JPH10239601A - 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 - Google Patents
薄膜型光路調節装置及びその製造方法Info
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- JPH10239601A JPH10239601A JP9265888A JP26588897A JPH10239601A JP H10239601 A JPH10239601 A JP H10239601A JP 9265888 A JP9265888 A JP 9265888A JP 26588897 A JP26588897 A JP 26588897A JP H10239601 A JPH10239601 A JP H10239601A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
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- G—PHYSICS
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- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜型光路調節装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 本発明の装置は、電気的な配線と連結
端子を有する基板100、基板の上部に形成されたアク
チュエータ200、基板とアクチュエータとの間に形成
されるアクチュエータを支持する支持要素135、アク
チュエータの上部に形成された反射部材195、及びア
クチュエータと反射部材との間に形成されて反射部材を
支持する複数個のポスト、即ち第1ポスト175及び隣
接する第2ポスト177及び第3ポスト180により支
持される。これにより、反射部材の反りや下向きへの傾
斜が防止されて各アクチュエータの傾斜角度を等しくで
きる。また、第1ポストと第2ポストとの間、または第
1ポストと第3ポストとの間の反射部材の長さを短くす
ることで反射部材の傾斜角度を増加させ得る。
供する。 【解決手段】 本発明の装置は、電気的な配線と連結
端子を有する基板100、基板の上部に形成されたアク
チュエータ200、基板とアクチュエータとの間に形成
されるアクチュエータを支持する支持要素135、アク
チュエータの上部に形成された反射部材195、及びア
クチュエータと反射部材との間に形成されて反射部材を
支持する複数個のポスト、即ち第1ポスト175及び隣
接する第2ポスト177及び第3ポスト180により支
持される。これにより、反射部材の反りや下向きへの傾
斜が防止されて各アクチュエータの傾斜角度を等しくで
きる。また、第1ポストと第2ポストとの間、または第
1ポストと第3ポストとの間の反射部材の長さを短くす
ることで反射部材の傾斜角度を増加させ得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜型光路調節装置
及びその製造方法に関するものであり、より詳細にはア
クチュエータと反射部材との間に複数個のポストを形成
して反射部材の初期の反り(deflection)や傾斜即ちチル
トを防止することにより、アクチュエータの上部に装着
された反射部材の傾斜角度を大きくすることができる薄
膜型光路調節装置及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に関するものであり、より詳細にはア
クチュエータと反射部材との間に複数個のポストを形成
して反射部材の初期の反り(deflection)や傾斜即ちチル
トを防止することにより、アクチュエータの上部に装着
された反射部材の傾斜角度を大きくすることができる薄
膜型光路調節装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、光束を調節して画像を形成し得
る光路調節装置は二種類に大別される。その一つは直視
型画像表示装置であってCRT(Cathode Ray Tube)な
どがあり、他方は投射型画像表示装置であって液晶表示
装置(Liquid Crystal Display:LCDともいう)、ま
たはDMD(Deformable Mirror Device)、AMA(Ac
tuated Mirror Arrays)などがそれに当たる。前記CR
T装置は画像の質において優れるが、画面の大型化によ
り装置の重量と容積が増加し、その製造コストが上昇す
るという問題点がある。これに比べて、液晶表示装置
(LCD)は光学的な構造が簡単であって薄く形成する
ことができてその重量及び容積を減らせるという利点が
ある。しかしながら、前記液晶表示装置(LCD)は入
射される光束の偏光により1〜2%の光効率を有する程
度に効率が低下し、液晶物質の応答速度が遅くて内部が
加熱しやすいという問題点があった。
る光路調節装置は二種類に大別される。その一つは直視
型画像表示装置であってCRT(Cathode Ray Tube)な
どがあり、他方は投射型画像表示装置であって液晶表示
装置(Liquid Crystal Display:LCDともいう)、ま
たはDMD(Deformable Mirror Device)、AMA(Ac
tuated Mirror Arrays)などがそれに当たる。前記CR
T装置は画像の質において優れるが、画面の大型化によ
り装置の重量と容積が増加し、その製造コストが上昇す
るという問題点がある。これに比べて、液晶表示装置
(LCD)は光学的な構造が簡単であって薄く形成する
ことができてその重量及び容積を減らせるという利点が
ある。しかしながら、前記液晶表示装置(LCD)は入
射される光束の偏光により1〜2%の光効率を有する程
度に効率が低下し、液晶物質の応答速度が遅くて内部が
加熱しやすいという問題点があった。
【0003】従って、前記問題点を解決するために、D
MDまたはAMAなどの画像表示装置が開発された。現
在、DMD装置は5%程度の光効率を有するのに対し、
AMA装置は10%以上の光効率を得ることができる。
また、AMA装置はスクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させて、より明るくて鮮やかな画像を結
ぶことができ、入射される光束の極性に影響されないだ
けでなく反射される拘束の極性に影響されない。このよ
うなGregory Umによる米国特許第5,12
6,836号に開示されたAMAのエンジンシステムの
概略図を図1に示す。
MDまたはAMAなどの画像表示装置が開発された。現
在、DMD装置は5%程度の光効率を有するのに対し、
AMA装置は10%以上の光効率を得ることができる。
また、AMA装置はスクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させて、より明るくて鮮やかな画像を結
ぶことができ、入射される光束の極性に影響されないだ
けでなく反射される拘束の極性に影響されない。このよ
うなGregory Umによる米国特許第5,12
6,836号に開示されたAMAのエンジンシステムの
概略図を図1に示す。
【0004】図1を参照すると、光源1から入射された
光束は第1スリット3及び第1レンズ5を過ぎてゆく間
にR・G・B表色系に応じて分光される。R・G・Bに
分光された前記光束はそれぞれ第1ミラー7、第2ミラ
ー9及び第3ミラー11により反射されてそれぞれのミ
ラーに対応して設けられたAMA素子13,15,17
に入射される。前記R・G・B別に形成されたAMA素
子13,15,17はそれぞれ内部に備えられたミラー
を所定の角度に傾斜させて入射された光束を反射させ
る。この際に、前記ミラーはミラーの下部に形成された
変形層の変形に応じて傾斜する。前記AMA素子13,
15,17から反射された光は第2レンズ19及び第2
スリット21を通過した後、投影レンズ23によりスク
リーン(図示せず)に投影されて画像を結ぶ。
光束は第1スリット3及び第1レンズ5を過ぎてゆく間
にR・G・B表色系に応じて分光される。R・G・Bに
分光された前記光束はそれぞれ第1ミラー7、第2ミラ
ー9及び第3ミラー11により反射されてそれぞれのミ
ラーに対応して設けられたAMA素子13,15,17
に入射される。前記R・G・B別に形成されたAMA素
子13,15,17はそれぞれ内部に備えられたミラー
を所定の角度に傾斜させて入射された光束を反射させ
る。この際に、前記ミラーはミラーの下部に形成された
変形層の変形に応じて傾斜する。前記AMA素子13,
15,17から反射された光は第2レンズ19及び第2
スリット21を通過した後、投影レンズ23によりスク
リーン(図示せず)に投影されて画像を結ぶ。
【0005】このような光路調節装置であるAMAはバ
ルク(bulk)型と薄膜型に大別される。前記バルク型光
路調節装置はDae-Young Limによる米国特許第5,46
9,302号に開示されている。バルク型光路調節装置
は多層セラミックを薄く切断して内部に金属電極が形成
されたセラミックウェーハをトランジスタが内蔵された
アクティブマトリックス上に装着した後、ソーイング
(sawing)法で加工し、その上部にミラーを設けてなさ
れる。しかしながら、バルク型光路調節装置は設計及び
製造において高い精密度が要求され変形層の応答速度が
遅いという問題点があった。これにより半導体工程を利
用して製造できる薄膜型光路調節装置が開発された。
ルク(bulk)型と薄膜型に大別される。前記バルク型光
路調節装置はDae-Young Limによる米国特許第5,46
9,302号に開示されている。バルク型光路調節装置
は多層セラミックを薄く切断して内部に金属電極が形成
されたセラミックウェーハをトランジスタが内蔵された
アクティブマトリックス上に装着した後、ソーイング
(sawing)法で加工し、その上部にミラーを設けてなさ
れる。しかしながら、バルク型光路調節装置は設計及び
製造において高い精密度が要求され変形層の応答速度が
遅いという問題点があった。これにより半導体工程を利
用して製造できる薄膜型光路調節装置が開発された。
【0006】前記薄膜型光路調節装置は本出願人が米国
に出願した特許出願第08/336,021号(発明の
名称:薄膜型光路調節装置及びその製造方法(THIN FIL
M ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJ
ECTION SYSTEM AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THERE
OF))に開示されている。
に出願した特許出願第08/336,021号(発明の
名称:薄膜型光路調節装置及びその製造方法(THIN FIL
M ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN OPTICAL PROJ
ECTION SYSTEM AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THERE
OF))に開示されている。
【0007】図2は前記薄膜型光路調節装置の断面図で
ある。図2を参照すると、前記薄膜型光路調節装置は、
アクティブマトリックス31、該アクティブマトリック
ス31の上部に形成されたアクチュエータ33、及び前
記アクチュエータ33の上部に形成されたミラー35を
有する。
