JPH10242211A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor deviceInfo
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- JPH10242211A JPH10242211A JP35453097A JP35453097A JPH10242211A JP H10242211 A JPH10242211 A JP H10242211A JP 35453097 A JP35453097 A JP 35453097A JP 35453097 A JP35453097 A JP 35453097A JP H10242211 A JPH10242211 A JP H10242211A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフェ
ースダウン構造でマザーボード、あるいはドーターボー
ドに実装する方式による半導体装置の製法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device by mounting a semiconductor element on a motherboard or a daughter board in a face-down structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近の半導体デバイスの性能向上に伴う
要求として、半導体素子をフェースダウン構造で、配線
回路が形成されたマザーボード、あるいはドーターボー
ドに実装される方法（フリップチップ方式、ダイレクト
チップアタッチ方式等）が注目されている。これは、従
来から用いられている方式、例えば、半導体素子から金
ワイヤーでリードフレーム上にコンタクトをとりパッケ
ージングされた形態でマザーボード、あるいはドーター
ボードに実装する方法では、配線による情報伝達の遅
れ、クロストークによる情報伝達エラー等が生ずるとい
う問題が発生していることに起因する。2. Description of the Related Art Recent demands for improvement in the performance of semiconductor devices include a method in which a semiconductor element is mounted on a mother board or a daughter board having a wiring circuit formed in a face-down structure (flip chip method, direct chip attach method). Etc.) are attracting attention. This is because, in the conventional method, for example, in a method of mounting a contact on a lead frame with a gold wire from a semiconductor element and mounting it on a motherboard or a daughter board, information transmission delay by wiring, This is due to the problem that an information transmission error or the like due to crosstalk occurs.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一方、上記フリップチ
ップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式においては、
互いの線膨脹係数が異なる半導体素子と上記ボードをダ
イレクトに電気接続を行うことから、接続部分の信頼性
が問題となっている。この対策としては、半導体素子と
上記ボードとの空隙に液状樹脂材料を注入し硬化させて
樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中する応力を上記
樹脂硬化体にも分散させることにより接続信頼性を向上
させる方法が採られている。しかしながら、上記液状樹
脂材料は、超低温（−４０℃）での保管が必要であるこ
とに加えて、上記半導体素子とボードとの空隙への注入
においては注射器で行う必要があり、注入ポジション、
注入量コントロールが困難である等の問題を抱えてい
る。また、常温で液状であることが制約条件となるた
め、信頼性の高いフェノール等の固形材料の使用が困難
な状況であった。On the other hand, in the flip chip method and the direct chip attach method,
Since the semiconductor elements having different linear expansion coefficients are directly electrically connected to the board and the above-mentioned board, there is a problem in the reliability of the connection portion. As a countermeasure, a liquid resin material is injected into the space between the semiconductor element and the board and cured to form a cured resin, and the stress concentrated on the electrical connection is dispersed also in the cured resin to improve connection reliability. A method for improving the performance is adopted. However, the liquid resin material needs to be stored at an extremely low temperature (−40 ° C.). In addition, the liquid resin material needs to be injected into a gap between the semiconductor element and the board using a syringe.
There are problems such as difficulty in controlling the injection amount. In addition, it is difficult to use a highly reliable solid material such as phenol because it is a liquid at room temperature.
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、上記半導体素子とボードとの空隙に容易に封止
樹脂層を形成することができ、しかもその樹脂封止作業
が容易となる半導体装置の製法の提供をその目的とす
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and a sealing resin layer can be easily formed in a gap between the semiconductor element and the board, and the resin sealing operation is facilitated. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製法は、配線回路基板上に、
複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上
記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層
によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上
記封止樹脂層を、上記配線回路基板と半導体素子との間
に層状の固形樹脂を介在させてこの固形樹脂を溶融させ
ることにより形成するという構成をとる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises the steps of:
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting a semiconductor element via a plurality of connection electrode portions; and sealing a gap between the wiring circuit board and the semiconductor element with a sealing resin layer. The layer is formed by interposing a layered solid resin between the printed circuit board and the semiconductor element and melting the solid resin.
【０００６】すなわち、本発明では、複数の接続用電極
部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙を封止樹脂層によって樹脂封止して半導体装
置を製造するに際して、上記封止樹脂層を、上記配線回
路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させ
この固形樹脂を溶融させることにより形成する。このよ
うに、上記層状の固形樹脂を溶融させるとともに、好適
には加圧することにより、上記配線回路基板と半導体素
子との接合を完了させるため、従来、配線回路基板と半
導体素子とを接続した後に、上記空隙に封止用樹脂を注
入するという煩雑な工程と比べて、上記配線回路基板と
半導体素子との接続および樹脂封止の工程が一度になさ
れ、製造工程の大幅な簡略化が図れる。また、封止用樹
脂として液状樹脂を用いず保存性に優れた固形樹脂を用
いるため、上記空隙内に注入する際の上記種々の問題が
生じることもない。That is, according to the present invention, a semiconductor device is manufactured by sealing the gap between the printed circuit board and the semiconductor element, which is connected through the plurality of connection electrode portions, with the sealing resin layer. At this time, the sealing resin layer is formed by interposing a layered solid resin between the printed circuit board and the semiconductor element and melting the solid resin. Thus, while melting the layered solid resin, preferably by applying pressure, to complete the bonding between the printed circuit board and the semiconductor element, conventionally, after connecting the printed circuit board and the semiconductor element Compared with the complicated step of injecting the sealing resin into the gap, the step of connecting the printed circuit board to the semiconductor element and the step of resin sealing are performed at one time, and the manufacturing process can be greatly simplified. In addition, since a solid resin having excellent storability is used without using a liquid resin as the sealing resin, the above-described various problems at the time of injecting the resin into the voids do not occur.
【０００７】さらに、本発明者らは、本発明の見出す過
程において、上記固形樹脂として、最大粒径が１００μ
ｍ以下に設定された無機質充填剤を、特定割合含有する
エポキシ樹脂組成物を用いることにより、上記基板と半
導体素子の空隙内への充填がボイド等が生じることなく
良好に行われることを突き止めた。Further, the present inventors have found that in the process of finding out the present invention, the solid resin has a maximum particle size of 100 μm.
m, the use of an epoxy resin composition containing a specific ratio of an inorganic filler set to be equal to or less than m indicates that the filling into the space between the substrate and the semiconductor element is performed favorably without generating voids or the like. .
【０００８】そして、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成される封止樹脂層は、例えば、上記配線回路基
板上に、封止用樹脂シートを搭載した後、さらに、上記
封止用樹脂シート上に半導体素子を載置し、ついで、上
記封止用樹脂シートを加熱溶融することにより、上記配
線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態
の封止用樹脂を充填し硬化させることにより容易に形成
することができる。[0008] The sealing resin layer formed by melting the solid resin is formed, for example, by mounting a sealing resin sheet on the wiring circuit board and then further forming a sealing resin layer on the sealing resin sheet. Then, the sealing resin sheet is heated and melted, and the gap between the printed circuit board and the semiconductor element is filled with the molten sealing resin and cured. Thereby, it can be easily formed.
【０００９】さらに、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、上記配線回路基板面に設
けられた接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂
層を形成した後、さらに、上記接続用電極部に半導体素
子の電極部が当接するよう半導体素子を上記配線回路基
板に載置し、ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融す
る。あるいは、上記半導体素子面に設けられた接続用電
極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成した後、
さらに、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
で、上記封止用樹脂層を加熱溶融する。このようにし
て、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上
記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより
容易に形成することができる。Further, the sealing resin layer formed by melting the solid resin is formed such that a part of the connection electrode portion provided on the wiring circuit board surface is exposed. Thereafter, the semiconductor element is further mounted on the printed circuit board so that the electrode part of the semiconductor element contacts the connection electrode part, and then the sealing resin layer is heated and melted. Alternatively, after forming a sealing resin layer so that a part of the connection electrode portion provided on the semiconductor element surface is exposed,
Further, the semiconductor element is mounted on the printed circuit board so that the electrode section of the printed circuit board contacts the connection electrode section, and then the sealing resin layer is heated and melted. In this way, the gap between the printed circuit board and the semiconductor element can be easily formed by filling and curing the molten sealing resin.
【００１０】加えて、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、予め、上記半導体素子の
片面に封止用樹脂層を設けたものを準備し、複数の接続
用電極部が設けられた配線回路基板上に、上記封止用樹
脂層が上記接続用電極部と当接するよう半導体素子を載
置する。あるいは、予め、上記配線回路基板の片面に封
止用樹脂層を設けたものを準備し、上記配線回路基板上
に、複数の接続用電極部が設けられた半導体素子の上記
接続用電極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導体
素子を載置する。ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融
することにより、上記配線回路基板と半導体素子との間
の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させ
ることにより容易に形成することができる。In addition, a sealing resin layer formed by melting the solid resin is prepared by providing a sealing resin layer on one surface of the semiconductor element in advance, and a plurality of connection electrode portions are provided. A semiconductor element is mounted on the printed circuit board provided with the semiconductor device such that the sealing resin layer is in contact with the connection electrode portion. Alternatively, a wiring circuit board in which a sealing resin layer is provided on one surface is prepared in advance, and the connection electrode section of the semiconductor element provided with a plurality of connection electrode sections is provided on the wiring circuit board. A semiconductor element is mounted so as to be in contact with the sealing resin layer. Then, by heating and melting the sealing resin layer, the gap between the printed circuit board and the semiconductor element can be easily filled with the molten sealing resin and cured to be easily formed. it can.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。Next, embodiments of the present invention will be described in detail.
【００１２】本発明の半導体装置の製法により製造され
る半導体装置は、図１に示すように、配線回路基板１の
片面に、複数の接続用電極部２を介して半導体素子３が
搭載された構造をとる。そして、上記配線回路基板１と
半導体素子３との間に封止樹脂層４が形成されている。In a semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as shown in FIG. 1, a semiconductor element 3 is mounted on one surface of a printed circuit board 1 via a plurality of connection electrode portions 2. Take the structure. Then, a sealing resin layer 4 is formed between the printed circuit board 1 and the semiconductor element 3.
【００１３】なお、上記配線回路基板１と半導体素子３
とを電気的に接続する上記複数の接続用電極部２は、予
め配線回路基板１面に配設されていてもよいし、半導体
素子３面に配設されていてもよい。さらには、予め配線
回路基板１面および半導体素子３面の双方にそれぞれ配
設されていてもよい。The printed circuit board 1 and the semiconductor element 3
The plurality of connection electrode portions 2 that electrically connect to the semiconductor device 3 may be provided on the surface of the printed circuit board 1 in advance, or may be provided on the surface of the semiconductor element 3. Furthermore, they may be provided on both the printed circuit board 1 surface and the semiconductor element 3 surface in advance.
【００１４】本発明において、接続用電極部とは、周知
の電極のみでもよいが、電極とジョイントボール等の電
極に配備される導電体を含む概念である。したがって、
一般的に配線回路基板の接続用電極部と半導体素子の接
続用電極部とは、両者とも電極のみで連絡されていても
よいが、通常、少なくとも一方が電極とジョイントボー
ルからなる電極部であるようにして両者の電極部が連絡
される。In the present invention, the connection electrode section may be a well-known electrode alone, but is a concept including an electrode and a conductor disposed on the electrode such as a joint ball. Therefore,
In general, the connection electrode portion of the printed circuit board and the connection electrode portion of the semiconductor element may both be connected to each other only by the electrodes, but usually, at least one of them is an electrode portion including an electrode and a joint ball. Thus, the two electrode portions are connected.
