JPH10242023A - Manufacture for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve quality of an inspection and a review in manufacturing of a semiconductor integrated circuit. SOLUTION: A lower pattern 2 is formed on a silicon substrate or an undercoat substrate 1 having several layers formed on the silicon substrate. At this time, a material absorbing a light of a wavelength used at an inspection or review is used for a layer 3 of an oxide film or the like to be formed on the substrate so as not to pass the light of the wavelength of the inspection or review.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路を製
造する方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

【０００２】[0002]

【従来の技術】年々微細化あるいは複雑化する半導体集
積回路の製造において、高い歩留まりをいかに確保する
かということが大きな課題となってきている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor integrated circuits that are becoming finer and more complex year by year, it has become a major issue how to secure a high yield.

【０００３】歩留まりを阻害する要因は、（１）異物や
外観欠陥（結晶の異常成長や断線、ショート、欠落等を
含む）、（２）アライメントずれ、焦点ずれ、膜厚異常
あるいはエッチング異常等に起因するパターン形成不良
（パターン幅不良等）等が存在する。そして、半導体集
積回路の量産時に、これらの不良が離散的（たとえば、
半導体ウエハ製造において何枚かに１枚、単発的に不良
が発生する）あるいは連続的（たとえば、半導体ウエハ
製造において何枚か毎に１回、連続して不良が発生す
る）に発生する。Factors that hinder the yield include (1) foreign matter and appearance defects (including abnormal growth of crystals, disconnection, short-circuit, chipping, etc.), (2) misalignment, defocus, abnormal film thickness or abnormal etching. There is a pattern formation defect (pattern width defect or the like) due to this. During mass production of semiconductor integrated circuits, these defects are discrete (for example,
In semiconductor wafer manufacture, one of several wafers causes a single failure, or continuously (for example, once in several semiconductor wafers, a continuous failure occurs).

【０００４】従来、これら離散的不良あるいは連続的不
良を回避するためには、製造中の主要工程においてウエ
ハを適当な頻度で抜き出し、外観検査装置や異物検査装
置を行い不良を検出した後、光学顕微鏡等を用いて目視
観察（以下、レビューと称する）し、不良の分類・解析
等を行ない適切な対策をとるという方法がとられてい
る。Conventionally, in order to avoid such discrete defects or continuous defects, a wafer is extracted at an appropriate frequency in a main process during manufacturing, and after a defect is detected by a visual inspection device or a foreign material inspection device, an optical inspection is performed. A method of visually observing (hereinafter, referred to as a review) using a microscope or the like, classifying and analyzing defects, and taking appropriate measures is adopted.

【０００５】異物検査を例にとると、特開昭55-149829
号、特開昭59-65428号公報等に、半導体ウエハ等のパタ
ーンが形成された電子部品上に存在する微小異物の検出
方法が数多く開示されている。そして、これらの検出方
法を採用した様々な検査装置が製造ラインで用いられて
いる。[0005] For example, foreign matter inspection is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-149829.
, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-65428, etc. disclose a number of methods for detecting minute foreign matter present on an electronic component on which a pattern such as a semiconductor wafer is formed. Various inspection apparatuses employing these detection methods are used in production lines.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】外観検査装置、異物検
査装置、光学式レビュー装置（金属顕微鏡と、ウエハの
ロード／アンロード、XYZ駆動ステージを組み合わせ、
検査装置からの不良発生箇所の座標を元にレビュー作業
を容易にした装置）等の検査関連の装置は、一般に光学
的に、不良を検出したり観察したりする装置である。SUMMARY OF THE INVENTION A visual inspection device, a foreign material inspection device, an optical review device (a metal microscope, a load / unload of a wafer, an XYZ drive stage,
An inspection-related apparatus such as an apparatus that facilitates a review operation based on the coordinates of a failure occurrence point from an inspection apparatus) is a device that optically detects and observes a defect.

