JPH10245432A - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor deviceInfo
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- JPH10245432A JPH10245432A JP5199497A JP5199497A JPH10245432A JP H10245432 A JPH10245432 A JP H10245432A JP 5199497 A JP5199497 A JP 5199497A JP 5199497 A JP5199497 A JP 5199497A JP H10245432 A JPH10245432 A JP H10245432A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成形時の流動性、
硬化性に優れ、金型汚れが生じず、かつ半田リフロー時
の耐クラック性、保存安定性に優れるエポキシ樹脂組成
物、および該エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体
装置に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a fluidity during molding,
The present invention relates to an epoxy resin composition which is excellent in curability, does not cause mold contamination, and has excellent crack resistance and storage stability during solder reflow, and a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition.
【0002】[0002]
【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性、接着性などに優れており、さらに配合処方により種
々の特性が付与できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材
料など工業材料として利用されている。2. Description of the Related Art Epoxy resins are excellent in heat resistance, moisture resistance, electrical properties, adhesiveness, etc., and can be imparted with various properties by blending and prescription, so that they are used as industrial materials such as paints, adhesives, and electrical insulating materials. Have been.
【0003】たとえば、半導体装置などの電子回路部品
の封止方法として従来より金属やセラミックスによるハ
ーメチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されている。そ
の中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエ
ポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。For example, as a method for sealing electronic circuit components such as semiconductor devices, a hermetic seal made of metal or ceramic and a phenol resin, silicone resin,
Resin sealing using an epoxy resin or the like has been proposed. Among them, resin sealing with an epoxy resin is most actively performed in terms of balance between economy, productivity and physical properties.
【0004】一方、最近はプリント基板への半導体装置
パッケージの実装において高密度化、自動化が進められ
ており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入
実装方式”に代り、基板表面にパッケージを半田付けす
る“表面実装方式”が盛んになってきた。On the other hand, in recent years, the density and automation of mounting a semiconductor device package on a printed circuit board have been advanced, and instead of the conventional “insert mounting method” in which lead pins are inserted into holes of the board, the package is mounted on the surface of the board. "Surface mounting method" for soldering has become popular.
【0005】それに伴い、パッケージも従来のDIP
(デュアル・インライン・パッケージ)から、高密度実
装、表面実装に適した薄型のFPP(フラット・プラス
チック・パッケージ)に移行しつつある。[0005] Along with this, the package is also a conventional DIP
(Dual in-line package) to thin FPP (flat plastic package) suitable for high-density mounting and surface mounting.
【0006】さらに、微細加工技術の進歩によりICチ
ップの集積度は向上しているがそれ以上に集積数を上げ
るために、パッケージ中のICチップの占有面積が増加
し、さらにパッケージが大型、多ピン化してきている。Although the degree of integration of IC chips has been improved due to advances in microfabrication technology, the area occupied by IC chips in a package has been increased in order to further increase the number of integrated circuits. It is becoming pinned.
【0007】これらのパッケージを封止するには封止樹
脂の流動性を高レベルで保持しなければパッケージの未
充填や、ボイドが発生し、生産不良となる。これらの点
で流動性、保存安定性は今後ますます重要になってく
る。In order to seal these packages, if the fluidity of the sealing resin is not maintained at a high level, the packages will not be filled or voids will occur, resulting in defective production. In these respects, fluidity and storage stability will become increasingly important in the future.
【0008】半導体装置の封止は、最近ではタブレット
形状のエポキシ樹脂組成物を使用し、低圧トランスファ
ー成形機を用いて、150℃以上に加熱した金型にエポ
キシ樹脂組成物を流し込み、硬化させることで行われて
いる。成形は通常180秒以内の短時間で行われるた
め、硬化性も重要な物性となっている。[0008] In recent years, a semiconductor device is encapsulated by using a tablet-shaped epoxy resin composition, pouring the epoxy resin composition into a mold heated to 150 ° C. or higher using a low-pressure transfer molding machine, and curing the epoxy resin composition. It is done in. Since molding is usually performed in a short time of 180 seconds or less, curability is also an important physical property.
【0009】また成形は、金型を用い連続的におこなわ
れ、しばしば金型汚れが発生する。この金型汚れは、パ
ッケージに欠陥をもたらすため、発生しないことが重要
な課題となる。[0009] Molding is performed continuously using a mold, and mold contamination often occurs. Since this mold contamination causes a defect in the package, it is an important issue that the mold contamination does not occur.
【0010】また表面実装においては、通常半田リフロ
ーによる実装が行われる。この方法では、パッケージを
200℃以上の高温にさらし、半田を溶融させチップと
フレームを接着させる。この際樹脂の吸水性が高いと、
パッケージ中の水分の急激な膨張によりパッケージにク
ラックが入るという現象が起こる。従って半田リフロー
時の耐クラック性は非常に重要となる。[0010] In surface mounting, mounting is usually performed by solder reflow. In this method, the package is exposed to a high temperature of 200 ° C. or more to melt the solder and bond the chip and the frame. At this time, if the water absorption of the resin is high,
A phenomenon occurs in which the package is cracked due to rapid expansion of moisture in the package. Therefore, crack resistance during solder reflow is very important.
【0011】従来、エポキシ封止樹脂組成物を硬化させ
るための硬化剤としては、アミン系、酸無水物系、フェ
ノール系など硬化剤が用いられてきた。また通常、硬化
剤のみでは硬化反応が進みにくいので、硬化促進剤の添
加が行われる。この硬化促進剤としては、三級アミン化
合物、二級アミン化合物、フッ化ホウ素、ピペリジン、
イミダゾール類、三級ホスフィン化合物などが用いられ
てきた。これらの硬化剤、硬化促進剤に加え、エポキシ
樹脂、無機充填剤などを配合することによりエポキシ封
止樹脂組成物となる。Conventionally, as a curing agent for curing the epoxy sealing resin composition, an amine-based, acid anhydride-based, phenol-based curing agent has been used. Usually, the curing reaction is difficult to proceed only with the curing agent, and therefore, a curing accelerator is added. As the curing accelerator, tertiary amine compounds, secondary amine compounds, boron fluoride, piperidine,
Imidazoles, tertiary phosphine compounds and the like have been used. An epoxy sealing resin composition is obtained by blending an epoxy resin, an inorganic filler, and the like in addition to these curing agents and curing accelerators.