【００１５】したがって、通常の形態では上記配線回路
基板１と半導体素子３とを電気的に接続する上記複数の
接続用電極部２は、予め配線回路基板１面にジョイント
ボール等が配設されていてもよいし、半導体素子３面に
ジョイントボール等が配設されていてもよい。さらに
は、予め配線回路基板１面および半導体素子３面の双方
にそれぞれにジョイントボール等が配設されていてもよ
く、また、両者の電極部は電極のみであってもよい。Therefore, in a normal mode, the plurality of connection electrodes 2 for electrically connecting the printed circuit board 1 and the semiconductor element 3 are provided with joint balls or the like on the printed circuit board 1 in advance. Alternatively, a joint ball or the like may be provided on the surface of the semiconductor element 3. Furthermore, joint balls or the like may be provided on both the printed circuit board 1 surface and the semiconductor element 3 surface in advance, respectively, and the electrode portions of both may be electrodes only.
【００１６】上記複数の接続用電極部（ジョイントバン
プ）２の材質としては、特に限定するものではないが、
例えば、金のスタッドバンプ、半田による低融点および
高融点バンプ、銅・ニッケルコアの金めっきバンプ等が
あげられる。さらに、本発明での層状の固形樹脂を使用
することにより、上記低融点半田のような、ある一定の
温度で半田の形状が崩れてしまうような材質のものに対
して、上記層状の固形樹脂は、接続用電極部２の高さを
制御するための目的としても使用が可能である。The material of the plurality of connection electrode portions (joint bumps) 2 is not particularly limited, but
For example, gold stud bumps, low-melting and high-melting bumps made of solder, gold-plated bumps of a copper / nickel core, and the like can be given. Furthermore, by using the layered solid resin according to the present invention, the layered solid resin is used for a material such as the low-melting point solder, in which the shape of the solder collapses at a certain temperature. Can also be used for the purpose of controlling the height of the connection electrode section 2.
【００１７】また、上記配線回路基板１の材質として
は、特に限定するものではないが、大別してセラミック
基板、プラスチック基板があり、上記プラスチック基板
としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリ
アジン基板等があげられる。そして、本発明の層状の固
形樹脂は、プラスチック基板と、低融点半田による接続
用電極部２との組み合わせにおいて接合温度を高温に設
定することができないような場合においても特に限定さ
れることなく好適に用いられる。The material of the printed circuit board 1 is not particularly limited, but is roughly classified into a ceramic substrate and a plastic substrate. Examples of the plastic substrate include an epoxy substrate and a bismaleimide triazine substrate. can give. The layered solid resin of the present invention is suitable without particular limitation even in the case where the bonding temperature cannot be set to a high temperature in the combination of the plastic substrate and the connection electrode portion 2 made of low melting point solder. Used for
【００１８】本発明において、上記封止樹脂層４形成材
料としては、層状の固形樹脂が用いられ、例えば、固体
のエポキシ樹脂組成物が用いられる。In the present invention, a layered solid resin is used as the material for forming the sealing resin layer 4, and for example, a solid epoxy resin composition is used.
【００１９】上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
（ａ成分）と、硬化剤（ｂ成分）と、無機質充填剤（ｃ
成分）とを用いて得ることができ、常温で固体を示す。
なお、上記常温とは２０℃である。The epoxy resin composition comprises an epoxy resin (a component), a curing agent (b component), and an inorganic filler (c
And a solid at room temperature.
In addition, the said normal temperature is 20 degreeC.
【００２０】上記エポキシ樹脂（ａ成分）としては、常
温で固体であれば特に限定するものではなく従来公知の
もの、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂等が用いられ、さらには溶融
時に濡れ性が良好な低粘度のものを用いることが好まし
い。特に好ましくは、濡れ性が良くなるという観点か
ら、具体的に、下記の一般式（１），式（２），式
（３）で表される構造のエポキシ樹脂があげられる。こ
れらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。The epoxy resin (component (a)) is not particularly limited as long as it is a solid at room temperature, and conventionally known ones such as a biphenyl type epoxy resin and a cresol novolak type epoxy resin may be used. Sometimes it is preferable to use a low-viscosity material having good wettability. Particularly preferred is an epoxy resin having a structure represented by the following general formulas (1), (2), and (3) from the viewpoint of improving wettability. These may be used alone or in combination of two or more.
【００２１】[0021]
【化１】 Embedded image
【００２２】[0022]
【化２】 Embedded image
【００２３】[0023]
【化３】 Embedded image
【００２４】上記式（１）〜（３）で表される構造のエ
ポキシ樹脂において、特にエポキシ当量１５０〜２３０
ｇ／ｅｑで、融点６０〜１６０℃のものを用いることが
好ましい。また、樹脂成分の濡れ性向上のために一部液
状エポキシ樹脂を用いることもできる。In the epoxy resin having the structure represented by the above formulas (1) to (3), the epoxy equivalent is preferably 150 to 230.
It is preferable to use those having a melting point of 60 to 160 ° C. in g / eq. In addition, a liquid epoxy resin may be partially used to improve the wettability of the resin component.
【００２５】上記エポキシ樹脂（ａ成分）とともに用い
られる硬化剤（ｂ成分）としては、特に限定するもので
はなく通常用いられている各種硬化剤、例えば、フェノ
ール樹脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水
物系硬化剤があげられ、なかでもフェノール樹脂が好適
に用いられる。上記フェノール樹脂としては、フェノー
ルノボラック等が用いられ、特に低粘度のものを用いる
ことが好ましい。なかでも、水酸基当量が８０〜１２０
ｇ／ｅｑで、軟化点が８０℃以下のものを用いることが
好ましい。より好ましくは、水酸基当量９０〜１１０ｇ
／ｅｑで、軟化点５０〜７０℃である。特に好ましくは
水酸基当量１００〜１１０ｇ／ｅｑで、軟化点５５〜６
５℃である。The curing agent (component (b)) used together with the epoxy resin (component (a)) is not particularly limited, and various commonly used curing agents, for example, phenol resin, methylhexahydrophthalic anhydride and the like can be used. Acid anhydride-based curing agents are exemplified, and among them, phenol resins are preferably used. As the phenol resin, phenol novolak or the like is used, and it is particularly preferable to use a resin having a low viscosity. Among them, the hydroxyl equivalent is 80 to 120.
It is preferable to use those having a softening point of 80 ° C. or less in g / eq. More preferably, hydroxyl equivalent 90-110 g
/ Eq, softening point 50-70 ° C. Particularly preferably, the hydroxyl group equivalent is 100 to 110 g / eq, and the softening point is 55 to 6 g / eq.
5 ° C.
【００２６】上記エポキシ樹脂（ａ成分）と硬化剤（ｂ
成分）の配合割合は、硬化剤としてフェノール樹脂を用
いた場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して
フェノール樹脂中の水酸基当量を０．５〜１．６の範囲
に設定することが好ましい。より好ましくは０．８〜
１．２の範囲に設定することである。The epoxy resin (a component) and the curing agent (b)
When a phenol resin is used as a curing agent, the mixing ratio of the component) is preferably set such that the hydroxyl group equivalent in the phenol resin is in the range of 0.5 to 1.6 with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. . More preferably 0.8 to
1.2.
【００２７】上記ａ成分およびｂ成分とともに用いられ
る無機質充填剤（ｃ成分）としては、従来から用いられ
ている各種無機質充填剤、例えば、シリカ粉末、タンカ
ル、チタン白等があげられる。なかでも、球状シリカ粉
末、破砕状シリカ粉末が好ましく用いられ、特に球状シ
リカを用いることが好ましい。そして、上記無機質充填
剤（ｃ成分）としては、最大粒径が１００μｍ以下のも
のを用いることが好ましい。特に好ましくは最大粒径が
５０μｍ以下である。すなわち、最大粒径が１００μｍ
を超えると、配線回路基板と半導体素子間（封止用樹脂
層を用いて樹脂封止される空隙）の充填が不可能になる
場合があるからである。また、上記最大粒径とともに、
平均粒径が１〜２０μｍのものを用いることが好まし
く、特に好ましくは２〜１０μｍである。したがって、
このような観点から、上記無機質充填剤（ｃ成分）の最
大粒径は、配線回路基板と半導体素子間（封止用樹脂層
を用いて樹脂封止される空隙）の距離の１／２以下に設
定することが好ましい。より好ましくは１／１０〜１／
３である。すなわち、最大粒径を１／２以下に設定する
ことにより、上記配線回路基板と半導体素子間への溶融
した封止用樹脂層の充填が、ボイド等が生じず良好にな
されるようになるからである。Examples of the inorganic filler (component c) used together with the components a and b include various inorganic fillers conventionally used, for example, silica powder, tanker, titanium white, and the like. Among them, spherical silica powder and crushed silica powder are preferably used, and it is particularly preferable to use spherical silica. As the inorganic filler (component (c)), a filler having a maximum particle size of 100 μm or less is preferably used. Particularly preferably, the maximum particle size is 50 μm or less. That is, the maximum particle size is 100 μm
This is because if the ratio exceeds the above range, it may not be possible to fill the space between the printed circuit board and the semiconductor element (a gap which is sealed with the resin layer using the sealing resin layer). Also, together with the maximum particle size,
It is preferable to use one having an average particle size of 1 to 20 μm, particularly preferably 2 to 10 μm. Therefore,
From such a viewpoint, the maximum particle size of the inorganic filler (component (c)) is 以下 or less of the distance between the printed circuit board and the semiconductor element (a gap that is resin-sealed using the sealing resin layer). It is preferable to set More preferably 1/10 to 1 /
3. That is, by setting the maximum particle size to １ ／ or less, the filling of the molten sealing resin layer between the printed circuit board and the semiconductor element can be favorably performed without generating voids or the like. It is.
【００２８】上記無機質充填剤（ｃ成分）の含有割合
は、エポキシ樹脂組成物全体の９０重量％（以下「％」
と略す）以下の範囲に設定することが好ましい。より好
ましくは２０〜９０％であり、特に好ましくは５５〜７
５％である。すなわち、無機質充填剤（ｃ成分）の含有
量が２０％未満では、封止用樹脂硬化物の特性、特に線
膨張係数が大きくなり、このため、半導体素子と上記係
数との差が大きくなって、樹脂硬化物や半導体素子にク
ラック等の欠陥を発生させるおそれがある。また、９０
％を超えると、封止用樹脂の溶融粘度が高くなることか
ら充填性が悪くなるからである。The content of the inorganic filler (component (c)) is 90% by weight (hereinafter referred to as “%”) of the entire epoxy resin composition.
It is preferable to set it in the following range. It is more preferably 20 to 90%, particularly preferably 55 to 7%.
5%. That is, when the content of the inorganic filler (component c) is less than 20%, the properties of the cured resin for sealing, particularly the coefficient of linear expansion, become large, and therefore, the difference between the semiconductor element and the above coefficient becomes large. This may cause defects such as cracks in the cured resin or the semiconductor element. Also, 90
%, The meltability of the encapsulating resin increases and the filling properties deteriorate.
【００２９】本発明に用いられるエポキシ樹脂組成物に
は、上記ａ〜ｃ成分以外に、必要に応じて、シリコーン
化合物（側鎖エチレングライコールタイプジメチルシロ
キサン等），アクリロニトリル−ブタジエンゴム等の低
応力化剤、難燃剤、ポリエチレン、カルナバ等のワック
ス、シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン等）等のカップリング剤等を適宜に
配合してもよい。In addition to the above components a to c, the epoxy resin composition used in the present invention may optionally have a low stress such as a silicone compound (side chain ethylene glycol type dimethyl siloxane), acrylonitrile-butadiene rubber or the like. An agent, a flame retardant, a wax such as polyethylene and carnauba, a coupling agent such as a silane coupling agent (such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane), and the like may be appropriately blended.
【００３０】上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹
脂等があげられ、これに三酸化二アンチモン等の難燃助
剤等が用いられる。Examples of the flame retardant include a brominated epoxy resin, and a flame retardant auxiliary such as diantimony trioxide is used.
