JPH1022239A - 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置 - Google Patents

半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置

Info

Publication number
JPH1022239A
JPH1022239A JP8204067A JP20406796A JPH1022239A JP H1022239 A JPH1022239 A JP H1022239A JP 8204067 A JP8204067 A JP 8204067A JP 20406796 A JP20406796 A JP 20406796A JP H1022239 A JPH1022239 A JP H1022239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
semiconductor wafer
oil
degreasing
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8204067A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Fukunaga
寿也 福永
Katsutoshi Kuroki
勝利 黒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Electronic Metals Co Ltd filed Critical Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority to JP8204067A priority Critical patent/JPH1022239A/ja
Priority to TW086108066A priority patent/TW336332B/zh
Priority to US08/884,851 priority patent/US5922137A/en
Publication of JPH1022239A publication Critical patent/JPH1022239A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤーソーにより切断された半導体ウェハ
を効率よく、しかも自動工程で洗浄でき、ほぼ完全に砥
粒を除去できる半導体ウェハの製造方法およびその洗浄
装置を提供する。 【解決手段】 半導体インゴットをワイヤーソーにより
切断する。切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する。脱
脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄する。油水分
離洗浄された半導体ウェハを濯ぐ。濯ぎ洗浄された半導
体ウェハの表面からアルカリ洗浄により砥粒を除去す
る。砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台から
剥離させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、ワイヤーソーにより切
断された半導体ウェハから油脂分と砥粒とを除去し、カ
ーボンスライス台から剥離させ、スライスドウェハを得
る半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、８インチまたは１２インチなどの
大口径の半導体インゴットを切断するために急激に普及
しつつあるワイヤーソーにより切断された半導体ウェハ
は、その周縁部がカーボン製のスライス台に接着された
まま連なった状態で洗浄することにより、この切断にお
いて半導体ウェハに付着した油脂分や砥粒を除去してい
た。従来、この洗浄作業は１つの洗浄漕で洗浄液を交換
しながら行うか、または複数の洗浄漕の間を移動させな
がら行っており、それぞれの交換または移動の作業の殆
どを手作業に頼らざるを得なかった。また、半導体ウェ
ハをスライス台から剥離させるために、濯ぎ洗浄を終了
した半導体ウェハをスライス台と共に、３．０％以上の
陰イオン系界面活性剤を含む水溶性アルカリ洗剤等に浸
漬して剥離させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような人手による作業では効率が悪い上に、薬液等に
よる人体への悪影響の危険があるという問題があった。
また、濯ぎ洗浄までの洗浄でウェハの極表面の砥粒は除
去されるが、切断により生じた歪層の間に入り込んだ砥
粒は除去されない。このままカーボンスライス台から剥
離させていたのでは、この歪層の間の砥粒を次の工程に