【0012】しかしながら従来の配合方法では、流動
性、硬化性、半田リフロー時の耐クラック性、保存安定
性などの特性を同時に満足させるような硬化物が得られ
るエポキシ封止樹脂組成物を得ることはできなかった。However, according to the conventional compounding method, it is necessary to obtain an epoxy sealing resin composition capable of obtaining a cured product which simultaneously satisfies characteristics such as fluidity, curability, crack resistance during solder reflow, and storage stability. Could not.
【0013】一方特公昭51−24399号公報におい
てエポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂硬化剤及び
テトラ置換ボレートとの組み合わせにより、硬化性及び
保存安定性の優れたエポキシ封止樹脂組成物が得られる
ことが記載されている。また特公昭56−45491号
公報において、硬化剤としてフェノールノボラック樹
脂、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウム・テ
トラフェニルボレート、エポキシ樹脂として、クレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを
併用した系について記載されている。しかしながらこれ
らのエポキシ封止樹脂組成物は、半田リフロー時におけ
る耐クラック性が充分ではないという問題があった。On the other hand, Japanese Patent Publication No. 51-24399 discloses that an epoxy sealing resin composition having excellent curability and storage stability can be obtained by combining an epoxy resin, a phenol novolak resin curing agent and a tetra-substituted borate. Have been. JP-B-56-45491 describes a system in which a phenol novolak resin is used as a curing agent, tetraphenylphosphonium / tetraphenyl borate is used as a curing accelerator, and a cresol novolak epoxy resin, an alicyclic epoxy resin is used as an epoxy resin. Have been. However, these epoxy sealing resin compositions have a problem that crack resistance during solder reflow is not sufficient.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した従来
技術における問題点の解決を課題として検討した結果達
成されたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been achieved as a result of studying to solve the above-mentioned problems in the prior art.
【0015】従って本発明の目的は、成形時の流動性、
硬化性に優れ、金型汚れが生じず、かつ半田リフロー時
の耐クラック性、耐剥離性、保存安定性に優れるエポキ
シ樹脂組成物、および該エポキシ樹脂組成物で封止して
なる半導体装置を提供することである。[0015] Accordingly, the object of the present invention is to provide fluidity during molding,
An epoxy resin composition which is excellent in curability, does not cause mold contamination, and has excellent crack resistance during solder reflow, peel resistance and storage stability, and a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition. To provide.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 1.「エポキシ樹脂(A)、フェノール系硬化剤
(B)、硬化促進剤(C)としてテトラ置換ホスホニウ
ム・テトラ置換ボレート(c1)及び分子中に2個以上の窒
素原子を有し、窒素原子の少なくともひとつが炭素と二
重結合を有する構造を有する化合物(c2)、ならびに無
機充填剤(D)を含有し、前期フェノール系硬化剤
(B)が一般式(II)で表される化合物を含有し、かつ
無機充填剤(D)をエポキシ樹脂組成物全体の86〜9
5重量%含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成
物。That is, the present invention provides: "Epoxy resin (A), phenolic curing agent (B), tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (c1) as curing accelerator (C) and at least two nitrogen atoms in the molecule, at least one of nitrogen atoms It contains a compound (c2) having a structure having one carbon and a double bond, and an inorganic filler (D), and the phenolic curing agent (B) contains a compound represented by the general formula (II). And the inorganic filler (D) is contained in 86 to 9 parts of the entire epoxy resin composition.
An epoxy resin composition containing 5% by weight.
【化4】 R3-(-CH2-R1-CH2-R2-)n-CH2-R1-CH2-R3 (II) (ただし、式(II)中のR1は2価の芳香族基、R2は水
酸基を有する2価の芳香族基、R3は水酸基を有する1
価の芳香族基、R1〜R3はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、nは0または1以上の整数を示す。)」 2.「化合物(c2)がイミダゾール化合物である前記のエ
ポキシ樹脂組成物。」 3.「イミダゾール化合物が化学式(I)の構造を有す
るものである前記のエポキシ樹脂組成物。Embedded image R 3 — (— CH 2 —R 1 —CH 2 —R 2 —) n —CH 2 —R 1 —CH 2 —R 3 (II) (where R 1 in the formula (II) is divalent aromatic group, R 2 is a divalent aromatic group having a hydroxyl group, 1 R 3 is having a hydroxyl group
The valent aromatic groups and R 1 to R 3 may be the same or different, and n represents 0 or an integer of 1 or more. ) "2. 2. The above-mentioned epoxy resin composition wherein the compound (c2) is an imidazole compound. "The epoxy resin composition as described above, wherein the imidazole compound has the structure of the chemical formula (I).
【化5】 (式Iにおいて、R1〜R4は1価の有機基または水素原
子を示す。)」 4.「 テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート
(c1)がテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボ
レートであることを特徴とする前記いずれかのエポキシ
樹脂組成物。」 5.「化合物(c2)の配合割合が、化合物(c2)とテトラ置
換ホスホニウム・テトラ置換ボレートとの合計重量の3
〜70重量%である前記いずれかのエポキシ樹脂組成
物。」 6.「化合物(c2)が、2−メチル−4−エチルイミダゾ
ールであるいずれかのエポキシ樹脂組成物。」 7.「エポキシ樹脂(A)が一般式(III)であるエポ
キシ樹脂を含有することを特徴とする前記いずれかのエ
ポキシ樹脂組成物。Embedded image (In the formula I, R 1 to R 4 represent a monovalent organic group or a hydrogen atom.) ” “Tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate
(c1) The epoxy resin composition according to any of the above, wherein the epoxy resin composition is tetraphenylphosphonium tetraphenylborate. "5. "The compounding ratio of the compound (c2) is 3% of the total weight of the compound (c2) and the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate.
The epoxy resin composition according to any one of the above, which is about 70% by weight. 6. "Any epoxy resin composition wherein the compound (c2) is 2-methyl-4-ethylimidazole.""The epoxy resin composition according to any one of the above, wherein the epoxy resin (A) contains an epoxy resin represented by the general formula (III).