【００３１】本発明に用いられる上記エポキシ樹脂組成
物は、例えばつぎのようにして得られる。すなわち、上
記樹脂成分であるａ成分およびｂ成分を加温下にて混合
溶融し、この溶融状態の樹脂成分中に上記ｃ成分および
必要に応じて他の添加剤を配合し混合する。この後、反
応性調整のための触媒を加えて均一系とした後、パレッ
ト上に受入れし、これを冷却後、例えば、プレス圧延し
てシート状化することにより得られる。この組成物は、
通常は、例えば、チクソトロピー付与剤を組成物中に混
合しておき加熱硬化時の熱時流動性を抑制しておくよう
工夫されるのが一般的である。上記チクソトロピー付与
剤としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体等
をあげることができる。The epoxy resin composition used in the present invention is obtained, for example, as follows. That is, the component a and the component b, which are the above resin components, are mixed and melted under heating, and the component c and other additives are blended and mixed with the resin component in the molten state. Thereafter, a catalyst for adjusting the reactivity is added to make a homogeneous system, which is then received on a pallet, cooled, and then, for example, rolled into a sheet by press rolling. This composition is:
Usually, for example, it is general that a thixotropic agent is mixed into the composition so as to suppress the fluidity at the time of heating and curing during heating. Examples of the thixotropy-imparting agent include an acrylonitrile-butadiene copolymer.
【００３２】上記反応性調整のために配合される触媒と
しては、特に限定するものではなく従来から硬化促進剤
として用いられるものがあげられる。例えば、トリフェ
ニルホスフィン、テトラフェニルホスフェート、テトラ
フェニルボレート、２−メチルイミダゾール等があげら
れる。The catalyst blended for the above-mentioned adjustment of the reactivity is not particularly limited, and may be one conventionally used as a curing accelerator. For example, triphenylphosphine, tetraphenylphosphate, tetraphenylborate, 2-methylimidazole and the like can be mentioned.
【００３３】上記各成分の混合およびシートの作製方法
については上記方法に限定するものではなく、例えば、
上記混合においては、２軸ロール、３軸ロール等を用い
ることも可能である。また、上記シートの作製方法につ
いても、ロール圧延によるシート化、あるいは溶媒を混
合したものを塗工してシート化する方法も可能である。
また、上記エポキシ樹脂組成物の供給形態において、テ
ープ状の形態をとることにより、いわゆる、リール・ト
ゥ・リールによる大量生産形式の適用が可能となる。The method of mixing the above components and preparing the sheet is not limited to the above method.
In the mixing, a biaxial roll, a triaxial roll, or the like may be used. As for the method of producing the sheet, a method of forming a sheet by roll rolling, or a method of applying a mixture of solvents to form a sheet is also possible.
In addition, in the supply form of the epoxy resin composition, by adopting a tape form, a so-called reel-to-reel mass production form can be applied.
【００３４】本発明において、シート、すなわち封止用
樹脂シートの厚みは、通常、５〜２００μｍ、好ましく
は１０〜１２０μｍ程度である。In the present invention, the thickness of the sheet, that is, the sealing resin sheet, is usually about 5 to 200 μm, preferably about 10 to 120 μm.
【００３５】本発明の半導体装置の製法は、先に述べた
ように、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介し
て半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素
子との間の空隙が封止樹脂層によって封止された半導体
装置を製造する際、上記封止樹脂層を、上記配線回路基
板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させ、こ
の固形樹脂を溶融させることにより形成することを特徴
とする。このような半導体装置の製法としては、具体的
には大別して３つの態様があげられる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, as described above, a semiconductor element is mounted on a printed circuit board via a plurality of connection electrode portions, and the semiconductor device is mounted between the printed circuit board and the semiconductor element. When manufacturing a semiconductor device in which voids are sealed by a sealing resin layer, the sealing resin layer is formed by interposing a layered solid resin between the printed circuit board and the semiconductor element, and melting the solid resin. It is characterized by forming by. As a method of manufacturing such a semiconductor device, there are roughly three specific embodiments.
【００３６】（１）まず、本発明の半導体装置の製法の
第１の態様を図面に基づき順を追って説明する。この製
法（第１の態様）では、上記層状の固形樹脂として、シ
ート状のもの、すなわち、封止用樹脂シートが用いられ
る。(1) First, a first embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described step by step with reference to the drawings. In this manufacturing method (first embodiment), a sheet-shaped resin, that is, a sealing resin sheet is used as the layered solid resin.
【００３７】まず、図２に示すように、複数の球状の接
続用電極部（ジョイントボール）２が設けられた配線回
路基板１上に、上記接続用電極部２を介して固形の封止
用樹脂シート１０を載置する。ついで、図３に示すよう
に、上記封止用樹脂シート１０上の所定位置に、半導体
素子３を載置し仮接着した後、上記封止用樹脂シート１
０を加熱溶融して溶融状態とし、加圧して上記半導体素
子３と上記配線回路基板１との間の空隙内に上記溶融状
態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹
脂封止して封止樹脂層４を形成する。このようにして、
図１に示す半導体装置を製造する。First, as shown in FIG. 2, a solid sealing material is placed on the printed circuit board 1 provided with a plurality of spherical connection electrodes (joint balls) 2 via the connection electrodes 2. The resin sheet 10 is placed. Next, as shown in FIG. 3, the semiconductor element 3 is placed at a predetermined position on the sealing resin sheet 10 and temporarily bonded, and then the sealing resin sheet 1 is mounted.
0 is melted by heating and melting, and the resin is filled with the molten resin in the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 by pressurization and cured to seal the gap with resin. Thus, the sealing resin layer 4 is formed. In this way,
The semiconductor device shown in FIG. 1 is manufactured.
【００３８】なお、上記半導体装置の製法では、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た配線回路基板１を用いた場合について述べたが、これ
に限定するものではなく、予め半導体素子３の片面（接
続面側）に上記複数の球状の接続用電極部（ジョイント
ボール）２が配設されたものを用いてもよい。この場合
（予め半導体素子３面に接続用電極部２が配設されたも
のを使用）は、図４に示すように、配線回路基板１面に
固定の封止用樹脂シート１０を載置して、その上に、配
線回路基板１と接続用電極部２配設面とが対峙するよう
接続用電極部２が設けられた半導体素子３を載置する。
さらに、接続用電極部２が、配線回路基板１および半導
体素子３の双方に設けられたものを用いる場合は、図５
に示すように、両者の接続用電極部２の間に封止用樹脂
シート１０を配置する。後の工程は、上記と同様であ
る。In the above-described method for manufacturing a semiconductor device, the case where the printed circuit board 1 provided with a plurality of spherical connection electrodes (joint balls) 2 is used, but the present invention is not limited to this. A semiconductor element 3 in which the plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2 are arranged on one surface (connection surface side) in advance may be used. In this case (using a connection element portion 2 provided on the surface of the semiconductor element 3 in advance), a fixed sealing resin sheet 10 is placed on the surface of the printed circuit board 1 as shown in FIG. Then, the semiconductor element 3 provided with the connection electrode portion 2 is mounted thereon such that the printed circuit board 1 and the surface on which the connection electrode portion 2 is provided face each other.
Further, in the case where the connection electrode portion 2 is provided on both the printed circuit board 1 and the semiconductor element 3, FIG.
As shown in (1), a sealing resin sheet 10 is arranged between the two connecting electrode portions 2. The subsequent steps are the same as described above.
【００３９】上記封止用樹脂シート１０としては、半導
体素子３もしくは配線回路基板１に封止用樹脂シート１
０を仮接着する場合には、タック性を備えたシート状の
エポキシ樹脂組成物とすることが好ましい。そして、上
記封止用樹脂シート１０の大きさとしては、上記搭載さ
れる半導体素子３の大きさ（面積）により適宜に設定さ
れ、通常、半導体素子３の大きさ（面積）より少し小さ
くなるように設定することが好ましい。また、上記封止
用樹脂シート１０の厚みおよび重量は、上記と同様、搭
載される半導体素子３の大きさおよび上記配線回路基板
１に設けられた球状の接続用電極部２の大きさ、すなわ
ち、半導体素子３と配線回路基板１との空隙を充填し樹
脂封止することにより形成される封止樹脂層４の占める
容積により適宜に設定される。As the sealing resin sheet 10, the semiconductor element 3 or the wiring circuit board 1 may be provided with the sealing resin sheet 1.
In the case of temporarily bonding 0, it is preferable to use a sheet-like epoxy resin composition having tackiness. The size of the encapsulating resin sheet 10 is appropriately set depending on the size (area) of the semiconductor element 3 to be mounted, and is usually slightly smaller than the size (area) of the semiconductor element 3. It is preferable to set In addition, the thickness and the weight of the sealing resin sheet 10 are the same as the above, the size of the semiconductor element 3 to be mounted and the size of the spherical connection electrode portion 2 provided on the wiring circuit board 1, It is set appropriately according to the volume occupied by the sealing resin layer 4 formed by filling the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 and sealing the resin.
【００４０】上記タック性を備えたシート状エポキシ樹
脂組成物を得るには、例えば、エポキシ樹脂組成物中に
アクリロニトリル−ブタジエン系共重合体等のゴム成分
を添加しておくことにより達成される。The sheet-like epoxy resin composition having the above tackiness can be obtained, for example, by adding a rubber component such as an acrylonitrile-butadiene copolymer to the epoxy resin composition.
【００４１】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記封止用樹脂シート１０を加熱溶融して溶融状態
とする際の加熱温度としては、半導体素子３および配線
回路基板１の劣化等を考慮して７０〜３００℃の範囲に
設定することが好ましく、特に好ましくは１２０〜２０
０℃である。そして、加熱方法としては、赤外線リフロ
ー炉、乾燥機、温風機、熱板等があげられる。In the method of manufacturing a semiconductor device, the heating temperature at which the sealing resin sheet 10 is heated and melted into a molten state is determined in consideration of the deterioration of the semiconductor element 3 and the wiring circuit board 1 and the like. Is preferably set in the range of 70 to 300 ° C., particularly preferably 120 to 20 ° C.
0 ° C. Examples of the heating method include an infrared reflow oven, a dryer, a hot air blower, and a hot plate.
【００４２】さらに、上記溶融状態とした封止用樹脂を
上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間の空隙内
に充填する際には、上記のように加圧することが好まし
く、その加圧条件としては、接続用電極部（ジョイント
ボール）２の個数等によって適宜に設定されるが、具体
的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の範囲に設定され、好
ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個の範囲に設定され
る。Further, when filling the sealing resin in the molten state into the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1, it is preferable to apply pressure as described above. The pressure condition is appropriately set depending on the number of connection electrode portions (joint balls) 2 and the like, but is specifically set in a range of 0.02 to 0.5 kg / piece, preferably 0.04 to 0.5 kg / piece. It is set in the range of 0.2 kg / piece.
【００４３】（２）つぎに、本発明の半導体装置の製法
の第２の態様を図面に基づき順を追って説明する。この
製法（第２の態様）では、上記層状の固形樹脂として、
接続用電極部が設けられた、配線回路基板面および半導
体素子面の少なくとも一方に直接形成された封止用樹脂
層が用いられる。(2) Next, a second embodiment of the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described step by step with reference to the drawings. In this production method (second embodiment), as the layered solid resin,
A sealing resin layer directly formed on at least one of the wiring circuit board surface and the semiconductor element surface on which the connection electrode portion is provided is used.