ある。図2を参照すると、前記薄膜型光路調節装置は、
アクティブマトリックス31、該アクティブマトリック
ス31の上部に形成されたアクチュエータ33、及び前
記アクチュエータ33の上部に形成されたミラー35を
有する。
【0008】前記アクティブマトリックス31は基板3
7、基板37の上部に形成されたM×N(M,Nは正の
整数)個のトランジスタ(図示せず)、及びそれぞれの
トランジスタの上部に形成されたM×N個の接続端子3
9を有する。
7、基板37の上部に形成されたM×N(M,Nは正の
整数)個のトランジスタ(図示せず)、及びそれぞれの
トランジスタの上部に形成されたM×N個の接続端子3
9を有する。
【0009】前記アクチュエータ33はアクティブマト
リックス31の上部に前記接続端子39を有して形成さ
れた支持部41、一方の側の下端が支持部41に取り付
けられ、他方の側がアクティブマトリックス31と平行
に形成された第1電極43、前記支持部41の内部に前
記接続端子39と前記第1電極43を連結するように形
成された伝導管49、第1電極43の上部に形成された
変形層45、変形層45の上部に形成された第2電極4
7、第2電極47の一方の側の上部に形成されたスペー
シング(spacing)部材51、及びスペーシング部材5
1に一方の側の下端が取り付けられ他方の側が第2電極
47と平行に形成された支持層53を有する。そして、
ミラー35は支持層53の上部に形成される。
リックス31の上部に前記接続端子39を有して形成さ
れた支持部41、一方の側の下端が支持部41に取り付
けられ、他方の側がアクティブマトリックス31と平行
に形成された第1電極43、前記支持部41の内部に前
記接続端子39と前記第1電極43を連結するように形
成された伝導管49、第1電極43の上部に形成された
変形層45、変形層45の上部に形成された第2電極4
7、第2電極47の一方の側の上部に形成されたスペー
シング(spacing)部材51、及びスペーシング部材5
1に一方の側の下端が取り付けられ他方の側が第2電極
47と平行に形成された支持層53を有する。そして、
ミラー35は支持層53の上部に形成される。
【0010】以下、前記薄膜型光路調節装置の製造方法
を説明する。図3乃至図6は図2に示す装置の製造工程
図である。図3乃至図6において、図2と同一の部材に
対しては同一の参照番号を使用する。
を説明する。図3乃至図6は図2に示す装置の製造工程
図である。図3乃至図6において、図2と同一の部材に
対しては同一の参照番号を使用する。
【0011】図3を参照すると、まずM×N個のトラン
ジスタ(図示せず)が上部に形成された基板37と前記
トランジスタの上部にそれぞれ形成されたM×N個の接
続端子39を有するアクティブマトリックス31を提供
する。次に、アクティブマトリックス31の上部に犠牲
層55を形成した後、犠牲層55をパターニングしてア
クティブマトリックス31のうちで上部にM×N個の接
続端子39が形成された部分を露出させる。犠牲層55
は後でエッチング、または化学薬品を使用して取り除く
ことができる。
ジスタ(図示せず)が上部に形成された基板37と前記
トランジスタの上部にそれぞれ形成されたM×N個の接
続端子39を有するアクティブマトリックス31を提供
する。次に、アクティブマトリックス31の上部に犠牲
層55を形成した後、犠牲層55をパターニングしてア
クティブマトリックス31のうちで上部にM×N個の接
続端子39が形成された部分を露出させる。犠牲層55
は後でエッチング、または化学薬品を使用して取り除く
ことができる。
【0012】図4を参照すると、前記露出されたM×N
個の接続端子39が形成された部分にスパッタリング
法、または化学気相蒸着法(CVD法)を使用して支持
部41を形成する。次いで、支持部41の内部にホール
を作った後、前記ホールの内部を例えばタングステン
(W)などの伝導性物質で満たして伝導管49を形成す
る。伝導管49は後に形成される第1電極43と接続端
子39を電気的に接続する。
個の接続端子39が形成された部分にスパッタリング
法、または化学気相蒸着法(CVD法)を使用して支持
部41を形成する。次いで、支持部41の内部にホール
を作った後、前記ホールの内部を例えばタングステン
(W)などの伝導性物質で満たして伝導管49を形成す
る。伝導管49は後に形成される第1電極43と接続端
子39を電気的に接続する。
【0013】内部に伝導管49が形成された支持部41
の上部及び犠牲層55の上部に例えば金(Au)または
銀(Ag)などの伝導性物質を使用して第1電極43を
形成する。次いで、第1電極43の上部に例えばPZT
(lead zirconate titanate)などの圧電物質を使用して
変形層45を形成する。そして、前記変形層45の上部
に例えば、金または銀などの伝導性物質を使用して第2
電極47を形成する。アクティブマトリックス31に内
蔵されたトランジスタは光源から入射される光による画
像信号を信号電流に変換する。前記信号電流は接続端子
39及び伝導管49を通して第1電極43に印加する。
同時に第2電極47にはアクティブマトリックス31の
背面に形成された共通電極線(図示せず)から電流が印
加され、第2電極47と第1電極43との間に電場が発
生する。この電場により第2電極47と第1電極39と
の間に形成された変形層45が傾斜する。
の上部及び犠牲層55の上部に例えば金(Au)または
銀(Ag)などの伝導性物質を使用して第1電極43を
形成する。次いで、第1電極43の上部に例えばPZT
(lead zirconate titanate)などの圧電物質を使用して
変形層45を形成する。そして、前記変形層45の上部
に例えば、金または銀などの伝導性物質を使用して第2
電極47を形成する。アクティブマトリックス31に内
蔵されたトランジスタは光源から入射される光による画
像信号を信号電流に変換する。前記信号電流は接続端子
39及び伝導管49を通して第1電極43に印加する。
同時に第2電極47にはアクティブマトリックス31の
背面に形成された共通電極線(図示せず)から電流が印
加され、第2電極47と第1電極43との間に電場が発
生する。この電場により第2電極47と第1電極39と
の間に形成された変形層45が傾斜する。
【0014】図5を参照すると、第2電極47の上部に
第2犠牲層57を形成した後、第2犠牲層57をパター
ニングして第2電極47のうちで下部に支持部41が形
成された部分と隣接した部分を露出させている。前記第
2電極47の露出された部分にスペーシング部材51を
形成した後、第2犠牲層57及びスペーシング部材51
の上部に支持層53を形成する。そして、支持層53の
上部に光源から入射される光を反射するミラー35が形
成される。
第2犠牲層57を形成した後、第2犠牲層57をパター
ニングして第2電極47のうちで下部に支持部41が形
成された部分と隣接した部分を露出させている。前記第
2電極47の露出された部分にスペーシング部材51を
形成した後、第2犠牲層57及びスペーシング部材51
の上部に支持層53を形成する。そして、支持層53の
上部に光源から入射される光を反射するミラー35が形
成される。
【0015】図6を参照すると、ミラー35、支持層5
3、第2電極47、変形層45、及び第1電極43を順
にパターニングしてM×N個の所定の形状を有する画素
を形成されている。次いで、第2犠牲層57及び犠牲層
55を取り除いた後、前記画素を洗浄及び乾燥して薄膜
型光路調節装置が完成する。
3、第2電極47、変形層45、及び第1電極43を順
にパターニングしてM×N個の所定の形状を有する画素
を形成されている。次いで、第2犠牲層57及び犠牲層
55を取り除いた後、前記画素を洗浄及び乾燥して薄膜
型光路調節装置が完成する。
【0016】しかしながら、前述した薄膜型光路調節装
置において、ミラーはアクチュエータの一方の側の上部
に形成された1つのスペーシング部材により支持される
ために、スペーシング部材により支持されていない部分
のミラーが反ったり下部に傾斜するという問題点があっ
た。これにより、ミラーにより反射される光の傾斜角度
はミラー毎に異なるようになり均一にならない。即ち、
ミラーにより反射される光の光効率が落ち、スクリーン
に投影される画像のコントラストが低下する。さらに、
アクチュエータの傾斜角度が小さいために、光源とスク
リーンとの間隔が狭くなるようなシステムの設計におい
ても問題点があった。
置において、ミラーはアクチュエータの一方の側の上部
に形成された1つのスペーシング部材により支持される
ために、スペーシング部材により支持されていない部分
のミラーが反ったり下部に傾斜するという問題点があっ
た。これにより、ミラーにより反射される光の傾斜角度
はミラー毎に異なるようになり均一にならない。即ち、
ミラーにより反射される光の光効率が落ち、スクリーン
に投影される画像のコントラストが低下する。さらに、
アクチュエータの傾斜角度が小さいために、光源とスク
リーンとの間隔が狭くなるようなシステムの設計におい
ても問題点があった。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明
の目的は、アクチュエータと反射部材との間に複数個の
ポストを形成して反射部材の初期反りやチルトを防止す
ることにより、アクチュエータの上部に装着された反射
部材の傾斜角度を均一に維持すると同時に傾斜角度を大
きくすることができる薄膜型光路調整装置を提供するこ
とにある。
従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明
の目的は、アクチュエータと反射部材との間に複数個の
ポストを形成して反射部材の初期反りやチルトを防止す
ることにより、アクチュエータの上部に装着された反射
部材の傾斜角度を均一に維持すると同時に傾斜角度を大
きくすることができる薄膜型光路調整装置を提供するこ
とにある。
【0018】本発明の他の目的は、アクチュエータと反
射部材との間に複数個のポストを形成して反射部材の初
期反りやチルトを防止することにより、アクチュエータ
の上部に装着された反射部材の傾斜角度を均一に維持す
ると同時に傾斜角度を大きくすることができる薄膜型光
路調節装置を製造方法を提供することにある。
射部材との間に複数個のポストを形成して反射部材の初
期反りやチルトを防止することにより、アクチュエータ
の上部に装着された反射部材の傾斜角度を均一に維持す
ると同時に傾斜角度を大きくすることができる薄膜型光
路調節装置を製造方法を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明によれば、外部から第1信号を受けて前記第
1信号を伝達する電気的な配線及び連結端子が形成され
た基板と、前記基板のうち前記連結端子が形成された部
分の上部に形成された支持部材及び一方の側の下部が前
記支持部材に接触され、他方の側が前記基板に対して平
行に形成された第1支持層を有する支持要素と、前記第
1支持層の上部に形成されて第1信号が印加される下部
電極、該下部電極に対応して形成され第2信号が印加さ
れて電場を発生させる上部電極、及び前記下部電極と前
記上部電極との間に形成されて前記電場によって変形を
起こす変形層を有するアクチュエータと、前記アクチュ
エータの一方の側の上部に形成された第1ポストと、隣
接したアクチュエータのうち下部に支持部材が形成され
た部分に相互に対応する形態で形成された第2ポスト及
び第3ポストと、前記第1ポスト、前記第2ポスト及び
第3ポストにより支持され、光を反射する反射手段を有
し、前記第1信号及び前記第2信号に応じて駆動するこ
