JPH10223504A - Method and system for removing thin film and work - Google Patents
Method and system for removing thin film and workInfo
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- JPH10223504A JPH10223504A JP9021458A JP2145897A JPH10223504A JP H10223504 A JPH10223504 A JP H10223504A JP 9021458 A JP9021458 A JP 9021458A JP 2145897 A JP2145897 A JP 2145897A JP H10223504 A JPH10223504 A JP H10223504A
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- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜除去方法およ
び薄膜除去装置、並びに加工物に関し、特に、例えば、
半導体デバイスの製造プロセスなどにおいて用いて好適
な薄膜除去方法および薄膜除去装置、並びに加工物に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film removing method, a thin film removing apparatus, and a processed product.
The present invention relates to a thin film removing method and a thin film removing apparatus suitable for use in a semiconductor device manufacturing process and the like, and a workpiece.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造プロセスな
どにおいて、基板上に形成された薄膜を除去する場合、
例えば、液相中でのドライエッチングや、減圧下での活
性ガスプラズマを利用したドライエッチングなどが、基
板上に複数の薄膜を形成した後や、１層の薄膜を形成す
るごとに行われる。2. Description of the Related Art Conventionally, when a thin film formed on a substrate is removed in a semiconductor device manufacturing process or the like,
For example, dry etching in a liquid phase, dry etching using active gas plasma under reduced pressure, or the like is performed after a plurality of thin films are formed on a substrate or each time a single thin film is formed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなエッチングによって薄膜を除去する場合、まず、薄
膜を形成した被加工物にマスクを形成し、被加工物をエ
ッチングし、さらにマスクを除去するという工程が必要
となり、処理工程が繁雑で、時間を要し、また、コスト
パフォーマンスも良いとはいえなかった。However, when a thin film is removed by such etching, a mask is first formed on a workpiece on which the thin film is formed, the workpiece is etched, and the mask is removed. A process is required, the treatment process is complicated, it takes time, and the cost performance is not good.
【０００４】そして、被加工物に複数の薄膜（多層薄
膜）が形成されている場合には、そのような繁雑な工程
を複数回繰り返す必要があった。[0004] When a plurality of thin films (multilayer thin films) are formed on a workpiece, it is necessary to repeat such complicated steps a plurality of times.
【０００５】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、複数の薄膜が形成された被加工物からの
薄膜の除去を、少ない工程数で行うことができるように
し、これにより、その加工を短時間で行うことができる
ようにするものである。[0005] The present invention has been made in view of such a situation, and enables the removal of a thin film from a workpiece having a plurality of thin films formed thereon in a small number of steps. , So that the processing can be performed in a short time.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の薄膜除
去方法は、例えば図２に示す薄膜１２乃至１４などの複
数の薄膜それぞれが吸収する波長の光を、薄膜１２乃至
１４が形成されている順番にしたがって順次照射するこ
とにより、薄膜１２乃至１４それぞれの少なくとも一部
を順次除去することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of removing a thin film, wherein the thin films have a wavelength that is absorbed by a plurality of thin films such as the thin films shown in FIG. By sequentially irradiating the thin films 12 to 14, at least a part of each of the thin films 12 to 14 is sequentially removed.
【０００７】請求項２に記載の薄膜除去装置は、例えば
図２に示す薄膜１２乃至１４などの複数の薄膜それぞれ
が吸収する波長の複数の光を照射する照射手段として
の、例えば図１に示す発光部３などと、薄膜１２乃至１
４それぞれが吸収する波長の光を、薄膜１２乃至１４が
形成されている順番にしたがって順次照射するように、
発光部３を制御する制御手段としての、例えば図１に示
す制御部２などとを備えることを特徴とする。A thin film removing apparatus according to a second aspect of the present invention is shown in, for example, FIG. 1 as an irradiating means for irradiating a plurality of light beams having wavelengths which are absorbed by a plurality of thin films such as the thin films 12 to 14 shown in FIG. The light emitting section 3 and the like and the thin films 12 to 1
4 so as to sequentially irradiate light having a wavelength that each absorbs in the order in which the thin films 12 to 14 are formed,
It is characterized by including, for example, the control unit 2 shown in FIG. 1 as control means for controlling the light emitting unit 3.