【００４４】まず、図６に示すように、複数の球状の接
続用電極部（ジョイントボール）２が設けられた配線回
路基板１面上に、上記球状の接続用電極部２の頭頂部が
露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。つぎに、図
７に示すように、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部
が露出した接続用電極部２と、半導体素子３の電極部が
当接するよう上記配線回路基板１に半導体素子３を搭載
する。ついで、全体を加熱して上記封止用樹脂層１３を
溶融して溶融状態とし、加圧して半導体素子３と上記配
線回路基板１との間の空隙内に上記溶融状態の封止用樹
脂層１３を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹
脂封止して封止樹脂層４を形成する。このようにして、
図１に示す半導体装置を製造する。First, as shown in FIG. 6, the top of the spherical connection electrode portion 2 is exposed on the surface of the printed circuit board 1 on which a plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2 are provided. The sealing resin layer 13 is formed. Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor element 3 is attached to the printed circuit board 1 so that the connection electrode part 2 whose top is exposed from the sealing resin layer 13 and the electrode part of the semiconductor element 3 are in contact with each other. With. Then, the whole is heated to melt the sealing resin layer 13 to a molten state, and then pressurized to fill the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 with the molten sealing resin layer. 13 is filled and cured to seal the above-mentioned voids with the resin, thereby forming the sealing resin layer 4. In this way,
The semiconductor device shown in FIG. 1 is manufactured.
【００４５】上記図６に示す、球状の接続用電極部２が
設けられた配線回路基板１面に、上記接続用電極部２の
頭頂部が露出するよう形成される封止用樹脂層１３は、
例えば、つぎのようにして作製することができる。すな
わち、図２に示すように、複数の球状の接続用電極部２
が設けられた配線回路基板１上に、上記接続用電極部２
を介して固形の封止用樹脂シート１０を載置する（前述
の半導体装置の製法の第１の態様）。ついで、上記封止
用樹脂シート１０を加熱溶融することにより、図６に示
すように、球状の接続用電極部２が設けられた配線回路
基板１面に、上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよ
う封止用樹脂層１３が形成される。As shown in FIG. 6, the sealing resin layer 13 formed on the surface of the wiring circuit board 1 on which the spherical connection electrode portion 2 is provided so that the top of the connection electrode portion 2 is exposed. ,
For example, it can be manufactured as follows. That is, as shown in FIG.
On the printed circuit board 1 provided with
The solid encapsulating resin sheet 10 is placed via the substrate (the first embodiment of the above-described semiconductor device manufacturing method). Next, the sealing resin sheet 10 is heated and melted, so that the top of the connection electrode section 2 is provided on the surface of the printed circuit board 1 on which the spherical connection electrode section 2 is provided as shown in FIG. Is formed so that the sealing resin layer 13 is exposed.
【００４６】さらに、上記のような封止用樹脂層１３の
形成方法以外に、例えば、つぎのようにして作製するこ
とができる。すなわち、図８に示すように、予め、接続
用電極部２が設けられた配線回路基板１を準備する。つ
ぎに、上記接続用電極部２が設けられた配線回路基板１
面上に、エポキシ樹脂組成物を用い、印刷塗工法によ
り、封止用樹脂層１３を形成する。このようにして、上
記図６に示す、接続用電極部２の頭頂部が露出するよう
封止用樹脂層１３が形成される。Further, in addition to the method of forming the sealing resin layer 13 as described above, it can be manufactured, for example, as follows. That is, as shown in FIG. 8, the printed circuit board 1 provided with the connection electrode portion 2 is prepared in advance. Next, the printed circuit board 1 provided with the connection electrode section 2 is provided.
On the surface, a sealing resin layer 13 is formed by a printing coating method using an epoxy resin composition. In this manner, the sealing resin layer 13 is formed such that the top of the connection electrode portion 2 shown in FIG. 6 is exposed.
【００４７】なお、上記半導体装置の製法では、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た配線回路基板１を用いた場合について述べたが、これ
に限定するものではなく、先に述べた第１の態様と同
様、予め半導体素子３の片面（接続面側）に上記複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が配設され
たものを用いてもよい。この場合は、図９に示すよう
に、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボール）２
が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用電
極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成
する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が
露出した接続用電極部２と、配線回路基板１の電極部が
当接するよう上記配線回路基板１を搭載する。In the above-described method for manufacturing a semiconductor device, the case where the printed circuit board 1 provided with a plurality of spherical connection electrodes (joint balls) 2 is used, but the present invention is not limited to this. As in the first aspect described above, a semiconductor element 3 in which the plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2 are arranged on one surface (connection surface side) in advance may be used. In this case, as shown in FIG. 9, a plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2
A sealing resin layer 13 is formed on the surface of the semiconductor element 3 on which the top surface of the spherical connection electrode portion 2 is exposed. Next, the wiring circuit board 1 is mounted so that the connection electrode portion 2 whose top is exposed from the sealing resin layer 13 and the electrode portion of the wiring circuit board 1 are in contact with each other.
【００４８】さらに、接続用電極部２が、配線回路基板
１および半導体素子３の双方に設けられたものを用いる
場合は、両者のうちの少なくとも一方の接続用電極部２
形成面に、上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよう
封止用樹脂層１３を形成する。例えば、図１０に示すよ
うに、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボール）
２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用
電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形
成する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部
が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３を、接
続用電極部を有する配線回路基板１に搭載する。あるい
は、図１１に示すように、複数の球状の接続用電極部２
が設けられた配線回路基板１面に、上記球状の接続用電
極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成
する。つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が
露出した接続用電極部２を有する配線回路基板１に、接
続用電極部２を有する半導体素子３を搭載する。また、
図１２に示すように、複数の球状の接続用電極部２が設
けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用電極部
２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成す
る。一方、複数の球状の接続用電極部２が設けられた配
線回路基板１面に、上記球状の接続用電極部２の頭頂部
が露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。つぎに、
上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が露出した接続用
電極部２を有する配線回路基板１に、上記封止用樹脂層
１３からその頭頂部が露出した接続用電極部２を有する
半導体素子３を搭載する。後の工程は、上記と同様であ
る。Further, in the case where the connecting electrode portion 2 provided on both the printed circuit board 1 and the semiconductor element 3 is used, at least one of the two is used.
The sealing resin layer 13 is formed on the formation surface such that the top of the connection electrode portion 2 is exposed. For example, as shown in FIG. 10, a plurality of spherical connection electrode portions (joint balls)
The sealing resin layer 13 is formed on the surface of the semiconductor element 3 provided with the semiconductor element 2 so that the top of the spherical connection electrode part 2 is exposed. Next, the semiconductor element 3 having the connection electrode portion 2 whose top is exposed from the sealing resin layer 13 is mounted on the printed circuit board 1 having the connection electrode portion. Alternatively, as shown in FIG.
The sealing resin layer 13 is formed on the surface of the printed circuit board 1 on which the top surface of the spherical connection electrode portion 2 is exposed. Next, the semiconductor element 3 having the connection electrode portion 2 is mounted on the printed circuit board 1 having the connection electrode portion 2 whose top is exposed from the sealing resin layer 13. Also,
As shown in FIG. 12, a sealing resin layer 13 is formed on the surface of the semiconductor element 3 on which the plurality of spherical connection electrodes 2 are provided so that the top of the spherical connection electrode 2 is exposed. I do. On the other hand, a sealing resin layer 13 is formed on the surface of the printed circuit board 1 on which the plurality of spherical connection electrodes 2 are provided so that the tops of the spherical connection electrodes 2 are exposed. Next,
A semiconductor element having a connection electrode portion 2 whose top portion is exposed from the sealing resin layer 13 on the printed circuit board 1 having a connection electrode portion 2 whose top portion is exposed from the sealing resin layer 13. 3 is installed. The subsequent steps are the same as described above.
【００４９】上記図１０〜図１２において、接続用電極
部２が設けられた配線回路基板１に封止用樹脂層１３を
形成する方法は、先に述べた配線回路基板１に接続用電
極部１３が設けられた場合の形成方法と同様の方法に従
って形成される。また、接続用電極部２が設けられた半
導体素子３に封止用樹脂層１３を形成する方法は、上記
形成方法と同様、封止用樹脂シート１０を用いて加熱溶
融する、あるいは、接続用電極部２が設けられた半導体
素子３面に、印刷塗工する方法に従って形成される。In FIGS. 10 to 12, the method of forming the sealing resin layer 13 on the printed circuit board 1 provided with the connection electrode section 2 is based on the method of forming the connection electrode section on the printed circuit board 1 described above. 13 is formed according to the same method as the forming method in the case where 13 is provided. Further, the method for forming the sealing resin layer 13 on the semiconductor element 3 provided with the connection electrode portion 2 is similar to the above-described forming method, in which the sealing resin layer 10 is heated and melted, It is formed on the surface of the semiconductor element 3 on which the electrode part 2 is provided, according to a method of printing and coating.
【００５０】そして、上記第２の態様において、上記形
成された封止用樹脂層１３は、融点を超える温度におい
て、半導体素子３と配線回路基板１との間を越えて、流
出しないよう設計された封止用樹脂層１３とすることが
好ましい。In the second embodiment, the formed sealing resin layer 13 is designed so as not to flow out between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 at a temperature exceeding the melting point. It is preferable to use the sealing resin layer 13.
【００５１】また、上記第２の態様の製法において、封
止用樹脂層１３の加熱温度としては、先に述べた第１の
態様と同様、半導体素子３および配線回路基板１の劣化
等を考慮して７０〜３００℃の範囲に設定することが好
ましい。そして、加熱方法も上記と同様、赤外線リフロ
ー炉、乾燥機、温風機、熱板等があげられる。さらに、
上記加圧条件も、先に述べた第１の態様と同様、接続用
電極部（ジョイントボール）２の個数等によって適宜に
設定されるが、具体的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の
範囲に設定され、好ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個
の範囲に設定される。In the manufacturing method of the second embodiment, the heating temperature of the encapsulating resin layer 13 is determined in consideration of the deterioration of the semiconductor element 3 and the wiring circuit board 1 as in the first embodiment. It is preferable to set the temperature in the range of 70 to 300 ° C. As the heating method, an infrared reflow oven, a drier, a hot air blower, a hot plate, and the like can be used in the same manner as described above. further,
The pressurizing condition is also appropriately set according to the number of connection electrode portions (joint balls) 2 and the like, as in the first embodiment described above, and specifically, 0.02 to 0.5 kg / piece. , And preferably in the range of 0.04 to 0.2 kg / piece.
【００５２】なお、上記第２の態様において、図１０〜
図１２に示すように、接続用電極部２が配線回路基板１
および半導体素子３の双方に設けられたものを用い、両
者のうちの少なくとも一方の接続用電極部２形成面に、
上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂
層１３が形成された場合において、さらに他の態様があ
げられる。これは、上記封止用樹脂層１３に加えて、配
線回路基板１と半導体素子３との間に、さらに封止用樹
脂シートを介在させるものである。In the second embodiment, FIGS.
As shown in FIG. 12, the connection electrode portion 2 is
And the semiconductor element 3 are provided on at least one of the connection electrode 2 forming surfaces thereof.
In the case where the sealing resin layer 13 is formed such that the top of the connection electrode portion 2 is exposed, still another embodiment is provided. This is such that a sealing resin sheet is further interposed between the printed circuit board 1 and the semiconductor element 3 in addition to the sealing resin layer 13.
【００５３】すなわち、図１０に示すタイプのさらに他
の態様では、図１３に示すように、複数の球状の接続用
電極部２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の
接続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１
３を形成する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその
頭頂部が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３
を、封止用樹脂シート１８を介して接続用電極部を有す
る配線回路基板１に搭載する。That is, in still another embodiment of the type shown in FIG. 10, as shown in FIG. 13, the spherical connection electrode is provided on the surface of the semiconductor element 3 on which a plurality of spherical connection electrodes 2 are provided. Sealing resin layer 1 so that the top of part 2 is exposed
Form 3 Then, the semiconductor element 3 having the connection electrode portion 2 whose top is exposed from the sealing resin layer 13 is formed.
Is mounted on the printed circuit board 1 having the connection electrode portion via the sealing resin sheet 18.