とを特徴とする薄膜型光路調節装置が提供される。
め、本発明によれば、外部から第1信号を受けて前記第
1信号を伝達する電気的な配線及び連結端子が形成され
た基板と、前記基板のうち前記連結端子が形成された部
分の上部に形成された支持部材及び一方の側の下部が前
記支持部材に接触され、他方の側が前記基板に対して平
行に形成された第1支持層を有する支持要素と、前記第
1支持層の上部に形成されて第1信号が印加される下部
電極、該下部電極に対応して形成され第2信号が印加さ
れて電場を発生させる上部電極、及び前記下部電極と前
記上部電極との間に形成されて前記電場によって変形を
起こす変形層を有するアクチュエータと、前記アクチュ
エータの一方の側の上部に形成された第1ポストと、隣
接したアクチュエータのうち下部に支持部材が形成され
た部分に相互に対応する形態で形成された第2ポスト及
び第3ポストと、前記第1ポスト、前記第2ポスト及び
第3ポストにより支持され、光を反射する反射手段を有
し、前記第1信号及び前記第2信号に応じて駆動するこ
とを特徴とする薄膜型光路調節装置が提供される。
【0020】前記アクチュエータは、U字形状を有す
る。また前記第1ポストは前記アクチュエータの一方の
側の中央に形成され、前記第2ポスト及び第3ポストは
隣接したU字形状のアクチュエータの両端に相互に対応
する形態で形成される。
る。また前記第1ポストは前記アクチュエータの一方の
側の中央に形成され、前記第2ポスト及び第3ポストは
隣接したU字形状のアクチュエータの両端に相互に対応
する形態で形成される。
【0021】好ましく、前記第1ポスト、前記第2ポス
ト及び前記第3ポストはそれぞれ弾性を有する物質で形
成される。
ト及び前記第3ポストはそれぞれ弾性を有する物質で形
成される。
【0022】前記第1ポストは、前記アクチュエータの
一方の側の中央に形成され、前記第2ポスト及び第3ポ
ストは隣接したアクチュエータの両端に相互に対応する
形態で形成される。前記第1ポスト、前記第2ポスト及
び前記第3ポストはそれぞれ三角形の頂点部分に位置す
る。
一方の側の中央に形成され、前記第2ポスト及び第3ポ
ストは隣接したアクチュエータの両端に相互に対応する
形態で形成される。前記第1ポスト、前記第2ポスト及
び前記第3ポストはそれぞれ三角形の頂点部分に位置す
る。
【0023】前記第1ポスト及び前記第2ポスト、また
は前記第1ポスト及び前記第3ポストは、前記反射部材
と共にF字形状の断面を有する。
は前記第1ポスト及び前記第3ポストは、前記反射部材
と共にF字形状の断面を有する。
【0024】前記第1ポストと前記第2ポストとの間の
前記反射部材の長さ及び前記第1ポストと前記第3ポス
トとの間の前記反射部材の長さは、前記第1ポストと前
記反射部材の残り部分との間の前記反射部材の長さより
短いことが望ましい。
前記反射部材の長さ及び前記第1ポストと前記第3ポス
トとの間の前記反射部材の長さは、前記第1ポストと前
記反射部材の残り部分との間の前記反射部材の長さより
短いことが望ましい。
【0025】前記反射部材は、前記第1ポスト、前記第
2ポスト及び前記第3ポストにその下部が支持された反
射部材の水平度を向上させる第2支持層、及び前記第2
支持層の上部に形成されて光を反射する反射層を更に有
する。
2ポスト及び前記第3ポストにその下部が支持された反
射部材の水平度を向上させる第2支持層、及び前記第2
支持層の上部に形成されて光を反射する反射層を更に有
する。
【0026】また、前述した本発明の他の目的を達成す
べく、本発明によれば、外部から第1信号を受けて前記
第1信号を伝達する電気的な配線及び連結端子を有する
基板を準備する段階と、前記基板の上部に第1犠牲層を
形成し、前記第1犠牲層をパターニングして前記基板の
うち前記連結端子が形成された部分を露出させる段階
と、前記第1犠牲層の上部及び露出された基板の上部に
第1層を形成する段階と、前記第1層の上部に下部電極
層、第2層及び上部電極層を形成する段階と、前記上部
電極層をパターニングして第2信号が印加されて電場を
発生させる上部電極を形成する段階、前記第2層をパタ
ーニングして前記電場によって変形を起こす変形層を形
成する段階、及び前記下部電極層をパターニングして前
記第1信号が印加される下部電極を形成する段階を有す
るアクチュエータを形成する段階と、前記第1層をパタ
ーニングして前記下部電極の下部に第1支持層を形成す
る段階及び前記第1支持層の一方の側の下部に支持部材
を形成する段階を含む支持要素を形成する段階と、前記
アクチュエータ及び隣接したアクチュエータの上部に第
2犠牲層を形成し前記第2犠牲層をパターニングして前
記アクチュエータの一部及び隣接したアクチュエータの
一部を相互対応するように露出させる段階と、前記アク
チュエータの露出された部分に第1ポストを形成する段
階と、隣接したアクチュエータの露出された部分に第2
ポスト及び第3ポストを形成する段階と、前記第1ポス
ト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び前記第2犠牲
層の上部に光を反射する反射手段を形成する段階を有す
ることを特徴とし、前記第1信号及び前記第2信号によ
って駆動することを特徴とする薄膜型光路調節装置の製
造方法が提供される。
べく、本発明によれば、外部から第1信号を受けて前記
第1信号を伝達する電気的な配線及び連結端子を有する
基板を準備する段階と、前記基板の上部に第1犠牲層を
形成し、前記第1犠牲層をパターニングして前記基板の
うち前記連結端子が形成された部分を露出させる段階
と、前記第1犠牲層の上部及び露出された基板の上部に
第1層を形成する段階と、前記第1層の上部に下部電極
層、第2層及び上部電極層を形成する段階と、前記上部
電極層をパターニングして第2信号が印加されて電場を
発生させる上部電極を形成する段階、前記第2層をパタ
ーニングして前記電場によって変形を起こす変形層を形
成する段階、及び前記下部電極層をパターニングして前
記第1信号が印加される下部電極を形成する段階を有す
るアクチュエータを形成する段階と、前記第1層をパタ
ーニングして前記下部電極の下部に第1支持層を形成す
る段階及び前記第1支持層の一方の側の下部に支持部材
を形成する段階を含む支持要素を形成する段階と、前記
アクチュエータ及び隣接したアクチュエータの上部に第
2犠牲層を形成し前記第2犠牲層をパターニングして前
記アクチュエータの一部及び隣接したアクチュエータの
一部を相互対応するように露出させる段階と、前記アク
チュエータの露出された部分に第1ポストを形成する段
階と、隣接したアクチュエータの露出された部分に第2
ポスト及び第3ポストを形成する段階と、前記第1ポス
ト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び前記第2犠牲
層の上部に光を反射する反射手段を形成する段階を有す
ることを特徴とし、前記第1信号及び前記第2信号によ
って駆動することを特徴とする薄膜型光路調節装置の製
造方法が提供される。
【0027】前記第1ポストを形成する段階と前記第2
ポスト及び第3ポストを形成する段階は同時に遂行され
ることが望ましい。
ポスト及び第3ポストを形成する段階は同時に遂行され
ることが望ましい。
【0028】また、前記反射部材を形成する段階は、前
記第1ポスト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び前
記第2犠牲層の上部に第2支持層を形成する段階、前記
第2支持層の上部に反射層を形成する段階、前記反射層
及び前記第2支持層をパターニングする段階、及び前記
第2犠牲層を取り除く段階をさらに有する。
記第1ポスト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び前
記第2犠牲層の上部に第2支持層を形成する段階、前記
第2支持層の上部に反射層を形成する段階、前記反射層
及び前記第2支持層をパターニングする段階、及び前記
第2犠牲層を取り除く段階をさらに有する。
【0029】前記第2支持層を形成する段階は窒化物ま
たは金属を使用してスパッタリング法またはCVD法を
利用して遂行される。前記第2犠牲層を取り除く段階
は、酸素プラズマ法を使用して遂行することが望まし
い。
たは金属を使用してスパッタリング法またはCVD法を
利用して遂行される。前記第2犠牲層を取り除く段階
は、酸素プラズマ法を使用して遂行することが望まし
い。
【0030】本発明により製造された前記薄膜型光路調
節装置において、外部から伝達された第1信号、すなわ
ち画像信号は基板に内蔵された電気的な配線、連結端子
及びバイアコンタクトを通して下部電極に印加される。
同時に、上部電極には外部から共通電極線を通して第2
信号、すなわちバイアス信号が印加される。従って、上
部電極と下部電極との間に電場が発生する。このような
電場により上部電極と下部電極との間に形成された変形
層が変形を起こす。
節装置において、外部から伝達された第1信号、すなわ
ち画像信号は基板に内蔵された電気的な配線、連結端子
及びバイアコンタクトを通して下部電極に印加される。
同時に、上部電極には外部から共通電極線を通して第2
信号、すなわちバイアス信号が印加される。従って、上
部電極と下部電極との間に電場が発生する。このような
電場により上部電極と下部電極との間に形成された変形
層が変形を起こす。
【0031】変形層は前記電場に対して直交する方向に
収縮する。変形層を有するアクチュエータは所定の角度
で上向きに作動する。光源から入射される光を反射する
反射部材は第1ポスト、第2ポスト及び第3ポストによ
り支持されてアクチュエータの上部に形成されているた
めに、アクチュエータと同様の角度で傾斜させられる。
それにより、反射部材は光源から入射される光を所定の
角度で反射し、反射された光はスリットを通過してスク
リーンに投影されて画像を結ぶ。この際に、前記第1ポ
ストと前記第2ポストの間、または前記第1ポストと前
記第3ポストの間の前記反射部材の長さを調節して反射
部材の傾斜角度を調節できる。本発明では前記第1ポス
トと前記第2ポストの間、または前記第1ポストと前記
第3ポストとの間の前記反射部材の長さを短く形成する
ことにより、反射部材の傾斜角度を増加させることがで
きる。従って、反射部材により反射された光の光効率を
高めることができ、スクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させることができる。
収縮する。変形層を有するアクチュエータは所定の角度
で上向きに作動する。光源から入射される光を反射する
反射部材は第1ポスト、第2ポスト及び第3ポストによ
り支持されてアクチュエータの上部に形成されているた
めに、アクチュエータと同様の角度で傾斜させられる。
それにより、反射部材は光源から入射される光を所定の
角度で反射し、反射された光はスリットを通過してスク
リーンに投影されて画像を結ぶ。この際に、前記第1ポ
ストと前記第2ポストの間、または前記第1ポストと前
記第3ポストの間の前記反射部材の長さを調節して反射
部材の傾斜角度を調節できる。本発明では前記第1ポス
トと前記第2ポストの間、または前記第1ポストと前記
第3ポストとの間の前記反射部材の長さを短く形成する
ことにより、反射部材の傾斜角度を増加させることがで
きる。従って、反射部材により反射された光の光効率を
高めることができ、スクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させることができる。