【０００７】外観検査装置や、光学式レビュー装置は一
般に図３のような構造をとる。ウエハステージ１０上に
あるウエハ１１を、ランプ１２、コンデンサレンズ１
３、ハーフミラー１５を介して、主として白色の光で照
明し、その像を、対物レンズ１４、結像レンズ１６を介
してラインセンサあるいはイメージセンサ１７で検出す
る。検出した信号あるいは画像は、外観検査装置の場
合、信号（画像）処理ユニット１８で処理され不良のサ
イズ、座標、その他の情報が、制御計算機２０に送ら
れ、コンソール２１に出力されたり、ネットワーク等を
介して上位のシステム等に送られる。制御計算機２０
は、ステージコントローラ１９を介して、ウエハステー
ジ１０の速度、経路その他を最適に制御する。A visual inspection device and an optical review device generally have a structure as shown in FIG. The lamp 11 and the condenser lens 1 are placed on the wafer 11 on the wafer stage 10.
3. Illuminate mainly with white light through the half mirror 15, and detect the image by the line sensor or the image sensor 17 via the objective lens 14 and the imaging lens 16. In the case of a visual inspection device, the detected signal or image is processed by a signal (image) processing unit 18 and the size, coordinates, and other information of the defect are sent to the control computer 20 and output to the console 21 or a network or the like. Is sent to a higher-level system or the like via Control computer 20
Optimally controls the speed, path, and the like of the wafer stage 10 via the stage controller 19.

【０００８】光学式レビュー装置の場合、ウエハステー
ジ１０は、検査装置から送られた不良発生箇所の座標あ
るいは、制御計算機２０に与えられたオペレータの指令
を元に、不良部分が対物レンズ１４の直下に来るように
制御される。そして、検出した画像は、コンソール２１
に直接表示されたり、制御計算機２０等に付属した画像
情報記憶装置に格納される。In the case of an optical review device, a defective portion is located directly below the objective lens 14 on the basis of the coordinates of the defect occurrence position sent from the inspection device or an operator's command given to the control computer 20. Controlled to come to. Then, the detected image is displayed on the console 21.
Or stored in an image information storage device attached to the control computer 20 or the like.

【０００９】外観検査装置あるいは、光学式レビュー装
置が扱うウエハのパターンの断面の例を示すと、図８の
様になる。シリコン基板、あるいは、この上に何層かの
成膜がなされた下地基板１上に、下層パターン２が形成
され、さらに、この上に、酸化膜等の層３が形成され
る。そして、その上に検査、あるいはレビューしたい上
層のパターン４が作られている。FIG. 8 shows an example of a cross section of a wafer pattern handled by an appearance inspection device or an optical review device. A lower layer pattern 2 is formed on a silicon substrate or an underlying substrate 1 on which several layers are formed, and a layer 3 such as an oxide film is formed thereon. Then, an upper layer pattern 4 to be inspected or reviewed is formed thereon.

【００１０】外観検査装置あるいは光学しきレビュー装
置は、対物レンズ１４の開口数（共焦点顕微鏡の場合、
スポットサイズ）によって決まる焦点深度領域５があ
り、この中に含まれるパターンの像がセンサ１７で取り
込まれる。The visual inspection device or the optical crest review device is provided with a numerical aperture of the objective lens 14 (for a confocal microscope,
There is a depth of focus area 5 determined by the spot size), and an image of a pattern contained therein is captured by the sensor 17.

【００１１】この外観検査装置あるいは光学しきレビュ
ー装置で得られるパターン４の検出信号は、図２の様に
従来、比較的コントラストの高い物を得ることができ
た。ここで、横軸６は信号検出の時間（したがって、パ
ターンの横方向座標位置）を、縦軸７は信号強度を、８
は信号波形を示す。The detection signal of the pattern 4 obtained by this visual inspection device or optical crest review device can obtain a relatively high contrast signal as shown in FIG. Here, the horizontal axis 6 represents the signal detection time (therefore, the horizontal coordinate position of the pattern), the vertical axis 7 represents the signal strength, and 8
Indicates a signal waveform.

【００１２】しかし、近年の半導体集積回路のパターン
の微細化は、遂に、光学系の解像度限界に近づくまでに
なり、焦点深度領域５が非常に狭くなってきた。その結
果、パターン４の検出信号に下層パターン２のデフォー
カス像（下層パターンの焦点深度領域は３５である）が
重畳され、十分なコントラストを得ることが非常に困難
になってきた。However, the recent miniaturization of the pattern of the semiconductor integrated circuit has finally reached the resolution limit of the optical system, and the depth of focus region 5 has become very narrow. As a result, the defocused image of the lower layer pattern 2 (the depth of focus area of the lower layer pattern is 35) is superimposed on the detection signal of the pattern 4, and it has become very difficult to obtain sufficient contrast.