持ち込むことになるという問題点があった。本発明は、
上記問題に鑑みてなされたもので、ワイヤーソーにより
切断された半導体ウェハを効率よく、しかも自動工程で
洗浄でき、ほぼ完全に砥粒を除去できる半導体ウェハの
製造方法およびその洗浄装置を提供することを目的とす
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体ウェハの製造方法を、半導体インゴットをワイヤー
ソーにより切断し、切断された半導体ウェハを脱脂洗浄
し、脱脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄し、油
水分離洗浄された半導体ウェハを濯ぎ、濯ぎ洗浄された
半導体ウェハの表面からアルカリ洗浄により砥粒を除去
し、砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台から
剥離させるようにしたものである。
【０００５】また、半導体ウェハの洗浄装置を、ワイヤ
ーソーにより切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する脱
脂洗浄槽と、脱脂洗浄された半導体ウェハの表面の油水
分離を行う油水分離洗浄槽と、油水分離された半導体ウ
ェハを濯ぐ濯ぎ洗浄槽と、濯ぎ洗浄された半導体ウェハ
をアルカリ洗浄により砥粒除去する砥粒除去洗浄槽と、
砥粒除去された半導体ウェハをカーボンスライス台から
剥離させる剥離洗浄槽と、それぞれの洗浄槽へ順次半導
体ウェハを搬送する搬送装置と、少なくともいずれか一
つの洗浄槽から引き上げられた半導体ウェハにエアーを
吹きつけるエアーブロー装置とからなり、それぞれの洗
浄槽における処理が自動制御されるようにしたものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の半導体ウェハの製造方法
においては、ワイヤーソーにより切断した半導体ウェハ
をスライス台から剥離させる前に、アルカリ洗浄により
半導体ウェハの表面に付着した砥粒、特に切断により生
じた歪層の間に入り込んだ砥粒を除去して、次の工程へ
砥粒を持ち込むことを防止するものである。この砥粒除
去はアルカリ洗浄液を使用するが、その洗浄速度が早す
ぎると十分に砥粒が除去されないうちに半導体ウェハが
スライス台から剥離してしまうことになる。したがっ
て、これを防止するためにアルカリ洗浄には０．５〜
３．０％の陰イオン系界面活性剤を含むアルカリ水溶液
を使用し、その温度を５０〜９０℃に設定している。
【０００７】また、ワイヤーソーにより切断した半導体
ウェハの洗浄作業を自動化して、効率よくしかも安全に
行うことを目的としており、それぞれの洗浄を行う洗浄
漕を個別に設け、それぞれの洗浄漕へ順次自動搬送する
ものである。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体ウェハの製造方法を示
す工程図、図２は本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置
を示す模式図である。
【０００９】先ず、本実施例の半導体ウェハの製造方法
を説明する。図１に示すように、本実施例における半導
体ウェハは次の工程により製造される。 （１）半導体インゴットをワイヤーソーにより切断す
る。 （２）切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する。 （３）脱脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄す
る。 （４）油水分離洗浄された半導体ウェハを濯ぐ。 （５）濯ぎ洗浄された半導体ウェハの表面からアルカリ
洗浄により砥粒を除去する。 （６）砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台か
ら剥離させる。
【００１０】上記した脱脂洗浄以降の洗浄は、次に説明
する洗浄装置により洗浄される。図２に示すように、本
実施例の洗浄装置は、ワイヤーソーにより切断された半
導体ウェハ９をそれぞれの洗浄槽へ順次搬送する搬送装
置１と、半導体ウェハ９を脱脂洗浄する脱脂洗浄槽２
と、半導体ウェハ９の表面の油水分離を行う油水分離洗
浄槽３と、半導体ウェハ９を濯ぐ濯ぎ洗浄槽４と、半導
体ウェハ９をアルカリ洗浄により砥粒除去する砥粒除去
洗浄槽５と、半導体ウェハ９をカーボンスライス台９１
から剥離させる剥離洗浄槽６とから構成されている。
【００１１】搬送装置１は、半導体ウェハ９を搬送用の
バスケット９２に装填された状態でそれぞれの洗浄槽間
を順次移送するように設けられており、搬送装置本体１
１と、バスケット９２を保持してこの搬送装置本体１１
に沿って移動するリフター１２と、それぞれの洗浄槽か
ら引き上げられた半導体ウェハ９にエアーを吹きつける