【0032】従って、前述した本発明による薄膜型光路
調節装置は、アクチュエータと反射部材との間に第1ポ
スト、第2ポスト及び第3ポストを形成することによ
り、反射部材が下向きに傾斜したりあるいは反ったりす
ることを最小化することができる。これにより、アクチ
ュエータの上部に装着された反射部材の傾斜角度を均一
に維持できる。また、反射部材の傾斜角度がさらに大き
くなり、光源とスクリーンとの間隔を広くすることが可
能となる。
調節装置は、アクチュエータと反射部材との間に第1ポ
スト、第2ポスト及び第3ポストを形成することによ
り、反射部材が下向きに傾斜したりあるいは反ったりす
ることを最小化することができる。これにより、アクチ
ュエータの上部に装着された反射部材の傾斜角度を均一
に維持できる。また、反射部材の傾斜角度がさらに大き
くなり、光源とスクリーンとの間隔を広くすることが可
能となる。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の好適実施例をより詳細に説明する。
の好適実施例をより詳細に説明する。
【0034】図7は本発明による薄膜型光路調節装置の
平面図をであり、図8は図7に示す装置をA−A´線で
切り取った断面図である。図7及び図8を参照すると、
本発明による薄膜型光路調節装置は基板100、基板1
00の上部に形成された支持要素135、支持要素13
5の上部に形成されたアクチュエータ200、及びアク
チュエータ200の上部に形成された反射部材195を
有する。
平面図をであり、図8は図7に示す装置をA−A´線で
切り取った断面図である。図7及び図8を参照すると、
本発明による薄膜型光路調節装置は基板100、基板1
00の上部に形成された支持要素135、支持要素13
5の上部に形成されたアクチュエータ200、及びアク
チュエータ200の上部に形成された反射部材195を
有する。
【0035】電気的な配線(図示せず)が形成されてい
る前記基板100は前記電気的な配線の上部に形成され
た連結端子105、基板100及び連結端部105の上
部に積層された保護層110、及び保護層110の上部
に積層されたエッチング防止層115を有する。望まし
くは、前記電気的な配線はスイッチング動作を行うMO
Sトランジスタを有する。
る前記基板100は前記電気的な配線の上部に形成され
た連結端子105、基板100及び連結端部105の上
部に積層された保護層110、及び保護層110の上部
に積層されたエッチング防止層115を有する。望まし
くは、前記電気的な配線はスイッチング動作を行うMO
Sトランジスタを有する。
【0036】支持要素135は、前記エッチング防止層
115のうち下部に前記連結端子105が形成された部
分の上部に形成された支持部材125及び一方の側の下
部が前記支持部材125に接触し、他方の側が前記基板
100に対して平行に形成された第1支持層130を有
する。前記基板100と前記第1支持層130の他方の
側との間にはエアギャップ165が設けられる。
115のうち下部に前記連結端子105が形成された部
分の上部に形成された支持部材125及び一方の側の下
部が前記支持部材125に接触し、他方の側が前記基板
100に対して平行に形成された第1支持層130を有
する。前記基板100と前記第1支持層130の他方の
側との間にはエアギャップ165が設けられる。
【0037】アクチュエータ200は、前記第1支持層
130の上部に形成された下部電極140、下部電極1
40の上部に積層された変形層145、変形層145の
上部に積層された上部電極150を有する。また、前記
アクチュエータ200は前記変形層145の一方の側か
ら連結端部105まで垂直に形成されたバイアホール1
55、及びバイアホール155の内部に形成されたバイ
アコンタクト160を有する。下部電極140はバイア
コンタクト160を通して連結端子105と電気的に接
続される。
130の上部に形成された下部電極140、下部電極1
40の上部に積層された変形層145、変形層145の
上部に積層された上部電極150を有する。また、前記
アクチュエータ200は前記変形層145の一方の側か
ら連結端部105まで垂直に形成されたバイアホール1
55、及びバイアホール155の内部に形成されたバイ
アコンタクト160を有する。下部電極140はバイア
コンタクト160を通して連結端子105と電気的に接
続される。
【0038】また、前記図7を参照すると、前記アクチ
ュエータ200はU字形状を有する。すなわち、前記上
部電極150はU字形状を有し、前記変形層145は前
記上部電極150より広いU字形状を有する。また、前
記下部電極140は前記変形層145より広いU字形状
を有する。
ュエータ200はU字形状を有する。すなわち、前記上
部電極150はU字形状を有し、前記変形層145は前
記上部電極150より広いU字形状を有する。また、前
記下部電極140は前記変形層145より広いU字形状
を有する。
【0039】また、前記アクチュエータ200の一方の
側の中央には第1ポスト175が形成され、隣接したU
字形状のアクチュエータの両端には相互に対応する形態
で第2ポスト177及び第3ポスト180が形成され
る。前記第1ポスト175、前記第2ポスト177及び
前記第3ポスト180は三角形の頂点部分に位置する。
側の中央には第1ポスト175が形成され、隣接したU
字形状のアクチュエータの両端には相互に対応する形態
で第2ポスト177及び第3ポスト180が形成され
る。前記第1ポスト175、前記第2ポスト177及び
前記第3ポスト180は三角形の頂点部分に位置する。
【0040】前記反射部材195の一方の側は前記第1
ポスト175、前記第2ポスト177、及び前記第3ポ
スト180により支持され、前記反射部材195の他方
の側と前記上部電極150との間にはエアギャップ16
5が設けられて前記上部電極150と平行に形成され
る。
ポスト175、前記第2ポスト177、及び前記第3ポ
スト180により支持され、前記反射部材195の他方
の側と前記上部電極150との間にはエアギャップ16
5が設けられて前記上部電極150と平行に形成され
る。
【0041】前記反射部材195は前記第1ポスト17
5、前記第2ポスト177及び前記第3ポスト180に
その下部が支持され反射部材195の水平度を向上させ
る第2支持層185及び前記第2支持層185の上部に
形成されて光を反射するための反射層190を有する。
従って、前記第1ポスト175及び前記第2ポスト17
7、または前記第1ポスト175及び前記第3ポスト1
80は、前記反射部材195と共にF字形状の断面を有
する。前記反射部材195は四角形の平板形状に形成さ
れるのが望ましい。
5、前記第2ポスト177及び前記第3ポスト180に
その下部が支持され反射部材195の水平度を向上させ
る第2支持層185及び前記第2支持層185の上部に
形成されて光を反射するための反射層190を有する。
従って、前記第1ポスト175及び前記第2ポスト17
7、または前記第1ポスト175及び前記第3ポスト1
80は、前記反射部材195と共にF字形状の断面を有
する。前記反射部材195は四角形の平板形状に形成さ
れるのが望ましい。
【0042】以下、本発明による薄膜型光路調節装置の
製造方法を説明する。図9乃至図14は図7及び図8に
示す薄膜型光路調節装置の製造工程図である。図9乃至
図14において、同じ構成要素には図7及び図8と同じ
符号を付して示してある。
製造方法を説明する。図9乃至図14は図7及び図8に
示す薄膜型光路調節装置の製造工程図である。図9乃至
図14において、同じ構成要素には図7及び図8と同じ
符号を付して示してある。
【0043】図9を参照すると、外部から信号を受ける
電気的な配線(図示せず)による連結端子105が基板
100の上に形成されている。望ましくは、前記電気的
な配線はMOSトランジスタを有する。連結端部105
は、例えばタングステン(W)などの金属を使用して形
成する。連結端子105は前記電気的な配線と電気的に
接続される。前記電気的な配線及び連結端子105は外
部から第1信号を印加されて、該第1信号を前記下部電
極140に伝達する。前記第1信号は画像信号である。
電気的な配線(図示せず)による連結端子105が基板
100の上に形成されている。望ましくは、前記電気的
な配線はMOSトランジスタを有する。連結端部105
は、例えばタングステン(W)などの金属を使用して形
成する。連結端子105は前記電気的な配線と電気的に
接続される。前記電気的な配線及び連結端子105は外
部から第1信号を印加されて、該第1信号を前記下部電
極140に伝達する。前記第1信号は画像信号である。
【0044】基板100及び連結端子105の上部には
燐シリケートガラス(Phosphor-Silicate Glass:PS
G)を使用して保護層110が積層される。保護層11
0は化学気相成長法(CVD法)を利用して0.8〜
1.0μm程度の厚さを持つように形成する。保護層1
10は、後に続く工程の中で前記電気的な配線及び連結
端子105が形成された基板100が損傷されることを
防止する。
燐シリケートガラス(Phosphor-Silicate Glass:PS
G)を使用して保護層110が積層される。保護層11
0は化学気相成長法(CVD法)を利用して0.8〜
1.0μm程度の厚さを持つように形成する。保護層1
10は、後に続く工程の中で前記電気的な配線及び連結
端子105が形成された基板100が損傷されることを
防止する。
【0045】保護層110の上部にはエッチング防止層
115が積層される。エッチング防止層115は窒化物
を使用して1000〜2000Å程度の厚さを有するよ
うに積層される。エッチング防止層115は低圧化学気
相蒸着法(LPCVD法)を利用して形成する。エッチ
ング防止層115は後に続くエッチング工程中に保護層
110及び基板100がエッチングされて損傷されるの
を防止する。
115が積層される。エッチング防止層115は窒化物
を使用して1000〜2000Å程度の厚さを有するよ
うに積層される。エッチング防止層115は低圧化学気
相蒸着法(LPCVD法)を利用して形成する。エッチ
ング防止層115は後に続くエッチング工程中に保護層
110及び基板100がエッチングされて損傷されるの
を防止する。
【0046】エッチング防止層115の上部には燐シリ
ケートガラス(PSG)、金属、または酸化物を使用し
て第1犠牲層120が積層される。第1犠牲層120は
大気圧化学気相蒸着法(Atmospheric Pressure CVD:A
PCVD法)、スパッタリング法、またはエバポレーシ
ョン(evaporation)法を利用して2.0〜3.0μm程
度の厚さを有するように形成する。第1犠牲層120は
アクチュエータ200を形成するための薄膜の積層を容
易にする機能を遂行する。この場合に、第1犠牲層12
0は前記電気的な配線及び連結端子105が形成された
基板100の上部を覆っているために、その表面の平坦
度が非常に不良である。従って、第1犠牲層120の表
面をスピンオングラスを使用する方法、またはCMP
(ChemicalMechanical Polishing)法を利用して平坦化
させる。次いで、第1犠牲層120のうちで下部に連結
端子105が形成された部分をパターニングして前記エ
ッチング防止層115の一部を露出させることにより、
アクチュエータ200の支持部材125が形成される部
分を作る。
ケートガラス(PSG)、金属、または酸化物を使用し
て第1犠牲層120が積層される。第1犠牲層120は
大気圧化学気相蒸着法(Atmospheric Pressure CVD:A