【０００８】請求項３に記載の加工物は、例えば図２に
示す薄膜１２乃至１４などの複数の薄膜それぞれが吸収
する波長の光を、薄膜１２乃至１４が形成されている順
番にしたがって順次照射することにより、薄膜１２乃至
１４それぞれの少なくとも一部を順次除去したことを特
徴とする。The workpiece according to claim 3 is sequentially irradiated with light having a wavelength that is absorbed by each of a plurality of thin films such as the thin films 12 to 14 shown in FIG. 2 in the order in which the thin films 12 to 14 are formed. By doing so, at least a part of each of the thin films 12 to 14 is sequentially removed.
【０００９】請求項１に記載の薄膜除去方法において
は、薄膜１２乃至１４などの複数の薄膜それぞれが吸収
する波長の光が、薄膜１２乃至１４が形成されている順
番にしたがって順次照射されることにより、薄膜１２乃
至１４それぞれの少なくとも一部が順次除去されるよう
になされている。In the method of removing a thin film according to the first aspect, light having a wavelength that is absorbed by each of the plurality of thin films such as the thin films 12 to is sequentially irradiated in the order in which the thin films 12 to are formed. Thereby, at least a part of each of the thin films 12 to 14 is sequentially removed.
【００１０】請求項２に記載の薄膜除去装置において
は、発光部３が、薄膜１２乃至１４それぞれが吸収する
波長の複数の光を照射し、制御部３が、薄膜１２乃至１
４それぞれが吸収する波長の光を、薄膜１２乃至１４が
形成されている順番にしたがって順次照射するように、
発光部３を制御するようになされている。[0010] In the thin film removing apparatus according to the second aspect, the light emitting section 3 irradiates a plurality of lights having wavelengths that are absorbed by the thin films 12 to 14 respectively, and the control section 3 controls the thin films 12 to 1.
4 so as to sequentially irradiate light having a wavelength that each absorbs in the order in which the thin films 12 to 14 are formed,
The light emitting unit 3 is controlled.
【００１１】請求項３に記載の加工物においては、薄膜
１２乃至１４それぞれが吸収する波長の光が、薄膜１２
乃至１４が形成されている順番にしたがって順次照射さ
れることにより、薄膜１２乃至１４それぞれの少なくと
も一部が順次除去されている。In the workpiece according to the third aspect, the light having a wavelength that is absorbed by each of the thin films 12 to 14 emits light.
By sequentially irradiating according to the order in which the thin films 12 to 14 are formed, at least a part of each of the thin films 12 to 14 is sequentially removed.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の薄膜除去装置の
一実施の形態の構成例を示している。FIG. 1 shows a configuration example of an embodiment of a thin film removing apparatus according to the present invention.
【００１３】この薄膜除去装置は、基板上に複数の薄膜
が形成された被加工物５を加工することによって、加工
物として、例えば、半導体デバイスを製造するようにな
されている。This thin film removing apparatus processes a workpiece 5 having a plurality of thin films formed on a substrate, thereby manufacturing, for example, a semiconductor device as a workpiece.
【００１４】即ち、設定部１は、被加工物５に照射する
レーザ光の波長や、絞り４の形状（絞り４を通過するレ
ーザ光の形状）などを設定するときに操作され、設定部
１を操作することにより設定された情報（設定情報）
は、制御部２に供給されるようになされている。制御部
２は、設定部１からの設定情報にしたがって、発光部３
および絞り４を制御するようになされている。発光部３
は、制御部２の制御にしたがった波長のレーザ光を発光
するようになされており、このレーザ光は、絞り４を通
過することにより成形され、被加工物５に照射されるよ
うになされている。絞り４は、制御部２の制御にしたが
って、発光部３が発光したレーザ光を成形するようにな
されている。That is, the setting unit 1 is operated when setting the wavelength of the laser beam to be irradiated on the workpiece 5 and the shape of the diaphragm 4 (the shape of the laser beam passing through the diaphragm 4). Information set by operating (setting information)
Are supplied to the control unit 2. The control unit 2 controls the light emitting unit 3 according to the setting information from the setting unit 1.