エアーブロー装置１３とから構成され、それぞれの洗浄
槽における洗浄と、引き上げられた半導体ウェハへのエ
アーの吹きつけと、洗浄槽間の移送は自動制御される。
【００１２】尚、半導体ウェハ９は、その周縁面がカー
ボンスライス台９１に貼付されて、連なった状態でバス
ケット９２に装填されており、最終洗浄を行う剥離洗浄
槽６においてカーボンスライス台９１から剥離される。
【００１３】半導体ウェハ９を脱脂洗浄する脱脂洗浄槽
２には、脱脂洗浄液２０として約７０℃に設定された非
イオン性界面活性剤の水溶液が入れられ、脱脂洗浄槽２
の下部に設けられたバブリング装置２１からの泡と、側
方からの超音波により半導体ウェハ９に振動を与えなが
ら脱脂洗浄できるように設けられている。この洗浄剤に
より半導体ウェハ９の表面に付着していた油脂分は乳化
して分離しやすくなる。
【００１４】半導体ウェハ９の表面の油水分離を行う油
水分離洗浄槽３には、約７０℃に設定された温水３０が
入れられ、側方からの超音波により半導体ウェハ９に振
動を与えながら洗浄することにより、半導体ウェハ９の
表面から油脂分を分離できるように設けられている。
【００１５】また、この油水分離洗浄槽３には、油脂分
除去装置３１が連結され、油水分離洗浄槽３内の温水３
０を循環浄化させて、半導体ウェハ９の表面から分離し
た油脂分を温水３０から除去できるように設けられてい
る。これにより、次の濯ぎ洗浄漕４への油脂分の持ち込
みを防止できる。
【００１６】尚、この油脂分除去装置３１としては、膜
吸着式、沈殿式、遠心分離式などがあるが、本実施例で
は膜吸着式が採用されている。
【００１７】半導体ウェハ９を濯ぐ濯ぎ洗浄槽４には、
約７０℃に設定された温水４０が入れられ、脱脂洗浄槽
２と同様に下部に設けられたバブリング装置４１からの
泡と、側方からの超音波により半導体ウェハ９に振動を
与えながら洗浄するように設けられている。この時点ま
でで、半導体ウェハ９の極表面に付着していた砥粒はそ
の殆どが除去される。
【００１８】尚、上記したそれぞれの脱脂洗浄槽２、油
水分離洗浄槽３および濯ぎ洗浄槽４から引き上げられた
半導体ウェハ９は、エアーブロー装置１３によりエアー
を吹きつけることにより、油脂分や砥粒が落下するよう
に設けられている。
【００１９】また、脱脂洗浄槽２、油水分離洗浄槽３お
よび濯ぎ洗浄槽４における洗浄では、その洗浄時間のお
よそ中間ごろに一旦半導体ウェハ９を引き上げて、水切
りを行う。これにより、半導体ウェハ９の間の砥粒を含
んだ油脂分が自重により落下し、より効率的な洗浄を行
うことができる。
【００２０】ワイヤーソーによって切断された半導体ウ
ェハ９には歪層があり、上記した濯ぎ洗浄までの洗浄で
その極表面に付着した油脂分と砥粒が取り除かれても、
この歪層に入り込んだ砥粒は除去できないため、アルカ
リ洗浄によりこの歪層内の砥粒を除去する。
【００２１】砥粒除去洗浄槽５には、アルカリ洗浄液５
０として２％の陰イオン系界面活性剤を含むアルカリ水
溶液が入れられ、その温度を約７０℃に設定している。
この設定により、急激なアルカリ洗浄がされないため、
歪層に入り込んだ砥粒は除去されるものの、半導体ウェ
ハ９はカーボンスライス台９１から剥離されることはな
い。
【００２２】最後の洗浄槽である剥離洗浄槽６には、半
導体ウェハ９をカーボンスライス台９１から剥離させる
ために、アルカリ洗浄液６０として４％の陰イオン系界
面活性剤が入れられており、その温度は約９５℃に設定
されている。このアルカリ洗浄液６０によると半導体ウ
ェハ９とカーボンスライス台９１とを接着している接着
剤を容易に溶解できるため、半導体ウェハ９が離脱す
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
ワイヤーソーにより切断された半導体ウェハを効率よ
く、しかも自動工程で洗浄できるという優れた効果があ
る。また、切断で生じた歪層の間の砥粒を除去し、次の
工程に持ち込むことを防止できるできるという優れた効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウェハの製造方法を示す工
程図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェハの洗浄装置を示す模
式図である。
【符号の説明】
１‥‥‥搬送装置 １１‥‥搬送装置本体 １２‥‥リフター １３‥‥エアーブロー装置 ２‥‥‥脱脂洗浄槽 ２０‥‥脱脂洗浄液 ２１‥‥バブリング装置 ３‥‥‥油水分離洗浄槽 ３０‥‥温水 ３１‥‥油脂分除去装置 ４‥‥‥濯ぎ洗浄槽 ４０‥‥温水 ４１‥‥バブリング装置 ５‥‥‥砥粒除去洗浄槽 ５０‥‥アルカリ洗浄液 ６‥‥‥剥離洗浄槽 ６０‥‥アルカリ洗浄液 ９‥‥‥半導体ウェハ ９１‥‥カーボンスライス台 ９２‥‥バスケット