【００１３】また、既に300mm径化が検討され始めてい
るウエハの大口径化は、成膜装置やエッチング装置の面
内均一化を困難なものにしつつある。図４に示すよう
に、ウエハ等の下地基板１上に酸化膜等の層３が形成さ
れるが、例えば、膜厚がウエハ周辺で増加するような場
合、層間界面での多重反射の影響で、図５に示すよう
に、ウエハ１の内部で、３a〜３cの様に、色が変化す
る。外観検査装置では、一般に隣接するチップ同士を比
較して、不良を検出するが、チップ９a〜上のパターン
４a〜の検出波形は、この色の変化の影響を受ける。す
なわち、チップ９a上のパターン４aの検出波形は、図６
の８aの様になる場合でも、比較対象となるチップ９b上
のパターン４bの検出波形は、図７の８bの様にコントラ
ストが悪化する場合がある。このとき、検出波形８aと
８bは、共に不良ではないため、検査の閾値３０を小さ
くすることが必要となる。この結果、検出感度は低下し
てしまう。[0013] The increase in the diameter of a wafer, which has already been studied to reduce the diameter to 300 mm, is making it difficult to make the film forming apparatus and the etching apparatus uniform in the plane. As shown in FIG. 4, a layer 3 such as an oxide film is formed on a base substrate 1 such as a wafer. For example, when the film thickness increases around the wafer, it is affected by multiple reflection at an interlayer interface. As shown in FIG. 5, inside the wafer 1, the color changes like 3a to 3c. In the visual inspection device, generally, adjacent chips are compared with each other to detect a defect. The detected waveforms of the patterns 4a to 9c on the chip 9a are affected by the color change. That is, the detected waveform of the pattern 4a on the chip 9a is shown in FIG.
7a, the detected waveform of the pattern 4b on the chip 9b to be compared may have a deteriorated contrast as shown by 8b in FIG. At this time, since both of the detection waveforms 8a and 8b are not defective, it is necessary to reduce the inspection threshold value 30. As a result, the detection sensitivity decreases.

【００１４】異物検査装置は一般に図９のような構造を
取る。ウエハステージ１０上にあるウエハ１１を、半導
体レーザや気体レーザからなるレーザ照明系４０からの
光で照明し、ウエハからの散乱光を、対物レンズ１４、
結像レンズ１６を介してラインセンサあるいはイメージ
センサ１７で検出する。検出した信号あるいは画像は、
信号（画像）処理ユニット１８で処理され異物からの散
乱光強度、推定サイズ、座標、その他の情報が、制御計
算機２０に送られ、コンソール２１に出力されたり、ネ
ットワーク等を介して上位のシステム等に送られる。制
御計算機２０は、ステージコントローラ１９を介して、
ウエハステージ１０の速度、経路その他を最適に制御す
る。The foreign substance inspection apparatus generally has a structure as shown in FIG. The wafer 11 on the wafer stage 10 is illuminated with light from a laser illumination system 40 composed of a semiconductor laser or a gas laser, and scattered light from the wafer is
It is detected by a line sensor or an image sensor 17 via an imaging lens 16. The detected signal or image is
The signal (image) processing unit 18 processes the scattered light intensity from the foreign matter, the estimated size, the coordinates, and other information. The information is sent to the control computer 20 and output to the console 21 or a higher-level system via a network or the like. Sent to The control computer 20 is, via the stage controller 19,
The speed, path, etc. of the wafer stage 10 are optimally controlled.

【００１５】異物検査装置の場合は、半導体集積回路の
高集積化に伴うパターンの縦方向構造の複雑化と検出し
たい異物サイズの小形化が課題である。すなわち、図１
０に示すように、シリコン基板、あるいは、この上に何
層かの成膜がなされた下地基板１上に形成された下層パ
ターン２からの散乱光４４と、酸化膜等の層３が形成さ
れた上に存在する異物４２からの散乱光４３の強度が、
逆転するようになり、結果として、感度の低下を招いて
いる。In the case of a foreign substance inspection apparatus, there are problems in that the vertical structure of the pattern is complicated and the size of the foreign substance to be detected is reduced due to the high integration of the semiconductor integrated circuit. That is, FIG.
As shown in FIG. 0, scattered light 44 from a lower layer pattern 2 formed on a silicon substrate or an underlying substrate 1 on which several layers are formed, and a layer 3 such as an oxide film are formed. The intensity of the scattered light 43 from the foreign matter 42
They are reversed, resulting in a decrease in sensitivity.