PCVD法)、スパッタリング法、またはエバポレーシ
ョン(evaporation)法を利用して2.0〜3.0μm程
度の厚さを有するように形成する。第1犠牲層120は
アクチュエータ200を形成するための薄膜の積層を容
易にする機能を遂行する。この場合に、第1犠牲層12
0は前記電気的な配線及び連結端子105が形成された
基板100の上部を覆っているために、その表面の平坦
度が非常に不良である。従って、第1犠牲層120の表
面をスピンオングラスを使用する方法、またはCMP
(ChemicalMechanical Polishing)法を利用して平坦化
させる。次いで、第1犠牲層120のうちで下部に連結
端子105が形成された部分をパターニングして前記エ
ッチング防止層115の一部を露出させることにより、
アクチュエータ200の支持部材125が形成される部
分を作る。
【0047】図10を参照すると、前記露出されたエッ
チング防止層115の上部及び第1犠牲層120の上部
に、硬質の物質、例えば窒化物または金属を使用して第
1層129を積層しているのが示されている。第1層1
29は低圧化学気相蒸着法(LPCVD法)を利用して
0.1〜1.0μm程度の厚さを有するように形成す
る。この際に、前記硬質の物質はアクチュエータ200
の支持部材125が形成される部分を満たしながら前記
第1犠牲層120の上部に蒸着される。従って、アクチ
ュエータ200の支持部材125は第1層129が形成
されると同時に第1層129と同一の物質を使用して形
成される。第1層129は後に所定の画素形状を有する
第1支持層130にパターニングされる。
チング防止層115の上部及び第1犠牲層120の上部
に、硬質の物質、例えば窒化物または金属を使用して第
1層129を積層しているのが示されている。第1層1
29は低圧化学気相蒸着法(LPCVD法)を利用して
0.1〜1.0μm程度の厚さを有するように形成す
る。この際に、前記硬質の物質はアクチュエータ200
の支持部材125が形成される部分を満たしながら前記
第1犠牲層120の上部に蒸着される。従って、アクチ
ュエータ200の支持部材125は第1層129が形成
されると同時に第1層129と同一の物質を使用して形
成される。第1層129は後に所定の画素形状を有する
第1支持層130にパターニングされる。
【0048】第1層129の上部には下部電極層139
が積層される。下部電極層139は電気伝導性を有する
金属である白金(Pt)、タンタル(Ta)、または白
金−タンタル(Pt−Ta)などを使用して形成する。
下部電極層139はスパッタリング法、またはCVD法
を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを有するよう
に形成する。続いて、それぞれの画素別に独立の第1信
号を印加するために、下部電極層139をイソカッティ
ング(Iso cutting)する。下部電極層139は後に下
部電極140か形成されるようにパターニングする。
が積層される。下部電極層139は電気伝導性を有する
金属である白金(Pt)、タンタル(Ta)、または白
金−タンタル(Pt−Ta)などを使用して形成する。
下部電極層139はスパッタリング法、またはCVD法
を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを有するよう
に形成する。続いて、それぞれの画素別に独立の第1信
号を印加するために、下部電極層139をイソカッティ
ング(Iso cutting)する。下部電極層139は後に下
部電極140か形成されるようにパターニングする。
【0049】下部電極層139の上部には第2層144
が積層される。第2層144はZnO、PZTまたはP
LZTなどの圧電物質を使用して0.1〜1.0μm程
度の厚さを有するように形成する。また、第2層144
はPMNなどの電歪物質を使用して形成できる。第2層
144はゾル−ゲル(Sol-gel)法、スパッタリング
法、またはCVD法を利用して形成した後、炉内熱処理
(FurnaceAnnealing)または急速熱処理法(Rapid Ther
mal Annealing:RTA法)を利用して熱処理する。第
2層144は後に変形層145にパターニングされる。
が積層される。第2層144はZnO、PZTまたはP
LZTなどの圧電物質を使用して0.1〜1.0μm程
度の厚さを有するように形成する。また、第2層144
はPMNなどの電歪物質を使用して形成できる。第2層
144はゾル−ゲル(Sol-gel)法、スパッタリング
法、またはCVD法を利用して形成した後、炉内熱処理
(FurnaceAnnealing)または急速熱処理法(Rapid Ther
mal Annealing:RTA法)を利用して熱処理する。第
2層144は後に変形層145にパターニングされる。
【0050】上部電極層149は第2層144の上部に
形成される。上部電極層149はアルミニウム(A
l)、白金、または銀(Ag)などの電気伝導性を有す
る金属を使用して形成する。上部電極層149はスパッ
タリング法、またはCVD法を利用して0.1〜1.0
μm程度の厚さを有するように形成する。
形成される。上部電極層149はアルミニウム(A
l)、白金、または銀(Ag)などの電気伝導性を有す
る金属を使用して形成する。上部電極層149はスパッ
タリング法、またはCVD法を利用して0.1〜1.0
μm程度の厚さを有するように形成する。
【0051】続いて、前記上部電極層149の上部にフ
ォトレジスト(図示せず)をコーティングした後、前記
フォトレジストをエッチングマスクとして利用して上部
電極層149をU字形状にパターニングして上部電極1
50を形成する。次いで、前記フォトレジストを取り除
く。前記上部電極150には共通電極線(図示せず)か
ら第2信号が印加される。前記第2信号はバイアス信号
である。
ォトレジスト(図示せず)をコーティングした後、前記
フォトレジストをエッチングマスクとして利用して上部
電極層149をU字形状にパターニングして上部電極1
50を形成する。次いで、前記フォトレジストを取り除
く。前記上部電極150には共通電極線(図示せず)か
ら第2信号が印加される。前記第2信号はバイアス信号
である。
【0052】第2層144及び下部電極層139も上部
電極層149をパターニングする方法と同様の方法を使
用してパターニングされる。第2層144は変形層14
5にパターニングされ、下部電極層139は下部電極1
40にパターニングされる。変形層145は上部電極1
50と同様の形状を有し、上部電極150より些か広い
面積を有する。また、下部電極140も同様に上部電極
150と同一の形状を有し変形層145に比べて同様か
あるいは少し広い面積を有する。
電極層149をパターニングする方法と同様の方法を使
用してパターニングされる。第2層144は変形層14
5にパターニングされ、下部電極層139は下部電極1
40にパターニングされる。変形層145は上部電極1
50と同様の形状を有し、上部電極150より些か広い
面積を有する。また、下部電極140も同様に上部電極
150と同一の形状を有し変形層145に比べて同様か
あるいは少し広い面積を有する。
【0053】図11に示すように、前記変形層145の
一方の側、下部電極140、第1層129、エッチング
防止層115、及び保護層110を順にエッチングして
バイアホール155を形成される。従って、バイアホー
ル155は前記変形層145の一方の側から連結端子1
05の上部まで形成される。次いで、前記バイアホール
155の内部にタングステン(W)、アルミニウム、ま
たはチタニウム(Ti)などの電気伝導性に優れた金属
をスパッタリング法を利用して蒸着させて、バイアコン
タクト160を形成した後にパターニングする。バイア
コンタクト160は前記連結端部105と下部電極14
0を電気的に接続する。それにより、外部から印加され
た第1信号は電気的な配線、連結端子105及びバイア
コンタクト160を通して下部電極140に印加され
る。次いで、前記第1層129をパターニングして所定
の画素形状を有する第1支持層130を形成する。この
際に、前記第1支持層130は下部電極140に比べて
等しいかあるいは些か広い面積を有する。
一方の側、下部電極140、第1層129、エッチング
防止層115、及び保護層110を順にエッチングして
バイアホール155を形成される。従って、バイアホー
ル155は前記変形層145の一方の側から連結端子1
05の上部まで形成される。次いで、前記バイアホール
155の内部にタングステン(W)、アルミニウム、ま
たはチタニウム(Ti)などの電気伝導性に優れた金属
をスパッタリング法を利用して蒸着させて、バイアコン
タクト160を形成した後にパターニングする。バイア
コンタクト160は前記連結端部105と下部電極14
0を電気的に接続する。それにより、外部から印加され
た第1信号は電気的な配線、連結端子105及びバイア
コンタクト160を通して下部電極140に印加され
る。次いで、前記第1層129をパターニングして所定
の画素形状を有する第1支持層130を形成する。この
際に、前記第1支持層130は下部電極140に比べて
等しいかあるいは些か広い面積を有する。
【0054】下部電極140には基板100に形成され
た前記電気的な配線、連結端子105及び後に続く工程
で形成されるバイアコンタクト160を通して第1信
号、すなわち画像信号が印加される。それにより、下部
電極140に第1信号が印加され、同時に上部電極15
0に第2信号が印加されると、上部電極150と下部電
極140との間に電場が発生する。この電場により変形
層145が変形を起こす。
た前記電気的な配線、連結端子105及び後に続く工程
で形成されるバイアコンタクト160を通して第1信
号、すなわち画像信号が印加される。それにより、下部
電極140に第1信号が印加され、同時に上部電極15
0に第2信号が印加されると、上部電極150と下部電
極140との間に電場が発生する。この電場により変形
層145が変形を起こす。
【0055】次いで、前記第1犠牲層120をフルオロ
化水素(HF)蒸気を使用して取り除く。第1犠牲層1
20が取り除かれると、エアギャップ165が第1犠牲
層120の位置に形成され、アクチュエータ200が完
成する。
化水素(HF)蒸気を使用して取り除く。第1犠牲層1
20が取り除かれると、エアギャップ165が第1犠牲
層120の位置に形成され、アクチュエータ200が完
成する。
【0056】図12に示すように、前述したように第1
犠牲層120を取り除いた後、前記アクチュエータ20
0の上部に流動性を有するポリマーなどで構成されたフ
ォトレジストを使用してスピンコーティング方式で第2
犠牲層170を形成する。前記第2犠牲層170は反射
部材195の装着を容易にし、反射部材195の水平度
を向上させる機能を遂行する。前記第2犠牲層170は
反射部材が装着された後に取り除かれる。このように第
2犠牲層170を塗布すると、前記エアギャップ165
が完全に満たされながら上部電極150を基準に一定の
厚さを有する平坦な表面が形成される。
犠牲層120を取り除いた後、前記アクチュエータ20
0の上部に流動性を有するポリマーなどで構成されたフ
ォトレジストを使用してスピンコーティング方式で第2
犠牲層170を形成する。前記第2犠牲層170は反射
部材195の装着を容易にし、反射部材195の水平度
を向上させる機能を遂行する。前記第2犠牲層170は
反射部材が装着された後に取り除かれる。このように第
2犠牲層170を塗布すると、前記エアギャップ165