【化6】 (ただし式中のR1〜R8は水素原子、1価の有機基また
はハロゲン原子を示す。)」 8.「一般式(II)を有する化合物が、式(II)におい
て、R1が2価のフェニル基、R2は水酸基を有する2価
のフェニル基、R3が水酸基を有する1価のフェニル基
であるものである前記いずれかのエポキシ樹脂組成
物。」 9.「一般式(II)を有する化合物が、式(II)におい
て、R1が2価のビフェニル基、R2は水酸基を有する2
価のフェニル基、R3が水酸基を有する1価のフェニル
基であることを特徴とする前記いずれかのエポキシ樹脂
組成物。」 10.「半導体封止用である前記いずれかのエポキシ樹
脂組成物。」 11.「前記のエポキシ樹脂組成物によって半導体素子
が封止された半導体装置。」を提供するものである。Embedded image (However, R 1 to R 8 in the formula represent a hydrogen atom, a monovalent organic group or a halogen atom.) ” "The compound having the general formula (II) is a compound represented by the formula (II) wherein R 1 is a divalent phenyl group, R 2 is a divalent phenyl group having a hydroxyl group, and R 3 is a monovalent phenyl group having a hydroxyl group. Any one of the above epoxy resin compositions. ""The compound having the general formula (II) is a compound represented by the formula (II) wherein R 1 is a divalent biphenyl group, and R 2 is
The epoxy resin composition according to any one of the above, wherein the trivalent phenyl group and R 3 are a monovalent phenyl group having a hydroxyl group. 10. "Either of the above epoxy resin compositions for semiconductor encapsulation." It is intended to provide a "semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition."
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
本発明において「重量」とは「質量」を意味する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration of the present invention will be described below in detail.
In the present invention, “weight” means “mass”.
【0018】本発明で用いるエポキシ樹脂(A)は、1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するものでとくに限
定されず、これらの具体例としては、例えばクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、線状脂肪族エポ
キシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹
脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキ
シ樹脂などが挙げられる。The epoxy resin (A) used in the present invention comprises 1
Those having two or more epoxy groups in the molecule are not particularly limited, and specific examples thereof include, for example, cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol Examples include F-type epoxy resins, naphthalene skeleton-containing epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, spiro ring-containing epoxy resins, and halogenated epoxy resins.
【0019】本発明において、エポキシ樹脂(A)は単
独で用いても、2種類以上併用して用いてもかまわな
い。特に好まいエポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格
を有するエポキシ樹脂、具体的には下記一般式(III)
で表される骨格を有するビフェニル型エポキシ樹脂を成
分として含有するものである。In the present invention, the epoxy resin (A) may be used alone or in combination of two or more. Particularly preferred epoxy resin is an epoxy resin having a biphenyl skeleton, specifically, the following general formula (III)
It contains a biphenyl type epoxy resin having a skeleton represented by the following formula as a component.
【0020】[0020]
【化7】 (ただし、式中のR1 〜R8 は、水素原子、1価の有機
基またはハロゲン原子を示す。) 一般式(III)のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の一成分
として含有する場合その割合は特に限定しないが、好ま
しくはエポキシ樹脂全体の50〜100重量、より好ま
しくは70〜100重量%、さらに好ましくは90〜1
00重量%含有することである。Embedded image (However, R 1 to R 8 in the formula represent a hydrogen atom, a monovalent organic group or a halogen atom.) When the epoxy resin of the general formula (III) is contained as one component of the epoxy resin, the ratio is particularly Although not limited, preferably 50 to 100% by weight of the entire epoxy resin, more preferably 70 to 100% by weight, further preferably 90 to 1% by weight.
That is, the content is 00% by weight.
【0021】一般式(II)で表されるエポキシ樹脂骨格
の具体例としては、4,4´−ビス(2,3−エポキシ
プロポキシ)ビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エ
ポキシプロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラメチ
ルビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロ
ポキシ)−3,3´,5,5´−テトラメチル−2−ク
ロロビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプ
ロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラメチル−2−
ブロモビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシ
プロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラエチルビフ
ェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポキ
シ)−3,3´,5,5´−テトラブチルビフェニル、
4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ビフェ
ニル、および4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポ
キシ)−3,3´,5,5´−テトラメチルビフェニル
などが挙げられる。好ましくは4,4´−ビス(2,3
−エポキシプロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラ
メチルビフェニル、 4,4´−ビス(2,3−エポキ
シプロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラエチルビ
フェニルである。さらに好ましくは4,4´−ビス
(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3´,5,5´
−テトラメチルビフェニルである。Specific examples of the epoxy resin skeleton represented by the general formula (II) include 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) biphenyl and 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy). ) -3,3 ′, 5,5′-tetramethylbiphenyl, 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-2-chlorobiphenyl, , 4'-Bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetramethyl-2-
Bromobiphenyl, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetraethylbiphenyl, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3' , 5,5'-tetrabutylbiphenyl,
4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) biphenyl and 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetramethylbiphenyl and the like. Preferably, 4,4'-bis (2,3
-Epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetramethylbiphenyl and 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3', 5,5'-tetraethylbiphenyl. More preferably, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'
-Tetramethylbiphenyl.
【0022】上記のエポキシ樹脂はそれぞれ単独でも、
または混合系で用いる場合でも十分に効果を発揮する。
また上記エポキシ樹脂がエポキシ基の反応により部分的
に付加した化合物も使用できる。Each of the above epoxy resins may be used alone,
Alternatively, even when used in a mixed system, the effect is sufficiently exhibited.
Further, a compound in which the epoxy resin is partially added by a reaction of an epoxy group can also be used.
【0023】本発明においてエポキシ樹脂の粘度として
は特に限定はしないが、成形性(流動性)がすぐれてい
る点で、150℃におけるICI溶融粘度が3ps以下
のエポキシ樹脂が好ましい。In the present invention, the viscosity of the epoxy resin is not particularly limited, but an epoxy resin having an ICI melt viscosity at 150 ° C. of 3 ps or less is preferred in view of excellent moldability (flowability).