【００５４】また、図１１に示すタイプのさらに他の態
様では、図１４に示すように、複数の球状の接続用電極
部２が設けられた配線回路基板１面に、上記球状の接続
用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を
形成する。つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂
部が露出した接続用電極部２を有する配線回路基板１
に、封止用樹脂シート１８を介して接続用電極部２を有
する半導体素子３を搭載する。In still another embodiment of the type shown in FIG. 11, as shown in FIG. 14, the spherical connection electrode is provided on the surface of the printed circuit board 1 on which a plurality of spherical connection electrodes 2 are provided. The sealing resin layer 13 is formed so that the top of the portion 2 is exposed. Next, the printed circuit board 1 having the connection electrode portion 2 whose top portion is exposed from the sealing resin layer 13
Then, the semiconductor element 3 having the connection electrode portion 2 is mounted via the sealing resin sheet 18.
【００５５】そして、図１２に示すタイプのさらに他の
態様では、図１５に示すように、複数の球状の接続用電
極部２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接
続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３
を形成する。一方、複数の球状の接続用電極部２が設け
られた配線回路基板１面に、上記球状の接続用電極部２
の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。
つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が露出し
た接続用電極部２を有する配線回路基板１に、封止用樹
脂シート１８を介して、上記封止用樹脂層１３からその
頭頂部が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３
を搭載する。後の工程は、上記と同様である。In a further embodiment of the type shown in FIG. 12, as shown in FIG. 15, the spherical connection electrode is provided on the surface of the semiconductor element 3 on which a plurality of spherical connection electrodes 2 are provided. Sealing resin layer 13 so that the top of part 2 is exposed
To form On the other hand, the spherical connection electrode section 2 is provided on the surface of the printed circuit board 1 on which the plurality of spherical connection electrode sections 2 are provided.
The sealing resin layer 13 is formed such that the top of the head is exposed.
Next, from the sealing resin layer 13 to the printed circuit board 1 having the connection electrode portions 2 whose heads are exposed, the sealing resin layer 13 is used to connect the printed circuit board 1 to the printed circuit board 1. Semiconductor device 3 having connection electrode portion 2 having an exposed top
With. The subsequent steps are the same as described above.
【００５６】上記図１３〜図１５に示すさらに他の態様
における製法においても、封止用樹脂層１３および封止
用樹脂シート１８の加熱温度は、上記と同様、半導体素
子３および配線回路基板１の劣化等を考慮して７０〜３
００℃の範囲に設定することが好ましい。そして、加熱
方法も上記と同様の方法があげられる。さらに、上記加
圧条件も、先に述べた条件と同様、接続用電極部２の個
数等によって適宜に設定されるが、具体的には０．０２
〜０．５ｋｇ／個の範囲に設定され、好ましくは０．０
４〜０．２ｋｇ／個の範囲に設定される。In the manufacturing method according to still another embodiment shown in FIGS. 13 to 15, the heating temperature of the sealing resin layer 13 and the sealing resin sheet 18 is the same as that of the semiconductor element 3 and the wiring circuit board 1 in the same manner as described above. 70-3 considering the deterioration of
It is preferable to set the temperature in the range of 00 ° C. The same heating method as described above can be used. Further, the above-mentioned pressurizing condition is appropriately set in accordance with the number of connection electrode portions 2 and the like, similarly to the above-described condition.
０．５0.5 kg / piece, preferably 0.0
It is set in the range of 4 to 0.2 kg / piece.
【００５７】（３）つぎに、本発明の半導体装置の製法
の第３の態様を図面に基づき説明する。この製法（第３
の態様）では、上記層状の固形樹脂がそれ単独ではな
く、予め、球状の接続用電極部の設けられていない半導
体素子面あるいは配線回路基板面に封止用樹脂層を設け
た状態のものを使用する。ただし、半導体素子および配
線回路基板の双方ともに電極は設けられている。(3) Next, a third embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to the drawings. This manufacturing method (third
In the embodiment, the above-mentioned layered solid resin is not used alone, but in a state where a sealing resin layer is provided in advance on a semiconductor element surface or a wiring circuit board surface on which a spherical connection electrode portion is not provided. use. However, electrodes are provided on both the semiconductor element and the printed circuit board.
【００５８】まず、予め、封止用樹脂層を半導体素子面
に貼着した状態のものを使用した例について述べる。す
なわち、図１６に示すように、予め、半導体素子３の片
面に封止用樹脂層１４を形成した状態のものを準備す
る。ついで、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボ
ール）２が設けられた配線回路基板１上の所定位置に、
上記貼着された封止用樹脂層１４が上記接続用電極部２
と当接するよう半導体素子３を載置する。載置した後、
上記封止用樹脂層１４を加熱溶融して溶融状態とし、加
圧して上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間の
空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し、硬化させること
により上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。
このようにして、図１に示す半導体装置を製造する。First, an example in which a sealing resin layer is previously adhered to the semiconductor element surface will be described. That is, as shown in FIG. 16, a semiconductor element 3 in which a sealing resin layer 14 is formed on one surface in advance is prepared. Then, at a predetermined position on the printed circuit board 1 on which the plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2 are provided,
The bonded resin layer 14 is bonded to the connection electrode portion 2.
The semiconductor element 3 is placed so as to be in contact with. After placing,
The sealing resin layer 14 is heated and melted to be in a molten state, and is pressurized to fill the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 with the resin in the molten state and to cure the resin. The gap is resin-sealed to form a sealing resin layer.
Thus, the semiconductor device shown in FIG. 1 is manufactured.
【００５９】一方、上記第３の態様の他の例として、予
め、封止用樹脂層を配線回路基板面に貼着した状態のも
のを使用した例について述べる。すなわち、図１７に示
すように、予め、配線回路基板１の片面に封止用樹脂層
１５を形成した状態のものを準備する。ついで、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た半導体素子３を、上記接続用電極部２と封止用樹脂層
１５とが当接するよう、上記配線回路基板１面の封止用
樹脂層１５上に載置する。載置した後、上記封止用樹脂
層１５を加熱溶融して溶融状態とし、加圧して上記半導
体素子３と上記配線回路基板１との間の空隙内に上記溶
融状態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙
を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。このようにし
て、図１に示す半導体装置を製造する。On the other hand, as another example of the third embodiment, an example in which a sealing resin layer is previously adhered to the surface of a printed circuit board will be described. That is, as shown in FIG. 17, a printed circuit board in which the sealing resin layer 15 is formed on one surface of the printed circuit board 1 in advance is prepared. Then, the semiconductor element 3 provided with the plurality of spherical connection electrode portions (joint balls) 2 is placed on the surface of the wiring circuit board 1 such that the connection electrode portion 2 and the sealing resin layer 15 are in contact with each other. It is placed on the sealing resin layer 15. After the placement, the sealing resin layer 15 is heated and melted to a molten state, and is pressurized to fill the gap between the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1 with the molten resin, By curing, the gap is resin-sealed to form a sealing resin layer. Thus, the semiconductor device shown in FIG. 1 is manufactured.
【００６０】上記図１６および図１７における、封止用
樹脂層１４，１５の形成方法としては、半導体素子３面
あるいは配線回路基板１面に封止用樹脂シートを貼着す
る、封止用樹脂層形成材料を印刷塗工により形成する方
法等があげられる。In FIGS. 16 and 17, the sealing resin layers 14 and 15 are formed by attaching a sealing resin sheet to the semiconductor element 3 surface or the wiring circuit board 1 surface. A method of forming the layer forming material by printing and the like can be given.
【００６１】上記封止用樹脂層１４，１５としては、前
記第１の態様と同様、その大きさは半導体素子３の大き
さ（面積）により適宜に設定され、通常、半導体素子３
の大きさ（面積）より少し小さくなるように設定するこ
とが好ましい。また、上記封止用樹脂層１４，１５の厚
みおよび重量（封止用樹脂シートの場合）は、上記と同
様、半導体素子３の大きさおよび上記接続用電極部２の
大きさ、すなわち、半導体素子３と配線回路基板１との
空隙を充填し樹脂封止することより形成される封止樹脂
層４の占める容積により適宜に設定される。As in the first embodiment, the size of the sealing resin layers 14 and 15 is appropriately set according to the size (area) of the semiconductor element 3.
Is preferably set to be slightly smaller than the size (area). The thickness and the weight (in the case of the sealing resin sheet) of the sealing resin layers 14 and 15 are the same as the above, the size of the semiconductor element 3 and the size of the connection electrode portion 2, that is, the semiconductor. It is set appropriately according to the volume occupied by the sealing resin layer 4 formed by filling the gap between the element 3 and the printed circuit board 1 and sealing the resin.
【００６２】また、上記第３の態様の製法において、上
記封止用樹脂層１４，１５を加熱溶融して溶融状態とす
る際の加熱温度としては、先に述べた第１および第２の
態様と同様、半導体素子３および配線回路基板１の劣化
等を考慮して７０〜３００℃の範囲に設定することが好
ましく、特に好ましくは１２０〜２００℃である。そし
て、加熱方法としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温
風機、熱板等があげられる。さらに、上記溶融状態とし
た封止用樹脂を上記半導体素子３と上記配線回路基板１
との間の空隙内に充填する際には、上記のように加圧す
ることが好ましく、その加圧条件としては、接続用電極
部（ジョイントボール）２の個数等によって適宜に設定
されるが、具体的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の範囲
に設定され、好ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個の範
囲に設定される。In the manufacturing method according to the third aspect, the heating temperature when the sealing resin layers 14 and 15 are heated and melted to be in a molten state may be the same as the first and second aspects described above. Similarly to the above, the temperature is preferably set in the range of 70 to 300 ° C. in consideration of the deterioration of the semiconductor element 3 and the wiring circuit board 1 and the like, and particularly preferably 120 to 200 ° C. Examples of the heating method include an infrared reflow oven, a dryer, a hot air blower, and a hot plate. Further, the sealing resin in the molten state is combined with the semiconductor element 3 and the printed circuit board 1.
It is preferable to pressurize as described above when filling the space between the electrodes, and the pressurizing condition is appropriately set according to the number of connection electrode portions (joint balls) 2 and the like. Specifically, it is set in the range of 0.02 to 0.5 kg / piece, preferably in the range of 0.04 to 0.2 kg / piece.
【００６３】上記第１〜第３の態様に従って製造される
半導体装置の一例としては、前述の図１に示すように、
形成された封止樹脂層４が、搭載された半導体素子３の
周囲からはみ出さないよう形成されたタイプがあげられ
るが、半導体装置の用途等によっては、図１８に示すよ
うに、形成された封止樹脂層４′が、搭載された半導体
素子３の周囲からはみ出すよう形成されたタイプであっ
てもよい。As an example of the semiconductor device manufactured according to the first to third aspects, as shown in FIG.
There is a type in which the formed sealing resin layer 4 is formed so as not to protrude from the periphery of the mounted semiconductor element 3. However, depending on the use of the semiconductor device, the type is formed as shown in FIG. The sealing resin layer 4 ′ may be of a type formed to protrude from the periphery of the mounted semiconductor element 3.
【００６４】そして、上記のようにして製造された半導
体装置において、半導体素子３の大きさは、通常、幅２
〜２０ｍｍ×長さ２〜３０ｍｍ×厚み０．１〜０．６ｍ
ｍに設定される。また、半導体素子３を搭載する配線回
路が形成された配線回路基板１の大きさは、通常、幅１
０〜７０ｍｍ×長さ１０〜７０ｍｍ×厚み０．０５〜
３．０ｍｍに設定される。そして、溶融した封止用樹脂
が充填される、半導体素子３と配線回路基板１の空隙の
両者間の距離は、通常、５〜１００μｍである。特に、
本発明に用いられる封止用樹脂の特性等を考慮すると、
上記両者間の距離は、１０〜７０μｍに設定することが
好ましい。In the semiconductor device manufactured as described above, the size of the semiconductor element 3 is usually set to the width 2
~ 20mm x length 2 ~ 30mm x thickness 0.1 ~ 0.6m
m. The size of the printed circuit board 1 on which the printed circuit on which the semiconductor element 3 is to be mounted is formed is usually 1 width.