が完全に満たされながら上部電極150を基準に一定の
厚さを有する平坦な表面が形成される。
【0057】図13に示すように、前記第2犠牲層17
0をパターニングして前記上部電極150の一部及び隣
接したアクチュエータの一部を相互対応するように露出
させる。次いで、前記露出された上部電極150の内部
を弾性を有する物質、例えばアルミニウム合金を使用し
て満たすことにより第1ポスト175を形成する。ま
た、前記隣接したアクチュエータの露出された部分を弾
性を有する物質、例えばアルミニウム合金を使用して満
たすことにより、第2ポスト177及び第3ポスト18
0を形成する。望ましくは、前記第1ポスト175、第
2ポスト177及び第3ポスト180は同時に形成され
る。従って、前記第1ポスト175、第2ポスト177
及び第3ポスト180はそれぞれ三角形の頂点部分に位
置する。前記第1ポスト175、第2ポスト177及び
第3ポスト180は反射部材195を支持する機能を果
たす。
0をパターニングして前記上部電極150の一部及び隣
接したアクチュエータの一部を相互対応するように露出
させる。次いで、前記露出された上部電極150の内部
を弾性を有する物質、例えばアルミニウム合金を使用し
て満たすことにより第1ポスト175を形成する。ま
た、前記隣接したアクチュエータの露出された部分を弾
性を有する物質、例えばアルミニウム合金を使用して満
たすことにより、第2ポスト177及び第3ポスト18
0を形成する。望ましくは、前記第1ポスト175、第
2ポスト177及び第3ポスト180は同時に形成され
る。従って、前記第1ポスト175、第2ポスト177
及び第3ポスト180はそれぞれ三角形の頂点部分に位
置する。前記第1ポスト175、第2ポスト177及び
第3ポスト180は反射部材195を支持する機能を果
たす。
【0058】次いで、第1ポスト175、第2ポスト1
77、第3ポスト180及び前記第2犠牲層170の上
部に第2支持層185を形成する。前記第2支持層18
5は硬質の物質、例えば窒化物または金属を使用して形
成する。第2支持層185はスパッタリング工程または
CVD法を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを有
するように形成する。前記第2支持層185は反射部材
195が駆動する中に前記反射部材195を安定に支持
する機能を遂行する。次いで、前記第2支持層185の
上部に反射層190を形成する。反射層190は反射度
の良いアルミニウム(Al)、白金(Pt)または銀
(Ag)を使用して形成する。反射層190はスパッタ
リング工程を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを
有するように形成する。
77、第3ポスト180及び前記第2犠牲層170の上
部に第2支持層185を形成する。前記第2支持層18
5は硬質の物質、例えば窒化物または金属を使用して形
成する。第2支持層185はスパッタリング工程または
CVD法を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを有
するように形成する。前記第2支持層185は反射部材
195が駆動する中に前記反射部材195を安定に支持
する機能を遂行する。次いで、前記第2支持層185の
上部に反射層190を形成する。反射層190は反射度
の良いアルミニウム(Al)、白金(Pt)または銀
(Ag)を使用して形成する。反射層190はスパッタ
リング工程を利用して0.1〜1.0μm程度の厚さを
有するように形成する。
【0059】次いで、前記反射層190及び第2支持層
185を同時にパターニングする。この際に、前記第1
ポスト175と前記第2ポスト177、または前記第1
ポスト175と前記第3ポスト180は前記反射部材1
95と共にF字形状の断面を有する。
185を同時にパターニングする。この際に、前記第1
ポスト175と前記第2ポスト177、または前記第1
ポスト175と前記第3ポスト180は前記反射部材1
95と共にF字形状の断面を有する。
【0060】図14に示すように、前記のように反射部
材195を形成した後、画素間の分離のために前記第2
犠牲層170を取り除く。望ましくは、前記第2犠牲層
170は酸素プラズマを使用して取り除く。前記第2犠
牲層170をエッチングして取り除く時に、図7及び図
8に示すように、アクチュエータ200と反射部材19
5が完成される。前述したように、反射部材195が流
動性を持つ物質で構成された第2犠牲層170の上部に
形成されるために反射部材195の水平度が向上する。
材195を形成した後、画素間の分離のために前記第2
犠牲層170を取り除く。望ましくは、前記第2犠牲層
170は酸素プラズマを使用して取り除く。前記第2犠
牲層170をエッチングして取り除く時に、図7及び図
8に示すように、アクチュエータ200と反射部材19
5が完成される。前述したように、反射部材195が流
動性を持つ物質で構成された第2犠牲層170の上部に
形成されるために反射部材195の水平度が向上する。
【0061】以下、本発明による薄膜型光路調節装置の
動作を説明する。
動作を説明する。
【0062】本発明による薄膜型光路調節装置におい
て、下部電極140には電気的な配線、連結端子105
及びバイアコンタクト160を通して第1信号、すなわ
ち画像信号が印加される。同時に、上部電極150には
共通電極線を通して第2信号、すなわちバイアス信号が
印加される。従って、上部電極150と下部電極140
との間に電場が発生する。このような電場により上部電
極150と下部電極140との間に形成された変形層1
45が変形を起こす。変形層145は発生した電場に対
して直交する方向に収縮する。これにより、変形層14
5を有するアクチュエータ200は所定の角度で上向き
に作動する。
て、下部電極140には電気的な配線、連結端子105
及びバイアコンタクト160を通して第1信号、すなわ
ち画像信号が印加される。同時に、上部電極150には
共通電極線を通して第2信号、すなわちバイアス信号が
印加される。従って、上部電極150と下部電極140
との間に電場が発生する。このような電場により上部電
極150と下部電極140との間に形成された変形層1
45が変形を起こす。変形層145は発生した電場に対
して直交する方向に収縮する。これにより、変形層14
5を有するアクチュエータ200は所定の角度で上向き
に作動する。
【0063】図15に示すように、前記変形層145の
傾斜角度の大きさをθ1とするとき、前記変形層145
を有するアクチュエータ200もθ1の大きさの傾斜角
度で上向きに傾斜する。反射部材195を支持する第1
ポスト175は前記アクチュエータ200の上部電極1
50の上部に形成されているために、光源から入射され
る光を反射する前記反射部材195はθ1大きさの傾斜
角度で傾斜する。この状態で前記反射部材195は隣接
したアクチュエータの上部に形成された第2ポスト17
7及び第3ポスト180にも同時に支持されているため
に、前記反射部材195はθ2の傾斜角度で上向きに傾
斜する。第1ポスト175から上部電極150を覆う反
射部材195の一方の側端の間の反射部材195の長さ
をl1とし、第1ポスト175と第2ポスト177との
間、または第1ポスト175と第3ポスト180との間
の反射部材195の長さをl2とすると、l1=l2の
際にはθ1=θ2となる。また、l1>l2の際にはθ
1<θ2となる。そして、l1<l2の際にはθ1>θ
2となる。すなわち、前記反射部材195の第1ポスト
175と第2ポスト177の間、または第1ポスト17
5と第3ポスト180との間の長さが短いほど反射部材
195の傾斜角度はさらに大きくなる。アクチュエータ
200の上部に装着された反射部材195は反った上部
電極150によりその軸が動いて傾斜して光源から入射
される光を反射する。前記反射部材195により反射さ
れた光はスリットを通過してスクリーンに画像を結ぶ。
傾斜角度の大きさをθ1とするとき、前記変形層145
を有するアクチュエータ200もθ1の大きさの傾斜角
度で上向きに傾斜する。反射部材195を支持する第1
ポスト175は前記アクチュエータ200の上部電極1
50の上部に形成されているために、光源から入射され
る光を反射する前記反射部材195はθ1大きさの傾斜
角度で傾斜する。この状態で前記反射部材195は隣接
したアクチュエータの上部に形成された第2ポスト17
7及び第3ポスト180にも同時に支持されているため
に、前記反射部材195はθ2の傾斜角度で上向きに傾
斜する。第1ポスト175から上部電極150を覆う反
射部材195の一方の側端の間の反射部材195の長さ
をl1とし、第1ポスト175と第2ポスト177との
間、または第1ポスト175と第3ポスト180との間
の反射部材195の長さをl2とすると、l1=l2の
際にはθ1=θ2となる。また、l1>l2の際にはθ
1<θ2となる。そして、l1<l2の際にはθ1>θ
2となる。すなわち、前記反射部材195の第1ポスト
175と第2ポスト177の間、または第1ポスト17
5と第3ポスト180との間の長さが短いほど反射部材
195の傾斜角度はさらに大きくなる。アクチュエータ
200の上部に装着された反射部材195は反った上部
電極150によりその軸が動いて傾斜して光源から入射
される光を反射する。前記反射部材195により反射さ
れた光はスリットを通過してスクリーンに画像を結ぶ。
【0064】このように、第2支持層185及び反射層
190からなる反射部材195が第1ポスト175、第
2ポスト177及び第3ポスト180により支持されて
いるために、反射部材195の反りや下向きに傾斜する
ことが防止される。従って、アクチュエータの上部に装
着された反射部材195の傾斜角度を均一に維持でき
る。
190からなる反射部材195が第1ポスト175、第
2ポスト177及び第3ポスト180により支持されて
いるために、反射部材195の反りや下向きに傾斜する
ことが防止される。従って、アクチュエータの上部に装
着された反射部材195の傾斜角度を均一に維持でき
る。
【0065】さらに、反射部材195の第1ポスト17
5と隣接したアクチュエータの上部に形成された第2ポ
スト177の間、または第1ポスト175と第3ポスト
180との間の距離を短くすることにより、AMAモジ
ュールの大きさが小型化されるとしても制限された面積
内でも反射部材195の傾斜角度を増加させることがで
きる。
5と隣接したアクチュエータの上部に形成された第2ポ
スト177の間、または第1ポスト175と第3ポスト
180との間の距離を短くすることにより、AMAモジ
ュールの大きさが小型化されるとしても制限された面積
内でも反射部材195の傾斜角度を増加させることがで
きる。
【0066】本発明では、前記のように第1ポスト17
5を上部電極150の一方の側の中央に形成し、第2ポ
スト177及び第3ポスト180を隣接したアクチュエ
ータの両端に相互対応に形成して前記第1ポスト17
5、第2ポスト177及び第3ポスト180をそれぞれ
三角形の頂点部分に位置させる。
5を上部電極150の一方の側の中央に形成し、第2ポ
スト177及び第3ポスト180を隣接したアクチュエ
ータの両端に相互対応に形成して前記第1ポスト17
5、第2ポスト177及び第3ポスト180をそれぞれ
三角形の頂点部分に位置させる。
【0067】しかしながら、本発明はこれにより制限さ
れるものではなく、図16に示すように、4つのポスト
を形成して反射部材を支持できる。すなわち、本発明に
