
プレイは、各ピクセルの穴に対する均一な電子供給源を
提供するためにエリア陰極を使用する必要がある。金属
−絶縁体−金属(Metal-Insulator-Metal)(MI
M)、プリンタブル・フィールド・エミッタ(Printabl
e Field Emitter:PFE)、電界放出デバイス(Field
Emission Devices:FED)などの電界放出電子供給源
は、加熱を必要としないが、空間電荷による制限を受け
ず、その使用を実用的にするためにはある種の平滑化を
必要とするという均一性および不安定性の問題がある。
プレイは、各ピクセルの穴に対する均一な電子供給源を
提供するためにエリア陰極を使用する必要がある。金属
−絶縁体−金属(Metal-Insulator-Metal)(MI
M)、プリンタブル・フィールド・エミッタ(Printabl
e Field Emitter:PFE)、電界放出デバイス(Field
Emission Devices:FED)などの電界放出電子供給源
は、加熱を必要としないが、空間電荷による制限を受け
ず、その使用を実用的にするためにはある種の平滑化を
必要とするという均一性および不安定性の問題がある。
【0004】熱電子陰極は、優れた電子の供給源であ
る。従来技術においては、熱電子リモート仮想陰極が周
知である。この熱電子陰極は、熱フィラメントから離れ
た位置に均一な平面状の空間電荷雲を形成するが、これ
は、構造的誤差、酸化物陰極のエージングおよび制御グ
リッドの電圧変動の影響を受けやすいという問題を有す
る。
る。従来技術においては、熱電子リモート仮想陰極が周
知である。この熱電子陰極は、熱フィラメントから離れ
た位置に均一な平面状の空間電荷雲を形成するが、これ
は、構造的誤差、酸化物陰極のエージングおよび制御グ
リッドの電圧変動の影響を受けやすいという問題を有す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は電子ビ
ーム・ディスプレイに使用する電子供給源を提供するこ
とにあり、さらに安定した電子ビーム電流を得ることが
できる電子供給源を提供することにある。
ーム・ディスプレイに使用する電子供給源を提供するこ
とにあり、さらに安定した電子ビーム電流を得ることが
できる電子供給源を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、陰極手
段と、コリメーション・ブロックと、制御グリッド手段
とを含む電子供給源であって、制御グリッドが陰極手段
からコリメーション・ブロックへの電子の流れを制御
し、コリメーション・ブロックが、陰極手段から受け取
った電子を1つまたは複数の電子ビームに形成してター
ゲットに向かって案内し、コリメーション・ブロック
は、陰極手段に向いた表面に配置された絶縁プレートを
有し、平坦な絶縁プレートの陰極に向いた表面は、制御
グリッドから所定の距離にあり、1つまたは複数の電子
ビームのそれぞれ用の1つまたは複数の孔が開けられて
いることを特徴とする電子供給源が提供される。
段と、コリメーション・ブロックと、制御グリッド手段
とを含む電子供給源であって、制御グリッドが陰極手段
からコリメーション・ブロックへの電子の流れを制御
し、コリメーション・ブロックが、陰極手段から受け取
った電子を1つまたは複数の電子ビームに形成してター
ゲットに向かって案内し、コリメーション・ブロック
は、陰極手段に向いた表面に配置された絶縁プレートを
有し、平坦な絶縁プレートの陰極に向いた表面は、制御
グリッドから所定の距離にあり、1つまたは複数の電子
ビームのそれぞれ用の1つまたは複数の孔が開けられて
いることを特徴とする電子供給源が提供される。
【0007】自己充電式絶縁プレートを使用することに
よって、自己安定性の熱電子リモート仮想陰極が提供さ
れる。これは、構造上の誤差の影響を最小限にし、かつ
制御グリッドの電圧変化および陰極のエージングの影響
をなくす能力を提供する。
よって、自己安定性の熱電子リモート仮想陰極が提供さ
れる。これは、構造上の誤差の影響を最小限にし、かつ
制御グリッドの電圧変化および陰極のエージングの影響
をなくす能力を提供する。
【0008】絶縁された導電層を、絶縁プレートの陰極
に向いた表面に被覆することが好ましい。好ましい実施
形態においては、導体層を漏れ制御抵抗に接続すること
ができる。電圧測定装置を導電層に接続することもでき
る。
に向いた表面に被覆することが好ましい。好ましい実施
形態においては、導体層を漏れ制御抵抗に接続すること
ができる。電圧測定装置を導電層に接続することもでき
る。
【0009】陰極手段は熱電子放出装置を含み、コリメ
ーション・ブロックは磁石を含むことが好ましい。
ーション・ブロックは磁石を含むことが好ましい。
【0010】本発明は、また、前述の電子供給源と、コ
リメーション・ブロックの陰極と反対側に向いた蛍光体
被覆を有する電子供給源から電子を受け取るためのスク
リーンと、制御グリッド手段と陽極手段に制御信号を供
給して、陰極からチャネルを介した蛍光体被覆への電子
の流れを選択的に制御して、スクリーン上にイメージを
生成する手段とを含む表示装置を提供する。
リメーション・ブロックの陰極と反対側に向いた蛍光体
被覆を有する電子供給源から電子を受け取るためのスク
リーンと、制御グリッド手段と陽極手段に制御信号を供
給して、陰極からチャネルを介した蛍光体被覆への電子
の流れを選択的に制御して、スクリーン上にイメージを
生成する手段とを含む表示装置を提供する。
【0011】また、本発明によって、メモリ手段と、デ
ータをメモリ手段との間でやり取りするためのデータ転
送手段と、メモリ手段に記憶されたデータを処理するプ
ロセッサ手段と、プロセッサ手段によって処理されたデ
ータを表示するための前述の表示装置とを含むコンピュ
ータ・システムも提供される。
ータをメモリ手段との間でやり取りするためのデータ転
送手段と、メモリ手段に記憶されたデータを処理するプ
ロセッサ手段と、プロセッサ手段によって処理されたデ
ータを表示するための前述の表示装置とを含むコンピュ
ータ・システムも提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は、従来のCRTに使用され
ているタイプの代表的な間接加熱型熱電子陰極100を
示す。通常はニッケルの金属スリーブ102が、ゼロ・
ボルトに保持され、ヒータ106によって間接的に加熱
され、それにより厚さ100μmの酸化物被覆104が
約750℃に達する。ヒータ106と金属スリーブ10
2の間には電気絶縁体108がある。酸化物被覆104
は、通常、バリウム、ストロンチウムおよびカルシウム
の酸化物の混合物から成り、電子の熱エネルギーが表面
の仕事関数(通常は、1.5eV)を超える十分に高い
温度で、大量の電子を放出する。陰極アセンブリは、通
常、制御電極またはグリッド1(110)から200μ
mの位置にある。電子は、金属スリーブ102の酸化物
104から約30μmの位置に空間電荷電子雲112を
形成する。図1に示したタイプの陰極のさらに詳細は、
D A ライト(Wright)の論文「A survey of the pr
esent knowledge of thermionic emitters」、Proc IR
E、1952、pp.125〜142に出ている。
ているタイプの代表的な間接加熱型熱電子陰極100を
示す。通常はニッケルの金属スリーブ102が、ゼロ・
ボルトに保持され、ヒータ106によって間接的に加熱
され、それにより厚さ100μmの酸化物被覆104が
約750℃に達する。ヒータ106と金属スリーブ10
2の間には電気絶縁体108がある。酸化物被覆104
は、通常、バリウム、ストロンチウムおよびカルシウム
の酸化物の混合物から成り、電子の熱エネルギーが表面
の仕事関数(通常は、1.5eV)を超える十分に高い
温度で、大量の電子を放出する。陰極アセンブリは、通
常、制御電極またはグリッド1(110)から200μ
mの位置にある。電子は、金属スリーブ102の酸化物
104から約30μmの位置に空間電荷電子雲112を
形成する。図1に示したタイプの陰極のさらに詳細は、
D A ライト(Wright)の論文「A survey of the pr
esent knowledge of thermionic emitters」、Proc IR
E、1952、pp.125〜142に出ている。
【0013】図2は、図1の熱電子陰極から放出される
電子の速度分布のグラフである。電子は、マックスウェ
ルの速度分布で放出される。この熱電子陰極では、電子
の90%が、0.5eVよりも低い速度で放出される。
電子の速度分布のグラフである。電子は、マックスウェ
ルの速度分布で放出される。この熱電子陰極では、電子
の90%が、0.5eVよりも低い速度で放出される。
【0014】空間電荷 図1の陰極の動作で非常に重要なのは、放出電子の固有
電荷による空間電荷効果である。陰極の通常動作温度で
は、生成される電子の数が非常に多く、それにより局部
的電位が著しく低下して、陰極の実効電界が減少する。
陰極は、通常、空間電荷制限モードで動作する。このモ
ードでは、放出温度が、陰極に近い距離の所で最小電位
を発生しそれにより物理的陰極表面からの局部的放出の
変動をおおい隠すのに十分である。電子は、この最小電
位にある「仮想陰極」から引き出される。