0-70mm x length 10-70mm x thickness 0.05-
It is set to 3.0 mm. The distance between the semiconductor element 3 and the gap between the wiring circuit board 1 and the space where the molten sealing resin is filled is usually 5 to 100 μm. Especially,
Considering the properties of the sealing resin used in the present invention,
The distance between the two is preferably set to 10 to 70 μm.
【００６５】上記封止用樹脂を用いて封止することによ
り形成された封止樹脂層４、すなわち、上記封止用樹脂
の特性としては、各使用温度での溶融粘度が１〜１００
０ｐｏｉｓｅ、ゲルタイムが１５０℃において０．５〜
３０分、その硬化物としては、線膨脹係数が７〜５０ｐ
ｐｍであることが好ましい。より好ましくは溶融粘度が
１〜５００ｐｏｉｓｅ、ゲルタイムが１５０℃において
１．０〜１５分間、線膨脹係数が１２〜４０ｐｐｍであ
る。すなわち、溶融粘度が上記範囲内に設定されること
により、充填性が良好となる。また、ゲルタイムが上記
範囲内に設定されることにより、成形作業性、特に硬化
時間の短縮が可能となる。さらに、線膨脹係数が上記範
囲内に設定されることにより、樹脂硬化体や半導体素子
にクラック等の応力による欠陥防止が可能となる。な
お、上記溶融粘度は、フローテスター粘度計により測定
し、上記ゲルタイムは熱板上にて測定した。また、線膨
脹係数は、熱機械分析（ＴＭＡ）により測定した。The properties of the sealing resin layer 4 formed by sealing with the sealing resin, that is, the sealing resin, are such that the melt viscosity at each use temperature is 1 to 100.
0 poise, gel time is 0.5 to 150 ° C.
30 minutes, the cured product has a linear expansion coefficient of 7-50p
pm. More preferably, the melt viscosity is 1 to 500 poise, the gel time is 1.0 to 15 minutes at 150 ° C, and the linear expansion coefficient is 12 to 40 ppm. That is, the filling property is improved by setting the melt viscosity within the above range. Further, by setting the gel time within the above range, the molding workability, particularly the curing time, can be shortened. Further, by setting the linear expansion coefficient within the above range, it becomes possible to prevent defects due to stress such as cracks in the cured resin or the semiconductor element. The melt viscosity was measured by a flow tester viscometer, and the gel time was measured on a hot plate. The coefficient of linear expansion was measured by thermomechanical analysis (TMA).
【００６６】本発明において、上記第１〜第３のいずれ
の態様においても、封止用樹脂シートもしくは封止用樹
脂層を介して、半導体素子と配線回路基板の両電極部を
当接させ、上記シート（または樹脂層）を加熱して、好
ましくは加熱とともに加圧して硬化させることは前述の
とおりである。In the present invention, in any of the first to third aspects, the semiconductor element and the two electrode portions of the wiring circuit board are brought into contact with each other via the sealing resin sheet or the sealing resin layer, As described above, the sheet (or the resin layer) is heated and preferably cured by heating and pressurizing.
【００６７】上記加圧は、好ましくは半田等の接続用電
極部（ジョイントボール）を偏平化しつつ、または偏平
化した後、封止用樹脂を硬化させる。The above-mentioned pressurization preferably hardens the sealing resin while flattening or flattening the connection electrode portion (joint ball) such as solder.
【００６８】このとき、一般的には、上記接続用電極部
を構成する材料としては、熱時流動可能な材料、例え
ば、半田により形成されている。そして、封止用樹脂層
硬化後は、好ましくは接続用電極部を構成する半田を溶
融させるために、上記半導体素子と配線回路基板の接着
体は２１５℃程度に加温され、本発明の半導体装置とす
るのが一般的である。封止用樹脂シート（封止用樹脂
層）硬化後に、接続用電極部を構成する半田等の材料を
このように溶融させる工程は、先に述べたそれぞれの製
法において述べていないが、本願においては通常行われ
るものである。At this time, generally, the material constituting the connection electrode portion is formed of a material which can flow when heated, for example, solder. After the sealing resin layer is cured, the adhesive between the semiconductor element and the printed circuit board is heated to about 215 ° C. in order to preferably melt the solder constituting the connection electrode portion. Generally, it is a device. The step of melting the material such as the solder constituting the connection electrode portion in this manner after the sealing resin sheet (sealing resin layer) is cured is not described in the above-described respective manufacturing methods. Is usually performed.
【００６９】本発明による封止用樹脂シート（封止用樹
脂層）による封止では、たいていの場合、つぎに示すこ
とが言える。In most cases, the following can be said in the sealing with the sealing resin sheet (sealing resin layer) according to the present invention.
【００７０】すなわち、接続用電極部として半田を用い
た場合には、フラックスが無くても、前記の半導体素子
電極部と配線回路基板電極部（ランド部）の両者の溶融
・結合が好適に行われるのが一般的である。That is, when solder is used as the connection electrode portion, both the semiconductor element electrode portion and the wiring circuit board electrode portion (land portion) can be suitably melted and bonded without flux. It is common to be done.
【００７１】上記理由は明らかではないが、前記半導体
素子と配線回路基板の接合体が得られた段階では、接続
用電極部である半田の周りは、たいていの場合、硬化樹
脂で覆われて酸素と遮断された状態となっていること、
および電極部の圧力による前記の偏平化時に半田表面に
クラックが生じて半田の地肌表面（酸化されていない
面）が露出しているためではないかと考えられる。ま
た、極微量の塩素成分および有機酸成分の少なくとも一
方を含有する封止用樹脂シート、例えば、エポキシ樹脂
組成物よりなるシートを用いた場合には、これら塩素成
分および有機酸成分の少なくとも一方が半田製の接続用
電極部表面に形成する酸化膜除去に効果があり、この酸
化膜が除去されるためではないかと考えられる。つい
で、このような環境下で、２１５℃程度に加温すること
により、上述の半導体素子電極部および配線回路基板電
極部の両電極部が溶融する。Although the reason for the above is not clear, at the stage when the joined body of the semiconductor element and the printed circuit board is obtained, the periphery of the solder as the connection electrode portion is usually covered with the cured resin and covered with oxygen. Is in a state of being cut off,
Also, it is considered that cracks are generated on the solder surface during the above-mentioned flattening due to the pressure of the electrode portion, and the ground surface (non-oxidized surface) of the solder is exposed. Further, when a sealing resin sheet containing at least one of a trace amount of a chlorine component and an organic acid component, for example, a sheet made of an epoxy resin composition is used, at least one of the chlorine component and the organic acid component is used. It is effective in removing an oxide film formed on the surface of the connection electrode portion made of solder, and it is considered that this oxide film is removed. Then, in such an environment, by heating to about 215 ° C., both the electrode portions of the semiconductor device electrode portion and the wiring circuit board electrode portion are melted.
【００７２】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００７３】まず、実施例に先立って、下記に示す各成
分を準備した。First, prior to the examples, the following components were prepared.
【００７４】〔エポキシ樹脂ａ１〕下記の式（４）で表
される構造のビフェニル型エポキシ樹脂である。[Epoxy resin a1] A biphenyl type epoxy resin having a structure represented by the following formula (4).
【００７５】[0075]
【化４】 Embedded image
【００７６】〔エポキシ樹脂ａ２〕クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９５ｇ／ｅｑ、融
点：６０〜９０℃）である。[Epoxy resin a2] A cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 195 g / eq, melting point: 60 to 90 ° C.).
【００７７】〔硬化剤ｂ〕フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）であ
る。[Hardening agent b] A phenol novolak resin (hydroxyl equivalent: 105 g / eq, softening point 60 ° C.).
【００７８】〔無機質充填剤ｃ１〜ｃ５〕下記の表１に
示す球状シリカ粉末である。[Inorganic fillers c1 to c5] These are spherical silica powders shown in Table 1 below.
【００７９】[0079]
【表１】 [Table 1]
【００８０】〔触媒ｄ１〕トリフェニルホスフィンであ
る。[Catalyst d1] is triphenylphosphine.
【００８１】〔触媒ｄ２〕テトラフェニルホスフェート
およびテトラフェニルボレートの混合物（モル混合比１
／１）である。[Catalyst d2] A mixture of tetraphenyl phosphate and tetraphenyl borate (molar mixing ratio: 1)
/ 1).
【００８２】〔低応力化剤〕アクリロニトリル−ブタジ
エンゴムである。[Low Stress Agent] An acrylonitrile-butadiene rubber.
【００８３】〔難燃剤〕ブロム化エポキシフェノールノ
ボラックである。[Flame retardant] A brominated epoxyphenol novolak.
【００８４】〔難燃助剤〕三酸化二アンチモンである。[Flame retardant aid] Diantimony trioxide.
【００８５】〔ワックス〕ポリエチレンである。[Wax] Polyethylene.
【００８６】〔カップリング剤〕γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシランである。[Coupling agent] γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane.
【００８７】[0087]
【実施例１〜１３】上記各成分を用い、下記の表２〜表
３に示す割合で各成分を混合した。これをパレット上に
受入れし、これを冷却後プレス圧延してシート状化する
ことにより目的のシート状エポキシ樹脂組成物を作製し
た。Examples 1 to 13 Each of the above components was mixed at the ratios shown in Tables 2 and 3 below. This was received on a pallet, cooled, and press-rolled to form a sheet, thereby producing a desired sheet-like epoxy resin composition.
【００８８】[0088]
【表２】 [Table 2]
【００８９】[0089]
【表３】 [Table 3]
【００９０】このようにして得られた各実施例のシート
状エポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シート）を用い、前
述の半導体装置の製法における第１の態様（先の段落番
号００３７に記載）に従って半導体装置を製造した。す
なわち、図２に示すように、ボード１に設けられた球状
のジョイントボール２を介して、上記ボード１上に上記
各封止用樹脂シート１０を載置した後、図３に示すよう
に、上記封止用樹脂シート１０上に半導体チップ３を載
置した。その後、加熱温度１８０℃×荷重０．０６ｋｇ
／個の条件で封止用樹脂シート１０を加熱溶融して、ボ
ード１と半導体チップ３との空隙内に溶融状態の樹脂を
充填し、熱硬化（条件：２００℃×２０分硬化）させる
ことにより、図１に示すように、上記空隙が封止樹脂層
４で樹脂封止された半導体装置を作製した。得られた半
導体装置について、初期の通電チェックを行い、さら
に、その半導体装置を用いて、プレッシャークッカーテ
スト〔ＰＣＴテスト（条件：１２１℃×２ａｔｍ×１０
０％ＲＨで２００時間放置）〕を行った後に通電チェッ
クを行った。そして、不良が発生した割合（不良発生
率）を算出した。この不良発生率とともに、不良が発生
したものを×、全く不良が発生しなかったものを○とし
て表示した。その結果を下記の表４〜表５に示す。Using the sheet-like epoxy resin composition (resin sheet for encapsulation) of each of the examples thus obtained, the first embodiment in the above-described semiconductor device manufacturing method (described in the preceding paragraph number 0037). The semiconductor device was manufactured according to the following. That is, as shown in FIG. 2, after each of the sealing resin sheets 10 is placed on the board 1 via the spherical joint ball 2 provided on the board 1, as shown in FIG. The semiconductor chip 3 was placed on the sealing resin sheet 10. Then, heating temperature 180 ° C x load 0.06kg
Heating and melting the sealing resin sheet 10 under the condition of /, filling the molten resin into the gap between the board 1 and the semiconductor chip 3, and thermosetting (condition: curing at 200 ° C. × 20 minutes). As a result, as shown in FIG. 1, a semiconductor device in which the voids were sealed with the sealing resin layer 4 was produced. An initial energization check is performed on the obtained semiconductor device, and a pressure cooker test [PCT test (conditions: 121 ° C. × 2 atm × 10 4) is performed using the semiconductor device.