The aperture 4 is controlled. Light emitting unit 3
Is configured to emit a laser beam having a wavelength in accordance with the control of the control unit 2. The laser beam is shaped by passing through the aperture 4, and is applied to the workpiece 5. I have. The diaphragm 4 shapes the laser light emitted by the light emitting unit 3 under the control of the control unit 2.
【００１５】被加工物５は、基板上に複数の薄膜（多層
薄膜）が形成されて構成されている。The workpiece 5 is formed by forming a plurality of thin films (multilayer thin films) on a substrate.
【００１６】即ち、図２は、被加工物５の構成例を示す
断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the work 5.
【００１７】例えば、半導体基板である基板１１上に
は、薄膜１２が形成されており、その上部には、薄膜１
３が形成されている。さらに、薄膜１３の上部には薄膜
１４が形成されており、従って、本実施の形態では、基
板１１上に３層の薄膜１２乃至１４が形成されている。For example, a thin film 12 is formed on a substrate 11 which is a semiconductor substrate.
3 are formed. Further, a thin film 14 is formed on the thin film 13. Therefore, in this embodiment, three thin films 12 to 14 are formed on the substrate 11.
【００１８】薄膜１２乃至１４それぞれは、異なる波長
の光を選択的に効率良く吸収するようになされている。
即ち、λ1≠λ2≠λ3とするとき、例えば、薄膜１２は
波長λ1（例えば、１０６４ｎｍ（ナノメートル）な
ど）の光を、薄膜１３は波長λ2（例えば、２６６ｎｍ
など）の光を、薄膜１４は波長λ3（例えば、３５５ｎ
ｍなど）の光を、それぞれ効率良く吸収するようになさ
れている。Each of the thin films 12 to 14 is designed to selectively and efficiently absorb light of a different wavelength.
That is, when λ 1 ≠ λ 2 ≠ λ 3 , for example, the thin film 12 emits light having a wavelength λ 1 (for example, 1064 nm (nanometer)), and the thin film 13 emits light having a wavelength λ 2 (for example, 266 nm).
) At the wavelength λ 3 (for example, 355n).
m) is efficiently absorbed.
【００１９】次に、図１の薄膜除去装置の動作について
説明する。Next, the operation of the thin film removing apparatus shown in FIG. 1 will be described.
【００２０】図１の薄膜除去装置では、基板１１上に形
成された薄膜１２乃至１４のうち、基板１１から、より
遠い位置のものから順次、各薄膜が効率良く吸収する波
長のレーザ光を照射することで、薄膜１２乃至１４それ
ぞれの少なくとも一部が除去され、これにより、被加工
物５を加工した半導体デバイスが製造されるようになさ
れている。In the thin film removing apparatus shown in FIG. 1, the thin film 12 to 14 formed on the substrate 11 are sequentially irradiated with laser light having a wavelength that can be efficiently absorbed by the thin film in order from the farther position. By doing so, at least a part of each of the thin films 12 to 14 is removed, whereby a semiconductor device in which the workpiece 5 has been processed is manufactured.
【００２１】即ち、ここでは、薄膜１４，１３，１２の
順番で、各薄膜が効率良く吸収する波長のレーザ光が照
射されることで、その順番で、各薄膜の少なくとも一部
が除去されていく。That is, here, by irradiating a laser beam having a wavelength that each thin film efficiently absorbs in the order of the thin films 14, 13, and 12, at least a part of each thin film is removed in that order. Go.
【００２２】具体的には、図３のフローチャートに示す
ように、まず最初に、ステップＳ１において、設定部１
が操作されることにより、被加工物５に照射するレーザ
光の波長や、各波長のレーザ光を照射する順番、さらに
は、絞り４の形状が設定される。More specifically, as shown in the flowchart of FIG. 3, first, in step S1, the setting unit 1
Is operated, the wavelength of the laser light to irradiate the workpiece 5, the order of irradiating the laser light of each wavelength, and the shape of the aperture 4 are set.