よるアクチュエータ200の一方の側の上部に相互対応
するように第1ポスト175及び第2ポスト177を形
成する。また、隣接したアクチュエータのうちで下部に
支持部材125が形成された部分に相互対応するように
第3ポスト180及び第4ポスト183を形成する。
れるものではなく、図16に示すように、4つのポスト
を形成して反射部材を支持できる。すなわち、本発明に
よるアクチュエータ200の一方の側の上部に相互対応
するように第1ポスト175及び第2ポスト177を形
成する。また、隣接したアクチュエータのうちで下部に
支持部材125が形成された部分に相互対応するように
第3ポスト180及び第4ポスト183を形成する。
【0068】前記アクチュエータ200はU字形状を有
する。この際に、前記第1ポスト175及び前記第2ポ
スト177は前記アクチュエータ200の一方の側の上
部に相互に対応する形態で形成され、前記第3ポスト1
80及び前記第4ポスト183は隣接したU字形状のア
クチュエータの両端に相互に対応する形態で形成され
る。従って、前記第1ポスト175、前記第2ポスト1
77、前記第3ポスト180及び前記第4ポスト183
はそれぞれ四角形の頂点部分に位置する。また、前記第
1ポスト175、前記第2ポスト177、前記第3ポス
ト180及び前記第4ポスト183はそれぞれ弾性を有
する物質を使用して形成する。この際に、前記第1ポス
ト175と前記第3ポスト180との間の前記反射部材
195の長さが前記第1ポスト175から前記反射部材
195の残り部分の間の前記反射部材195の長さより
短いほど、前記反射部材195の傾斜角度が増加する。
また、前記第2ポスト177と前記第4ポスト183と
の間の前記反射部材195の長さが前記第2ポスト17
7から前記反射部材195の残り部分の間の前記反射部
材195の長さより短いほど前記反射部材195の傾斜
角度が増加する。
する。この際に、前記第1ポスト175及び前記第2ポ
スト177は前記アクチュエータ200の一方の側の上
部に相互に対応する形態で形成され、前記第3ポスト1
80及び前記第4ポスト183は隣接したU字形状のア
クチュエータの両端に相互に対応する形態で形成され
る。従って、前記第1ポスト175、前記第2ポスト1
77、前記第3ポスト180及び前記第4ポスト183
はそれぞれ四角形の頂点部分に位置する。また、前記第
1ポスト175、前記第2ポスト177、前記第3ポス
ト180及び前記第4ポスト183はそれぞれ弾性を有
する物質を使用して形成する。この際に、前記第1ポス
ト175と前記第3ポスト180との間の前記反射部材
195の長さが前記第1ポスト175から前記反射部材
195の残り部分の間の前記反射部材195の長さより
短いほど、前記反射部材195の傾斜角度が増加する。
また、前記第2ポスト177と前記第4ポスト183と
の間の前記反射部材195の長さが前記第2ポスト17
7から前記反射部材195の残り部分の間の前記反射部
材195の長さより短いほど前記反射部材195の傾斜
角度が増加する。
【0069】本発明を実施例によって詳細に説明した
が、本発明は実施例によって限定されず、本発明が属す
る技術分野における通常の知識を有する者であれば本発
明の思想と精神を逸脱することなく、本発明を修正また
は変更して実施できるであろう。
が、本発明は実施例によって限定されず、本発明が属す
る技術分野における通常の知識を有する者であれば本発
明の思想と精神を逸脱することなく、本発明を修正また
は変更して実施できるであろう。
【0070】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明による薄
膜型光路調節装置は、反射部材の一方の側の下部が複数
個のポストを通して支持されるために、前記反射部材は
反りや下向きに傾斜することなく水平に形成される。従
って、反射部材の水平度を向上させて反射部材の傾斜角
度をアクチュエータ別に一定に維持できる。
膜型光路調節装置は、反射部材の一方の側の下部が複数
個のポストを通して支持されるために、前記反射部材は
反りや下向きに傾斜することなく水平に形成される。従
って、反射部材の水平度を向上させて反射部材の傾斜角
度をアクチュエータ別に一定に維持できる。
【0071】また、反射部材を支持する前記第1ポスト
と第2ポストとの間の反射部材の長さ、または前記第1
ポストと前記第3ポストとの間の反射部材の長さを短く
することにより、制限された面積内でも従来の光路調節
装置に比べて反射部材の傾斜角度を増加させることがで
きる。従って、反射部材により反射された光の光効率を
高めることができ、スクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させ得る。また、反射部材の傾斜角度が
さらに大きいために光源とスクリーンとの間隔を広める
ことができる。
と第2ポストとの間の反射部材の長さ、または前記第1
ポストと前記第3ポストとの間の反射部材の長さを短く
することにより、制限された面積内でも従来の光路調節
装置に比べて反射部材の傾斜角度を増加させることがで
きる。従って、反射部材により反射された光の光効率を
高めることができ、スクリーンに投影される画像のコン
トラストを向上させ得る。また、反射部材の傾斜角度が
さらに大きいために光源とスクリーンとの間隔を広める
ことができる。
【図1】従来の光路調節装置のエンジンシステムの概略
図である。
図である。
【図2】本出願人の先行出願に記載された薄膜型光路調
節装置の断面図である。
節装置の断面図である。
【図3】図2に示す装置の製造工程図である。
【図4】図2に示す装置の製造工程図である。
【図5】図2に示す装置の製造工程図である。
【図6】図2に示す装置の製造工程図である。
【図7】本発明による薄膜型光路調節装置の平面図であ
る。
る。
【図8】図7に示す装置をA−A´線で切り取った断面
図である。
図である。
【図9】図7に示す装置の製造工程図である。
【図10】図7に示す装置の製造工程図である。
【図11】図7に示す装置の製造工程図である。
【図12】図7に示す装置の製造工程図である。
【図13】図7に示す装置の製造工程図である。
【図14】図7に示す装置の製造工程図である。
【図15】図7に示す装置の変形された状態を示す断面
図である。
図である。
【図16】本発明のさらに他の実施例による薄膜型光路
調節装置の平面図である。
調節装置の平面図である。
100 基板 105 連結端子 110 保護層 115 エッチング防止層 125 支持部材 130 第1支持層 135 支持要素 140 下部電極 145 変形層 150 上部電極 155 バイアホール 160 バイアコンタクト 165 エアギャップ 175,177,180 第1、第2及び第3ポスト 195 反射部材 200 アクチュエータ
Claims (12)
- 【請求項1】 外部から第1信号を受けて前記第1信
号を伝達する電気的な配線及び連結端子が形成された基
板と、 前記基板のうち前記連結端子が形成された部分の上部に
形成された支持部材及び一方の側の下部が前記支持部材
に接触され、他方の側が前記基板に対して平行に形成さ
れた第1支持層を有する支持要素と、 前記第1支持層の上部に形成されて第1信号が印加され
る下部電極、該下部電極に対応して形成され第2信号が
印加されて電場を発生させる上部電極、及び前記下部電
極と前記上部電極との間に形成されて前記電場によって
変形を起こす変形層を有するアクチュエータと、 前記アクチュエータの一方の側の上部に形成された第1
ポストと、 隣接したアクチュエータのうち下部に支持部材が形成さ
れた部分に相互に対応する形態で形成された第2ポスト
及び第3ポストと、 前記第1ポスト、前記第2ポスト及び第3ポストにより
支持され、光を反射する反射手段を有し、前記第1信号
及び前記第2信号に応じて駆動することを特徴とする薄
膜型光路調節装置。 - 【請求項2】 前記アクチュエータがU字形状を有
し、前記第1ポストは前記アクチュエータの一方の側の
中央に形成され、前記第2ポスト及び第3ポストはU字
形状の前記アクチュエータの他方の側の隣接した両端に
相互に対応する形態で形成されることを特徴とする請求
項1に記載の薄膜型光路調節装置。 - 【請求項3】 前記第1ポスト、前記第2ポスト及び
前記第3ポストが、それぞれ弾性を有する物質を使用し
て形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜型
光路調節装置。 - 【請求項4】 前記第1ポストが、前記アクチュエー
タの一方の側の中央に形成され、前記第2ポスト及び第
3ポストが隣接したアクチュエータの両端に相互に対応
する形態で形成され、前記第1ポスト、前記第2ポスト
及び前記第3ポストがそれぞれ三角形の頂点部分に位置
することを特徴とする請求項1に記載の薄膜型光路調節
装置。 - 【請求項5】 前記第1ポストと前記第2ポスト、ま
たは前記第1ポストと前記第3ポストが、前記反射手段
と共にF字形状の断面を有することを特徴とする請求項
1に記載の薄膜型光路調節装置。 - 【請求項6】 前記第1ポストと前記第2ポストとの
間の前記反射手段の長さ、及び前記第1ポストと前記第
3ポストとの間の前記反射手段の長さが、前記第1ポス
トから前記反射手段の残り部分の間の前記反射手段の長
さより短いことを特徴とする請求項1に記載の薄膜型光
路調節装置。 - 【請求項7】 前記反射手段が、前記第1ポスト、前
記第2ポスト及び前記第3ポストにその下部が支持され
反射手段の水平度を向上させる第2支持層、及び前記第
2支持層の上部に形成されて光を反射する反射層を有す
ることを特徴とする請求項1に記載の薄膜型光路調節装
置。 - 【請求項8】 外部から第1信号を受けて前記第1信
号を伝達する電気的な配線及び連結端子を有する基板を
準備する段階と、 前記基板の上部に第1犠牲層を形成し、前記第1犠牲層
をパターニングして前記基板のうち前記連結端子が形成
された部分を露出させる段階と、 前記第1犠牲層の上部及び露出された基板の上部に第1
層を形成する段階と、 前記第1層の上部に下部電極層、第2層及び上部電極層
を形成する段階と、 前記上部電極層をパターニングして第2信号が印加され
て電場を発生させる上部電極を形成する段階、前記第2
層をパターニングして前記電場によって変形を起こす変
形層を形成する段階、及び前記下部電極層をパターニン
グして前記第1信号が印加される下部電極を形成する段
階を有するアクチュエータを形成する段階と、 前記第1層をパターニングして前記下部電極の下部に第
1支持層を形成する段階及び前記第1支持層の一方の側
の下部に支持部材を形成する段階を含む支持要素を形成
する段階と、 前記アクチュエータ及び隣接したアクチュエータの上部
に第2犠牲層を形成し前記第2犠牲層をパターニングし
て前記アクチュエータの一部及び隣接したアクチュエー
タの一部を相互対応するように露出させる段階と、 前記アクチュエータの露出された部分に第1ポストを形
成する段階と、 隣接したアクチュエータの露出された部分に第2ポスト
及び第3ポストを形成する段階と、 前記第1ポスト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び
前記第2犠牲層の上部に光を反射する反射手段を形成す
る段階を有することを特徴とし、 前記第1信号及び前記第2信号によって駆動することを
特徴とする薄膜型光路調節装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記第1ポストを形成する段階と前記
第2ポスト及び第3ポストを形成する段階とが、同時に