(Leaving at 0% RH for 200 hours)], and then conducting a current check. Then, the rate of occurrence of defects (defect occurrence rate) was calculated. Along with the defect occurrence rate, those in which a defect occurred were indicated by x, and those in which no defect occurred were indicated by ○. The results are shown in Tables 4 and 5 below.
【００９１】[0091]
【表４】 [Table 4]
【００９２】[0092]
【表５】 [Table 5]
【００９３】上記表４〜表５の結果、初期の通電チェッ
クおよびＰＣＴテスト２００時間後の通電チェックにお
いて不良が全く発生しなかった。このことから、全ての
実施例では、ボードと半導体チップとの空隙に封止樹脂
層が形成されており、上記空隙内の封止用樹脂の充填が
良好に行われていることが明らかである。As a result of the above Tables 4 and 5, no failure occurred in the initial energization check and the energization check 200 hours after the PCT test. From this, it is clear that in all of the examples, the sealing resin layer is formed in the gap between the board and the semiconductor chip, and the sealing resin in the gap is filled well. .
【００９４】また、上記各実施例１〜１３のエポキシ樹
脂組成物を用い、前述の半導体装置の製法の第２の態様
（先の段落番号００４４に記載）に従って半導体装置を
製造した。すなわち、図２に示すように、ジョイントボ
ール２が設けられたボード１上に、上記ジョイントボー
ル２を介して各封止用樹脂シート１０を載置した。つい
で、この封止用樹脂シート１０を１８０℃で加熱溶融す
ることにより、図６に示すように、上記ジョイントボー
ル２の頭頂部が露出するよう、ボード１面に封止用樹脂
層１３を形成した。つぎに、図７に示すように、上記封
止用樹脂層１３からその頭頂部が露出したジョイントボ
ール２と、半導体チップ３の電極部が当接するよう上記
ボード１に半導体チップ３を搭載した。ついで、全体を
加熱（１８０℃）して上記ボード１面に設けられた封止
用樹脂層１３を溶融して溶融状態とし、加圧により半導
体チップ３と上記ボード１とを接合（条件：２００℃×
２０分で熱硬化）させることにより、図１に示すよう
に、上記空隙が封止樹脂層４で樹脂封止された半導体装
置を作製した。得られた半導体装置について、上記と同
様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間
放置後の通電チェックを行った。その結果、先の評価結
果と同様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２０
０時間後の通電チェックにおいて不良が全く発生しなか
った。したがって、ボード１と半導体チップ３との空隙
に封止樹脂層４が形成されており、上記空隙内の封止用
樹脂の充填が良好に行われていることが明らかである。Using the epoxy resin compositions of Examples 1 to 13, a semiconductor device was manufactured in accordance with the above-described second embodiment of the semiconductor device manufacturing method (described in paragraph 0044 above). That is, as shown in FIG. 2, each sealing resin sheet 10 was placed on the board 1 on which the joint ball 2 was provided via the joint ball 2. Then, the sealing resin sheet 10 is heated and melted at 180 ° C. to form a sealing resin layer 13 on the surface of the board 1 so that the top of the joint ball 2 is exposed as shown in FIG. did. Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip 3 was mounted on the board 1 such that the joint ball 2 having its top exposed from the sealing resin layer 13 and the electrode portion of the semiconductor chip 3 were in contact with each other. Next, the whole is heated (180 ° C.) to melt the sealing resin layer 13 provided on the surface of the board 1 so as to be in a molten state, and the semiconductor chip 3 and the board 1 are joined under pressure (condition: 200). ° C
As shown in FIG. 1, a semiconductor device in which the above-mentioned voids were resin-sealed with the sealing resin layer 4 was manufactured by performing heat curing in 20 minutes). An initial energization check and an energization check after the PCT test was left for 200 hours were performed on the obtained semiconductor device in the same manner as described above. As a result, similar to the previous evaluation result, the initial energization check and the PCT test 20
No failure occurred in the energization check after 0 hour. Therefore, the sealing resin layer 4 is formed in the gap between the board 1 and the semiconductor chip 3, and it is apparent that the sealing resin in the gap is filled well.
【００９５】さらに、上記各実施例１〜１３のエポキシ
樹脂組成物を用い、前述の半導体装置の製法の第３の態
様（先の段落番号００５８に記載）に従って半導体装置
を製造した。すなわち、図１６に示すように、予め、半
導体チップ３の片面に各封止用樹脂シート１４を貼着し
たものを準備した。ついで、複数のジョイントボール２
が設けられたボード１上に、上記貼着された封止用樹脂
シート１４が上記ジョイントボール２と当接するよう半
導体チップ３を載置した。ついで、全体を加熱（１８０
℃）することにより上記封止用樹脂シート１４を溶融し
て溶融状態とし、加圧により半導体チップ３と上記ボー
ド１とを接合（条件：２００℃×２０分で熱硬化）させ
て、図１に示すように、半導体チップ３とボード１との
空隙が封止樹脂層４で樹脂封止された半導体装置を作製
した。得られた半導体装置について、上記と同様、初期
の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間放置後の
通電チェックを行った。その結果、先の評価結果と同
様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間
後の通電チェックにおいて不良が全く発生しなかった。
したがって、ボード１と半導体チップ３との空隙に封止
樹脂層４が形成されており、上記空隙内の封止用樹脂の
充填が良好に行われていることが明らかである。Further, using the epoxy resin compositions of Examples 1 to 13, a semiconductor device was manufactured in accordance with the above-described third embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device (described in the preceding paragraph No. 0058). That is, as shown in FIG. 16, a semiconductor chip 3 was prepared in which each sealing resin sheet 14 was previously adhered to one surface of the semiconductor chip 3. Then, multiple joint balls 2
The semiconductor chip 3 was placed on the board 1 on which the sealing resin sheet 14 stuck was in contact with the joint ball 2. Then, heat the whole (180
1C) to melt the encapsulating resin sheet 14 to a molten state, and bond the semiconductor chip 3 and the board 1 by pressure (condition: thermosetting at 200 ° C. × 20 minutes). As shown in (1), a semiconductor device in which the gap between the semiconductor chip 3 and the board 1 was resin-sealed with the sealing resin layer 4 was manufactured. An initial energization check and an energization check after the PCT test was left for 200 hours were performed on the obtained semiconductor device in the same manner as described above. As a result, as in the previous evaluation result, no failure occurred in the initial energization check and the energization check after 200 hours of the PCT test.
Therefore, the sealing resin layer 4 is formed in the gap between the board 1 and the semiconductor chip 3, and it is apparent that the sealing resin in the gap is filled well.
【００９６】[0096]
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
法は、複数の接続用電極部を介在して接続された、配線
回路基板と半導体素子との間の空隙を封止樹脂層によっ
て樹脂封止する際に、上記封止樹脂層を、上記配線回路
基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させこ
の固形樹脂を溶融させることにより形成することを特徴
とする。このように、上記溶融した樹脂が、上記配線回
路基板と半導体素子との間の空隙に充填されて両者が接
合されるため、従来の煩雑な製造工程と比べて、上記配
線回路基板と半導体素子との接続および樹脂封止の工程
を一度で行うことができ、製造工程の大幅な簡略化が実
現する。また、封止用樹脂として液状樹脂を用いず保存
性に優れた固形樹脂を用いるため、上記空隙内に注入す
る際の問題が生じることもない。As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the gap between the printed circuit board and the semiconductor element, which is connected through a plurality of connection electrode portions, is sealed by the sealing resin layer. When the resin is sealed, the sealing resin layer is formed by interposing a layered solid resin between the printed circuit board and the semiconductor element and melting the solid resin. As described above, since the molten resin fills the gap between the printed circuit board and the semiconductor element and is bonded to each other, the printed circuit board and the semiconductor element are compared with the conventional complicated manufacturing process. And the steps of resin sealing can be performed at once, and the manufacturing process is greatly simplified. Further, since a solid resin having excellent storability is used without using a liquid resin as the sealing resin, no problem occurs when the resin is injected into the void.
【００９７】さらに、上記固形樹脂として、最大粒径が
１００μｍ以下に設定された無機質充填剤を、特定割合
含有するエポキシ樹脂組成物を用いることにより、上記
基板と半導体素子の空隙内への充填がボイド等が生じる
ことなく良好に行われる。Further, by using an epoxy resin composition containing a specific ratio of an inorganic filler having a maximum particle size of not more than 100 μm as the solid resin, the space between the substrate and the semiconductor element can be filled. It is performed well without generating voids and the like.
【００９８】そして、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層としては、上記配線回路基板
上に、封止用樹脂シートを搭載し、ついで、上記封止用
樹脂シート上に半導体素子を載置した後、上記封止用樹
脂シートを加熱溶融することにより、上記配線回路基板
と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態の樹脂を充
填し硬化させることにより形成することができる。この
ように、上記層状の固形樹脂として封止用樹脂シートを
用いることにより、半導体装置の製造効率が著しく向上
する。As a sealing resin layer formed by melting the solid resin, a sealing resin sheet is mounted on the wiring circuit board, and then a semiconductor is formed on the sealing resin sheet. After mounting the element, the sealing resin sheet is heated and melted, so that the gap between the printed circuit board and the semiconductor element is filled with the resin in the molten state and cured to form the resin. it can. As described above, by using the sealing resin sheet as the layered solid resin, the manufacturing efficiency of the semiconductor device is significantly improved.
【００９９】また、上記固形樹脂を溶融させることによ
り形成された封止樹脂層としては、上記配線回路基板上
に、上記接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂
層を形成し、ついで、上記接続用電極部に半導体素子の
電極部が当接するよう上記半導体素子搭載用基板に半導
体素子を載置した後、上記封止用樹脂層を加熱溶融す
る。あるいは、上記半導体素子面に設けられた接続用電
極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成した後、
さらに、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
で、上記封止用樹脂層を加熱溶融する。このようにし
て、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上
記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより
形成することができる。このように、上記層状の固形樹
脂として封止用樹脂層を用いることにより、半導体装置
の製造効率が著しく向上する。As the sealing resin layer formed by melting the solid resin, a sealing resin layer is formed on the printed circuit board so that a part of the connection electrode portion is exposed. Then, after mounting the semiconductor element on the semiconductor element mounting substrate so that the electrode part of the semiconductor element is in contact with the connection electrode part, the sealing resin layer is heated and melted. Alternatively, after forming a sealing resin layer so that a part of the connection electrode portion provided on the semiconductor element surface is exposed,
Further, the semiconductor element is mounted on the printed circuit board so that the electrode section of the printed circuit board contacts the connection electrode section, and then the sealing resin layer is heated and melted. In this way, it can be formed by filling the gap between the printed circuit board and the semiconductor element with the molten sealing resin and curing the resin. As described above, by using the sealing resin layer as the layered solid resin, the manufacturing efficiency of the semiconductor device is significantly improved.
【０１００】そして、上記接続用電極部の一部が露出す
るよう形成された封止用樹脂層は、接続用電極部が設け
られた配線回路基板上あるいは半導体素子上に、上記接
続用電極部を介して封止用樹脂シートを搭載した後、こ
の封止用樹脂シートを加熱溶融して容易に形成すること
ができる。または、接続用電極部が設けられた配線回路
基板面あるいは半導体素子面に、封止用樹脂層形成材料
を印刷塗工して容易に封止用樹脂層を形成することがで
きる。The sealing resin layer formed so that a part of the connection electrode portion is exposed is provided on the wiring circuit board or the semiconductor element on which the connection electrode portion is provided, or on the semiconductor element. After the resin sheet for sealing is mounted via the substrate, the resin sheet for sealing can be easily formed by heating and melting. Alternatively, the encapsulating resin layer can be easily formed by printing and coating the encapsulating resin layer forming material on the wiring circuit board surface or the semiconductor element surface on which the connection electrode portion is provided.