電荷による空間電荷効果である。陰極の通常動作温度で
は、生成される電子の数が非常に多く、それにより局部
的電位が著しく低下して、陰極の実効電界が減少する。
陰極は、通常、空間電荷制限モードで動作する。このモ
ードでは、放出温度が、陰極に近い距離の所で最小電位
を発生しそれにより物理的陰極表面からの局部的放出の
変動をおおい隠すのに十分である。電子は、この最小電
位にある「仮想陰極」から引き出される。
【0015】図3は、二極管シミュレーションによる曲
線効果を示す。線302は、陰極100の酸化物被覆1
04の外側面からの距離による局部電位を示す。空間電
荷は陰極に減速電界を生成し、最小電位に打ち勝つこと
ができるような十分なエネルギーで放出された電子だけ
が、陽極に到達することができる。空間電荷の効果のさ
らに詳しい考察は、K R スパンゲンバーグ(Spange
nberg)の論文「Vacuum Tubes」McGraw-Hill、1948、p
p.168〜200に出ている。陰極温度が陰極から近い距離の
所に最小電位を発生させるために必要な温度よりさらに
上昇すると、空間電荷密度が高まり、電流をその以前の
値に制限するのにちょうど十分になるまで電位がさらに
低下する。したがって、電子電流の流れは、陰極の放出
能力の関数ではなくなり、陽極電位と形状だけに依存す
るようになる。この装置は、「空間電荷」で制限される
状態で動作していると言われる。この結果、電子が陰極
のすぐ前の位置から遅い速度で生成されるように見える
ようになり、これは、「仮想陰極」と呼ばれる。
線効果を示す。線302は、陰極100の酸化物被覆1
04の外側面からの距離による局部電位を示す。空間電
荷は陰極に減速電界を生成し、最小電位に打ち勝つこと
ができるような十分なエネルギーで放出された電子だけ
が、陽極に到達することができる。空間電荷の効果のさ
らに詳しい考察は、K R スパンゲンバーグ(Spange
nberg)の論文「Vacuum Tubes」McGraw-Hill、1948、p
p.168〜200に出ている。陰極温度が陰極から近い距離の
所に最小電位を発生させるために必要な温度よりさらに
上昇すると、空間電荷密度が高まり、電流をその以前の
値に制限するのにちょうど十分になるまで電位がさらに
低下する。したがって、電子電流の流れは、陰極の放出
能力の関数ではなくなり、陽極電位と形状だけに依存す
るようになる。この装置は、「空間電荷」で制限される
状態で動作していると言われる。この結果、電子が陰極
のすぐ前の位置から遅い速度で生成されるように見える
ようになり、これは、「仮想陰極」と呼ばれる。
【0016】図1において、最小電位における空間電荷
雲112、すなわち仮想陰極を、カラーCRTに典型的
な寸法で示す。仮想陰極112から放出される電子は、
陰極表面から放出される電子の熱速度分布の一部分から
受け継いだ熱速度だけを有し、実際に、最も速い電子だ
けが取り出され、それらの電子の速さがほぼゼロに低下
することを理解されたい。これは、仮想陰極から取り出
されるビーム電流が、全放出電子のうちのわずかな部分
だけになるように意図的に選ばれるためである。ビーム
電流として仮想陰極から引き離されなかった電子は陰極
に戻り、さらに別の熱電子と無限サイクルで交換され
る。典型的なCRTにおいては、CRTの使用開始時に
は、おそらく電子の2%しかビーム電流として取り出さ
れない。陰極がエージングするにつれて、その電子放出
能力は低下し、したがって実効放出定数は低下する。こ
れは、最小電位の大きさを小さくする効果を有し(電子
が減少し、それによって空間電荷密度が低下するた
め)、それにより、ビーム電流を一定に維持する場合、
取り出される比率が高くなり、したがって取り出される
電子の熱速度分布(電子ボルトで測定)が大きくなる。
雲112、すなわち仮想陰極を、カラーCRTに典型的
な寸法で示す。仮想陰極112から放出される電子は、
陰極表面から放出される電子の熱速度分布の一部分から
受け継いだ熱速度だけを有し、実際に、最も速い電子だ
けが取り出され、それらの電子の速さがほぼゼロに低下
することを理解されたい。これは、仮想陰極から取り出
されるビーム電流が、全放出電子のうちのわずかな部分
だけになるように意図的に選ばれるためである。ビーム
電流として仮想陰極から引き離されなかった電子は陰極
に戻り、さらに別の熱電子と無限サイクルで交換され
る。典型的なCRTにおいては、CRTの使用開始時に
は、おそらく電子の2%しかビーム電流として取り出さ
れない。陰極がエージングするにつれて、その電子放出
能力は低下し、したがって実効放出定数は低下する。こ
れは、最小電位の大きさを小さくする効果を有し(電子
が減少し、それによって空間電荷密度が低下するた
め)、それにより、ビーム電流を一定に維持する場合、
取り出される比率が高くなり、したがって取り出される
電子の熱速度分布(電子ボルトで測定)が大きくなる。
【0017】図4は、二極真空管の陽極電圧(va)電
流(Ia)特性を示す。図示した4本の線402〜40
8は、異なる陰極温度に対するものであり、陰極温度が
上昇するにつれて最大陽極電流が増大する。
流(Ia)特性を示す。図示した4本の線402〜40
8は、異なる陰極温度に対するものであり、陰極温度が
上昇するにつれて最大陽極電流が増大する。
【0018】空間電荷制限領域では、電流を、チャイル
ド・ラングミュア則によって近似的に計算することがで
きる(一次元)。 Ia=KVa 3/2 上式で、
ド・ラングミュア則によって近似的に計算することがで
きる(一次元)。 Ia=KVa 3/2 上式で、
【数1】
【0019】また、ε0は自由空間の誘電率、Aは、放
出面積、dは仮想陰極から陽極までの距離、eは電子の
電荷、mは電子の質量である。
出面積、dは仮想陰極から陽極までの距離、eは電子の
電荷、mは電子の質量である。
【0020】同様に、電流密度(J)は、
【数2】
【0021】この式は、取り出されるビーム電流の部分
が増加するとき、あるいはエージングによって放出能力
が低下したときに、陰極からの電子放出が制限されない
と想定しており、それにより2分の3乗則からの偏位が
生じ、これがCRTの陰極エージングによる主な効果で
あることに留意されたい。この効果については、GH
メトソン(Metson)の論文「On the electrical life o
f an oxide cathodereceiving tube」、p.408にさらに
詳しく記載されている。
が増加するとき、あるいはエージングによって放出能力
が低下したときに、陰極からの電子放出が制限されない
と想定しており、それにより2分の3乗則からの偏位が
生じ、これがCRTの陰極エージングによる主な効果で
あることに留意されたい。この効果については、GH
メトソン(Metson)の論文「On the electrical life o
f an oxide cathodereceiving tube」、p.408にさらに
詳しく記載されている。
【0022】遠隔仮想陰極 図5は、陰極フィラメント510とそれに関連するロー
カル仮想陰極512を備えたフラット・スクリーンCR
Tを示す。図5はさらに、制御グリッド502、コリメ
ーション・ブロック506、蛍光体スクリーン504が
示されている。図5のフラットCRTにおいては、マト
リックス制御グリッド502のすぐ下に、平坦で薄いま
たは広がりをもつ電子を配置しなければならない。熱酸
化物で被覆したフィラメント510は、前述のような空
間電荷制限条件下でローカル仮想陰極512を作り出
す。すべてのローカル仮想陰極512の複合体として、
熱フィラメント510から離れた制御グリッド502か
ら所定の距離の所に、別の仮想陰極508を作り出す必
要がある。この仮想陰極508は「リモート仮想陰極」
と呼ばれる。第2の要件は、均一な電子密度のリモート
仮想陰極508を、制御グリッド502から一定距離の
所に作り出すことである(この距離が、フラットCRT
のマトリックス電子銃における陰極とグリッドの間隔に
なるため)。
カル仮想陰極512を備えたフラット・スクリーンCR
Tを示す。図5はさらに、制御グリッド502、コリメ
ーション・ブロック506、蛍光体スクリーン504が
示されている。図5のフラットCRTにおいては、マト
リックス制御グリッド502のすぐ下に、平坦で薄いま
たは広がりをもつ電子を配置しなければならない。熱酸
化物で被覆したフィラメント510は、前述のような空
間電荷制限条件下でローカル仮想陰極512を作り出
す。すべてのローカル仮想陰極512の複合体として、
熱フィラメント510から離れた制御グリッド502か
ら所定の距離の所に、別の仮想陰極508を作り出す必
要がある。この仮想陰極508は「リモート仮想陰極」
と呼ばれる。第2の要件は、均一な電子密度のリモート
仮想陰極508を、制御グリッド502から一定距離の
所に作り出すことである(この距離が、フラットCRT
のマトリックス電子銃における陰極とグリッドの間隔に
なるため)。
【0023】リモート仮想陰極は、ビーム・パワー・バ
ルブに使用するために1930年代に開発された。これ
は、K R スパンゲンバーグ(Spangenberg)の論文
「Vacuum Tubes」、McGraw-Hill、1948、pp.248〜265に
記載されている。この参考文献のp.262の図10.12