【0024】本発明において、上記エポキシ樹脂(A)
のエポキシ樹脂組成物全体に対する配合量は、通常1〜
12重量%、好ましくは3〜10重量%,さらに好まし
くは3〜8重量%である。エポキシ樹脂(A)の配合量
が少ないと成形性や接着性が不十分となり、また多いと
越えると線膨脹係数が大きくなり、低応力化が困難にな
る傾向がある。In the present invention, the epoxy resin (A)
Is usually 1 to 1 in the epoxy resin composition.
It is 12% by weight, preferably 3 to 10% by weight, more preferably 3 to 8% by weight. If the amount of the epoxy resin (A) is small, the moldability and the adhesiveness are insufficient. If the amount is too large, the coefficient of linear expansion tends to be large, and it tends to be difficult to reduce the stress.
【0025】本発明におけるフェノール系硬化剤(B)
は、一般式(I)で表されるものを含有する。一般式
(I)中のR1は水酸基を有しない2価の芳香族基、R2
は水酸基を有する2価の芳香族基、R3は水酸基を有す
る1価の芳香族基、R1〜R3は同一であっても、異なっ
ていてもよく、nは0または1以上の整数である。The phenolic curing agent (B) in the present invention
Contains those represented by the general formula (I). R 1 in the general formula (I) is a divalent aromatic group having no hydroxyl group, R 2
Is a divalent aromatic group having a hydroxyl group, R 3 is a monovalent aromatic group having a hydroxyl group, R 1 to R 3 may be the same or different, and n is 0 or an integer of 1 or more It is.
【化8】 R3-(-CH2-R1-CH2-R2-)n-CH2-R1-CH2-R3 (I) 好ましくは、R1が2価のフェニル基、R2は水酸基を有
する2価のフェニル基、R3が水酸基を有する1価のフ
ェニル基であるフェノール系硬化剤、およびR1が2価
のビフェニル基、R2は水酸基を有する2価のフェニル
基、R3が水酸基を有する1価のフェニル基であるフェ
ノール系硬化剤である。Embedded image R 3 — (— CH 2 —R 1 —CH 2 —R 2 —) n —CH 2 —R 1 —CH 2 —R 3 (I) Preferably, R 1 is a divalent phenyl group, R 2 is a divalent phenyl group having a hydroxyl group; R 3 is a phenolic curing agent having a monovalent phenyl group having a hydroxyl group; R 1 is a divalent biphenyl group; and R 2 is a divalent phenyl group having a hydroxyl group. A phenolic curing agent wherein the group, R 3, is a monovalent phenyl group having a hydroxyl group.
【0026】一般式(I)で表されるフェノール系硬化
剤以外にフェノール系硬化剤を併用することができ、そ
の硬化剤は、エポキシ樹脂(A)と反応して硬化しうる
フェノール系の硬化剤であれば特に限定されず、それら
の具体例としては、たとえばフェノ−ルノボラック樹
脂、クレゾ−ルノボラック樹脂、ビスフェノ−ルAやレ
ゾルシンから合成される各種ノボラック樹脂、トリス
(ヒドロキシフェニル)メタン、ジヒドロキシビフェニ
ルなどの多種多価フェノ−ル化合物などがあげられる。
一般式(I)で表されるフェノール系硬化剤以外に硬化
剤を併用する場合、その混合割合は一般式(I)で表さ
れるフェノール系硬化剤の含有量は全フェノール硬化剤
量の20〜100重量%、50〜100重量%、70〜
100重量%、80〜100重量%の順に好ましい。
本発明において、フェノール系硬化剤(B)の配合量
は、エポキシ樹脂組成物全体の通常0.1〜10重量
%、好ましくは0.5〜7重量%さらに好ましくは1〜
6重量%である。さらには、エポキシ樹脂(A)とフェ
ノール系硬化剤(B)の配合比は、機械的性質および耐
湿信頼性の点から(A)に対する(B)の化学当量比が
0.5〜1.5、特に0.8〜1.2の範囲にあること
が好ましい。In addition to the phenolic curing agent represented by the general formula (I), a phenolic curing agent can be used in combination, and the curing agent is a phenolic curing agent which can be cured by reacting with the epoxy resin (A). The agent is not particularly limited as long as it is an agent. Specific examples thereof include phenol novolak resin, cresol novolak resin, various novolak resins synthesized from bisphenol A and resorcin, tris (hydroxyphenyl) methane, dihydroxybiphenyl And other polyvalent phenol compounds.
When a curing agent other than the phenolic curing agent represented by the general formula (I) is used in combination, the content of the phenolic curing agent represented by the general formula (I) is 20% of the total phenolic curing agent amount. ~ 100% by weight, 50 ~ 100% by weight, 70 ~
100% by weight, preferably in the order of 80 to 100% by weight.
In the present invention, the blending amount of the phenolic curing agent (B) is usually 0.1 to 10% by weight, preferably 0.5 to 7% by weight, more preferably 1 to 10% by weight of the whole epoxy resin composition.
6% by weight. Furthermore, the mixing ratio of the epoxy resin (A) and the phenolic curing agent (B) is such that the chemical equivalent ratio of (B) to (A) is 0.5 to 1.5 in view of mechanical properties and moisture resistance reliability. In particular, it is preferably in the range of 0.8 to 1.2.
【0027】本発明において硬化促進剤(C)として、
テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレ−ト(c1)及び
分子中に2個以上の窒素原子を有し、窒素原子の少なく
ともひとつが炭素と二重結合を有する構造を有する化合
物(c2)を含有する。In the present invention, as the curing accelerator (C),
The compound includes a tetra-substituted phosphonium tetra-substituted borate (c1) and a compound (c2) having a structure having at least one nitrogen atom in the molecule and at least one of the nitrogen atoms having a carbon and a double bond.