【００２３】即ち、ここでは、薄膜１２乃至１４それぞ
れが効率良く吸収するレーザ光の波長λ1乃至λ3が設定
される。また、波長λ1乃至λ3のレーザ光を、それぞれ
Ｌ1乃至Ｌ3とするとき、レーザ光Ｌ3，Ｌ2，Ｌ1の順で
照射を行うように順番が設定される。さらに、絞り４の
形状が、薄膜１２乃至１４それぞれを除去する形状に設
定される。That is, here, the wavelengths λ 1 to λ 3 of the laser light that are efficiently absorbed by the thin films 12 to 14 are set. When the laser beams of wavelengths λ 1 to λ 3 are L 1 to L 3 , respectively, the order is set so that the irradiation is performed in the order of laser beams L 3 , L 2 , and L 1 . Further, the shape of the stop 4 is set to a shape that removes each of the thin films 12 to 14.
【００２４】設定部１を操作することにより設定された
設定情報は、制御部２に供給され、制御部２は、設定情
報を受信すると、その設定情報にしたがって発光部３お
よび絞り４を制御する。The setting information set by operating the setting unit 1 is supplied to the control unit 2. When the control unit 2 receives the setting information, the control unit 2 controls the light emitting unit 3 and the aperture 4 according to the setting information. .
【００２５】即ち、制御部２では、ステップＳ２におい
て、設定情報にしたがって、発光部３をレーザ光Ｌ3を
発光するように制御するとともに、絞り４を所定の形状
にするように制御する。これにより、発光部３は、レー
ザ光Ｌ3を発光するとともに、絞り４は所定の形状とな
る。従って、発光部３が発光したレーザ光Ｌ3は、絞り
４を通過することにより、所定の形状に成形され（所定
の形状のパルスレーザとされ）、被加工物５の薄膜１４
に照射される。薄膜１４は、上述したように、波長λ3
のレーザ光Ｌ3を効率良く吸収するから、図４（Ａ）に
示すように、薄膜１４のうちのレーザ光Ｌ3が照射され
た部分（以下、適宜、照射部分という）１４ａの温度が
上昇し、溶融、蒸発することで、あるいはアブレーショ
ンにより直接、照射部分１４ａは除去される。[0025] That is, the control unit 2, in step S2, according to the setting information, the light emitting unit 3 controls to emit a laser beam L 3, and controls to the diaphragm 4 in a predetermined shape. Thus, the light emitting unit 3 is configured to emit laser light L 3, diaphragm 4 becomes a predetermined shape. Therefore, the laser light L 3 emitted from the light emitting unit 3 is formed into a predetermined shape (a pulse laser having a predetermined shape) by passing through the stop 4, and the thin film 14 of the workpiece 5 is formed.
Is irradiated. As described above, the thin film 14 has a wavelength λ 3
Since the laser beam L 3 efficiently absorbed, as shown in FIG. 4 (A), the laser beam L 3 is irradiated portion of the thin film 14 (hereinafter, as appropriate, irradiation of parts) temperature 14a is elevated Then, the irradiated portion 14a is removed by melting and evaporating or directly by ablation.