には、そのようなバルブのグリッドの図が電界電位と共
に示されている。その構造は、電子の速度を遅くして電
子密度を高めることによってスクリーン・グリッドと陽
極の間に最小電位を発生するようにグリッドの電位と形
状が配置された四極管構造である。そのような特性を作
り出すための基本的要件は、きわめて平行に近い電子の
流れを作り出すことであり、それによりリモート仮想陰
極における電子密度はきわめて均一であった。当然なが
ら、陽極ターゲットとしての制御グリッド・マトリック
スはないが、フラットCRT用に後で設計されたリモー
ト仮想陰極のトポロジーをビーム・パワー四極管と区別
するのはこの要素だけである。要約すると、抽出グリッ
ドを、陰極からほぼ平行な電子の流れを作り出すように
配置し、グリッド上の電圧を適切に選択すれば、高密度
の空間電荷制限雲において均一な電位で均一な量の電子
を有するリモート仮想陰極が形成される。
ルブに使用するために1930年代に開発された。これ
は、K R スパンゲンバーグ(Spangenberg)の論文
「Vacuum Tubes」、McGraw-Hill、1948、pp.248〜265に
記載されている。この参考文献のp.262の図10.12
には、そのようなバルブのグリッドの図が電界電位と共
に示されている。その構造は、電子の速度を遅くして電
子密度を高めることによってスクリーン・グリッドと陽
極の間に最小電位を発生するようにグリッドの電位と形
状が配置された四極管構造である。そのような特性を作
り出すための基本的要件は、きわめて平行に近い電子の
流れを作り出すことであり、それによりリモート仮想陰
極における電子密度はきわめて均一であった。当然なが
ら、陽極ターゲットとしての制御グリッド・マトリック
スはないが、フラットCRT用に後で設計されたリモー
ト仮想陰極のトポロジーをビーム・パワー四極管と区別
するのはこの要素だけである。要約すると、抽出グリッ
ドを、陰極からほぼ平行な電子の流れを作り出すように
配置し、グリッド上の電圧を適切に選択すれば、高密度
の空間電荷制限雲において均一な電位で均一な量の電子
を有するリモート仮想陰極が形成される。
【0024】Source Technology Corporationによるフ
ラット・マトリックス駆動型CRTのために特別に設計
されたリモート仮想陰極の例は、欧州特許第A2 O
213 839号とF G オエス(Oess)の論文「Th
e uniform remote virtual cathode system」SID Diges
t 1994に出ている。Source Technology社の陰極を、欧
州特許第A2 O 213 839号の図2から引用し
て本発明の図6に示した。さらに、三星によるフラット
・マトリックス駆動型CRT用に特別に設計されたリモ
ート仮想陰極の例は、米国特許第5,272,419号
に出ている。
ラット・マトリックス駆動型CRTのために特別に設計
されたリモート仮想陰極の例は、欧州特許第A2 O
213 839号とF G オエス(Oess)の論文「Th
e uniform remote virtual cathode system」SID Diges
t 1994に出ている。Source Technology社の陰極を、欧
州特許第A2 O 213 839号の図2から引用し
て本発明の図6に示した。さらに、三星によるフラット
・マトリックス駆動型CRT用に特別に設計されたリモ
ート仮想陰極の例は、米国特許第5,272,419号
に出ている。
【0025】図6は、フラットCRTの部分切開分解斜
視図である。フラットCRTは、蛍光体被覆610を有
するガラス・スクリーン608を備える。抽出グリッド
602は、熱ワイヤ酸化物被覆フィラメント604のロ
ーカル仮想陰極から、均一な電子の流れを作り出す。ガ
ラス基板612は、熱ワイヤ酸化物被覆フィラメント6
04の後方に配置され、デフレクタ・バッキング614
を有する。制御グリッド606は、陰極電圧と同じかあ
るいはそれよりも少し低くなるように配置され(ビーム
・パワー・バルブにおけるスクリーン/陽極グリッド
(電位配置)と同じ)、それにより、電子は減速され制
御グリッド606の近くで反転する。この減速により、
電子密度(図7の702)が増大し、それによりリモー
ト仮想陰極および最小電位が大きくなる。
視図である。フラットCRTは、蛍光体被覆610を有
するガラス・スクリーン608を備える。抽出グリッド
602は、熱ワイヤ酸化物被覆フィラメント604のロ
ーカル仮想陰極から、均一な電子の流れを作り出す。ガ
ラス基板612は、熱ワイヤ酸化物被覆フィラメント6
04の後方に配置され、デフレクタ・バッキング614
を有する。制御グリッド606は、陰極電圧と同じかあ
るいはそれよりも少し低くなるように配置され(ビーム
・パワー・バルブにおけるスクリーン/陽極グリッド
(電位配置)と同じ)、それにより、電子は減速され制
御グリッド606の近くで反転する。この減速により、
電子密度(図7の702)が増大し、それによりリモー
ト仮想陰極および最小電位が大きくなる。
【0026】抽出グリッド602の透過率が十分に大き
い場合、ほとんどの電子はこの地点に達し、次いで抽出
グリッド602によって吸収されるまで前後に反射され
る。電子の減速によって起こる電子密度の増大は、図7
において、制御グリッド近くの702とデフレクタ・バ
ッキングの近くの704の電子のバンドとして現れる。
典型的な電子の経路706が示されている。CRTの動
作に際しては、制御グリッドは、スイッチが入ったピク
セルで僅かに正となり、それにより、電流がリモート仮
想陰極から取り出されて蛍光体スクリーン610に向
う。この陰極は、Source Technology社による試作品の
フラットCRTの動作において実証済みである。
い場合、ほとんどの電子はこの地点に達し、次いで抽出
グリッド602によって吸収されるまで前後に反射され
る。電子の減速によって起こる電子密度の増大は、図7
において、制御グリッド近くの702とデフレクタ・バ
ッキングの近くの704の電子のバンドとして現れる。
典型的な電子の経路706が示されている。CRTの動
作に際しては、制御グリッドは、スイッチが入ったピク
セルで僅かに正となり、それにより、電流がリモート仮
想陰極から取り出されて蛍光体スクリーン610に向
う。この陰極は、Source Technology社による試作品の
フラットCRTの動作において実証済みである。
【0027】したがって、Source Technology社のリモ
ート仮想陰極は、フラットCRTに関する初期のビーム
・パワー・バルブの配置をそのまま応用したものであ
る。電子の流れの方程式は、チャイルド-ラングミュア
則によって規定され、抽出グリッド602における一定
の損失と「オン」になったピクセルによって取り出され
る電流を無視すると、抽出グリッド602のフィラメン
ト604側の電流密度が、制御グリッド606側と同じ
にならなければならない。たとえばグリッド構造の機械
的公差や制御グリッド電圧の変動によって生じる電流密
度のばらつきは、空間電荷雲における電位分布の局部的
変動により電子が空間に再分散してその影響を取り消す
ため、空間電荷の流れにおいて平均化される。
ート仮想陰極は、フラットCRTに関する初期のビーム
・パワー・バルブの配置をそのまま応用したものであ
る。電子の流れの方程式は、チャイルド-ラングミュア
則によって規定され、抽出グリッド602における一定
の損失と「オン」になったピクセルによって取り出され
る電流を無視すると、抽出グリッド602のフィラメン
ト604側の電流密度が、制御グリッド606側と同じ
にならなければならない。たとえばグリッド構造の機械
的公差や制御グリッド電圧の変動によって生じる電流密
度のばらつきは、空間電荷雲における電位分布の局部的
変動により電子が空間に再分散してその影響を取り消す
ため、空間電荷の流れにおいて平均化される。
【0028】間隔や電圧の変動は、リモート陰極の均一
性を(少なくとも一次には)変化させないが、制御グリ
ッドに対するリモート仮想陰極の位置を変化させ、これ
は、CRT電子銃の式における重要なパラメータであ
り、ビーム電流変調に影響を与えてスクリーンの輝度に
影響を及ぼす。電圧は正確に調整することができるが、
機械的公差の制御はあまり容易ではなく、電極間隔の変
動は、陰極フィラメントが約750℃の動作温度まで加
熱されたときに起こるはずである。
性を(少なくとも一次には)変化させないが、制御グリ
ッドに対するリモート仮想陰極の位置を変化させ、これ
は、CRT電子銃の式における重要なパラメータであ
り、ビーム電流変調に影響を与えてスクリーンの輝度に
影響を及ぼす。電圧は正確に調整することができるが、
機械的公差の制御はあまり容易ではなく、電極間隔の変
動は、陰極フィラメントが約750℃の動作温度まで加
熱されたときに起こるはずである。
【0029】たとえば、フィラメント604と抽出グリ
ッド602の間隔および抽出グリッド602と制御グリ
ッド606の間隔がそれぞれ1mm、抽出グリッド電圧
が10Vの設計について考える。図8に、電位分布と電
子速度を示す。陰極のワイヤ・フィラメント604は、
図8の左側にある。制御グリッド606は、図8の右側
にある。図8の中心には、抽出グリッド602の位置に