【0028】本発明における硬化促進剤の添加量として
は特に限定はしないが、好ましくはテトラ置換ホスホニ
ウム・テトラ置換ボレ−ト(c1)及び化合物(c2)の合計重
量が、エポキシ樹脂組成物重量の0.05〜1.5%が
好ましい。より好ましくは0.08〜1.0%であり、
さらに好ましくは0.1〜0.5%である。これら二種
類の硬化促進剤の間の配合割合は、特に限定はしない
が、化合物(c2)の配合割合は、化合物(c2)とテトラ置換
ホスホニウム・テトラ置換ボレート(c1)との合計重量の
3〜70重量%であり、より好ましくは3〜50重量%
であり、さらに好ましくは3〜20重量%である。The addition amount of the curing accelerator in the present invention is not particularly limited, but preferably, the total weight of the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (c1) and the compound (c2) is based on the weight of the epoxy resin composition. 0.05-1.5% is preferable. More preferably 0.08 to 1.0%,
More preferably, it is 0.1 to 0.5%. The compounding ratio between these two types of curing accelerators is not particularly limited, but the compounding ratio of the compound (c2) is 3% of the total weight of the compound (c2) and the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (c1). To 70% by weight, more preferably 3 to 50% by weight.
And more preferably 3 to 20% by weight.
【0029】テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレ
−トは、本発明の組成物を構成する他の化合物にそのま
ま添加してもよいが、好ましくは使用する硬化剤または
エポキシ樹脂と加熱混合、必要に応じて加熱溶融混合さ
せた後添加することもできる。溶融混合する方法につい
ては特に限定はしないが、好ましくは硬化剤と溶融混合
させた後添加する。化合物(c2)はそのまま添加してもよ
いが、好ましくは使用する硬化剤またはエポキシ樹脂と
加熱混合させた後添加する。加熱混合する方法について
は特に限定はしないが、好ましくは硬化剤と混合させた
後添加する。またテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換
ボレ−トと化合物(c2)とを同時に硬化剤と加熱混合する
こともできる。The tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate may be added as it is to other compounds constituting the composition of the present invention, but is preferably mixed with the curing agent or epoxy resin to be used by heating, if necessary. It can also be added after heating and melting and mixing. The method of melt mixing is not particularly limited, but is preferably added after being melt mixed with a curing agent. The compound (c2) may be added as it is, but is preferably added after heating and mixing with the curing agent or epoxy resin to be used. The method of heating and mixing is not particularly limited, but is preferably added after mixing with a curing agent. Further, the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate and the compound (c2) can be simultaneously mixed with the curing agent by heating.
【0030】テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレ
−トの好ましい例としてはテトラブチルホスホニウム・
テトラフェニルボレ−ト、n−ブチルトリフェニルホス
ホニウム・テトラフェニルボレ−ト、テトラフェニルホ
スホニウム・テトラフェニルボレ−ト、トリメチルフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレ−ト、ジエチル
メチルフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ−
ト、ジアリルメチルフェニルホスホニウム・テトラフェ
ニルボレ−ト、(2−ハイドロキシエチル)トリフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレ−ト、エチルトリ
ホスホニウム・テトラフェニルボレ−ト、p−キシレン
ビス(トリフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
−ト)、テトラフェニルホスホニウム・テトラエチルボ
レ−ト、テトラフェニルホスホニウム・トリエチルフェ
ニルボレ−ト、テトラフェニルホスホニウム・テトラブ
チルボレ−トなどを挙げることができる。より好ましい
例としてはテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニ
ルボレ−トである。このテトラ置換ホスホニウム・テト
ラ置換ボレ−トは2種類以上を同時に添加することもで
きる。Preferred examples of the tetra-substituted phosphonium tetra-substituted borate include tetrabutyl phosphonium
Tetraphenylborate, n-butyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, trimethylphenylphosphonium tetraphenylborate, diethylmethylphenylphosphonium tetraphenylborate
, Diallylmethylphenylphosphonium tetraphenylborate, (2-hydroxyethyl) triphenylphosphonium tetraphenylborate, ethyltriphosphonium tetraphenylborate, p-xylenebis (triphenylphosphonium tetraphenyl) Borate), tetraphenylphosphonium / tetraethylborate, tetraphenylphosphonium / triethylphenylborate, tetraphenylphosphonium / tetrabutylborate and the like. A more preferred example is tetraphenylphosphonium tetraphenylborate. Two or more kinds of the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate can be added simultaneously.
【0031】化合物(c2)成分はアミン系化合物であり、
その塩基性によりエポキシ樹脂の硬化促進剤として作用
する。上に示した構造を有するものであれば任意である
が、さらに、非芳香族系炭素−炭素不飽和化合物を有す
る化合物であることが好ましい。また分子量としては2
000以下、さらに1000以下のものが好ましく使用
される。化合物(c2)として好ましいのは、イミダゾール
化合物であり、さらに下記式(I)で表される化合物で
ある。The compound (c2) is an amine compound,
Due to its basicity, it acts as a curing accelerator for the epoxy resin. Any compound having the above-mentioned structure is optional, but a compound having a non-aromatic carbon-carbon unsaturated compound is more preferable. The molecular weight is 2
000 or less, more preferably 1000 or less are preferably used. Preferred as the compound (c2) is an imidazole compound, and further a compound represented by the following formula (I).
【化9】 (R1〜R4は一価の有機基または水素原子を表す。) R1〜R4が有機基である場合、炭素数は1〜50の範囲
のものが好ましい。一般式(I)で表される化合物の好
ましい例としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾ
ール、2,4−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4
−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2
−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシ
ルイミダゾール、1−メチルイミダゾール、1,2−ジ
メチルイミダゾール、1−ビニルイミダゾール、2−メ
チル−1−ビニルイミダゾール、2−メチル−1−ビニ
ルイミダゾール、1−アリルイミダゾール、1−(2−
ヒドロキシエチル)イミダゾール、1−(2−ヒドロキ
シエチル)−2−メチルイミダゾール、1−フェニルイ
ミダゾール、1−ベンジルイミダゾール、1−ベンジル
−2−メチルイミダゾール、2−アミノイミダゾール、
2−ニトロイミダゾールなどを挙げることができるがこ
れらに限定されない。一般式(I)で表される化合物は
2種類以上を同時に添加することもできる。Embedded image (R 1 to R 4 represent a monovalent organic group or a hydrogen atom.) When R 1 to R 4 are an organic group, those having 1 to 50 carbon atoms are preferable. Preferred examples of the compound represented by the general formula (I) include imidazole, 2-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4.
-Methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2
-Phenyl-4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-vinylimidazole, 2-methyl-1-vinylimidazole, 2-methyl-1-vinylimidazole, 1 -Allylimidazole, 1- (2-
(Hydroxyethyl) imidazole, 1- (2-hydroxyethyl) -2-methylimidazole, 1-phenylimidazole, 1-benzylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-aminoimidazole,
Examples include, but are not limited to, 2-nitroimidazole. Two or more compounds represented by the general formula (I) can be added simultaneously.
【0032】本発明の組成物に配合される無機充填剤
(D)としては、シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、アルミナ、マグネシア、酸化マグネシウムアル
ミニウム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、ケ
イ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベ
スト、ガラス繊維などが挙げられるが、好ましくはシリ
カである。これらの無機充填剤は単独でも用いることが
できるが、二種類以上混合して用いることもできる。シ
リカとしては球状天然シリカ、破砕天然シリカ、球状合
成シリカなどを挙げることができる。これらのシリカは
単独でも用いることができるが、二種類以上混合して用
いることもできる。The inorganic filler (D) to be incorporated in the composition of the present invention includes silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, magnesium aluminum oxide, zirconia, zircon, clay, talc, calcium silicate, Titanium, antimony oxide, asbestos, glass fiber and the like can be mentioned, but silica is preferred. These inorganic fillers can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silica include spherical natural silica, crushed natural silica, and spherical synthetic silica. These silicas can be used alone or in combination of two or more.
【0033】本発明において、無機充填剤(D)のエポ
キシ樹脂組成物全体に対する割合は、金型汚れに代表さ
れる成形性および低応力性の点から全体の86〜95重
量%、好ましくは88〜93重量%である。In the present invention, the ratio of the inorganic filler (D) to the entire epoxy resin composition is from 86 to 95% by weight, preferably 88 from the viewpoint of moldability and low stress represented by mold stains. ~ 93% by weight.
【0034】本発明のエポキシ樹脂組成物には以下の物
質も添加することができる。The following substances can also be added to the epoxy resin composition of the present invention.
【0035】本発明の組成物では、シランカップリング
剤、チタネートカップリング剤などの配合が信頼性向上
の観点から好ましい。さらにカップリング剤無機充填剤
(D)をシランカップリング剤、チタネートカップリン
グ剤などのカップリング剤であらかじめ表面処理するこ
とも効果的である。In the composition of the present invention, the addition of a silane coupling agent, a titanate coupling agent or the like is preferable from the viewpoint of improving reliability. Further, it is also effective to previously surface-treat the coupling agent inorganic filler (D) with a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent.
【0036】カップリング剤としてエポキシシラン、ア
ミノシラン、メルカプトシランなど、これら官能基を有
する有機基とアルコキシ基等の加水分解性基とがケイ素
原子に直結したシランカップリング剤が好ましく用いら
れる。好ましくはエポキシシラン、アミノシランであ
る。好ましい添加量としてエポキシ樹脂組成物全体に対
し、1重量%以下である。As the coupling agent, a silane coupling agent in which an organic group having such a functional group and a hydrolyzable group such as an alkoxy group are directly bonded to a silicon atom, such as epoxysilane, aminosilane, and mercaptosilane, is preferably used. Preferred are epoxysilane and aminosilane. A preferable addition amount is 1% by weight or less based on the entire epoxy resin composition.
【0037】また本発明の組成物では、必須成分ではな
いがブロム化合物を配合できる。また実質的に存在する
ブロム化合物は、通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に難燃剤として添加されるもので、特に限定されず、公
知のものであってよい。 存在するブロム化合物の好ま
しい具体例としては、ブロム化ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹
脂などのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネ
ート樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフ
ェニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノール
A、デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、な
かでも、ブロム化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。In the composition of the present invention, a bromo compound can be blended although it is not an essential component. The substantially existing bromo compound is usually added as a flame retardant to the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and is not particularly limited, and may be a known one. Preferred specific examples of the bromo compound present include brominated epoxy resins such as brominated bisphenol A type epoxy resin and brominated phenol novolak type epoxy resin, brominated polycarbonate resin, brominated polystyrene resin, brominated polyphenylene oxide resin, Bromobisphenol A, decabromodiphenyl ether and the like can be mentioned, and among them, brominated epoxy resins such as brominated bisphenol A type epoxy resin and brominated phenol novolak type epoxy resin are particularly preferable from the viewpoint of moldability.
【0038】また、必須成分ではないがアンチモン化合
物を配合できる。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂
組成物に難燃助剤として添加されるもので、特に限定さ
れず、公知のものが使用できる。アンチモン化合物の好
ましい具体例としては、三酸化アンチモン、四酸化アン
チモン、五酸化アンチモンがあげられる。Although not an essential component, an antimony compound can be added. This is usually added as a flame retardant aid to the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and is not particularly limited, and a known one can be used. Preferred specific examples of the antimony compound include antimony trioxide, antimony tetroxide, and antimony pentoxide.
【0039】さらに本発明のエポキシ樹脂組成物には、
カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタル
サイトなどのイオン捕捉剤、シリコ−ンゴム、オレフィ
ン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエン
ゴム、変性シリコ−ンオイルなどのエラストマ−、ポリ
エチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸
の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミ
ド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化
物などの架橋剤を任意に添加することができる。The epoxy resin composition of the present invention further comprises:
Colorants such as carbon black and iron oxide, ion scavengers such as hydrotalcite, silicone rubber, olefin copolymers, modified nitrile rubber, modified polybutadiene rubber, modified silicone oil and other elastomers, heat of polyethylene and the like A release agent such as a plastic resin, a long-chain fatty acid, a metal salt of a long-chain fatty acid, an ester of a long-chain fatty acid, an amide of a long-chain fatty acid, or paraffin wax, and a crosslinking agent such as an organic peroxide can be optionally added. .