【００１６】このような状況を背景にして、本発明は、
半導体集積回路の製造において必要な、外観検査装置、
異物検査装置、光学式レビュー装置等について、検査あ
るいはレビューの対象であるウエハ等のプロセス、材料
を工夫することにより、その解像度、感度等を光学的性
能の限界近くまで向上させることを目的としている。Against this background, the present invention provides:
Appearance inspection equipment required in the manufacture of semiconductor integrated circuits,
The purpose is to improve the resolution, sensitivity, etc. of the foreign object inspection device, optical review device, etc. to near the limit of optical performance by devising the process and material of the wafer etc. to be inspected or reviewed. .

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】上記課題は、検査あるい
はレビューしたいパターン面、層、あるいは界面に限定
した光学像の検出を行なうことにより可能となる。The above objects can be attained by detecting an optical image limited to a pattern surface, layer, or interface to be inspected or reviewed.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の実施例について、以下詳
細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in detail below.

【００１９】検査あるいはレビューしたいパターン面、
層、あるいは界面に限定した光学像の検出を行なうため
には、下層の膜内に光が透過しないようにすることが重
要である。下層へ光が透過しないことで、焦点深度領域
外のパターンによるデフォーカス像の影響も、多重反射
によるウエハ面内の色の違いも、また、下地パターンか
らの散乱光の影響も回避することができる。A pattern surface to be inspected or reviewed;
In order to detect an optical image limited to a layer or an interface, it is important to prevent light from passing through the underlying film. By not transmitting light to the lower layer, it is possible to avoid the effect of defocused images due to patterns outside the depth of focus area, the difference in color within the wafer surface due to multiple reflection, and the effect of scattered light from the underlying pattern. it can.

【００２０】図１は本発明の第１の実施例である。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.

【００２１】シリコン基板、あるいは、この上に何層か
の成膜がなされた下地基板１上に、下層パターン２が形
成されているとき、この上に形成される酸化膜等の層３
に、検査あるいはレビューに用いる波長で光が透過しな
いようにした。このタイプのものの実現形態は、以下の
四つの方法がある。When a lower layer pattern 2 is formed on a silicon substrate or an underlying substrate 1 on which several layers have been formed, a layer 3 such as an oxide film formed thereon is formed.
In addition, light was not transmitted at the wavelength used for inspection or review. There are the following four methods for implementing this type.

【００２２】（１）酸化膜等の層３の材料に、検査ある
いはレビューに用いる波長の光を吸収するものを用い
る。(1) As the material of the layer 3 such as an oxide film, a material that absorbs light having a wavelength used for inspection or review is used.

【００２３】（２）酸化膜等の層３の材料に、検査ある
いはレビューに用いる波長の光を吸収する物質を添加す
る。(2) A substance that absorbs light having a wavelength used for inspection or review is added to the material of the layer 3 such as an oxide film.

【００２４】（３）酸化膜等の層３の膜厚を調整し、検
査あるいはレビューに用いる波長の光での多重反射率を
ゼロ付近まで押さえる。(3) The film thickness of the layer 3 such as an oxide film is adjusted, and the multiple reflectance with light having a wavelength used for inspection or review is suppressed to near zero.

【００２５】（４）検査あるいはレビューに用いる光の
波長を、酸化膜等の層３を透過しないものにする。(4) The wavelength of light used for inspection or review is set so as not to pass through the layer 3 such as an oxide film.

【００２６】図１１は本発明の第２の実施例である。FIG. 11 shows a second embodiment of the present invention.

【００２７】シリコン基板、あるいは、この上に何層か
の成膜がなされた下地基板１上に、下層パターン２が形
成されているとき、この上に形成される酸化膜等の層３
の上に、検査あるいはレビューに用いる波長で光が透過
しない反射防止あるいは光吸収の薄膜層５０を形成し
た。この結果、焦点深度領域５以外の領域にあるパター
ンの影響、散乱光の影響等を回避することができる。こ
のタイプのものの実現形態は、以下の三つの方法があ
る。When a lower layer pattern 2 is formed on a silicon substrate or an underlying substrate 1 on which several layers have been formed, a layer 3 such as an oxide film formed on the lower layer pattern 2 is formed.
An anti-reflection or light-absorbing thin film layer 50 that does not transmit light at the wavelength used for inspection or review was formed thereon. As a result, it is possible to avoid the influence of the pattern in the area other than the depth of focus area 5 and the influence of the scattered light. There are the following three methods for realizing this type.