おけるピーク電子電位とピーク電子速度が示されてい
る。ワイヤ・フィラメント(図6の604)とローカル
およびリモート陰極に対応するこの最小電位との間の距
離をxLで示し、この最小電位と抽出グリッドにおける
最大電位(802)の間の距離をx0で示す。制御グリ
ッド(図5の502)とリモート仮想陰極(図5の50
8)に対応する最小電位との間の距離をxRで示し、こ
の最小電位と602における最大電位との間の距離をx
1で示す。電子速度は、810と示した線で示し、電圧
は、812と示した線で示す。VXLは、ローカル仮想陰
極512の最小電位における電圧である。Vaccは、抽
出グリッド602の最大電位における電位である。
ッド602の間隔および抽出グリッド602と制御グリ
ッド606の間隔がそれぞれ1mm、抽出グリッド電圧
が10Vの設計について考える。図8に、電位分布と電
子速度を示す。陰極のワイヤ・フィラメント604は、
図8の左側にある。制御グリッド606は、図8の右側
にある。図8の中心には、抽出グリッド602の位置に
おけるピーク電子電位とピーク電子速度が示されてい
る。ワイヤ・フィラメント(図6の604)とローカル
およびリモート陰極に対応するこの最小電位との間の距
離をxLで示し、この最小電位と抽出グリッドにおける
最大電位(802)の間の距離をx0で示す。制御グリ
ッド(図5の502)とリモート仮想陰極(図5の50
8)に対応する最小電位との間の距離をxRで示し、こ
の最小電位と602における最大電位との間の距離をx
1で示す。電子速度は、810と示した線で示し、電圧
は、812と示した線で示す。VXLは、ローカル仮想陰
極512の最小電位における電圧である。Vaccは、抽
出グリッド602の最大電位における電位である。
【0030】入力側は、ワイヤ・フィラメント604か
ら602の最大電位までである。
ら602の最大電位までである。
【数3】
【0031】Vx1=−1.5V、Vacc=10V、x0=
1mmの場合、電流密度J=38.9984Kである。
1mmの場合、電流密度J=38.9984Kである。
【0032】一次では、出力側のJは、抽出グリッド6
02における透過損失を無視すると同じでなけばならな
い。電子密度は、電子の数(Jによって設定)とそれら
の電子が占める空間の体積で決まる。したがって、出力
側における電子密度は、抽出グリッドと制御グリッドの
間隔によって決まる。これは、制御グリッドが0ボルト
であると仮定している。電子密度による空間電荷は、局
部的な電圧の低下を引き起こし、したがって出力側の電
圧曲線の勾配はこの間隔によって決まる。しかし、リモ
ート仮想陰極の負の電圧ピーク値は変化しない(ローカ
ルおよびリモート陰極の両方における電子の電位がゼロ
電子ボルト)。その結果、リモート仮想陰極の位置が抽
出グリッドに接近し幅が広がる。
02における透過損失を無視すると同じでなけばならな
い。電子密度は、電子の数(Jによって設定)とそれら
の電子が占める空間の体積で決まる。したがって、出力
側における電子密度は、抽出グリッドと制御グリッドの
間隔によって決まる。これは、制御グリッドが0ボルト
であると仮定している。電子密度による空間電荷は、局
部的な電圧の低下を引き起こし、したがって出力側の電
圧曲線の勾配はこの間隔によって決まる。しかし、リモ
ート仮想陰極の負の電圧ピーク値は変化しない(ローカ
ルおよびリモート陰極の両方における電子の電位がゼロ
電子ボルト)。その結果、リモート仮想陰極の位置が抽
出グリッドに接近し幅が広がる。
【0033】注 また、制御グリッド606の電圧の変動がXRに影響を
及ぼし、電圧がさらに負の側に大きくなるため、リモー
ト仮想陰極508が抽出グリッド(図6の602)に向
かって押し戻されることも明らかであろう。
及ぼし、電圧がさらに負の側に大きくなるため、リモー
ト仮想陰極508が抽出グリッド(図6の602)に向
かって押し戻されることも明らかであろう。
【0034】リモート仮想陰極508の位置に影響する
もう一つのパラメータは、陰極510のエージングの影
響である。エージングにより、放出定数が低下し、放出
電子の総数が減少する。さらに、陰極510がエージン
グするにつれて、材料(特にバリウム)が蒸発し、陰極
510から制御グリッド502までの距離が大きくな
る。リモート仮想陰極システムにおけるこの2つの効果
によって、陰極510から抽出グリッド(図6の60
2)までの距離(すなわち、X0)が増大し、ローカル
仮想陰極512の空間電荷雲の幅が広がることになる。
これは、リモート仮想陰極の位置において、仮想陰極面
が制御グリッドから離れるときに見られる。
もう一つのパラメータは、陰極510のエージングの影
響である。エージングにより、放出定数が低下し、放出
電子の総数が減少する。さらに、陰極510がエージン
グするにつれて、材料(特にバリウム)が蒸発し、陰極
510から制御グリッド502までの距離が大きくな
る。リモート仮想陰極システムにおけるこの2つの効果
によって、陰極510から抽出グリッド(図6の60
2)までの距離(すなわち、X0)が増大し、ローカル
仮想陰極512の空間電荷雲の幅が広がることになる。
これは、リモート仮想陰極の位置において、仮想陰極面
が制御グリッドから離れるときに見られる。
【0035】前述の従来技術のリモート仮想陰極は自己
安定性ではない。構造公差と制御グリッドの電圧変動の
影響をかなり受ける。また、陰極のエージングの影響も
受け特性を変化させる。
安定性ではない。構造公差と制御グリッドの電圧変動の
影響をかなり受ける。また、陰極のエージングの影響も
受け特性を変化させる。
【0036】自己安定型仮想陰極構造 基本的なリモート仮想陰極の配置では、リモート仮想陰
極の空間電荷雲の位置が固定されておらず、制御グリッ
ドから可変距離XRにある。位置が固定されていないた
め、前述のような機械的公差および陰極の公差の影響を
受けやすくなる。
極の空間電荷雲の位置が固定されておらず、制御グリッ
ドから可変距離XRにある。位置が固定されていないた
め、前述のような機械的公差および陰極の公差の影響を
受けやすくなる。
【0037】好ましい実施形態においては、コリメーシ
ョン・ブロックは、磁石の対向する極の間を延びる複数
のチャネルによって穿孔された永久磁石であり、各チャ
ンネルは、陰極手段から受け取った電子を電子ビームに
形成してターゲットに案内する。しかしながら、当技術
分野で周知の従来型の静電気コリメーション・ブロック
など他のタイプのコリメーション・ブロックも使用でき
る。
ョン・ブロックは、磁石の対向する極の間を延びる複数
のチャネルによって穿孔された永久磁石であり、各チャ
ンネルは、陰極手段から受け取った電子を電子ビームに
形成してターゲットに案内する。しかしながら、当技術
分野で周知の従来型の静電気コリメーション・ブロック
など他のタイプのコリメーション・ブロックも使用でき
る。
【0038】図9および図10に示した本発明におい
て、絶縁プレート902が、制御グリッド502から一
定距離の所に配置される。絶縁プレート902は、ピク
セルごとに1つの穴が穿孔されている。これは、単に、
コリメーション・ブロック506に使用される磁石の下
側に直接取り付けられたセラミック板とすることが好ま
しい。コリメーション・ブロックは、通常1〜5mmの
厚さであり、グリッドは数μm程度であり、絶縁プレー
トは通常厚さ50μm未満である。陰極510の面は、
通常、制御グリッド502から100〜200μmなの
で、絶縁プレートを、ディスプレイにおける要件とし
て、特に短い横方向の距離についてきわめて高い精度で
作成することは容易である。フィラメント510と抽出
グリッド514は従来通りに配置される。
て、絶縁プレート902が、制御グリッド502から一
定距離の所に配置される。絶縁プレート902は、ピク
セルごとに1つの穴が穿孔されている。これは、単に、
コリメーション・ブロック506に使用される磁石の下
側に直接取り付けられたセラミック板とすることが好ま
しい。コリメーション・ブロックは、通常1〜5mmの
厚さであり、グリッドは数μm程度であり、絶縁プレー
トは通常厚さ50μm未満である。陰極510の面は、
通常、制御グリッド502から100〜200μmなの
で、絶縁プレートを、ディスプレイにおける要件とし
て、特に短い横方向の距離についてきわめて高い精度で
作成することは容易である。フィラメント510と抽出
グリッド514は従来通りに配置される。
【0039】ディスプレイに最初に電力が印加されると
き(始動時)、すべての電子が絶縁プレート902に確
実に当たるように、プレート902は十分に正の電界で
なければならず、つまり、プレートの電界はローカル仮
想陰極512よりも正でなければならない。仮想陰極の
電界は負なので、絶縁プレートはゼロ・ボルトの電圧が
適切である。第1の陽極などディスプレイにおける後の
方の制御素子を使って、CRTの設計および製造の技術
分野で周知のヒータの暖機と陰極の安定化のために必要
な数秒の間スクリーン上にピクチャが表示されないよう
にすることができる。図9は、陰極に電力が最初に加え
られ、制御グリッド502が電子を引き寄せるため正の
電圧に設定されたときの状態を示す。電子は、陰極51
0フィラメントから放出され、抽出グリッド514を通
過して、制御グリッド502に向かう。
き(始動時)、すべての電子が絶縁プレート902に確