【0040】本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法と
しては、上記化合物を加熱混練、例えば50〜170℃
の温度で混練する方法が好ましく、たとえばバンバリー
ミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出
機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融
混練、固化、必要に応じてタブレット化することにより
得ることができる。さらに本発明のエポキシ樹脂組成物
を加熱流動化させて、半導体素子を封止成形し、硬化す
ることによって半導体装置が得られる。As a method for producing the epoxy resin composition of the present invention, the above compound is heated and kneaded, for example, at 50 to 170 ° C.
Kneading at a temperature of, for example, melt kneading using a known kneading method such as a Banbury mixer, kneader, roll, single-screw or twin-screw extruder and co-kneader, solidification, tableting if necessary Obtainable. Further, the semiconductor device is obtained by heating and fluidizing the epoxy resin composition of the present invention, sealingly molding and curing the semiconductor element.
【0041】[0041]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、表2、表3中の組成物に関する値は、重量%
を示す。The present invention will be described below in detail with reference to examples. In addition, the value regarding the composition in Table 2 and Table 3 is% by weight.
Is shown.
【0042】表2に実施例1〜7を、表3に比較例1〜
9を示した。Table 2 shows Examples 1 to 7, and Table 3 shows Comparative Examples 1 to
9 was shown.
【0043】表1に示した成分を、表2、表3に示した
組成比でミキサーによりドライブレンドした。これを、
ロール表面温度90℃のミキシングロールを用いて5分
間加熱混練後、冷却・粉砕して半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を製造した。The components shown in Table 1 were dry-blended by a mixer at the composition ratios shown in Tables 2 and 3. this,
After heating and kneading for 5 minutes using a mixing roll having a roll surface temperature of 90 ° C., the mixture was cooled and pulverized to produce an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
【0044】[0044]
【表1】 [Table 1]
【0045】各種物性は以下の方法で行い、結果を表2
及び表3に示した。Various physical properties were measured by the following methods.
And Table 3.
【0046】流動性:EMMI型評価用金型を用いて1
75℃で成形速度25m/secでスパイラルフローを測定
した。 硬化性:成形温度175℃、成形時間60秒の条件で直
径4インチ、厚さ3mmの円板を成形し、成形直後のバー
コル硬度を求めた。 耐クラック性および耐剥離性:実施例および比較例にお
いて、各10個の160ピンQFP(外形:28×28
×3.3mm、模擬半導体素子:10×10×0.5mm、
フレーム材料:42アロイ、チップ表面:ポリイミド
膜)を成形し、175℃で4時間硬化させたものを用い
85℃、85%RHの条件で168時間加湿後、IRリ
フロー炉を用いて260℃10秒間加熱処理した。その
後外部クラックの有無個数を調べクラックの入ったパッ
ケージを不良パッケージとし、その個数をnとしたとき
(1- n/10)×100の値を耐クラック性を示す数値とした。
値が100%に近いほど耐クラック性に優れことを意味
する。一方IRリフロー炉を用いて260℃10秒間加
熱処理したサンプルを超音波探傷器でリードフレームか
らの剥離を観察し、剥離したパッケージを不良パッケー
ジとし、その個数をnとしたとき(1- n/10)×100の値を
耐クラック性を示す数値とした。値が100%に近いほ
ど耐剥離性に優れることを意味する。 保存安定性:保存前のスパイラルフローの値を基準と
し、28℃50%RHで96時間保存した後に成形し、
そのスパイラルフローの値の低下率を表わした。値が小
さいほど保存安定性に優れることを意味する。 金型汚れ:成形温度175℃成形時間80秒の条件で、
160ピンQFPを20個成形した。パッケージの上面
および下面に対応する金型部の汚れた部分の面積を調
べ、その面積をパッケージの上面および下面に対応する
金型部の面積で割りさらに100をかけ、金型汚れの度
合いを%で表示した。Fluidity: 1 using an EMMI-type evaluation mold
Spiral flow was measured at 75 ° C. at a molding speed of 25 m / sec. Curability: A disk having a diameter of 4 inches and a thickness of 3 mm was molded at a molding temperature of 175 ° C. and a molding time of 60 seconds, and Barcol hardness immediately after molding was determined. Crack resistance and peel resistance: In Examples and Comparative Examples, 10 pieces each of 160 pins QFP (outer size: 28 × 28
× 3.3 mm, simulated semiconductor device: 10 × 10 × 0.5 mm,
(Frame material: 42 alloy, chip surface: polyimide film) molded and cured at 175 ° C. for 4 hours, humidified at 85 ° C. and 85% RH for 168 hours, and then 260 ° C. 10 using an IR reflow furnace. Heat treatment was performed for seconds. Then, the number of external cracks is checked and the package containing the crack is determined to be a defective package, and the number is defined as n.
A value of (1-n / 10) × 100 was set as a numerical value indicating crack resistance.
The closer the value is to 100%, the better the crack resistance. On the other hand, when the sample heat-treated at 260 ° C. for 10 seconds using an IR reflow furnace was observed for peeling from the lead frame with an ultrasonic flaw detector, the peeled packages were regarded as defective packages, and the number of the packages was n (1-n / 10) The value of × 100 was used as a numerical value indicating crack resistance. The closer the value is to 100%, the better the peel resistance. Storage stability: Based on the value of the spiral flow before storage, molding was performed after storage at 28 ° C. and 50% RH for 96 hours.
The rate of decrease in the value of the spiral flow was shown. The smaller the value, the better the storage stability. Mold stain: at a molding temperature of 175 ° C. and a molding time of 80 seconds,
Twenty 160-pin QFPs were formed. The area of the dirty part of the mold part corresponding to the upper and lower surfaces of the package is checked, the area is divided by the area of the mold part corresponding to the upper and lower surfaces of the package, and the result is multiplied by 100 to obtain the degree of mold contamination by%. Displayed with.
【0047】[0047]
【表2】 [Table 2]
【0048】[0048]
【表3】 [Table 3]
【0049】表2にみられるように、実施例1〜7のエ
ポキシ樹脂組成物は、流動性、硬化性、耐クラック性、
耐剥離性、保存安定性、金型汚れなど、すべての物性に
おいて優れている。As can be seen from Table 2, the epoxy resin compositions of Examples 1 to 7 have fluidity, curability, crack resistance,
Excellent in all physical properties such as peeling resistance, storage stability and mold stain.