【００２８】（１）光吸収薄膜層５０の材料に、検査あ
るいはレビューに用いる波長の光を吸収するものを用い
る。(1) As the material of the light absorbing thin film layer 50, a material that absorbs light having a wavelength used for inspection or review is used.

【００２９】（２）光吸収薄膜層５０の材料に、検査あ
るいはレビューに用いる波長の光を吸収する物質を添加
する。(2) To the material of the light absorbing thin film layer 50, a substance that absorbs light having a wavelength used for inspection or review is added.

【００３０】（３）光吸収薄膜層５０の膜厚を調整し、
検査あるいはレビューに用いる波長の光での多重反射率
をゼロ付近まで押さえる。(3) The thickness of the light absorbing thin film layer 50 is adjusted,
The multiple reflectance with light of the wavelength used for inspection or review is suppressed to near zero.

【００３１】（４）検査あるいはレビューに用いる光の
波長を、光吸収薄膜層５０を透過しないものにする。(4) The wavelength of light used for inspection or review is set so as not to pass through the light absorbing thin film layer 50.

【００３２】第１の実施例の実施形態（３）、第２の実
施例の実施形態（３）における酸化膜等の層３あるいは
光吸収薄膜層５０の形成時には、照明光の入射角と膜厚
を変化させて多重反射率を制御する。このとき、例え
ば、図１２に示すような多重反射率特性を持つことがで
きる。横軸５１が光の波長、縦軸５２が多重反射率であ
り、５３が波長による特性の違いである。個々で、露光
装置のパターン幅の安定制御のため露光波長５４での反
射率を小さくする必要がある。一方、アライメント波長
５５では、下地のアライメントパターンを検出する必要
があり、ある程度の反射率が必要である。そして、検査
あるいはレビューに用いる光の波長５６では、多重反射
率を押さえる必要がある。When forming the layer 3 such as an oxide film or the light absorbing thin film layer 50 in the embodiment (3) of the first embodiment and the embodiment (3) of the second embodiment, the incident angle of the illumination light and the film thickness are determined. The multiple reflectivity is controlled by changing the thickness. At this time, for example, it is possible to have a multiple reflectance characteristic as shown in FIG. The horizontal axis 51 is the light wavelength, the vertical axis 52 is the multiple reflectance, and 53 is the difference in the characteristics depending on the wavelength. It is necessary to individually reduce the reflectance at the exposure wavelength 54 for stable control of the pattern width of the exposure apparatus. On the other hand, at the alignment wavelength 55, it is necessary to detect the underlying alignment pattern, and a certain degree of reflectance is required. It is necessary to suppress the multiple reflectance at the wavelength 56 of light used for inspection or review.

【００３３】第１の実施例の実施形態（４）、第２の実
施例の実施形態（４）では、例えば、エキシマレーザ等
の遠紫外光を用いることが考えられる。通常の材料で
は、遠紫外光の光透過率が小さいため、他の実施形態と
同等の効果を得ることができる。In the embodiment (4) of the first embodiment and the embodiment (4) of the second embodiment, for example, it is conceivable to use far ultraviolet light such as an excimer laser. Since ordinary materials have a low light transmittance of far ultraviolet light, the same effects as those of the other embodiments can be obtained.

【００３４】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、半導体集積回路の製造
において必要な、外観検査装置、異物検査装置、光学式
レビュー装置等について、その解像度、感度等を光学的
性能の限界近くまで向上させることができる。According to the present invention, the resolution, sensitivity, and the like of the visual inspection device, the foreign material inspection device, the optical review device, and the like required in the manufacture of a semiconductor integrated circuit are improved to near the limit of the optical performance. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体集積回路の
断面図。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図２】外観検査装置、光学式レビュー装置等で得られ
る検出信号波形図。FIG. 2 is a detection signal waveform diagram obtained by a visual inspection device, an optical review device, and the like.

【図３】外観検査装置、光学式レビュー装置等の原理説
明図。FIG. 3 is a diagram illustrating the principle of an appearance inspection device, an optical review device, and the like.