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次の工程からなることを特徴とする半導
    体ウェハの製造方法。 （１）半導体インゴットをワイヤーソーにより切断する
    切断工程。 （２）切断された半導体ウェハを脱脂洗浄する脱脂洗浄
    工程。 （３）脱脂洗浄された半導体ウェハを油水分離洗浄する
    油水分離洗浄工程。 （４）油水分離洗浄された半導体ウェハを濯ぐ濯ぎ洗浄
    工程。 （５）濯ぎ洗浄された半導体ウェハの表面からアルカリ
    洗浄により砥粒を除去する砥粒除去洗浄工程。 （６）砥粒除去洗浄された半導体ウェハをスライス台か
    ら剥離させる剥離洗浄工程。
  2. 【請求項２】 砥粒除去のためのアルカリ洗浄の洗浄液
    として０．５〜３．０％の陰イオン系界面活性剤を含む
    アルカリ水溶液を使用したことを特徴とする請求項１記
    載の半導体ウェハの製造方法。
  3. 【請求項３】 砥粒除去のためのアルカリ洗浄の洗浄液
    の温度を５０〜９０℃に設定したことを特徴とする請求
    項１記載の半導体ウェハの製造方法
  4. 【請求項４】 少なくともいずれか一つの洗浄槽から引
    き上げられた半導体ウェハにエアーを吹きつけるエアー
    ブローを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
    ェハの製造方法
  5. 【請求項５】 脱脂洗浄および／または濯ぎ洗浄におい
    て、バブリングをしながら洗浄することを特徴とする請
    求項１記載の半導体ウェハの製造方法。
  6. 【請求項６】 脱脂洗浄および／または油水分離洗浄に
    おいて、その処理中に一旦洗浄漕から引き上げて水切り
    を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの
    製造方法。
  7. 【請求項７】 ワイヤーソーにより切断された半導体ウ
    ェハを脱脂洗浄する脱脂洗浄槽と、脱脂洗浄された半導
    体ウェハの表面の油水分離を行う油水分離洗浄槽と、油
    水分離された半導体ウェハを濯ぐ濯ぎ洗浄槽と、濯ぎ洗
    浄された半導体ウェハをアルカリ洗浄により砥粒除去す
    る砥粒除去洗浄槽と、砥粒除去された半導体ウェハをカ
    ーボンスライス台から剥離させる剥離洗浄槽と、それぞ
    れの洗浄槽へ順次半導体ウェハを搬送する搬送装置と、
    少なくともいずれか一つの洗浄槽から引き上げられた半
    導体ウェハにエアーを吹きつけるエアーブロー装置とか
    らなり、それぞれの洗浄槽における処理が自動制御され
    るように設けたことを特徴とする半導体ウェハの洗浄装
    置。
  8. 【請求項８】 油水分離洗浄槽内の洗浄液から油脂分を
    分離して除去する油脂分除去機能を設けたことを特徴と
    する請求項７記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  9. 【請求項９】 油脂分除去機能が膜吸着方式の循環除去
    装置であることを特徴とする請求項８記載の半導体ウェ
    ハの洗浄装置。
JP8204067A 1996-06-29 1996-06-29 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置 Pending JPH1022239A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8204067A JPH1022239A (ja) 1996-06-29 1996-06-29 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置
TW086108066A TW336332B (en) 1996-06-29 1997-06-11 Manufacturing method of semiconductor wafers and the cleaning device
US08/884,851 US5922137A (en) 1996-06-29 1997-06-30 Method of producing a semiconductor wafer and a cleaning apparatus for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8204067A JPH1022239A (ja) 1996-06-29 1996-06-29 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1022239A true JPH1022239A (ja) 1998-01-23