【００２６】そして、ステップＳ３に進み、制御部２で
は、設定情報にしたがって、発光部３をレーザ光Ｌ2を
発光するように制御するとともに、絞り４を所定の形状
にするように制御する。これにより、発光部３は、レー
ザ光Ｌ2を発光するとともに、絞り４は所定の形状とな
る。従って、発光部３が発光したレーザ光Ｌ2は、絞り
４を通過することにより、所定の形状に成形され、ま
た、薄膜１４の照射部分１４ａは既に除去されているか
ら、露出している薄膜１３に照射される。薄膜１３は、
上述したように、波長λ2のレーザ光Ｌ2を効率良く吸収
するから、図４（Ｂ）に示すように、薄膜１３のうちの
レーザ光Ｌ2が照射された部分である照射部分１３ａの
温度が上昇し、溶融、蒸発することで、あるいはアブレ
ーションにより直接、照射領域１３ａは除去される。[0026] Then, the process proceeds to step S3, the control unit 2, in accordance with the setting information, the light emitting unit 3 controls to emit laser light L 2, is controlled so that the aperture 4 in a predetermined shape. Thus, the light emitting unit 3 is configured to emit laser light L 2, the diaphragm 4 becomes a predetermined shape. Therefore, the laser beam L 2 emitted from the light emitting section 3 is formed into a predetermined shape by passing through the stop 4, and the irradiated portion 14 a of the thin film 14 has already been removed. 13 is irradiated. The thin film 13
As described above, since the laser beam L 2 having the wavelength λ 2 is efficiently absorbed, as shown in FIG. 4B, the irradiation portion 13 a of the thin film 13 which is the portion irradiated with the laser beam L 2 is used. The irradiation area 13a is removed by raising the temperature and melting or evaporating, or directly by ablation.
【００２７】その後、制御部２では、ステップＳ４に進
み、発光部３をレーザ光Ｌ1を発光するように制御する
とともに、絞り４を所定の形状にするように制御する。
これにより、発光部３は、レーザ光Ｌ1を発光するとと
もに、絞り４は所定の形状となる。従って、発光部３が
発光したレーザ光Ｌ1は、絞り４を通過することによ
り、所定の形状に成形され、また、薄膜１４または１３
それぞれの照射部分１４ａまたは１３ａは既に除去され
ているから、露出している薄膜１２に照射される。薄膜
１２は、上述したように、波長λ1のレーザ光Ｌ1を効率
良く吸収するから、図４（Ｃ）に示すように、薄膜１２
のうちのレーザ光Ｌ1が照射された部分である照射部分
１２ａの温度が上昇し、溶融、蒸発することで、あるい
はアブレーションにより直接、照射領域１２ａは除去さ
れる。[0027] Thereafter, the control unit 2 proceeds to step S4, the light emitting unit 3 controls to emit laser light L 1, is controlled so that the aperture 4 in a predetermined shape.
Thus, the light emitting unit 3 is configured to emit laser light L 1, aperture 4 becomes a predetermined shape. Therefore, the laser beam L 1 emitted from the light emitting section 3 is formed into a predetermined shape by passing through the diaphragm 4, and the thin film 14 or 13 is formed.
Since the respective irradiated portions 14a or 13a have already been removed, the exposed thin film 12 is irradiated. As described above, the thin film 12 efficiently absorbs the laser beam L 1 having the wavelength λ 1 , and as shown in FIG.
Temperature of the irradiated portion 12a the laser beam L 1 is a portion irradiated rises out of the melt, by evaporation, or directly by ablation, irradiation region 12a is removed.
【００２８】以上のように、複数の薄膜１２乃至１４が
形成されている被加工物５に対して、その薄膜１２乃至
１４それぞれが吸収する波長の光Ｌ1乃至Ｌ3を、薄膜１
２乃至１４が形成されている順番にしたがって順次照射
するようにしたので、即ち、基板１１から遠い順である
薄膜１４，１３，１２が効率良く吸収する波長のレーザ
光Ｌ3，Ｌ2，Ｌ1を順次照射するようにしたので、所望
の形状の照射部分１４ａ，１３ａ，１２ａの除去を、少
ない工程数で容易に行うことができ、その結果、被加工
物５の加工を短時間で行うことができる。As described above, light L 1 to L 3 having a wavelength absorbed by each of the thin films 12 to 14 is applied to the workpiece 5 on which the plurality of thin films 12 to 14 are formed.
Irradiation is performed sequentially in the order in which the layers 2 to 14 are formed, that is, the laser beams L 3 , L 2 , L 2 having wavelengths that are efficiently absorbed by the thin films 14, 13, 12 which are farthest from the substrate 11. Since 1 is sequentially irradiated, it is possible to easily remove the irradiation portions 14a, 13a, and 12a having a desired shape in a small number of steps, and as a result, to process the workpiece 5 in a short time. be able to.