遂行されることを特徴とする請求項8に記載の薄膜型光
路調節装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記反射手段を形成する段階が、前
記第1ポスト、前記第2ポスト、前記第3ポスト及び前
記第2犠牲層の上部に第2支持層を形成する段階、前記
第2支持層の上部に反射層を形成する段階、前記反射層
及び前記第2支持層をパターニングする段階、及び前記
第2犠牲層を取り除く段階をさらに有することを特徴と
する請求項8に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記第2支持層を形成する段階が、
窒化物または金属を使用してスパッタリング法またはC
VD法を利用して遂行されることを特徴とする請求項1
0に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記第2犠牲層を取り除く段階が、
酸素プラズマ法を使用して遂行されることを特徴とする
請求項10に記載の薄膜型光路調節装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970006131A KR19980069199A (ko) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 광효율을 향상시킬 수 있는 박막형 광로 조절장치 및 그 제조 방법 |
KR1997-6131 | 1997-02-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10239601A true JPH10239601A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=19498116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9265888A Pending JPH10239601A (ja) | 1997-02-27 | 1997-09-30 | 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5886811A (ja) |
JP (1) | JPH10239601A (ja) |
KR (1) | KR19980069199A (ja) |
CN (1) | CN1170184C (ja) |
GB (1) | GB2322711B (ja) |
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US6147790A (en) * | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
US6962419B2 (en) | 1998-09-24 | 2005-11-08 | Reflectivity, Inc | Micromirror elements, package for the micromirror elements, and projection system therefor |
US6404942B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | Fluid-encapsulated MEMS optical switch |
US6389189B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-05-14 | Corning Incorporated | Fluid-encapsulated MEMS optical switch |
US6643426B1 (en) | 1999-10-19 | 2003-11-04 | Corning Incorporated | Mechanically assisted release for MEMS optical switch |
US6724130B1 (en) * | 1999-10-22 | 2004-04-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Membrane position control |
US7012731B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-03-14 | Reflectivity, Inc | Packaged micromirror array for a projection display |
US6647164B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-11-11 | 3M Innovative Properties Company | Gimbaled micro-mirror positionable by thermal actuators |
US6711318B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Optical switch based on rotating vertical micro-mirror |
CN100504496C (zh) * | 2001-01-30 | 2009-06-24 | 松下电器产业株式会社 | 可形变镜子和备有该可形变镜子的信息装置 |
WO2002086602A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | M2N, Inc. | Micro-actuator and micro-device using the same |
US6614581B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-09-02 | Network Photonics, Inc. | Methods and apparatus for providing a multi-stop micromirror |
US6625342B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-09-23 | Network Photonics, Inc. | Systems and methods for overcoming stiction using a lever |
US20030025981A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-06 | Ball Semiconductor, Inc. | Micromachined optical phase shift device |
US7023606B2 (en) * | 2001-08-03 | 2006-04-04 | Reflectivity, Inc | Micromirror array for projection TV |
KR101073175B1 (ko) * | 2002-01-29 | 2011-10-12 | 파나소닉 주식회사 | 가변형 미러, 및 당해 가변형 미러를 구비한 광 제어 장치 |
US6908201B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-06-21 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-support structures |
US7436573B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Electrical connections in microelectromechanical devices |
US6885494B2 (en) * | 2003-02-12 | 2005-04-26 | Reflectivity, Inc. | High angle micro-mirrors and processes |
US7042622B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc | Micromirror and post arrangements on substrates |
TWI397193B (zh) * | 2007-11-05 | 2013-05-21 | Univ Nat Chunghsing | Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4954789A (en) * | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5126836A (en) * | 1989-11-01 | 1992-06-30 | Aura Systems, Inc. | Actuated mirror optical intensity modulation |
KR970003007B1 (ko) * | 1993-05-21 | 1997-03-13 | 대우전자 주식회사 | 투사형 화상표시장치용 광로조절장치 및 그 구동방법 |
DE69423070T2 (de) * | 1993-11-16 | 2000-07-13 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Anordnung von gesteuerten Dünnschichtspiegeln für ein optisches Projektionssystem und Verfahren zu deren Herstellung |
KR950024553A (ko) * | 1994-01-18 | 1995-08-21 | 배순훈 | 광로조절장치 및 제조방법 |
US5689380A (en) * | 1994-02-23 | 1997-11-18 | Aura Systems, Inc. | Thin film actuated mirror array for providing double tilt angle |
PE18996A1 (es) * | 1994-03-09 | 1996-08-11 | Daewoo Electronics Co Ltd | Disposicion de espejos compuestos por peliculas delgadas accionadas para uso en un conjunto de proyeccion optica y metodo para fabricar la misma |
KR0151457B1 (ko) * | 1994-04-30 | 1998-12-15 | 배순훈 | 광로조절장치 및 그 제조방법 |
KR100212539B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-08-02 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법 |
-
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- 1997-09-30 CN CNB971206996A patent/CN1170184C/zh not_active Expired - Fee Related
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