実に当たるように、プレート902は十分に正の電界で
なければならず、つまり、プレートの電界はローカル仮
想陰極512よりも正でなければならない。仮想陰極の
電界は負なので、絶縁プレートはゼロ・ボルトの電圧が
適切である。第1の陽極などディスプレイにおける後の
方の制御素子を使って、CRTの設計および製造の技術
分野で周知のヒータの暖機と陰極の安定化のために必要
な数秒の間スクリーン上にピクチャが表示されないよう
にすることができる。図9は、陰極に電力が最初に加え
られ、制御グリッド502が電子を引き寄せるため正の
電圧に設定されたときの状態を示す。電子は、陰極51
0フィラメントから放出され、抽出グリッド514を通
過して、制御グリッド502に向かう。
【0040】時間が経つにつれて、電子が絶縁プレート
902に引き寄せられ、表面に徐々に電荷がたまる。絶
縁プレート902の表面に生じる電荷密度が表面電位を
生じ、これは、負の値の表面電位がすべての電子を抽出
グリッドの方に戻す平衡状態に達しなければならない。
これは、静的条件の平衡であり、図10に示す。通常の
電子の経路を、図10において参照数字1002で示
す。動作状態が安定した後、制御グリッドはその通常の
動作電圧にならなければならない。
902に引き寄せられ、表面に徐々に電荷がたまる。絶
縁プレート902の表面に生じる電荷密度が表面電位を
生じ、これは、負の値の表面電位がすべての電子を抽出
グリッドの方に戻す平衡状態に達しなければならない。
これは、静的条件の平衡であり、図10に示す。通常の
電子の経路を、図10において参照数字1002で示
す。動作状態が安定した後、制御グリッドはその通常の
動作電圧にならなければならない。
【0041】これで、絶縁プレートの下側が空間電荷雲
の最前位置に対するすれすれの入射点であるため、従来
の配置と同じ電子経路をもつが、仮想リモート陰極面が
絶縁プレートの形状によって正確に固定された自己安定
型仮想リモート陰極が得られた。陰極の残りの部分の形
状、電圧および陰極のエージングに何が起こっても、状
態が静的なままである場合はこの点が常に固定される。
の最前位置に対するすれすれの入射点であるため、従来
の配置と同じ電子経路をもつが、仮想リモート陰極面が
絶縁プレートの形状によって正確に固定された自己安定
型仮想リモート陰極が得られた。陰極の残りの部分の形
状、電圧および陰極のエージングに何が起こっても、状
態が静的なままである場合はこの点が常に固定される。
【0042】動的状態 動的状態を考慮するときは、前述の単純な方式にはいく
つかの問題が生じる。第1に、制御グリッドが、始動後
にゼロ・ボルトから約−3Vの負の通常動作電圧に切り
換えられたとき、これにより生じた容量パルスが絶縁プ
レートの帯電側に送られ、それによりリモート仮想陰極
の電子は絶縁プレートから離れる。
つかの問題が生じる。第1に、制御グリッドが、始動後
にゼロ・ボルトから約−3Vの負の通常動作電圧に切り
換えられたとき、これにより生じた容量パルスが絶縁プ
レートの帯電側に送られ、それによりリモート仮想陰極
の電子は絶縁プレートから離れる。
【0043】動作中に制御グリッド502上の電圧が切
り換えられたとき、1つのグリッドが正に切り替わり次
が負に切り替わる不均衡がある場合、グリッド(主にグ
リッド1)間の容量と絶縁プレート902のベース上の
電子の電荷とによって、さらに電子が引き寄せられるこ
とがある。これにより、絶縁プレート902にセットア
ップされた局部電圧が変化する。また、絶縁プレート9
02からの電荷漏れが(期待通り)少ない場合は、絶縁
プレート902上の電荷が少ないことを必要とする陰極
510の動的変化(たとえば、抽出グリッド514の位
置の変化)にすぐに反応しなくなる。さらに、絶縁プレ
ート902上の局部的電荷蓄積が均一でなくなり、その
結果、仮想陰極510から絶縁プレート902までの距
離が均一でなくなることがある。
り換えられたとき、1つのグリッドが正に切り替わり次
が負に切り替わる不均衡がある場合、グリッド(主にグ
リッド1)間の容量と絶縁プレート902のベース上の
電子の電荷とによって、さらに電子が引き寄せられるこ
とがある。これにより、絶縁プレート902にセットア
ップされた局部電圧が変化する。また、絶縁プレート9
02からの電荷漏れが(期待通り)少ない場合は、絶縁
プレート902上の電荷が少ないことを必要とする陰極
510の動的変化(たとえば、抽出グリッド514の位
置の変化)にすぐに反応しなくなる。さらに、絶縁プレ
ート902上の局部的電荷蓄積が均一でなくなり、その
結果、仮想陰極510から絶縁プレート902までの距
離が均一でなくなることがある。
【0044】好ましい実施形態においては、これらの効
果は、後述するような様々な重要な変更によって修正す
ることができる。
果は、後述するような様々な重要な変更によって修正す
ることができる。
【0045】絶縁プレート902の下側は、局部的な電
荷の変化が生じるのを防ぎ絶縁プレートの表面が常に均
一な電位を有するように、(スパッタリング、蒸着また
は無電解めっきによる)薄い金属層の付着物などの導電
表面で被覆することができる。この層は、陰極510か
らの赤外線放出を黒く塗った吸収後部面に反射して、好
ましい実施形態では磁石であるコリメーション・ブロッ
クの加熱を最小にするように高い反射率で作成すること
ができることに留意されたい。
荷の変化が生じるのを防ぎ絶縁プレートの表面が常に均
一な電位を有するように、(スパッタリング、蒸着また
は無電解めっきによる)薄い金属層の付着物などの導電
表面で被覆することができる。この層は、陰極510か
らの赤外線放出を黒く塗った吸収後部面に反射して、好
ましい実施形態では磁石であるコリメーション・ブロッ
クの加熱を最小にするように高い反射率で作成すること
ができることに留意されたい。
【0046】金属層は高抵抗経路を介して接地され、そ
れにより、電荷の漏れを制御することができ、絶縁プレ
ート902の電圧が、電子蓄積の減少ならびに増加に応
答することができる。この抵抗経路は、電荷の蓄積がな
お有効であるように高い抵抗値になる(数百メガ・オー
ム)ことに留意されたい。暖機による抽出グリッド51
4の位置の移動などの動的変化は長時間一定であり(た
とえば、従来のCRTのヒータ電力による銃エレメント
の熱膨張には約20分かかる)、それにより高い漏れ抵
抗が適切である。この抵抗を適切な位置に入れることに
より電子供給源から一定の電流が流れるが、それは非常
に小さい。
れにより、電荷の漏れを制御することができ、絶縁プレ
ート902の電圧が、電子蓄積の減少ならびに増加に応
答することができる。この抵抗経路は、電荷の蓄積がな
お有効であるように高い抵抗値になる(数百メガ・オー
ム)ことに留意されたい。暖機による抽出グリッド51
4の位置の移動などの動的変化は長時間一定であり(た
とえば、従来のCRTのヒータ電力による銃エレメント
の熱膨張には約20分かかる)、それにより高い漏れ抵
抗が適切である。この抵抗を適切な位置に入れることに
より電子供給源から一定の電流が流れるが、それは非常
に小さい。
【0047】電子供給源の始動は、制御グリッドと反対
の絶縁層表面にある導電層によって単純化することがで
きる。導電層は、高抵抗接続を介してまたは初期充電回
路を介して、ローカル仮想陰極よりも正の電圧に接続さ
れる。ローカル仮想陰極が負の電圧のときはゼロ・ボル
トでもよいが、一定の正の電圧が有利であり、この場所
に高抵抗接続を行うことができる。抽出グリッド電圧
は、適切な一定の正電圧である。電子が導電層に当たる
ときは、蓄積電荷によってすべての電子が導電体板に当
たる直前に戻り、導電板電圧がローカル仮想陰極とほぼ
同じ値の安定状態に達するまで、前述のように均一な電
位が生成される。コリメーション・ブロック上に配置さ
れた制御電極は、この構成ではその通常の動作レベルの
ままでよい。
の絶縁層表面にある導電層によって単純化することがで
きる。導電層は、高抵抗接続を介してまたは初期充電回
路を介して、ローカル仮想陰極よりも正の電圧に接続さ
れる。ローカル仮想陰極が負の電圧のときはゼロ・ボル
トでもよいが、一定の正の電圧が有利であり、この場所
に高抵抗接続を行うことができる。抽出グリッド電圧
は、適切な一定の正電圧である。電子が導電層に当たる
ときは、蓄積電荷によってすべての電子が導電体板に当
たる直前に戻り、導電板電圧がローカル仮想陰極とほぼ
同じ値の安定状態に達するまで、前述のように均一な電
位が生成される。コリメーション・ブロック上に配置さ
れた制御電極は、この構成ではその通常の動作レベルの
ままでよい。
【0048】次に、高抵抗を介して接続された絶縁プレ
ート上の導電層を有する電子供給源の始動と動作につい
て段階を逐って説明する。
ート上の導電層を有する電子供給源の始動と動作につい
て段階を逐って説明する。
【0049】始動 ステップ1−陰極フィラメントは0ボルトで冷えてい
る。制御グリッドにはどれも電位は印加されていない。
ステップ2−陰極に電力を加える。抽出グリッドには、
動作させるために約+10ボルト印加する。導電層は初
期設定回路により正電位を印加するか、RC時定数によ
って正電位に高めることができる。ステップ3−導電層
が正電圧で安定する。ステップ4−陰極フィラメントが
温まる。最初に、陰極が熱飽和モードになり、すべての