Family

ID=16484223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8204067A Pending JPH1022239A (ja) 1996-06-29 1996-06-29 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5922137A (ja)
JP (1) JPH1022239A (ja)
TW (1) TW336332B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545268A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス シリコンウエハ間の引力の低減
JP2010056468A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 基板の製造方法
KR101986915B1 (ko) * 2017-12-11 2019-06-07 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳의 그라인딩 장치 및 이에 적용된 홀더

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10223937A1 (de) * 2002-05-29 2004-01-15 Wacker Siltronic Ag Zweischichtverklebung von Sägehilfen auf Siliciumeinkristallstäben
JP2007150167A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法
DE102006052910B4 (de) * 2006-11-08 2008-12-04 Deutsche Solar Ag Wafer-Herstellungs-Verfahren und -Vorrichtung
DE102008053598A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-22 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Lösen von Wafern von einem Waferträger und Vorrichtung dafür
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US7700535B1 (en) * 2009-01-12 2010-04-20 Ppt Research Wafer/Ingot cleaning in wire saw cutting comprising an ethoxylated alcohol/polyalkylsiloxane mixture
CN102486989B (zh) * 2010-12-01 2013-10-23 天威新能源控股有限公司 一种硅片脱胶清洗方法及其装载板
CN108447810B (zh) * 2018-05-17 2023-03-31 江苏美科太阳能科技股份有限公司 一种新型金刚线硅片脱胶机

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3128213A (en) * 1961-07-20 1964-04-07 Int Rectifier Corp Method of making a semiconductor device
US3936328A (en) * 1972-04-28 1976-02-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of manufacturing semiconductor devices
US4372788A (en) * 1981-08-17 1983-02-08 Colgate-Palmolive Company Grill and oven cleaner
US4501258A (en) * 1982-10-04 1985-02-26 Texas Instruments Incorporated Kerf loss reduction in internal diameter sawing
TW324029B (en) * 1994-01-11 1998-01-01 Mitsubishi Chem Corp De-oiling cleaner composition
US5599438A (en) * 1994-03-25 1997-02-04 Nec Corporation Method for producing electrolyzed water
JP2830733B2 (ja) * 1994-03-25 1998-12-02 日本電気株式会社 電解水生成方法および電解水生成機構

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008545268A (ja) * 2005-07-01 2008-12-11 アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス シリコンウエハ間の引力の低減
JP2010056468A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 基板の製造方法
KR101986915B1 (ko) * 2017-12-11 2019-06-07 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳의 그라인딩 장치 및 이에 적용된 홀더

Also Published As

Publication number Publication date
US5922137A (en) 1999-07-13
TW336332B (en) 1998-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1022239A (ja) 半導体ウェハの製造方法およびその洗浄装置
WO1999031724A1 (en) Post-lapping cleaning process for silicon wafers
JP3494202B2 (ja) ウェハー状ワーク洗浄方法並びに当該洗浄方法に用いる洗浄バスケット及び洗浄ハウジング
CN109712866A (zh) 晶圆的清洗方法
JP5288974B2 (ja) 洗浄装置、基板の製造方法、および太陽電池素子
US6248180B1 (en) Method for removing particles from a semiconductor wafer
JPH09266194A (ja) 半導体ウエーハのエッチング方法
JP5300378B2 (ja) 基板の製造方法、および太陽電池素子
JP3697063B2 (ja) 洗浄システム
JP4752117B2 (ja) 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法
JPH07214014A (ja) 洗浄装置
CN113223981A (zh) 半导体设备和半导体硅片处理工艺
TWI537085B (zh) Flux cleaning method
JP2902880B2 (ja) 半導体基板の製造方法
KR100936191B1 (ko) 잉곳 세정 장치 및 잉곳 세정 방법
JPH0975874A (ja) 単結晶ブロックの洗浄方法およびその洗浄装置
KR102368658B1 (ko) Asc 공정 자동화 장치
JPH0945640A (ja) 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、その装置、および半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置
JP2003173999A (ja) 半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法
JP3099907B2 (ja) 半導体処理装置
JPH10270395A (ja) ウエハ基板の研磨洗浄処理におけるガス雰囲気調整方法及び該調整方法を実施するための装置
JP5213591B2 (ja) 基板の製造方法
JPS58210624A (ja) ウエハ洗浄装置
KR20110000069A (ko) 태양광 웨이퍼 슬러리 제거를 위한 세정장치
JPH01233734A (ja) 半導体ウエハの搬送方法およびその装置ならびにそれを用いたウエハ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050531

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051011