【図４】ウエハ内の膜厚ばらつきを示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a film thickness variation in a wafer.

【図５】図４のウエハの正面図。FIG. 5 is a front view of the wafer of FIG. 4;

【図６】外観検査装置、光学式レビュー装置等で得られ
る検出信号波形図。FIG. 6 is a detection signal waveform diagram obtained by a visual inspection device, an optical review device, and the like.

【図７】外観検査装置、光学式レビュー装置等で得られ
る検出信号波形図。FIG. 7 is a detection signal waveform diagram obtained by a visual inspection device, an optical review device, and the like.

【図８】外観検査装置、光学式レビュー装置等における
半導体集積回路の断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit in a visual inspection device, an optical review device, and the like.

【図９】異物検査装置の原理の説明図。FIG. 9 is a diagram illustrating the principle of a foreign matter inspection device.

【図１０】異物検査装置における従来の課題を説明する
ための半導体集積回路の断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit for describing a conventional problem in a foreign substance inspection device.

【図１１】本発明の第２の実施例を示す半導体集積回路
の断面図。FIG. 11 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の実施例で効果のある薄膜の波長ー反
射率の特性図。FIG. 12 is a characteristic diagram of wavelength-reflectance of a thin film effective in an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…ウエハ等の下地基板、 ２…下層パターン、 ３…酸化膜等の層、 ４…上層のパターン、 ５…焦点深度領域。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Undersubstrate, such as a wafer, 2 ... Lower layer pattern, 3 ... Layers, such as an oxide film, 4 ... Upper layer pattern, 5 ... Depth of focus area.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】半導体集積回路の製造方法において、特定
薄膜層上のパターン、異物の光学式検査の感度あるいは
パターン等の光学式観察の解像度を上げるため、上記薄
膜層に検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させな
い性質を持たせることを特徴とする半導体集積回路の製
造方法。In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, a wavelength used for inspecting or observing a pattern on a specific thin film layer in order to increase the sensitivity of optical inspection of a pattern or foreign matter or the resolution of optical observation of a pattern or the like. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, wherein the semiconductor integrated circuit has a property of not transmitting light. 【請求項２】請求項１において、上記薄膜層に検査ある
いは観察に用いる波長の光を透過させない性質を持たせ
る手段として、上記薄膜層の材料に検査あるいは観察に
用いる波長の光を吸収するものを用いる半導体集積回路
の製造方法。2. A method according to claim 1, wherein said thin film layer is made of a material that does not transmit light of a wavelength used for inspection or observation, wherein the material of said thin film layer absorbs light of a wavelength used for inspection or observation. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same. 【請求項３】請求項１において、上記薄膜層に検査ある
いは観察に用いる波長の光を透過させない性質を持たせ
る手段として、上記薄膜層の材料に検査あるいは観察に
用いる波長の光を吸収する物質を添加する半導体集積回
路の製造方法。3. A material according to claim 1, wherein said thin film layer is made of a material which absorbs light of a wavelength used for inspection or observation, as a means for imparting a property of not transmitting light of a wavelength used for inspection or observation. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, to which is added. 【請求項４】請求項１において、上記薄膜層に検査ある
いは観察に用いる波長の光を透過させない性質を持たせ
る手段として、上記薄膜層の膜厚を検査あるいは観察に
用いる波長の光による多重反射率をゼロ付近まで押さえ
るよう調整する半導体集積回路の製造方法。4. A method according to claim 1, wherein the film thickness of the thin film layer is multi-reflected by light having a wavelength used for inspection or observation. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit that adjusts the rate to near zero. 【請求項５】請求項４において、検査あるいは観察に用
いる波長の光と、露光に用いる波長の光による多重反射
率をゼロ付近まで押さえるとともに、露光装置のアライ
メントに用いる波長の光に対しては必要な光透過特性を
有するよう、上記薄膜層の膜厚を調整する半導体集積回
路の製造方法。5. The method according to claim 4, wherein the multiple reflectivity of the light having the wavelength used for inspection or observation and the light having the wavelength used for exposure is suppressed to near zero, and the light having the wavelength used for alignment of the exposure apparatus is suppressed. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, wherein the thickness of the thin film layer is adjusted so as to have necessary light transmission characteristics. 【請求項６】請求項１において、上記薄膜層に検査ある
いは観察に用いる波長の光を透過させない性質を持たせ
る手段として、検査あるいは観察に用いる光を、上記薄
膜層で吸収される波長の光を用いる半導体集積回路の製