電子が抽出グリッドの方に加速される。ほとんどの電子
は抽出グリッドを通り過ぎて(導電層上に設定された正
電圧応じた割合で)減速し始める。電子は導電層に当た
り、その層の電位が低下し始める。若干の電流が高抵抗
接続を流れるが、層からすべての電子が除去されること
はない。ステップ5−陰極が動作温度に達し、空間電荷
制限状態になる。導電層の電位は、ローカル仮想陰極
(通常は−0.2V)とほぼ同じになるまで低下し続け
る。高抵抗接続を通ってわずかな電流が流れるため、若
干の電子は引き続き層に当たり、このため、層の電圧
は、ローカル仮想陰極より正に数mVだけ高くなる。
る。制御グリッドにはどれも電位は印加されていない。
ステップ2−陰極に電力を加える。抽出グリッドには、
動作させるために約+10ボルト印加する。導電層は初
期設定回路により正電位を印加するか、RC時定数によ
って正電位に高めることができる。ステップ3−導電層
が正電圧で安定する。ステップ4−陰極フィラメントが
温まる。最初に、陰極が熱飽和モードになり、すべての
電子が抽出グリッドの方に加速される。ほとんどの電子
は抽出グリッドを通り過ぎて(導電層上に設定された正
電圧応じた割合で)減速し始める。電子は導電層に当た
り、その層の電位が低下し始める。若干の電流が高抵抗
接続を流れるが、層からすべての電子が除去されること
はない。ステップ5−陰極が動作温度に達し、空間電荷
制限状態になる。導電層の電位は、ローカル仮想陰極
(通常は−0.2V)とほぼ同じになるまで低下し続け
る。高抵抗接続を通ってわずかな電流が流れるため、若
干の電子は引き続き層に当たり、このため、層の電圧
は、ローカル仮想陰極より正に数mVだけ高くなる。
【0050】動作 ステップ6−約0eVの電位をもつ電子は、抽出グリッ
ドによって加速されてローカル仮想陰極の空間電荷雲か
ら離れる。抽出グリッドのワイヤを通り抜ける電子(電
子の約95%)は、絶縁プレート上の導電層に接近する
につれて速度が低下し、層のちょうど表面で0eVの電
位に達し、止まって逆方向に抽出グリッドの方に戻り、
これが継続される。抽出グリッドのワイヤを通り抜ける
電子の約95%は、減速し、停止し、陰極フィラメント
のワイヤ近くで反転するまで進み続ける。このサイクル
は継続的に繰り返すが、繰り返す回数は抽出グリッドの
透過率によって制限される。
ドによって加速されてローカル仮想陰極の空間電荷雲か
ら離れる。抽出グリッドのワイヤを通り抜ける電子(電
子の約95%)は、絶縁プレート上の導電層に接近する
につれて速度が低下し、層のちょうど表面で0eVの電
位に達し、止まって逆方向に抽出グリッドの方に戻り、
これが継続される。抽出グリッドのワイヤを通り抜ける
電子の約95%は、減速し、停止し、陰極フィラメント
のワイヤ近くで反転するまで進み続ける。このサイクル
は継続的に繰り返すが、繰り返す回数は抽出グリッドの
透過率によって制限される。
【0051】陰極のエージング さらに別の問題は陰極のエージングである。本発明によ
るエリア陰極においては、リモート陰極の平均位置は変
化しないが、絶縁プレート902の電位と空間電荷雲の
幅は変化する。これは、同じ影響が従来技術の設計にお
いても起こるが、新規の設計ではこれを制御することが
できるので、特別な問題ではない。
るエリア陰極においては、リモート陰極の平均位置は変
化しないが、絶縁プレート902の電位と空間電荷雲の
幅は変化する。これは、同じ影響が従来技術の設計にお
いても起こるが、新規の設計ではこれを制御することが
できるので、特別な問題ではない。
【0052】絶縁プレート902の下側面の電位は、次
のパラメータの関数である。 Vplate=F(Vfilament,Tempfilament,Pos
accgrid)
のパラメータの関数である。 Vplate=F(Vfilament,Tempfilament,Pos
accgrid)
【0053】ここで、Vplateは絶縁プレート上の電圧
である。VfilamentとTempfilam entはそれぞれのフ
ィラメントの電圧と温度であり、Posaccgridは、抽
出グリッドの位置である。
である。VfilamentとTempfilam entはそれぞれのフ
ィラメントの電圧と温度であり、Posaccgridは、抽
出グリッドの位置である。
【0054】本発明は、Vplateにアクセスするため、
フィードバック装置でこれを使ってVplateを安定させ
ることができる。実際に、この電位は、ローカル仮想陰
極512から取り出される最高電子ボルトの電子以外の
すべての電子を偏向させることができなければならない
ため、フィラメント電圧に対して常にわずかに負であ
る。通常、プレートをゼロ電位にするのが(ドライバ回
路を設計しやすくするため)最も好都合であり、陰極フ
ィラメント・ワイヤをわずかに正の電圧にすると有利で
ある。
フィードバック装置でこれを使ってVplateを安定させ
ることができる。実際に、この電位は、ローカル仮想陰
極512から取り出される最高電子ボルトの電子以外の
すべての電子を偏向させることができなければならない
ため、フィラメント電圧に対して常にわずかに負であ
る。通常、プレートをゼロ電位にするのが(ドライバ回
路を設計しやすくするため)最も好都合であり、陰極フ
ィラメント・ワイヤをわずかに正の電圧にすると有利で
ある。
【0055】フィラメント電圧Vfilamentを利用してプ
レート電圧を安定させることができるが、追加の方法
は、フィラメント温度Tempfilamentを制御すること
である。これは、以前に、陰極のエージングのカウンタ
として従来のCRT(IBMテクニカル・デスクロージ
ャ・ブルテン、Vol.29、No.9、1987年2月、p.3896を参
照)において(様々な陰極温度条件下で実際のCRTの
寿命試験によるデータを使って)提案されているが、ビ
ーム電流を測定するために特別の装置を作成しなければ
ならないためより困難である。プレート電圧が利用可能
な場合は、測定は非常に容易であり(漏れ制御経路とし
ても働く単なる高インピーダンス電位計回路)、プレー
ト電圧が、最も簡単な一次サーボ回路を介してフィード
バックされ、ヒータ電力が制御され、それによりフィラ
メント温度が制御される。そのようなサーボにおける時
定数は数分と長く、したがって安定性は問題がない。実
際に、さらに好ましい実施形態においては、フィラメン
ト電圧とヒータ電力が両方とも、実験によってそれぞれ
決定された適切な比率で制御として使用される。実験に
よって達成される目的は、ビーム電流の安定性と、それ
による明るさの安定性である。
レート電圧を安定させることができるが、追加の方法
は、フィラメント温度Tempfilamentを制御すること
である。これは、以前に、陰極のエージングのカウンタ
として従来のCRT(IBMテクニカル・デスクロージ
ャ・ブルテン、Vol.29、No.9、1987年2月、p.3896を参
照)において(様々な陰極温度条件下で実際のCRTの
寿命試験によるデータを使って)提案されているが、ビ
ーム電流を測定するために特別の装置を作成しなければ
ならないためより困難である。プレート電圧が利用可能
な場合は、測定は非常に容易であり(漏れ制御経路とし
ても働く単なる高インピーダンス電位計回路)、プレー
ト電圧が、最も簡単な一次サーボ回路を介してフィード
バックされ、ヒータ電力が制御され、それによりフィラ
メント温度が制御される。そのようなサーボにおける時
定数は数分と長く、したがって安定性は問題がない。実
際に、さらに好ましい実施形態においては、フィラメン
ト電圧とヒータ電力が両方とも、実験によってそれぞれ
決定された適切な比率で制御として使用される。実験に
よって達成される目的は、ビーム電流の安定性と、それ
による明るさの安定性である。
【0056】ヒータ電力が条件にどのように影響するか
を理解するために、陰極フィラメントからの放出電流が
制限されない場合だけ2分の3空間電荷制限電力法則が
適切であることを理解されたい。放出電流が制限される
(また、これが陰極のエージングとともに減少する)
と、ローカル仮想陰極から取り出される電流の比率が重
要になる。K R スパンゲンバ−グ著「Vacuum Tube
s」、McGraw-Hill、1948、192〜193ページには、酸化物
陰極システムにおけるローカル仮想陰極の最小電位の位
置と値に関する次の式が示されている。
を理解するために、陰極フィラメントからの放出電流が
制限されない場合だけ2分の3空間電荷制限電力法則が
適切であることを理解されたい。放出電流が制限される
(また、これが陰極のエージングとともに減少する)
と、ローカル仮想陰極から取り出される電流の比率が重
要になる。K R スパンゲンバ−グ著「Vacuum Tube
s」、McGraw-Hill、1948、192〜193ページには、酸化物
陰極システムにおけるローカル仮想陰極の最小電位の位
置と値に関する次の式が示されている。
【数4】
【0057】ここで、Tは゜Kにおけるエミッタ温度、
Pは取り出された電流の割合である。実際には、より正
確な解では、XLにはVxLの係数と別に温度の影響があ
る。(XL+X0)は、実際にはワイヤ・フィラメント6
04と抽出グリッド602の間の一定の幾何的距離であ
ることに留意されたい。
Pは取り出された電流の割合である。実際には、より正