【０１０１】さらに、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、予め、上記半導体素子の
片面に封止用樹脂層を設けたものを準備し、複数の接続
用電極部が設けられた配線回路基板上に、上記封止用樹
脂層が上記接続用電極部と当接するよう半導体素子を載
置する。あるいは、予め、上記配線回路基板の片面に封
止用樹脂層を貼着したものを準備し、上記配線回路基板
上に、複数の接続用電極部が設けられた半導体素子の上
記接続用電極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導
体素子を載置する。ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶
融することにより、上記配線回路基板と半導体素子との
間の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化さ
せることにより容易に形成することができる。Further, a sealing resin layer formed by melting the solid resin is prepared by previously providing a sealing resin layer on one side of the semiconductor element, and a plurality of connection electrode portions are formed. A semiconductor element is mounted on the provided printed circuit board such that the sealing resin layer is in contact with the connection electrode portion. Alternatively, a substrate in which a sealing resin layer is pasted on one surface of the printed circuit board is prepared in advance, and the connection electrode section of the semiconductor element provided with a plurality of connection electrode sections on the printed circuit board is prepared. Is placed on the semiconductor element so as to be in contact with the sealing resin layer. Then, by heating and melting the sealing resin layer, the gap between the printed circuit board and the semiconductor element can be easily filled with the molten sealing resin and cured to be easily formed. it can.
【図１】本発明の半導体装置の製法により得られた半導
体装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a semiconductor device obtained by a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
【図２】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment.
【図３】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 3 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
【図４】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 4 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the first embodiment;
【図５】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 5 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the first embodiment;
【図６】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 6 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment.
【図７】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 7 is an explanatory sectional view showing a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment.
【図８】第２の態様における半導体装置の製造工程に用
いる半導体素子搭載用基板の製造工程を示す説明断面図
である。FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing a step of manufacturing a semiconductor element mounting substrate used in a step of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment.
【図９】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。FIG. 9 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment;
【図１０】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。FIG. 10 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment.
【図１１】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。FIG. 11 is an explanatory cross-sectional view showing a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment.
【図１２】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。FIG. 12 is an explanatory cross-sectional view showing a manufacturing step of the semiconductor device according to the second embodiment.
【図１３】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。FIG. 13 is an explanatory cross-sectional view showing a manufacturing step of a semiconductor device in still another example of the second embodiment.
【図１４】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。FIG. 14 is an explanatory sectional view showing a manufacturing step of a semiconductor device in still another example of the second embodiment.
【図１５】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。FIG. 15 is an explanatory sectional view showing a manufacturing step of a semiconductor device in still another example of the second embodiment.
【図１６】第３の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。FIG. 16 is an explanatory sectional view showing a manufacturing step of the semiconductor device according to the third embodiment.
【図１７】第３の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。FIG. 17 is an explanatory sectional view illustrating a manufacturing step of the semiconductor device according to the third embodiment.
【図１８】本発明の半導体装置の製法により得られた半
導体装置の他の例を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating another example of a semiconductor device obtained by a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
１ 配線回路基板 ２ 接続用電極部 ３ 半導体素子 ４ 封止樹脂層 １０ 封止用樹脂シート １４，１５ 封止用樹脂層 １３ 封止用樹脂層 １８ 封止用樹脂シート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring circuit board 2 Connection electrode part 3 Semiconductor element 4 Sealing resin layer 10 Sealing resin sheet 14, 15 Sealing resin layer 13 Sealing resin layer 18 Sealing resin sheet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 首藤 伸一朗 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 福島 喬 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Shinichiro Shuto 1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (72) Inventor Takashi Fukushima 1-1-1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation
Claims (11)
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置の製法であって、上記封止樹脂層を、上
記配線回路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を
介在させてこの固形樹脂を溶融させることにより形成す
ることを特徴とする半導体装置の製法。1. A semiconductor in which a semiconductor element is mounted on a printed circuit board via a plurality of connection electrodes, and a gap between the printed circuit board and the semiconductor element is sealed by a sealing resin layer. A method of manufacturing a device, wherein the sealing resin layer is formed by interposing a layered solid resin between the printed circuit board and the semiconductor element and melting the solid resin. Recipe.
成物（Ａ）からなるものである請求項１記載の半導体装
置の製法。 （Ａ）下記の（ａ）〜（ｃ）成分を含有し、上記（ｃ）
成分の含有割合がエポキシ樹脂組成物（Ａ）全体の９０
重量％以下に設定されたエポキシ樹脂組成物。 （ａ）エポキシ樹脂。 （ｂ）フェノール樹脂。 （ｃ）最大粒径が１００μｍ以下に設定された無機質充
填剤。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein said solid resin comprises the following epoxy resin composition (A). (A) It contains the following components (a) to (c),
The content ratio of the component is 90% of the entire epoxy resin composition (A).
An epoxy resin composition set to not more than% by weight. (A) Epoxy resin. (B) phenolic resin. (C) An inorganic filler having a maximum particle size of 100 μm or less.
成された封止樹脂層が、上記配線回路基板上に封止用樹
脂シートを載置した後、さらに、上記封止用樹脂シート
上に半導体素子を載置し、ついで、上記封止用樹脂シー
トを加熱溶融することにより、上記配線回路基板と半導
体素子との間の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充
填し硬化させることにより形成されたものである請求項
１または２記載の半導体装置の製法。3. A sealing resin layer formed by melting the solid resin, after a sealing resin sheet is placed on the printed circuit board, and a semiconductor is further formed on the sealing resin sheet. By mounting the element and then heating and melting the sealing resin sheet, the gap between the printed circuit board and the semiconductor element is filled with the molten sealing resin and cured. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is formed.
成された封止樹脂層が、上記配線回路基板面に設けられ
た接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形
成した後、上記接続用電極部に半導体素子の電極部が当
接するよう半導体素子を上記配線回路基板に載置し、つ
いで、上記封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上
記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融
状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより形成さ
れたものである請求項１または２記載の半導体装置の製
法。4. A sealing resin layer formed by melting the solid resin so that a part of a connection electrode portion provided on the surface of the printed circuit board is exposed. Thereafter, the semiconductor element is placed on the printed circuit board so that the electrode section of the semiconductor element is in contact with the connection electrode section, and then the sealing resin layer is heated and melted, so that the printed circuit board and the semiconductor are mounted. 3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the sealing resin in a molten state is filled in a gap between the element and the sealing resin and cured.
が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接続用電極
部が設けられた配線回路基板上に、上記接続用電極部を
介して封止用樹脂シートを搭載した後、この封止用樹脂
シートを加熱溶融して形成されたものである請求項４記
載の半導体装置の製法。5. The connecting electrode portion according to claim 4, wherein the sealing resin layer formed so as to expose a part of the connecting electrode portion is provided on the printed circuit board provided with the connecting electrode portion. 5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the resin sheet for sealing is formed by heating and melting the resin sheet for sealing after mounting the resin sheet via a portion.
が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接続用電極
部が設けられた配線回路基板面に、封止用樹脂層形成材
料を印刷塗工して形成されたものである請求項４記載の
半導体装置の製法。6. The sealing resin layer formed so that a part of the connection electrode portion according to claim 4 is exposed, the sealing resin layer is provided on the surface of the printed circuit board provided with the connection electrode portion. 5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the layer forming material is formed by printing and coating.
成された封止樹脂層が、上記半導体素子面に設けられた
接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成
した後、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
で、上記封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上記
配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状
態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより形成され
たものである請求項１または２記載の半導体装置の製
法。7. After the sealing resin layer formed by melting the solid resin is formed so that a part of the connection electrode portion provided on the semiconductor element surface is exposed. The semiconductor element is mounted on the printed circuit board so that the electrode section of the printed circuit board comes into contact with the connection electrode section, and then the sealing resin layer is heated and melted to thereby form the printed circuit board and the semiconductor element. 3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the sealing resin in the molten state is filled and cured in a gap between the semiconductor device and the semiconductor device.
が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接続用電極
部が設けられた半導体素子面に、上記接続用電極部を介
して封止用樹脂シートを搭載した後、この封止用樹脂シ
ートを加熱溶融して形成されたものである請求項７記載
の半導体装置の製法。8. The sealing resin layer formed so that a part of the connection electrode portion according to claim 7 is exposed, the connection resin portion being provided on a semiconductor element surface on which the connection electrode portion is provided. 8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the sealing resin sheet is formed by heating and melting the sealing resin sheet after mounting the sealing resin sheet via the substrate.
が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接続用電極
部が設けられた半導体素子面に、封止用樹脂層形成材料
を印刷塗工して形成されたものである請求項７記載の半
導体装置の製法。9. The sealing resin layer formed so that a part of the connection electrode portion according to claim 7 is exposed, the sealing resin layer is formed on the semiconductor element surface on which the connection electrode portion is provided. 8. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device is formed by applying a forming material by printing.
形成された封止樹脂層が、上記半導体素子の片面に封止
用樹脂層を形成した後、複数の接続用電極部が設けられ
た配線回路基板上に、上記封止用樹脂層が上記接続用電
極部と当接するよう半導体素子を載置し、ついで、上記
封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上記配線回路
基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態の封止
用樹脂を充填し硬化させることにより形成されたもので
ある請求項１または２記載の半導体装置の製法。10. A wiring circuit comprising: a sealing resin layer formed by melting the solid resin; a sealing resin layer formed on one surface of the semiconductor element; and a plurality of connection electrode portions provided. A semiconductor element is mounted on a substrate so that the sealing resin layer is in contact with the connection electrode portion, and then the sealing resin layer is heated and melted, so that the wiring circuit board and the semiconductor element 3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gap is formed by filling and curing the molten sealing resin.
形成された封止樹脂層が、上記配線回路基板の片面に封
止用樹脂層を形成した後、上記配線回路基板上に、複数
の接続用電極部が設けられた半導体素子の上記接続用電
極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導体素子を載
置し、ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融することに
より、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、
上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることによ
り形成されたものである請求項１または２記載の半導体
装置の製法。11. A sealing resin layer formed by melting the solid resin forms a sealing resin layer on one surface of the printed circuit board, and then a plurality of connecting resin layers are formed on the printed circuit board. The semiconductor element is placed so that the connection electrode part of the semiconductor element provided with the electrode part is in contact with the sealing resin layer, and then the sealing resin layer is heated and melted to form the wiring circuit. In the gap between the substrate and the semiconductor element,
3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is formed by filling and curing the sealing resin in a molten state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35453097A JPH10242211A (en) | 1996-12-24 | 1997-12-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34339896 | 1996-12-24 | ||
| JP8-343398 | 1996-12-24 | ||
| JP35453097A JPH10242211A (en) | 1996-12-24 | 1997-12-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242211A true JPH10242211A (en) | 1998-09-11 |
Family
ID=26577518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35453097A Pending JPH10242211A (en) | 1996-12-24 | 1997-12-24 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242211A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000036506A (en) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nitto Denko Corp | Manufacture of semiconductor device |
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| JP2006521703A (en) * | 2003-03-28 | 2006-09-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Flip chip assembly with thin underfill and thick solder mask |
| JP2007141963A (en) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Denso Corp | Substrate-mounting method and semiconductor device mounted therewith |
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| JP2012064883A (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Olympus Corp | Imaging device, and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP35453097A patent/JPH10242211A/en active Pending
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