【００２９】以上、本発明を、３つの薄膜１２乃至１４
が形成された被加工物５を加工する薄膜除去装置に適用
した場合について説明したが、本発明は、その他、３以
外の２または４以上の薄膜が形成された被加工物を加工
する場合にも適用可能である。但し、発光部３は、被加
工物に形成されている薄膜が効率良く吸収する波長のレ
ーザ光の発光が可能なように構成する必要がある。As described above, the present invention relates to three thin films 12 to 14
Although the description has been given of the case where the present invention is applied to a thin film removing apparatus for processing a workpiece 5 on which a thin film is formed, the present invention is also applicable to processing a workpiece on which two or four or more thin films other than three are formed. Is also applicable. However, the light emitting section 3 needs to be configured to emit laser light having a wavelength that the thin film formed on the workpiece efficiently absorbs.
【００３０】なお、本実施の形態では、図４に示したよ
うに、照射部分１２ａ乃至１４ａの形状を同一とした
が、それぞれの形状は異なるものとすることが可能であ
る。In this embodiment, as shown in FIG. 4, the shapes of the irradiated portions 12a to 14a are the same, but the shapes can be different.
【００３１】また、本実施の形態では、薄膜１２乃至１
４が効率良く吸収するレーザ光の波長λ1乃至λ3それぞ
れを異なるものとしたが、少なくとも、隣接する薄膜が
効率良く吸収するレーザ光の波長が異なっていれば良
く、すべての波長が異なっている必要はない。即ち、薄
膜が効率良く吸収するレーザ光の波長は、薄膜１２と１
３との間、および薄膜１３と１４との間で異なっていれ
ば良く、薄膜１２と１４との間では異なっていなくても
良い。In this embodiment, the thin films 12 to 1
Although the wavelengths λ 1 to λ 3 of the laser light efficiently absorbed by the laser light 4 are different, it is sufficient that at least the wavelengths of the laser light efficiently absorbed by the adjacent thin films are different, and all the wavelengths are different. You don't need to be. That is, the wavelength of the laser beam that the thin film efficiently absorbs is
3 and between the thin films 13 and 14, but not between the thin films 12 and 14.
【００３２】[0032]
【発明の効果】請求項１に記載の薄膜除去方法によれ
ば、複数の薄膜それぞれが吸収する波長の光が、その複
数の薄膜が形成されている順番にしたがって順次照射さ
れることにより、複数の薄膜それぞれの少なくとも一部
が順次除去される。従って、複数の薄膜の除去を、容易
に行うことが可能となる。According to the thin film removing method of the present invention, light having a wavelength that is absorbed by each of the plurality of thin films is sequentially irradiated in the order in which the plurality of thin films are formed. At least a portion of each of the thin films is sequentially removed. Therefore, it is possible to easily remove a plurality of thin films.
【００３３】請求項２に記載の薄膜除去装置によれば、
複数の薄膜それぞれが吸収する波長の光を、その複数の
薄膜が形成されている順番にしたがって順次照射するよ
うに、複数の薄膜それぞれが吸収する波長の複数の光を
照射する照射手段が制御される。従って、複数の薄膜の
除去を、容易に行うことが可能となる。According to the thin film removing apparatus of the second aspect,
Irradiation means for irradiating a plurality of light having a wavelength which each of the plurality of thin films absorbs is controlled so as to sequentially irradiate light having a wavelength which each of the plurality of thin films absorbs according to the order in which the plurality of thin films are formed. You. Therefore, it is possible to easily remove a plurality of thin films.
【００３４】請求項３に記載の加工物によれば、複数の
薄膜それぞれが吸収する波長の光を、その複数の薄膜が
形成されている順番にしたがって順次照射することによ
り、複数の薄膜それぞれの少なくとも一部が順次除去さ
れている。従って、その加工物を容易に得ることが可能
となる。According to the third aspect of the present invention, light having a wavelength that is absorbed by each of the plurality of thin films is sequentially irradiated according to the order in which the plurality of thin films are formed. At least a portion has been sequentially removed. Therefore, the processed product can be easily obtained.