確な解では、XLにはVxLの係数と別に温度の影響があ
る。(XL+X0)は、実際にはワイヤ・フィラメント6
04と抽出グリッド602の間の一定の幾何的距離であ
ることに留意されたい。
【0058】熱電子陰極からの放出は、D A ライト
による論文「A survey of the present knowledge of t
hermionic emitters」、 Proc IRE、1952、pp.125〜142
に、次のように示されている。
による論文「A survey of the present knowledge of t
hermionic emitters」、 Proc IRE、1952、pp.125〜142
に、次のように示されている。
【数5】
【0059】ここで、Jは、A/cm2における電流密
度である。A0は定数(使用開始時の酸化物陰極は通常
約70A/cm2−deg2)、φは、材料の仕事関数
(1000゜Kにおける酸化物陰極では通常1.5電子
ボルト)、kは、電子ボルトでのボルツマン定数(8.
6×10-5)である。
度である。A0は定数(使用開始時の酸化物陰極は通常
約70A/cm2−deg2)、φは、材料の仕事関数
(1000゜Kにおける酸化物陰極では通常1.5電子
ボルト)、kは、電子ボルトでのボルツマン定数(8.
6×10-5)である。
【0060】Tが増大すると陰極の放出電流密度が増大
し(また、速度分布が少し増大し)、放出電流密度が増
大するとPの割合が減少する。放出電流密度は温度の影
響を受けやすい。上の式では、37゜K高くなるとJの
値が2倍になるため、ヒータ電力を利用して経年変化に
よるA0の低下を容易に補正することができる。
し(また、速度分布が少し増大し)、放出電流密度が増
大するとPの割合が減少する。放出電流密度は温度の影
響を受けやすい。上の式では、37゜K高くなるとJの
値が2倍になるため、ヒータ電力を利用して経年変化に
よるA0の低下を容易に補正することができる。
【0061】本発明のエリア陰極は、仮想リモート陰極
の空間電荷雲の位置が、正確な寸法に作成できる固定絶
縁プレートの形状によって一定になるという利点を有す
る。位置が変化しないので、絶縁プレート以外の構造物
が機械的、電気的あるいは物理的に変化しない。プレー
トの下側に生じる電子電荷電位によって、プレートの孔
から押し出す制御グリッド抽出電圧の必要条件とは別
に、制御グリッドの一定値から陰極を分離する。プレー
ト上の電圧を測定しそれを使って、プレート電圧の形状
の変化の影響と陰極エージングの影響をなくすことがで
きる。
の空間電荷雲の位置が、正確な寸法に作成できる固定絶
縁プレートの形状によって一定になるという利点を有す
る。位置が変化しないので、絶縁プレート以外の構造物
が機械的、電気的あるいは物理的に変化しない。プレー
トの下側に生じる電子電荷電位によって、プレートの孔
から押し出す制御グリッド抽出電圧の必要条件とは別
に、制御グリッドの一定値から陰極を分離する。プレー
ト上の電圧を測定しそれを使って、プレート電圧の形状
の変化の影響と陰極エージングの影響をなくすことがで
きる。
【0062】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【0063】(1)陰極手段と、コリメーション・ブロ
ックと、制御グリッド手段とを含む電子供給源であっ
て、前記制御グリッド手段が前記陰極手段から前記コリ
メーション・ブロックへの電子の流れを制御し、前記コ
リメーション・ブロックが陰極手段に対面する表面に絶
縁プレートを含み前記陰極手段から受け取った電子を1
つまたは複数の電子ビームに形成してターゲットに向け
て案内し、前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面する
表面は前記制御グリッド手段から所定の距離にあり前記
1つまたは複数の電子ビームのそれぞれ用の1つまたは
複数の孔が開けられていることを特徴とする電子供給
源。 (2)前記孔が前記コリメーション・ブロック内に行と
列の2次元のアレイで配置されていることを特徴とする
上記(1)に記載の電子供給源。 (3)前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面する表面
に絶縁された導電層をさらに含む上記(1)に記載の電
子供給源。 (4)前記導電層に接続された漏れ制御抵抗をさらに含
む上記(3)に記載の電子供給源。 (5)前記陰極手段が抽出グリッド手段を含み、前記電
子供給源が、前記抽出グリッド手段に接続された漏れ制
御抵抗をさらに含むことを特徴とする上記(3)に記載
の電子供給源。 (6)前記導電層に接続された電圧測定装置をさらに含
む上記(4)に記載の電子供給源。 (7)前記陰極手段が熱電子放出装置を含むことを特徴
とする上記(1)ないし(6)のいずれか一項に記載の
電子供給源。 (8)前記コリメーション・ブロックが磁石を含むこと
を特徴とする上記(1)ないし(7)のいずれか一項に
記載の電子供給源。 (9)上記(1)ないし(8)のいずれか一項に記載の
電子供給源と、前記電子供給源から電子を受け取るため
に、前記コリメーション・ブロックの前記陰極手段から
遠い側に向いた蛍光体被覆を有するスクリーンと、前記
制御グリッド手段と陽極手段に制御信号を供給して、前
記陰極手段からチャネルを介した蛍光体被覆への電子の
流れを選択的に制御して、前記スクリーン上にイメージ
を生成する手段とを含む表示装置。 (10)メモリ手段と、データを前記メモリ手段との間
でやり取りするためのデータ転送手段と、前記メモリ手
段に記憶されたデータを処理するプロセッサ手段と、前
記プロセッサ手段によって処理されたデータを表示する
上記(9)に記載の表示装置とを含むコンピュータ・シ
ステム。
ックと、制御グリッド手段とを含む電子供給源であっ
て、前記制御グリッド手段が前記陰極手段から前記コリ
メーション・ブロックへの電子の流れを制御し、前記コ
リメーション・ブロックが陰極手段に対面する表面に絶
縁プレートを含み前記陰極手段から受け取った電子を1
つまたは複数の電子ビームに形成してターゲットに向け
て案内し、前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面する
表面は前記制御グリッド手段から所定の距離にあり前記
1つまたは複数の電子ビームのそれぞれ用の1つまたは
複数の孔が開けられていることを特徴とする電子供給
源。 (2)前記孔が前記コリメーション・ブロック内に行と
列の2次元のアレイで配置されていることを特徴とする
上記(1)に記載の電子供給源。 (3)前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面する表面
に絶縁された導電層をさらに含む上記(1)に記載の電
子供給源。 (4)前記導電層に接続された漏れ制御抵抗をさらに含
む上記(3)に記載の電子供給源。 (5)前記陰極手段が抽出グリッド手段を含み、前記電
子供給源が、前記抽出グリッド手段に接続された漏れ制
御抵抗をさらに含むことを特徴とする上記(3)に記載
の電子供給源。 (6)前記導電層に接続された電圧測定装置をさらに含
む上記(4)に記載の電子供給源。 (7)前記陰極手段が熱電子放出装置を含むことを特徴
とする上記(1)ないし(6)のいずれか一項に記載の
電子供給源。 (8)前記コリメーション・ブロックが磁石を含むこと
を特徴とする上記(1)ないし(7)のいずれか一項に
記載の電子供給源。 (9)上記(1)ないし(8)のいずれか一項に記載の
電子供給源と、前記電子供給源から電子を受け取るため
に、前記コリメーション・ブロックの前記陰極手段から
遠い側に向いた蛍光体被覆を有するスクリーンと、前記
制御グリッド手段と陽極手段に制御信号を供給して、前
記陰極手段からチャネルを介した蛍光体被覆への電子の
流れを選択的に制御して、前記スクリーン上にイメージ
を生成する手段とを含む表示装置。 (10)メモリ手段と、データを前記メモリ手段との間
でやり取りするためのデータ転送手段と、前記メモリ手
段に記憶されたデータを処理するプロセッサ手段と、前
記プロセッサ手段によって処理されたデータを表示する
上記(9)に記載の表示装置とを含むコンピュータ・シ
ステム。
【図1】CRTに使用されるタイプの典型的な従来技術
の間接加熱型熱電子陰極の図である。
の間接加熱型熱電子陰極の図である。
【図2】図1の陰極から放出される電子の速度分布のグ
ラフである。
ラフである。
【図3】図1の構造のような典型的な構造の電位と陰極
からの距離との関係を示すグラフである。
からの距離との関係を示すグラフである。
【図4】従来技術の二極真空管の電圧電流特性のグラフ
である。
である。
【図5】リモート仮想陰極を有する従来技術のフラット
・スクリーンCRTの断面図である。
・スクリーンCRTの断面図である。
【図6】フラット・マトリックス駆動型CRT用に特に
設計された従来技術のリモート仮想陰極の図である。
設計された従来技術のリモート仮想陰極の図である。
【図7】1つの電子の経路を示す図6の陰極の断面図で
ある。
ある。
【図8】図7の陰極の電位分布と電子速度のグラフであ
る。
る。
【図9】最初に電源が入りピクチャが表示されていない
ときの状態を示す、本発明による陰極の断面図である。
ときの状態を示す、本発明による陰極の断面図である。