造方法。6. The method according to claim 1, wherein the thin film layer has a property of not transmitting light having a wavelength used for inspection or observation. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same. 【請求項７】請求項６において、検査あるいは観察に用
いる光として遠紫外領域の光を用いる半導体集積回路の
製造方法。7. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein light in a far ultraviolet region is used as light used for inspection or observation. 【請求項８】請求項７において、遠紫外領域の光として
エキシマレーザの光を用いる半導体集積回路の製造方
法。8. The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein light of an excimer laser is used as light in a far ultraviolet region. 【請求項９】半導体集積回路の製造方法において、特定
薄膜層上のパターン、異物の光学式検査の感度あるいは
パターン等の光学式観察の解像度を上げるため、上記薄
膜層上に検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させ
ない性質の光吸収薄膜層を形成する半導体集積回路の製
造方法。9. In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, a pattern on a specific thin film layer is used for inspection or observation on the thin film layer in order to increase the sensitivity of optical inspection of a pattern or foreign matter or the resolution of optical observation of a pattern or the like. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit in which a light absorbing thin film layer having a property of not transmitting light of a wavelength is formed. 【請求項１０】請求項９において、上記薄膜層上に形成
する検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させない
性質の光吸収薄膜を実現する手段として、光吸収薄膜層
の材料に検査あるいは観察に用いる波長の光を吸収する
ものを用いる半導体集積回路の製造方法。10. A method for realizing a light absorbing thin film having a property of not transmitting light having a wavelength used for inspection or observation formed on the thin film layer according to claim 9; A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using a material that absorbs light of a wavelength to be used. 【請求項１１】請求項９において、上記薄膜層上に形成
する検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させない
性質の光吸収薄膜を実現する手段として、光吸収薄膜層
の材料に検査あるいは観察に用いる波長の光を吸収する
物質を添加する半導体集積回路の製造方法。11. The method according to claim 9, wherein the material of the light absorbing thin film layer is used for inspection or observation as means for realizing a light absorbing thin film formed on the thin film layer and having a property of not transmitting light having a wavelength used for inspection or observation. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, to which a substance that absorbs light having a wavelength to be used is added. 【請求項１２】請求項１１において、光吸収薄膜層の膜
厚を検査あるいは観察に用いる波長の光による多重反射
率をゼロ付近まで押さえるよう調整する半導体集積回路
の製造方法。12. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein the thickness of the light-absorbing thin film layer is adjusted so that the multiple reflectance by light having a wavelength used for inspection or observation is suppressed to near zero. 【請求項１３】請求項１１において、検査あるいは観察
に用いる波長の光と、露光に用いる波長の光による多重
反射率をゼロ付近まで押さえるとともに、露光装置のア
ライメントに用いる波長の光に対しては必要な光透過特
性を有するよう、上記薄膜層上に形成する光吸収薄膜層
の膜厚を調整する半導体集積回路の製造方法。13. The method according to claim 11, wherein the multiple reflectivity of the light having the wavelength used for inspection or observation and the light having the wavelength used for exposure is suppressed to near zero, and the light having the wavelength used for alignment of the exposure apparatus is reduced. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, wherein the thickness of a light absorbing thin film layer formed on the thin film layer is adjusted so as to have necessary light transmission characteristics. 【請求項１４】請求項９において、上記薄膜層上に形成
する検査あるいは観察に用いる波長の光を透過させない
性質の光吸収薄膜を実現する手段として、検査あるいは
観察に用いる光を、光吸収薄膜層で吸収される波長の光
を用いる半導体集積回路の製造方法。14. A light absorbing thin film according to claim 9, wherein said light absorbing thin film is formed on said thin film layer and has a property of not transmitting light of a wavelength used for inspection or observation. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using light having a wavelength absorbed by a layer. 【請求項１５】請求項１４において、検査あるいは観察
に用いる光として遠紫外領域の光を用いる半導体集積回
路の製造方法。15. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 14, wherein light in a far ultraviolet region is used as light used for inspection or observation. 【請求項１６】請求項１５において、遠紫外領域の光と
してエキシマレーザの光を用いる半導体集積回路の製造
方法。16. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 15, wherein light of an excimer laser is used as light in a far ultraviolet region.