【図１】本発明の薄膜除去装置の一実施の形態の構成例
を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of an embodiment of a thin film removing apparatus according to the present invention.
【図２】図１の被加工物５の構成例を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration example of a workpiece 5 of FIG.
【図３】図１の薄膜除去装置の動作を説明するためのフ
ローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the thin film removing apparatus of FIG.
【図４】図１の薄膜除去装置による被加工物５の加工の
様子を説明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a state of processing a workpiece 5 by the thin film removing apparatus of FIG.
１ 設定部 ２ 制御部 ３ 発光部 ４ 絞り ５ 被加工物 １１ 基板 １２乃至１４ 薄膜 １２ａ乃至１４ａ 照射部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Setting part 2 Control part 3 Light emission part 4 Aperture 5 Workpiece 11 Substrate 12-12 Thin film 12a-14a Irradiation part
Claims (3)
る、その薄膜を除去する薄膜除去方法であって、 前記複数の薄膜それぞれが吸収する波長の光を、その複
数の薄膜が形成されている順番にしたがって順次照射す
ることにより、前記複数の薄膜それぞれの少なくとも一
部を順次除去することを特徴とする薄膜除去方法。1. A thin film removing method for removing a thin film from a workpiece on which a plurality of thin films are formed, wherein light having a wavelength absorbed by each of the plurality of thin films is formed. A method of removing a thin film, comprising sequentially removing at least a part of each of the plurality of thin films by sequentially irradiating the plurality of thin films.
る、その薄膜を除去する薄膜除去装置であって、 前記複数の薄膜それぞれが吸収する波長の複数の光を照
射する照射手段と、 前記複数の薄膜それぞれが吸収する波長の光を、その複
数の薄膜が形成されている順番にしたがって順次照射す
るように、前記照射手段を制御する制御手段とを備える
ことを特徴とする薄膜除去装置。2. A thin film removing apparatus for removing a thin film from a workpiece on which a plurality of thin films are formed, comprising: an irradiating unit configured to irradiate a plurality of lights each having a wavelength absorbed by each of the plurality of thin films; A thin film removing apparatus comprising: a control unit that controls the irradiation unit so that light having a wavelength that is absorbed by each of the plurality of thin films is sequentially irradiated in the order in which the plurality of thin films are formed.
前記複数の薄膜それぞれの少なくとも一部を除去した加
工物であって、 前記複数の薄膜それぞれが吸収する波長の光を、その複
数の薄膜が形成されている順番にしたがって順次照射す
ることにより、前記複数の薄膜それぞれの少なくとも一
部を順次除去したことを特徴とする加工物。3. A method according to claim 1, wherein the workpiece has a plurality of thin films formed thereon.
A workpiece obtained by removing at least a part of each of the plurality of thin films, by sequentially irradiating light having a wavelength absorbed by each of the plurality of thin films according to the order in which the plurality of thin films are formed, A workpiece wherein at least a part of each of the plurality of thin films is sequentially removed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021458A JPH10223504A (en) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | Method and system for removing thin film and work |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021458A JPH10223504A (en) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | Method and system for removing thin film and work |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223504A true JPH10223504A (en) | 1998-08-21 |
Family
ID=12055545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9021458A Withdrawn JPH10223504A (en) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | Method and system for removing thin film and work |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223504A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803540B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for processing three-dimensional structure, method for producing three-dimensional shape product and three-dimensional structure |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP9021458A patent/JPH10223504A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803540B2 (en) | 2001-12-18 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for processing three-dimensional structure, method for producing three-dimensional shape product and three-dimensional structure |
| US7067198B2 (en) | 2001-12-18 | 2006-06-27 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for processing three-dimensional structure, method for producing three-dimensional shape product and three-dimensional structure |
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