【0050】これに対して表3に示した比較例1〜4、
比較例7は、耐クラック性および耐剥離性が劣っている
ことが分かる。また比較例5では耐剥離性が完全ではな
い。比較例3〜4、6では金型汚れが生じる。また比較
例3、6では保存安定性が劣っている。On the other hand, Comparative Examples 1 to 4 shown in Table 3
It can be seen that Comparative Example 7 is inferior in crack resistance and peel resistance. In Comparative Example 5, the peeling resistance was not perfect. In Comparative Examples 3 to 4 and 6, mold contamination occurs. In Comparative Examples 3 and 6, the storage stability was poor.
【0051】[0051]
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動
性、硬化性、耐クラック性、耐剥離性、保存安定性に優
れ、トランスファ成形が主に使用される半導体装置の封
止に好適である。Industrial Applicability The epoxy resin composition of the present invention is excellent in fluidity, curability, crack resistance, peeling resistance and storage stability, and is suitable for encapsulating semiconductor devices mainly used in transfer molding. is there.
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08K 3/36 C08K 3/36 C08L 63/00 C08L 63/00 C H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI C08K 3/36 C08K 3/36 C08L 63/00 C08L 63/00 C H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31
Claims (11)
剤(B)、硬化促進剤(C)としてテトラ置換ホスホニ
ウム・テトラ置換ボレート(c1)及び分子中に2個以上の
窒素原子を有し、窒素原子の少なくともひとつが炭素と
二重結合を有する構造を有する化合物(c2)、ならびに
無機充填剤(D)を含有し、前期フェノール系硬化剤
(B)が一般式(II)で表される化合物を含有し、かつ
無機充填剤(D)がエポキシ樹脂組成物全体の86〜9
5重量%含有されることを特徴とするエポキシ樹脂組成
物。 【化1】 R3-(-CH2-R1-CH2-R2-)n-CH2-R1-CH2-R3 (II) (ただし、式(II)中のR1は2価の芳香族基、R2は水
酸基を有する2価の芳香族基、R3は水酸基を有する1
価の芳香族基、R1〜R3は同一でも異なっていてもよ
く、nは0または1以上の整数を示す。)1. An epoxy resin (A), a phenolic curing agent (B), a tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (c1) as a curing accelerator (C) and two or more nitrogen atoms in the molecule, It contains a compound (c2) having a structure in which at least one of the nitrogen atoms has a double bond with carbon, and an inorganic filler (D), and the phenolic curing agent (B) is represented by the general formula (II) The compound and the inorganic filler (D) is contained in 86 to 9 parts of the entire epoxy resin composition.
An epoxy resin composition containing 5% by weight. Embedded image R 3 — (— CH 2 —R 1 —CH 2 —R 2 —) n —CH 2 —R 1 —CH 2 —R 3 (II) (where R 1 in the formula (II) is divalent aromatic group, R 2 is a divalent aromatic group having a hydroxyl group, 1 R 3 is having a hydroxyl group
The valent aromatic groups R 1 to R 3 may be the same or different, and n represents 0 or an integer of 1 or more. )
請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。2. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the compound (c2) is an imidazole compound.
構造を有するものである請求項2記載のエポキシ樹脂組
成物。 【化2】 (式Iにおいて、R1〜R4は1価の有機基または水素原
子を示す。)3. The epoxy resin composition according to claim 2, wherein the imidazole compound has a structure of the general chemical formula (I). Embedded image (In the formula I, R 1 to R 4 represent a monovalent organic group or a hydrogen atom.)
レート(c1)がテトラフェニルホスホニウム・テトラフェ
ニルボレートであることを特徴とする請求項1〜3いず
れかに記載のエポキシ樹脂組成物。4. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the tetra-substituted phosphonium tetra-substituted borate (c1) is tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate.
トラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート(c1)との合
計重量の3〜70重量%である請求項1〜4いずれかに
記載のエポキシ樹脂組成物。5. The compound according to claim 1, wherein the compounding ratio of the compound (c2) is 3 to 70% by weight of the total weight of the compound (c2) and the tetra-substituted phosphonium / tetra-substituted borate (c1). Epoxy resin composition.
ミダゾールである請求項1〜5いずれかに記載のエポキ
シ樹脂組成物。6. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the compound (c2) is 2-methyl-4-ethylimidazole.
るエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜
6いずれかのエポキシ樹脂組成物。 【化3】 (ただし式中のR1〜R8は水素原子、1価の有機基また
はハロゲン原子を示す。)7. The epoxy resin according to claim 1, wherein the epoxy resin (A) contains an epoxy resin represented by the general formula (III).
6. Any one of the epoxy resin compositions. Embedded image (However, R 1 to R 8 in the formula represent a hydrogen atom, a monovalent organic group or a halogen atom.)
おいて、R1が2価のフェニル基、R2は水酸基を有する
2価のフェニル基、R3が水酸基を有する1価のフェニ
ル基であるものである請求項1〜7いずれかのエポキシ
樹脂組成物。8. A compound having the general formula (II) wherein, in the formula (II), R 1 is a divalent phenyl group, R 2 is a divalent phenyl group having a hydroxyl group, and R 3 is a monovalent phenyl group having a hydroxyl group. The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 7, which is a phenyl group of
おいて、R1が2価のビフェニル基、R2は水酸基を有す
る2価のフェニル基、R3が水酸基を有する1価のフェ
ニル基であることを特徴とする請求項1〜7いずれかの
エポキシ樹脂組成物。9. A compound having the general formula (II) wherein R 1 is a divalent biphenyl group, R 2 is a divalent phenyl group having a hydroxyl group and R 3 is a monovalent group having a hydroxyl group in the formula (II). The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 7, wherein
かのエポキシ樹脂組成物。10. The epoxy resin composition according to claim 1, which is for semiconductor encapsulation.
よって半導体素子が封止された半導体装置。11. A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition according to claim 10.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5199497A JPH10245432A (en) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5199497A JPH10245432A (en) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10245432A true JPH10245432A (en) | 1998-09-14 |
Family
ID=12902419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5199497A Withdrawn JPH10245432A (en) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH10245432A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
JP2012025805A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP5199497A patent/JPH10245432A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
JP2012025805A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device |
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