【図10】平衡状態を示す、本発明による陰極の断面図
である。
である。
502 制御グリッド 506 コリメーション・ブロック 510 陰極フィラメント 512 ローカル仮想陰極 514 マスク・グリッド 902 絶縁プレート
フロントページの続き (72)発明者 アンドリュー・ラムゼイ・ノックス イギリス ケイ・エイ25 7ジェイ・ゼッ ト エアシャー キルバーニー ミルト ン・ロード ガーノック・ロッジ (72)発明者 クリストファー・カルロ・ピエトジャク イギリス ピー・エイ19 1エヌ・アール スコットランド レンヒューシャー グ ーロック アッシュボーン・ゲート 2
Claims (10)
- 【請求項1】陰極手段と、コリメーション・ブロック
と、制御グリッド手段とを含む電子供給源であって、前
記制御グリッド手段が前記陰極手段から前記コリメーシ
ョン・ブロックへの電子の流れを制御し、前記コリメー
ション・ブロックが陰極手段に対面する表面に絶縁プレ
ートを含み前記陰極手段から受け取った電子を1つまた
は複数の電子ビームに形成してターゲットに向けて案内
し、前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面する表面は
前記制御グリッド手段から所定の距離にあり前記1つま
たは複数の電子ビームのそれぞれ用の1つまたは複数の
孔が開けられていることを特徴とする電子供給源。 - 【請求項2】前記孔が前記コリメーション・ブロック内
に行と列の2次元のアレイで配置されていることを特徴
とする請求項1に記載の電子供給源。 - 【請求項3】前記絶縁プレートの前記陰極手段に対面す
る表面に絶縁された導電層をさらに含む請求項1に記載
の電子供給源。 - 【請求項4】前記導電層に接続された漏れ制御抵抗をさ
らに含む請求項3に記載の電子供給源。 - 【請求項5】前記陰極手段が抽出グリッド手段を含み、
前記電子供給源が、前記抽出グリッド手段に接続された
漏れ制御抵抗をさらに含むことを特徴とする請求項3に
記載の電子供給源。 - 【請求項6】前記導電層に接続された電圧測定装置をさ
らに含む請求項4に記載の電子供給源。 - 【請求項7】前記陰極手段が熱電子放出装置を含むこと
を特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の
電子供給源。 - 【請求項8】前記コリメーション・ブロックが磁石を含
むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に
記載の電子供給源。 - 【請求項9】請求項1ないし8のいずれか一項に記載の
電子供給源と、 前記電子供給源から電子を受け取るために、前記コリメ
ーション・ブロックの前記陰極手段から遠い側に向いた
蛍光体被覆を有するスクリーンと、 前記制御グリッド手段と陽極手段に制御信号を供給し
て、前記陰極手段からチャネルを介した蛍光体被覆への
電子の流れを選択的に制御して、前記スクリーン上にイ
メージを生成する手段とを含む表示装置。 - 【請求項10】メモリ手段と、 データを前記メモリ手段との間でやり取りするためのデ
ータ転送手段と、 前記メモリ手段に記憶されたデータを処理するプロセッ
サ手段と、 前記プロセッサ手段によって処理されたデータを表示す
る請求項9に記載の表示装置とを含むコンピュータ・シ
ステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9703807.9 | 1997-02-24 | ||
GB9703807A GB2322471A (en) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | Self stabilising cathode |
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Publication Number | Publication Date |
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WO2001037305A2 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mesa Vision | Monolithic multi-electrode grid structures for application in thin flat cathode ray array tubes |
GB0600320D0 (en) | 2006-01-09 | 2006-02-15 | Avon Vibration Man Syst Ltd | Hydraulically damped mounting device |
JP2022081185A (ja) | 2020-11-19 | 2022-05-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子放出源の動作制御方法、電子ビーム描画方法、及び電子ビーム描画装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4719388A (en) * | 1985-08-13 | 1988-01-12 | Source Technology Corporation | Flat electron control device utilizing a uniform space-charge cloud of free electrons as a virtual cathode |
FR2641412B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-02-15 | Thomson Tubes Electroniques | Source d'electrons du type a emission de champ |
KR940004398B1 (ko) * | 1991-06-05 | 1994-05-25 | 삼성전관 주식회사 | 평판형 시각 디스플레이 장치 및 이에 의한 화상 형성방법 |
US5424605A (en) * | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
US5473218A (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-05 | Motorola, Inc. | Diamond cold cathode using patterned metal for electron emission control |
FR2726688B1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence |
JP3431765B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2003-07-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電子供給装置及び表示装置 |
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1997
- 1997-02-24 GB GB9703807A patent/GB2322471A/en not_active Withdrawn
- 1997-05-13 TW TW086106378A patent/TW382735B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-06 US US08/907,070 patent/US5939842A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-10 GB GB9719109A patent/GB2322472B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-13 KR KR1019970052241A patent/KR100276997B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-29 DE DE69805678T patent/DE69805678T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-29 EP EP98300636A patent/EP0860853B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-16 JP JP03258698A patent/JP3424201B2/ja not_active Expired - Fee Related
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GB9719109D0 (en) | 1997-11-12 |
GB2322472A (en) | 1998-08-26 |
GB9703807D0 (en) | 1997-04-16 |
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